KR102319945B1 - 시계 제조 컴포넌트를 생성하기 위한 방법 및 상기 방법에 따라 생성된 컴포넌트 - Google Patents

시계 제조 컴포넌트를 생성하기 위한 방법 및 상기 방법에 따라 생성된 컴포넌트 Download PDF

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Abstract

본 발명은 금속 타임피스 컴포넌트들을 제조하기 위한 방법에 관한 것이고, 그 방법은, UV-LIGA 타입 방법에 의하여, 멀티-레벨 포토레지스트 몰드를 형성하는 단계, 및 포토레지스트의 상부 면에 실질적으로 도달하는 블록을 형성하기 위해 적어도 2 개의 전도성 층들로부터 시작하는 적어도 하나의 금속의 층을 갈바닉적으로 디포짓하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

시계 제조 컴포넌트를 생성하기 위한 방법 및 상기 방법에 따라 생성된 컴포넌트
발명의 분야
본 발명은 LIGA 기술을 이용하여 멀티-레벨 금속 구조물을 제조하기 위한 방법에 관한 것이다. 본 발명은 또한, 이러한 방법으로 획득된 그러한 금속 구조물, 특히, 타임피스 컴포넌트들에 관한 것이다.
발명의 배경
상기 정의에 대응하는 방법들은 이미 알려져 있다. 특히, A. B. Frazier 등에 의한 "Metallic Microstructures Fabricated Using Photosensitive Polyimide Electroplating molds” 의 제목의, 그리고 Journal of Microelectromechanical systems (Vol. 2, N deg. 2, June 1993) 에서 공표된 논문은 포토레지스트 층들의 포토리소래피에 의해 생성된 폴리이미드 몰드들에서 갈바닉 성장 (galvanic growth) 에 의해 멀티-레벨 금속 구조물들을 제조하기 위한 방법을 기술한다. 이것은 다음의 단계들을 포함한다:
- 후속하는 갈바닉 성장 단계 동안 기판 상에 희생 금속 층 및 프라이밍 층을 생성하는 단계,
- 감광성 폴리이미드의 층을 확산시키는 단계,
- 획득될 구조물의 하나의 레벨의 윤곽에 매칭하는 마스크를 통해 UV 방사선으로 폴리이미드 층을 조사하는 단계,
- 폴리이미드 몰드를 획득하도록 비-조사된 부분들을 용해시킴으로써 폴리이미드 층을 현상하는 단계,
- 갈바닉 성장에 의해 몰드의 높이로 니켈로 그 몰드를 채우고, 실질적으로 평평한 상부 표면을 획득하는 단계,
- 진공 플레이팅 (vacuum plating) 에 의해 전체 상부 표면 위에 얇은 크롬 층을 디포짓하는 단계,
- 크롬 층 상에 포토레지스트의 새로운 층을 디포짓하는 단계,
- 획득될 구조물의 다음 레벨의 윤곽에 매칭하는 새로운 마스크를 통하여 포토레지스트 층을 조사하는 단계,
- 새로운 몰드를 획득하도록 폴리이미드 층을 현상하는 단계,
- 갈바닉 성장에 의해 몰드의 높이로 니켈로 그 새로운 몰드를 채우는 단계,
- 희생층으로부터 그리고 기판으로부터 멀티-레벨 구조물 및 폴리이미드 몰드를 분리하는 단계,
- 멀티-레벨 구조물을 폴리이미드 몰드로부터 분리하는 단계.
상기 설명된 방법은, 원칙적으로, 2 초과의 레벨들을 갖는 금속 구조물들을 획득하기 위해 반복적 방식으로 구현될 수 있음이 이해될 것이다. 이 방법의 한 가지 결점은 각각의 갈바닉 디포지션 (galvanic deposition) 단계 동안 실질적으로 평평한 상부 표면을 획득할 필요성이다.
국제 특허 문헌 WO2010/020515A1 은 부품의 금속을 몰드 내로 갈바닉적으로 (galvanically) 디포짓하는 단계 전에 획득될 최종 부품에 매칭하는 완전한 포토레지스트 몰드를 생성하는 것에 의한 멀티-레벨 부품의 제조를 기술한다. 레벨 프로젝션들이 다른 것 내부에 하나가 놓이는 멀티-레벨 부품들만이 이 방법을 이용하여 생성될 수 있다. 이 방법은 또한 소정의 결점들을 갖는다. 특히, 갈바닉 성장은 어디서든 시작하고, 성장 전면들은 결합하고 원치않는 내포물들을 야기한다.
유럽 특허 문헌 EP2405301A1 은, 적어도 두개의 레벨들을 포함하는 포토레지스트 몰드를 기술하고, 기판에 형성되는 레벨들은 오직 평활한, 수직 측면들만을 포함한다. 이러한 방법의 결점은 제 2 레벨을 채우기 위해 실질적 과잉 성장에 대한 필요성이고, 이 또한 몰드의 코너들에서의 원치 않는 내포물들을 초래할 수 있다.
발명의 요약
본 발명의 목적은, LIGA 기술을 이용하여 멀티-레벨 금속 타임피스를 제조하기 위한 방법을 제공함으로써 전술된 결점들 및 다른 것들을 극복하기 위한 것이고, 여기서, 전도성 층은, 제 2 레벨의 길이-대-높이 비율을 높이기 위한 매질을 갖는 멀티-레벨 컴포넌트들의 경우에 각 레벨에 대해 신뢰가능한 갈바닉 성장을 허용하도록 포토레지스트 층과 연관된다.
본 발명의 또 다른 목적은 하나 이상의 전기 전도성 층들의 디포지션 동안 측면들이 금속화되는 것을 방지하는 그러한 방법을 제공하기 위한 것이다.
이러한 목적을 위해, 본 발명은 다음의 단계들을 포함하는, 타임피스 컴포넌트 (timepiece component) 를 제조하기 위한 방법에 관한 것이다:
a) 기판을 취하고, 그 위에 제 1 전기 전도성 층을 디포짓 (deposit) 하고, 제 1 포토레지스트 층을 도포하는 단계;
b) 제 1 전기 전도성 층을 제위치에서 드러내기 위해, 컴포넌트의 제 1 레벨을 정의하는 마스크를 통하여 제 1 포토레지스트 층을 조사하고 포토레지스트 층의 비-조사된 영역들을 용해하는 단계;
c) 제 1 포토레지스트 층의 조사된 영역들 상에 제 2 전기 전도성 층을 국부적으로 (locally) 디포짓하는 단계로서, 상기 제 2 전기 전도성 층은 스텐실 마스크를 통해 또는 잉크 또는 전도성 수지를 프린팅함으로써 디포짓되는, 상기 제 2 전기 전도성 층을 국부적으로 디포짓하는 단계;
d) 단계 c) 에서 생성된 구조를 커버하는 제 2 포토레지스트 층을 도포하는 단계;
e) 제 1 레벨 및 제 2 레벨을 포함하는 몰드를 형성하기 위해서 그리고 제 1 및 제 2 전기 전도성 층을 제위치에서 드러내기 위해서, 컴포넌트의 제 2 레벨을 정의하는 마스크를 통하여 제 2 포토레지스트 층을 조사하고 제 2 포토레지스트 층의 비-조사된 영역들을 용해하는 단계;
f) 컴포넌트를 형성하기 위해 제 1 층 및 제 2 층으로부터 몰드에서 전기주조 (electroforming) 하는 것에 의해 금속 층을 디포짓하는 단계로서, 상기 층은 제 2 포토레지스트 층의 상부 면에 실질적으로 도달하는, 상기 금속 층을 디포짓하는 단계;
g) 기계적 방법을 이용하여, 금속 층을 미리정의된 두께로 가공하는 단계;
h) 컴포넌트의 상부 면에 추가적인 형상들 (모따기들 (chamfers), 스폿 면들 (spot faces) 등) 을 웨이퍼 형태로 기계적 가공에 의해 생성하는 단계;
i) 상기 컴포넌트를 릴리즈 (release) 하기 위해 기판, 전도성 층들 및 포토레지스트를 연속적으로 제거하는 단계.
이 방법은 따라서, 멀티-레벨 부품들이 생성되도록 허용한다.
본 발명의 다른 유리한 대안적인 실시형태들에 따르면,
- 제 2 전기 전도성 층은 스텐실 마스크 (stencil mask) 를 통해 디포짓된다;
- 제 2 전기 전도성 층은 잉크 또는 전도성 수지 (conductive resin) 의 프린팅에 의해 디포짓된다;
삭제
- 상기 제 1 층 및 상기 제 2 전기 전도성 층은 Au, Ti, Pt, Ag, Cr 또는 Pd 타입의 것이거나 또는 이들 재료들 중 적어도 두개의 스택이다;
- 기판은 실리콘으로 만들어진다;
- 제 1 전도성 층은 50 nm 내지 500 nm 범위에 놓이는 두께를 갖는다;
- 제 2 전도성 층은 50 nm 내지 500 nm 범위에 놓이는 두께를 갖는다;
- 단계 a) 후에 그리고 단계 d) 후에, 기계적 가공 동작에 의해 포토레지스트에 대해 두께 조정 작업이 수행되고, 따라서, 두께 조정을 겪은 포토레지스트는 열 처리된다.
마지막으로, 본 발명은 본 발명에 따른 방법에 의해 획득된 타임피스 컴포넌트, 이를 테면, 예를 들어 팔레트 레버 또는 이스케이프 휠에 관한 것이다.
본 발명의 방법은 타임피스들을 위한 컴포넌트들의 제조에서 특히 유리한 적용을 가짐이 따라서 이해된다.
도면들의 간단한 설명
본 발명의 다른 특징들 및 이점들은, 첨부 도면을 참조하여 주어진, 본 발명에 따른 방법의 하나의 예시적인 실시형태의 다음의 상세한 설명을 읽으면 더 잘 이해될 것이며, 이 예는 단지 예시적인 목적들로 제공될 뿐이고 본 발명의 범위를 제한하도록 의도되지 않는다.
- 도 1 내지 도 11 은 타임피스 컴포넌트를 생성하기 위한 본 발명의 하나의 실시형태의 방법에서의 단계들을 나타낸다.
바람직한 실시형태의 상세한 설명
본 발명에 따른 방법의 단계 a) 에서 사용된 기판 (1) 은 예를 들어, 실리콘 기판에 의해 형성된다. 방법의 제 1 단계 a) 동안, 제 1 전도성 층 (2), 즉, 갈바닉 접근법에 의해 금속 디포지션을 개시 가능한 층이, 예를 들어, 물리적 기상 증착 (PVD) 에 의해 디포짓된다. 통상적으로, 제 1 전도성 층 (2) 은 Au, Ti, Pt, Ag, Cr 또는 Pd 타입 (도 1) 의 것이거나, 또는 이들 재료들 중 적어도 두개의 재료의 스택이고, 50 nm 내지 500 nm 범위에 놓이는 두께를 갖는다. 예를 들어, 제 1 전도성 층 (2) 은 금 또는 구리의 층에 의해 커버되는 크롬 또는 티타늄의 서브-층에 의해 형성될 수 있다.
이 방법에서 사용된 포토레지스트 (3) 는 바람직하게는 UV 방사의 영향 하에서 중합화하도록 설계되는, 레퍼런스 SU-8 하에서 Microchem 으로부터 이용가능한 네거티브-타입 옥토관능성 에폭시계 포토레지스트이다.
본 발명의 하나의 특정 실시형태에 따르면, 포토레지스트는 드라이 필름의 형태를 취하며, 따라서 포토레지스트는 기판 (1) 에 대해 라미네이션에 의해 적용된다.
대안적으로, 포토레지스트는 UV 방사선의 영향 하에서 분해되도록 설계된 포지티브 포토레지스트일 수 있다. 본 발명은 포토레지스트의 몇몇 특정 타입들로 제한되지 않음이 이해될 것이다. 당업자는, UV 포토리소그래피를 위해 적합한 모든 알려진 포토레지스트들 중에서 그의 필요에 맞는 포토레지스트를 선택할 수 있을 것이다.
제 1 포토레지스트 층 (3) 은 임의의 적절한 수단에 의해, 스핀 코팅에 의해, 코팅 머신에 의해, 또는 스프레잉에 의해 원하는 두께로 기판 (1) 상에 디포짓된다. 통상적으로, 포토레지스트 두께는 10μm 내지 1000μm 범위에, 그리고 바람직하게는 30μm 내지 300μm 범위에 놓인다. 원하는 두께 및 사용되는 디포지션 기법에 의존하여, 제 1 포토레지스트 층 (3) 은 하나 이상의 단계들에서 디포짓될 것이다.
제 1 포토레지스트 층 (3) 은 그 다음, 용매를 제거하기 위해 디포짓된 두께에 의존하는 지속기간 동안 통상적으로 90 과 120 °C 사이로 가열된다 (프리-베이크 단계). 이 가열은 포토레지스트를 건조하고 경화시킨다.
본 방법의 선택적 단계에 따르면, 제 1 포토레지스트 층 (3) 은 두께 조정 단계를 겪고, 여기서, 포토레지스트는 가공된다. 모든 가공 마크들을 제거하고 완벽하게 평평한 표면을 획득하기 위해, 포토레지스트는 그것의 표면을 "팽팽하게 하도록 (tension)" 재가열된다.
도 2 에 도시된 다음 단계 b) 는 형성될 컴포넌트의 제 1 레벨 및 따라서 광중합된 영역들 (3a) 및 비-광중합된 영역들 (3b) 을 정의하는 마스크 (4) 를 통해 UV 방사선에 의하여 제 1 포토레지스트 층 (3) 을 조사하는 것으로 이루어진다.
어닐링 단계 (포스트-베이크 단계) 는 UV 방사선에 의해 유도되는 광중합화를 완료하기 위하여 제 1 포토레지스트 층 (3) 에 대해 필수적일 수도 있다. 이 어닐링 단계는 바람직하게는 90°C 와 95°C 사이에서 수행된다. 광중합된 영역들 (3a) 은 대부분의 용매들에 대해 둔감하게 된다. 그러나, 비-광중합화 영역들은 후속하여 용매에 의해 용해될 수 있을 것이다.
제 1 포토레지스트 층 (3) 의 비-광중합된 영역들 (3b) 은 그 다음, 기판 (1) 의 제 1 전도성 층 (2) 을 제자리에서 드러내도록 용해된다. 이러한 동작은 PGMEA (프로필렌 글리콜 메틸 에테르 아세테이트) 와 같은 적당한 용매에 의하여 비-광중합된 영역들 (3b) 을 용해시킴으로써 실행된다. 따라서, 컴포넌트의 제 1 레벨을 정의하는 광중합된 포토레지스트 몰드 (3a) 가 생성된다.
도 4 에서 도시된 다음 단계 c) 는 이전 단계 동안 광중합된 영역들 (3a) 상에 제 2 전도성 층 (5) 을 디포짓하는 것으로 이루어진다. 이 제 2 전도성 층 (5) 은 제 1 전도성 층 (2) 과 동일한 특성들을 가질 수 있고, 즉, 그것은 Au, Ti, Pt, Ag, Cr 또는 Pd 타입의 것이거나, 또는 이들 재료들 중 적어도 2 개의 재료의 스택이며, 50 nm 내지 500 nm 범위에 놓이는 두께를 갖는다.
본 발명의 선호되는 실시형태에 따르면, 광학적 정렬 디바이스를 통해 포지셔닝되는 스텐실 마스크가 사용된다. 그러한 장비는, 기판 상의 광중합된 영역들 (3a) 의 기하학적 구성과 마스크의 양호한 정렬을 보장하고, 따라서, 마스크가 기판 (1) 에 가능한 한 가깝게 유지되기 때문에 광중합된 포토레지스트 (3a) 의 측면들 상의 디포지션은 방지하면서 광중합된 포토레지스트 (3a) 의 상부 표면 상의 단일 디포지션을 보장하기 위해, 사용된다.
본 발명의 대안적 실시형태에 따르면, 제 2 전기 전도성 층은 (측면들을 포함하는) 노출된 표면들의 전부 상의 포괄적 디포지션에 의해 구현되고, 그 후에, 스탬핑에 의해 디포짓된 레지스트에 의해 보호되었던, 제 1 포토레지스트 층의 상부 표면을 제외하고는 완전히 제거된다.
당해 기술 분야의 당업자는, 제 2 전도성 층 (5) 을 디포짓하기 위하여 3D 프린팅 프로세스를 구현하는 것을 고려할 수 있을 것이다.
이러한 솔루션들은 제 2 전기 전도성 층 (5) 의 선택적이고 보다 정밀한 디포지션을 허용하고, 따라서, 광중합된 포토레지스트 (3a) 의 측벽들 상에 어떠한 디포지션도 없는 것을 허용한다.
도 5 에서 도시된 다음 단계 d) 는 이전 단계에서 생성된 구조체를 커버하는 제 2 포토레지스트 층 (6) 을 디포짓하는 것으로 이루어진다. 이 단계 동안에 동일한 포토레지스트가 사용되며, 두께는 단계 a) 동안 디포짓된 것보다 더 크다. 일반적으로, 두께는 획득될 컴포넌트의 기하학적 구성에 따라 변한다.
본 방법의 선택적 단계에 따르면, 제 2 포토레지스트 층 (6) 은 두께 조정 단계를 겪고, 여기서, 포토레지스트는 기계적으로 가공된다. 모든 가공 마크들을 제거하고 완벽하게 평평한 표면을 획득하기 위해, 포토레지스트는 그것의 표면을 "팽팽하게 하도록 (tension)" 재가열된다.
도 6 에서 도시된 다음 단계 e) 는 컴포넌트의 제 2 레벨을 정의하는 마스크 (4”) 를 통하여 제 2 포토레지스트 층 (6) 을 조사하는 것, 및 제 2 포토레지스트 층 (6) 의 비-조사된 영역들 (6b) 을 용해하는 것으로 이루어진다. 이 단계의 끝에서 (도 7), 제 1 전기 전도성 층 (2) 및 제 2 전기 전도성 층 (5) 을 제자리에서 드러내는, 제 1 및 제 2 레벨을 포함하는 몰드가 획득된다.
도 8 에서 도시된 다음 단계 f) 는, 몰드에서, 전기주조 또는 갈바닉 디포지션에 의해, 제 1 전기 전도성 층 (2) 및 제 2 전기 전도성 층 (5) 으로부터 금속의 층 (7) 을, 바람직하게는 몰드의 높이 미만인 높이에 도달하는 블록을 형성할 때까지 디포짓하여, 후속 가공에 대해 향상된 기계적 강도를 도입하는 것으로 이루어진다. 이 문맥에서의 '금속 (metal)' 이라는 용어는 금속 합금들을 포함함은 말할 나위도 없다. 통상적으로, 금속은 니켈, 구리, 금 또는 은, 및 합금들로서, 금-구리, 니켈-코발트, 니켈-철, 니켈-인, 또는 심지어 니켈-텅스텐을 포함하는 군에서 선택될 것이다. 일반적으로, 다층 금속 구조체는 전체적으로 동일한 합금 또는 금속으로 이루어진다. 그러나, 금속 또는 합금은 또한, 상이한 성질들의 적어도 2 개의 층들을 포함하는 금속 구조체를 획득하기 위해 갈바닉 디포지션 단계 동안에 변경될 수 있다.
전기주조 조건들은, 특히, 배스들의 조성, 시스템의 기하학적 구성, 전압들 및 전류 밀도들은 전기주조 분야에서 잘 알려진 기법들에 따라 전착될 각각의 금속 또는 합금에 대해 선택된다.
도 9 에서 도시된 다음 단계 g) 는, 금속 층 (70) 을, 기계적 방법을 통해, 생성될 컴포넌트의 두께에 의해 미리정의된 두께로 가공하는 것으로 이루어진다.
도 10 에서 도시된 다음 단계 h) 는, 예를 들어, 컴포넌트의 가시 면의 에지들 상의 모따기, 또는 컴포넌트에서의 태핑 또는 스폿 면과 같은 기계적 가공 동작들을 수행하는 것으로 이루어진다. 물론, 그 동작들은 획득될 최종 컴포넌트의 기하학적 구성에 의존할 것이다.
단계 i) 는 당해 기술 분야의 당업자에게 친숙한 동작들인 일련의 웨트 또는 드라이 에칭 단계들을 통해 기판, 전도성 층들 또는 포토레지스트 층들을 제거하는 것에 의해 컴포넌트를 릴리즈하는 것으로 이루어진다.
예를 들어, 제 1 전도성 층 (2) 및 기판 (1) 은 웨트 에칭에 의해 제거되며, 이는 컴포넌트가 손상 없이 기판 (1) 으로부터 릴리즈되도록 허용한다. 잘 알려진 방식에서, 실리콘 기판은 수산화칼륨계 용액 (KOH) 으로 에칭될 수 있다.
이 제 1 시퀀스의 종료 시에, 제 1 및 제 2 포토레지스트 층들에서 셋팅된 컴포넌트가 획득되며, 제 2 전도성 층 (5) 은 또한 제자리에 존재하는 채로 유지된다.
제 2 시퀀스는 중간 금속 층들의 웨트 에칭들에 의해 분리된 제 1 포토레지스트 층 (3) 및 제 2 포토레지스트 층 (6) 을 산소 플라즈마 에칭에 의해 제거하는 것으로 이루어진다.
이 단계의 종료 시에, 획득된 컴포넌트들은 클리닝될 수 있고, 선택적으로, 가공 동작들 또는 심미적 마무리 동작들을 수행하기 위하여 머신 툴 상에서 재가공될 수 있다. 이 스테이지에서, 부품들은 직접 사용될 수 있거나 또는 다양한 장식적 및/또는 기능적 처리들, 통상적으로, 물리적 또는 화학적 기상 증착들을 거칠 수 있다.
선택적 단계에 따르면, 단계 a) 및 단계 d) 후에, 각각의 포토레지스트 층 (3, 6) 을 기계가공함으로써 두께 조정 동작이 수행된다. 유리하게는, 이 동작은, 부품들의 기하학적 구성이 기판 (1) (웨이퍼) 의 스케일로 정밀하게 제어되도록 허용한다. 일단 포토레지스트 상에서 두께 조정이 수행되고 나면, 기계가공 동작의 임의의 흔적들을 제거하기 위해 열 처리가 수행된다.
본 발명의 방법은 스프링들, 팔레트-레버들 및 휠들 등과 같은, 타임피스들의 컴포넌트들의 제조를 위해 특히 유리한 애플리케이션을 갖는다. 이 방법 덕분에, 고도로 신뢰가능한 기하학적 구성들을 갖는 강건한 컴포넌트들이 획득될 수 있다.

Claims (10)

  1. 타임피스 컴포넌트를 제조하는 방법으로서,
    a) 기판 (1) 을 취하고, 그 위에 제 1 전기 전도성 층 (2) 을 디포짓하고, 제 1 포토레지스트 층 (3) 을 도포하는 단계;
    b) 상기 제 1 전기 전도성 층 (2) 을 제위치에서 드러내기 위해서 그리고 상기 컴포넌트의 제 1 레벨을 정의하는 광중합된 포토레지스트 몰드 (3a) 를 형성하기 위해서, 상기 컴포넌트의 상기 제 1 레벨을 정의하는 마스크 (4) 를 통하여 상기 제 1 포토레지스트 층 (3) 을 조사하고 상기 포토레지스트 층 (3) 의 비-조사된 영역들 (3b) 을 용해하는 단계;
    c) 상기 제 1 포토레지스트 층 (3) 의 상기 광중합된 포토레지스트 (3a) 상에 제 2 전기 전도성 층 (5) 을 국부적으로 디포짓하는 단계로서, 상기 제 2 전기 전도성 층은 스텐실 마스크 (4') 를 통해 또는 잉크 또는 전도성 수지를 프린팅함으로써 디포짓되는, 상기 제 2 전기 전도성 층 (5) 을 국부적으로 디포짓하는 단계;
    d) 단계 c) 에서 생성된 구조를 커버하는 제 2 포토레지스트 층 (6) 을 도포하는 단계;
    e) 제 1 레벨 및 제 2 레벨을 포함하는 몰드를 형성하기 위해서 그리고 상기 제 1 전기 전도성 층 (2) 및 상기 제 2 전기 전도성 층 (5) 을 제위치에서 드러내기 위해서, 상기 컴포넌트의 제 2 레벨을 정의하는 마스크 (4") 를 통하여 상기 제 2 포토레지스트 층 (6) 을 조사하고 상기 제 2 포토레지스트 층 (6) 의 비-조사된 영역들 (6b) 을 용해하는 단계;
    f) 상기 컴포넌트를 형성하기 위해 상기 제 1 전기 전도성 층 (2) 및 상기 제 2 전기 전도성 층 (5) 으로부터 상기 몰드에서 전기주조 (electroforming) 하는 것에 의해 금속 층 (7) 을 디포짓하는 단계;
    g) 기계적 방법을 이용하여, 상기 금속 층 (7) 을 미리정의된 두께로 가공하는 단계;
    h) 상기 컴포넌트의 상부 면에 추가적인 형상들을 웨이퍼 형태로 기계적 가공에 의해 생성하는 단계;
    i) 상기 컴포넌트를 릴리즈하기 위해 상기 기판, 상기 전도성 층들 및 상기 포토레지스트를 연속적으로 제거하는 단계
    를 포함하는, 타임피스 컴포넌트를 제조하는 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 전기 전도성 층 (2) 및 상기 제 2 전기 전도성 층 (5) 은 Au, Ti, Pt, Ag, Cr 또는 Pd 타입의 것인 것을 특징으로 하는 타임피스 컴포넌트를 제조하는 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판 (1) 은 실리콘으로 만들어지는 것을 특징으로 하는 타임피스 컴포넌트를 제조하는 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 전기 전도성 층 (2) 은 50nm 내지 500nm 범위에 놓이는 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 타임피스 컴포넌트를 제조하는 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 전기 전도성 층 (5) 은 50nm 내지 500nm 범위에 놓이는 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 타임피스 컴포넌트를 제조하는 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    - 단계 a) 후에 그리고 단계 d) 후에, 기계적 가공 동작에 의해 상기 포토레지스트에 대해 두께 조정 작업이 실행되고;
    - 상기 두께 조정을 겪은 상기 포토레지스트는 열 처리되는 것을 특징으로 하는 타임피스 컴포넌트를 제조하는 방법.
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