JPH06262074A - 排気ガス浄化用触媒およびその製造方法 - Google Patents
排気ガス浄化用触媒およびその製造方法Info
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- JPH06262074A JPH06262074A JP5055478A JP5547893A JPH06262074A JP H06262074 A JPH06262074 A JP H06262074A JP 5055478 A JP5055478 A JP 5055478A JP 5547893 A JP5547893 A JP 5547893A JP H06262074 A JPH06262074 A JP H06262074A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】リーンバーン領域においても窒素酸化物および
炭化水素を含有する酸素過剰の排ガスから窒素酸化物を
効率的に除去出来る排気ガス浄化触媒およびその製造方
法を提供する。 【構成】特定の組成を有する３−八面体型スメクタイト
化合物に銅を０から１０ｗｔ％含有させた窒素酸化物浄
化触媒。
炭化水素を含有する酸素過剰の排ガスから窒素酸化物を
効率的に除去出来る排気ガス浄化触媒およびその製造方
法を提供する。 【構成】特定の組成を有する３−八面体型スメクタイト
化合物に銅を０から１０ｗｔ％含有させた窒素酸化物浄
化触媒。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、燃焼排気ガス中に占め
る酸素の割合が多い、いわゆるリ−ンバ−ン領域におい
ても窒素酸化物及び炭化水素を含有する酸素過剰の排ガ
スから窒素酸化物を高い効率で除去することが可能な排
気ガス浄化用触媒及びその製造方法に関するものであ
る。
る酸素の割合が多い、いわゆるリ−ンバ−ン領域におい
ても窒素酸化物及び炭化水素を含有する酸素過剰の排ガ
スから窒素酸化物を高い効率で除去することが可能な排
気ガス浄化用触媒及びその製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】３−八面体型スメクタイトは、２層のシ
リカ４面体層が２価陽イオンからなる八面体層を間には
さんだ三層構造を有する化合物である。
リカ４面体層が２価陽イオンからなる八面体層を間には
さんだ三層構造を有する化合物である。
【０００３】３−八面体型スメクタイトとしては、サポ
ナイト（Ｎａ0.33（Ｍｇ2.66Ｌｉ0.33）Ｓｉ4Ｏ10（Ｏ
Ｈ）2）やヘクトライト（Ｎａ0.33（Ｍｇ1.67Ｌ
ｉ0.33）Ｓｉ4Ｏ10（ＯＨ）2）などが知られている。し
かし、これら従来の３−八面体型スメクタイトは４００
℃〜５００℃より著しい比表面積の低下が認められ、最
高温度が８００℃にまで達する排気ガス中の窒素酸化物
を除去する触媒としては、好ましい物ではなかった（Ｋ
ａｚｕｏ ＴＯＲＩＩ ａｎｄ Ｔａｋａｓｈｉ ＩＷ
ＡＳＡＫＩ，ＣＨＥＭＩＳＴＲＹ ＬＥＴＴＥＲＳ，ｐ
ｐ．２０４５−２０４８，１９８８）。
ナイト（Ｎａ0.33（Ｍｇ2.66Ｌｉ0.33）Ｓｉ4Ｏ10（Ｏ
Ｈ）2）やヘクトライト（Ｎａ0.33（Ｍｇ1.67Ｌ
ｉ0.33）Ｓｉ4Ｏ10（ＯＨ）2）などが知られている。し
かし、これら従来の３−八面体型スメクタイトは４００
℃〜５００℃より著しい比表面積の低下が認められ、最
高温度が８００℃にまで達する排気ガス中の窒素酸化物
を除去する触媒としては、好ましい物ではなかった（Ｋ
ａｚｕｏ ＴＯＲＩＩ ａｎｄ Ｔａｋａｓｈｉ ＩＷ
ＡＳＡＫＩ，ＣＨＥＭＩＳＴＲＹ ＬＥＴＴＥＲＳ，ｐ
ｐ．２０４５−２０４８，１９８８）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、３−八面体
型スメクタイトの耐熱性を向上させ、従来、３−八面体
型スメクタイトには見られなかった窒素酸化物及び炭化
水素を含有する酸素過剰の排ガスから窒素酸化物を除去
する排気ガス浄化用触媒及びその製造方法を提供するも
のである。
型スメクタイトの耐熱性を向上させ、従来、３−八面体
型スメクタイトには見られなかった窒素酸化物及び炭化
水素を含有する酸素過剰の排ガスから窒素酸化物を除去
する排気ガス浄化用触媒及びその製造方法を提供するも
のである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】 本発明は、一般式 ａＮａ2Ｏ・ｂＮｉＯ・８ＳｉＯ2 （Ｉ） （ただし、ａは１．０≦ａ≦２．０，ｂは５．０≦ｂ≦
７．５の数）で表される３−八面体型スメクタイト化合
物に銅を０から１０ｗｔ％含有させることを特徴とする
窒素酸化物及び炭化水素を含有する酸素過剰の排ガスか
ら窒素酸化物を除去する排気ガス浄化用触媒とその製造
方法を提供するものである。
７．５の数）で表される３−八面体型スメクタイト化合
物に銅を０から１０ｗｔ％含有させることを特徴とする
窒素酸化物及び炭化水素を含有する酸素過剰の排ガスか
ら窒素酸化物を除去する排気ガス浄化用触媒とその製造
方法を提供するものである。
【０００６】次に本発明を詳細に説明する。
【０００７】本発明の排気ガス浄化用触媒の組成は、上
記一般式（Ｉ）で表される３−八面体型スメクタイト化
合物からなるものでなければならず、上記一般式中のａ
の値は１．０≦ａ≦２．０でなければならない。ａが１
未満の場合は、一般式（Ｉ）で示した３−八面体型の他
にＮｉＯやＳｉＯ2が析出し活性を低下させるために好
ましくない。逆にａが２を越える場合は過剰なＮａ成分
が高温における３−八面体型スメクタイト化合物の安定
性を低下させ、１０００℃以下の温度領域において使用
する窒素酸化物浄化触媒としての活性を低下させるため
に好ましくない。またｂは５．０≦ｂ≦７．５でなけれ
ばならず、３−八面体型スメクタイト化合物の窒素酸化
物除去活性は、還元ガス中においてＮｉＯがＮｉに還元
された後に、再びＮｉがＮｉＯになる際に、窒素酸化物
を還元し窒素と酸素に分解すると考えられることからｂ
が５未満では十分に窒素酸化物の還元が行えないために
好ましくなく、またｂが７．５を越えると層間に過剰な
ＮｉＯが存在することになり、層間を窒素酸化物の還元
反応の反応場とするスメクタイトでは、窒素酸化物とＮ
ｉの反応が十分に行えなくなり、かえって窒素酸化物浄
化活性は低下するので好ましくない。またこの３−八面
体型スメクタイト化合物に銅を０から１０ｗｔ％含有す
ることによりさらに低温領域より窒素酸化物浄化活性が
生じる。また含有する銅は１０ｗｔ％以下（０を含む）
でなければならず、この範囲を上回ると層間に過剰に存
在するＣｕが層間をふさいでしまい、窒素酸化物を除去
するための十分な反応場が確保されず、窒素酸化物浄化
活性は低下するために好ましくない。
記一般式（Ｉ）で表される３−八面体型スメクタイト化
合物からなるものでなければならず、上記一般式中のａ
の値は１．０≦ａ≦２．０でなければならない。ａが１
未満の場合は、一般式（Ｉ）で示した３−八面体型の他
にＮｉＯやＳｉＯ2が析出し活性を低下させるために好
ましくない。逆にａが２を越える場合は過剰なＮａ成分
が高温における３−八面体型スメクタイト化合物の安定
性を低下させ、１０００℃以下の温度領域において使用
する窒素酸化物浄化触媒としての活性を低下させるため
に好ましくない。またｂは５．０≦ｂ≦７．５でなけれ
ばならず、３−八面体型スメクタイト化合物の窒素酸化
物除去活性は、還元ガス中においてＮｉＯがＮｉに還元
された後に、再びＮｉがＮｉＯになる際に、窒素酸化物
を還元し窒素と酸素に分解すると考えられることからｂ
が５未満では十分に窒素酸化物の還元が行えないために
好ましくなく、またｂが７．５を越えると層間に過剰な
ＮｉＯが存在することになり、層間を窒素酸化物の還元
反応の反応場とするスメクタイトでは、窒素酸化物とＮ
ｉの反応が十分に行えなくなり、かえって窒素酸化物浄
化活性は低下するので好ましくない。またこの３−八面
体型スメクタイト化合物に銅を０から１０ｗｔ％含有す
ることによりさらに低温領域より窒素酸化物浄化活性が
生じる。また含有する銅は１０ｗｔ％以下（０を含む）
でなければならず、この範囲を上回ると層間に過剰に存
在するＣｕが層間をふさいでしまい、窒素酸化物を除去
するための十分な反応場が確保されず、窒素酸化物浄化
活性は低下するために好ましくない。
【０００８】次に、本発明の排気ガス浄化用触媒の製造
方法について説明する。
方法について説明する。
【０００９】一般式（Ｉ）を満たすように、シリカゾ
ル，ニッケルの水溶性塩及び水酸化ナトリウムを混合す
るに際し、シリカゾルのｐＨは、１≦ｐＨ≦７でなけれ
ばならず、ｐＨ＜１ではシリカゾルのゾルの安定性が低
下し、シリカの沈殿が生じ、水熱合成後にシリカが析出
するので好ましくない。また７＜ｐＨでは、シリカとＮ
ｉの反応性が低下するので好ましくない。また、混合溶
液のｐＨは、ｐＨ≧６として、均質沈殿物を生成させる
必要がある。ｐＨ＜６では、十分に沈殿が生じないため
に、所定の組成が得られないことから好ましくない。そ
こで、ｐＨ＜６の場合には、１規定のアンモニア水溶液
でｐＨ≧６とする必要がある。
ル，ニッケルの水溶性塩及び水酸化ナトリウムを混合す
るに際し、シリカゾルのｐＨは、１≦ｐＨ≦７でなけれ
ばならず、ｐＨ＜１ではシリカゾルのゾルの安定性が低
下し、シリカの沈殿が生じ、水熱合成後にシリカが析出
するので好ましくない。また７＜ｐＨでは、シリカとＮ
ｉの反応性が低下するので好ましくない。また、混合溶
液のｐＨは、ｐＨ≧６として、均質沈殿物を生成させる
必要がある。ｐＨ＜６では、十分に沈殿が生じないため
に、所定の組成が得られないことから好ましくない。そ
こで、ｐＨ＜６の場合には、１規定のアンモニア水溶液
でｐＨ≧６とする必要がある。
【００１０】この沈殿物に、沈殿物の全乾燥重量に対し
て０．１〜１０ｗｔ％のスメクタイト構造を有する化合
物を種結晶として添加し、１５０℃〜２５０℃の範囲に
おいて水熱合成反応を行わなければならず、種結晶の添
加量が０．１ｗｔ％を下回ると水熱反応時に十分にスメ
クタイトが結晶化せず、そのような反応生成物を３００
℃以上の温度に高めると未反応のＮｉがＮｉＯとして析
出してしまい、結果として高い窒素酸化物浄化活性が得
られないので好ましくない。また、種結晶の添加量が１
０ｗｔ％を越えてもそれなりの効果しか得られず、目的
とするスメクタイト以外の化合物が過剰に存在すると高
い窒素酸化物浄化活性が得られないので好ましくない。
種結晶として用いるスメクタイト構造を有する化合物
は、従来公知のもので差し支えない。
て０．１〜１０ｗｔ％のスメクタイト構造を有する化合
物を種結晶として添加し、１５０℃〜２５０℃の範囲に
おいて水熱合成反応を行わなければならず、種結晶の添
加量が０．１ｗｔ％を下回ると水熱反応時に十分にスメ
クタイトが結晶化せず、そのような反応生成物を３００
℃以上の温度に高めると未反応のＮｉがＮｉＯとして析
出してしまい、結果として高い窒素酸化物浄化活性が得
られないので好ましくない。また、種結晶の添加量が１
０ｗｔ％を越えてもそれなりの効果しか得られず、目的
とするスメクタイト以外の化合物が過剰に存在すると高
い窒素酸化物浄化活性が得られないので好ましくない。
種結晶として用いるスメクタイト構造を有する化合物
は、従来公知のもので差し支えない。
【００１１】さらに水熱合成反応は、１５０℃〜２５０
℃の範囲において行わなければならず、１５０℃を下回
ると目的とするスメクタイトが十分に結晶化してこない
ために好ましくない。また、２５０℃を越えるとスメク
タイトの結晶が粗大化し触媒活性が低下するので好まし
くない。さらに好ましくは、水熱合成反応後に、アミン
化合物とともに水中において１００℃において加熱還流
処理を施すと、さらに層間距離が拡大し、比表面積が向
上するために、触媒活性が向上する。
℃の範囲において行わなければならず、１５０℃を下回
ると目的とするスメクタイトが十分に結晶化してこない
ために好ましくない。また、２５０℃を越えるとスメク
タイトの結晶が粗大化し触媒活性が低下するので好まし
くない。さらに好ましくは、水熱合成反応後に、アミン
化合物とともに水中において１００℃において加熱還流
処理を施すと、さらに層間距離が拡大し、比表面積が向
上するために、触媒活性が向上する。
【００１２】また、銅を０〜１０ｗｔ％含有させるため
には、上記水熱合成反応生成物と銅イオンを含む水溶液
または非水溶液とを混合したのち、８０℃〜１００℃の
温度において加熱還流処理を施す必要がある。このと
き、加熱還流処理温度は、８０℃〜１００℃でなければ
ならず、８０℃を下回ると十分にＣｕイオン交換が進ま
ず、また水系においては、還流温度は１００℃を越える
ことはできず、非水系においても１００℃をこえる高温
にしてもそれなりの効果は得られないからである。得ら
れた化合物は乾燥し、さらに好ましくは、１００℃以上
９００℃以下の温度で加熱処理を施す。この加熱処理は
触媒表面を活性化させるためのものであり、この加熱処
理温度が１００℃以下では加熱処理効果がわずかであ
り、活性向上に寄与せず、９００℃以上では低比表面積
化が生じるために触媒活性の低下が生じ好ましくない。
には、上記水熱合成反応生成物と銅イオンを含む水溶液
または非水溶液とを混合したのち、８０℃〜１００℃の
温度において加熱還流処理を施す必要がある。このと
き、加熱還流処理温度は、８０℃〜１００℃でなければ
ならず、８０℃を下回ると十分にＣｕイオン交換が進ま
ず、また水系においては、還流温度は１００℃を越える
ことはできず、非水系においても１００℃をこえる高温
にしてもそれなりの効果は得られないからである。得ら
れた化合物は乾燥し、さらに好ましくは、１００℃以上
９００℃以下の温度で加熱処理を施す。この加熱処理は
触媒表面を活性化させるためのものであり、この加熱処
理温度が１００℃以下では加熱処理効果がわずかであ
り、活性向上に寄与せず、９００℃以上では低比表面積
化が生じるために触媒活性の低下が生じ好ましくない。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の排気ガス
浄化触媒は、酸素過剰の排気ガスから、窒素酸化物を除
去するために用いられる。酸素過剰排気ガス中の窒素酸
化物の除去は、本発明の排気ガス浄化触媒と、窒素酸化
物及び炭化水素を含む酸素過剰排気ガスを接触させるこ
とにより行うことができる。本発明が対象とする酸素過
剰の排気ガスとは、排気ガス中に含まれる一酸化炭素，
炭化水素及び水素を完全に酸化するのに必要な酸素量よ
りも過剰な酸素が含まれている排気ガスをいい、このよ
うな排気ガスとしては例えば、自動車等の内燃機関から
排出される排気ガス、特に空燃比が大きい状態（いわゆ
るリ−ンバ−ン領域）での排気ガス等が具体的に例示さ
れる。触媒の使用条件は特に限定されないが、温度範囲
としては、１００℃〜９００℃，さらには１５０℃〜８
００℃が好ましい。またＳＶについては、１０００ｈｒ
-1〜５０００００ｈ-1であればよい。こうした使用環境
において機能する排気ガス浄化用触媒及びその製造方法
を提供するものである。
浄化触媒は、酸素過剰の排気ガスから、窒素酸化物を除
去するために用いられる。酸素過剰排気ガス中の窒素酸
化物の除去は、本発明の排気ガス浄化触媒と、窒素酸化
物及び炭化水素を含む酸素過剰排気ガスを接触させるこ
とにより行うことができる。本発明が対象とする酸素過
剰の排気ガスとは、排気ガス中に含まれる一酸化炭素，
炭化水素及び水素を完全に酸化するのに必要な酸素量よ
りも過剰な酸素が含まれている排気ガスをいい、このよ
うな排気ガスとしては例えば、自動車等の内燃機関から
排出される排気ガス、特に空燃比が大きい状態（いわゆ
るリ−ンバ−ン領域）での排気ガス等が具体的に例示さ
れる。触媒の使用条件は特に限定されないが、温度範囲
としては、１００℃〜９００℃，さらには１５０℃〜８
００℃が好ましい。またＳＶについては、１０００ｈｒ
-1〜５０００００ｈ-1であればよい。こうした使用環境
において機能する排気ガス浄化用触媒及びその製造方法
を提供するものである。
【００１４】
【実施例】以下、実施例により本発明を更に詳細に説明
するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものでは
ない。
するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものでは
ない。
【００１５】実施例１ １．４Ｎａ2Ｏ・６．９ＮｉＯ・８ＳｉＯ2の組成を有す
る３−八面体型スメクタイトを合成するために、シリカ
ゾル（日産化学製，シリカ含有量２０ｗｔ％）１０．０
ｇを１規定の硝酸中にｐＨ＝３となるように溶解させた
後に、硝酸ニッケル（和光純薬工業製）１０．６ｇ加
え、攪拌した後、２モル／リットルの水酸化ナトリウム
（ＮａＯＨ）５．８ｍｌを加えた後、１規定のアンモニ
ア水でｐＨ＝８とすることによりゲル状沈殿物を得た。
このゲル状沈殿物を濾過，水洗した後に、３−八面体型
スメクタイトであるヘクトライト（コ−プケミカル製）
を種結晶として乾燥ゲルの全重量に対して０．５ｗｔ％
添加し、水熱環境下２００℃において２時間反応を行わ
せ、単相の３−八面体型Ｎｉスメクタイトを得た。
る３−八面体型スメクタイトを合成するために、シリカ
ゾル（日産化学製，シリカ含有量２０ｗｔ％）１０．０
ｇを１規定の硝酸中にｐＨ＝３となるように溶解させた
後に、硝酸ニッケル（和光純薬工業製）１０．６ｇ加
え、攪拌した後、２モル／リットルの水酸化ナトリウム
（ＮａＯＨ）５．８ｍｌを加えた後、１規定のアンモニ
ア水でｐＨ＝８とすることによりゲル状沈殿物を得た。
このゲル状沈殿物を濾過，水洗した後に、３−八面体型
スメクタイトであるヘクトライト（コ−プケミカル製）
を種結晶として乾燥ゲルの全重量に対して０．５ｗｔ％
添加し、水熱環境下２００℃において２時間反応を行わ
せ、単相の３−八面体型Ｎｉスメクタイトを得た。
【００１６】この３−八面体型Ｎｉスメクタイトを８０
０℃において、加熱処理を施した後に、ＮＯ＝１２００
ｐｐｍ，Ｃ3Ｈ6＝８００ｐｐｍ及び０2＝４％の混合ガ
スを用いて、常圧固定床流通反応装置によりＳＶ＝２０
０００／ｈ，４００℃においてＮＯの浄化活性を測定し
たところ、４０％の活性を得た。
０℃において、加熱処理を施した後に、ＮＯ＝１２００
ｐｐｍ，Ｃ3Ｈ6＝８００ｐｐｍ及び０2＝４％の混合ガ
スを用いて、常圧固定床流通反応装置によりＳＶ＝２０
０００／ｈ，４００℃においてＮＯの浄化活性を測定し
たところ、４０％の活性を得た。
【００１７】実施例２ 実施例１の組成を有する３−八面体型Ｎｉスメクタイト
にＣｕアセチルアセトナ−ト（キシダ化学製）をＣｕ換
算で１ｗｔ％となるように１−ブタノ−ル溶液を溶媒と
して混合したのち、８０〜１００℃の温度において加熱
還流処理を行うことにより、３−八面体型Ｎｉスメクタ
イトの層間にＣｕをインタ−カレ−トした。このＣｕは
２価の状態であることをＥＳＣＡにより確認した。この
Ｃｕを含む３−八面体型Ｎｉスメクタイトを８００℃に
おいて加熱還流を施した後に、実施例１と同じ実験条件
のもとＮＯの浄化活性を測定したところ、２０％の活性
を得た。
にＣｕアセチルアセトナ−ト（キシダ化学製）をＣｕ換
算で１ｗｔ％となるように１−ブタノ−ル溶液を溶媒と
して混合したのち、８０〜１００℃の温度において加熱
還流処理を行うことにより、３−八面体型Ｎｉスメクタ
イトの層間にＣｕをインタ−カレ−トした。このＣｕは
２価の状態であることをＥＳＣＡにより確認した。この
Ｃｕを含む３−八面体型Ｎｉスメクタイトを８００℃に
おいて加熱還流を施した後に、実施例１と同じ実験条件
のもとＮＯの浄化活性を測定したところ、２０％の活性
を得た。
【００１８】比較例１ ０．５Ｎａ2Ｏ・６．９ＮｉＯ・８ＳｉＯ2の組成を有す
る３−八面体型スメクタイトを合成するために、シリカ
ゾル；１０．０ｇを１規定の硝酸中にｐＨ＝３となるよ
うに溶解した後、硝酸ニッケル；１０．６ｇを混合し、
２モル／リットルのＮａＯＨ；２０．８ｍｌを添加し
て、１規定のアンモニア水溶液でｐＨ＝８として沈殿物
を得た。この沈殿物を水洗した後、実施例１と同じ種結
晶を０．５ｗｔ％添加し、２００℃において２時間水熱
合成反応を行った。得られた生成物は、３−八面体型Ｎ
ｉスメクタイト，Ｎａ2ＳｉＯ3及びＮｉＯの混合物から
なるものであり、この混合物を８００℃において、加熱
処理を施した後に実施例１の評価解条件のもとにおける
ＮＯ浄化活性は認められなかった。
る３−八面体型スメクタイトを合成するために、シリカ
ゾル；１０．０ｇを１規定の硝酸中にｐＨ＝３となるよ
うに溶解した後、硝酸ニッケル；１０．６ｇを混合し、
２モル／リットルのＮａＯＨ；２０．８ｍｌを添加し
て、１規定のアンモニア水溶液でｐＨ＝８として沈殿物
を得た。この沈殿物を水洗した後、実施例１と同じ種結
晶を０．５ｗｔ％添加し、２００℃において２時間水熱
合成反応を行った。得られた生成物は、３−八面体型Ｎ
ｉスメクタイト，Ｎａ2ＳｉＯ3及びＮｉＯの混合物から
なるものであり、この混合物を８００℃において、加熱
処理を施した後に実施例１の評価解条件のもとにおける
ＮＯ浄化活性は認められなかった。
【００１９】比較例２ ２．５Ｎａ2Ｏ・６．９ＮｉＯ・８ＳｉＯ2の組成を有す
る３−八面体型スメクタイトを合成するために、シリカ
ゾル；１０．０ｇを１規定の硝酸中にｐＨ＝３となるよ
うに溶解した後、硝酸ニッケル；１０．６ｇを混合し、
２モル／リットルのＮａＯＨ；２０．８ｍｌを添加し
て、１規定のアンモニア水でｐＨ＝８として沈殿物を得
た。この沈殿物を水洗した後、実施例１と同じ種結晶を
０．５ｗｔ％添加し、２００℃において２時間水熱合成
反応を行った。得られた生成物は、３−八面体型Ｎｉス
メクタイト単一相からなるものであった。この３−八面
体型Ｎｉスメクタイトを８００℃の温度において加熱処
理したのち、実施例１の評価解条件のもとにおけるＮＯ
浄化活性を測定したところ活性は認められなかった。
る３−八面体型スメクタイトを合成するために、シリカ
ゾル；１０．０ｇを１規定の硝酸中にｐＨ＝３となるよ
うに溶解した後、硝酸ニッケル；１０．６ｇを混合し、
２モル／リットルのＮａＯＨ；２０．８ｍｌを添加し
て、１規定のアンモニア水でｐＨ＝８として沈殿物を得
た。この沈殿物を水洗した後、実施例１と同じ種結晶を
０．５ｗｔ％添加し、２００℃において２時間水熱合成
反応を行った。得られた生成物は、３−八面体型Ｎｉス
メクタイト単一相からなるものであった。この３−八面
体型Ｎｉスメクタイトを８００℃の温度において加熱処
理したのち、実施例１の評価解条件のもとにおけるＮＯ
浄化活性を測定したところ活性は認められなかった。
【００２０】比較例３ １．４Ｎａ2Ｏ・３．０ＮｉＯ・８ＳｉＯ2の組成を有す
る３−八面体型スメクタイトを合成するために、シリカ
ゾル；１０．０ｇを１規定の硝酸中にｐＨ＝３となるよ
うに溶解した後、硝酸ニッケル；４．６ｇを混合し、２
モル／リットルのＮａＯＨ；５．８ｍｌを添加した後、
１規定のアンモニア水でｐＨ＝８として沈殿物を得た。
この沈殿物を水洗した後、実施例１と同じ種結晶を０．
５ｗｔ％添加し、２００℃において２時間水熱合成反応
を行った。得られた生成物は、３−八面体型Ｎｉスメク
タイト単一相からなるものであった。この３−八面体型
Ｎｉスメクタイトを８００℃の温度において加熱処理し
たのち、実施例１の評価解条件のもとにおけるＮＯ浄化
活性を測定したところ活性は認められなかった。
る３−八面体型スメクタイトを合成するために、シリカ
ゾル；１０．０ｇを１規定の硝酸中にｐＨ＝３となるよ
うに溶解した後、硝酸ニッケル；４．６ｇを混合し、２
モル／リットルのＮａＯＨ；５．８ｍｌを添加した後、
１規定のアンモニア水でｐＨ＝８として沈殿物を得た。
この沈殿物を水洗した後、実施例１と同じ種結晶を０．
５ｗｔ％添加し、２００℃において２時間水熱合成反応
を行った。得られた生成物は、３−八面体型Ｎｉスメク
タイト単一相からなるものであった。この３−八面体型
Ｎｉスメクタイトを８００℃の温度において加熱処理し
たのち、実施例１の評価解条件のもとにおけるＮＯ浄化
活性を測定したところ活性は認められなかった。
【００２１】比較例４ １．４Ｎａ2Ｏ・８．５ＮｉＯ・８ＳｉＯ2の組成を有す
る３−八面体型スメクタイトを合成するために、シリカ
ゾル；１０．０ｇを１規定の硝酸中にｐＨ＝３となるよ
うに溶解した後、硝酸ニッケル；１３．１ｇを混合し、
２モル／リットルのＮａＯＨ；５．８ｍｌを添加した
後、１規定のアンモニア水でｐＨ＝８として沈殿物を得
た。この沈殿物を水洗した後、実施例１と同じ種結晶を
０．５ｗｔ％添加し、２００℃において２時間水熱合成
反応を行った。得られた生成物は、３−八面体型Ｎｉス
メクタイト単一相からなるものであった。この３−八面
体型Ｎｉスメクタイトを８００℃の温度において加熱処
理したのち、実施例１の評価解条件のもとにおけるＮＯ
浄化活性を測定したところ活性は認められなかった。
る３−八面体型スメクタイトを合成するために、シリカ
ゾル；１０．０ｇを１規定の硝酸中にｐＨ＝３となるよ
うに溶解した後、硝酸ニッケル；１３．１ｇを混合し、
２モル／リットルのＮａＯＨ；５．８ｍｌを添加した
後、１規定のアンモニア水でｐＨ＝８として沈殿物を得
た。この沈殿物を水洗した後、実施例１と同じ種結晶を
０．５ｗｔ％添加し、２００℃において２時間水熱合成
反応を行った。得られた生成物は、３−八面体型Ｎｉス
メクタイト単一相からなるものであった。この３−八面
体型Ｎｉスメクタイトを８００℃の温度において加熱処
理したのち、実施例１の評価解条件のもとにおけるＮＯ
浄化活性を測定したところ活性は認められなかった。
【００２２】比較例５ １．４Ｎａ2Ｏ・６．９ＮｉＯ・８ＳｉＯ2の組成を有す
る３−八面体型スメクタイトを合成するために、シリカ
ゾル；１０．０ｇを１規定の硝酸にｐＨ＝３となるよう
に溶解する際にｐＨ＜１とした後、硝酸ニッケル；１
０．６ｇを混合し、２モル／リットルのＮａＯＨ；５．
８ｍｌを添加して、沈殿物を得た。この沈殿物を水洗し
た後、実施例１と同じ種結晶を０．５ｗｔ％添加し、２
００℃において２時間水熱合成反応を行った。得られた
生成物は、ＮｉＯ及びＮａ2ＳｉＯ3であった。この生成
物を８００℃の温度において加熱処理したのち、実施例
１の評価解条件のもとにおけるＮＯ浄化活性を測定した
ところ活性は認められなかった。
る３−八面体型スメクタイトを合成するために、シリカ
ゾル；１０．０ｇを１規定の硝酸にｐＨ＝３となるよう
に溶解する際にｐＨ＜１とした後、硝酸ニッケル；１
０．６ｇを混合し、２モル／リットルのＮａＯＨ；５．
８ｍｌを添加して、沈殿物を得た。この沈殿物を水洗し
た後、実施例１と同じ種結晶を０．５ｗｔ％添加し、２
００℃において２時間水熱合成反応を行った。得られた
生成物は、ＮｉＯ及びＮａ2ＳｉＯ3であった。この生成
物を８００℃の温度において加熱処理したのち、実施例
１の評価解条件のもとにおけるＮＯ浄化活性を測定した
ところ活性は認められなかった。
【００２３】比較例６ １．４Ｎａ2Ｏ・６．９ＮｉＯ・８ＳｉＯ2の組成を有す
る３−八面体型スメクタイトを合成するために、シリカ
ゾル；１０．０ｇを１規定の硝酸中にｐＨ＝３となるよ
うに溶解し、硝酸ニッケル；１０．６ｇを混合し、２モ
ル／リットルのＮａＯＨ；５．８ｍｌを添加した後、１
規定のアンモニア水でｐＨ＝８として沈殿物を得た。こ
の沈殿物を水洗した後、種結晶を用いずに２００℃にお
いて２時間水熱合成反応を行った。得られた生成物は、
ＮｉＯ及びＮａ2ＳｉＯ3であった。この生成物を８００
℃の温度において加熱処理したのち、実施例１の評価解
条件のもとにおけるＮＯ浄化活性を測定したところ活性
は認められなかった。
る３−八面体型スメクタイトを合成するために、シリカ
ゾル；１０．０ｇを１規定の硝酸中にｐＨ＝３となるよ
うに溶解し、硝酸ニッケル；１０．６ｇを混合し、２モ
ル／リットルのＮａＯＨ；５．８ｍｌを添加した後、１
規定のアンモニア水でｐＨ＝８として沈殿物を得た。こ
の沈殿物を水洗した後、種結晶を用いずに２００℃にお
いて２時間水熱合成反応を行った。得られた生成物は、
ＮｉＯ及びＮａ2ＳｉＯ3であった。この生成物を８００
℃の温度において加熱処理したのち、実施例１の評価解
条件のもとにおけるＮＯ浄化活性を測定したところ活性
は認められなかった。
Claims (2)
- 【請求項１】一般式 ａＮａ2Ｏ・ｂＮｉＯ・８Ｓｉ
Ｏ2 （Ｉ） （ただし、ａは１．０≦ａ≦２．０，ｂは５．０≦ｂ≦
７．５の数）で表される３−八面体型スメクタイト化合
物に銅を０から１０ｗｔ％含有させることを特徴とする
窒素酸化物及び炭化水素を含有する酸素過剰の排ガスか
ら窒素酸化物を除去する排気ガス浄化用触媒。 - 【請求項２】 （１）一般式 ａＮａ2Ｏ・ｂＮｉＯ・８ＳｉＯ2 （Ｉ） （ただし、ａは１．０≦ａ≦２．０，ｂは５．０≦ｂ≦
７．５の数）を満たすように、溶液のｐＨが１≦ｐＨ≦
７であるシリカゾルとニッケルの水溶性塩と水酸化ナト
リウムを混合し均一混合体を得、（２）混合溶液のｐＨ
がｐＨ≧６となるように調整して均質沈殿物を生成し、
（３）沈殿物の全乾燥重量に対して０．１〜１０ｗｔ％
の３−八面体型スメクタイトの結晶構造を有する粉末を
種結晶として添加し、（４）１５０℃〜２５０℃の範囲
において水熱合成反応を行い、（５）銅を含む場合に
は、この反応物と銅イオンを含む水溶液または非水溶液
を混合したのち、加熱還流処理を施すことを特徴とす
る、窒素酸化物及び炭化水素を含有する酸素過剰の排ガ
スから窒素酸化物を除去する排気ガス浄化用触媒の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5055478A JPH06262074A (ja) | 1993-03-16 | 1993-03-16 | 排気ガス浄化用触媒およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5055478A JPH06262074A (ja) | 1993-03-16 | 1993-03-16 | 排気ガス浄化用触媒およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06262074A true JPH06262074A (ja) | 1994-09-20 |
Family
ID=12999728
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5055478A Pending JPH06262074A (ja) | 1993-03-16 | 1993-03-16 | 排気ガス浄化用触媒およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06262074A (ja) |
-
1993
- 1993-03-16 JP JP5055478A patent/JPH06262074A/ja active Pending
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