JPH06244554A - 多層配線基板及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 表面平滑性が良く、導通信頼性が高く、短時
間に形成できる多層配線基板およびその製造方法を提供
する。 【構成】 基板１に導体層２，６，９と絶縁層７ａ，７
ｂを交互に積層した積層基板２０，２１を接着層８を介
して接合し、貫通孔１０により上下導体層を電気的に接
続した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、導体層と耐熱性に優れ
た樹脂からなる絶縁層とを交互に積層して形成したビル
ドアップ方式の多層配線基板およびその製造方法に関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、多層配線基板としては、例えば内
層回路が形成された複数の回路板をプリプレグを絶縁層
として積層成形し、スルーホールによって層間を接続導
通させた配線基板が多く使用されている。しかしなが
ら、このような多層配線基板においては、多層化して高
密度化しようとすると、層間接続のためのスルーホール
数が多くなって、導体配線の配置の自由度が制約され、
複雑な回路を形成して高密度化することが困難であっ
た。

【０００３】この点を解決することができる多層配線基
板として、導体配線と絶縁層とを交互に積層してゆくビ
ルドアップ方式の多層配線基板が開発されている。この
ビルドアップ方式による多層配線基板は、高密度化に適
したものと考えられているが、導体配線と絶縁層との密
着性を確保すること、導体配線間の導通信頼性を確保す
ることが問題とされている。

【０００４】ビルドアップ方法としては、ドライフィル
ム等のフォトレジストをそのまま絶縁層として用いる試
みがなされている。図８(ａ)〜(ｆ)は例えば、特開昭58
−119695号公報に示された、従来のビルドアップ方式の
多層配線基板の製造方法を工程順に示す模式断面図であ
る。図８において、１は基板で、２はこの基板上１に形
成された複数の導体配線からなる第一導体層である。３
はこの第一導体層２を保護しながらその上に形成され
た、ドライフイルム等のフォトレジストをそのまま用い
た絶縁層である。

【０００５】４は上記第一導体層２の導体配線の一部が
露出するように、この絶縁層３に形成された開口であ
り、５はこの開口４を形成するために、絶縁層３の所定
位置のみを感光させるマスクである。６は絶縁層３上に
形成された複数の導体配線からなり、上記開口４を介し
てその導体配線の一部が第一導体層２の所定の導体配線
に接続される第二導体である。

【０００６】次にその製造方法について説明する。まず
通常の方法にて第一導体層２が形成された図８(ａ)に示
す基板１上に、図８(ｂ)に示すようにドライフィルム等
のフォトレジストによる絶縁層３がラミネートされる。
次いで、その絶縁層３の上側にマスク５を配置して紫外
線（以下ＵＶという）等の照射を行う。図８(ｃ)はその
ときの様子を示すものである。

【０００７】次に、このようにしてマスク５による選択
的な露光が行われた絶縁層３の現像処理を行い、図８
(ｄ)に示すように開口４を形成して第一導体層２の導体
配線の所要部分を露出させる。その後熱処理を施してこ
の絶縁層３の高絶縁化をはかる。図８(ｅ)ではこの絶縁
層３の高絶縁化をハッチングの種類をかえることで表現
している。

【０００８】絶縁層３の高絶縁化が終わると、無電解メ
ッキ等によって絶縁層３上面に第二導体層６を形成す
る。この第二導体層６は図８(ｆ)に示すように、絶縁層
３にあけられた開口４内にも形成されてバイアホールと
なり、それによって第一導体層２と電気的に接続され
る。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】従来の多層配線基板お
よびその製造方法は以上のように構成されているので、
絶縁層３の熱膨張率が大きく、第二導体層６の導体配線
や実装された部品と絶縁層３との熱膨張率差によって導
通信頼性が低下するばかりか、第一導体層２あるいは第
二導体層６と絶縁層３とを交互に積層してゆく構造上、
多層になるほどバイアホール部分による凹凸が大きくな
り、多層配線基板表面の平滑性が悪くなってファイン配
線化が困難になり、また、作製に長時間を要するなどの
問題があった。

【００１０】本発明は、上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、導通信頼性が高く、表面平滑性
も良好で、作製時間を短縮できる多層配線基板を得るこ
とを目的としており、さらにこの多層配線基板を製造す
るに適した方法を提供する事を目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明の多層配線基板
は、基板上に形成される第一導体層、この第一導体層上
に形成される絶縁層、及びこの絶縁層上に形成され、一
部が上記第一導体層と電気的に接続される第二導体層、
これらを順に積層して形成した積層基板を、少なくとも
２枚接着層を介して接合積層してなり、接合した上記積
層基板を貫通する貫通孔を介して上記接合した積層基板
の導体層を電気的に接続するようにしたものである。

【００１２】また、絶縁層としてアクリル系及びエポキ
シ系感光性重合体組成物を用いている。

【００１３】そして、本発明の多層配線基板の製造方法
は、基板を補強部材により補強する工程と、上記基板の
補強部材付設面とは反対面上に第一導体層を形成する工
程と、上記第一導体層上に絶縁層を形成する工程と、上
記絶縁層に開口を形成して上記第一導体層を露出する工
程と、上記絶縁層及び露出した上記第一導体層上に第二
導体層を形成する工程とを施して積層基板を形成し、上
記工程を経て形成され、上記補強部材を取り除いた積層
基板を少なくとも２枚接着層を介して接合積層し、接合
した上記積層基板を貫通する貫通孔を形成し、この貫通
孔内に導体層を形成して上記接合した積層基板の導体層
を電気的に接続するようにしたものである。

【００１４】

【作用】本発明の多層配線基板は、例えば導体層を３、
４層積層した積層基板を接着層を介して複数積層した構
成としているので、絶縁層と導体層を交互に順次積層す
る従来のビルドアップ方式のものに比べ、短時間に高多
層配線基板を製作することができる。また、多層になる
ほどバイアホール部分による凹凸が大きくなるという問
題を低減でき、かつこの凹凸を接着層で吸収できるの
で、表面の平滑性が良くなる。中間部分が接着層及び基
板で強化される。さらに、接着層は第二導体層や実装部
品との熱膨張率差を小さくして、シリコン系の場合は熱
応力を吸収して、導通信頼性を向上できる。

【００１５】また、絶縁層としてアクリル系及びエポキ
シ系感光性重合体組成物を用いているので、絶縁層の厚
膜化、大面積化が容易で、また硬化温度も比較的低く、
ベース基板がセラミックや金属等に限定されない。

【００１６】さらに、積層基板を形成する際に、基板を
補強部材により補強しているので、取扱い、持ち運び
等、ハンドリングに要する剛性を保持しつつ、基板を薄
くすることができるので、多層配線基板の板厚を薄くで
きる。より高密度実装が可能となる。

【００１７】

【実施例】実施例１．以下、本発明の実施例を図によっ
て説明する。図１は本発明の多層配線基板の一実施例を
示す模式断面図である。図において、１は基板、２は基
板上１に形成された複数の導体配線からなる第一導体
層、４は開口、６は第二導体層であり、図８と同一符号
を付した部分は従来のそれらと同一、あるいは相当部分
であるため詳細な説明は省略する。

【００１８】７ａは基板１上に形成された第一導体層２
を保護しながらその上面に形成された感光性重合体組成
物からなる第一絶縁層、７ｂは第二導体層６を保護しな
がらその上面に形成された感光性重合体組成物からなる
第二絶縁層、９は第二絶縁層７ｂ上に形成された複数の
導体配線からなり、上記開口４を介してその導体配線の
一部が第二導体層６の所定の導体配線に接続される第三
導体層であり、２０、２１はそれぞれ基板１上に第一導
体層２、第一絶縁層７ａ、第二導体層６、第二絶縁層７
ｂ、第三導体層９を積層した積層基板、８は積層基板２
０、２１を接合する接着層、１０は接合した上記積層基
板を貫通する貫通孔、１０ａは貫通孔１０内に形成され
た、上記導体配線を接続する導体層である。

【００１９】次にその製造方法について説明する。ここ
で、図２(ａ)〜(ｆ)は図１に示した多層配線基板の製造
方法の一実施例を工程順に示す模式断面図である。本発
明で用いられる基板１としては、金属ベース基板、金属
芯基板あるいはガラス布、ガラス不織布、アラミド布、
アラミド不織布等の強化繊維に、エポキシ樹脂、ポリイ
ミド樹脂、ＢＴ樹脂等の熱硬化性樹脂、ポリエーテルス
ルホン、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケ
トン、ポリフェニレンサルファイド等の熱可塑性樹脂を
含浸成形した銅張基板およびこれらの多層基板が挙げら
れる。まず、基板１上に第一導体層２を通常の方法によ
って形成する。この実施例では、銅張基板を用い、銅箔
を除去して所定パターンの第一導体層２を形成している
が、基板１に後ほど無電解めっきにより第一導体層２を
形成したものを、用いても差し支えない。

【００２０】次に図２(ａ)に示すように、この基板１の
第一導体層２の上面にアクリル系及びエポキシ系の感光
性重合体組成物による第一絶縁層７ａが形成される。こ
の絶縁層に用いられるアクリル系及びエポキシ系の感光
性重合体組成物としては、市販の溶液状フォトレジス
ト、ドライフイルムのうち、耐熱性および接着性に優れ
た物が選択される。例えば、VACREL （デュポン社
製）、LAMINAR（ダイナケム社製）、NOPCOCURE（サンノ
プコ社製）、PROBIMER（チバガイギー社製）、Photec
（日立化成工業社製）等の、液状フォトレジスト、ドラ
イフイルムフォトレジスト等が用いられる。絶縁層形成
方法としては、液状の場合は、通常の方法でコーターに
より厚さ 20〜100μｍに塗布乾燥され、ドライフイルム
の場合は厚さ20〜100μｍのものを、ラミネータで積層
される。

【００２１】次に、感光性重合体組成物からなる第一絶
縁層７ａに、第一導体層２を構成している一部の導体配
線の表面を露出させる開口４を形成する（図２(ｂ)）。
この開口４は図８で説明した従来の場合と同様、通常の
方法で感光性重合体組成物を、露光、現像して開口が形
成される。

【００２２】次に、上記開口４を形成した状態の第一絶
縁層７ａの上面に無電解めっきにて第二導体層６を形成
する。この無電解めっきによって開口４の壁面にもめっ
き導体が形成され、それがバイアホールとして作用し
て、第一導体層２と第二導体層６の所定の導体配線相互
を電気的に接続する。なお、めっき厚を厚くする場合に
は無電解めっきと電解めっきとを組み合わせて行えば都
合がよい。

【００２３】次に、同様にしてその上面に上記感光性重
合体組成物による第二絶縁層７ｂを形成して開口４をあ
け、第三導体層９を形成して開口４の部分で上下の第
二，第三導体層６，９両層の所定の導体配線の接続を行
う。この時、上面の第三導体層９は全面導体層とし、下
面の銅箔２ａはエッチングにより取り除く。この様にし
て図２(ｃ)に示す上側積層基板２０を形成する。

【００２４】なお、絶縁層を複数層設ける場合には、層
数に応じて前述の各行程を繰り返す。また、上記開口４
を形成した状態の絶縁層は、めっき層との接着性を良く
するため、機械研磨、クロム酸塩、過マンガン酸塩、あ
るいはプラズマ処理などで表面を粗化するとよい。

【００２５】一方、上記と同様にして第一導体層２から
順に第三導体層９まで形成して積層基板を形成する。こ
の場合は、第三導体層９を所定パターンの導体配線と
し、下面の銅箔２ａは除去せず、図２(ｄ)に示す下側積
層基板２１を形成する。

【００２６】次に、図２(ｅ)に示すように、図２(ｃ)に
示した多層配線基板２０を上側に、図２(ｄ)に示した多
層配線基板２１を下側にして、接着層８を介して接合積
層する。

【００２７】なお、この接着層８としては、エポキシ樹
脂、ポリイミド樹脂、ＢＴ樹脂、シリコン樹脂等の耐熱
性樹脂単体、あるいは、ガラス布、ガラス不織布、アラ
ミド布、アラミド不織布等の強化繊維に、エポキシ樹
脂、ポリイミド樹脂、ＢＴ樹脂、シリコン樹脂等の耐熱
性樹脂を含浸、乾燥したプリプレグが用いられる。接着
層を積層するには、加熱ロールによるラミネート法、プ
レスによる圧縮成形法、真空バック法等を用いる。これ
らの方法によれば、平板に限らず曲面基板も可能であ
る。接着層８による積層基板の接合、積層成形は、８０
〜１７０℃でおこない１５０〜２００℃で硬化させる。
接着層８として上記樹脂および強化繊維に耐熱性樹脂を
含浸、乾燥したプリプレグを用いているので、樹脂ある
いはプリプレグ樹脂が接合積層時に流動し、表面の凹凸
が小さくなる効果がある。

【００２８】次に、ドリルあるいはレーザーにより所定
の位置に貫通孔１０を明け、無電解めっきおよび電解め
っきにより、貫通孔１０内にも導体層１０ａを形成し、
所定の位置の内層導体配線との電気的接続を行う。図２
(f)にはその様子が示されている。ドリルによる孔明け
の場合、通常の貫通孔加工方法で行われる。レーザーの
場合も、炭酸ガスレーザー、エキシマレーザー等が用い
られ、通常の方法で行われる。

【００２９】上記のように形成されたこの実施例の多層
配線基板は、導体層を３、４層積層した積層基板２０，
２１を接着層８を介して積層した構成としているので、
絶縁層と導体層を交互に順次積層する従来のビルドアッ
プ方式のものに比べ、短時間に製作することができる。
作業性が良好である。また、多層になるほどバイアホー
ル部分による凹凸が大きくなるという問題が生じるが、
この凹凸を接着層８で吸収できるので、表面の平滑性が
良くなる。中間部分が接着層８を介して基板１で強化さ
れる。接着層８に強化繊維に耐熱性樹脂を含浸、乾燥し
たプリプレグを用いた場合、接着層８を介して積層され
た中間の基板１層は、繊維で強化され、強度が大きく熱
膨張率差が小さいので、熱衝撃、冷熱サイクル等の耐性
の優れた物が得られる。さらに、接着層は第二導体層や
実装部品との熱膨張率差を小さくして、シリコン系の場
合は熱応力を吸収して、導通信頼性を向上できる。

【００３０】さらに、従来、導通信頼性を向上させる方
法として、例えば特開昭57−168942号公報などで提案さ
れている絶縁層として耐熱性の感光性ポリイミド前駆体
を用いたものがあるが、絶縁層の厚膜化、大面積化が難
しく、硬化温度も 350℃と高いためベース基板がセラミ
ックや金属等であるものに限定されるなどの問題点があ
った。ところが、この実施例では絶縁層として、上記ア
クリル系及びエポキシ系の感光性重合体組成物を用いて
いるので、絶縁層の厚膜化、大面積化が容易で、また硬
化温度も比較的低く、ベース基板がセラミックや金属等
に限定されることがない。

【００３１】実施例２．本発明の他の実施例の多層配線
基板を示す模式断面図である。上記実施例では、図２
(ｃ)と図２(ｄ)に示す積層基板２０，２１を２枚接合積
層して形成した多層配線基板について示したが、この本
発明の他の実施例では積層基板を３枚接合積層した多層
配線基板について説明する。図３はその模式断面図であ
る。図２(ｃ)の上層に第３導体層９を形成し、基板１下
面の銅箔はエッチングにより取り除いて中側積層基板２
２とし、上側、中側、下側３枚の積層基板２０，２２，
２１を接着層８を介して積層成形して、接合し、所定の
位置に貫通孔を明け、無電解めっきおよび電解めっきに
より、貫通孔内にも導体層を形成し、所定の位置の内層
導体配線との電気的接続を行い、積層基板を３枚接合積
層した多層配線基板を形成している。

【００３２】上記実施例より多層配線ではあるが、この
実施例においても、上記実施例と同様、接着層８による
バイアホール部分による凹凸を吸収、基板強化作用等に
より、導通信頼性が高く、表面平滑性も良好な優れた多
層配線基板が得られた。また、従来より低い硬化温度
で、短時間で作製できた。

【００３３】実施例ｉ．厚さ１mmの基板１（三菱瓦斯化
学(株)製 EPL-170、銅厚さ18μｍ）上面に通常の方法で
複数の導体配線からなる第一導体層２を形成した。次
に、probimer52（日本チバガイギー社製、フォトレジス
ト）をコーターを用いて厚さ50μｍに塗布後、ＵＶ露
光、現像を行い、140℃で 60分後硬化して第一絶縁層７
ａを形成し、第一導体層２が露出する開口４を形成し
た。

【００３４】次に、上記第一絶縁層７ａを研磨布で研磨
し、セキュリガントＰシステム（日本シェーリング社
製、過マンガン酸塩）で表面粗化後、通常のめっき法に
より第二導体層６を形成した。即ち、薄付け無電解めっ
きは日本シェーリング社製・無電解めっき前処理プロセ
スと日本シェーリング社製・無電解めっき液ノビガント
Ｔを用いた。めっきレジストはPMER-N-HC600（東京応化
製フォトレジスト）を用い、厚付け電解めっきは日本シ
ェーリング社製カパラシドＨＬを用いて、厚さ20μｍの
銅めっき第二導体層６を形成した。次に、上記と同様に
probimer52を塗布、ＵＶ露光、現像して第二絶縁層７ｂ
を形成し、第二導体層６が露出する開口４を形成した。
次いで銅めっきにより全面導体層の第三導体層９を形成
し、下面厚さ18μｍの銅箔を全面エッチングにより取り
除き、上側の積層基板２０、３層配線基板を得た。

【００３５】一方、上記と同様にして厚さ１mmの基板１
の上面銅箔を通常の方法で複数の導体配線からなる第一
導体層２とした後、第一，第二絶縁層７ａ，７ｂと第
二，第三導体層６，９を順次繰り返し形成し、上面の第
三導体層９は複数の導体配線とし、下面の銅箔はエッチ
ングしないで、下側の積層基板２１、４層配線基板を得
た。

【００３６】次に、上記上側積層基板２０の３層配線基
板と、接着層８としてテクノーラプリプレグ TA-01（帝
人社製、耐熱性エポキシ樹脂樹脂含浸、アラミド繊維不
織布、厚さ 0.1mm）と、下側積層基板２１の４層配線基
板を積層し、温度 170℃、圧力40Kg/cm²で２時間プレス
硬化して接合し、接合積層配線基板を得た。

【００３７】次に、上記接合した積層基板の所定箇所
に、直経 0.6mmの貫通孔を明け、上記の方法で銅めっき
をおこない、LAMINAR （ダイナケム社製、ドライフイル
ム、厚さ50μｍ）を用い、通常のテンティング法で導体
配線を形成し、７層の多層配線基板を得た。従来の絶縁
層と導体層を交互に順次積層するビルドアップ方法に比
べ、短時間に製作することができ、作業性も良好であっ
た。また、この７層多層配線基板は、接着層８を介して
プレス硬化したので、ビルドアップのみの配線基板よ
り、最外層の表面凹凸は良好であった。

【００３８】この７層多層配線基板を、260℃ のハンダ
中に10秒間浸漬し、室温下で５分間放置する操作を１サ
イクルとして、５サイクル繰り返した後、導体層のハガ
レ及びクラックを調べたが異常は認められなかった。導
通信頼性も良好であった。

【００３９】この基板１および接着層８（硬化したテク
ノーラプリプレグ）の熱膨張率を測定したところ、1.5
（×10^-5/℃）および0.8（×10^-5/℃）であり、通常の
樹脂の7.0〜10（×10^-5/℃）に比べ小さい値であった。

【００４０】実施例ii．実施例ｉと同様に基板１上に第
一導体層２を形成し、probimer52を塗布後、ＵＶ露光、
現像して第一絶縁層７ａを形成し、開口４を明け、銅め
っきにより第二導体層６を形成し、同様に第二絶縁層７
ｂ、第三導体層９を形成し、上側積層基板の３層配線基
板、下側積層基板の４層配線基板を得た。

【００４１】次に、上記上側積層基板の３層配線基板
と、接着層となるプリプレグGEPL-170（三菱瓦斯化学
(株)製、エポキシ樹脂含浸ガラス布、厚さ 0.1mm）と、
下側積層基板の４層配線基板とを積層し、温度 170℃、
圧力40Kg/cm²で２時間プレス硬化してこれらを接合し
た。次に、この接合した積層基板に実施例ｉと同様に孔
明け、銅めっきを行い、導体配線を形成し、７層の多層
配線基板を得た。上記実施例ｉと同様、短時間に製作す
ることができ、作業性も良好であった。また、接着層８
を介してプレス硬化したので、ビルドアップのみの配線
基板より、最外層の表面凹凸は良好であった。

【００４２】この７層多層配線基板を、260℃のハンダ
中に10秒間浸漬し、室温下で5分間放置する操作を１サ
イクルとして、５サイクル繰り返した後、導体層のハガ
レ及びクラックを調べたが異常は認められなかった。導
通信頼性も良好であった。

【００４３】この接着層８（硬化したプリプレグGEPL-1
70）の熱膨張率を測定したところ、1.5（×10^-5/℃）で
あり、通常の樹脂の7.0〜10（×10^-5/℃）に比べ小さい
値であった。

【００４４】実施例iii．実施例ｉと同じ基板１上に CO
NFORMASKー2515（ダイナケム社製、ドライフイルム、厚
さ38μｍ）を真空ラミネート後、ＵＶ露光、現像を行
い、150℃で 60分硬化して第一絶縁層７ａを形成し、第
一導体層２が露出する開口４を明けた。

【００４５】次に、上記第一絶縁層７ａを研磨布で研磨
し、セキュリガントＣr システム（日本シェーリング社
製、クロム酸塩）で表面粗化後、実施例ｉと同様に、厚
さ20μｍの銅めっき第二導体層６を形成し、上記と同様
に CONFORMASKー2515を真空ラミネート後、ＵＶ露光、現
像して第二絶縁層７ｂを形成し、第二導体層６が露出す
る開口４を形成した。次いで銅めっきにより第三導体層
９を形成し、上側積層基板の３層配線基板、下側積層基
板の４層配線基板を得た。

【００４６】次に、上記上側積層基板の３層配線基板
と、接着層となるプリプレグGEPL-170（三菱瓦斯化学
(株)製、エポキシ樹脂樹脂含浸ガラス布、厚さ 0.1mm）
と、下側積層基板の４層配線基板とを積層し、温度 170
℃、圧力40Kg/cm²で２時間プレス硬化して接合し、積層
配線基板とし、次に、実施例ｉと同様に接合した積層基
板に孔明け、銅めっきを行い、導体配線を形成し、７層
の多層配線基板を得た。上記実施例と同様、短時間で作
成でき、表面も平滑であった。

【００４７】この７層多層配線基板を、260℃のハンダ
中に 10秒間浸漬し、室温下で５分間放置する操作を１
サイクルとして、５サイクル繰り返した後、導体層のハ
ガレ及びクラックを調べたが異常は認められなかった。

【００４８】実施例３．図４(ａ)〜(ｃ)及び図５(ａ)〜
(ｄ)は本発明の多層配線基板製造方法の他の実施例を工
程順に示す模式断面図である。まず、この実施例で用い
られるプリプレグ（硬化後基板１となる）としては、ガ
ラス布、ガラス不織布、アラミド布、アラミド不織布等
の強化繊維に、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ＢＴ樹
脂等の熱硬化性樹脂を含浸したものが挙げられる。この
実施例で用いられる導体箔（第一導体層２となる）とし
ては、通常の電解銅箔、圧延銅箔および銅とアルミニウ
ム等とのクラッド材が挙げられる。この実施例で用いら
れる金属板１３としては、アルミニウム、銅等が挙げら
れる。また、この実施例で用いられる金属板保護層１２
としては、配線基板エッチング用粘着テープ、プリプレ
グ等が挙げられる。そして、この実施例では金属板１３
と金属板保護層１２とで基板１の補強部材を構成してい
る。最初に、上から導体箔、プリプレグ、金属板、金属
板保護層、の順の構成で積層成形し、図４(ａ)に示すよ
うに、プリプレグが硬化して基板１となり、通常の方法
により第一導体層２が形成される。

【００４９】次に図４(ｂ)に示すように、この基板１の
第一導体層２の上面に、実施例１に示すアクリル系及び
エポキシ系感光性重合体組成物からなる絶縁層７が形成
される。

【００５０】次に、上記感光性重合体組成物からなる第
一絶縁層７ａに、第一導体層２を構成している一部の導
体配線の表面を露出させる開口４を形成する。この開口
４は図８で説明した従来の場合と同様の方法によって形
成される。図４(ｃ)にはその様子が示されている。

【００５１】次に、第二導体層６をこの第一絶縁層７ａ
の上面に無電解めっきおよび電解めっきにて形成する。
この銅めっきによって開口４の壁面にもめっき導体が形
成され、それがバイアホールとして作用して、第一導体
層２と第二導体層６の所定の導体配線相互を電気的に接
続する。

【００５２】次に、同様にしてその第二導体層６上面に
感光性重合体組成物からなる第二絶縁層７ｂを形成して
開口４をあける。この時、金属板保護層１２を剥離し、
金属板１３をエッチングにより取り除く。こうして図５
(ａ)に示す上側積層基板２０が形成される。

【００５３】一方、同様にしてその第二導体層６上面に
感光性重合体組成物からなる第二絶縁層７ｂを形成して
開口４をあけ、第三導体層９を形成して開口４の部分で
上下の第二，第三導体層６，９両層の所定の導体配線の
接続を行い、金属板保護層１２を剥離し、金属板１３は
エッチングにより取り除く。こうして図５(ｂ)に示す下
側積層基板２１が形成される。

【００５４】次に、図５(ｃ)に示すように、図５(ａ)に
示した積層基板２０を上側に、図５(ｂ)に示した積層基
板２１を下側にして、接着層８を介して接合積層する。
接着層８は、実施例１に示すものが用いられる。

【００５５】次に、接合した積層基板にドリルあるいは
レーザーにより所定の位置に貫通孔を明け、無電解めっ
きおよび電解めっきにより、貫通孔１０内にも導体層１
０ａを形成し、所定の位置の内層導体配線との電気的接
続を行う。図５(ｄ)にはその様子が示されている。

【００５６】このようにして形成したこの実施例の多層
基板は、上記実施例と同様、積層基板を接着層８を介し
て接合した構成としており、作業性が良く、短時間に製
作することができ、表面の平滑性が良好で、熱衝撃、冷
熱サイクル等の耐性に優れている。また、絶縁層の厚膜
化、大面積化が容易で、硬化温度も比較的低く、ベース
基板がセラミックや金属等に限定されることがないとい
うような上記実施例と同様の効果を奏する。加えて、積
層基板を形成する際に、基板を補強部材により補強し
て、取扱い、持ち運び等ハンドリングに要する剛性を保
持して作業性を損なうことなく基板を薄くしているの
で、多層配線基板の板厚を薄くできる。より高密度実装
が可能となる。

【００５７】実施例iv．上から第１導体層２となる導体
箔として18μｍ電解銅箔、基板１となるプリプレグとし
てテクノーラプリプレグ TA-01（帝人社製、耐熱性エポ
キシ樹脂樹脂含浸、アラミド繊維不織布、厚さ0.1mm）
２枚、金属板１３として厚さ0.3mmの片面粗化アルミ
板、金属板保護層１２としてサーキットテープ 647（寺
岡製作所製、ポリエステル粘着テープ厚さ0.12mm）の順
の構成で積層した。

【００５８】次に、温度 170℃、圧力40Kg/cm²で２時間
プレス硬化して積層成形した。プリプレグが硬化して基
板１となり、次いで通常の方法により第一導体層２を形
成し、図４(ａ)に示す構成とした。

【００５９】次に、CONFORMASK−2515（ダイナケム社
製、ドライフイルム、厚さ38μｍ）を真空ラミネート
後、ＵＶ露光、現像を行い、150℃で 60分硬化して第一
絶縁層７ａを形成し、第一導体層２が露出する開口を形
成した。

【００６０】次に、実施例ｉと同様に、厚さ20μｍの銅
めっき第二導体層６を形成し、上記と同様に CONFORMAS
Kー2515を真空ラミネート後、ＵＶ露光、現像をおこな
い、第二絶縁層７ｂを形成し、第二導体層６が露出する
開口を形成して、上側積層基板となる２層配線基板を得
た。

【００６１】次に、上記と同様に、第１導体層２となる
電解銅箔、基板１となるテクノーラプリプレグ２枚、金
属板１３、金属板保護層１２の順の構成で積層成形し、
次いで順に第一導体層２、第一絶縁層７ａ、第二導体層
６、第二絶縁層７ｂ、第三導体層９を形成し、下側積層
基板２１となる３層配線基板を得た。

【００６２】次に、上側２層配線基板、下側３層配線基
板に、第二導体層６、第三導体層９保護のためのめっき
レジストPMER-N-HC600を塗布、乾燥後、全面ＵＶ露光を
おこない、金属板保護層１２を剥離し、エッチング機
で、40℃の塩化鉄水溶液を30分間吹き付け、金属板１３
のアルミ板を溶解し、めっきレジストをアルカリエッチ
ングして図５(ａ)、図５(ｂ)に示す上側積層基板２０の
２層配線基板、下側積層基板２１の３層配線基板を得
た。

【００６３】次に、上記上側２層配線基板２０と接着層
８としてテクノーラプリプレグ TA-01と下側３層配線基
板２１を積層し、温度 170℃、圧力40Kg/cm²で２時間プ
レス硬化して、積層基板を接合した。

【００６４】次に、上記接合した積層基板の所定箇所
に、直径 0.6mmの貫通孔１０を明け、上記の方法で銅め
っきをおこない、LAMINAR （ダイナケム社製、ドライフ
イルム、厚さ50μｍ）を用い、通常のテンティング法で
導体配線を形成し、７層の多層配線基板を得た。この７
層多層配線基板は、接着層８を介してプレス硬化したの
で、ビルドアップのみの配線基板より、最外層の表面凹
凸は良好である。

【００６５】この７層多層配線基板を、260℃ のハンダ
中に10秒間浸漬し、室温下で５分間放置する操作を１サ
イクルとして、５サイクル繰り返した後、導体層のハガ
レ及びクラックを調べたが異常は認められなかった。

【００６６】実施例４．なお、上記実施例３では上下の
積層基板双方を、予め基板に金属板からなる補強部材を
添装して形成する場合について示したが、一方だけを補
強部材で補強し、例えば他方、下側となる積層基板を補
強部材なしの両面銅張基板としてもよく、上記実施例と
同様の効果を奏する。

【００６７】実施例ｖ．SR640、直径230mmの金型に、上
から第１導体層２となる導体箔として18μｍ電解銅箔、
基板１となるプリプレグ GEPL-170（三菱瓦斯化学(株)
製、エポキシ樹脂含浸ガラス布、厚さ0.1mm）３枚、金
属板１３として厚さ0.2mmの片面粗化アルミ板、金属板
保護層１２として上記プリプレグ２枚の順の構成で積層
した。

【００６８】次に、温度 170℃、圧力40Kg/cm²で２時間
プレス硬化して積層成形し、めっきレジストPMER-N-HC6
00を塗布、乾燥後、５軸レーザー露光機で露光をおこな
い、通常の方法で複数の導体配線からなる第一導体層２
を形成した。次に、probimer52（日本チバガイギー社
製、フォトレジスト）をスプレーして厚さ50μｍに塗布
後、５軸レーザー露光機で露光、現像を行い、140℃で
60分硬化して第一絶縁層７ａを形成し、第一導体層２が
露出する開口４を形成した。

【００６９】次に、上記第一絶縁層７ａを研磨布で研磨
し、実施例ｉと同様の方法で表面粗化後、銅めっきによ
り第二導体層６を形成した。次に、上記と同様にprobim
er52を塗布、ＵＶ露光、現像、銅めっきにより第二絶縁
層７ｂと全面第三導体層９を形成し、銅めっき保護のた
めのめっきレジストPMER-N-HC600を塗布、乾燥後、全面
ＵＶ露光をおこない、金属板保護層１２を剥離し、エッ
チング機で、40℃の塩化鉄水溶液を30分間吹き付け、ア
ルミ板１３を溶解し、めっきレジストをアルカリ水溶液
で剥離して上側積層基板２０の２層配線基板を得た。

【００７０】一方、上記と同様に金型に上から導体箔と
して18μｍ電解銅箔、プリプレグGEPL-170１０枚、18μ
ｍ電解銅箔の順の構成で積層成形し、複数の導体配線か
らなる第一導体層２を形成後、第一，第二絶縁層７ａ，
７ｂと第二，第三導体層６，９を順次繰り返し形成し、
上面の第三導体層９は複数の導体配線とし、下面銅箔は
エッチングしないで、下側積層基板２１の３層配線基板
を得た。

【００７１】次に、上記上側積層基板２０と接着層８と
して上記プリプレグ１枚と下側積層基板２１を上記金型
にて接合積層し、部分球積層配線基板を得た。

【００７２】次に、上記接合した積層基板の所定箇所
に、５軸ドリルで直径 0.6mmの貫通孔を明け、通常の方
法でスルーホール銅めっきをおこない、電着レジストを
塗布乾燥し、５軸露光機で露光後、導体配線を形成し、
100×200mmの部分球７層の多層配線基板を得た。

【００７３】この７層多層配線基板を、260℃ のハンダ
中に10秒間浸漬し、室温下で５分間放置する操作を１サ
イクルとして、５サイクル繰り返した後、導体層のハガ
レ及びクラックを調べたが異常は認められなかった。

【００７４】実施例５．図６(ａ)〜(ｅ)及び図７(ａ)，
(ｂ)は本発明の多層配線基板の製造方法のさらに他の実
施例を工程順に示す模式断面図である。この実施例で用
いられる基板１、及び離型フィルム保護層となるプリプ
レグとしては、ガラス布、ガラス不織布、アラミド布、
アラミド不織布等の強化繊維に、エポキシ樹脂、ポリイ
ミド樹脂、ＢＴ樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸したものが
挙げられる。この実施例で用いられる第一導体層となる
導体箔は、通常の電解銅箔、圧延銅箔および銅とアルミ
ニウム等とのクラッド材が挙げられる。この実施例で用
いられる離型フイルムとしては、テドラー（デュポン社
製、ポリフッ化ビニリデン）、アフレックス（旭硝子社
製、エチレン・テトラフルオロエチレン）、ポリプロピ
レン等が耐熱性が良いことから挙げられる。そして、こ
こでは離型フィルムと離型フィルム保護層とで基板１の
補強部材を構成している。

【００７５】まず、上から導体箔、上層プリプレグ、離
型フイルム１４、下層プリプレグ、の順の構成で積層成
形し、図６(ａ)に示すように、上層プリプレグが硬化し
て基板１となり、下層プリプレグが硬化して離型フイル
ム保護層１５となって通常の方法により第一導体層２が
形成される。

【００７６】次に図６(ｂ)に示すように、この基板１の
第一導体層２の上面に、実施例１に示すアクリル系、エ
ポキシ系の感光性重合体組成物による第一絶縁層７ａが
形成される。

【００７７】次に、感光性重合体組成物による絶縁層７
に、第一導体層２を構成している一部の導体配線の表面
を露出させる開口４を形成する。この開口４は図８で説
明した従来の場合と同様の方法によって形成される。図
６(ｃ)にはその様子が示されている。

【００７８】次に、第二導体層６をこの第一絶縁層７ａ
の上面に無電解めっきおよび電解めっきにて形成する。
この銅めっきによって開口４の壁面にもめっき導体が形
成され、それがバイアホールとして作用して、第一導体
層２と第二導体層６の所定の導体配線相互を電気的に接
続する。

【００７９】次に、同様にしてその上面に感光性重合体
組成物による第二絶縁層７ｂを形成し、これに開口４を
あける。この時、離型フイルム１４、離型フイルム保護
層１５は、剥離して取り除き、図６(ｄ)に示す上側の積
層基板２０を形成する。

【００８０】一方、上記と同様にして基板１の第一導体
層２の上面に、感光性重合体組成物による第一絶縁層７
ａを形成して開口４をあけ、第二導体層６を形成して開
口４の部分で第一導体層２と第二導体層６の所定の導体
配線の接続を行い、続いて同様に第二絶縁層７ｂ、第三
導体層９を形成し、第二導体層６と第三導体層９を電気
的に接続する。その後、離型フイルム１４、離型フイル
ム保護層１５は、剥離して取り除き、図６(ｅ)に示す下
側の積層基板２１を形成する。

【００８１】次に、図７(ａ)に示すように、図６(ｄ)に
示した積層基板２０を上側に、図６(ｅ)に示した積層基
板２１を下側にして、接着層８を介して接合積層する。
接着層８は、実施例１に示すものが用いられる。

【００８２】次に、ドリルあるいはレーザーにより所定
の位置に貫通孔を明け、無電解めっきおよび電解めっき
により、貫通孔１０内にも導体層１０ａを形成し、所定
の位置の内層導体配線との電気的接続を行う。図７
（ｂ）にはその様子が示されている。

【００８３】このようにして形成したこの実施例の多層
配線基板は、短時間に作業性良く製作でき、表面の平滑
性が良好で、熱衝撃、冷熱サイクル等の耐性に優れてい
る。また、絶縁層の厚膜化、大面積化が容易で、硬化温
度も比較的低く、ベース基板がセラミックや金属等に限
定されることがないというような上記実施例と同様の効
果を奏する。加えて、積層基板を形成する際に、基板を
補強部材により補強して、取扱い、持ち運び等に要する
剛性を保持して作業性を損なうことなく基板を薄くして
いるので、多層配線基板の板厚を薄くできる。より高密
度実装が可能となる。

【００８４】実施例vi．上から第一導体層２となる導体
箔として18μｍ電解銅箔、基板１となるプリプレグとし
てGEPL-170（三菱瓦斯化学社製、エポキシ樹脂樹脂含浸
ガラス布、厚さ0.1 mm）３枚、離型フイルムとして、テ
ドラー（デュポン社製、ポリフッ化ビニリデン）、離型
フイルム保護層１５となる上記プリプレグ３枚の順の構
成で積層した。

【００８５】次に、温度 170℃、圧力40Kg/cm²で２時間
プレス硬化して積層成形し、上層プリプレグが硬化して
基板１となり、下層プリプレグが硬化して離型フイルム
保護層１５となり、通常の方法により第一導体層２が形
成された。

【００８６】次に、CONFORMASK−2515（ダイナケム社
製、ドライフイルム、厚さ38μｍ）を真空ラミネート
後、ＵＶ露光、現像を行い、150℃で 60分硬化して第一
絶縁層７ａを形成し、第一導体層２が露出する開口４を
形成した。

【００８７】次に、実施例ｉと同様に、厚さ20μｍの銅
めっき第二導体層６を形成し、上記と同様にCONFORMASK
−2515を真空ラミネート後、ＵＶ露光、現像をおこな
い、第二絶縁層７ｂを形成し、第二導体層６が露出する
開口４を形成して端部を切断し、離型フイルム１４と下
層プリプレグが硬化した離型フイルム保護層１５を剥離
して取り除き、上側積層基板２０の２層配線基板を得
た。

【００８８】次に、実施例ｉと同様に、厚さ20μｍの銅
めっき第二導体層６を形成し、上記と同様にCONFORMASK
−2515を真空ラミネート後、ＵＶ露光、現像をおこな
い、第一絶縁層７ａ、第二導体層６、第二絶縁層７ｂ、
第三導体層９を順に形成して端部を切断し、離型フイル
ム１４と下層プリプレグが硬化した離型フイルム保護層
１５を剥離して取り除き下側積層基板２１の３層配線基
板を得た。

【００８９】次に、上記上側２層積層基板２０と接着層
８として上記プリプレグ１枚と下側３層積層基板を積層
し、温度 170℃、圧力40Kg/cm²で２時間プレス硬化し
て、積層基板を接着層８を介して接合した。

【００９０】次に、接合した上記６層配線基板の所定箇
所に、直径 0.6mmの貫通孔を明け、実施例ｉと同様の方
法で銅めっきをおこない、LAMINAR （ダイナケム社製、
ドライフイルム、厚さ50μｍ）を用い、通常のテンティ
ング法で導体配線を形成し、７層の多層配線基板を得
た。

【００９１】この７層多層配線基板を、260 ℃のハンダ
中に10秒間浸漬し、室温下で５分間放置する操作を１サ
イクルとして、５サイクル繰り返した後、導体層のハガ
レ及びクラックを調べたが異常は認められなかった。

【００９２】なお、上記実施例では、絶縁層として、ア
クリル系及びエポキシ系の感光性重合体組成物を用いて
いるが、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、可溶性ポリイミ
ド樹脂等の電気絶縁用樹脂を用い、レーザー、プラズマ
エッチングあるいはスクリーン印刷などにより、開口を
形成するものを使用してもなんらさしつかえない。

【００９３】また、上記実施例では積層基板を２枚と３
枚接合するものについて示したが、もっと多数枚接合す
るものであってもよく、同様の効果を奏する。そして積
層基板としては２〜４層の配線基板の場合について説明
したが、これに限らず、もっと多層の導体配線を有する
配線基板でもよい。

【００９４】さらに、上記実施例では基板の補強部材と
して金属板、離型フィルムを挙げて説明したが他のもの
でも良く、また、補強部材を除去する時期は積層基板形
成工程後でなくとも、工程途中であっても順に積層して
いってハンドリングのための剛性を持てば取り除いても
良いことは言うまでもない。

【００９５】

【発明の効果】以上のように、本発明の多層配線基板
は、基板上に形成される第一導体層、この第一導体層上
に形成される絶縁層、及びこの絶縁層上に形成され、一
部が上記第一導体層と電気的に接続される第二導体層、
これらを順に積層して形成した積層基板を、少なくとも
２枚接着層を介して接合積層して構成し、接合した上記
積層基板を貫通する貫通孔を介して上記接合した積層基
板の導体層を電気的に接続するようにしたので、絶縁層
と導体層を交互に順次積層する従来のビルドアップ方式
のものに比べ、短時間に高多層配線基板を製作すること
ができる。また、多層になるほどバイアホール部分によ
る凹凸が大きくなるという問題を低減でき、かつこの凹
凸を接着層で吸収できるので、表面の平滑性が良くな
る。中間部分が接着層及び基板で強化される。さらに、
接着層は第二導体層や実装部品との熱膨張率差を小さく
して、シリコン系の場合は熱応力を吸収して、導通信頼
性を向上できるという効果がある。

【００９６】また、絶縁層としてアクリル系及びエポキ
シ系感光性重合体組成物を用いているので、絶縁層の厚
膜化、大面積化が容易で、また硬化温度も比較的低く、
ベース基板がセラミックや金属等に限定されない。

【００９７】さらに、多層配線基板の製造方法において
は、積層基板を形成する際に、予め基板を補強部材によ
り補強しておいて、少なくとも上記積層基板を接合する
前に上記補強部材を取り除くようにしているので、取扱
い、持ち運び等に要する剛性を保持しつつ、基板を薄く
することができる、多層配線基板の板厚を薄くできる。
より高密度実装が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例の多層配線基板を示す模式断
面図である。

【図２】本発明の一実施例の多層配線基板の製造方法を
工程順に示す模式断面図である。

【図３】本発明の他の実施例の多層配線基板を示す模式
断面図である。

【図４】本発明の多層配線基板の製造方法の他の実施例
を工程順に示す模式断面図の一部である。

【図５】本発明の多層配線基板の製造方法の他の実施例
を工程順に示す模式断面図の一部である。

【図６】本発明の多層配線基板の製造方法のさらに他の
実施例を工程順に示す模式断面図の一部である。

【図７】本発明の多層配線基板の製造方法のさらに他の
実施例を工程順に示す模式断面図の一部である。

【図８】従来の多層配線基板の製造方法を工程順に示す
模式断面図である。

【符号の説明】

１ 基板 ２ 第一導体層 ４ 開口 ６ 第二導体層 ７ａ 第一絶縁層 ７ｂ 第二絶縁層 ８ 接着層 ９ 第三導体層 １０ 貫通孔 １０ａ 導体層 １２ 補強部材を構成する金属板保護層 １３ 補強部材を構成する金属板 １４ 補強部材を構成する離型フイルム １５ 補強部材を構成する離型フイルム保護層

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に形成される第一導体層、この第
   一導体層上に形成される絶縁層、及びこの絶縁層上に形
   成され、一部が上記第一導体層と電気的に接続される第
   二導体層、これらを順に積層して形成した積層基板を、
   少なくとも２枚接着層を介して接合積層してなり、接合
   した上記積層基板を貫通する貫通孔を介して上記接合し
   た積層基板の導体層を電気的に接続するようにしたこと
   を特徴とする多層配線基板。
2. 【請求項２】 絶縁層はアクリル系及びエポキシ系感光
   性重合体組成物からなることを特徴とする請求項第１項
   に記載の多層配線基板。
3. 【請求項３】 基板を補強部材により補強する工程と、
   上記基板の補強部材付設面とは反対面上に第一導体層を
   形成する工程と、上記第一導体層上に絶縁層を形成する
   工程と、上記絶縁層に開口を形成して上記第一導体層を
   露出する工程と、上記絶縁層及び露出した上記第一導体
   層上に第二導体層を形成する工程とを施して積層基板を
   形成し、上記工程を経て形成され、上記補強部材を取り
   除いた積層基板を少なくとも２枚接着層を介して接合積
   層し、接合した上記積層基板を貫通する貫通孔を形成
   し、この貫通孔内に導体層を形成して上記接合した積層
   基板の導体層を電気的に接続するようにしたことを特徴
   とする多層配線基板の製造方法。