JPH0625012Y2 - 半導体デバイスの位置検出装置 - Google Patents

半導体デバイスの位置検出装置

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JPH0625012Y2
JPH0625012Y2 JP6267288U JP6267288U JPH0625012Y2 JP H0625012 Y2 JPH0625012 Y2 JP H0625012Y2 JP 6267288 U JP6267288 U JP 6267288U JP 6267288 U JP6267288 U JP 6267288U JP H0625012 Y2 JPH0625012 Y2 JP H0625012Y2
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JP
Japan
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lead
semiconductor device
mold
tube
detection
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JP6267288U
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JPH01165642U (ja
Inventor
雅俊 小原
Original Assignee
鹿児島日本電気株式会社
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Publication date
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Description

【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案はアルミマガジン内に収容されたDIPタイプの
半導体デバイスの位置を検出する装置に関するものであ
る。
〔従来の技術〕
従来、この種の検出装置でチューブ内の位置検出を行う
DIPタイプの半導体デバイスは、半導体素子の気密封
止用モールド部と、モールド部から横向きに突き出た電
極用リード部とを有するものである。このDIPタイプ
の半導体デバイスのチューブ内での位置検出を行う検出
装置は第2図(イ),(ロ)に示すようにアルミチューブ1に
平行に移動する機構にリード検出センサ3を取り付け、
アルミチューブ1の開口部1aを通して半導体デバイス
2のリード部2aを検出してデバイスの位置を検出して
いた。
〔考案が解決しようとする課題〕
上述した従来の検出装置ではリード検出センサ3がアル
ミチューブ1の先端Aから後端Bに向って矢印C方向に
沿ってスキャンされ、第2図(ハ)に示すようなリード検
出パルス信号がリード検出用センサーから得られる。D
IPタイプの半導体デバイス2のリード数は一定(例え
ば4pin,8pin,16pin)のため、リード検出パルス数
をカウントすることによって個々のデバイスの位置を検
出することができる。
しかし、このような従来の検出装置では第2図(ニ)に示
すようにリードの表面状態例えば汚れ等によってリード
検出ミスMを起こした場合、検出位置ズレを起こすこと
になる。
ただし、半導体デバイスのリード数をN本とした場合、
検出ミス回数がN/2回の整数倍でないときはトータル
リードカウント数から計算でき、位置ズレ検出はできる
が、いずれにしても信頼性は低い。
本考案の目的は前記課題を解決した半導体デバイスの位
置検出装置を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
前記目的を達成するため、本考案に係る半導体デバイス
の位置検出装置は、リード検出センサーと、モールド検
出センサーと、位置ズレ検出部とを有し、チューブ内に
収容された半導体デバイスの位置を検出する半導体デバ
イスの位置検出装置であって、 半導体デバイスは、半導体素子の気密封止用モールド部
と、該モールド部から横向きに突き出た電極用リード部
とを有するDIPタイプのデバイスであり、 チューブは、半導体デバイスを列状に並べて、これらを
収容するものであり、半導体デバイスのモールド部及び
リード部を透視可能な開口部が半導体デバイスの並び方
向に沿って設けられ、 リード検出センサーは、半導体デバイスのリード部の本
数を検出するものであり、 モールド検出センサーは、半導体デバイスのモールド部
の長さを検出するものであり、 リード検出センサーとモールド検出センサーは、対をな
し、チューブの開口部を通して各半導体デバイス毎にリ
ード部とモールド部をそれぞれ並行して検出する位置に
配置され、かつチューブ内に列状に並べられた半導体デ
バイスに沿ってスキャンすることにより、列状の半導体
デバイスのリード部とモールド部を検出した検出信号を
連続的に出力するものであり、 位置ズレ検出部は、モールド検出センサーの連続的に出
力したモールド検出信号を積算することにより、チュー
ブ内に収容されている半導体デバイスの個数を割り出
し、一方、リード検出センサーの連続的に出力するリー
ド検出信号のパルス数をカウントしてそのトータルカウ
ント数から計算される半導体デバイスの個数と比較し、
リード検出センサーの検出ミスによる位置ズレを検出す
るものである。
〔実施例〕
第1図(イ),(ロ)において、本考案は、リード検出センサ
ー3と、モールド検出センサー4と、アルミチューブ1
内に収容された半導体デバイス2の位置ズレを検出する
位置ズレ検出部とを有している。
本考案の検出対象となる半導体デバイス2は、半導体素
子の気密封止用モールド部2bと、モールド部2bから
横向きに突き出た電極用リード部2aとを有するDIP
タイプのデバイスである。
また、アルミチューブ1は、半導体デバイス2を列状に
並べて、これらを収容するものであり、半導体デバイス
2のモールド部2b及びリード部2aを透視可能な開口
部1aが半導体デバイス2の並び方向に沿って設けられ
ている。
リード検出センサー3は、半導体デバイス2のリード部
2aの本数を検出するものであり、また、モールド検出
センサー4は、半導体デバイス2のモールド部2bの長
さを検出するものである。リード検出センサー3とモー
ルド検出センサー4は、対をなし、チューブ1の開口部
1aを通して各半導体デバイス2毎にリード部2aとモ
ールド部2bをそれぞれ並行して検出する位置に配置さ
れ、かつチューブ1内に列状に並べられた半導体デバイ
ス2に沿ってスキャンすることにより、列状の半導体デ
バイス2のリード部2aとモールド部2bを検出した検
出信号を連続的に出力するものである。
位置ズレ検出部は第1図(ハ)に示すように、半導体デ
バイス2のモールド部2bの長さが一定であることに着
目し、モールド検出センサー4の連続的に出力したモー
ルど検出信号を積算することにより、チューブ1内に収
容されている半導体デバイス2の個数を割り出し、一
方、リード検出センサー3の連続的に出力するリード検
出信号5のパルス数をカウントしてそのトータルカウン
ト数から計算される半導体デバイス2の個数と比較し、
リード検出センサー3の検出ミスによる位置ズレを検出
するものである。該両センサ3及び4は図示しない平行
移動機構にてアルミチューブ1の開口部1aを通してデ
バイス2に対向する位置に保持され、アルミチューブ1
の先端Aから後端Bに向けて矢印方向Cに沿ってスキャ
ンされる。
実施例において、リード検出センサ3とモールド検出セ
ンサ4は一体となってアルミチューブ1と平行に一定速
度で左から右へと移動させると、第1図(ハ)に示すよう
なリード検出信号5とモールド検出信号6が得られる。
半導体デバイス2のモールド部2bの長さは一定である
ため、モールド検出信号6のt,t,…tを積算
することにより、アルミチューブ1の中に入っている半
導体デバイス2の個数が計算できる。一方、リード検出
信号5のパルス数をカウントしてそのトータルカウント
数から計算される半導体デバイス2の個数と比較すれ
ば、リード検出センサ3の検出ミスによる位置ズレが検
知できる。
応用例としてレーザー捺印装置における利用を説明す
る。
通常、マガジン単位でレーザー捺印する装置ではリード
検出信号と同期してレーザー照射されるため、リード検
出ミスが発生すると、捺印位置ズレを起こす。
従来の位置検出ではこれまで説明したように位置ズレが
検出できないため、不良品を次工程を送り出してしまう
不具合がある。本考案を利用すれば、位置ズレを検出で
きるため、捺印工程内での不良品除去が可能となる。
応用としてはレーザー捺印に限らず、アルミチューブの
ままリード検出をして処理するような設備には全て適用
できる。
〔考案の効果〕
以上説明したように本考案はモールド検出センサとリー
ド部検出センサを利用することにより、リード検出ミス
による位置ズレをアルミチューブ単位で位置ズレ検出を
行うことができる効果を有する。
【図面の簡単な説明】
第1図(イ)はアルミチューブを示す正面図、第1図(ロ)は
本考案の一実施例を示す側面図、第1図(ハ)はリード検
出センサとモールド検出センサからの出力信号のタイミ
ング図、第2図(イ)はアルミチューブを示す正面図、第
2図(ロ)は従来例を示す側面図、第2図(ハ)はリード検出
パルスと半導体デバイスの位置関係を示す図、第2図
(ニ)はリード検出ミスが発生した場合の半導体デバイス
の位置関係を示す図である。 1…アルミチューブ、2…半導体デバイス 3…リード検出センサ 4…モールド検出センサ

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】リード検出センサーと、モールド検出セン
    サーと、位置ズレ検出部とを有し、チューブ内に収容さ
    れた半導体デバイスの位置を検出する半導体デバイスの
    位置検出装置であって、 半導体デバイスは、半導体素子の気密封止用モールド部
    と、該モールド部から横向きに突き出た電極用リード部
    とを有するDIPタイプのデバイスであり、 チューブは、半導体デバイスを列状に並べて、これらを
    収容するものであり、半導体デバイスのモールド部及び
    リード部を透視可能な開口部が半導体デバイスの並び方
    向に沿って設けられ、 リード検出センサーは、半導体デバイスのリード部の本
    数を検出するものであり、 モールド検出センサーは、半導体デバイスのモールド部
    の長さを検出するものであり、 リード検出センサーとモールド検出センサーは、対をな
    し、チューブの開口部を通して各半導体デバイス毎にリ
    ード部とモールド部をそれぞれ並行して検出する位置に
    配置され、かつチューブ内に列状に並べられた半導体デ
    バイスに沿ってスキャンすることにより、列状の半導体
    デバイスのリード部とモールド部を検出した検出信号を
    連続的に出力するものであり、 位置ズレ検出部は、モールド検出センサーの連続的に出
    力したモールド検出信号を積算することにより、チュー
    ブ内に収容されている半導体デバイスの個数を割り出
    し、一方、リード検出センサーの連続的に出力するリー
    ド検出信号のパルス数をカウントしてそのトータルカウ
    ント数から計算される半導体デバイスの個数と比較し、
    リード検出センサーの検出ミスによる位置ズレを検出す
    るものであることを特徴とする半導体デバイスの位置検
    出装置。
JP6267288U 1988-05-12 1988-05-12 半導体デバイスの位置検出装置 Expired - Lifetime JPH0625012Y2 (ja)

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JPH01165642U JPH01165642U (ja) 1989-11-20
JPH0625012Y2 true JPH0625012Y2 (ja) 1994-06-29

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