JPH06224275A - 分析試料作製装置及びその使用方法 - Google Patents
分析試料作製装置及びその使用方法Info
- Publication number
- JPH06224275A JPH06224275A JP5010888A JP1088893A JPH06224275A JP H06224275 A JPH06224275 A JP H06224275A JP 5010888 A JP5010888 A JP 5010888A JP 1088893 A JP1088893 A JP 1088893A JP H06224275 A JPH06224275 A JP H06224275A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- droplet
- semiconductor substrate
- solvent
- holder
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
〜7)とを備える。保持具101は溶剤液滴をウェーハ
W表面上に保持する。電源回路はウェーハWに接続する
第1の接点部及び上記液滴に接触する第2の接点部間に
電圧を印加する。電圧源回路を所定極性で金属不純物元
素の濃集処理にて用いれば、液滴内に電気化学反応が起
こり、光学研磨されたウェーハW上にメッキ原理で光学
的平坦性を保って金属不純物元素を選択吸着させ得る。
また、溶解回収処理で電圧源回路を使用すればウェーハ
表面に多孔質層が形成され、液滴とウェーハとの接触面
積が増加し、平坦なウェーハは殆ど溶解しない溶剤での
高速溶解を可能にする。 【作用】 Si結晶表面及び内部の極微量金属不純物の
多元素同時分析を定量性良く、高感度に行える。
Description
高純度材料からなる基板表面あるいは内部の遷移金属等
の微量不純物による汚染状態を分析するための分析試料
を作製する装置及びその使用方法に関するものである。
ずに導入された微量不純物は製品の歩留り・信頼性に悪
影響を及ぼす。そこで、デバイス製造プロセス及びウェ
ーハ製造プロセス等で受けた汚染量を分析し、管理する
必要がある。環境や洗浄工程などの低・常温状態で受け
た汚染については、その不純物元素の高感度分析法とし
ては、例えば、気相分解法(Vapor Phase Decompositio
n,以下、VPDと略す。)、全反射蛍光X線分析法(To
tal Reflection Energy-dispersive X-ray fluorescenc
e ,TREXと略す)が代表的なものとしてある。
toms/cm2 程度であるため、ウェーハ中に拡散し
てしまう、熱処理時に受けた汚染に係わる微量な不純物
分析を行うことはできない。
ク)の分析手段であるSIMSやGD/MSでは感度と
コストの面で問題がある。さらに、SIMSでは局所的
な分析しかできないため、例えば170cm2 以上の面
積を持つウェーハの情報としてはごく限られたものとな
ってしまう。
溶解液を分析する手段が考えられている。つまり、ウェ
ーハを溶解した溶液をウェーハ上にて乾燥することによ
り、TREXによる分析手法を用いるもので、高感度な
バルク分析が可能となる。
法に相当する。まず、分析作業の初めの段階として試料
作製を行う。ウェーハ表面の不純物を薬液により溶解
し、その回収液を乾燥させて濃縮試料を作製することと
なる。
し、これによってウェーハ表面の不純物を溶解させる。
その後、その溶解不純物を含有する液を回収し、この回
収液を凝縮・乾燥させることにより、その濃縮物を試料
として作製する。このような試料作製の後にTREXへ
と移る。
である。TREXは、金属原子にX線を当てるとその金
属原子特有の波長を持つ蛍光X線が励起される、という
性質を利用するもので、装置は、X線の照射を担う機構
と蛍光X線の検出分析を行う機構とに大きく別けられ
る。
り、その内部が測定室とされ、この測定室内に試料台4
02が配置されている。試料となるウェーハWは、この
試料台402上に固定された状態として試験される。4
03はX線源、404はモノクロメータであり、X線源
403から発射されたX線はモノクロメータ404に入
射し、その入射X線がモノクロメータ404により蛍光
X線の励起に適した波長に単色化される。試料台402
上のウェーハにはそのモノクロメータ404を介して単
色化されたX線が入射される。405はシンチレーショ
ンカウンタであり、このカウンタ405はウェーハWか
ら反射されたX線を検出し、その強度を示すデータを出
力する。406は試料台402を回転駆動するステップ
モータ、407は当該システム全体の制御を司るコンピ
ュータであって、コンピュータ407はカウンタ405
の出力データに基づいて試料台402上のウェーハWの
向きがX線の全反射角度となるようにステップモータ4
06を駆動制御する。
ドープされ且つ液体窒素で冷却されたSiからなるSS
D408が挿入され、ウェーハWにおいて励起された蛍
光X線は、このSSD408に入射する。SSD408
は、その蛍光X線の入射強度に応じて電流を発生する。
409は計数回路であり、SSD408の出力電流は、
この計数回路409によって、増幅され、A/D(アナ
ログ/ディジタル)変換された後に、各波長毎にその大
きさに応じてカウント動作する。そのカウント値は受信
した蛍光X線の各波長毎の強さを示すものとなる。その
データがコンピュータ407に与えられ、金属原子毎の
量を示すデータとして加工される。
による汚染状態を把握することができることとなる。
関するものであるが、ウェーハWの更に深い部分の汚染
度合いや深さ方向の不純物プロファイルの分析を行う場
合には、溶剤としてより濃度の高いものを使用し、ウェ
ーハW自体をも溶かすようにして試料を作製することに
より実現することができる。
料作製段階においてTREXに適した試料を必ずしも作
製することができないために、このことが分析結果の信
頼性を低下させている。
のである。図5(a)に示すようなウェーハW上の回収
液L0 を加熱・減圧等で乾燥させることにより全反射蛍
光X線分析のための試料の濃縮物を得るが、その濃縮物
にはSiO2 やH2 SiO3 等が残渣として残り、これ
が原因で図5(b)に示すように濃縮箇所に凹凸が出来
てX線全反射条件が満たされず、感度低下、定量性悪化
といった問題が発生している。
のためには不純物をそれだけ速く溶解させる薬液を使用
するのが望ましいが、そのような薬液を使用すると、溶
解処理終了後においてもウェーハ自体を高いレートで溶
解させてしまうため、ウェーハ上で試料の濃縮処理を行
うことができないという問題がある。なお、このような
問題の解決策として試料乾燥用のウェーハに上記溶解液
と反応しない平坦板を用いることも考えられる。しか
し、その洗浄や管理の負担、純度の低さ等の難点があ
る。
析法にあっては、試料の作製を良好に行うことができな
いことが分析処理結果の信頼性を低下させている。
解した後の回収液に含まれる不純物をTREXに適した
平坦な状態で乾燥濃縮させることができない、というも
のである。
く溶かすものを使用し、試料作製時間を短縮したいが、
余りにそのレートが高いとウェーハW上での被分析物の
濃縮を行えないために溶解速度を上げるにあたり限度が
あった。
題点に鑑みてなされたもので、その目的とするところの
一つは、TREXに適した平坦な不純物濃縮試料を作製
可能とする分析試料作製方法及び同装置の使用方法を提
供することにある。
等の高純度半導体材料の溶解速度の速いものを使わなく
とも高純度半導体材料の溶解速度を向上させることがで
きるようにすることにある。
置は、半導体基板の被分析物質に対して溶剤となる液滴
を上記半導体基板表面上に保持する液滴保持具と、この
液滴保持具へ上記液滴として溶剤を供給する溶剤供給器
具と、上記半導体基板に接続された第1の接点部及び上
記液滴に接触する第2の接点部を有し、この第1、第2
の接点部間に電圧を印加する電圧源回路とを備えてい
る。
体部を貫通しその一端部内面が液滴保持面とされている
液滴通路とを備えることにより実現することができる。
更に、その液滴保持面を半球状の曲面として形成するこ
とができる。また、液滴通路の他端部開口が液滴供給口
とすることができる。この液滴通路はその中間部におい
て液滴供給口に向かうほどこの液滴供給口の大きさと同
様の太さに広がる変径部を備える構成とすることもでき
る。
トにより構成される。そして、電圧源回路の第1の接点
部は例えば半導体基板に対するオーミック接合部材によ
り形成される。この電圧源回路の第2の接点部は溶剤に
よって溶解されない材質を有するのが望ましい。
面に対して水平方向にこの半導体基板を振動させる超音
波発信器、半導体基板面に対して水平方向に液滴保持具
を駆動する駆動手段、半導体基板表面の液滴保持具で保
持されている液滴の存在位置を照射するキャリア生成促
進用の光学系、液滴保持具により保持された液滴を形成
している溶剤をこの液滴保持具の液滴通路を通して抜取
る溶剤除去器具、半導体基板表面に滴下された液滴を加
熱する加熱手段などを備えることも可能である。
上記液滴保持具を用い電解液からなる溶剤を上記液滴と
して上記半導体基板表面上に保持した状態で、この半導
体基板表面上の被分析物質となる金属不純物を溶解さ
せ、かつその溶解液をこの半導体基板上に回収する段階
と、上記電圧源回路により電圧を印加することにより上
記半導体基板とその回収液との間に電気化学反応を発生
させ、その回収液内の上記金属不純物を上記半導体基板
表面に吸着させることにより、上記回収液をこの金属不
純物と残りの溶液とに分離させる段階と、上記残りの溶
液を上記半導体基板表面から除去することにより、この
半導体基板表面に上記金属不純物のみ残存させる段階と
を含んでおり、特に、金属不純物元素の濃集処理におい
て電圧源回路が液滴内に電気化学反応を起こさせる、換
言すればメッキの原理の応用により光学研磨された半導
体基板上に光学的平坦性を保って金属不純物元素を選択
吸着させ、X線全反射条件を満たした状態を形成してい
ることを特徴とする。
法は、液滴保持具を用い溶剤を上記液滴として上記半導
体基板表面上に保持すると同時に上記電圧源回路により
その液滴保持位置に多孔質層を形成させるように電圧を
印加した状態で、この半導体基板表面上の被分析物質と
なる金属不純物を溶解させ、かつその溶解液をこの半導
体基板上に回収する段階と、その回収液を加熱すること
により上記被分析物質を濃縮させる段階とを含んでお
り、特に、金属不純物元素の溶解回収処理において電圧
源回路が半導体基板表面に多孔質層を形成させ、液滴溶
剤と半導体基板との接触面積を増加させることにより光
学研磨された平坦な半導体基板はほとんど溶かさないよ
うな溶剤での溶解速度を向上させることを特徴とする。
部の極微量金属不純物の多元素同時分析を定量性良く行
うことが可能となる。
が物理的にそのまま状態にしておくとほとんど溶かさな
い溶剤によりウェーハWを高速で溶解させることができ
るため、分析処理時間の短縮を図れると同時にウェーハ
W上で試料作製を完了させることができる。
成、デバイス作製プロセスに組込めば結晶欠陥及びデバ
イスの歩留り・信頼性を左右する微量金属不純物の制御
が可能となり、ウェーハ材料及びデバイス特性向上に大
幅に寄与する。
つつ説明する。
である。この図において、101は液滴保持具であり、
その本体部102の材質は使用する溶液により異なる
が、その溶液により溶解されることのないものとされ
る。例えば、溶剤がHFの場合には本体部102はHF
によって溶かされないもの(例えばテフロン)により形
成される。この本体部102の中間部はフランジ状に形
成され、図示しないウェーハ表面走査機械の作業点への
取付け固定に供される。
に抜ける貫通孔からなる液滴通路103が設けられてい
る。104はマイクロピペットであり、溶液出入口とさ
れている液滴通路103の後端から、このマイクロピペ
ット104を用いて液滴通路103内に液滴を供給する
ようになっている。この液滴通路103はその中間部に
後端から先端に向うほど縮径するテーパ部を有し、この
テーパ部と先端部との間は当該テーパ部の小径部分と同
じ径を持つように形成されている。この液滴通路103
の先端部は液滴L1 をその表面張力の利用により保持す
るものであり、当該保持面となる内面は半球状に形成さ
れて面積が広げられ、その保持力増強が図られている。
この状態で液滴L1 はウェーハW上の被分析物質である
金属不純物等を溶解する。
は回路開閉スイッチである。直流電源105の−端子は
ウェーハWにオーミック接合等により接続され、電極1
06は同電源105の+端子にスイッチ107を介して
接続されている。この電極106は液滴通路103内に
その後端部より挿入され、液滴通路103の先端部にお
いて保持されている液滴L1 に接触する。これにより、
直流電源105、電極106、閉状態のスイッチ107
とウェーハWと液滴L1 とで電流回路が形成され、液滴
L1 内にイオンM+ となって含まれる金属不純物を電気
化学反応によりウェーハW表面に吸着させる。Mは吸着
した金属不純物である。以上のように構成された装置に
より分析試料の作製は例えば以下のように行われる。
5mmφのSiウェーハを用意し、これにアンモニア
水、過酸化水素水、水を容積比1:1:5で混合した水
溶液による15分間の洗浄(RCA洗浄、SC−1洗
浄)を施す。スピンドライヤ等によるそのリンサ乾燥後
のウェーハW(a)上に液滴保持具101を配置し、マ
イクロピペット104により液滴通路102の後端部か
ら矢印A1 の如く電解液溶剤(例えば希HF(1%))
の液滴(100μl)を供給する。これを液滴L1の如
く液滴通路103の先端部に保持し、その状態で上記走
査機械を作動させることにより、ウェーハW(a)の全
面を液滴L1 で走査し、この液滴L1 内にウェーハW
(a)の全面の金属不純物を溶解させる。なお、このと
き液滴保持具101は事前に酸中洗浄を施しており、液
滴保持具101に付着していた不純物によりウェーハW
の逆汚染は起こらず、しかも液滴L1 に保持具101に
付着していた不純物が溶け込むこともない。
支持しながらウェーハW(a)の例えば中央位置に移動
させ、スイッチ107を閉じて、保持具102内部に設
置されたPt電極106とウェーハW(a)との間に電
圧を印加する。このときの電圧は例えば基板側−4Vと
される。これによって、液滴L1 のHF電解液中を電流
が流れ、中に溶解する金属不純物M+ が電子を受取り、
電気化学吸着(いわゆるメッキ)が起こさせ、X線の全
反射条件を満たすような平坦な状態で不純物を濃集させ
る。
の原因となるH2 SiO3 等を含む溶液をマイクロピペ
ット104により矢印A2 で示すようにして除去し、ウ
ェーハW(b)の状態とする。このウェーハW(b)を
試料としてTREX測定を行う。MP は平坦に濃縮され
た不純物である。このウェーハW上の濃集点は10mm
φ以下が望ましい。
果を示す。まず、図2(a)は、Siウェーハのリンサ
乾燥の直後に、TREXにより汚染状態を直接測定した
結果を示している。この結果によりFeで12×1010
atms/cm2 の汚染があることがわかった。
いてTREXにより汚染状態を測定した結果であり、図
2(a)に示す結果に比べ、80倍近い強度比で感度良
く測定できることが判明した。
たが、上記試料作製法は基板の表面不純物の回収につい
てのみに限定されるものではない。不純物の溶剤を換え
ることで基板内部の不純物回収も可能である。例えば、
溶剤として弗硝酸またはアルカリ溶液を使用することに
より、Si基板自身を溶解させ、バルク結晶中の不純物
分析のための試料を作製することも可能である。
である。この図において、301は液滴保持具であり、
その本体部302の材質は、第1実施例と同様に、使用
する溶剤によって溶解されることのないもので、例えば
PTFE製とされる。本体部302の内部には後端部か
ら先端部に貫通する液滴通路303が設けられており、
この場合も液滴は図示しないマイクロピペットによって
溶液出入口とされている液滴通路303の後端から供給
される。
表面張力の利用により保持するものであり、当該保持面
となる内面は半球状に形成されてやはり面積が広げら
れ、その液滴保持力の増強が図られている。
ッチ、306,307は電極である。直流電源304の
+端子はスイッチ305を介して電極307に接続さ
れ、この電極307はウェーハWにオーミック接合等に
より接続する例えばタングステンカーバイト(WC)製
のピンにより形成されている。同電源304の−端子は
電極306に接続され、この電極306は液滴通路30
3内に挿入され、液滴通路303の先端部において保持
されている液滴L2 にその先端部全体が浸される。この
電極306の当該先端部はここではコイル状に形成され
て、その軸がウェーハWと平行な方向(すなわち、液滴
通路303の軸とは直交する方向)に延びるように配置
されている。以上により直流電源304、閉状態のスイ
ッチ305、電極306,307とウェーハWと液滴L
2 とで電気回路が形成される。この回路によってウェー
ハWが+、液滴L2 が−の電圧が印加され、ウェーハW
の液滴L2 が接する箇所の表面部には多孔質層(porous
層)Hが形成される。これは、そのウェーハW表面部の
SiとHFとが以下の化学式で表すように反応するため
である。すなわち、 Si+HF→SiF4 +H2 ↑ である。この現象についての詳細は例えば『Y.Arita e
t.al,J.Electrochem.Soc.,Feb,1977,P.285〜』に記載
されている。
柱状の超音波振動子308が密接固定されており、この
振動子308が水平方向に振動することで、その振動が
ウェーハWにダイレクトに伝導し、ウェーハWも水平方
向に振動する。
にはキセノン(Xe)ランプ309と集光レンズ310
とが配設されており、Xeランプ309の光がレンズ3
10によって収束され、その収束光が液滴通路303を
通してウェーハW上に照射されるようになっている。こ
れにより、ウェーハWがn型Siのときのホール発生手
段として機能するようになっている。
液からなる液滴L3 上には赤外線ランプ311が配置さ
れ、液滴L3 はこの赤外線ランプ311の熱により乾燥
され、溶解物質がウェーハW上において濃縮される。こ
のウェーハW上の濃集点は10mmφ以下が望ましい。
の装置による分析処理について説明する。
る限りきれいに洗浄し、表面の自然酸化膜などを希HF
等で除去し、疎水性表面にする。次に、液滴保持具30
1をウェーハW表面に0.5mmまで近付け、液滴通路
303へその上部から38%HF水溶液を150μl滴
下する。すると、前述のように液滴L2 は液滴通路30
3に吸込まれ、液滴保持具301を2mmまで持ち上げ
ても図3に示す如く液滴L2 は落ちない。
ーハWの裏面に接触するように超音波振動子308を設
置し、スイッチ305によりPt電極306とSiウェ
ーハWとの間に電位をもたせると同時に超音波をかけ
る。すると、HF102と接触しているSiウェーハ1
07表面は上記化学式で示される化学反応が生じ、条件
によっては数十μm深さの多孔質層Hが生じる。このと
き、SiF4 は液滴L2中に溶け、同時にSi中に含ま
れる金属不純物も溶け出す。
Bが生ずる。この気泡BはSiウェーハWに対して接触
角が大きく、それ自信の浮力に対して安定性が高いのに
加えて、そのまま存在すると、反応が阻害するため、こ
の気泡Bによる不具合が懸念される。だが、超音波振動
子308からの振動及び液滴保持具301の矢印A方向
への移動により、この気泡BはSiウェーハWより容易
に離すことができるためその心配はない。
平行に設置されていることで、多孔質層HのSi表面で
キャビテーションによりエロージョンを発生させるため
に、Siの溶解速度の加速効果をもたらすという利点が
ある。
以上の高清浄度空間にて行わなけれるのが望ましい。
切り、かつ超音波振動子308の振動を止めるか或いは
ウェーハWから引離す。すると、SiウェーハWの溶解
が停止する。ここで、液滴保持具301を多孔質層Hの
無い、鏡面状の所へ、液滴L2 と共に移動させる。移動
後、液滴保持具301を垂直に持ち上げるか、もしく
は、水平方向を軸として回転させ、全液滴L2 をウェー
ハW表面に滴下する。液滴L3 はその滴下された後の状
態を示している。そして、赤外線ランプ311によりそ
の液滴L2 の液体を蒸発・乾固させ、その乾燥位置(座
標)を記録しておく。
Wにおけるその乾燥位置においてTREX分析を行うこ
とにより、バルク中の金属不純物を高感度に測定でき
る。
が下表である。生のCZウェーハと清浄度の異なる拡散
炉で熱処理を行った後のものとを対象に試料作製を行
い、それぞれの分析処理を行ったものであり、高感度で
あることがサンプル差の顕著性により現れている。
まま状態にしておくとほとんど溶かさない溶剤によりウ
ェーハWを高速で溶解させることができるため、分析処
理時間の短縮を図れると同時にウェーハW上で試料作製
を完了させることができる。これにより、高感度多元素
分析が可能なTREXによるバルク分析が可能となる。
する必要がないため、例えば、深さ方向の不純物プロフ
ァイルやBGの低減が可能でもある。
たが、本発明はこれにも限定されるものではない。
移動面積とを適切に調整することにより、所望の面積の
Siウェーハのバルクの溶解が可能である。当然のこと
ながら、上記およびその他の諸条件を変えることによ
り、分析する深さや領域の変更が可能である。
れn型ウェーハにおけるホールの発生手段および液滴の
加熱乾燥手段に用いるものであるが、前者はレーザ等に
より、後者はヒータコイル等により代替が可能である。
また、液滴雰囲気の減圧手段を用いても効果がある。
F溶液は38%に限るものではない。特にHF溶液は濃
度が高い方が溶解速度の点で優れている。
ハとの界面で界面準位の少ない優れたショットキ接合を
得る手段を実現することができるが、このような効果に
悪影響を及ぼさない薬品(Si酸化剤や界面活性剤)で
あれば添加しても良い。例えば、H2 O2 やキレート剤
等を添加することにより、金属不純物の回収率を向上さ
せることも可能である。
ではないが、その溶剤の溶解能力と乾燥時間や乾燥痕面
積(φ1cm以下が望ましい)との関係から、最適量な
るものが得られる。
溶解しない材料での代替が可能であり、さらに電極を取
去り、超音波だけでもキャビテーションによる溶解が可
能であるが、この場合、酸化剤としてH2 O2 を添加し
た方が溶解し易い。さらに当然のことながら液滴保持具
の移動だけでも気泡は除去できる。
成した多孔質層は非常に反応性に富んでおり、まず多孔
質層を形成し、その後に実質的に多孔質層のみを溶解
し、その溶解液を上記方法にて分析するようにしても良
い。
導体用Si結晶表面及び内部の極微量金属不純物の多元
素同時分析を定量性良く行うことが可能となる。
れが物理的にそのまま状態にしておくとほとんど溶かさ
ない溶剤によりウェーハWを高速で溶解させることがで
きるため、分析処理時間の短縮を図れると同時にウェー
ハW上で試料作製を完了させることができる。
成、デバイス作製プロセスに組込めば結晶欠陥及びデバ
イスの歩留り・信頼性を左右する微量金属不純物の制御
が可能となり、ウェーハ材料及びデバイス特性向上に大
幅に寄与する。
システム構成を示す説明図。
TREXを行った結果を示す蛍光X線スペクトルの説明
図。
システム構成を示す説明図。
ム構成を示す説明図。
図。
Claims (6)
- 【請求項1】半導体基板の被分析物質に対して溶剤とな
る液滴を前記半導体基板表面上に保持する液滴保持具
と、 該液滴保持具へ前記液滴として溶剤を供給する溶剤供給
手段と、 前記半導体基板に接続された第1の接点部及び前記液滴
に接触する第2の接点部を有し、該第1、第2の接点部
間に電圧を印加する電圧源回路とを備えている分析試料
作製装置。 - 【請求項2】半導体基板面を振動させる超音波発振器を
備えていることを特徴とする請求項1〜8のうちいずれ
か1項記載の分析試料作製装置。 - 【請求項3】半導体基板表面の液滴保持具で保持されて
いる液滴の存在位置を照射するキャリア生成促進用の光
学系を備えていることを特徴とする請求項1〜11のう
ちいずれか1項記載の分析試料作製装置。 - 【請求項4】半導体基板表面に滴下された液滴を蒸発・
乾固する乾燥手段を備えていることを特徴とする請求項
1〜3のうちいずれか1項記載の分析試料作製装置。 - 【請求項5】半導体基板の被分析物質に対して溶剤とな
る液滴を前記半導体基板表面上に保持する液滴保持具
と、 該液滴保持具へ前記液滴として溶剤を供給する溶剤供給
器具と、 前記半導体基板に接続された第1の接点部及び前記液滴
に接触する第2の接点部を有し、該第1、第2の接点部
間に電圧を印加する電圧源回路とを備えている分析試料
作製装置を使用する方法であって、 前記液滴保持具を用い電解液からなる溶剤を前記液滴と
して前記半導体基板表面上に保持した状態で、該半導体
基板表面上の被分析物質となる金属不純物を溶解させ、
かつその溶解液を該半導体基板上に回収する段階と、 前記電圧源回路により電圧を印加することにより前記半
導体基板とその回収液との間に電気化学反応を発生さ
せ、その回収液内の前記金属不純物を前記半導体基板表
面に吸着させることにより、前記回収液を該金属不純物
と残りの溶液とに分離させる段階と、 前記残りの溶液を前記半導体基板表面から除去すること
により、該半導体基板表面に前記金属不純物のみ残存さ
せる段階とを含んでいる分析試料作製装置の使用方法。 - 【請求項6】半導体基板の被分析物質に対して溶剤とな
る液滴を前記半導体基板表面上に保持する液滴保持具
と、 該液滴保持具へ前記液滴として溶剤を供給する溶剤供給
器具と、 前記半導体基板に接続された第1の接点部及び前記液滴
に接触する第2の接点部を有し、該第1、第2の接点部
間に電圧を印加する電圧源回路とを備えている分析試料
作製装置を使用する方法であって、 前記液滴保持具を用い溶剤を前記液滴として前記半導体
基板表面上に保持すると同時に前記電圧源回路によりそ
の液滴保持位置に多孔質層を形成させるように電圧を印
加した状態で、該半導体基板表面上の被分析物質となる
金属不純物を溶解させ、かつその溶解液を該半導体基板
上に回収する段階と、 その回収液を加熱することにより前記被分析物質を濃縮
させる段階とを含んでいる分析試料作製装置の使用方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP01088893A JP3332439B2 (ja) | 1993-01-26 | 1993-01-26 | 分析試料作製装置及びその使用方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP01088893A JP3332439B2 (ja) | 1993-01-26 | 1993-01-26 | 分析試料作製装置及びその使用方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06224275A true JPH06224275A (ja) | 1994-08-12 |
JP3332439B2 JP3332439B2 (ja) | 2002-10-07 |
Family
ID=11762863
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP01088893A Expired - Lifetime JP3332439B2 (ja) | 1993-01-26 | 1993-01-26 | 分析試料作製装置及びその使用方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3332439B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0915174A (ja) * | 1995-06-30 | 1997-01-17 | Nec Corp | 薬品分析方法および薬品分析用前処理装置 |
JP2005291823A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Horiba Ltd | 液体試料の濃縮方法及び濃縮用保持台とそれを用いた微量元素分析方法 |
JP2005303319A (ja) * | 2004-04-13 | 2005-10-27 | Fei Co | 微細構造を改修するためのシステム |
JP2010040548A (ja) * | 2008-07-31 | 2010-02-18 | Nas Giken:Kk | 基板処理方法と基板処理装置と液滴保持治具 |
TWI796425B (zh) * | 2018-01-31 | 2023-03-21 | 日商富士軟片股份有限公司 | 分析方法、藥液及藥液的製造方法 |
-
1993
- 1993-01-26 JP JP01088893A patent/JP3332439B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0915174A (ja) * | 1995-06-30 | 1997-01-17 | Nec Corp | 薬品分析方法および薬品分析用前処理装置 |
JP2005291823A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Horiba Ltd | 液体試料の濃縮方法及び濃縮用保持台とそれを用いた微量元素分析方法 |
JP4522739B2 (ja) * | 2004-03-31 | 2010-08-11 | 株式会社堀場製作所 | 液体試料の濃縮方法及び濃縮用保持台とそれを用いた微量元素分析方法 |
JP2005303319A (ja) * | 2004-04-13 | 2005-10-27 | Fei Co | 微細構造を改修するためのシステム |
JP2010040548A (ja) * | 2008-07-31 | 2010-02-18 | Nas Giken:Kk | 基板処理方法と基板処理装置と液滴保持治具 |
TWI796425B (zh) * | 2018-01-31 | 2023-03-21 | 日商富士軟片股份有限公司 | 分析方法、藥液及藥液的製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3332439B2 (ja) | 2002-10-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2944099B2 (ja) | 不純物の測定方法及び不純物の回収装置 | |
JP3116871B2 (ja) | 半導体基板表面分析の前処理方法及びその装置 | |
JP2008160127A (ja) | ウエハ汚染物質の分析装置及び分析方法 | |
JP3179175B2 (ja) | 分析前処理方法 | |
JP2000077381A (ja) | エッチング方法、エッチング装置、及び分析方法 | |
JP3332439B2 (ja) | 分析試料作製装置及びその使用方法 | |
Chase et al. | Jet Polishing of Semiconductors: I. Automatic Jet Thinning of for Transmission Electron Microscopy | |
JP4450117B2 (ja) | シリコン基板洗浄用超純水の水質評価方法 | |
JPH05283498A (ja) | 半導体基板表面不純物回収装置およびその使用方法 | |
JPH08160032A (ja) | 半導体基板表面の不純物分析方法 | |
US6995091B2 (en) | Process for chemically mechanically polishing wafers | |
KR102226471B1 (ko) | 기판 검사기의 시료 용액 샘플링 방법 및 그 장치 | |
JPH07161791A (ja) | 半導体基板の不純物分析方法 | |
JP4732908B2 (ja) | 基板処理方法と基板処理装置 | |
JP2004347543A (ja) | 半導体ウエハの評価方法およびその評価装置 | |
JP2001242052A (ja) | 半導体基板又は薬品の不純物分析方法 | |
JP2003142542A (ja) | 半導体ウエハ表面不純物の回収方法および回収装置 | |
JPH11316220A (ja) | 金属中微量元素の高精度分析方法および装置 | |
US5055413A (en) | Method of measuring impurities in oxide films using a meltable sample collection stick | |
JP4003032B2 (ja) | 半導体ウェーハの評価方法 | |
JP4204434B2 (ja) | ウェーハ周辺部の被測定物を回収する方法および装置 | |
JPH10332554A (ja) | 表面不純物測定方法 | |
JP3365461B2 (ja) | 表面処理方法及びその装置 | |
JP2000065712A (ja) | 走査トンネル顕微鏡の銀探針製作方法 | |
JPH09318507A (ja) | 表面汚染物質の回収方法および回収装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080726 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090726 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090726 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100726 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110726 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120726 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130726 Year of fee payment: 11 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130726 Year of fee payment: 11 |