JPH06236934A - ガラス封止型半導体装置 - Google Patents
ガラス封止型半導体装置Info
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】この発明は、ガラス印刷パタ−ンにスペ−スを
設けることにより、気密性不良の発生を防止する。 【構成】第１の外囲器11の中央部にチップ載置部11a を
設け、このチップ載置部11a の上にポリイミドからなる
樹脂12を介して半導体チップ13を設けている。前記第１
の外囲器11における周辺部11b の上に第１のガラス14a
を介してインナ−リ−ド15を設け、このインナ−リ−ド
15の一端をボンディングワイヤ16により半導体チップ13
と電気的に接続し、前記インナ−リ−ド15の他端にアウ
タ−リ−ド17を設けている。前記インナ−リ−ド15の上
に第２のガラス14b を介して第２の外囲器18を設けてい
る。前記第２のガラス14b に、熱処理工程において樹脂
12から発生されるガスを入れるための複数のスペ−ス22
を形成している。従って、気密性不良の発生を防止する
ことができる。
設けることにより、気密性不良の発生を防止する。 【構成】第１の外囲器11の中央部にチップ載置部11a を
設け、このチップ載置部11a の上にポリイミドからなる
樹脂12を介して半導体チップ13を設けている。前記第１
の外囲器11における周辺部11b の上に第１のガラス14a
を介してインナ−リ−ド15を設け、このインナ−リ−ド
15の一端をボンディングワイヤ16により半導体チップ13
と電気的に接続し、前記インナ−リ−ド15の他端にアウ
タ−リ−ド17を設けている。前記インナ−リ−ド15の上
に第２のガラス14b を介して第２の外囲器18を設けてい
る。前記第２のガラス14b に、熱処理工程において樹脂
12から発生されるガスを入れるための複数のスペ−ス22
を形成している。従って、気密性不良の発生を防止する
ことができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ガラス封止型半導体
装置に係わり、特に気密性を向上させたガラス封止型半
導体装置に関する。
装置に係わり、特に気密性を向上させたガラス封止型半
導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４は、従来のガラス封止型半導体装置
を示す断面図である。第１の外囲器１の中央部には凹部
からなるチップ載置部１ａが設けられており、このチッ
プ載置部１ａの上にはポリイミドからなる樹脂２を介し
て半導体チップ３が設けられている。前記第１の外囲器
１における周辺部１ｂの上には第１のガラス４ａを介し
てインナ−リ−ド５が設けられている。このインナ−リ
−ド５の一端はボンディングワイヤ６により前記半導体
チップ３と電気的に接続されており、前記インナ−リ−
ド５の他端にはアウタ−リ−ド７が設けられている。前
記インナ−リ−ド５の上には第２のガラス４ｂを介して
第２の外囲器８が設けられており、この外囲器８の中央
部には凹部８ａが設けられている。前記半導体チップ３
は第１、第２の外囲器１、８および第１、第２のガラス
４ａ、４ｂにより気密封止されている。
を示す断面図である。第１の外囲器１の中央部には凹部
からなるチップ載置部１ａが設けられており、このチッ
プ載置部１ａの上にはポリイミドからなる樹脂２を介し
て半導体チップ３が設けられている。前記第１の外囲器
１における周辺部１ｂの上には第１のガラス４ａを介し
てインナ−リ−ド５が設けられている。このインナ−リ
−ド５の一端はボンディングワイヤ６により前記半導体
チップ３と電気的に接続されており、前記インナ−リ−
ド５の他端にはアウタ−リ−ド７が設けられている。前
記インナ−リ−ド５の上には第２のガラス４ｂを介して
第２の外囲器８が設けられており、この外囲器８の中央
部には凹部８ａが設けられている。前記半導体チップ３
は第１、第２の外囲器１、８および第１、第２のガラス
４ａ、４ｂにより気密封止されている。
【０００３】図５は、図４に示すガラス封止型半導体装
置における第２の外囲器および第２のガラスの印刷パタ
−ンを示す平面図であり、図６は、図５に示す６−６線
に沿った断面図である。第２の外囲器８の周辺部８ｂの
上には第２のガラス４ｂが設けられており、このガラス
４ｂの印刷パタ−ン９は設計通りであれば図５に示すも
のになる。すなわち、前記印刷パタ−ン９は所定の幅を
有する四角形の枠状のものである。
置における第２の外囲器および第２のガラスの印刷パタ
−ンを示す平面図であり、図６は、図５に示す６−６線
に沿った断面図である。第２の外囲器８の周辺部８ｂの
上には第２のガラス４ｂが設けられており、このガラス
４ｂの印刷パタ−ン９は設計通りであれば図５に示すも
のになる。すなわち、前記印刷パタ−ン９は所定の幅を
有する四角形の枠状のものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来の
ガラス封止型半導体装置では、温度が４５０℃程度の熱
が加えられることによって半導体チップ３が第１、第２
のガラス４ａ、４ｂにより気密封止される。この際、前
記熱により樹脂２からガスが発生される。このため、図
５および図６に示すような設計通りの印刷パタ−ン９は
形成されず、図４に示すように、前記ガスの圧力により
第２のガラス４ｂにはガラス封止されない部分、即ち空
洞１０がランダムに発生する。この結果、ガラス封止型
半導体装置において気密性が極めて低い部分が生じるこ
とによって気密性不良が発生することがある。
ガラス封止型半導体装置では、温度が４５０℃程度の熱
が加えられることによって半導体チップ３が第１、第２
のガラス４ａ、４ｂにより気密封止される。この際、前
記熱により樹脂２からガスが発生される。このため、図
５および図６に示すような設計通りの印刷パタ−ン９は
形成されず、図４に示すように、前記ガスの圧力により
第２のガラス４ｂにはガラス封止されない部分、即ち空
洞１０がランダムに発生する。この結果、ガラス封止型
半導体装置において気密性が極めて低い部分が生じるこ
とによって気密性不良が発生することがある。
【０００５】この発明は上記のような事情を考慮してな
されたものであり、その目的は、ガラス印刷パタ−ンに
スペ−スを設けることにより、気密性不良の発生を防止
したガラス封止型半導体装置を提供することにある。
されたものであり、その目的は、ガラス印刷パタ−ンに
スペ−スを設けることにより、気密性不良の発生を防止
したガラス封止型半導体装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明は、上記課題を
解決するため、第１の外囲器と、前記第１の外囲器の上
にガラスを介して設けられた第２の外囲器と、前記第
１、第２の外囲器および前記ガラスにより封止され、前
記第１の外囲器の上に樹脂を介して設けられた半導体チ
ップと、前記ガラスに設けられた前記樹脂から発生する
ガスを入れるためのスペ−スとを具備することを特徴と
している。
解決するため、第１の外囲器と、前記第１の外囲器の上
にガラスを介して設けられた第２の外囲器と、前記第
１、第２の外囲器および前記ガラスにより封止され、前
記第１の外囲器の上に樹脂を介して設けられた半導体チ
ップと、前記ガラスに設けられた前記樹脂から発生する
ガスを入れるためのスペ−スとを具備することを特徴と
している。
【０００７】
【作用】この発明は、ガラスに樹脂から発生するガスを
入れるためのスペ−スを設けている。このため、半導体
チップを第１、第２の外囲器およびガラスにより封止す
る工程において熱が加えられた際、樹脂からガスが発生
しても、このガスは前記スペ−スに入るため、ガラスの
印刷パタ−ンに空洞が生じることがない。したがって、
ガラス封止型半導体装置において気密性不良の発生を防
止することができる。
入れるためのスペ−スを設けている。このため、半導体
チップを第１、第２の外囲器およびガラスにより封止す
る工程において熱が加えられた際、樹脂からガスが発生
しても、このガスは前記スペ−スに入るため、ガラスの
印刷パタ−ンに空洞が生じることがない。したがって、
ガラス封止型半導体装置において気密性不良の発生を防
止することができる。
【０００８】
【実施例】以下、図面を参照してこの発明の一実施例に
ついて説明する。
ついて説明する。
【０００９】図１は、この発明のガラス封止型半導体装
置を示す断面図である。セラミックからなる第１の外囲
器１１の中央部には凹部からなるチップ載置部１１ａが
設けられている。このチップ載置部１１ａの上にはポリ
イミドからなる樹脂１２を介して半導体チップ１３が設
けられている。前記第１の外囲器１１における周辺部１
１ｂの上には第１のガラス１４ａを介してインナ−リ−
ド１５が設けられている。このインナ−リ−ド１５の一
端はボンディングワイヤ１６により前記半導体チップ１
３と電気的に接続されており、前記インナ−リ−ド１５
の他端にはアウタ−リ−ド１７が設けられている。前記
インナ−リ−ド１５の上には第２のガラス１４ｂを介し
てセラミックからなる第２の外囲器１８が設けられてお
り、この外囲器１８の中央部には凹部１８ａが設けられ
ている。前記半導体チップ１３は、第１、第２の外囲器
１１、１８および第１、第２のガラス１４ａ、１４ｂに
より気密封止されている。
置を示す断面図である。セラミックからなる第１の外囲
器１１の中央部には凹部からなるチップ載置部１１ａが
設けられている。このチップ載置部１１ａの上にはポリ
イミドからなる樹脂１２を介して半導体チップ１３が設
けられている。前記第１の外囲器１１における周辺部１
１ｂの上には第１のガラス１４ａを介してインナ−リ−
ド１５が設けられている。このインナ−リ−ド１５の一
端はボンディングワイヤ１６により前記半導体チップ１
３と電気的に接続されており、前記インナ−リ−ド１５
の他端にはアウタ−リ−ド１７が設けられている。前記
インナ−リ−ド１５の上には第２のガラス１４ｂを介し
てセラミックからなる第２の外囲器１８が設けられてお
り、この外囲器１８の中央部には凹部１８ａが設けられ
ている。前記半導体チップ１３は、第１、第２の外囲器
１１、１８および第１、第２のガラス１４ａ、１４ｂに
より気密封止されている。
【００１０】図２は、図１に示すガラス封止型半導体装
置における第２の外囲器および第２のガラスの印刷パタ
−ンを示す平面図であり、図３は、図２に示す３−３線
に沿った断面図である。第２の外囲器１８における周辺
部１８ｂの上には第２のガラス１４ｂの印刷パタ−ン２
１が形成されている。この印刷パタ−ン２１は前記周辺
部１８ｂの上に複数のスペ−ス２２を有するものであ
る。このスペ−ス２２は、前記ガラス１４ａ、１４ｂに
より気密封止される際の温度が４５０℃程度の熱処理工
程において樹脂１２から発生されるガスを入れるための
ものである。
置における第２の外囲器および第２のガラスの印刷パタ
−ンを示す平面図であり、図３は、図２に示す３−３線
に沿った断面図である。第２の外囲器１８における周辺
部１８ｂの上には第２のガラス１４ｂの印刷パタ−ン２
１が形成されている。この印刷パタ−ン２１は前記周辺
部１８ｂの上に複数のスペ−ス２２を有するものであ
る。このスペ−ス２２は、前記ガラス１４ａ、１４ｂに
より気密封止される際の温度が４５０℃程度の熱処理工
程において樹脂１２から発生されるガスを入れるための
ものである。
【００１１】上記実施例によれば、半導体チップ１３を
第１、第２の外囲器１１、１８および第１、第２のガラ
ス１４ａ、１４ｂにより気密封止しており、前記第２の
ガラス１４ｂの印刷パタ−ン２１を図２に示す複数のス
ペ−ス２２を有するものとしている。このため、半導体
チップ１３を第１、第２のガラス１４ａ、１４ｂにより
気密封止する工程において温度が４５０℃程度の熱が加
えられることにより樹脂１２からガスが発生しても、こ
のガスがガラス封止している部分に広がることがない。
つまり、前記スペ−ス２２を形成することによって二重
構造とすることにより、前記ガスの広がりをコントロ−
ルすることができる。この結果、第２のガラス１４ｂに
おいて、従来のガラス封止型半導体装置のように前記ガ
スの圧力による空洞が発生することがない。したがっ
て、気密性不良の発生を防止することができ、ガラス封
止型半導体装置の信頼性を向上させることができる。
第１、第２の外囲器１１、１８および第１、第２のガラ
ス１４ａ、１４ｂにより気密封止しており、前記第２の
ガラス１４ｂの印刷パタ−ン２１を図２に示す複数のス
ペ−ス２２を有するものとしている。このため、半導体
チップ１３を第１、第２のガラス１４ａ、１４ｂにより
気密封止する工程において温度が４５０℃程度の熱が加
えられることにより樹脂１２からガスが発生しても、こ
のガスがガラス封止している部分に広がることがない。
つまり、前記スペ−ス２２を形成することによって二重
構造とすることにより、前記ガスの広がりをコントロ−
ルすることができる。この結果、第２のガラス１４ｂに
おいて、従来のガラス封止型半導体装置のように前記ガ
スの圧力による空洞が発生することがない。したがっ
て、気密性不良の発生を防止することができ、ガラス封
止型半導体装置の信頼性を向上させることができる。
【００１２】また、従来のガラス封止型半導体装置にお
いて気密性不良の発生を防止するためには、半導体チッ
プを第１、第２のガラスにより封止する前に、温度が４
５０℃程度の熱を加える工程を行うことにより樹脂から
ガスを発生させておき、この後、ガラス封止の工程を行
うことも考えられる。しかし、この場合、この発明のガ
ラス封止型半導体装置より工程が一つ増えることにな
る。したがって、この発明のガラス封止型半導体装置で
は、工程を増やすことなく、気密性不良の発生を防止す
ることができる。
いて気密性不良の発生を防止するためには、半導体チッ
プを第１、第２のガラスにより封止する前に、温度が４
５０℃程度の熱を加える工程を行うことにより樹脂から
ガスを発生させておき、この後、ガラス封止の工程を行
うことも考えられる。しかし、この場合、この発明のガ
ラス封止型半導体装置より工程が一つ増えることにな
る。したがって、この発明のガラス封止型半導体装置で
は、工程を増やすことなく、気密性不良の発生を防止す
ることができる。
【００１３】また、第１の外囲器１１における周辺部１
１ｂの上に第１のガラス１４ａを介してインナ−リ−ド
１５を設け、このインナ−リ−ド１５の上に複数のスペ
−ス２２を有する第２のガラス１４ｂを介して第２の外
囲器１８を設けている。すなわち、インナ−リ−ド１５
の相互間にスペ−ス２２を形成している。このため、イ
ンナ−リ−ド１５の相互間の容量、即ち線間容量を従来
のガラス封止型半導体装置の線間容量より低下させるこ
とができる。
１ｂの上に第１のガラス１４ａを介してインナ−リ−ド
１５を設け、このインナ−リ−ド１５の上に複数のスペ
−ス２２を有する第２のガラス１４ｂを介して第２の外
囲器１８を設けている。すなわち、インナ−リ−ド１５
の相互間にスペ−ス２２を形成している。このため、イ
ンナ−リ−ド１５の相互間の容量、即ち線間容量を従来
のガラス封止型半導体装置の線間容量より低下させるこ
とができる。
【００１４】尚、上記の実施例では、第２のガラス１４
ｂの印刷パタ−ン２１における複数のスペ−ス２２を図
２に示す形状としているが、第２のガラスの印刷パタ−
ンにおける複数のスペ−スを他の形状とすることも可能
である。
ｂの印刷パタ−ン２１における複数のスペ−ス２２を図
２に示す形状としているが、第２のガラスの印刷パタ−
ンにおける複数のスペ−スを他の形状とすることも可能
である。
【００１５】また、第１および第２の外囲器１１、１８
をセラミックにより形成しているが、第１および第２の
外囲器１１、１８を熱伝導の良い他の材料により形成す
ることも可能であり、例えばＡｌＮセラミックを用いる
ことも可能である。
をセラミックにより形成しているが、第１および第２の
外囲器１１、１８を熱伝導の良い他の材料により形成す
ることも可能であり、例えばＡｌＮセラミックを用いる
ことも可能である。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したようにこの発明によれば、
ガラスに樹脂から発生するガスを入れるためのスペ−ス
を設けている。したがって、ガラス封止型半導体装置に
おいて気密性不良の発生を防止することができる。
ガラスに樹脂から発生するガスを入れるためのスペ−ス
を設けている。したがって、ガラス封止型半導体装置に
おいて気密性不良の発生を防止することができる。
【図１】この発明のガラス封止型半導体装置を示す断面
図。
図。
【図２】この発明の図１に示すガラス封止型半導体装置
における第２の外囲器および第２のガラスの印刷パタ−
ンを示す平面図。
における第２の外囲器および第２のガラスの印刷パタ−
ンを示す平面図。
【図３】この発明の図２に示す３−３線に沿った断面
図。
図。
【図４】従来のガラス封止型半導体装置を示す断面図。
【図５】図４に示すガラス封止型半導体装置における第
２の外囲器および第２のガラスの印刷パタ−ンを示す平
面図。
２の外囲器および第２のガラスの印刷パタ−ンを示す平
面図。
【図６】図５に示す６−６線に沿った断面図。
11…第１の外囲器、11a …チップ載置部、11b …周辺
部、12…樹脂、13…半導体チップ、14a …第１のガラ
ス、14b …第２のガラス、15…インナ−リ−ド、16…ボ
ンディングワイヤ、17…アウタ−リ−ド、18…第２の外
囲器、18a …凹部、18b …周辺部、21…印刷パタ−ン、
22…スペ−ス
部、12…樹脂、13…半導体チップ、14a …第１のガラ
ス、14b …第２のガラス、15…インナ−リ−ド、16…ボ
ンディングワイヤ、17…アウタ−リ−ド、18…第２の外
囲器、18a …凹部、18b …周辺部、21…印刷パタ−ン、
22…スペ−ス
Claims (1)
- 【請求項１】 第１の外囲器と、 前記第１の外囲器の上にガラスを介して設けられた第２
の外囲器と、 前記第１、第２の外囲器および前記ガラスにより封止さ
れ、前記第１の外囲器の上に樹脂を介して設けられた半
導体チップと、 前記ガラスに設けられた前記樹脂から発生するガスを入
れるためのスペ−スと、 を具備することを特徴とするガラス封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50A JPH06236934A (ja) | 1993-02-09 | 1993-02-09 | ガラス封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50A JPH06236934A (ja) | 1993-02-09 | 1993-02-09 | ガラス封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06236934A true JPH06236934A (ja) | 1994-08-23 |
Family
ID=12045262
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50A Pending JPH06236934A (ja) | 1993-02-09 | 1993-02-09 | ガラス封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06236934A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015230937A (ja) * | 2014-06-04 | 2015-12-21 | Ｎｅｃスペーステクノロジー株式会社 | パッケージおよびパッケージの製造方法 |
| JP2019029468A (ja) * | 2017-07-28 | 2019-02-21 | セイコーインスツル株式会社 | パッケージ |
-
1993
- 1993-02-09 JP JP50A patent/JPH06236934A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015230937A (ja) * | 2014-06-04 | 2015-12-21 | Ｎｅｃスペーステクノロジー株式会社 | パッケージおよびパッケージの製造方法 |
| JP2019029468A (ja) * | 2017-07-28 | 2019-02-21 | セイコーインスツル株式会社 | パッケージ |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20010612 |