JPH06244450A - アバランシェフォトダイオード - Google Patents
アバランシェフォトダイオードInfo
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- JPH06244450A JPH06244450A JP50A JP2766693A JPH06244450A JP H06244450 A JPH06244450 A JP H06244450A JP 50 A JP50 A JP 50A JP 2766693 A JP2766693 A JP 2766693A JP H06244450 A JPH06244450 A JP H06244450A
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- Japan
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- layer
- apd
- light absorption
- multiplication
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Abstract
(57)【要約】
【目的】Ｇｂ／ｓ帯光通信に用いる高速、高感度のＡＰ
Ｄを提供する。 【構成】光吸収層（１）、（２）を増倍層の両側に設置
してＡＰＤを構成した。量子効率、帯域特性最適化のた
め、上記２つの光吸収層の膜厚をほぼ等しくすることに
より、より一層の効果を得ることができる。 【効果】本発明のＡＰＤは，従来のＳＡＭ構造ＡＰＤに
比べ、最大遮断周波数、量子効率を向上させることがで
きる。これにより、光通信用ＡＰＤの高速化、高感度化
が可能になる。
Ｄを提供する。 【構成】光吸収層（１）、（２）を増倍層の両側に設置
してＡＰＤを構成した。量子効率、帯域特性最適化のた
め、上記２つの光吸収層の膜厚をほぼ等しくすることに
より、より一層の効果を得ることができる。 【効果】本発明のＡＰＤは，従来のＳＡＭ構造ＡＰＤに
比べ、最大遮断周波数、量子効率を向上させることがで
きる。これにより、光通信用ＡＰＤの高速化、高感度化
が可能になる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はアバランシェフォトダイ
オード（以下、ＡＰＤと略称）、更に詳しく言えば、光
通信等に用いるＡＤＰの増倍層、光吸収層の構成、特
に、Ｇb/s 以上の伝送が可能なＡＤＰの高速化、高感度
化のための構造に関する。
オード（以下、ＡＰＤと略称）、更に詳しく言えば、光
通信等に用いるＡＤＰの増倍層、光吸収層の構成、特
に、Ｇb/s 以上の伝送が可能なＡＤＰの高速化、高感度
化のための構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＡＰＤの光吸収層と増倍層とを空
間的に分離したいわゆるＳＡＭ構造のＡＰＤが用いられ
ていた。これは、ＳＡＭ構造のＡＰＤが、光吸収層と増
倍層とを同一の層で兼ね備える構造のＡＰＤと比べ、ト
ンネル電流の低減、キャリア注入条件の適性化による高
感度化等の利点をもつためである。ＳＡＭ構造のＡＰＤ
の技術が記載された文献として、例えば,アイ・イー・
イー・イー ジャーナルオブ コンタム エレクトロ
ン、レター ２１巻１１月１７４３頁（1985年）ジェイ
・シー・カンベル他著の「フレクェンシイ レスポンス
オブInP/InGaAsP/InGaAs アバランシェ フォトダイ
オード ウイズ セパレートアブソープション グレー
ディング マルチプリケーション リージョン（"Frequ
ency Response of InP/InGaAsP/InGaAs Avalanche Phot
odiodes withSeparate Absorption "Grading" Multipli
cation Region" J.C.Campbell et.al. IEEE J.Quantu
m Electron. Lett. 21,11,p1743 (1985) )がある。
間的に分離したいわゆるＳＡＭ構造のＡＰＤが用いられ
ていた。これは、ＳＡＭ構造のＡＰＤが、光吸収層と増
倍層とを同一の層で兼ね備える構造のＡＰＤと比べ、ト
ンネル電流の低減、キャリア注入条件の適性化による高
感度化等の利点をもつためである。ＳＡＭ構造のＡＰＤ
の技術が記載された文献として、例えば,アイ・イー・
イー・イー ジャーナルオブ コンタム エレクトロ
ン、レター ２１巻１１月１７４３頁（1985年）ジェイ
・シー・カンベル他著の「フレクェンシイ レスポンス
オブInP/InGaAsP/InGaAs アバランシェ フォトダイ
オード ウイズ セパレートアブソープション グレー
ディング マルチプリケーション リージョン（"Frequ
ency Response of InP/InGaAsP/InGaAs Avalanche Phot
odiodes withSeparate Absorption "Grading" Multipli
cation Region" J.C.Campbell et.al. IEEE J.Quantu
m Electron. Lett. 21,11,p1743 (1985) )がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来のＳＡＭ構造のＡ
ＤＰでは、光吸収層は増倍層の片側に配置された単層で
構成されている。光通信等に用いられるＡＤＰの特性と
して重要なことは応答速度、即ち高速性と同時に光をキ
ャリアに変える量子効率を高くする、即ち高感度化であ
る。光吸収層の厚さは、上記高速性と高感度化の要因で
あり、しかも、一方を高めれば他方を低下するという関
係にあり、従来のＳＡＭ構造のＡＤＰでは、高速性と高
感度化の両者を共に改善することは限度がある。本発明
の目的は、従来のＳＡＭ構造のＡＰＤを改善し、より一
層高速化と共にに高感度化されたＡＰＤを提供すること
である。
ＤＰでは、光吸収層は増倍層の片側に配置された単層で
構成されている。光通信等に用いられるＡＤＰの特性と
して重要なことは応答速度、即ち高速性と同時に光をキ
ャリアに変える量子効率を高くする、即ち高感度化であ
る。光吸収層の厚さは、上記高速性と高感度化の要因で
あり、しかも、一方を高めれば他方を低下するという関
係にあり、従来のＳＡＭ構造のＡＤＰでは、高速性と高
感度化の両者を共に改善することは限度がある。本発明
の目的は、従来のＳＡＭ構造のＡＰＤを改善し、より一
層高速化と共にに高感度化されたＡＰＤを提供すること
である。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明のＡＰＤは、光吸収層を２層にし、増倍層の
両側に２つの光吸収層を配置する構成とした。上記２つ
の光吸収層の層の厚さはそれぞれの光吸収層から注入さ
れたキャリアの増倍過程に要する時間がほぼ等しくなる
ように設定した。ここで、増倍過程に要する時間とは、
増倍立上り時間とキャリア走行時間を合わせた時間を意
味する。
め、本発明のＡＰＤは、光吸収層を２層にし、増倍層の
両側に２つの光吸収層を配置する構成とした。上記２つ
の光吸収層の層の厚さはそれぞれの光吸収層から注入さ
れたキャリアの増倍過程に要する時間がほぼ等しくなる
ように設定した。ここで、増倍過程に要する時間とは、
増倍立上り時間とキャリア走行時間を合わせた時間を意
味する。
【０００５】
【作用】本発明のＡＰＤが、高速性と高感度化の両者を
共に改善される原理を、従来のＳＡＭ構造のＡＰＤと比
較しながら説明する。図１及び図２はそれぞれ本発明及
び従来のＳＡＭ構造のＡＰＤの光吸収層、増倍層におけ
る動作を模式的に示す。各図において、縦軸は光吸収
層、増倍層の層の厚さ即ち距離、横軸はキャリアの走行
時間即ち応答時間を表す。従来のＡＰＤ（図２）は１つ
の光吸収層（１）であり、本発明のＡＰＤ（図１）は増
倍層の両側に光吸収層（１）及び（２）をもつ。ＡＰＤ
のキャリア走行に関わる応答時間は、近似的には、空乏
層（光吸収層＋増倍層）内を走行するキャリアの走行時
間で決り、光吸収層の厚さが薄いほど高速となる。ま
た、量子効率は、光吸収層の厚さが厚いほど高められ
る。従って、従来のＡＰＤ（図２）のキャリア走行に関
わる応答時間は、第１のキャリア（図では電子○）の走
行時間と増倍層内で増倍に要する時間（図では省略して
ある）と増倍層で生じた第２のキャリア（図では正孔
●）が空乏層（光吸収層＋増倍層）内を走行する時間の
合計となる。
共に改善される原理を、従来のＳＡＭ構造のＡＰＤと比
較しながら説明する。図１及び図２はそれぞれ本発明及
び従来のＳＡＭ構造のＡＰＤの光吸収層、増倍層におけ
る動作を模式的に示す。各図において、縦軸は光吸収
層、増倍層の層の厚さ即ち距離、横軸はキャリアの走行
時間即ち応答時間を表す。従来のＡＰＤ（図２）は１つ
の光吸収層（１）であり、本発明のＡＰＤ（図１）は増
倍層の両側に光吸収層（１）及び（２）をもつ。ＡＰＤ
のキャリア走行に関わる応答時間は、近似的には、空乏
層（光吸収層＋増倍層）内を走行するキャリアの走行時
間で決り、光吸収層の厚さが薄いほど高速となる。ま
た、量子効率は、光吸収層の厚さが厚いほど高められ
る。従って、従来のＡＰＤ（図２）のキャリア走行に関
わる応答時間は、第１のキャリア（図では電子○）の走
行時間と増倍層内で増倍に要する時間（図では省略して
ある）と増倍層で生じた第２のキャリア（図では正孔
●）が空乏層（光吸収層＋増倍層）内を走行する時間の
合計となる。
【０００６】本発明のＡＰＤ（図１）では、図２の光吸
収層を２等分割して増倍層の上下に配置してある。この
例では、２つの光吸収層の膜厚の和は従来例と等しいた
め、両者の量子効率は等しくなる。しかし、キャリア走
行に関わる応答時間は、従来例と比べほぼ半分近くに短
縮される。これは、それぞれの光吸収層で光を受けキャ
リアが発生するまでの時間及び増倍層で生じた第２のキ
ャリアの走行距離が半分になるためである。従って、本
発明によれば、２つの光吸収層の膜厚の和を従来のＡＰ
Ｄの単層の光吸収層の厚さと等しくしたとき、量子効率
（感度）を損なうこと無く、応答速度（高速性）の向上
を図ることができる。
収層を２等分割して増倍層の上下に配置してある。この
例では、２つの光吸収層の膜厚の和は従来例と等しいた
め、両者の量子効率は等しくなる。しかし、キャリア走
行に関わる応答時間は、従来例と比べほぼ半分近くに短
縮される。これは、それぞれの光吸収層で光を受けキャ
リアが発生するまでの時間及び増倍層で生じた第２のキ
ャリアの走行距離が半分になるためである。従って、本
発明によれば、２つの光吸収層の膜厚の和を従来のＡＰ
Ｄの単層の光吸収層の厚さと等しくしたとき、量子効率
（感度）を損なうこと無く、応答速度（高速性）の向上
を図ることができる。
【０００７】また、本発明の２つの光吸収層のそれぞれ
の膜厚を従来例と同等にすれば、従来のＡＰＤの応答速
度（高速性）を損なうこと無く、量子効率（感度）の向
上を図ることも可能となる。上述のように、本発明によ
れば、従来のＳＡＭ構造のキャリアの走行時間（高速性
の制限要因）と量子効率（高感度化の制限要因）との間
の相互の制限を改善し、ＡＰＤのより一層の高速化、高
感度化を達成することができる。なお、この効果は、イ
オン化率比が１に近い、即ち電子及び正孔のイオン化率
がほぼ等しい増倍層をもつ場合において特に顕著であ
る。
の膜厚を従来例と同等にすれば、従来のＡＰＤの応答速
度（高速性）を損なうこと無く、量子効率（感度）の向
上を図ることも可能となる。上述のように、本発明によ
れば、従来のＳＡＭ構造のキャリアの走行時間（高速性
の制限要因）と量子効率（高感度化の制限要因）との間
の相互の制限を改善し、ＡＰＤのより一層の高速化、高
感度化を達成することができる。なお、この効果は、イ
オン化率比が１に近い、即ち電子及び正孔のイオン化率
がほぼ等しい増倍層をもつ場合において特に顕著であ
る。
【０００８】
【実施例】図２は、本発明によるＡＰＤの一実施例の断
面構造を示す。本実施例は、増倍層７の両側に２つの光
吸収層５及び９が配置ちされ、各光吸収層５及び９の膜
厚は、それぞれの光吸収層５及び９から注入されたキャ
リアの増倍過程に要する時間がほぼ等しくなるように設
定されている。増倍層７は超格子構造をも、増倍層７と
光吸収層５及び９とのとの間にはそれぞれ電界緩和層６
及び８が設けられている。光信号は基板３の裏面より入
射される。各層の具体的構成は以下の通りである。なお
括弧（ ）内のｄは層の厚さ、Ｎ、Ｐは不純物濃度を示
す。
面構造を示す。本実施例は、増倍層７の両側に２つの光
吸収層５及び９が配置ちされ、各光吸収層５及び９の膜
厚は、それぞれの光吸収層５及び９から注入されたキャ
リアの増倍過程に要する時間がほぼ等しくなるように設
定されている。増倍層７は超格子構造をも、増倍層７と
光吸収層５及び９とのとの間にはそれぞれ電界緩和層６
及び８が設けられている。光信号は基板３の裏面より入
射される。各層の具体的構成は以下の通りである。なお
括弧（ ）内のｄは層の厚さ、Ｎ、Ｐは不純物濃度を示
す。
【０００９】Ｎ−ＩｎＰ基板（ｄ＝１５０μｍ、Ｎ＝２
×１０18／ｃｍ3）３上に、Ｎ−ＩｎＡｌＡｓバッファ
層（ｄ＝１μｍ、Ｎ＝２×１０18／ｃｍ3）４、Ｎ−Ｉ
ｎＧａＡｓ光吸収層（ｄ＝０．６μｍ、Ｐ＝２×１０15
／ｃｍ3）５、Ｎ−ＩｎＡｌＡｓ電界緩和層（ｄ＝０．
１μｍ、Ｎ＝２．６×１０17／ｃｍ3）６、アンド−プ
−超格子増倍層（ｄ＝０．３５μｍ、Ｎ＜１×１０15／
ｃｍ3）７、Ｐ−ＩｎＡｌＡｓ電界緩和層（ｄ＝０．１
μｍ、Ｐ＝２．６×１０17／ｃｍ3）８、Ｐ−ＩｎＧａ
Ａｓ光吸収層（ｄ＝０．６μｍ、Ｐ＝２×１０15／ｃｍ
3）９、Ｐ−ＩｎＡｌＡｓバッファ層（ｄ＝１μｍ、Ｐ
＝２×１０18／ｃｍ3）１０、Ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタ
クト層（ｄ＝0.2μｍ、Ｐ＝２×１０19／ｃｍ3）１１が
順次積層され、上記各層の側面、基板３の露出表面上及
びコンタクト層１１の露出表面上がポリイミドパッシベ
−ション膜１２で被覆されている。１及び２は、それぞ
れＮ型電極及びＰ型電極である。電極にはＰ型、Ｎ型そ
れぞれ真空蒸着法で形成したＡｕ／Ｐｔ／Ｔｉ、及びＡ
ｕＧｅＮｉ／Ｐｄ／Ａｕを用いた。
×１０18／ｃｍ3）３上に、Ｎ−ＩｎＡｌＡｓバッファ
層（ｄ＝１μｍ、Ｎ＝２×１０18／ｃｍ3）４、Ｎ−Ｉ
ｎＧａＡｓ光吸収層（ｄ＝０．６μｍ、Ｐ＝２×１０15
／ｃｍ3）５、Ｎ−ＩｎＡｌＡｓ電界緩和層（ｄ＝０．
１μｍ、Ｎ＝２．６×１０17／ｃｍ3）６、アンド−プ
−超格子増倍層（ｄ＝０．３５μｍ、Ｎ＜１×１０15／
ｃｍ3）７、Ｐ−ＩｎＡｌＡｓ電界緩和層（ｄ＝０．１
μｍ、Ｐ＝２．６×１０17／ｃｍ3）８、Ｐ−ＩｎＧａ
Ａｓ光吸収層（ｄ＝０．６μｍ、Ｐ＝２×１０15／ｃｍ
3）９、Ｐ−ＩｎＡｌＡｓバッファ層（ｄ＝１μｍ、Ｐ
＝２×１０18／ｃｍ3）１０、Ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタ
クト層（ｄ＝0.2μｍ、Ｐ＝２×１０19／ｃｍ3）１１が
順次積層され、上記各層の側面、基板３の露出表面上及
びコンタクト層１１の露出表面上がポリイミドパッシベ
−ション膜１２で被覆されている。１及び２は、それぞ
れＮ型電極及びＰ型電極である。電極にはＰ型、Ｎ型そ
れぞれ真空蒸着法で形成したＡｕ／Ｐｔ／Ｔｉ、及びＡ
ｕＧｅＮｉ／Ｐｄ／Ａｕを用いた。
【００１０】層４ないし１１の結晶は、いずれもＩｎＰ
基板３に格子整合した混晶である。また、超格子増倍層
７のＩｎＧａＡｓ井戸層の幅Ｌｗ＝５ｎｍ、ＩｎＡｌＡ
ｓ障壁層幅のＬｂ＝１５ｎｍであり、超格子増倍層７の
全膜厚は０．３５μｍとした。導波路は、幅５０ｎｍ，
長さ２０μｍである。ＡＰＤの接合径は５０μｍであ
る。 本実施例の製造において、ＡＰＤの結晶成長には
分子線エピタキシ法を用い、メサ形状の形成にはＢｒ系
の溶液によるウェットエッチングを用いた。
基板３に格子整合した混晶である。また、超格子増倍層
７のＩｎＧａＡｓ井戸層の幅Ｌｗ＝５ｎｍ、ＩｎＡｌＡ
ｓ障壁層幅のＬｂ＝１５ｎｍであり、超格子増倍層７の
全膜厚は０．３５μｍとした。導波路は、幅５０ｎｍ，
長さ２０μｍである。ＡＰＤの接合径は５０μｍであ
る。 本実施例の製造において、ＡＰＤの結晶成長には
分子線エピタキシ法を用い、メサ形状の形成にはＢｒ系
の溶液によるウェットエッチングを用いた。
【００１１】また、実施例のＡＰＤと従来のＡＰＤとの
特性を比較するため、図２の構造からＮ−ＩｎＧａＡｓ
光吸収層５及びＮ−ＩｎＡｌＡｓ電界緩和層６を除いた
従来構造のＡＰＤをも試作した。ただし、両者の量子効
率を一定にするため、従来構造の比較用ＡＰＤのＰ−Ｉ
ｎＧａＡｓ光吸収層９の膜厚は、１．２μｍとした。
特性を比較するため、図２の構造からＮ−ＩｎＧａＡｓ
光吸収層５及びＮ−ＩｎＡｌＡｓ電界緩和層６を除いた
従来構造のＡＰＤをも試作した。ただし、両者の量子効
率を一定にするため、従来構造の比較用ＡＰＤのＰ−Ｉ
ｎＧａＡｓ光吸収層９の膜厚は、１．２μｍとした。
【００１２】これらのＡＰＤの特性を以下に示す。
（ ）外及び（ ）内の数字は、それぞれ本発明及び従
来構造ＡＰＤの特性である。増倍率Ｍ＝１０での暗電
流、量子効率、イオン化率比は、それぞれ８００（７８
０）ｎＡ，８０（７８）％、３（４）であった。両者の
暗電流及び量子効率の違いは、作製方法等に起因するも
のと考えられ、構造に起因するものではない。一方、イ
オン化率比は、構造に起因した注入条件の違いによるも
のであり、本発明のＡＰＤの方がやや劣っている。ま
た、周波数特性の評価結果では、最大遮断周波数、利得
帯域積それぞれ、１８（１３）ＧＨｚ，９５（１０５）
ＧＨｚを得た。このように本発明の目的とするの最大遮
断周波数の大幅な改善が得られた。なお、利得帯域積は
従来ＡＰＤに比べ、劣っているが、これはイオン化率比
の劣化と同様に両者の注入条件の違いによるものであ
る。このように、本発明によると量子効率一定のもとで
最大遮断周波数を大幅に改善することができる。一方、
イオン化率比、利得帯域積には、わずかな劣化がみられ
た。しかし、これらのＡＰＤを用いた受信器では、この
劣化は、最大遮断周波数の改善効果により、補うことが
可能であり、総合的な受信特性の改善が予測される。ま
た、本発明で用いた超格子増倍層７にかわり、現在実用
化されているＩｎＰを増倍層とするＡＰＤでは、上記劣
化はほとんどみられず、最大遮断周波数の改善効果によ
る受信器特性の向上はより顕著になる。
（ ）外及び（ ）内の数字は、それぞれ本発明及び従
来構造ＡＰＤの特性である。増倍率Ｍ＝１０での暗電
流、量子効率、イオン化率比は、それぞれ８００（７８
０）ｎＡ，８０（７８）％、３（４）であった。両者の
暗電流及び量子効率の違いは、作製方法等に起因するも
のと考えられ、構造に起因するものではない。一方、イ
オン化率比は、構造に起因した注入条件の違いによるも
のであり、本発明のＡＰＤの方がやや劣っている。ま
た、周波数特性の評価結果では、最大遮断周波数、利得
帯域積それぞれ、１８（１３）ＧＨｚ，９５（１０５）
ＧＨｚを得た。このように本発明の目的とするの最大遮
断周波数の大幅な改善が得られた。なお、利得帯域積は
従来ＡＰＤに比べ、劣っているが、これはイオン化率比
の劣化と同様に両者の注入条件の違いによるものであ
る。このように、本発明によると量子効率一定のもとで
最大遮断周波数を大幅に改善することができる。一方、
イオン化率比、利得帯域積には、わずかな劣化がみられ
た。しかし、これらのＡＰＤを用いた受信器では、この
劣化は、最大遮断周波数の改善効果により、補うことが
可能であり、総合的な受信特性の改善が予測される。ま
た、本発明で用いた超格子増倍層７にかわり、現在実用
化されているＩｎＰを増倍層とするＡＰＤでは、上記劣
化はほとんどみられず、最大遮断周波数の改善効果によ
る受信器特性の向上はより顕著になる。
【００１３】
【発明の効果】本発明は、従来のＡＰＤに比べ、高速、
高感度なＡＰＤを実現できる。なお、上記実施例は増倍
層としてアンドープ−超格子増倍層の場合について示し
たが、それに限定されるものではなく、イオン化率比が
１に近いの増倍層を使用するＡＰＤにおいて効果が顕著
なことは発明の原理より明らかである。
高感度なＡＰＤを実現できる。なお、上記実施例は増倍
層としてアンドープ−超格子増倍層の場合について示し
たが、それに限定されるものではなく、イオン化率比が
１に近いの増倍層を使用するＡＰＤにおいて効果が顕著
なことは発明の原理より明らかである。
【図１】本発明によるＡＰＤの光吸収層、増倍層におけ
るキャリアの動作を模式的に示す図。
るキャリアの動作を模式的に示す図。
【図２】従来のＳＡＭ構造のＡＰＤの光吸収層、増倍層
におけるキャリアの動作を模式的に示す図。
におけるキャリアの動作を模式的に示す図。
【図３】本発明によるＡＰＤの一実施例の構造を示す断
面図。
面図。
１：Ｎ電極 ２：Ｐ電極 ３：Ｎ−ＩｎＰ基板 ４：Ｎ−ＩｎＡｌＡｓバッファ層 ５：Ｎ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層 ６：Ｎ−ＩｎＡｌＡｓ電界緩和層 ７：アンドープ−超格子増倍層 ８：Ｐ−ＩｎＡｌＡｓ電界緩和層 ９：Ｐ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層 １０：Ｐ−ＩｎＡｌＡｓバッファ層 １１：Ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層 １２：ポリイミドパッシベーション膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田中 滋久 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 野津 千秋 千葉県茂原市早野3681番地 日立デバイス エンジニアリング株式会社内 (72)発明者 金子 忠男 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内
Claims (4)
- 【請求項１】増倍層の両側に光吸収層を配して構成され
たことを特徴とするアバランシェフォトダイオード。 - 【請求項２】請求項１記載のアバランシェフォトダイオ
ードにおいて、上記光吸収層のそれぞれから注入された
キャリアの増倍過程に要する時間がほぼ等しくなるよう
に上記増倍層の両側に配された光吸収層それぞれの層の
厚さが設定されたことを特徴とするアバランシェフォト
ダイオード。 - 【請求項３】請求項１記載のアバランシェフォトダイオ
ードにおいて、上記増倍層の両側に配して構成された２
つの光吸収層の厚さがそれぞれの注入されるキャリアの
走行時間をほぼ等しくなるように設定され、かつ、上記
増倍層がイオン化率比が１に近い半導体材料で構成され
たことを特徴とするアバランシェフォトダイオード。 - 【請求項４】請求項１記載のアバランシェフォトダイオ
ードにおいて、上記増倍層の両側に配して構成されたそ
れぞれの光吸収層と上記増倍層との間に電界緩和層が積
層され、上記増倍層が超格子構造をもつことを特徴とす
るアバランシェフォトダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50A JPH06244450A (ja) | 1993-02-17 | 1993-02-17 | アバランシェフォトダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50A JPH06244450A (ja) | 1993-02-17 | 1993-02-17 | アバランシェフォトダイオード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06244450A true JPH06244450A (ja) | 1994-09-02 |
Family
ID=12227274
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50A Pending JPH06244450A (ja) | 1993-02-17 | 1993-02-17 | アバランシェフォトダイオード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06244450A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016017126A1 (ja) * | 2014-07-29 | 2016-02-04 | Ｎｔｔエレクトロニクス株式会社 | アバランシェフォトダイオード |
| WO2016088668A1 (ja) * | 2014-12-05 | 2016-06-09 | 日本電信電話株式会社 | アバランシェ・フォトダイオード |
-
1993
- 1993-02-17 JP JP50A patent/JPH06244450A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2016032034A (ja) * | 2014-07-29 | 2016-03-07 | Ｎｔｔエレクトロニクス株式会社 | アバランシェフォトダイオード |
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