JPH0626176B2 - シリコン・ウエハ−基板 - Google Patents

シリコン・ウエハ−基板

Info

Publication number
JPH0626176B2
JPH0626176B2 JP60025733A JP2573385A JPH0626176B2 JP H0626176 B2 JPH0626176 B2 JP H0626176B2 JP 60025733 A JP60025733 A JP 60025733A JP 2573385 A JP2573385 A JP 2573385A JP H0626176 B2 JPH0626176 B2 JP H0626176B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
silicon wafer
wafer substrate
substrate
present
protective film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP60025733A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS61185933A (ja
Inventor
▲しょう▼介 萩原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sord Computer Systems Inc
Original Assignee
Sord Computer Systems Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sord Computer Systems Inc filed Critical Sord Computer Systems Inc
Priority to JP60025733A priority Critical patent/JPH0626176B2/ja
Publication of JPS61185933A publication Critical patent/JPS61185933A/ja
Publication of JPH0626176B2 publication Critical patent/JPH0626176B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、シリコン・ウェハー基板の改良に関し、特
に、超高速ＬＳＩシリコン・ウェハーにおけるシリコン
・チップの熱容量を少なくしたシリコン・ウェハー基板
に関する。
（従来技術及び問題点） シリコン・ウェハーの厚みは通常３インチウェハーの場
合は４００μｍ〜５００μｍであり、６インチ又は８イ
ンチのウェハーのように直径が大になるに伴なって、シ
リコン・ウェハーの反り、歪みなどが生じ、これらを防
ぐためシリコン・ウェハーの厚みを大にしていた。他
方、ＬＳＩにおいては、１μｍルールで高密度となり、
特に超高速ＬＳＩの場合は単位面積当たりの発熱量も大
となり、シリコン・ウェハーの発熱効率の低下を招いて
いた。
（発明の目的） 本発明は、このような問題を解消するものであり、シリ
コン・ウェハーを超高速ＬＳＩとする際に、シリコン・
チップの発熱量を少なくするシリコン・ウェハー基板を
提供することを目的とする。
（発明の概要） 本発明の構成を概括すると、本発明は、シリコン・ウェ
ハー基板の一面にはエピタキシャル層を、該シリコン・
ウェハー基板の他面には格子状の保護膜を配設して電解
研磨法によりエッチング処理することにより凹凸の格子
状から成る補強リブを具備するシリコン・ウェハー基板
であり、厚さ１μｍ〜１０μｍのシリコン・ウェハーの
強度を補強する特徴を有する。
（発明の実施例） 本発明の構成及び実施例を図面に基づいて説明する。第
１図は、本発明に係るシリコン・ウェハー基板の断面図
であり、ｎ＋シリコン・ウェハー基板１の一面に１μｍ
〜１０μｍのｎエピタキシャル層２を配設した状態を示
す面である。
第２図は、ｎ＋シリコン・ウェハー基板１の他面にＫＯ
Ｈ水溶液などに対するＳｉＯ２またはＳｉ３Ｎ４などの
格子状の保護膜３をＣＶＤ法（Chemical Vapor Depos
ition:気相成長法）により配設した状態を示す図であ
る。
第３図は、本発明に係るシリコン・ウェハー基板の拡大
断面図であり、シリコン・ウェハー基板１の他面に格子
状の保護膜３を配設したシリコン・ウェハー基板１を陽
極電解研磨法を用いてエッチングを行なうことにより、
格子状の保護膜３を配設したシリコン・ウェハー部分の
みを残存し、補強リブ１ａを形成する。
第４図に示すように、シリコン・ウェハー基板１の他面
に陽極電解研磨法によりエッチング処理された凹凸の格
子状の補強リブを配設することにより、シリコン・ウェ
ハー基板１の反りまたは歪みなどを補強することができ
る。
（発明の効果） 本発明は、以上の構成であるから、１μｍ〜１０μｍの
超薄型のシリコン・ウェハー基板における反りまたは歪
みを防止できるとともに、超高速ＬＳＩシリコン・ウェ
ハーにおけるシリコン・チップ熱容量を低下できる効果
を奏する。
【図面の簡単な説明】
第１図、第２図および第３図は、本発明の構造を示す断
面図、第４図は、本発明の実施例を示す斜視図である。 １……シリコン・ウェハー基板 １ａ……補強リブ ２……エピタキシャル層 ３……保護膜

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】エピタキシャル層とシリコン・ウェハー層
    とからなるシリコン・ウェハー基板において、該シリコ
    ン・ウェハー基板の一面に凹凸状の補強リブを具備する
    ことを特徴とするシリコン・ウェハー基板。
JP60025733A 1985-02-13 1985-02-13 シリコン・ウエハ−基板 Expired - Lifetime JPH0626176B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60025733A JPH0626176B2 (ja) 1985-02-13 1985-02-13 シリコン・ウエハ−基板

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60025733A JPH0626176B2 (ja) 1985-02-13 1985-02-13 シリコン・ウエハ−基板

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS61185933A JPS61185933A (ja) 1986-08-19
JPH0626176B2 true JPH0626176B2 (ja) 1994-04-06

Family

ID=12174014

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60025733A Expired - Lifetime JPH0626176B2 (ja) 1985-02-13 1985-02-13 シリコン・ウエハ−基板

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0626176B2 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02264217A (ja) * 1989-04-05 1990-10-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 強誘電性液晶表示装置
JP4904922B2 (ja) * 2006-05-26 2012-03-28 トヨタ自動車株式会社 半導体基板製造方法及び半導体基板

Also Published As

Publication number Publication date
JPS61185933A (ja) 1986-08-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11769683B2 (en) Chamber component with protective ceramic coating containing yttrium, aluminum and oxygen
JPH0626176B2 (ja) シリコン・ウエハ−基板
CN113903656A (zh) 一种碳化硅晶圆加工工艺
JPH05206404A (ja) 基板内にトレンチ構造を形成する方法
JPH0963912A (ja) 貼り合わせ基板製造方法
JP2003060142A (ja) サブマウント装置およびその製造方法
JP3094312B2 (ja) サセプター
US20020124793A1 (en) Silicon carbide film and method for manufacturing the same
JP7186872B2 (ja) 半導体基板の製造方法および半導体装置の製造方法
JPH042133A (ja) 結晶板
JP4255866B2 (ja) 炭化珪素膜及びその製造方法
JP3358051B2 (ja) バレル型気相成長用サセプタ
TWI806656B (zh) 半導體製程設備部件及其製作方法
KR20120071488A (ko) 반도체 기판의 후면 비아홀 형성 방법
JPH0555358A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2728310B2 (ja) 半導体ウェーハーのゲッタリング方法
JPH04302432A (ja) 半導体ウエハ基板
JPH07161594A (ja) 半導体ウェハ基板
JPS6020514A (ja) Ｘ線露光用マスク
JP3500959B2 (ja) 半導体基板の加工方法
JPH0646622B2 (ja) 半導体基板用シリコンウェハの製造方法
JPH0365652B2 (ja)
JPS5931026A (ja) Ｘ線マスクの製造方法
Perevoshchikov High vacuum thermal cleaning of silicon surfaces with the protective oxide film
KR970072006A (ko) X선 마스크 및 그 제조방법