JPH06249912A - Ｍｉｓ型半導体装置の良否判別法 - Google Patents
Ｍｉｓ型半導体装置の良否判別法Info
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- JPH06249912A JPH06249912A JP6464193A JP6464193A JPH06249912A JP H06249912 A JPH06249912 A JP H06249912A JP 6464193 A JP6464193 A JP 6464193A JP 6464193 A JP6464193 A JP 6464193A JP H06249912 A JPH06249912 A JP H06249912A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＭＩＳ型半導体装置の電源電流を、入力端子
に所定の電圧を印加させ且つ出力端子を開放させている
状態で測定し、その電源電流にもとずき、上記ＭＩＳ型
半導体装置の良否を判別するにつき、その判別を明確且
つ容易に行い得るようにする。 【構成】 上記電源電流の測定を、上記ＭＩＳ型半導体
装置に常温よりも低い温度を与えている状態で行う。
に所定の電圧を印加させ且つ出力端子を開放させている
状態で測定し、その電源電流にもとずき、上記ＭＩＳ型
半導体装置の良否を判別するにつき、その判別を明確且
つ容易に行い得るようにする。 【構成】 上記電源電流の測定を、上記ＭＩＳ型半導体
装置に常温よりも低い温度を与えている状態で行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＭＩＳ型半導体装置の
良否判別法に関する。
良否判別法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＭＩＳ型半導体装置の電源電流を
入力端子に所定の電圧を印加させ且つ出力端子を開放さ
せている状態で測定した場合、その電源電流がＭＩＳ型
半導体装置の良否に応じて異なる値をとることを利用し
て、ＭＩＳ型半導体装置の電源電流を、入力端子に所定
の電圧を印加させ且つ出力端子を開放させている状態で
且つＭＩＳ型半導体装置に室温を与えている状態で測定
し、その電源電流にもとずき、ＭＩＳ型半導体装置の良
否を判別する、というＭＩＳ型半導体装置の良否判別法
が提案されている。
入力端子に所定の電圧を印加させ且つ出力端子を開放さ
せている状態で測定した場合、その電源電流がＭＩＳ型
半導体装置の良否に応じて異なる値をとることを利用し
て、ＭＩＳ型半導体装置の電源電流を、入力端子に所定
の電圧を印加させ且つ出力端子を開放させている状態で
且つＭＩＳ型半導体装置に室温を与えている状態で測定
し、その電源電流にもとずき、ＭＩＳ型半導体装置の良
否を判別する、というＭＩＳ型半導体装置の良否判別法
が提案されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のＭＩＳ
型半導体装置の良否判別法の場合、ＭＩＳ型半導体装置
の電源電流を、ＭＩＳ型半導体装置に常温を与えている
状態で行っていることから、ＭＩＳ型半導体装置の良否
に応じて異なる電源電流の値の差がきわめて小さく、こ
のため、ＭＩＳ型半導体装置の良否を明確に判別するの
に困難を伴う、という欠点を有していた。
型半導体装置の良否判別法の場合、ＭＩＳ型半導体装置
の電源電流を、ＭＩＳ型半導体装置に常温を与えている
状態で行っていることから、ＭＩＳ型半導体装置の良否
に応じて異なる電源電流の値の差がきわめて小さく、こ
のため、ＭＩＳ型半導体装置の良否を明確に判別するの
に困難を伴う、という欠点を有していた。
【０００４】このことは、良否の判定されるべきＭＩＳ
型半導体装置が、ＭＩＳ型半導体素子の集積化されてい
る構成を有し、そして、そのＭＩＳ型半導体素子の数が
多い場合、電源電流が、ＭＩＳ型半導体素子が全て良で
あることによってＭＩＳ型半導体装置が良であるとき、
比較的大きな値で得られるが、ＭＩＳ型半導体素子の全
体の数に比し十分小さな数のＭＩＳ型半導体素子が不良
であることによってＭＩＳ型半導体装置が不良であると
き、ＭＩＳ型半導体素子が全て良であることによってＭ
ＩＳ型半導体装置が良であるときの値に対してわずかし
か変化していないことから尚更であった。
型半導体装置が、ＭＩＳ型半導体素子の集積化されてい
る構成を有し、そして、そのＭＩＳ型半導体素子の数が
多い場合、電源電流が、ＭＩＳ型半導体素子が全て良で
あることによってＭＩＳ型半導体装置が良であるとき、
比較的大きな値で得られるが、ＭＩＳ型半導体素子の全
体の数に比し十分小さな数のＭＩＳ型半導体素子が不良
であることによってＭＩＳ型半導体装置が不良であると
き、ＭＩＳ型半導体素子が全て良であることによってＭ
ＩＳ型半導体装置が良であるときの値に対してわずかし
か変化していないことから尚更であった。
【０００５】よって、本発明は、上述した欠点のない新
規なＭＩＳ型半導体装置の良否判別法を提案せんとする
ものである。
規なＭＩＳ型半導体装置の良否判別法を提案せんとする
ものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明によるＭＩＳ型半
導体装置の良否判別法は、前述した従来のＭＩＳ型半導
体装置の良否判別法の場合と同様に、ＭＩＳ型半導体装
置の電源電流を、入力端子に所定の電圧を印加させ且つ
出力端子を開放させている状態で測定し、その電源電流
にもとずき、ＭＩＳ型半導体装置の良否を判別する。
導体装置の良否判別法は、前述した従来のＭＩＳ型半導
体装置の良否判別法の場合と同様に、ＭＩＳ型半導体装
置の電源電流を、入力端子に所定の電圧を印加させ且つ
出力端子を開放させている状態で測定し、その電源電流
にもとずき、ＭＩＳ型半導体装置の良否を判別する。
【０００７】しかしながら、本発明によるＭＩＳ型半導
体装置の良否判別法は、このようなＭＩＳ型半導体装置
の良否判別法において、上述した電源電流の測定を、Ｍ
ＩＳ型半導体装置に常温よりも低い温度を与えている状
態で行う。
体装置の良否判別法は、このようなＭＩＳ型半導体装置
の良否判別法において、上述した電源電流の測定を、Ｍ
ＩＳ型半導体装置に常温よりも低い温度を与えている状
態で行う。
【０００８】
【作用・効果】本発明によるＭＩＳ型半導体装置の良否
判別法によれば、ＭＩＳ型半導体装置の電源電流を、Ｍ
ＩＳ型半導体装置に常温よりも低い温度を与えている状
態で行っていることから、ＭＩＳ型半導体装置の良否に
応じて異なる電源電流の値の差が、同じＭＩＳ型半導体
装置について、前述した従来のＭＩＳ型半導体装置の良
否判別法の場合に比し大きく、このため、ＭＩＳ型半導
体装置の良否を従来のＭＩＳ型半導体装置の良否判別法
の場合に比し、明確に、且つ容易に判別することができ
る。
判別法によれば、ＭＩＳ型半導体装置の電源電流を、Ｍ
ＩＳ型半導体装置に常温よりも低い温度を与えている状
態で行っていることから、ＭＩＳ型半導体装置の良否に
応じて異なる電源電流の値の差が、同じＭＩＳ型半導体
装置について、前述した従来のＭＩＳ型半導体装置の良
否判別法の場合に比し大きく、このため、ＭＩＳ型半導
体装置の良否を従来のＭＩＳ型半導体装置の良否判別法
の場合に比し、明確に、且つ容易に判別することができ
る。
【０００９】
【実施例】次に、図１を伴って本発明によるＭＩＳ型半
導体装置の良否判別法の実施例を述べよう。
導体装置の良否判別法の実施例を述べよう。
【００１０】図１に示す本発明によるＭＩＳ型半導体装
置の良否判別法においては、恒温槽１を用い、そして、
その恒温槽１内に、測定されるべきＭＩＳ型半導体装置
２を配置する。
置の良否判別法においては、恒温槽１を用い、そして、
その恒温槽１内に、測定されるべきＭＩＳ型半導体装置
２を配置する。
【００１１】この場合、ＭＩＳ型半導体装置２が、高・
低２つのレベルの電圧をとる論理信号を取扱うＭＩＳ型
半導体装置であり且つ入力端子３と、出力端子４と、電
源端子５と、それらに共通の接地端子６とを有するＭＩ
Ｓ型半導体装置であるとして、恒温槽１内に、ＭＩＳ型
半導体装置２の入力端子３、出力端子４、電源端子５及
び接地端子６にそれぞれ対応している入力端子連結用端
子３′、出力端子連結用端子４′、電源端子連結用端子
５′及び接地端子連結用端子６′を有する測定用治具７
を配し、そして、その測定用治具７上に、測定されるべ
きＭＩＳ型半導体装置２を、その入力端子３、出力端子
４、電源端子５及び接地端子６をそれぞれ測定用治具７
の入力端子連結用端子３′、出力端子連結用端子４′、
電源端子連結用端子５′及び接地端子連結用端子６′に
接触させて配置する。
低２つのレベルの電圧をとる論理信号を取扱うＭＩＳ型
半導体装置であり且つ入力端子３と、出力端子４と、電
源端子５と、それらに共通の接地端子６とを有するＭＩ
Ｓ型半導体装置であるとして、恒温槽１内に、ＭＩＳ型
半導体装置２の入力端子３、出力端子４、電源端子５及
び接地端子６にそれぞれ対応している入力端子連結用端
子３′、出力端子連結用端子４′、電源端子連結用端子
５′及び接地端子連結用端子６′を有する測定用治具７
を配し、そして、その測定用治具７上に、測定されるべ
きＭＩＳ型半導体装置２を、その入力端子３、出力端子
４、電源端子５及び接地端子６をそれぞれ測定用治具７
の入力端子連結用端子３′、出力端子連結用端子４′、
電源端子連結用端子５′及び接地端子連結用端子６′に
接触させて配置する。
【００１２】また、上述した測定用治具７の出力端子連
結用端子４′に接続している測定端子は有しないが、測
定用治具７の入力端子連結用端子３′、電源端子連結用
端子５′及び接地端子連結用端子６′にそれぞれ接続し
ている入力端子連結用測定端子３″、電源端子連結用測
定端子５″及び接地端子連結用測定端子６″を有する測
定装置１１を用いる。
結用端子４′に接続している測定端子は有しないが、測
定用治具７の入力端子連結用端子３′、電源端子連結用
端子５′及び接地端子連結用端子６′にそれぞれ接続し
ている入力端子連結用測定端子３″、電源端子連結用測
定端子５″及び接地端子連結用測定端子６″を有する測
定装置１１を用いる。
【００１３】この場合、測定装置１１は、（ａ）入力端
子連結用測定端子３″に直接的に接続されている端子
３″′と、電源端子連結用測定端子５″に電流検出器１
３を介して接続している端子５″′と、接地端子連結用
測定端子６″に直接的に接続されている端子６″′とを
有するとともに端子３″′及び端子６″′間に端子
６″′を基準としてＭＩＳ型半導体装置２が取扱う論理
信号がとる高または低レベルの電圧を出力する構成を有
し且つ端子５″′及び端子６″′間にＭＩＳ型半導体装
置２の電源になり得る電源（その電圧は例えば、３．３
Ｖ）（図示せず）が接続されている構成を有する回路１
２と、（ｂ）上述した電流検出器１３が検出する電流が
予定の値よりも大であるか否かを判別する判別回路１４
と、（ｃ）その判別回路１４の判別結果を表示する表示
手段１５とを有する。
子連結用測定端子３″に直接的に接続されている端子
３″′と、電源端子連結用測定端子５″に電流検出器１
３を介して接続している端子５″′と、接地端子連結用
測定端子６″に直接的に接続されている端子６″′とを
有するとともに端子３″′及び端子６″′間に端子
６″′を基準としてＭＩＳ型半導体装置２が取扱う論理
信号がとる高または低レベルの電圧を出力する構成を有
し且つ端子５″′及び端子６″′間にＭＩＳ型半導体装
置２の電源になり得る電源（その電圧は例えば、３．３
Ｖ）（図示せず）が接続されている構成を有する回路１
２と、（ｂ）上述した電流検出器１３が検出する電流が
予定の値よりも大であるか否かを判別する判別回路１４
と、（ｃ）その判別回路１４の判別結果を表示する表示
手段１５とを有する。
【００１４】そして、上述した恒温槽１１内の温度を例
えば−３０℃とし、従って、ＭＩＳ型半導体装置２に常
温よりも低い例えば−３０℃の温度を与え、その状態
で、測定装置１１の回路１２の端子３″′及び６″′に
得られる高または低レベルの電圧を、ＭＩＳ型半導体装
置２の入力端子３及び接地端子６間に、測定装置１１の
入力端子連結用測定端子３″及び接地端子連結用測定端
子６″、及び測定用治具７の入力端子連結用端子３′及
び接地端子連結用端子６′を介して与え、また、測定装
置１１の回路１２の端子５″及び６″間に接続している
電源（図示せず）を、ＭＩＳ型半導体装置２の電源端子
５及び接地端子６間に、測定装置１１の電源端子連結用
測定端子５″及び接地端子連結用測定端子６″、及び測
定用治具７の電源端子連結用端子５′及び接地端子連結
用端子６′を介して接続する。
えば−３０℃とし、従って、ＭＩＳ型半導体装置２に常
温よりも低い例えば−３０℃の温度を与え、その状態
で、測定装置１１の回路１２の端子３″′及び６″′に
得られる高または低レベルの電圧を、ＭＩＳ型半導体装
置２の入力端子３及び接地端子６間に、測定装置１１の
入力端子連結用測定端子３″及び接地端子連結用測定端
子６″、及び測定用治具７の入力端子連結用端子３′及
び接地端子連結用端子６′を介して与え、また、測定装
置１１の回路１２の端子５″及び６″間に接続している
電源（図示せず）を、ＭＩＳ型半導体装置２の電源端子
５及び接地端子６間に、測定装置１１の電源端子連結用
測定端子５″及び接地端子連結用測定端子６″、及び測
定用治具７の電源端子連結用端子５′及び接地端子連結
用端子６′を介して接続する。
【００１５】しかるときは、測定装置１１の電流検出器
１３によって、ＭＩＳ型半導体装置２の電源電流を検出
することができることは明らかであるが、この場合、図
２（図２において、ＴはＭＩＳ型半導体装置２に与える
絶対温度、Ｋはケルビンを示す）示すように、ＭＩＳ型
半導体装置２に与える温度を常温よりも低くすれば、Ｍ
ＩＳ型半導体装置２が良である場合、それに応じて電源
電流が低下する、というＭＩＳ型半導体装置の電源電流
の温度依存性を有するが、ＭＩＳ型半導体装置２が不良
である場合、電源電流がほとんど低下しない、というＭ
ＩＳ型半導体装置２の電源電流の温度依存性を有するた
め、ＭＩＳ型半導体装置２の電源電流が、ＭＩＳ型半導
体装置２の良否に応じて互に異なる値を呈することか
ら、ＭＩＳ型半導体装置２の良否を、判別回路１４によ
って判別することができ、そして、その判別結果、従っ
て、ＭＩＳ型半導体装置の良否を、表示手段１５によっ
て表示させることができる。なお、判別回路１４による
ＭＩＳ型半導体装置２の良否の判別は、電流検出器１３
で検出するＭＩＳ型半導体装置２の電源電流をそのまま
用いて行うこともできるが、その電源電流をＩs 、ＭＩ
Ｓ型半導体装置２の電源電流に関する定数をＩ0 、ボル
ツモン定数をｋ、絶対温度をＴ、電源電流の絶対温度Ｔ
に対する活性化エネルギをＥa とするとき、Ｉs ＝Ｉ0
・exp（−Ｅa／ｋＴ）の関係があるので、活性化エネル
ギＥa を用いて行うこともできる。
１３によって、ＭＩＳ型半導体装置２の電源電流を検出
することができることは明らかであるが、この場合、図
２（図２において、ＴはＭＩＳ型半導体装置２に与える
絶対温度、Ｋはケルビンを示す）示すように、ＭＩＳ型
半導体装置２に与える温度を常温よりも低くすれば、Ｍ
ＩＳ型半導体装置２が良である場合、それに応じて電源
電流が低下する、というＭＩＳ型半導体装置の電源電流
の温度依存性を有するが、ＭＩＳ型半導体装置２が不良
である場合、電源電流がほとんど低下しない、というＭ
ＩＳ型半導体装置２の電源電流の温度依存性を有するた
め、ＭＩＳ型半導体装置２の電源電流が、ＭＩＳ型半導
体装置２の良否に応じて互に異なる値を呈することか
ら、ＭＩＳ型半導体装置２の良否を、判別回路１４によ
って判別することができ、そして、その判別結果、従っ
て、ＭＩＳ型半導体装置の良否を、表示手段１５によっ
て表示させることができる。なお、判別回路１４による
ＭＩＳ型半導体装置２の良否の判別は、電流検出器１３
で検出するＭＩＳ型半導体装置２の電源電流をそのまま
用いて行うこともできるが、その電源電流をＩs 、ＭＩ
Ｓ型半導体装置２の電源電流に関する定数をＩ0 、ボル
ツモン定数をｋ、絶対温度をＴ、電源電流の絶対温度Ｔ
に対する活性化エネルギをＥa とするとき、Ｉs ＝Ｉ0
・exp（−Ｅa／ｋＴ）の関係があるので、活性化エネル
ギＥa を用いて行うこともできる。
【００１６】上述したところから明らかなように、図１
に示す本発明によるＭＩＳ型半導体装置の良否判別法に
よれば、ＭＩＳ型半導体装置２の電源電流を、ＭＩＳ型
半導体装置２に常温よりも低い温度を与えている状態で
測定していることから、図２に示すように、ＭＩＳ型半
導体装置２の良否に応じて異なる電源電流の値の差が、
同じＭＩＳ型半導体装置２について、その電源電流をＭ
ＩＳ型半導体装置２に常温を与えている状態で測定する
前述した従来のＭＩＳ型半導体装置の良否判別法の場合
に比し大きく、このため、ＭＩＳ型半導体装置２の良否
を、前述した従来のＭＩＳ型半導体装置の良否判別法の
場合に比し、明確に、且つ容易に判別することができ
る。
に示す本発明によるＭＩＳ型半導体装置の良否判別法に
よれば、ＭＩＳ型半導体装置２の電源電流を、ＭＩＳ型
半導体装置２に常温よりも低い温度を与えている状態で
測定していることから、図２に示すように、ＭＩＳ型半
導体装置２の良否に応じて異なる電源電流の値の差が、
同じＭＩＳ型半導体装置２について、その電源電流をＭ
ＩＳ型半導体装置２に常温を与えている状態で測定する
前述した従来のＭＩＳ型半導体装置の良否判別法の場合
に比し大きく、このため、ＭＩＳ型半導体装置２の良否
を、前述した従来のＭＩＳ型半導体装置の良否判別法の
場合に比し、明確に、且つ容易に判別することができ
る。
【００１７】なお、上述においては、本発明の１つの実
施例を示したに留まり、本発明の精神を脱することなし
に、種々の変型、変更をなし得るであろう。
施例を示したに留まり、本発明の精神を脱することなし
に、種々の変型、変更をなし得るであろう。
【図１】本発明によるＭＩＳ型半導体装置の良否判別法
の実施例の説明に供する系統的接続図である。
の実施例の説明に供する系統的接続図である。
【図２】本発明によるＭＩＳ型半導体装置の良否判別法
の実施例の説明に供する、ＭＩＳ型半導体装置の電源電
流の温度依存性を、ＭＩＳ型半導体装置の良否をパラメ
―タとして示す図である。
の実施例の説明に供する、ＭＩＳ型半導体装置の電源電
流の温度依存性を、ＭＩＳ型半導体装置の良否をパラメ
―タとして示す図である。
１ 恒温槽 ２ ＭＩＳ型半導体装置 ３ 入力端子 ３′ 入力端子連結用端子 ３″ 入力端子連結用測定端子 ３″′ 端子 ４ 出力端子 ４′ 出力端子連結用端子 ４″ 出力端子連結用測定端子 ５ 電源端子 ５′ 電源端子連結用端子 ５″ 電源端子連結用測定端子 ５″′ 端子 ６ 接地端子 ６′ 接地端子連結用端子 ６″ 接地端子連結用測定端子 ６″′ 端子 ７ 測定用治具 １１ 測定装置 １２ 回路 １３ 電流検出器 １４ 判別回路 １５ 表示手段
Claims (1)
- 【請求項１】 ＭＩＳ型半導体装置の電源電流を、入力
端子に所定の電圧を印加させ且つ出力端子を開放させて
いる状態で測定し、その電源電流にもとずき、上記ＭＩ
Ｓ型半導体装置の良否を判別するＭＩＳ型半導体装置の
良否判別法において、 上記電源電流の測定を、上記ＭＩＳ型半導体装置に常温
よりも低い温度を与えている状態で行うことを特徴とす
るＭＩＳ型半導体装置の良否判別法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6464193A JPH06249912A (ja) | 1993-03-01 | 1993-03-01 | Ｍｉｓ型半導体装置の良否判別法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6464193A JPH06249912A (ja) | 1993-03-01 | 1993-03-01 | Ｍｉｓ型半導体装置の良否判別法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06249912A true JPH06249912A (ja) | 1994-09-09 |
Family
ID=13264101
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6464193A Pending JPH06249912A (ja) | 1993-03-01 | 1993-03-01 | Ｍｉｓ型半導体装置の良否判別法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06249912A (ja) |
-
1993
- 1993-03-01 JP JP6464193A patent/JPH06249912A/ja active Pending
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