JPH06262124A - 処理液供給方法及びその装置並びに不要膜除去方法並びに位相シフトマスクブランク製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 比較的容易に基板主表面の必要とする場所に
正確に溶媒等の処理液を供給することを可能にする。 【構成】 回転台２０の凹状載置部２１に、基板１０を
その裏面が上方を向くように収納載置する。凹状載置部
２１の内周面（２１ｄ，２１ａ）と、基板１０の不要膜
が形成された部分（１１ｄ，１１ｃ）との間にナイロン
糸６０ａ，６０ｂを介在させて不要膜を溶解できる溶媒
を流通する溶媒流通路を形成し、この溶媒通路に溶媒５
０をノズル４０より供給することにより、不要膜を溶解
させる。次に、回転台２０を回転させて溶媒５０を遠心
力により飛散させて不要膜を除去する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えば、フォトマスク
ブランク、半導体基板、磁気ディスク基板及びカラーフ
ィルター等の基板表面の一部に形成された不要膜を除去
する際に溶媒等の処理液を所定の部位に供給する処理液
供給方法及びその装置並びに不要膜除去方法並びに位相
シフトマスブランク製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置、フォトマスク、磁気ディス
ク基板、カラーフィルター等を製造する分野において
は、基板の一主表面に形成された塗布膜その他の膜のう
ちの不要な一部分を除去することがしばしば要求され
る。

【０００３】例えば、基板上にレジストあるいはＳＯＧ
（スピン・オン・グラス）膜等を塗布する際に、略水平
に保持した基板上に塗布液を滴下しつつ基板を回転する
ことによりその遠心力を利用して基板上に均一な塗布膜
を形成するスピンコート法を用いた場合、塗布膜が基板
の全面に均一に形成させるような低速で回転させると、
基板表面の周縁部に働く遠心力が小さくなり、塗布液が
基板表面の周縁部に溜まり、その部分の膜厚が厚くなっ
てしまう。このように、基板表面の周縁部が盛り上がる
と、例えば塗布液がＳＯＧの場合は、その部分にクラッ
クが入りやすくなる。また、ＳＯＧが基板表面の周縁部
に形成されている位相シフトマスクを露光装置に取り付
けるときに、基板周縁部を支持する構造となっている場
合があるが、この場合に基板周辺部が盛り上がっている
と良好に保持されないことになる。さらに、塗布液がレ
ジストの場合は例えばフォトマスクを重ねて密着露光を
行う際に、フォトマスクとレジスト塗布膜とが良好に密
着されないという問題が生ずる。したがって、このよう
な場合には基板表面周縁部の塗布膜を除去する必要があ
る。

【０００４】このような問題点を解決するための技術と
して、例えば、特公昭５８−１９３５０号公報に開示さ
れている方法がある。

【０００５】この公報に開示されている方法のうちで第
１の方法は、基板の裏面、側面、または表面周縁部のよ
うな不要な場所に付着した塗布膜を次の方法で除去する
ものである。すなわち、図１７に示されるように、基板
表面の周縁部で塗布膜１３０が盛り上がり、基板の側面
及び裏面にも塗布膜が付着した塗布膜付き基板１００
を、その表面を上向きにターンテーブル２００に載置し
て回転する。同時に、下方に配設されたノズル４００か
ら基板の外周方向に塗布膜を溶かす溶媒５００を噴射さ
せ、この溶媒が表面張力等によって塗布膜をつたわって
基板１００の表面周縁部まで上昇するようにする。これ
により、塗布膜を溶かすとともに、塗布膜を溶出した溶
媒を遠心力によって外方に飛散させることにより不要塗
布膜を除去するようにしたものである。

【０００６】また、上記公報に開示されている第２の方
法は、図１８に示されるように、正方形の基板であっ
て、表面に形成された塗布膜１３０が基板周縁部におい
て盛り上がった基板１００を、その表面を上向きにして
ターンテーブル２００に載置し、その基板１００の表面
の上方に中空のピラミッド形状をなしたカバー７００を
そのピラミッドの頂点がターンテーブル２００の回転中
心軸上に位置するように配置し、このピラミッド型カバ
ー７００と上記基板２００とを一体にして回転させなが
ら、ピラミッドの頂点の上からノズル４００を通じて溶
媒５００を供給してカバー７００の斜面をつたわらせて
基板１００の周縁部に供給し、これにより基板周縁部の
盛り上がった塗布膜を除去するようにしたものである。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
従来の方法にのうち、第１の方法においては、ノズル４
００から噴射された溶媒が表面張力等によって塗布膜を
つたわって基板１００の表面周縁部まで上昇して不要塗
布膜を溶かすようにし、かつ、この塗布膜が溶出した溶
媒を遠心力によって外方に飛散させるようにしなければ
ならないが、このような条件を満たすためには、ターン
テーブル２００の回転数や溶媒の供給速度を極めて微妙
に調節する必要があり、その制御が非常に困難であると
いう問題点を有していた。これがために、例えば、隣り
合うパターン露光光に位相ズレを与えて分解能を向上さ
せるようにした位相シフトマスクの素材たる位相シフト
マスクブランクの製造において、位相シフト層となるＳ
ＯＧ塗布膜形成工程において生じた不要塗布膜を除去す
ることも困難であるという問題があった。

【０００８】また、上述の従来の方法にのうち、第２の
方法においては、ピラミッド状のカバー７００の斜面を
つたわって基板１００の周縁部に導かれた溶媒は、回転
に伴う各種の力、例えば、遠心力や風力等をうけるが、
それらの力は溶媒の供給量や回転数もしくは周囲の空気
の情況等に依存するので必ずしも一定に保持できない。
その結果、基板周縁部の除去部の幅がばらついてしまう
という問題があった。また、特にターンテーブル等を高
速で回転させる場合には、風力その他の力により溶媒は
回転方向と反対方向にも流動する等の理由により、正方
形の角部の除去すべきでない部分にまで溶媒が入り込み
この部分も除去してしまう場合がある。しかも、従来の
方法では、ピラミッド状のカバー７００と基板１００と
は、互いに所定の間隔をおくとともに正確な位置関係を
維持した状態で一体に回転させなければならないが、溶
媒の流通を阻害しないで一体に回転させる適切な機構を
得ることが必ずしも容易でないという問題もあった。

【０００９】本発明は上記問題点を解決するためになさ
れたものであり、比較的容易に必要とする場所に正確・
確実に処理液を供給することを可能にした処理液供給方
法及びその装置並びに不要膜除去方法及び上記方法を用
いた位相シフトマスクブランク製造方法を提供すること
を目的としたものである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
めに、本発明にかかる処理液供給方法は、（構成１）
基板主表面の所定の領域に処理液を供給する処理液供給
方法であって、前記基板主表面の処理理液を供給すべき
領域に対向して設けられて該基板主表面との間に間隙を
形成する間隙形成部材を設け、この間隙形成部材と前記
基板主表面との間に形成される間隙の大きさを、この間
隙に処理液を供給したとき処理液が主として表面張力の
作用により間隙中をつたわって間隙中に拡がることが可
能な大きさに設定し、この間隙中に処理液を供給するこ
とによって前記基板主表面の所定の領域に処理液を供給
することを特徴とした構成とし、この構成１の態様とし
て、（構成２） 構成１の処理液供給方法において、前
記間隙形成部材は、基板主表面表面の主要部を覆うよう
にして該基板主表面に対向して配置されるカバー部材で
あって、該カバー部材を前記基板主表面に対向して配置
したとき、該カバー部材の前記基板主表面に対向する面
と基板主表面との間に形成される間隙の大きさが、前記
基板主表面の処理液を供給すべき部位に位置する処理液
供給領域においては前記処理液が主として表面張力の作
用により間隙中をつたわって間隙中に拡がることが可能
な大きさとなり、一方、前記基板主表面の処理液を供給
すべき部位以外の部位に位置する非供給領域において
は、前記処理液が表面張力の作用によっては間隙中をつ
たわることができず間隙中に拡がることができない大き
さとなるように前記基板主表面に対向する面を形成し、
また、前記処理液供給領域の間隙内に外部から処理液を
供給するための貫通孔を設け、この貫通孔を通じて前記
処理液供給領域の間隙内にのみ外部から処理液を供給で
きるようにしたものであることを特徴とし、構成１又は
２の態様として、（構成３） 構成１又は２の処理液供
給方法において、前記間隙形成部材と前記基板主表面と
の間の間隙の大きさを設定する間隙設定部材として、前
記間隙形成部材と前記基板主表面との間に介在される所
定の太さの紐状体を用いるようにしたことを特徴とする
構成とし、構成１ないし３のいずれかの態様として、
（構成４） 構成１ないし３のいずれかの処理液供給方
法において、前記基板及び間隙形成部材をともに回転さ
せながら前記間隙形成部材と前記基板主表面との間の間
隙内に処理液を供給することを特徴とした構成としたも
のである。

【００１１】また、本発明の処理液供給装置は、（構成
５） 基板主表面の所定の領域に処理液を供給する処理
液供給装置であって、前記基板主表面の処理理液を供給
すべき領域に対向して設けられて該基板主表面との間に
間隙を形成する間隙形成部材を設け、この間隙形成部材
と前記基板主表面との間に形成される間隙の大きさを、
この間隙に処理液を供給したとき処理液が主として表面
張力の作用により間隙中をつたわって間隙中に拡がるこ
とが可能な大きさに設定したものであることを特徴とし
た構成とした。

【００１２】さらに、本発明にかかる不要膜除去方法
は、（構成６） 基板主表面に形成された不要膜に該不
要膜を溶解する溶媒を供給して該不要膜を除去する不要
膜除去方法であって、前記不要膜に溶媒を供給する方法
として構成１ないし４のいずれかに記載の処理液供給方
法を用い、これらの方法における処理液として不要膜を
溶解する溶媒を用いることを特徴とした構成とし、この
構成６の態様として、（構成７） 構成６の不要膜除去
方法において、前記基板及び間隙形成部材をともに第１
の回転速度で回転させながら前記間隙形成部材と前記基
板主表面との間の間隙内に前記溶媒を供給して前記不要
膜を溶解させ、次に、前記基板及び間隙形成部材をとも
に前記第１の回転数より大きい第２の回転数で回転させ
て前記溶媒を遠心力により飛散させることにより、前記
不要膜を除去するようにしたことを特徴とする構成とし
た。

【００１３】そして、本発明にかかる位相シフトマスク
ブランク製造方法は、（構成８） 透光性基板に位相シ
フト層となる膜を形成する膜形成工程を有する位相シフ
トマスクブランク製造方法において、前記膜形成工程に
おいて不要な部分に形成された不要膜を構成６に記載の
方法で除去する不要膜除去工程を有することを特徴とし
た構成としたものである。

【００１４】

【作用】上述の構成１によれば、間隙形成部材と前記基
板主表面との間に形成される間隙の大きさを、この間隙
に処理液を供給したとき処理液が間隙中をつたわって間
隙中に拡がることが可能な大きさに設定したことによ
り、間隙中に処理液を流通させるために特別な装置を用
いる等の手段を設けることなく、極めて簡単に、しかも
確実かつ正確に基板主表面の所定の部位に処理液を供給
することが可能となる。

【００１５】また、構成２によれば、間隙形成部材をカ
バー部材で構成したことにより、処理液を所定の供給す
べき場所にのみ供給し、かつ、供給すべきでない場所に
は供給されないようにすることが容易に可能になり、構
成３によれば、間隙の大きさを紐状体の太さを選定する
ことによって比較的簡単に正確な大きさに設定すること
ができ、さらに、構成４によれば、処理液の供給を回転
による遠心力等を利用して促進させることが可能にな
る。

【００１６】構成５によれば、構成１ないし４の方法を
実施する装置を得ることができる。

【００１７】構成６によれば、基板の不要膜が形成され
た場所に正確にかつ容易・確実に溶媒を供給してこれを
溶解除去することが可能になり、構成７によれば、遠心
力等を利用して溶媒の供給や除去の促進を図ることがで
きる。

【００１８】そして、構成８によれば、不要膜を正確に
かつ容易・確実に除去することができる位相シフトマス
クブランク製造方法を得ることができる。

【００１９】

【実施例】

（第１実施例）図１は本発明の第１実施例にかかる不要
膜除去装置の構成を示す部分断面図、図２は図１の部分
拡大断面図、図３ないし図４は本発明の第１実施例にか
かる不要膜除去方法の説明図である。以下、これらの図
面を参照にしながら第１実施例にかかる不要膜除去方法
及びその装置並びに位相シフトマスクブランク製造方法
を説明する。以下の説明では、まず、不要膜が形成され
た位相シフトマスクブランクを説明し、次に、処理液供
給装置の実施例でもある不要膜除去装置の構成を説明
し、最後に処理液供給方法の実施例でもある不要膜除去
方法と併せて位相シフトマスクブランク製造方法を説明
する。

【００２０】不要膜が形成された位相シフトマスクブラ
ンク 図１ないし図４において、基板１０は、石英ガラスから
なる透明基板（６インチ×６インチ×０．２５インチ）
１１の表面１１ａの主要部にクロムからなる遮光膜パタ
ーン１２が形成され、さらに、この遮光膜パターン１２
の上に位相シフトマスクの位相シフト層を構成するＳＯ
Ｇ膜である塗布膜１３が形成されたもので（図３，図４
参照）、いわゆるＳＯＧ膜付フォトマスクブランク（位
相シフトマスクブランク）である。ここで、この塗布膜
１３は、本来、基板１１の表面１１ａの主要部、すなわ
ち、遮光膜パターン１２が形成されている部分及びその
近傍周辺にのみ形成されていればよい。しかしながら、
塗布膜１３の形成の際に、本来形成する必要のない基板
１１の表面１１ａの周縁部１１ｃ、基板側面部１１ｄ及
び基板裏面部１１ｅにまで形成されてしまう。すなわ
ち、この塗布膜１３は、ＳｉＯ₂ 系被覆形成用塗布液
（アライドシグナル社ＡＣＣＵＧＬＡＳＳ２１１Ｓ）
を、例えば、回転数１０００ｒｐｍで１０秒間スピンコ
ートして、膜厚約４０００オングストロームに形成した
ものである。このスピンコートの際に、基板表面周縁部
１１ｃに塗布液の盛り上がりが生じて不要な盛り上がり
塗布膜１３ｃが形成されるとともに、塗布液が基板側面
部１１ｄ及び基板裏面部１１ｅにまで回り込んでそれぞ
れ不要塗布膜１３ｄ及び１３ｅが形成される（図４参
照）。第１実施例にかかる不要膜除去方法及びその装置
は、上記不要膜１３ｃ，１３ｄ，１３ｅを除去する方法
及び装置である。

【００２１】第１実施例の不要膜除去装置 第１実施例の不要膜除去装置は、図１に示されるよう
に、回転台２０に載置保持された基板１０の裏面１１ｂ
にノズル４０から噴出する溶媒５０を供給するものであ
る。

【００２２】回転台２０は、基板１０を収納して略水平
に載置保持する凹状載置部２１を有している。この凹状
載置部２１は、基板１０をその裏面１１ｂが上方に向く
ように収納載置したとき、凹状載置部２１の内側面２１
ｄ及び底面２１ｆと、基板１０の側面１１ｄ及び表面１
１ａとの間に一定の間隔が生ずるように形成されてお
り、本発明の間隙形成部材を構成するものである。

【００２３】凹状載置部２１は、略垂直な内側面２１ｄ
から底面２１ｆに至る部分に段差面２１ａが形成されて
いる。すなわち、内側面２１ｄによって形成される開口
部の開口寸法は基板１０の外形寸法より大きく形成さ
れ、一方、段差面２１ａより下方に形成される開口部の
開口寸法は基板１０の外形寸法より小さく形成されてい
る。これにより、基板１０は段差面２１ａによってその
周縁部１１ｃを支持され、基板１０の表面１１ａと凹状
載置部２１の底面２１ｆとの間に一定の間隔が生じ、表
面１１ａが底面２１ｆに直接接触して傷が付く等のこと
がないようになっている。

【００２４】ここで、段差面２１ａと基板１０の周縁部
１１ｃの間には、これらの間の間隙の大きさを設定する
間隙設定部材としてのナイロン糸６０ａ（太さ約０．１
７ｍｍ）が介在される。このナイロン糸６０ａは、段差
面２１ａの中心寄りの部位から外周寄りの部位に向けて
介在され、段差面２１ａの全周に一定の間隔をおいて合
計８本介在される。このナイロン糸６０ａは、段差面２
１ａの中心寄りの部位に設けられた貫通孔を通じて外部
から引き込まれ、外周寄りの部位に設けられた貫通孔を
通じて再度外部に引き出されてループ状に形成されてい
る。このナイロン糸６０ａによって段差面２１ａと基板
１０の周縁部１１ｃの間に間隙が形成され、溶媒の流通
路が形成される。

【００２５】また、凹状載置部２１の内側面２１ｄと基
板側面１１ｄとの間には、これらの間の間隙の大きさを
設定する間隙設定部材としてのナイロン糸６０ｂが介在
される。このナイロン糸６０ｂは、内側面２１ｄの上方
から下方に向けて介在され、内側面２１ｄの全周に一定
の間隔をおいて合計１６本介在される。このナイロン糸
６０ｂによって凹状載置部２１の内側面２１ｄと基板側
面１１ｄとの間に間隙が形成され、溶媒の流通路が形成
される。この場合、ナイロン糸６０ｂは１本おきに太い
糸（太さ約０．４４ｍｍ）と細い糸（太さ約０．２１ｍ
ｍ）とを用いる。細い糸は溶媒を伝わらせて溶媒の流通
を促進させるものである。なお、このナイロン糸６０ｂ
も上述のナイロン糸６０ａと同様に、凹状載置部２１の
下部寄りの部位に設けられた貫通孔を通じて回転台２０
の裏側から引き込まれて凹状載置部２１の上方から表側
に引き出された後、回転台の外周に設けられた貫通孔を
通じて再度裏側に引きこまれてループ状に形成されてい
る。

【００２６】また、回転台２０の下部には、基板１０の
中心を通り上方を向いた面に垂直な軸上に回転軸２２が
設けられている。この回転軸２２は、図示しない回転駆
動装置に結合され、所望の回転数で回転されるようにな
っている。したがって、回転台２０は、この回転軸２２
を回転中心として所望の回転数で回転できるようになっ
ている。

【００２７】さらに、回転台２０に収納載置された基板
１０の上方を向いた面（裏面１１ｂ）の中央部上方に、
溶媒５０を噴出するノズル４０が設置されている。この
ノズル４０は、図示しない溶媒供給装置から供給された
溶媒５０を所望の噴出速度で噴出するものである。

【００２８】第１実施例の不要膜除去方法 次に、上述の第１実施例の不要膜除去装置を用いて第１
実施例の不要膜除去方法を実施した例を説明する。な
お、この実施例は、第１実施例の不要膜除去方法を位相
シフトマスクブランク製造工程における不要膜除去工程
に適用した例である。

【００２９】まず、基板１０を、該基板１０の裏面１１
ｂが上方を向くようにして回転台２０の凹状載置部２１
内に収納載置する。なお、この基板１０は、周縁部１１
ｃに基板外周端部から中心に向かって距離２０．０ｍｍ
に至る領域に不要膜１３ｃが形成されたものである。こ
の状態で、基板１０は略水平に維持される。この場合、
基板１０は凹状載置部２１内の段差面２１ａによってそ
の周縁部１１ｃを支持される。このとき、この不要膜１
３ｃと段差面２１ａとの間にナイロン糸６０ａが介在さ
れるから、これらの間に約０．１７ｍｍの間隙が形成さ
れ、溶媒の流通路が形成される。また、凹状載置部２１
の内側面２１ｄと基板側面１１ｄとの間にはナイロン糸
６０ｂが介在されるから、これらの間には約０．４４ｍ
ｍの間隙が形成され、溶媒の流通路が形成される。さら
に、基板１０の表面１１ａと凹状載置部２１の底面２１
ｆとの間に一定の間隔が生じ、表面１１ａが底面２１ｆ
に直接接触して傷が付く等のことがないようになってい
る。

【００３０】次に、基板１０の中央部上方に設置された
ノズル４０から基板の裏面をめがけてＳＯＧの良溶媒で
あるアセトンからなる溶媒５０を２５ｍｌ供給する。同
時に、回転台２０を回転数５０ｒｐｍ（第１の回転数）
で５秒間回転させる。これにより、溶媒５０を基板裏面
部１１ｅに形成された不要膜１１ｅに浸透させるととも
に、凹状載置部２１の内側面２１ｄと基板側面１１ｄと
の間の間隙を通じて、基板側面部１１ｄ及び基板表面周
縁部１１ｃにそれぞれ形成された不要膜１３ｄ及び１３
ｃにも浸透させて、これら不要膜を溶解する。この場
合、塗布膜を溶出した溶媒は、凹状載置部２１の内側面
２１ｄと基板側面１１ｄとの間を徐々に流れ落ち、さら
に段差面２１ａと基板表面周縁部１１ｃとの間を通り、
段差面２１ａの端部にさしかかったところで表面張力が
働いて止まり、基板表面周縁部１１ｃの不要膜１３ｃは
溶解するが、それより内部の塗布膜は溶解しない（図２
参照）。

【００３１】この溶解反応が終了したら、次に、回転台
２０の回転数を１５００ｒｐｍ（第２の回転数）に上げ
て１秒間回転させる。これにより、塗布膜を溶解した溶
媒が外方に飛散され、不要膜が除去される。なお、この
溶媒の飛散は、塗布膜が溶出した溶媒５０ａが揮発して
粘性が高くなる前に行う必要がある。

【００３２】次いで、不要膜の除去を完全に行うため
に、回転数７０ｒｐｍで１０秒間回転させて溶解を行わ
せ、次に回転数１５００ｒｐｍで１秒間溶媒を飛散さ
せ、さらに回転数１００ｒｐｍで１０秒間溶解し、回転
数１５００ｒｐｍで１０秒間飛散及び乾燥を行う。

【００３３】その後、回転台２０の回転を止めて基板１
０を取り出し、ベーク処理等を施してＳＯＧ膜からなる
位相シフト層が基板の中央部に略正方形状に形成された
ＳＯＧ膜付フォトマスクブランクを得る。

【００３４】ここで、上記第１実施例ではＳＯＧと相溶
する溶液にアセトンを用いたが、これは、メタノール、
イソプロピルアルコール等、ＳＯＧが可溶な液体であれ
ばよい。

【００３５】また、上記実施例では間隙設定部材とし
て、ナイロン糸を用いたが、間隙設定部材としてはこれ
に限られるものではなく、例えば、段差面２１ａと内側
面２１ｄとの間に溶媒に不溶な粘着テープその他の介在
物を介在させたり、あるいは、段差面２１ａと内側面２
１ｄとに突起物を形成するようにしてもよい。

【００３６】さらに、上記実施例では回転台２０の内側
面２１ｄと基板側面１１ｄとの間の間隙が０．４４ｍｍ
であったが、これに限らず溶媒５０が基板側面１１ｄに
接触しながら基板の表面周縁部１１ｃに達することがで
きるような幅の間隙であればよい。回転台２０の段差面
２１ａと基板表面周縁部１１ｃとの間の間隙が０．１７
ｍｍであったが、これに限らず溶媒５０が流れこむこと
ができ、かつ、段差面２１ａの端部で表面張力が働き得
る間隙であればよい。この場合、これらの条件を満たす
範囲であれば、間隙が小さいほど除去部の境界を正確に
制御することができる。さらに、段差面２１ａと基板表
面周縁部１１ｃとの間隙は必ずしもこれらが平行に対向
するような間隙である必要はなく、例えば、これらの外
周寄りにおける間隙を内周寄りにおける間隙寄り大きく
形成してもよく、これによれば溶媒をよりスムーズに導
入することが可能になる。

【００３７】また、塗布膜溶解のための回転台の回転及
び塗布膜を溶解した溶媒の飛散のための回転とをそれぞ
れ３回ずつ交互に行う例をかかげたが、これは少なくと
も１回ずつ行えばよい。また、それぞれの回転数、回転
時間はその目的、塗布膜の種類、膜厚等により適宜選定
することは勿論である。

【００３８】また、上記実施例では塗布液が除去される
基板表面周縁部１１ｃは、基板の端辺から約２０．０ｍ
ｍであったが、これ以外の寸法の場合には段差面２１ａ
の寸法をそれに合わせるようにすればよい。

【００３９】以上詳述した第１実施例の方法により得ら
れたＳＯＧ膜付きフォトマスクブランクは、基板の側面
及び裏面にＳＯＧが付着していないので、ゴミの発生を
防止することができる。また、本実施例の方法より不要
膜を除去したＳＯＧ膜付きフォトマスクブランクの表面
周縁部のＳＯＧは端辺から約２０．０ｍｍ除去され、Ｓ
ＯＧの塗布時に高さ１．６μｍあった周縁部の盛り上が
りは除去され、基板の端辺から約２１ｍｍ内側のＳＯＧ
膜の端部の盛り上がりは高さ０．３μｍ程度の盛り上が
り、即ちクラックを生じない程度の盛り上がりであっ
た。さらに、この位相シフトマスクブランクを用いて製
造した位相シフトマスクは、露光装置に極めて良好に保
持できるものであった。

【００４０】なお、上述の第１実施例では、溶媒の供給
を基板１０の上方を向いた面の上方に配置されたノズル
４０から噴出させる例をかかげた、これは、例えば、図
５に示したように、上方に配置されたノズル４０から噴
出させると同時に、段差面２１ａに貫通孔２３を設け、
この貫通孔２３を通じて、凹状載置部２１の下方に設置
されたノズル４１から噴出させた溶媒をも導入させるよ
うにしてもよい。

【００４１】さらに、不要膜を溶解した溶媒を除去する
際には、図６に示したように、貫通孔２３から排出させ
るようにしてもよい。この場合、貫通孔２３に溶媒を伝
わらせる糸や針体を取り付けると排出をよりスムーズに
行うことができる。

【００４２】また、上記第１実施例では、遮光性膜パタ
ーン上にＳＯＧ膜を形成する場合に適用した例について
説明したが、これは、透光性基板上にＳＯＧ膜を形成
し、ＳＯＧ膜上に遮光性膜パターンを形成するようにし
た場合にも適用できる。その場合、遮光膜の外に透明導
電膜、エッチングストッパー膜等の膜が設けられたもの
であってもよい。

【００４３】さらに、例えば、磁気ディスク媒体の保護
膜の塗布、カラーフィルターの保護膜の塗布の際に形成
される不要膜の除去、あるいは、ディスプレー用基板上
の配線の電極部に形成される絶縁膜を除去する場合にも
適用できる。

【００４４】また、例えば、フォトマスク、半導体基板
等を製造する際に、スピンコート法等により塗布するレ
ジスト膜の不要な部分を除去する場合にも適用できる。
塗布膜がレジストの場合は、溶媒としてレジストが可溶
なケトン、エステル、芳香族炭化水素、ハロゲン化炭化
水素、エーテル等の液体を用いることができる。この場
合、塗布膜がＳＯＧの場合は、ベークした後は塗布膜は
溶けにくいので、上述の第１実施例のように、ベークす
る前に基板の裏面、側面及び表面周縁部の塗布膜を溶解
して除去することが好ましいが、塗布膜がレジストの場
合は、レジストの種類によっては、ベーク後においても
溶解可能な場合もある。

【００４５】この実施例は、特に、基板の裏面の側端部
まで形成された不要膜を確実に除去する場合に好適であ
る。

【００４６】（第２実施例）図７は本発明の第２実施例
にかかる不要膜除去装置の部分断面図、図８及び図９は
図７の部分拡大断面図、図１０はカバー部材の正面図で
ある。以下、これらの図面を参照にしながら第２実施例
にかかる処理液供給方法及びその装置並びに不要膜除去
方法及び位相シフトマスクブランク製造方法を説明す
る。なお、この実施例における不要膜が形成された位相
シフトマスクブランクは上述の第１実施例の位相シフト
マスブランクと同一の構成を有するので、その説明は省
略し、以下の説明では、第２実施例の不要膜除装置の構
成を説明し、次いで第２実施例の不要膜除去方法と併せ
て処理液除去方法及び第２実施例の位相シフトマスクブ
ランク製造方法を説明する。

【００４７】第２実施例の不要膜除去装置 この第２実施例の不要膜除去装置は、図７に示されるよ
うに、回転する回転台２０に遮光膜パターン１２が形成
された表面側を上方に向けて載置保持された基板１０の
上方に、該基板１０を覆うようにして間隙形成部材たる
カバー部材３０を配置し、このカバー部材３０の上方か
らノズル４０によってカバー部材３０に向かって噴出さ
れた溶媒５０を、該カバー部材３０に設けられた貫通孔
である溶媒供給孔３３を通じてカバー部材３０の内側
（図中下側）の周縁部に形成された溶媒供給面３２に導
き、該溶媒供給面３２と基板１０の上面との間に形成さ
れる間隙に溶媒を供給するようにしたものである。

【００４８】回転台２０は、基板１０を収納して略水平
に載置保持する凹状載置部２１を有している。この凹状
載置部２１は、その内側面が段差状になっており、その
段差の略水平の部分である段差面２１ａに基板が載置さ
れるような構造になっている。また、段差面２１ａには
基板１０を載置したときに基板１０と段差面２１ａとの
間に所定の間隔が生ずるように、段差面２１ａと外部と
を貫通する２つの孔を通してループ状に形成されたナイ
ロン糸６０ａの一部が基板１０と段差面２１ａとの間に
スペーサとして介在されるようになっている。なお、こ
のナイロン糸６０ａは段差面２１ａの適宜の位置に数箇
所設けられる。

【００４９】また、回転台２０の下部には、基板１０の
中心を通り基板１０の表面に垂直な軸上に回転軸２２が
設けられている。この回転軸２２は、図示しない回転駆
動装置に結合され、所望の回転数で回転されるようにな
っている。したがって、回転台２０は、この回転軸２２
を回転中心として所望の回転数で回転できるようになっ
ている。

【００５０】さらに、回転台２０の凹状載置部２１に載
置された基板１０の上方に配置されるカバー部材３０
は、縦・横の寸法が基板１０と略同一の正方形状をなし
た板状体であり、その一方の主表面、すなわち、図中上
側の面は一様に平坦であるが、他方の面、すなわち、図
中下側の面は、中央部を含む主たる領域が正方形状に上
側に凹状に形成された非供給面３１とその周縁部である
溶媒供給面３２とを有している。非供給面３１と溶媒供
給面３２との段差は約１．５ｍｍであり、溶媒供給面３
２はカバー部材３０の外周端辺から約２０ｍｍ以内の領
域内に形成されている。また、該溶媒供給面３２と非供
給面３１との境界部の近傍における溶媒供給面３２の領
域には、該溶媒供給面３２と外部とを貫通する溶媒供給
孔３３が形成されている。この溶媒供給孔３３は非供給
面３１と溶媒供給面３２との境界部に沿って所定の間隔
をおいて多数形成されている（図１０参照）。さらに、
この溶媒供給面３２には、カバー部材３０を基板１０の
上方に載置したときに基板１０と該溶媒供給面３２との
間に所定の間隔が生ずるように、溶媒供給面３２と外部
とを貫通する２つの孔を通してループ状に形成されたナ
イロン糸６０ｃの一部が露出されてスペーサとして基板
１０と溶媒供給面３２との間に介在されるようになって
いる。なお、このナイロン糸６０ｃは、その太さが０．
１５ｍｍであり、溶媒供給面３２の適宜の４箇所に設け
られる。したがって、カバー部材３０を基板１０の上方
に載置したとき、溶媒供給面３２と基板１０の表面との
間隙の大きさ（面と面との距離）が約０．１５ｍｍとな
り、一方、非供給面３１と基板１０の表面との間隙が約
１．６５ｍｍとなる。ここで、大きさが０．１５ｍｍ程
度の間隙に溶媒を供給すると溶媒は主として表面張力に
基づく毛細管現象により間隙中をつたわって間隙中に拡
がるが、大きさが１．６５ｍｍ程度の間隙では溶媒が間
隙中をつたわることができず、間隙中に拡がることはで
きない。なお、カバー部材３０の外周部の４つの端辺の
中心部が外方に延長されて位置決め部３４が形成され、
また、これに対応して回転台２０の外周部にも位置決め
部が設けられており、これらの位置決め部に形成された
位置決め孔に位置決めピン３５を係合することにより両
者の位置決めがなされて一体に回転できるようになって
いる。

【００５１】また、カバー部材３０の中央部上方に設置
されたノズル４０は、図示しない溶媒供給装置から供給
された溶媒５０を所望の噴出速度で噴出するものであ
る。

【００５２】第２実施例の不要膜除去方法 次に、上述の第２実施例の不要膜除去装置を用いて第２
実施例の不要膜除去方法を実施した例を説明する。な
お、この実施例は、第２実施例の不要膜除去方法を位相
シフトマスクブランク製造工程における不要膜除去工程
に適用した例である。

【００５３】まず、基板１０を、該基板１０の表面１１
ａが上方を向くようにして回転台２０の凹状載置部２１
内に収納載置する。この状態で、基板１０は略水平に維
持される。このとき、基板１０の裏面１１ｂの周縁部は
凹状載置部２１の段差面２１ａに載置され、酸差面２１
ａ上に露出したナイロン糸６０ａにより段差面２１ａと
基板１０の裏面１１ｂとの間に所定の間隔が生ずる。な
お、段差面２１ａから上方に向かってのびる側面２１ｄ
と基板１０の側面との間にも所定の間隔が形成されるよ
うになっている。

【００５４】次に、基板１０の上方にカバー部材３０を
位置決めしながら設置する。このとき、ナイロン糸６０
ｃが溶媒供給面３２と基板１０表面との間に介在される
から、これらの間に大きさ約０．１５ｍｍの間隙が形成
される。なお、非供給面３１と基板１０の表面との間隙
は約１．６５ｍｍである。

【００５５】次に、ノズル４０からＳＯＧの良溶媒であ
るアセトンからなる溶媒５０を約２５ｍｌ供給し、同時
に回転台２０によって基板１０とカバー部材３０とを一
体にして回転速度２００ｒｐｍで約１５秒間回転させ
る。これにより、溶媒５０は、カバー部材３０の溶媒供
給孔３３を通り、溶媒供給面３２と基板１０の表面との
間に形成された間隙に供給され、次いで、毛細管現象と
回転による遠心力によってこの間隙全体にすみやかに拡
がり（図８参照）、基板１０の表面に形成された塗布膜
１３を溶解する（図９参照）。同時に、溶媒５０は、回
転台２０の凹状載置部の内側側面２１ｄと基板１０の側
面との間に形成された間隙を通り、段差面２１ａと基板
１０の裏面１１ｂとの間に形成された間隙にも拡がり、
ＳＯＧのスピンコートの際に基板１０の側面１１ｃ及び
裏面周縁部にも不要膜が形成されている場合にはこれら
も溶解する。なお、カバー部材３０の非供給面３１と基
板１０の表面との間の間隙の大きさは約１．６５ｍｍと
極めて大きいので、この間隙に溶媒が拡がることはな
い。

【００５６】この溶解反応が終了したら、さらに、回転
台２０により基板１０とカバー部材３０とを一体にして
回転速度２００ｒｐｍで約２０秒間回転させる。これに
より、塗布膜を溶解した溶媒が外方に飛散され、不要膜
が除去される。なお、この溶媒の飛散は、塗布膜が溶出
した溶媒が揮発して粘性が高くなる前に行う必要があ
る。

【００５７】次いで、不要膜の除去を完全にしかつ乾燥
する目的で、回転速度４００ｒｐｍで１０秒間回転させ
る。その後、回転台２０の回転をとめて基板１０を取り
出し、ベーク処理等を施してＳＯＧの塗布膜１３からな
る位相シフト層が基板の中央部に略正方形状に形成され
たＳＯＧ膜付フォトマスクブランクである位相シフトマ
スクブランク（図１１参照）を得る。

【００５８】上述の第２実施例の方法により不要膜を除
去した位相シフトマスクブランクは、表面周縁部のＳＯ
Ｇの塗布膜１３が端辺から約２０ｍｍ以内の領域の部分
が除去され、ＳＯＧの塗布時に高さ１．６μｍあった周
縁部の盛り上がりは除去され、基板１０の端辺から２
０．５ｍｍ内側のＳＯＧ膜の端部の盛り上がりは高さ約
０．３μｍ程度であり、クラックの生じない程度であっ
た。

【００５９】また、この方法では、基板１０の表面とカ
バー部材３０の溶媒供給面３２との間に主として毛細管
現象により拡がった溶媒は、この間隙全体には確実に拡
がるが、回転による風力の影響を受けることもないの
で、非供給面３１と基板１０との間に形成される非除去
領域に至るおそれはなく、したがって、除去すべき領域
のみを正確に除去し、除去すべきでない領域を除去する
ことはない。

【００６０】ここで、上記第２実施例でもＳＯＧと相溶
する溶液にアセトンを用いたが、これは、メタノール、
イソプロピルアルコール等、ＳＯＧが可溶な液体であれ
ばよい。

【００６１】また、溶媒供給孔３３の設ける位置は、上
記第２実施例に限られるものでなく、溶媒供給面３２の
ある領域内であれば、必ずしもその場所を問わない。た
だし、溶媒の移動方向が一方向となる故に溶媒のスムー
ズな移動が可能となる意味で上記第２実施例は好まし
い。なお、溶媒供給孔３３を、溶媒供給面３２の外周部
よりの部位にさらに一列設けると、塗布膜を溶解した溶
媒が外周部において乾燥して塗布膜を残存させるおそれ
をより完全に防止できる。

【００６２】さらに、カバー部材３０の溶媒供給面３２
と基板１０の表面との間隙は上記実施例に掲げたものに
限られるものではなく、要するに、毛細管現象が起こる
ような微少な間隙であればよく、また、その間隙は一様
である必要はなく、基板の外方に向かうにしたがって次
第に大きくなるようにしてもよい。そのようにすれば溶
媒の移動をよりスムーズに行なわせることも可能とな
る。

【００６３】なお、上記実施例では、基板１０とカバー
部材３０とを一体にして回転させる例を掲げたがこれは
必ずしも回転させる必要はない。ただし、回転させたほ
うが溶媒を比較的早くかつ均一に間隙中に拡げさせるこ
とができるので好ましい。

【００６４】また、基板１０とカバー部材３０との間の
間隙を保つ手段として上記実施例ではナイロン糸を用い
たが、これは他の介在部材を用いてもよいし、また、溶
媒供給面３２の一部を突出させてもよいことは第１実施
例と同様である。

【００６５】さらに、カバー部材３０として上記実施例
では板状のものを用いたが、これはピラミッド状やドー
ム状等の他の形状のものでもよい。

【００６６】また、上記上記実施例では、正方形状の基
板に形成された塗布膜の周縁部を除去して正方形の塗布
膜を残存させる例を掲げたが、基板の形状及び残存させ
る塗布膜の形状は、正方形に限られるものではなく、円
形、三角形、多角形その他任意の形状でもよい。その場
合には、カバー部材の溶媒供給面と非供給面との形状を
そのように形成すればよい。

【００６７】例えば、図１２に示されるように、カバー
部材３０ａとして、溶媒供給面３２ａを、周縁部の領域
及び中央部で交差する十字状の領域に形成し、非供給面
３１ａをその残りの領域とすることにより、図１３に示
されるような、基板の周縁部の領域及び中央部で交差す
る十字状の領域の塗布膜を除去することもできる。

【００６８】さらに、不要膜を溶解した溶媒を除去する
際には、図１４に示したように、凹状載置部２１の断差
面２１ａに設けた貫通孔２４から排出させるようにして
もよい。この場合、貫通孔２４に溶媒を伝わらせる糸や
針体を取り付けると排出をよりスムーズに行うことがで
きる。

【００６９】なお、この実施例は、溶媒を不要膜に供給
して溶解しつつ不要膜の溶解した溶媒を飛散させて除去
しているので、上述の第１実施例に比較して生産性を高
くすることができる。すなわち、第１実施例では、溶解
段階では溶媒が間隙に浸透するような比較的遅い第１の
回転速度で回転させ、次に、不要膜を溶かした溶媒を除
去する段階では表面張力が作用する溶媒を遠心力で飛散
できる程度の早い第２の回転速度で回転させる必要があ
るので、溶解工程と除去工程との２工程が必要である。
これに対して、第２実施例では、これが１工程で済む。

【００７０】また、第２実施例では、遮光膜パターンが
形成された面を上方に向けて回転台に載置して処理する
ので、回転台として回転塗布装置（スピンコーター）を
用いれば、このスピンコーターで所定の膜を塗布した
後、そのままの状態（基板の表裏を反転させる等の操作
をすることなく）で不要な箇所に形成された不要膜を除
去する工程に移行することができ、生産性の高い処理を
行うことが可能である。

【００７１】なお、以上の各実施例では、不要膜が、ス
ピンコート法等によって形成された塗布膜である場合の
例を掲げたが、不要膜は塗布膜に限られるものではな
く、他の成膜方法、例えば、スパッタ法、ＣＶＤ法、イ
オンプレーティング法あるいは蒸着法等によって形成さ
れた膜であってもよい。これらの成膜法で形成した膜
は、スピンコート法の場合と異なり、基板周縁部に盛り
上がり部を生ずるようなことはないが、基板周縁部に形
成された不要な膜は膜剥離の原因となるので除去してお
くことが望ましい。その様な場合に本発明が適用でき
る。この場合、例えば、位相シフト層としてのＳｉＯ₂
膜をスパッタ法で成膜した場合には、これを溶解除去す
る処理液としてＨＦ溶液を用いればよい。

【００７２】また、上述の各実施例は、処理液供給方法
の例として、処理液として不要膜を溶解する溶媒を所定
の部位に供給して不要膜を除去する不要膜除去方法を掲
げたが、本発明の処理液供給方法は、不要膜の除去に適
用する場合に限られるものではなく、逆に、塗布膜形成
の際にも適用することができる。

【００７３】すなわち、例えば、上述の第２実施例にお
ける溶媒の代わりにレジスト形成用の塗布液を用いれ
ば、基板の所望の塗布領域にのみ塗布液を供給して、あ
らかじめ、不要な部分には塗布膜を形成させないように
することが可能となり、これによれば、レジスト膜形成
工程において、塗布後にフォトリソグラフィ法等によっ
て不要な膜を除去するという繁雑な工程を省略して工程
を著しく単純化することも可能となる。

【００７４】このような例として、例えば、レティクル
欠陥検査用基板の表面の周縁にＣｒ膜を形成する際のマ
スクとしてのレジスト膜を形成する例があげられる。こ
のレティクル欠陥検査用基板は、図１５にその断面を示
したように、透明基板１の表面の主要部に検査対象たる
レジストパターン２が形成され、基板１の表面周縁部に
は膜厚が８００オングストローム程度のＣｒ膜３が形成
され、さらに、裏面に検査光の波長以外の波長の光をカ
ットするフィルター膜４が形成されたものである。この
レティクル欠陥検査用基板は、本来の検査すべきマスタ
ーマスクを直接検査する代わりに、マスターマスクのパ
ターンを上記レジストパターンに転写してそのレジスト
パターンを検査することにより行う際に用いるものであ
る。したがって、このレティクル欠陥検査用基板の作製
の際には、レティクル欠陥検査用基板をステッパに保持
してその転写のための光学系のピント合わせを行う必要
がある。上記基板１の周縁部に形成されたＣｒ膜３は、
この光学系のピント合わせを行うピント調節光を反射さ
せる手段として用いられる。このＣｒ膜３がない場合
は、ピント調節光は基板１の表面から反射される外に裏
面からも反射されるので、正確なピント調節ができなく
なる。これを防止するために、ピント調節程度ではその
厚さが無視できる反射膜としてＣｒ膜３が用いられる。

【００７５】このＣｒ膜３の形成は、図１６に示される
ように、基板１の表面全面にＣｒ膜３ａを形成し、次い
で、このＣｒ膜３ａの基板１の周縁部にレジスト膜４を
形成し、しかる後に、このレジスト膜４をマスクにして
エッチングを施し、基板１の表面主要部のＣｒ膜を除去
することにより形成する。このマスクとしてのレジスト
膜４は、フォトリソグラフィー技術を用いるほどの精度
は必要がなく、大略基板周縁部の領域に形成されていれ
ばよいので、本発明かかる処理液供給方法を適用するこ
とができ、これにより、フォトリソグラフィーという繁
雑な処理を行うことなく極めて簡単にＣｒ膜３を形成す
ることができる。

【００７６】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明にかかる処
理液供給方法及びその装置並びに不要膜除去方法は、基
板主表面の処理理液を供給すべき領域に対向して設けら
れて該基板主表面との間に間隙を形成する間隙形成部材
を設け、この間隙形成部材と前記基板主表面との間に形
成される間隙の大きさを、この間隙に処理液を供給した
とき処理液が主として表面張力の作用により間隙中をつ
たわって間隙中に拡がることが可能な大きさに設定し、
この間隙中に処理液を供給することによって前記基板主
表面の所定の領域に処理液を供給することにより、基板
の所定の部位に処理液を供給するものであり、これによ
って、比較的容易に処理液を所定の部位に確実に供給す
ることを可能にし、不要膜の除去等を容易・確実に行う
ことを可能にしたものである。また、本発明にかかる位
相シフトマスクブランクの製造方法は、本発明にかかる
不要膜除去方法を適用したものであり、不要膜を容易確
実に除去できる位相シフトマスクブランク製造方法を得
ているものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例にかかる不要膜除去装置の
部分断面図である。

【図２】図１の部分拡大断面図である。

【図３】本発明の第１実施例にかかる不要膜除去方法の
説明図である。

【図４】図３の部分拡大断面図である。

【図５】第１実施例の変型例の説明図である。

【図６】第１実施例の変型例の説明図である。

【図７】本発明の第２実施例にかかる不要膜除去装置の
部分断面図である。

【図８】図７の部分拡大断面図である。

【図９】図７の部分拡大断面図である。

【図１０】カバー部材の正面図である。

【図１１】不要膜を除去した位相シフトマスクブランク
の正面図である。

【図１２】カバー部材の変形例正面図である。

【図１３】不要膜を除去した位相シフトマスクブランク
の正面図である。

【図１４】第２実施例の変形例の説明図である。

【図１５】レティクル欠陥検査用基板の断面図である。

【図１６】レティクル欠陥検査用基板の製造説明図であ
る。

【図１７】従来の不要膜除去方法の説明図である。

【図１８】従来の不要膜除去方法の説明図である。

【符号の説明】

１０…基板、１１ａ…基板表面、１１ｂ…基板裏面、１
１ｃ…基板表面周縁部、１１ｄ…基板側面部、１３…塗
布膜、２０…回転台、２１…凹状載置部、２１ｄ…凹状
載置部内側面、２１ｆ…回転台の底面、３０…カバー部
材、３１…非供給面、３２…溶媒供給面、３３…溶媒供
給孔、４０，４１…ノズル、５０…溶媒。

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁵ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/30 7352−4Ｍ

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板主表面の所定の領域に処理液を供給
   する処理液供給方法であって、 前記基板主表面の処理理液を供給すべき領域に対向して
   設けられて該基板主表面との間に間隙を形成する間隙形
   成部材を設け、 この間隙形成部材と前記基板主表面との間に形成される
   間隙の大きさを、この間隙に処理液を供給したとき処理
   液が主として表面張力の作用により間隙中をつたわって
   間隙中に拡がることが可能な大きさに設定し、 この間隙中に処理液を供給することによって前記基板主
   表面の所定の領域に処理液を供給することを特徴とした
   処理液供給方法。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の処理液供給方法におい
   て、 前記間隙形成部材は、基板主表面表面の主要部を覆うよ
   うにして該基板主表面に対向して配置されるカバー部材
   であって、該カバー部材を前記基板主表面に対向して配
   置したとき、該カバー部材の前記基板主表面に対向する
   面と基板主表面との間に形成される間隙の大きさが、前
   記基板主表面の処理液を供給すべき部位に位置する処理
   液供給領域においては前記処理液が主として表面張力の
   作用により間隙中をつたわって間隙中に拡がることが可
   能な大きさとなり、一方、前記基板主表面の処理液を供
   給すべき部位以外の部位に位置する非供給領域において
   は、前記処理液が表面張力の作用によっては間隙中をつ
   たわることができず間隙中に拡がることができない大き
   さとなるように前記基板主表面に対向する面を形成し、
   また、前記処理液供給領域の間隙内に外部から処理液を
   供給するための貫通孔を設け、この貫通孔を通じて前記
   処理液供給領域の間隙内にのみ外部から処理液を供給で
   きるようにしたものであることを特徴とした処理液供給
   方法。
3. 【請求項３】 請求項１又は２に記載の処理液供給方法
   において、 前記間隙形成部材と前記基板主表面との間の間隙の大き
   さを設定する間隙設定部材として、前記間隙形成部材と
   前記基板主表面との間に介在される所定の太さの紐状体
   を用いるようにしたことを特徴とする処理液供給方法。
4. 【請求項４】 請求項１ないし３のいずれかに記載の処
   理液供給方法において、 前記基板及び間隙形成部材をともに回転させながら前記
   間隙形成部材と前記基板主表面との間の間隙内に処理液
   を供給することを特徴とした処理液供給方法。
5. 【請求項５】 基板主表面の所定の領域に処理液を供給
   する処理液供給装置であって、 前記基板主表面の処理理液を供給すべき領域に対向して
   設けられて該基板主表面との間に間隙を形成する間隙形
   成部材を設け、 この間隙形成部材と前記基板主表面との間に形成される
   間隙の大きさを、この間隙に処理液を供給したとき処理
   液が主として表面張力の作用により間隙中をつたわって
   間隙中に拡がることが可能な大きさに設定したものであ
   ることを特徴とした処理液供給装置。
6. 【請求項６】 基板主表面に形成された不要膜に該不要
   膜を溶解する溶媒を供給して該不要膜を除去する不要膜
   除去方法であって、 前記不要膜に溶媒を供給する方法として請求項１ないし
   ４のいずれかに記載の処理液供給方法を用い、これらの
   方法における処理液として不要膜を溶解する溶媒を用い
   ることを特徴とした不要膜除去方法。
7. 【請求項７】 請求項６に記載の不要膜除去方法におい
   て、 前記基板及び間隙形成部材をともに第１の回転速度で回
   転させながら前記間隙形成部材と前記基板主表面との間
   の間隙内に前記溶媒を供給して前記不要膜を溶解させ、 次に、前記基板及び間隙形成部材をともに前記第１の回
   転数より大きい第２の回転数で回転させて前記溶媒を遠
   心力により飛散させることにより、前記不要膜を除去す
   るようにしたことを特徴とする不要膜除去方法。
8. 【請求項８】 透光性基板に位相シフト層となる膜を形
   成する膜形成工程を有する位相シフトマスクブランク製
   造方法において、 前記膜形成工程において不要な部分に形成された不要膜
   を請求項６に記載の方法で除去する不要膜除去工程を有
   することを特徴とした位相シフトマスクブランク製造方
   法。