JPH0915174A - 薬品分析方法および薬品分析用前処理装置 - Google Patents
薬品分析方法および薬品分析用前処理装置Info
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- JPH0915174A JPH0915174A JP7165572A JP16557295A JPH0915174A JP H0915174 A JPH0915174 A JP H0915174A JP 7165572 A JP7165572 A JP 7165572A JP 16557295 A JP16557295 A JP 16557295A JP H0915174 A JPH0915174 A JP H0915174A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 薬品、特に硫酸などの高沸点薬品中の不純物
の分析法、および分析のための前処理装置において、
０．０１ｐｐｂ以下の分析が行え、前処理操作が短時間
で簡便に行え、かつ安全性を向上させた薬品分析法と分
析用前処理装置を提供する。 【構成】 減圧にした密閉容器中に設置した清浄表面を
有するシリコンウェハ表面に載せた薬品を加熱蒸発させ
た後、当該ウェハ表面にフッ酸を含む回収液を微少量滴
下してウェハ表面を隅なく走査することにより蒸発残渣
を回収し、当該回収液中の不純物成分を高感度分析装置
で分析することにより薬品中の不純物を分析する。
の分析法、および分析のための前処理装置において、
０．０１ｐｐｂ以下の分析が行え、前処理操作が短時間
で簡便に行え、かつ安全性を向上させた薬品分析法と分
析用前処理装置を提供する。 【構成】 減圧にした密閉容器中に設置した清浄表面を
有するシリコンウェハ表面に載せた薬品を加熱蒸発させ
た後、当該ウェハ表面にフッ酸を含む回収液を微少量滴
下してウェハ表面を隅なく走査することにより蒸発残渣
を回収し、当該回収液中の不純物成分を高感度分析装置
で分析することにより薬品中の不純物を分析する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薬品、特に硫酸などの
高弗点薬品中の不純物の分析法、および分析のための前
処理装置に関する。
高弗点薬品中の不純物の分析法、および分析のための前
処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩの高集積化に伴い、製造プロセス
で使用される材料の高純度化が重要になってきている。
ウェハ洗浄工程で使用される薬品の純度は、ウェハの最
終的な清浄度を左右するため、特に高純度であることが
要求される。例えば、金属不純物の場合、今後の超高集
積デバイスの製造で使用される薬品では、１ｐｐｂ、あ
るいは０．１ｐｐｂ以下に抑える必要がある。そのため
には、これらの濃度以下の不純物を分析できる薬品の分
析法が必要になる。
で使用される材料の高純度化が重要になってきている。
ウェハ洗浄工程で使用される薬品の純度は、ウェハの最
終的な清浄度を左右するため、特に高純度であることが
要求される。例えば、金属不純物の場合、今後の超高集
積デバイスの製造で使用される薬品では、１ｐｐｂ、あ
るいは０．１ｐｐｂ以下に抑える必要がある。そのため
には、これらの濃度以下の不純物を分析できる薬品の分
析法が必要になる。
【０００３】薬品中の不純物は、原子吸光，ＩＣＰ−Ｍ
Ｓなどの高感度分析装置で分析されるが、マトリックス
の影響で、直接分析装置に導入することは困難であり、
前処理操作によりマトリックス成分を除去した後に分析
される。従来、前処理法として薬品をテフロンや石英の
容器に薬品を入れ、加熱して蒸発濃縮する方法が一般的
に用いられている。硫酸などの高弗点薬品については、
たとえば、特開昭６２−０４１７０３号公報に記載され
ているように、蒸発温度の低温化や蒸発速度向上を図る
ために減圧下で加熱濃縮する前処理装置と分析法が用い
られている。
Ｓなどの高感度分析装置で分析されるが、マトリックス
の影響で、直接分析装置に導入することは困難であり、
前処理操作によりマトリックス成分を除去した後に分析
される。従来、前処理法として薬品をテフロンや石英の
容器に薬品を入れ、加熱して蒸発濃縮する方法が一般的
に用いられている。硫酸などの高弗点薬品については、
たとえば、特開昭６２−０４１７０３号公報に記載され
ているように、蒸発温度の低温化や蒸発速度向上を図る
ために減圧下で加熱濃縮する前処理装置と分析法が用い
られている。
【０００４】従来の前処理装置は図６に示すように、硫
酸２０を入れた濃縮槽２１，加熱装置２２，冷却部２
３，受槽２４および真空ポンプへの接続口である減圧口
２５から構成され、減圧した濃縮槽２１内で硫酸２０の
蒸発濃縮が行えるようになっており、蒸発濃縮後の濃縮
槽２１内の残渣を回収液で回収した後、回収液中の不純
物を前記分析装置で分析していた。
酸２０を入れた濃縮槽２１，加熱装置２２，冷却部２
３，受槽２４および真空ポンプへの接続口である減圧口
２５から構成され、減圧した濃縮槽２１内で硫酸２０の
蒸発濃縮が行えるようになっており、蒸発濃縮後の濃縮
槽２１内の残渣を回収液で回収した後、回収液中の不純
物を前記分析装置で分析していた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来技術においては、
以下のような問題点があった。すなわち １）従来の濃縮容器や濃縮槽の材質（石英，テフロンな
ど）では、回収液が広がってしまうために蒸発残渣の回
収率を良くするためには比較的多量（数ｍｌ程度）の回
収液が必要で、高倍率の濃縮を行うためには多量（１０
０ｍｌ程度）の薬品を濃縮する必要があった。結果とし
て、濃縮に長時間を要し、かつその間に雰囲気等からの
汚染の可能性が高くなっていた。 ２）図６の濃縮装置のように、濃縮槽を加熱装置で加熱
する方式では、加熱された薬品が突沸する危険性があ
り、それを防止するために濃縮槽回転式蒸留装置を用い
るなど装置が複雑化，大型化していた。また、蒸発した
硫酸が加熱装置に接していない濃縮槽部分や配管系で凝
結し環流するために、当該部分を保温材で被覆するとと
もに全体を高温にする必要があった。このため、装置の
取り扱いが煩雑になり、また、蒸発濃縮後の装置の冷却
に長時間を要するだけでなく、安全上も問題があった。
以下のような問題点があった。すなわち １）従来の濃縮容器や濃縮槽の材質（石英，テフロンな
ど）では、回収液が広がってしまうために蒸発残渣の回
収率を良くするためには比較的多量（数ｍｌ程度）の回
収液が必要で、高倍率の濃縮を行うためには多量（１０
０ｍｌ程度）の薬品を濃縮する必要があった。結果とし
て、濃縮に長時間を要し、かつその間に雰囲気等からの
汚染の可能性が高くなっていた。 ２）図６の濃縮装置のように、濃縮槽を加熱装置で加熱
する方式では、加熱された薬品が突沸する危険性があ
り、それを防止するために濃縮槽回転式蒸留装置を用い
るなど装置が複雑化，大型化していた。また、蒸発した
硫酸が加熱装置に接していない濃縮槽部分や配管系で凝
結し環流するために、当該部分を保温材で被覆するとと
もに全体を高温にする必要があった。このため、装置の
取り扱いが煩雑になり、また、蒸発濃縮後の装置の冷却
に長時間を要するだけでなく、安全上も問題があった。
【０００６】本発明の目的は、以上述べた従来の課題を
解決するためになされたもので、前処理操作が迅速，簡
便，安全に、かつ分析が高感度に行える薬品分析法と薬
品分析用前処理装置を提供することにある。
解決するためになされたもので、前処理操作が迅速，簡
便，安全に、かつ分析が高感度に行える薬品分析法と薬
品分析用前処理装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る薬品分析法は、減圧した密閉容器中に
清浄表面を有するシリコンウェハを設置し、該ウェハの
表面に載せた薬品を加熱蒸発させ、その後、該ウェハ表
面にフッ酸を含む回収液を微少量滴下してウェハ表面を
隅なく走査することにより蒸発残渣を回収し、該回収液
を分析することにより薬品中の不純物を分析するもので
ある。
め、本発明に係る薬品分析法は、減圧した密閉容器中に
清浄表面を有するシリコンウェハを設置し、該ウェハの
表面に載せた薬品を加熱蒸発させ、その後、該ウェハ表
面にフッ酸を含む回収液を微少量滴下してウェハ表面を
隅なく走査することにより蒸発残渣を回収し、該回収液
を分析することにより薬品中の不純物を分析するもので
ある。
【０００８】またシリコンウェハの上方に設置した赤外
線ヒーターにより薬品を加熱するものである。
線ヒーターにより薬品を加熱するものである。
【０００９】また本発明に係る薬品分析用前処理装置
は、密閉容器と、真空ポンプと加熱制御部とを有する薬
品分析用前処理装置であって、密閉容器は、薬品を載せ
るためのシリコンウェハとシリコンウェハを加熱するた
めの加熱器が内部に設置されたものであり、真空ポンプ
は、冷却部を介して前記密閉容器に接続されたものであ
り、加熱制御部は、加熱器の調温を制御するものであ
る。
は、密閉容器と、真空ポンプと加熱制御部とを有する薬
品分析用前処理装置であって、密閉容器は、薬品を載せ
るためのシリコンウェハとシリコンウェハを加熱するた
めの加熱器が内部に設置されたものであり、真空ポンプ
は、冷却部を介して前記密閉容器に接続されたものであ
り、加熱制御部は、加熱器の調温を制御するものであ
る。
【００１０】また本発明に係る薬品分析用前処理装置
は、密閉容器と、真空ポンプ、赤外線ヒータと、加熱制
御部とを有する薬品分析用前処理装置であって、密閉容
器は、薬品を載せるためのシリコンウェハ，シリコンウ
ェハ用架台が内部に設置されたものであり、真空ポンプ
は、冷却部を介して当該密閉容器に接続されたものであ
り、赤外線ヒータは、シリコンウェハの上方に設置され
たものであり、加熱制御部は、前記ヒータの調温を制御
するものである。
は、密閉容器と、真空ポンプ、赤外線ヒータと、加熱制
御部とを有する薬品分析用前処理装置であって、密閉容
器は、薬品を載せるためのシリコンウェハ，シリコンウ
ェハ用架台が内部に設置されたものであり、真空ポンプ
は、冷却部を介して当該密閉容器に接続されたものであ
り、赤外線ヒータは、シリコンウェハの上方に設置され
たものであり、加熱制御部は、前記ヒータの調温を制御
するものである。
【００１１】また冷却管と冷却管で凝結した薬品を捕集
するための捕集容器を密閉容器内部に有するものであ
る。
するための捕集容器を密閉容器内部に有するものであ
る。
【００１２】
【作用】シリコンウェハ表面は撥水性が高く、該表面に
滴下したフッ酸を含む回収液は球状に固まり、かつ固ま
った状態でシリコンウェハ表面を円滑に動く。また回収
液は蒸発残渣の溶解性が高く、高い回収率が得られる。
従って、回収液をシリコンウェハ表面に滴下して隅なく
走査すれば、その回収液の量は微少量でも蒸発残渣は全
量回収できる。このため、濃縮する薬品の量は少なくて
も高倍率の濃縮が行える。
滴下したフッ酸を含む回収液は球状に固まり、かつ固ま
った状態でシリコンウェハ表面を円滑に動く。また回収
液は蒸発残渣の溶解性が高く、高い回収率が得られる。
従って、回収液をシリコンウェハ表面に滴下して隅なく
走査すれば、その回収液の量は微少量でも蒸発残渣は全
量回収できる。このため、濃縮する薬品の量は少なくて
も高倍率の濃縮が行える。
【００１３】清浄表面を有するシリコンウェハを濃縮容
器に用いて減圧下で濃縮すれば、硫酸などの高弗点薬品
でも比較的低温で迅速な濃縮が可能で、雰囲気等からも
汚染も少なくなるため高感度の分析が行える。また、シ
リコンウェハ、あるいはウェハ表面の薬品を加熱するだ
けでよいため、装置全体が高温になることはない。薬品
を上方から赤外線ヒーターで加熱すると、非沸騰蒸発し
突沸する危険性がない。
器に用いて減圧下で濃縮すれば、硫酸などの高弗点薬品
でも比較的低温で迅速な濃縮が可能で、雰囲気等からも
汚染も少なくなるため高感度の分析が行える。また、シ
リコンウェハ、あるいはウェハ表面の薬品を加熱するだ
けでよいため、装置全体が高温になることはない。薬品
を上方から赤外線ヒーターで加熱すると、非沸騰蒸発し
突沸する危険性がない。
【００１４】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【００１５】（実施例１）図１，図２は本発明の実施例
１を示す図である。図において密閉容器１の内部に設置
されたホットプレート２上にシリコンウェハ３を載せ、
ウェハ３の表面上に一定量の薬品４を載せる。密閉容器
１は真空ポンプ接続口５で冷却部６を介して真空ポンプ
７と接続されている。
１を示す図である。図において密閉容器１の内部に設置
されたホットプレート２上にシリコンウェハ３を載せ、
ウェハ３の表面上に一定量の薬品４を載せる。密閉容器
１は真空ポンプ接続口５で冷却部６を介して真空ポンプ
７と接続されている。
【００１６】真空ポンプ７を作動させ、密閉容器１内部
を減圧にし、ホットプレート２によりシリコンウェハ３
を加熱し、薬品４を蒸発濃縮する。
を減圧にし、ホットプレート２によりシリコンウェハ３
を加熱し、薬品４を蒸発濃縮する。
【００１７】蒸発乾固後、図２に示すようにシリコンウ
ェハ３の表面上に微少量の回収液８を滴下し、ウェハ表
面上を例えば実線で示すような軌跡で隅なく走査して蒸
発残渣９を溶解・回収し、回収液８中の不純物を分析装
置で分析する。
ェハ３の表面上に微少量の回収液８を滴下し、ウェハ表
面上を例えば実線で示すような軌跡で隅なく走査して蒸
発残渣９を溶解・回収し、回収液８中の不純物を分析装
置で分析する。
【００１８】密閉容器１は、操作性を向上させるために
摺り合わせ接合部１０で上下に分離できるようになって
いる。その上部は内壁面で凝結した薬品がシリコンウェ
ハ３の表面に滴下しないように上方に凸の構造を有して
おり、また作業しやすいように取手１１を有している。
真空ポンプ接続口５と真空ポンプ７の間には、薬品蒸気
を冷却捕集するための冷却部６と捕集容器１２が設置さ
れている。減圧された装置内を大気圧に戻すときには密
閉容器１に設けられた減圧開放バルブ１３を開放する。
ホットプレート２の温度はホットプレート制御部１４で
制御される。
摺り合わせ接合部１０で上下に分離できるようになって
いる。その上部は内壁面で凝結した薬品がシリコンウェ
ハ３の表面に滴下しないように上方に凸の構造を有して
おり、また作業しやすいように取手１１を有している。
真空ポンプ接続口５と真空ポンプ７の間には、薬品蒸気
を冷却捕集するための冷却部６と捕集容器１２が設置さ
れている。減圧された装置内を大気圧に戻すときには密
閉容器１に設けられた減圧開放バルブ１３を開放する。
ホットプレート２の温度はホットプレート制御部１４で
制御される。
【００１９】なお回収液８にはフッ酸溶液が用いられ、
フッ酸の濃度は前処理の過程でシリコンウェハ３表面に
生成した酸化膜を溶解するのに十分な濃度（例えば、
０．５％以上）で、かつ分析装置の分析で問題にならな
い程度の濃度（例えば、５％以下）の範囲内であればよ
い。また金，銀，銅などのシリコンより貴重な元素を分
析する場合には、フッ酸に過酸化水素などの酸化剤を添
加した回収液を用いる。
フッ酸の濃度は前処理の過程でシリコンウェハ３表面に
生成した酸化膜を溶解するのに十分な濃度（例えば、
０．５％以上）で、かつ分析装置の分析で問題にならな
い程度の濃度（例えば、５％以下）の範囲内であればよ
い。また金，銀，銅などのシリコンより貴重な元素を分
析する場合には、フッ酸に過酸化水素などの酸化剤を添
加した回収液を用いる。
【００２０】図１の前処理装置で硫酸を蒸発濃縮し、本
発明の分析法により金属不純物を分析したときの結果の
一例を以下に示す。
発明の分析法により金属不純物を分析したときの結果の
一例を以下に示す。
【００２１】６インチシリコンウェハ上に１０ｍｌの硫
酸を載せ、ホットプレートの温度約２００℃，真空度約
２０Ｔｏｒｒの条件で濃縮したとき約１０分で濃縮が完
了した。５％フッ酸０．２ｍｌを回収液に用いて蒸発残
渣を回収（濃縮倍率５０倍）した後、黒煙炉原子吸光装
置で金属不純物を分析したときの分析感度は、例えば分
析元素が鉄の場合の検出下限値は０．０１ｐｐｂだっ
た。
酸を載せ、ホットプレートの温度約２００℃，真空度約
２０Ｔｏｒｒの条件で濃縮したとき約１０分で濃縮が完
了した。５％フッ酸０．２ｍｌを回収液に用いて蒸発残
渣を回収（濃縮倍率５０倍）した後、黒煙炉原子吸光装
置で金属不純物を分析したときの分析感度は、例えば分
析元素が鉄の場合の検出下限値は０．０１ｐｐｂだっ
た。
【００２２】従来の減圧濃縮法で検出下限値０．０１ｐ
ｐｂ程度の分析感度を得るためには硫酸１００ｍｌ程度
を濃縮する必要があった。本発明の分析法によれば、薬
品の濃縮量は１０分の１程度で良く、濃縮時間も１桁程
度短縮できた。また、加熱されるのはシリコンウェハ３
に限定され、局所的であるため装置操作性，作業性、お
よび安全性が著しく向上した。
ｐｂ程度の分析感度を得るためには硫酸１００ｍｌ程度
を濃縮する必要があった。本発明の分析法によれば、薬
品の濃縮量は１０分の１程度で良く、濃縮時間も１桁程
度短縮できた。また、加熱されるのはシリコンウェハ３
に限定され、局所的であるため装置操作性，作業性、お
よび安全性が著しく向上した。
【００２３】（実施例２）図３は本発明の実施例２に係
る前処理装置の密閉容器部分を示す断面図である。図１
に示した前処理装置との違いは、シリコンウェハ３をウ
ェハ架台１５に載せ、加熱源としてホットプレート２の
代わりシリコンウェハ３上に設けた赤外線ヒーター１６
を用いている。また赤外線ヒーター１６を制御する制御
部１７が設置されている。
る前処理装置の密閉容器部分を示す断面図である。図１
に示した前処理装置との違いは、シリコンウェハ３をウ
ェハ架台１５に載せ、加熱源としてホットプレート２の
代わりシリコンウェハ３上に設けた赤外線ヒーター１６
を用いている。また赤外線ヒーター１６を制御する制御
部１７が設置されている。
【００２４】図１の装置では、薬品４がシリコンウェハ
３を介して加熱されるため、突沸することがあったが、
図３の装置では、薬品が赤外線ヒーター１６により加熱
され表面から徐々に蒸発する、いわゆる非沸騰蒸発によ
り蒸発するため突沸を抑えることができた。赤外線ヒー
ター１６の強度を調整することにより、実施例１の場合
と同様の性能が達成できた。
３を介して加熱されるため、突沸することがあったが、
図３の装置では、薬品が赤外線ヒーター１６により加熱
され表面から徐々に蒸発する、いわゆる非沸騰蒸発によ
り蒸発するため突沸を抑えることができた。赤外線ヒー
ター１６の強度を調整することにより、実施例１の場合
と同様の性能が達成できた。
【００２５】赤外線ヒーター１６は、図３の装置では密
閉容器１内に組み込まれているが、密閉容器１の構造等
の改善により十分な加熱性能が得られるのであれば、取
り扱い性を考慮して密閉容器１外に設置されるものでも
良い。また、形状，大きさ、および設置位置は、シリコ
ンウェハ３上の薬品４のみを効率的に加熱できるものが
良い。
閉容器１内に組み込まれているが、密閉容器１の構造等
の改善により十分な加熱性能が得られるのであれば、取
り扱い性を考慮して密閉容器１外に設置されるものでも
良い。また、形状，大きさ、および設置位置は、シリコ
ンウェハ３上の薬品４のみを効率的に加熱できるものが
良い。
【００２６】（実施例３）図４は本発明の実施例３に係
る前処理装置を側面から見た断面図、図５は正面から見
た断面図である。図３に示した前処理装置と比較して、
密閉容器１内に薬品蒸気を冷却捕集するための冷却管１
８と捕集容器１９が設置されている。
る前処理装置を側面から見た断面図、図５は正面から見
た断面図である。図３に示した前処理装置と比較して、
密閉容器１内に薬品蒸気を冷却捕集するための冷却管１
８と捕集容器１９が設置されている。
【００２７】冷却管１８は、２本の赤外線ヒーター１６
間に設置され、冷却水を流せる構造になっている。ま
た、果報に凸の構造を有しており、冷却管１９で凝結し
た薬品は下端から滴下し、下に設けられた捕集容器１９
で捕集される構成にすることにより、凝結した薬品がシ
リコンウェハ３表面に滴下するのを防止できた。
間に設置され、冷却水を流せる構造になっている。ま
た、果報に凸の構造を有しており、冷却管１９で凝結し
た薬品は下端から滴下し、下に設けられた捕集容器１９
で捕集される構成にすることにより、凝結した薬品がシ
リコンウェハ３表面に滴下するのを防止できた。
【００２８】シリコンウェハ３上で発生した薬品蒸気は
真空ポンプ接続口５の方向へ流れ込む。従って、薬品蒸
気の捕集効率を上げるためには、冷却管１８の設置位置
は、薬品蒸気の流れる方向の途中、すなわち、シリコン
ウェハ３と真空ポンプ接続口５を結ぶ線上の途中にある
ことが好ましい。このことを考慮して、図４の装置で
は、真空ポンプ接続口５は、密閉容器１の上部で、かつ
近傍で凝結した薬品がシリコンウェハ３に滴下しない位
置に設けられている。
真空ポンプ接続口５の方向へ流れ込む。従って、薬品蒸
気の捕集効率を上げるためには、冷却管１８の設置位置
は、薬品蒸気の流れる方向の途中、すなわち、シリコン
ウェハ３と真空ポンプ接続口５を結ぶ線上の途中にある
ことが好ましい。このことを考慮して、図４の装置で
は、真空ポンプ接続口５は、密閉容器１の上部で、かつ
近傍で凝結した薬品がシリコンウェハ３に滴下しない位
置に設けられている。
【００２９】実施例１や実施例２の前処理装置では、シ
リコンウェハ４表面から蒸発した薬品蒸気が密閉容器１
内面で凝結し付着するため、操作性が悪くなるが、実施
例３の前処理装置に示す構造にすることにより、この問
題が解決された。
リコンウェハ４表面から蒸発した薬品蒸気が密閉容器１
内面で凝結し付着するため、操作性が悪くなるが、実施
例３の前処理装置に示す構造にすることにより、この問
題が解決された。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように本発明の薬品分析
法、および薬品分析用前処理装置によれば、従来の減圧
濃縮法に比較して、薬品の濃縮度が１０分の１程度で良
く、濃縮時間を１桁程度短縮できる。また加熱がシリコ
ンウェハ、あるいはウェハ表面の薬品に限定され局所的
であるため、装置操作性，作業性および安全性を著しく
向上できる。また赤外線ヒーターを用いて非沸騰蒸発さ
せるために、薬品が突沸する危険性もなく装置構成を単
純化でき、作業性を向上できる。
法、および薬品分析用前処理装置によれば、従来の減圧
濃縮法に比較して、薬品の濃縮度が１０分の１程度で良
く、濃縮時間を１桁程度短縮できる。また加熱がシリコ
ンウェハ、あるいはウェハ表面の薬品に限定され局所的
であるため、装置操作性，作業性および安全性を著しく
向上できる。また赤外線ヒーターを用いて非沸騰蒸発さ
せるために、薬品が突沸する危険性もなく装置構成を単
純化でき、作業性を向上できる。
【図１】本発明の実施例１に係る前処理装置を示す断面
図である。
図である。
【図２】シリコンウェハ上の状態を示す図である。
【図３】本発明の実施例２に係る前処理装置を示す断面
図である。
図である。
【図４】本発明の実施例３に係る前処理装置を示す側面
断面図である。
断面図である。
【図５】本発明の実施例３に係る前処理装置の一構成を
示す正面断面図である。
示す正面断面図である。
【図６】従来例に係る前処理装置の構成を示す断面図で
ある。
ある。
１ 密閉容器 ２ ホットプレート ３ シリコンウェハ ４ 薬品 ５ 真空ポンプ接続口 ６ 冷却部 ７ 真空ポンプ ８ 回収液 ９ 蒸発残渣 １０ 摺り合わせ接合部 １１ 取手 １２ 捕集容器 １３ 減圧開放バルブ １４ ホットプレート制御部 １５ ウェハ架台 １６ 赤外線ヒーター １７ 制御部 １８ 冷却管 １９ 捕集容器
Claims (6)
- 【請求項１】 減圧した密閉容器中に清浄表面を有する
シリコンウェハを設置し、該ウェハの表面に載せた薬品
を加熱蒸発させ、その後、該ウェハ表面にフッ酸を含む
回収液を微少量滴下してウェハ表面を隅なく走査するこ
とにより蒸発残渣を回収し、 該回収液を分析すること
により薬品中の不純物を分析することを特徴とする薬品
分析方法。 - 【請求項２】 シリコンウェハの上方に設置した赤外線
ヒーターにより薬品を加熱することを特徴とする請求項
１に記載の薬品分析方法。 - 【請求項３】 密閉容器と、真空ポンプと加熱制御部と
を有する薬品分析用前処理装置であって、 密閉容器は、薬品を載せるためのシリコンウェハとシリ
コンウェハを加熱するための加熱器が内部に設置された
ものであり、 真空ポンプは、冷却部を介して前記密閉容器に接続され
たものであり、 加熱制御部は、加熱器の調温を制御するものであること
を特徴とする薬品分析用前処理装置。 - 【請求項４】 密閉容器と、真空ポンプ、赤外線ヒータ
と、加熱制御部とを有する薬品分析用前処理装置であっ
て、 密閉容器は、薬品を載せるためのシリコンウェハ，シリ
コンウェハ用架台が内部に設置されたものであり、 真空ポンプは、冷却部を介して当該密閉容器に接続され
たものであり、 赤外線ヒータは、シリコンウェハの上方に設置されたも
のであり、 加熱制御部は、前記ヒータの調温を制御するものである
ことを特徴とする薬品分析用前処理装置。 - 【請求項５】 冷却管と冷却管で凝結した薬品を捕集す
るための捕集容器を密閉容器内部に有することを特徴と
する請求項３および４に記載の薬品分析用前処理装置。 - 【請求項６】 凝結した薬品が１点に集中して滴下する
構造を有する冷却管から構成されることを特徴とする請
求項５に記載の薬品分析用前処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7165572A JPH0915174A (ja) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 薬品分析方法および薬品分析用前処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7165572A JPH0915174A (ja) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 薬品分析方法および薬品分析用前処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0915174A true JPH0915174A (ja) | 1997-01-17 |
Family
ID=15814916
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7165572A Pending JPH0915174A (ja) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 薬品分析方法および薬品分析用前処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0915174A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6833273B2 (en) * | 2000-01-26 | 2004-12-21 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for evaluating concentration of metallic impurities in silicon wafer |
| WO2012137013A1 (en) * | 2011-04-07 | 2012-10-11 | Metryx Limited | Measurement apparatus and method |
| JP2021081271A (ja) * | 2019-11-18 | 2021-05-27 | 株式会社住化分析センター | 分析用容器、分析方法、および分析用キット |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5966245A (ja) * | 1982-10-07 | 1984-04-14 | Canon Inc | デ−タ通信システム |
| JPH0228533A (ja) * | 1988-04-25 | 1990-01-30 | Toshiba Corp | 不純物の測定方法及び不純物の回収装置 |
| JPH06174615A (ja) * | 1992-12-01 | 1994-06-24 | Pure Retsukusu:Kk | 分析用試料板 |
| JPH06224275A (ja) * | 1993-01-26 | 1994-08-12 | Toshiba Corp | 分析試料作製装置及びその使用方法 |
| JPH08254484A (ja) * | 1995-03-17 | 1996-10-01 | Nippon Steel Corp | 水溶液試料の濃縮法および装置 |
-
1995
- 1995-06-30 JP JP7165572A patent/JPH0915174A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5966245A (ja) * | 1982-10-07 | 1984-04-14 | Canon Inc | デ−タ通信システム |
| JPH0228533A (ja) * | 1988-04-25 | 1990-01-30 | Toshiba Corp | 不純物の測定方法及び不純物の回収装置 |
| JPH06174615A (ja) * | 1992-12-01 | 1994-06-24 | Pure Retsukusu:Kk | 分析用試料板 |
| JPH06224275A (ja) * | 1993-01-26 | 1994-08-12 | Toshiba Corp | 分析試料作製装置及びその使用方法 |
| JPH08254484A (ja) * | 1995-03-17 | 1996-10-01 | Nippon Steel Corp | 水溶液試料の濃縮法および装置 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6833273B2 (en) * | 2000-01-26 | 2004-12-21 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for evaluating concentration of metallic impurities in silicon wafer |
| WO2012137013A1 (en) * | 2011-04-07 | 2012-10-11 | Metryx Limited | Measurement apparatus and method |
| JP2014512005A (ja) * | 2011-04-07 | 2014-05-19 | メトリックス・リミテッド | 測定装置及び方法 |
| US9423447B2 (en) | 2011-04-07 | 2016-08-23 | Metryx Limited | Measurement apparatus and method |
| JP2021081271A (ja) * | 2019-11-18 | 2021-05-27 | 株式会社住化分析センター | 分析用容器、分析方法、および分析用キット |
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