JPH062587B2 - ペロブスカイト及びその固溶体の原料粉末の製造方法 - Google Patents
ペロブスカイト及びその固溶体の原料粉末の製造方法Info
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- JPH062587B2 JPH062587B2 JP60219528A JP21952885A JPH062587B2 JP H062587 B2 JPH062587 B2 JP H062587B2 JP 60219528 A JP60219528 A JP 60219528A JP 21952885 A JP21952885 A JP 21952885A JP H062587 B2 JPH062587 B2 JP H062587B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、多重湿式法による易焼結性ペロブスカイト及
びその固溶体の原料粉末の製造方法に関し、特に半導体
の誤動作を低減させるための原料粉末で、例えば半導体
装置の封着剤として好適な低融点ガラス用フィラーとし
て利用出来るペロブスカイト及びその固溶体の原料粉末
の製造方法に関するものである。
びその固溶体の原料粉末の製造方法に関し、特に半導体
の誤動作を低減させるための原料粉末で、例えば半導体
装置の封着剤として好適な低融点ガラス用フィラーとし
て利用出来るペロブスカイト及びその固溶体の原料粉末
の製造方法に関するものである。
〈従来の技術〉 ペロブスカイトとその固溶体は圧電体、オプトエレクト
ロニクス材、誘電体、半導体、センサー等の機能性セラ
ミックスとして広く利用されている。
ロニクス材、誘電体、半導体、センサー等の機能性セラ
ミックスとして広く利用されている。
ところで、ペロブスカイトとその固溶体（以下両者を単
にペロブスカイトという）の原料粉末の製造方法として
乾式法と湿式法が知られている。
にペロブスカイトという）の原料粉末の製造方法として
乾式法と湿式法が知られている。
乾式法は構成原料成分の化合物を乾式で混合し、これを
仮焼する方法である。一方、湿式法は構成原料成分のす
べての混合溶液を作り、これを沈澱形成液に添加して共
沈させ、この共沈物を乾燥、仮焼させる方法（以下共沈
法という）である。
仮焼する方法である。一方、湿式法は構成原料成分のす
べての混合溶液を作り、これを沈澱形成液に添加して共
沈させ、この共沈物を乾燥、仮焼させる方法（以下共沈
法という）である。
また半導体は時として誤動作を起すことが知られてお
り、例えば半導体装置の気密封着用の封着剤として低融
点ガラスが使用されているが、該ガラス使用した半導体
装置は、半導体メモリーが一過性の誤動作を起こす現象
があり、その原因として半導体装置から発生する放射性
α粒子が指摘され，このようなα粒子の半導体装置への
侵入防止につき種々検討がなされてきた。例えば特開昭
５９−１６９９５５号には、メモリーエラー発生を低減
させるため、非失透性の低融点ガラス粉末として放射性
同位元素の含有量を２０ppb未満とし、放射性α粒子の
カウント数を0.1CPH/cm2以下としている。
り、例えば半導体装置の気密封着用の封着剤として低融
点ガラスが使用されているが、該ガラス使用した半導体
装置は、半導体メモリーが一過性の誤動作を起こす現象
があり、その原因として半導体装置から発生する放射性
α粒子が指摘され，このようなα粒子の半導体装置への
侵入防止につき種々検討がなされてきた。例えば特開昭
５９−１６９９５５号には、メモリーエラー発生を低減
させるため、非失透性の低融点ガラス粉末として放射性
同位元素の含有量を２０ppb未満とし、放射性α粒子の
カウント数を0.1CPH/cm2以下としている。
〈発明が解決しようとする問題点〉 前述の通りペロブスカイト原料粉末の製造方法として乾
式法と共沈法とが知られているが、前者は均一組成の原
料粉末が得難く、また焼結性も十分でないという欠点が
あった。また後者は均一性の優れた原料粉末が得られる
ものの、粒子同志が凝固して二次粒子を形成し、易焼結
性になり難いという欠点があり、さらに沈澱形成液の濃
度が一定であるため、各成分の沈澱形成能の相違により
所望組成の原料粉末となし難いという欠点もあった。
式法と共沈法とが知られているが、前者は均一組成の原
料粉末が得難く、また焼結性も十分でないという欠点が
あった。また後者は均一性の優れた原料粉末が得られる
ものの、粒子同志が凝固して二次粒子を形成し、易焼結
性になり難いという欠点があり、さらに沈澱形成液の濃
度が一定であるため、各成分の沈澱形成能の相違により
所望組成の原料粉末となし難いという欠点もあった。
また前述の通り半導体装置の封着剤として、非失透性の
低融点ガラス粉末とフィラーとからなる低融点ガラスに
おいて、従来放射性同位元素による悪影響を防止するた
め非失透性の低融点ガラス粉末につき放射性α粒子のカ
ウント数を0.1CPH/cm2以下にする方法は開発されていた
が、フィラーについては全く検討されておらず、半導体
装置のメモリーエラー発生を完全には防止することが出
来なかった。
低融点ガラス粉末とフィラーとからなる低融点ガラスに
おいて、従来放射性同位元素による悪影響を防止するた
め非失透性の低融点ガラス粉末につき放射性α粒子のカ
ウント数を0.1CPH/cm2以下にする方法は開発されていた
が、フィラーについては全く検討されておらず、半導体
装置のメモリーエラー発生を完全には防止することが出
来なかった。
本発明は、このような現状に鑑みなされたもので、前記
従来技術の欠点を解消した、易焼結性、均一性、高嵩密
度、低コストの四つの要件を満足したペロブスカイト原
料粉末の製造方法を提供するものである。本発明は、特
に半導体あるいは、その装置に適用される原料粉末、例
えば半導体装置の封着用として好適な低融点ガラス用フ
ィラーとして利用出来るペロブスカイト原料粉末の製造
に適するものである。
従来技術の欠点を解消した、易焼結性、均一性、高嵩密
度、低コストの四つの要件を満足したペロブスカイト原
料粉末の製造方法を提供するものである。本発明は、特
に半導体あるいは、その装置に適用される原料粉末、例
えば半導体装置の封着用として好適な低融点ガラス用フ
ィラーとして利用出来るペロブスカイト原料粉末の製造
に適するものである。
〈問題点を解決するための手段〉 すなわち、本発明は、 一般式ＡＢＯ３ （ただし、Ａは酸素１２配位金属元素の１種または２種
以上、Ｂは酸素６配位金属元素の１種または２種以上を
表わす） で示されるペロブスカイト及びその固溶体の原料粉末の
製造方法において、 Ａ成分化合物を遊離硝酸濃度が５〜１０mol濃度になる
ように硝酸に溶解し、次いで陰イオン交換樹脂にて浄液
処理したＡ成分化合物の水溶液またはアルコール溶液と
沈澱形成液とにより沈澱を生成し、次いでＢ成分化合物
の水溶液またはアルコール溶液を添加して沈澱を生成さ
せるか、あるいはＡ成分とＢ成分の沈澱の生成を前記と
順序を代えて沈澱を生成させ、得られた沈澱物を乾燥
後、４００〜１２００℃で仮焼することを特徴とする、
放射性α粒子のカウント数が0.1CPH/cm2以下のペロブス
カイト及びその固溶体の原料粉末の製造方法に関するも
のである。
以上、Ｂは酸素６配位金属元素の１種または２種以上を
表わす） で示されるペロブスカイト及びその固溶体の原料粉末の
製造方法において、 Ａ成分化合物を遊離硝酸濃度が５〜１０mol濃度になる
ように硝酸に溶解し、次いで陰イオン交換樹脂にて浄液
処理したＡ成分化合物の水溶液またはアルコール溶液と
沈澱形成液とにより沈澱を生成し、次いでＢ成分化合物
の水溶液またはアルコール溶液を添加して沈澱を生成さ
せるか、あるいはＡ成分とＢ成分の沈澱の生成を前記と
順序を代えて沈澱を生成させ、得られた沈澱物を乾燥
後、４００〜１２００℃で仮焼することを特徴とする、
放射性α粒子のカウント数が0.1CPH/cm2以下のペロブス
カイト及びその固溶体の原料粉末の製造方法に関するも
のである。
本発明において前記一般式のＡ成分である酸素１２配位
金属元素としては、例えばPb、Ba、Ca、Sr及びLa等の希
土類元素が挙げられる。またＢ成分である酸素６配位金
属元素としては、例えばTi、Zr、Mg、Sc、Hf、W、Nb、T
a、Cr、Mo、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Cd、Al、Sn、As、Bi
等が挙げられる。
金属元素としては、例えばPb、Ba、Ca、Sr及びLa等の希
土類元素が挙げられる。またＢ成分である酸素６配位金
属元素としては、例えばTi、Zr、Mg、Sc、Hf、W、Nb、T
a、Cr、Mo、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Cd、Al、Sn、As、Bi
等が挙げられる。
ペロブスカイトの構成成分であるＡ成分及びＢ成分の化
合物の水またはアルコール溶液を作製するための化合物
としては、前記Ａ成分、Ｂ成分の酸化物、水酸化物、炭
酸塩、硝酸塩、酢酸塩、蟻酸塩、蓚酸塩、金属等が挙げ
られるが、これらに限定されるものではない。このよう
な可溶性化合物は別に水溶液あるいはアルコール溶液と
する。
合物の水またはアルコール溶液を作製するための化合物
としては、前記Ａ成分、Ｂ成分の酸化物、水酸化物、炭
酸塩、硝酸塩、酢酸塩、蟻酸塩、蓚酸塩、金属等が挙げ
られるが、これらに限定されるものではない。このよう
な可溶性化合物は別に水溶液あるいはアルコール溶液と
する。
特に本発明においては、得られるペロブスカイト原料粉
末中のＵ、Th等の放射性同位元素から発生する、放射性
α粒子のカウント数を0.1CPH/cm2以下にするために、不
可避不純物としての放射性同位元素を含むＡ成分または
Ａ成分とＢ成分の化合物を、高純度の濃硝酸にて溶解
し、Ｕ、Th等の放射性同位元素を錯陰イオンとし、純水
あるいはアルコールにて遊離硝酸濃度を５〜１０mol濃
度に調整し（この濃度範囲で放射性同位元素の吸着効率
が良好となる）、しかる後に陰イオン交換樹脂にて浄液
処理し放射性同位元素であるＵ、Th等を吸着除去した水
溶液あるいはアルコール溶液を使用する。
末中のＵ、Th等の放射性同位元素から発生する、放射性
α粒子のカウント数を0.1CPH/cm2以下にするために、不
可避不純物としての放射性同位元素を含むＡ成分または
Ａ成分とＢ成分の化合物を、高純度の濃硝酸にて溶解
し、Ｕ、Th等の放射性同位元素を錯陰イオンとし、純水
あるいはアルコールにて遊離硝酸濃度を５〜１０mol濃
度に調整し（この濃度範囲で放射性同位元素の吸着効率
が良好となる）、しかる後に陰イオン交換樹脂にて浄液
処理し放射性同位元素であるＵ、Th等を吸着除去した水
溶液あるいはアルコール溶液を使用する。
また四塩化チタンの如きものは蒸留精製を行なったもの
を水溶液またはアルコール溶液としてもよい。
を水溶液またはアルコール溶液としてもよい。
本発明において沈澱形成液としては、アンモニア、炭酸
アンモニウム、苛性アルカリ、蓚酸、蓚酸アンモニウム
あるいはアミン類等の水溶液もしくはアルコール溶液が
挙げられる。
アンモニウム、苛性アルカリ、蓚酸、蓚酸アンモニウム
あるいはアミン類等の水溶液もしくはアルコール溶液が
挙げられる。
ペロブスカイトの構成成分の沈澱を生成するには、沈澱
形成液を攪拌しながら、構成成分の水溶液またはアルコ
ール溶液を添加してもよく、またその反対に沈澱形成液
を構成成分の溶液に添加してもよい。また沈澱の生成に
際し、例えばＡ成分の沈澱を生成した後、以降の工程を
妨害する陰イオンを除去するために濾過をし、沈澱物を
新しい水あるいはアルコール中に分散し、沈澱形成液を
添加した後、Ｂ成分化合物の水溶液またはアルコール溶
液を添加して沈澱を生成させてもよい。
形成液を攪拌しながら、構成成分の水溶液またはアルコ
ール溶液を添加してもよく、またその反対に沈澱形成液
を構成成分の溶液に添加してもよい。また沈澱の生成に
際し、例えばＡ成分の沈澱を生成した後、以降の工程を
妨害する陰イオンを除去するために濾過をし、沈澱物を
新しい水あるいはアルコール中に分散し、沈澱形成液を
添加した後、Ｂ成分化合物の水溶液またはアルコール溶
液を添加して沈澱を生成させてもよい。
さらにまたＡ成分の沈澱を生成後、沈澱形成液の種類、
濃度等を適宜選択調節してＢ成分の沈澱を生成させても
よい。
濃度等を適宜選択調節してＢ成分の沈澱を生成させても
よい。
またＡ成分、Ｂ成分のほか、ペロブスカイトの焼結性や
その他特性を制御するための微量成分を添加する場合
は、Ａ成分、Ｂ成分の溶液を調製する際、添加させても
よい。
その他特性を制御するための微量成分を添加する場合
は、Ａ成分、Ｂ成分の溶液を調製する際、添加させても
よい。
またＡ成分及びＢ成分の沈澱の生成を必要に応じ、多段
にしてもよく、さらに交互に沈澱させてもよい。
にしてもよく、さらに交互に沈澱させてもよい。
このように沈澱を形成させることによって全成分を含ん
だ均密な沈澱が得られる。
だ均密な沈澱が得られる。
かくして得られた沈澱物は必要に応じアルコール等で洗
浄した後、乾燥し、次いで４００〜１２００℃で仮焼す
る。
浄した後、乾燥し、次いで４００〜１２００℃で仮焼す
る。
なお、仮焼温度が４００℃未満では均密沈澱の脱水、熱
分解が不完全であり、逆に１２００℃を超えると粉末が
粗大化して焼結性が悪くなるのでいずれも好ましくな
い。
分解が不完全であり、逆に１２００℃を超えると粉末が
粗大化して焼結性が悪くなるのでいずれも好ましくな
い。
本発明は以上の通りにしてペロブスカイトの原料粉末を
製造するのであるが、本発明によれば放射性α粒子のカ
ウント数が0.1CPH/cm2以下の原料粉末が得られるので、
かかるペロブスカイトの原料粉末は、半導体あるいはそ
の装置に適用出来、例えば半導体装置の封着用の封着剤
として使用される低融点ガラスのフィラーとして好適に
利用出来る。特に、Ａ成分としてPb、Ｂ成分としてTiを
使用したチタン酸鉛は低膨張性であるので前記フィラー
として好適である。
製造するのであるが、本発明によれば放射性α粒子のカ
ウント数が0.1CPH/cm2以下の原料粉末が得られるので、
かかるペロブスカイトの原料粉末は、半導体あるいはそ
の装置に適用出来、例えば半導体装置の封着用の封着剤
として使用される低融点ガラスのフィラーとして好適に
利用出来る。特に、Ａ成分としてPb、Ｂ成分としてTiを
使用したチタン酸鉛は低膨張性であるので前記フィラー
として好適である。
〈発明の効果〉 本発明の方法により、従来法の如く全成分を共沈させ
ず、遂次に沈澱を生成させるため、二相以上の相が高度
に相互分散した状態の沈澱物が得られる結果、二次凝固
を起し難く、高嵩密度の易焼結性の粉末を得ることが出
来る。
ず、遂次に沈澱を生成させるため、二相以上の相が高度
に相互分散した状態の沈澱物が得られる結果、二次凝固
を起し難く、高嵩密度の易焼結性の粉末を得ることが出
来る。
また、ガラス用フィラーとして好適に利用出来る鉛とチ
タンを含むペロブスカイトの製造に際しても、共沈法で
は安価な四塩化チタンを使用するとその塩素イオンが鉛
イオンと反応し白色沈澱を生成するためチタン化合物と
して高価なオキシ硝酸チタンを使用する必要があった
が、本発明の方法では両イオンの沈澱形成を別々の段階
で行なうので前記共沈法の如き問題点が解消され、それ
故安価で、かつ蒸留によってＵ、Th等を簡単に除去精製
出来る四塩化チタンを使用出来る本発明の方法は至大な
工業的意義をもつものである。
タンを含むペロブスカイトの製造に際しても、共沈法で
は安価な四塩化チタンを使用するとその塩素イオンが鉛
イオンと反応し白色沈澱を生成するためチタン化合物と
して高価なオキシ硝酸チタンを使用する必要があった
が、本発明の方法では両イオンの沈澱形成を別々の段階
で行なうので前記共沈法の如き問題点が解消され、それ
故安価で、かつ蒸留によってＵ、Th等を簡単に除去精製
出来る四塩化チタンを使用出来る本発明の方法は至大な
工業的意義をもつものである。
さらに本発明によれば放射性α粒子のカウント数が0.1C
PH/cm2以下のペロブスカイト原料粉末が得られ、かかる
原料粉末は半導体装置の封着剤成分に好適に利用出来、
さらにその他放射性α粒子のカウント数が大きい時、障
害が生ずるような装置、材料等にも好適に適用出来る。
PH/cm2以下のペロブスカイト原料粉末が得られ、かかる
原料粉末は半導体装置の封着剤成分に好適に利用出来、
さらにその他放射性α粒子のカウント数が大きい時、障
害が生ずるような装置、材料等にも好適に適用出来る。
以下、本発明を実施例により、さらに詳細に説明する。
実施例 試薬特級（PbO９9.９％以上）の一酸化鉛２2.３１ｇを
試薬特級の硝酸７５mlに溶解し、純水７５mlを加えて硝
酸鉛水溶液（遊離硝酸濃度６．３mol）とした。この水
溶液を陰イオン交換樹脂を充填した塔に通過させて、
Ｕ、Th等を吸着除去せしめた後攪拌しながら４Ｎアンモ
ニア水１中に滴下して水酸化鉛の沈澱物を形成させ
た。
試薬特級の硝酸７５mlに溶解し、純水７５mlを加えて硝
酸鉛水溶液（遊離硝酸濃度６．３mol）とした。この水
溶液を陰イオン交換樹脂を充填した塔に通過させて、
Ｕ、Th等を吸着除去せしめた後攪拌しながら４Ｎアンモ
ニア水１中に滴下して水酸化鉛の沈澱物を形成させ
た。
さらに攪拌を続けながら、試薬一級の四塩化チタン（純
度９9.９５％以上、比重1.７２〜1.７６）の蒸留精製物
１8.９７ｇを純水に溶解した水溶液１００mlを滴下し
て、鉛、チタンの水酸化物の均密沈澱を形成させた。
度９9.９５％以上、比重1.７２〜1.７６）の蒸留精製物
１8.９７ｇを純水に溶解した水溶液１００mlを滴下し
て、鉛、チタンの水酸化物の均密沈澱を形成させた。
得られた沈澱物を水洗、乾燥させた後、850℃で２時間
仮焼してPbTiO3粉末を得た。この粉末をボールミルで粉
砕した。
仮焼してPbTiO3粉末を得た。この粉末をボールミルで粉
砕した。
この粉末の放射性α粒子のカウント数をα線測定器によ
り測定した結果、0.０６CPH/cm2以下であった。
り測定した結果、0.０６CPH/cm2以下であった。
またこの粉末を走査型電子顕微鏡により観察した結果、
約0.２５μの均一粒径を有し、Ｘ線回析法によるβcos
θ〜sinθ（ただしβは回析線の半価幅、θはブラック
角を表わす）の関係をブロットした結果、横軸（sinθ
軸）に平行で組成変動を含まない均一組成のものである
ことが確認された。
約0.２５μの均一粒径を有し、Ｘ線回析法によるβcos
θ〜sinθ（ただしβは回析線の半価幅、θはブラック
角を表わす）の関係をブロットした結果、横軸（sinθ
軸）に平行で組成変動を含まない均一組成のものである
ことが確認された。
この粉末を１ｔ／cm2で成型し、１２２０℃で鉛雰囲気
下で２時間焼結した結果、その密度は6.91で殆んど理論
密度に近かった。
下で２時間焼結した結果、その密度は6.91で殆んど理論
密度に近かった。
比較例 市販の試薬特級の一酸化鉛(PbO)と酸化チタン(TiO2)の
粉末をPbTiO3の組成になるように配合し、ボールミルで
混合後、９５０℃で２時間仮焼し、再びボールミルで粉
砕した。
粉末をPbTiO3の組成になるように配合し、ボールミルで
混合後、９５０℃で２時間仮焼し、再びボールミルで粉
砕した。
得られた粉末につき放射性α粒子のカウント数を測定し
た結果3.８５CPH/cm2であった。
た結果3.８５CPH/cm2であった。
また、この粉末をＸ線回析法によるβcosθ〜sinθの関
係をブロットした結果組成変動が認められた。
係をブロットした結果組成変動が認められた。
この粉末を１ｔ／cm2で成型し、１２５０℃で鉛雰囲気
下で２時間焼結した結果、その密度は5.５であり、理論
密度と大きく相違しており、最密充填構造となっていな
かった。
下で２時間焼結した結果、その密度は5.５であり、理論
密度と大きく相違しており、最密充填構造となっていな
かった。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−3004（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−36023（ＪＰ，Ａ)
Claims (5)
- 【請求項１】一般式ＡＢＯ３ （ただし、Ａは酸素１２配位金属元素の１種または２種
以上、Ｂは酸素６配位金属元素の１種または２種以上を
表わす） で示されるペロブスカイト及びその固溶体の原料粉末の
製造方法において、 Ａ成分化合物を遊離硝酸濃度が５〜10mol濃度になるよ
うに硝酸に溶解し、次いで陰イオン交換樹脂にて浄液処
理した、Ａ成分化合物の水溶液またはアルコール溶液と
沈澱形成液とにより沈澱を生成し、次いでＢ成分化合物
の水溶液またはアルコール溶液を添加して沈澱を生成さ
せるか、あるいは、Ａ成分とＢ成分の沈澱の生成を前記
と順序を代えて沈澱を生成させ、得られた沈澱物を乾燥
後、４００〜１２００℃で仮焼することを特徴とする、
放射性α粒子のカウント数が0.1CPH/cm2以下のペロブス
カイト及びその固溶体の原料粉末の製造方法。 - 【請求項２】前記Ｂ成分化合物の水溶液またはアルコー
ル溶液が、Ｂ成分化合物を遊離硝酸濃度が５〜１０mol
濃度になるように硝酸に溶解し、次いで陰イオン交換樹
脂にて浄液処理をした水溶液またはアルコール溶液であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第(1)項記載のペロ
ブスカイト及びその固溶体の原料粉末の製造方法。 - 【請求項３】前記Ａ成分が鉛、Ｂ成分がチタンである特
許請求の範囲第(1)項記載のペロブスカイト及びその固
溶体の原料粉末の製造方法。 - 【請求項４】前記Ｂ成分化合物が四塩化チタンである特
許請求の範囲第(3)項記載のペロブスカイト及びその固
溶体の原料粉末の製造方法。 - 【請求項５】前記原料粉末が半導体装置封着用低融点ガ
ラス用のフィラーである特許請求の範囲第(1)項記載の
ペロブスカイト及びその固溶体の原料粉末の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60219528A JPH062587B2 (ja) | 1985-10-02 | 1985-10-02 | ペロブスカイト及びその固溶体の原料粉末の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60219528A JPH062587B2 (ja) | 1985-10-02 | 1985-10-02 | ペロブスカイト及びその固溶体の原料粉末の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6278107A JPS6278107A (ja) | 1987-04-10 |
| JPH062587B2 true JPH062587B2 (ja) | 1994-01-12 |
Family
ID=16736890
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60219528A Expired - Lifetime JPH062587B2 (ja) | 1985-10-02 | 1985-10-02 | ペロブスカイト及びその固溶体の原料粉末の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH062587B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01252509A (ja) * | 1988-03-31 | 1989-10-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ペロブスカイト型構造を有する化合物の製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS623004A (ja) * | 1985-06-28 | 1987-01-09 | Ube Ind Ltd | 湿式法による易焼結性ペロブスカイト原料粉末の製造方法 |
| JPS6236023A (ja) * | 1985-08-06 | 1987-02-17 | Ube Ind Ltd | 易焼結性ペロブスカイトの仮焼粉末の製法 |
-
1985
- 1985-10-02 JP JP60219528A patent/JPH062587B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6278107A (ja) | 1987-04-10 |
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