JPH06260459A - 半導体ウエーハおよびその製造方法 - Google Patents
半導体ウエーハおよびその製造方法Info
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- JPH06260459A JPH06260459A JP5156334A JP15633493A JPH06260459A JP H06260459 A JPH06260459 A JP H06260459A JP 5156334 A JP5156334 A JP 5156334A JP 15633493 A JP15633493 A JP 15633493A JP H06260459 A JPH06260459 A JP H06260459A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 定義された方法によつて研削された変形を有
する半導体ウエーハ４を提供することにある。 【構成】 半導体ウエーハ４において、１側に適用され
る必要な被覆または拡散処理が応力によるかつ望ましく
ない回転対称変形を結果として生じる。反対に、定義さ
れた方法において変形されかつその変形が被覆によりず
らされる半導体ウエーハ４が使用されるならば、所望の
平面平行表面を有する半導体ウエーハ４が結果として生
じる。本発明は定義された方法において研削される変形
を有するかかる半導体ウエーハおよびかかる半導体ウエ
ーハを製造する方法に関する。
する半導体ウエーハ４を提供することにある。 【構成】 半導体ウエーハ４において、１側に適用され
る必要な被覆または拡散処理が応力によるかつ望ましく
ない回転対称変形を結果として生じる。反対に、定義さ
れた方法において変形されかつその変形が被覆によりず
らされる半導体ウエーハ４が使用されるならば、所望の
平面平行表面を有する半導体ウエーハ４が結果として生
じる。本発明は定義された方法において研削される変形
を有するかかる半導体ウエーハおよびかかる半導体ウエ
ーハを製造する方法に関する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は定義された方法において
研削された変形を有する半導体ウエーハおよびかかる半
導体ウエーハの製造方法に関する。
研削された変形を有する半導体ウエーハおよびかかる半
導体ウエーハの製造方法に関する。
【０００３】
【従来の技術】半導体ウエーハの製造において、かなり
の努力ができるだけ平らであるウエーハを得ることに費
やされている。極めて平らなウエーハ表面のみがウエー
ハ表面への電子部品のフオトリソグラフイ塗布が現在標
準である集積度において欠陥の無い方法で達成されるこ
とを保証する。棒状単一結晶のウエーハへの切り出しに
始まってかつラツピングおよび研削方法による半導体ウ
エーハの表面仕上げに進行して、強調はそれゆえ少なく
とも１平面を有する半導体ウエーハを得るような努力で
ある。
の努力ができるだけ平らであるウエーハを得ることに費
やされている。極めて平らなウエーハ表面のみがウエー
ハ表面への電子部品のフオトリソグラフイ塗布が現在標
準である集積度において欠陥の無い方法で達成されるこ
とを保証する。棒状単一結晶のウエーハへの切り出しに
始まってかつラツピングおよび研削方法による半導体ウ
エーハの表面仕上げに進行して、強調はそれゆえ少なく
とも１平面を有する半導体ウエーハを得るような努力で
ある。
【０００４】半導体ウエーハのさらに他の処理過程にお
いて、しかしながら、一般にはその点までに達成される
半導体ウエーハの平面度を損なう方法工程が必要であ
る。円形ウエーハ形状のため、半導体ウエーハの回転対
称変形はしばしばウエーハ表面の単一側処理後観察され
ることができる。かくして、例えば、好適なウエーハ表
面上の１またはそれ以上の材料層の塗布または創出（例
えばエピタキシまたは酸化）は半導体ウエーハの回転対
称変形を生じる半導体材料のひずみを結果として生じ
る。同様なものは半導体ウエーハが１側でエツチングさ
れ、ドーピングされまたはいわゆる損傷処理（結晶格子
中の欠陥の創出）に従わされる場合に発生する。精密な
検査は曲げられるようにこの方法において処理された半
導体ウエーハを示す。
いて、しかしながら、一般にはその点までに達成される
半導体ウエーハの平面度を損なう方法工程が必要であ
る。円形ウエーハ形状のため、半導体ウエーハの回転対
称変形はしばしばウエーハ表面の単一側処理後観察され
ることができる。かくして、例えば、好適なウエーハ表
面上の１またはそれ以上の材料層の塗布または創出（例
えばエピタキシまたは酸化）は半導体ウエーハの回転対
称変形を生じる半導体材料のひずみを結果として生じ
る。同様なものは半導体ウエーハが１側でエツチングさ
れ、ドーピングされまたはいわゆる損傷処理（結晶格子
中の欠陥の創出）に従わされる場合に発生する。精密な
検査は曲げられるようにこの方法において処理された半
導体ウエーハを示す。
【０００５】半導体ウエーハの変形の認められた方法は
いわゆる反り（ワープ）である。ワープは基準面からの
半導体ウエーハの中心面の最大および最小距離の間の差
異を特定する。それは例えばアメリカ合衆国規格ＡＳＴ
ＴＭ Ｆ ６５７−８０による測定方法において決定さ
れ得る。上述した半導体ウエーハの１側処理は、理想的
に平らなかつ平面平行なウエーハ表面に関して、半導体
ウエーハが追加の回転対称変形を結局または完全に補償
するように１側処理の前に定義された方法においてすで
に変形されてないならばゼロに等しいワープを増加す
る。後者の場合において、ワープは小さくなりかつ電子
部品の欠陥の無いフオトリソグラフイ塗布に必要な平ら
なウエーハジオメトリが達成される。
いわゆる反り（ワープ）である。ワープは基準面からの
半導体ウエーハの中心面の最大および最小距離の間の差
異を特定する。それは例えばアメリカ合衆国規格ＡＳＴ
ＴＭ Ｆ ６５７−８０による測定方法において決定さ
れ得る。上述した半導体ウエーハの１側処理は、理想的
に平らなかつ平面平行なウエーハ表面に関して、半導体
ウエーハが追加の回転対称変形を結局または完全に補償
するように１側処理の前に定義された方法においてすで
に変形されてないならばゼロに等しいワープを増加す
る。後者の場合において、ワープは小さくなりかつ電子
部品の欠陥の無いフオトリソグラフイ塗布に必要な平ら
なウエーハジオメトリが達成される。
【０００６】半導体ウエーハの合計厚さ変化（ＴＴＶ
値）はウエーハ表面の並行を評価するのにとくに適す
る。ＴＴＶとして言及されるのは多数の点測定から決定
される半導体ウエーハの最大および最小厚さ値の差異の
絶対量である。ＴＴＶ値はそれゆえ半導体ウエーハがそ
の表面の１側処理の結果として変形する場合には変化し
ない。しかしながら、このための先行必要条件は、処理
がウエーハの厚さを不均一に変更しないということであ
る。
値）はウエーハ表面の並行を評価するのにとくに適す
る。ＴＴＶとして言及されるのは多数の点測定から決定
される半導体ウエーハの最大および最小厚さ値の差異の
絶対量である。ＴＴＶ値はそれゆえ半導体ウエーハがそ
の表面の１側処理の結果として変形する場合には変化し
ない。しかしながら、このための先行必要条件は、処理
がウエーハの厚さを不均一に変更しないということであ
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ドイツ連邦共和国公開
特許第３９０６０９１ Ａ１号および対応するアメリカ
合衆国特許第４，９９１，４７５号は変形された半導体
ウエーハが環状鋸によつて結晶棒からの半導体ウエーハ
の切断の間中幾つかのパラメータに影響を及ぼすことに
より作られ得ることを開示する。しかしながら、この方
法の精度は定義された変形（定義されたワープ）を再生
可能に有する半導体ウエーハを製造するのには十分でな
い。
特許第３９０６０９１ Ａ１号および対応するアメリカ
合衆国特許第４，９９１，４７５号は変形された半導体
ウエーハが環状鋸によつて結晶棒からの半導体ウエーハ
の切断の間中幾つかのパラメータに影響を及ぼすことに
より作られ得ることを開示する。しかしながら、この方
法の精度は定義された変形（定義されたワープ）を再生
可能に有する半導体ウエーハを製造するのには十分でな
い。
【０００８】本発明は定義された変形（定義されたワー
プを有する）を有する接地半導体ウエーハを要求しかつ
それによりかかる半導体ウエーハが製造される方法が特
定される。
プを有する）を有する接地半導体ウエーハを要求しかつ
それによりかかる半導体ウエーハが製造される方法が特
定される。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は定義された方法において研削された変形
（定義された方法において研削されたワープ）を有する
ことを特徴とする半導体ウエーハが提供される。
に、本発明は定義された方法において研削された変形
（定義された方法において研削されたワープ）を有する
ことを特徴とする半導体ウエーハが提供される。
【００１０】本発明による半導体ウエーハは回転対称屈
曲前面および該前面に対して並行に延びる後面を有す
る。前面の湾曲は半導体ウエーハの表面に押し付けられ
る。好ましくは、回転対称湾曲は凹状、凸状または円錐
状に形成される。それらのワープ（反り）により表され
るような半導体ウエーハの変形度は定義された方法にお
いて調整される。ワープの予備調整は後述される方法に
より可能とされる。
曲前面および該前面に対して並行に延びる後面を有す
る。前面の湾曲は半導体ウエーハの表面に押し付けられ
る。好ましくは、回転対称湾曲は凹状、凸状または円錐
状に形成される。それらのワープ（反り）により表され
るような半導体ウエーハの変形度は定義された方法にお
いて調整される。ワープの予備調整は後述される方法に
より可能とされる。
【００１１】まず、半導体ウエーハは、例えば環状鋸に
よつて、棒状半導体結晶の端面からそれ自体公知の方法
において切断される。保証されるべきことは、選択され
た鋸引き方法ができるだけ平らである少なくとも１つの
ウエーハ表面を残すということである。好ましくは、表
面研削面が結晶棒の以前の端面研削により製造された半
導体ウエーハの１側に作られる。かかる鋸引き方法はド
イツ連邦共和国特許第３６１３１３２ Ｃ２号および対
応するアメリカ合衆国特許第４，８９６，４５９号に開
示される。
よつて、棒状半導体結晶の端面からそれ自体公知の方法
において切断される。保証されるべきことは、選択され
た鋸引き方法ができるだけ平らである少なくとも１つの
ウエーハ表面を残すということである。好ましくは、表
面研削面が結晶棒の以前の端面研削により製造された半
導体ウエーハの１側に作られる。かかる鋸引き方法はド
イツ連邦共和国特許第３６１３１３２ Ｃ２号および対
応するアメリカ合衆国特許第４，８９６，４５９号に開
示される。
【００１２】結晶棒から切断された半導体ウエーハは次
いでその第１表面によつて表面研削機のピツクアツプ上
に置かれる。半導体ウエーハの第１表面と見做されるの
はより優れた平坦さを有するウエーハのその側である。
結晶棒の端面が半導体ウエーハを切断する前に表面研削
されたならば、半導体ウエーハは表面研削された表面に
よつてウエーハピツクアツプ上に置かれる。半導体ウエ
ーハの反対の、第２表面がその場合に第１研削工程にお
いて研削される。適切な表面研削機は、とくに、ヨーロ
ツパ特許出願第２７２５３１Ａ１号に開示された表面回
転研削の差動原理を使用する単一ウエーハ研削機であ
る。この場合に、それに固定された半導体ウエーハを備
えたウエーハピツクアツプだけでなくまた軸方向に送ら
れる研削工具（例えば円板輪または周辺研削輪）が回転
する。第１研削工程における半導体ウエーハの第２表面
の研削の間中、研削工具の回転軸線がウエーハピツクア
ツプの回転軸線に関連して傾斜されることが保証されね
ばならない。この方法の結果として、回転対称に屈曲さ
れた表面を有する半導体ウエーハが製造される。ウエー
ハ表面の湾曲はウエーハピツクアツプおよび研削工具の
回転軸線が表面回転研削の間中互いに関連すると仮定す
る傾斜角度に依存しかつそれゆえ定義された方法におい
て調整され得る。
いでその第１表面によつて表面研削機のピツクアツプ上
に置かれる。半導体ウエーハの第１表面と見做されるの
はより優れた平坦さを有するウエーハのその側である。
結晶棒の端面が半導体ウエーハを切断する前に表面研削
されたならば、半導体ウエーハは表面研削された表面に
よつてウエーハピツクアツプ上に置かれる。半導体ウエ
ーハの反対の、第２表面がその場合に第１研削工程にお
いて研削される。適切な表面研削機は、とくに、ヨーロ
ツパ特許出願第２７２５３１Ａ１号に開示された表面回
転研削の差動原理を使用する単一ウエーハ研削機であ
る。この場合に、それに固定された半導体ウエーハを備
えたウエーハピツクアツプだけでなくまた軸方向に送ら
れる研削工具（例えば円板輪または周辺研削輪）が回転
する。第１研削工程における半導体ウエーハの第２表面
の研削の間中、研削工具の回転軸線がウエーハピツクア
ツプの回転軸線に関連して傾斜されることが保証されね
ばならない。この方法の結果として、回転対称に屈曲さ
れた表面を有する半導体ウエーハが製造される。ウエー
ハ表面の湾曲はウエーハピツクアツプおよび研削工具の
回転軸線が表面回転研削の間中互いに関連すると仮定す
る傾斜角度に依存しかつそれゆえ定義された方法におい
て調整され得る。
【００１３】方法の第１研削工程後、半導体ウエーハは
逆にされかつ丁度研削された第２表面によつてウエーハ
ピツクアツプ上に固定される。半導体ウエーハの第２表
面全体はウエーハピツクアツプ上に正接して載置しなけ
ればならない。好ましくは、半導体ウエーハはそれがピ
ツクアツプ面に完全に従うように真空ピツクアツプ上に
吸引される。この状態において、第１ウエーハ面は本方
法の第２研削工程においてウエーハピツクアツプのピツ
クアツプ面に対して平行に今や研削される。既述された
表面回転研削に加えて、突き切り研削および表面側研削
方法が使用され得る。後者の場合において、研削工具の
みが回転する。
逆にされかつ丁度研削された第２表面によつてウエーハ
ピツクアツプ上に固定される。半導体ウエーハの第２表
面全体はウエーハピツクアツプ上に正接して載置しなけ
ればならない。好ましくは、半導体ウエーハはそれがピ
ツクアツプ面に完全に従うように真空ピツクアツプ上に
吸引される。この状態において、第１ウエーハ面は本方
法の第２研削工程においてウエーハピツクアツプのピツ
クアツプ面に対して平行に今や研削される。既述された
表面回転研削に加えて、突き切り研削および表面側研削
方法が使用され得る。後者の場合において、研削工具の
みが回転する。
【００１４】第２研削工程後ウエーハピツクアツプから
解放されるとき、半導体ウエーハは第１研削工程により
実質上定義される形状に跳ね返る。ウエーハ表面は回転
対称方法において屈曲されかつ互いに平行に延在する。
半導体ウエーハは研削工具およびウエーハピツクアツプ
の回転軸線が互いに関連すると仮定する傾斜角度の選択
により第１研削工程において決定される定義された方法
において研削された変形（定義された方法において研削
されるワープ）を有する。
解放されるとき、半導体ウエーハは第１研削工程により
実質上定義される形状に跳ね返る。ウエーハ表面は回転
対称方法において屈曲されかつ互いに平行に延在する。
半導体ウエーハは研削工具およびウエーハピツクアツプ
の回転軸線が互いに関連すると仮定する傾斜角度の選択
により第１研削工程において決定される定義された方法
において研削された変形（定義された方法において研削
されるワープ）を有する。
【００１５】本方法の他の実施例において、表面側研削
機は第１研削工程において使用されかつ工具は研削され
た表面がサドル形状になるような方法において送られ
る。第２研削工程後、半導体ウエーハはまたサドル形状
に変形されかつ平行面を有する。第１半導体ウエーハ研
削工程においてウエーハ表面に付与された湾曲はそれゆ
え必ずしも回転対称であらねばならないということはな
い。
機は第１研削工程において使用されかつ工具は研削され
た表面がサドル形状になるような方法において送られ
る。第２研削工程後、半導体ウエーハはまたサドル形状
に変形されかつ平行面を有する。第１半導体ウエーハ研
削工程においてウエーハ表面に付与された湾曲はそれゆ
え必ずしも回転対称であらねばならないということはな
い。
【００１６】本方法は十分に弾力があるすべての半導体
ウエーハに適用されることができそしてピツクアツプ面
に向かい合うウエーハ表面がピツクアツプ面に完全に正
接して載置するような方法において第２研削工程におい
てウエーハピツクアツプに衝突することなく配置され得
る。本方法を使用すると、より大きいワープ、使用され
る半導体ウエーハのより大きい直径およびより小さい厚
さを設定することができる。本方法にとくに良く適する
シリコンウエーハに関しては、しかしながら、ウエーハ
表面の１側処理の結果として期待されるような多数のワ
ープがある変形が達成され得る。１側で処理されたシリ
コンウエーハに関しては、ワープは代表的には２００ｍ
ｍの直径を有するウエーハに関して約５０μｍまでかつ
１００ｍｍの直径を有するウエーハに関して約１５０μ
ｍまでである。
ウエーハに適用されることができそしてピツクアツプ面
に向かい合うウエーハ表面がピツクアツプ面に完全に正
接して載置するような方法において第２研削工程におい
てウエーハピツクアツプに衝突することなく配置され得
る。本方法を使用すると、より大きいワープ、使用され
る半導体ウエーハのより大きい直径およびより小さい厚
さを設定することができる。本方法にとくに良く適する
シリコンウエーハに関しては、しかしながら、ウエーハ
表面の１側処理の結果として期待されるような多数のワ
ープがある変形が達成され得る。１側で処理されたシリ
コンウエーハに関しては、ワープは代表的には２００ｍ
ｍの直径を有するウエーハに関して約５０μｍまでかつ
１００ｍｍの直径を有するウエーハに関して約１５０μ
ｍまでである。
【００１７】それにより半導体ウエーハのワープが本発
明による方法により調整され得る精度は第１研削工程以
前の半導体ウエーハの平坦さおよびそれにより研削工具
の回転軸線が第１研削工程の間中整列され得る精度に依
存する。現在市場で入手し得る機械によれば、＜２μｍ
の精度を有するワープ調整がシリコンウエーハに関して
可能である。
明による方法により調整され得る精度は第１研削工程以
前の半導体ウエーハの平坦さおよびそれにより研削工具
の回転軸線が第１研削工程の間中整列され得る精度に依
存する。現在市場で入手し得る機械によれば、＜２μｍ
の精度を有するワープ調整がシリコンウエーハに関して
可能である。
【００１８】本方法のとくに好適な実施例を個々の方法
工程の瞬間的な描写を略示する図１ないし図７に関連し
て以下に詳細に説明する。もちろん、本発明はこの実施
例に限定されない。
工程の瞬間的な描写を略示する図１ないし図７に関連し
て以下に詳細に説明する。もちろん、本発明はこの実施
例に限定されない。
【００１９】
【実施例】図１は棒状半導体結晶１の端面からの半導体
ウエーハの切断を示す。図１は棒の端面が前に研削され
るかまたはその間に環状鋸３の鋸歯が半導体ウエーハを
切断しているかどうかは無関係である。結果として生じ
る半導体ウエーハ４は表面研削第１面５および通常平坦
性の少ない第２面６（図２）を有する。半導体ウエーハ
は第１面によつて回転表面研削機のピツクアツプ７上に
置かれそしてそれに、例えば、真空を適用することによ
り固定される。ピツクアツプは次の表面研削の間中それ
に配置される半導体ウエーハに沿って回転する。図３か
ら見ることができるのは、研削工具の回転軸線８が本方
法のこの第１研削工程の間中ピツクアツプ７の回転軸線
９に対して傾斜されるということである。原則として、
研削工具の回転軸線は、ウエーハピツクアツプの回転軸
線に対して、１つの空間的方向に、例えば右または後方
へ、または２つの空間的方向へ、例えば右または後方へ
傾斜され得る。研削されたウエーハ表面は第１研削工程
の結果として屈曲外観を取得する。表面の湾曲は回転対
称でありかつ設定された回転軸線の傾斜された配置に依
存して、凹状、凸状（２つの空間的方向において研削工
具の回転軸線の傾斜による球部分の形状）または円錐形
状（１つの空間的方向における研削工具の回転軸線の傾
斜による）である。
ウエーハの切断を示す。図１は棒の端面が前に研削され
るかまたはその間に環状鋸３の鋸歯が半導体ウエーハを
切断しているかどうかは無関係である。結果として生じ
る半導体ウエーハ４は表面研削第１面５および通常平坦
性の少ない第２面６（図２）を有する。半導体ウエーハ
は第１面によつて回転表面研削機のピツクアツプ７上に
置かれそしてそれに、例えば、真空を適用することによ
り固定される。ピツクアツプは次の表面研削の間中それ
に配置される半導体ウエーハに沿って回転する。図３か
ら見ることができるのは、研削工具の回転軸線８が本方
法のこの第１研削工程の間中ピツクアツプ７の回転軸線
９に対して傾斜されるということである。原則として、
研削工具の回転軸線は、ウエーハピツクアツプの回転軸
線に対して、１つの空間的方向に、例えば右または後方
へ、または２つの空間的方向へ、例えば右または後方へ
傾斜され得る。研削されたウエーハ表面は第１研削工程
の結果として屈曲外観を取得する。表面の湾曲は回転対
称でありかつ設定された回転軸線の傾斜された配置に依
存して、凹状、凸状（２つの空間的方向において研削工
具の回転軸線の傾斜による球部分の形状）または円錐形
状（１つの空間的方向における研削工具の回転軸線の傾
斜による）である。
【００２０】図４によれば、半導体ウエーハは逆にされ
かつウエーハピツクアツプ７上に、今や屈曲される第２
表面６によつて配置される。好ましくは、半導体ウエー
ハが第２表面全体によつてピツクアツプ面に正接して載
置するように半導体ウエーハを吸引する真空ピツクアツ
プが使用される。図５に示されるように、半導体材料の
弾性により、吸い上げられたウエーハ表面の湾曲は半導
体ウエーハの反対の、第１表面５に伝達される。これは
半導体ウエーハがウエーハピツクアツプ上に固定される
限りに関する場合である。
かつウエーハピツクアツプ７上に、今や屈曲される第２
表面６によつて配置される。好ましくは、半導体ウエー
ハが第２表面全体によつてピツクアツプ面に正接して載
置するように半導体ウエーハを吸引する真空ピツクアツ
プが使用される。図５に示されるように、半導体材料の
弾性により、吸い上げられたウエーハ表面の湾曲は半導
体ウエーハの反対の、第１表面５に伝達される。これは
半導体ウエーハがウエーハピツクアツプ上に固定される
限りに関する場合である。
【００２１】図６は真空ピツクアツプ上に吸い上げられ
た半導体ウエーハの自由な、第１表面がピツクアツプ面
に対して平行な第２研削工程においてどのように研削さ
れるかを示す。ピツクアツプ面１０は図において平らで
かつ水平のように示されるけれども、これは必ずしもそ
の場合でなくても良い。ピツクアツプ面はまた他の形状
を有し、例えば円錐状に形成されることができる。かか
る場合においては、ピツクアツプおよび研削工具の回転
軸線が適宜な方法において傾斜されねばならないためピ
ツクアツプ面に対して平行な第１ウエーハ表面を研削す
るのがより複雑なだけである。
た半導体ウエーハの自由な、第１表面がピツクアツプ面
に対して平行な第２研削工程においてどのように研削さ
れるかを示す。ピツクアツプ面１０は図において平らで
かつ水平のように示されるけれども、これは必ずしもそ
の場合でなくても良い。ピツクアツプ面はまた他の形状
を有し、例えば円錐状に形成されることができる。かか
る場合においては、ピツクアツプおよび研削工具の回転
軸線が適宜な方法において傾斜されねばならないためピ
ツクアツプ面に対して平行な第１ウエーハ表面を研削す
るのがより複雑なだけである。
【００２２】半導体ウエーハが、図７に示されるよう
に、研削された後真空ピツクアツプから離れるならば、
半導体ウエーハはその応力を加えられない形状に跳ね返
る。その場合に、ウエーハ表面５，６は互いに平行のま
まである。半導体ウエーハは第１研削工程の結果として
第２ウエーハ表面の湾曲にしたがつて定義された方法に
おいて変形される。第２研削工程後結果として生じる半
導体ウエーハのワープは研削工具およびピツクアツプの
回転軸線の傾斜位置によつて第１研削工程において定義
された方法で調整され得る。
に、研削された後真空ピツクアツプから離れるならば、
半導体ウエーハはその応力を加えられない形状に跳ね返
る。その場合に、ウエーハ表面５，６は互いに平行のま
まである。半導体ウエーハは第１研削工程の結果として
第２ウエーハ表面の湾曲にしたがつて定義された方法に
おいて変形される。第２研削工程後結果として生じる半
導体ウエーハのワープは研削工具およびピツクアツプの
回転軸線の傾斜位置によつて第１研削工程において定義
された方法で調整され得る。
【００２３】半導体ウエーハの変形は結晶構造に関連し
て印され、その結果半導体ウエーハは、設定された変形
が方法において損なわれることなしに、ラツピング、エ
ツチングまたは研磨のごとき標準製造方法を使用してさ
らに処理され得る。
て印され、その結果半導体ウエーハは、設定された変形
が方法において損なわれることなしに、ラツピング、エ
ツチングまたは研磨のごとき標準製造方法を使用してさ
らに処理され得る。
【００２４】開示された方法はそのワープが１側のウエ
ーハ処理において基体されるようなウエーハ変形を補償
するように選択される表面研削半導体ウエーハを好都合
に製造し、その結果かかる処理後、平面平行表面を有す
る半導体ウエーハが設けられる。
ーハ処理において基体されるようなウエーハ変形を補償
するように選択される表面研削半導体ウエーハを好都合
に製造し、その結果かかる処理後、平面平行表面を有す
る半導体ウエーハが設けられる。
【００２５】本発明を実施例に関連して以下に説明す
る。合計１８個の半導体ウエーハが環状鋸によつて棒状
シリコン単一結晶から切断される。棒の端面は各鋸引き
作業前に表面研削される。製造された半導体ウエーハは
直径２００ｍｍおよび厚さ７６０μｍを有した。これら
の６個の半導体ウエーハのグループが本発明による方法
により２５μｍ，４５μｍｍおよび７５μｍの定義され
たワープを各々備えることができた。第１研削工程にお
ける回転表面研削の間中、半導体ウエーハは結晶の端面
研削の間中表面研削されたそれらの表面によつて真空ピ
ツクアツプ上に載置した。回転軸線の傾斜角度は研削さ
れた半導体ウエーハが所定のワープに対応するＴＴＶ値
を有するように選ばれた。ドーム形状およびドーム高さ
は誘導差測定プローブによりチエツクされた。この方法
において研削されたウエーハは次いで逆にされそしてピ
ツクアツプに向かい合うウエーハ表面がピツクアツプ表
面と完全に接触するように真空ピツクアツプ上に吸引さ
れた。第２研削工程において、回転研削工具の回転軸線
は半導体ウエーハがピツクアツプ面に対して平行に研削
されるように整列された。十分に研削された半導体ウエ
ーハは研削処理の結果として副表面損傷を除去するため
にウエーハ表面から均一に材料を除去する標準エツチン
グ処理を受けた。最後に、これらのウエーハのＴＴＶ値
はウエーハの並行の測定としてかつワープはウエーハの
変形の測定として決定された。ワープは商業用ワープ測
定機器を使用する区域被覆方法において測定された。表
に掲記された測定結果から、第１研削工程において設定
されたＴＴＶ値が十分に研削された半導体ウエーハのワ
ープと良好に相関しかつ所定のワープから最小範囲での
み変化することが推定され得る。さらに、作られた半導
体ウエーハの表面は結局平行である。
る。合計１８個の半導体ウエーハが環状鋸によつて棒状
シリコン単一結晶から切断される。棒の端面は各鋸引き
作業前に表面研削される。製造された半導体ウエーハは
直径２００ｍｍおよび厚さ７６０μｍを有した。これら
の６個の半導体ウエーハのグループが本発明による方法
により２５μｍ，４５μｍｍおよび７５μｍの定義され
たワープを各々備えることができた。第１研削工程にお
ける回転表面研削の間中、半導体ウエーハは結晶の端面
研削の間中表面研削されたそれらの表面によつて真空ピ
ツクアツプ上に載置した。回転軸線の傾斜角度は研削さ
れた半導体ウエーハが所定のワープに対応するＴＴＶ値
を有するように選ばれた。ドーム形状およびドーム高さ
は誘導差測定プローブによりチエツクされた。この方法
において研削されたウエーハは次いで逆にされそしてピ
ツクアツプに向かい合うウエーハ表面がピツクアツプ表
面と完全に接触するように真空ピツクアツプ上に吸引さ
れた。第２研削工程において、回転研削工具の回転軸線
は半導体ウエーハがピツクアツプ面に対して平行に研削
されるように整列された。十分に研削された半導体ウエ
ーハは研削処理の結果として副表面損傷を除去するため
にウエーハ表面から均一に材料を除去する標準エツチン
グ処理を受けた。最後に、これらのウエーハのＴＴＶ値
はウエーハの並行の測定としてかつワープはウエーハの
変形の測定として決定された。ワープは商業用ワープ測
定機器を使用する区域被覆方法において測定された。表
に掲記された測定結果から、第１研削工程において設定
されたＴＴＶ値が十分に研削された半導体ウエーハのワ
ープと良好に相関しかつ所定のワープから最小範囲での
み変化することが推定され得る。さらに、作られた半導
体ウエーハの表面は結局平行である。
【００２６】 表 ウエーハ番号 ＴＴＶ１ ＴＴＶ２ ワープ２ １ ７４ ２．４ ７２．５ ２ ７６ ２．７ ７０．４ ３ ７４ ２．８ ７１．７ ４ ７４ ４．９ ７１．５ ５ ７４ ３．１ ７２．７ ６ ７９ ３．３ ７３．２ ７ ４７ ２．７ ４６．８ ８ ４８ ２．８ ４５．６ ９ ４７ ２．３ ４４．４ １０ ４７ ２．９ ４４．１ １１ ４７ ２．４ ４４．７ １２ ４６ ３．２ ４３．０ １３ ２６ ２．３ ２４．４ １４ ２７ ２．４ ２５．６ １５ ２５ １．９ ２４．８ １６ ２７ ２．１ ２５．７ １７ ２６ ２．６ ２４．０ １８ ２７ ２．８ ２４．９
【００２７】ＴＴＶ１：第１研削工程後のＴＴＶ値、μ
ｍ ＴＴＶ２：第２研削工程後のＴＴＶ値およびエツチン
グ、μｍ ワープ２：第２研削工程およびエツチング処理後のワー
プ、μｍ
ｍ ＴＴＶ２：第２研削工程後のＴＴＶ値およびエツチン
グ、μｍ ワープ２：第２研削工程およびエツチング処理後のワー
プ、μｍ
【００２８】以下、本発明の好適な実施態様を例示す
る。 １． 前記半導体ウエーハがウエーハ表面の回転対称の
曲率および反対のウエーハ表面の平行伸張の結果として
変形されることを特徴とする請求項１に記載の半導体ウ
エーハ。
る。 １． 前記半導体ウエーハがウエーハ表面の回転対称の
曲率および反対のウエーハ表面の平行伸張の結果として
変形されることを特徴とする請求項１に記載の半導体ウ
エーハ。
【００２９】２． 前記ウエーハ表面の前記回転対称曲
率が凹状、凸状または円錐であることを特徴とする前項
１に記載の半導体ウエーハ。
率が凹状、凸状または円錐であることを特徴とする前項
１に記載の半導体ウエーハ。
【００３０】３． 前記半導体ウエーハが端面で表面研
削された半導体ウエーハから切断しかつ結果として生じ
る半導体ウエーハが前記半導体ウエーハの第１表面であ
ることを特徴とする請求項２に記載の半導体製造方法。
削された半導体ウエーハから切断しかつ結果として生じ
る半導体ウエーハが前記半導体ウエーハの第１表面であ
ることを特徴とする請求項２に記載の半導体製造方法。
【００３１】
【発明の効果】叙上のごとく、本発明は定義された方法
において研削された変形（定義された方法において研削
されたワープ）を有する構成としたので、回転対称方法
において屈曲されかつ互いに平行にのびるウエーハ表面
を有する半導体ウエーハを提供することができる。
において研削された変形（定義された方法において研削
されたワープ）を有する構成としたので、回転対称方法
において屈曲されかつ互いに平行にのびるウエーハ表面
を有する半導体ウエーハを提供することができる。
【図１】結晶棒の端面表面研削および半導体ウエーハの
切断を示す断面図である。
切断を示す断面図である。
【図２】第１表面研削表面によつてウエーハピツクアツ
プ上への半導体ウエーハの固定を示す説明図である。
プ上への半導体ウエーハの固定を示す説明図である。
【図３】ウエーハピツクアツプの回転軸線に対して傾斜
される研削工具の回転軸線との半導体ウエーハの研削を
示す説明図である。
される研削工具の回転軸線との半導体ウエーハの研削を
示す説明図である。
【図４】第２表面によるウエーハピツクアツプ上への半
導体ウエーハの配置を示す説明図である。
導体ウエーハの配置を示す説明図である。
【図５】半導体ウエーハのウエーハピツクアツプ上への
固定を示す説明図である。
固定を示す説明図である。
【図６】ウエーハピツクアツプのピツクアツプ表面に対
して平行なウエーハ表面の研削を示す説明図である。
して平行なウエーハ表面の研削を示す説明図である。
【図７】ピツクアツプからの半導体ウエーハの除去を示
す説明図である。
す説明図である。
１ 棒状半導体結晶 ２ 端面 ４ 半導体ウエーハ ５ 表面研削された第１表面 ６ 第２表面 ７ ウエーハピツクアツプ ８ 研削工具の回転軸線 ９ ピツクアツプの回転軸線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 アントン・フーバー ドイツ連邦共和国 ブルクハウゼン、ブル クスタイク 31 (72)発明者 カルル−ハインツ・ラングスドルフ ドイツ連邦共和国 ブルクハウゼン、ロベ ルト−コハ−シュトラーセ 183
Claims (2)
- 【請求項１】 定義された方法において研削された変形
（定義された方法において研削されたワープ）を有する
ことを特徴とする半導体ウエーハ。 - 【請求項２】 前記棒状半導体結晶の端面から切断され
る半導体ウエーハから定義された方法において研削され
た変形（定義された方法において研削されたワープ）を
備えた半導体ウエーハを製造するための半導体ウエーハ
製造方法において、 ａ）前記半導体ウエーハをウエーハピツクアツプ上にそ
の第１表面によつて固定しかつ第１研削工程において前
記半導体ウエーハの反対の第２表面を研削し、前記研削
工具および前記ウエーハピツクアツプが研削の間中回転
しかつ前記研削工具の回転軸線が前記ウエーハピツクア
ツプの回転軸線に対して１または２つの空間方向に傾斜
され、そして ｂ）第２研削工程においてウエーハピツクアツプのピツ
クアツプ面に対して平行な前記半導体ウエーハの前記第
１面を研削し、前記半導体ウエーハの第１表面全体が前
記研削の間中前記ウエーハピツクアツプに対して正接し
て接合されることからなることを特徴とする半導体ウエ
ーハ製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4224395A DE4224395A1 (de) | 1992-07-23 | 1992-07-23 | Halbleiterscheiben mit definiert geschliffener Verformung und Verfahren zu ihrer Herstellung |
| DE42-24-395-5 | 1992-07-23 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06260459A true JPH06260459A (ja) | 1994-09-16 |
| JP2582030B2 JP2582030B2 (ja) | 1997-02-19 |
Family
ID=6463959
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5156334A Expired - Lifetime JP2582030B2 (ja) | 1992-07-23 | 1993-06-03 | 半導体ウエーハの製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5400548A (ja) |
| EP (1) | EP0580162B1 (ja) |
| JP (1) | JP2582030B2 (ja) |
| KR (1) | KR970009861B1 (ja) |
| DE (2) | DE4224395A1 (ja) |
Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
| JP2018207097A (ja) * | 2017-06-02 | 2018-12-27 | 信越化学工業株式会社 | 半導体用基板およびその製造方法 |
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| US5821166A (en) * | 1996-12-12 | 1998-10-13 | Komatsu Electronic Metals Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor wafers |
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| DE102008026784A1 (de) | 2008-06-04 | 2009-12-10 | Siltronic Ag | Epitaxierte Siliciumscheibe mit <110>-Kristallorientierung und Verfahren zu ihrer Herstellung |
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