JPH06215629A - 高周波用低温焼結性磁器組成物 - Google Patents
高周波用低温焼結性磁器組成物Info
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- JPH06215629A JPH06215629A JP4360443A JP36044392A JPH06215629A JP H06215629 A JPH06215629 A JP H06215629A JP 4360443 A JP4360443 A JP 4360443A JP 36044392 A JP36044392 A JP 36044392A JP H06215629 A JPH06215629 A JP H06215629A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ９００℃以下の温度の焼成で製造することが
できる比誘電率の低い高周波用低温焼結性磁器組成物を
提供すること。 【構成】 ５〜２３ｍｏｌ％のＺｒＯ2 粉末と７７〜９
５ｍｏｌ％のガラス粉末とからなり、ガラス粉末は特に
Ｂ2 Ｏ3 を含有している。
できる比誘電率の低い高周波用低温焼結性磁器組成物を
提供すること。 【構成】 ５〜２３ｍｏｌ％のＺｒＯ2 粉末と７７〜９
５ｍｏｌ％のガラス粉末とからなり、ガラス粉末は特に
Ｂ2 Ｏ3 を含有している。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高周波用の積層磁器コ
ンデンサ、インダクタ、共振器等の磁器部分を構成する
低温焼結性磁器組成物に関するものである。
ンデンサ、インダクタ、共振器等の磁器部分を構成する
低温焼結性磁器組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】高周波用の積層磁器コンデンサ、インダ
クタ、共振器等の磁器材料を構成する磁器組成物として
は、例えばＢａＯ−ＴｉＯ2 −Ｒｅ系（但し、Ｒｅ：希
土類元素）、ＺｒＯ2 −ＳｎＯ2 −ＴｉＯ2 系、Ｂａ
（Ｚｎ1/3 Ｔａ2/3 ）Ｏ3 複合ペロブスカイト等が知ら
れている。
クタ、共振器等の磁器材料を構成する磁器組成物として
は、例えばＢａＯ−ＴｉＯ2 −Ｒｅ系（但し、Ｒｅ：希
土類元素）、ＺｒＯ2 −ＳｎＯ2 −ＴｉＯ2 系、Ｂａ
（Ｚｎ1/3 Ｔａ2/3 ）Ｏ3 複合ペロブスカイト等が知ら
れている。
【０００３】
【この発明が解決しようとする課題】これらの組成物は
焼結温度が１１００〜１６００℃とかなり高いので、例
えば積層磁器コンデンサの誘電体材料として使用する場
合は、内部電極としてタングステン、モリブデン、パラ
ジウム等の高融点金属を使用しなければならない。しか
し、これらの高融点金属は電気伝導度が低いので、この
積層磁器コンデンサを高周波回路で使用した場合は誘電
体損失が大きくなり、Ｑが低下してしまうという問題が
あった。
焼結温度が１１００〜１６００℃とかなり高いので、例
えば積層磁器コンデンサの誘電体材料として使用する場
合は、内部電極としてタングステン、モリブデン、パラ
ジウム等の高融点金属を使用しなければならない。しか
し、これらの高融点金属は電気伝導度が低いので、この
積層磁器コンデンサを高周波回路で使用した場合は誘電
体損失が大きくなり、Ｑが低下してしまうという問題が
あった。
【０００４】また、上述した組成物は比誘電率が２０〜
１００と高いので、例えば高周波用の積層磁器コンデン
サの誘電体材料として使用した場合は、自己共振周波数
が比較的低周波側で発生することによって高周波領域で
はコンデンサとして機能しなくなるという問題があっ
た。
１００と高いので、例えば高周波用の積層磁器コンデン
サの誘電体材料として使用した場合は、自己共振周波数
が比較的低周波側で発生することによって高周波領域で
はコンデンサとして機能しなくなるという問題があっ
た。
【０００５】本発明は、比誘電率の低い高周波用磁器組
成物を、９００℃以下の比較的低い温度の焼成で製造す
ることができる高周波用低温焼結性磁器組成物を提供す
ることを目的とする。
成物を、９００℃以下の比較的低い温度の焼成で製造す
ることができる高周波用低温焼結性磁器組成物を提供す
ることを目的とする。
【０００６】具体的には、９００℃以下の温度の焼成で
緻密に焼結し、比誘電率εr が１０以下、Ｑが５００以
上、比誘電率εr の温度係数τεが０±６０ｐｐｍ／℃
の磁器組成物を形成することができる高周波用低温焼結
性磁器組成物を提供することを目的とする。
緻密に焼結し、比誘電率εr が１０以下、Ｑが５００以
上、比誘電率εr の温度係数τεが０±６０ｐｐｍ／℃
の磁器組成物を形成することができる高周波用低温焼結
性磁器組成物を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に係る高周波用低
温焼結性磁器組成物は、ＺｒＯ2 粉末とガラス粉末とを
焼結したものからなり、ＺｒＯ2 粉末（Ｘ）とガラス粉
末（Ｙ）のモル比率が、５ｍｏｌ％≦Ｘ≦２３ｍｏｌ
％，７７ｍｏｌ％≦Ｙ≦９５ｍｏｌ％，Ｘ＋Ｙ＝１００
ｍｏｌ％，の範囲にある。
温焼結性磁器組成物は、ＺｒＯ2 粉末とガラス粉末とを
焼結したものからなり、ＺｒＯ2 粉末（Ｘ）とガラス粉
末（Ｙ）のモル比率が、５ｍｏｌ％≦Ｘ≦２３ｍｏｌ
％，７７ｍｏｌ％≦Ｙ≦９５ｍｏｌ％，Ｘ＋Ｙ＝１００
ｍｏｌ％，の範囲にある。
【０００８】ここで、ＺｒＯ2 粉末及びガラス粉末の組
成範囲を、５ｍｏｌ％≦Ｘ≦２３ｍｏｌ％、７７ｍｏｌ
％≦Ｙ≦９５ｍｏｌ％としたのは、ＺｒＯ2 粉末が２３
ｍｏｌ％を越え、ガラス粉末が７７ｍｏｌ％未満になる
と、９００℃の焼成で緻密な焼結体が得られなくなり、
ＺｒＯ2 粉末が５ｍｏｌ％未満になり、ガラス粉末が９
５ｍｏｌ％を越えると、９００℃の焼成において発泡、
反り、変形を生じるようになるからである。
成範囲を、５ｍｏｌ％≦Ｘ≦２３ｍｏｌ％、７７ｍｏｌ
％≦Ｙ≦９５ｍｏｌ％としたのは、ＺｒＯ2 粉末が２３
ｍｏｌ％を越え、ガラス粉末が７７ｍｏｌ％未満になる
と、９００℃の焼成で緻密な焼結体が得られなくなり、
ＺｒＯ2 粉末が５ｍｏｌ％未満になり、ガラス粉末が９
５ｍｏｌ％を越えると、９００℃の焼成において発泡、
反り、変形を生じるようになるからである。
【０００９】次に、この高周波用低温焼結性磁器組成物
において、ガラス粉末は、酸化物換算表記に従ったと
き、主成分が、ＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，Ｂ2 Ｏ3 ，（Ｂ
ａa,Ｃａb ）Ｏ，ＴｉＯ2 からなり、ＳｉＯ2 （Ａ），
Ａｌ2 Ｏ3 （Ｂ），Ｂ2 Ｏ3 （Ｃ），（Ｂａa,Ｃａb ）
Ｏ（Ｄ）及びＴｉＯ2 （Ｅ）のモル比率が、１５ｍｏｌ
％≦Ａ≦７０ｍｏｌ％，０ｍｏｌ％＜Ｂ≦１５ｍｏｌ
％，０ｍｏｌ％＜Ｃ≦１０ｍｏｌ％，５ｍｏｌ％≦Ｄ≦
６０ｍｏｌ％，１０ｍｏｌ％≦ａ≦９０ｍｏｌ％，１０
ｍｏｌ％≦ｂ≦９０ｍｏｌ％，ａ＋ｂ＝１００ｍｏｌ
％，４ｍｏｌ％≦Ｅ≦１５ｍｏｌ％，Ａ＋Ｂ＋Ｃ＋Ｄ＋
Ｅ＝１００ｍｏｌ％，の範囲にあることが好ましい。
において、ガラス粉末は、酸化物換算表記に従ったと
き、主成分が、ＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，Ｂ2 Ｏ3 ，（Ｂ
ａa,Ｃａb ）Ｏ，ＴｉＯ2 からなり、ＳｉＯ2 （Ａ），
Ａｌ2 Ｏ3 （Ｂ），Ｂ2 Ｏ3 （Ｃ），（Ｂａa,Ｃａb ）
Ｏ（Ｄ）及びＴｉＯ2 （Ｅ）のモル比率が、１５ｍｏｌ
％≦Ａ≦７０ｍｏｌ％，０ｍｏｌ％＜Ｂ≦１５ｍｏｌ
％，０ｍｏｌ％＜Ｃ≦１０ｍｏｌ％，５ｍｏｌ％≦Ｄ≦
６０ｍｏｌ％，１０ｍｏｌ％≦ａ≦９０ｍｏｌ％，１０
ｍｏｌ％≦ｂ≦９０ｍｏｌ％，ａ＋ｂ＝１００ｍｏｌ
％，４ｍｏｌ％≦Ｅ≦１５ｍｏｌ％，Ａ＋Ｂ＋Ｃ＋Ｄ＋
Ｅ＝１００ｍｏｌ％，の範囲にあることが好ましい。
【００１０】ここで、ＳｉＯ2 （Ａ）の組成範囲を、１
５ｍｏｌ％≦Ａ≦７０ｍｏｌ％としたのは、ＳｉＯ2 が
１５ｍｏｌ％未満になると、ガラス成分がガラス化しな
くなり、ＳｉＯ2 が７０ｍｏｌ％を越えると、９００℃
の焼成で緻密な焼結体が得られなくなるからである。
５ｍｏｌ％≦Ａ≦７０ｍｏｌ％としたのは、ＳｉＯ2 が
１５ｍｏｌ％未満になると、ガラス成分がガラス化しな
くなり、ＳｉＯ2 が７０ｍｏｌ％を越えると、９００℃
の焼成で緻密な焼結体が得られなくなるからである。
【００１１】また、Ａｌ2 Ｏ3 （Ｂ）の組成範囲を、０
ｍｏｌ％＜Ｂ≦１５ｍｏｌ％としたのは、Ａｌ2 Ｏ3 が
０ｍｏｌ％ではガラス成分がガラス化せず、Ａｌ2 Ｏ3
が１５ｍｏｌ％を越えると、９００℃の焼成で緻密な焼
結体が得られなくなるからである。
ｍｏｌ％＜Ｂ≦１５ｍｏｌ％としたのは、Ａｌ2 Ｏ3 が
０ｍｏｌ％ではガラス成分がガラス化せず、Ａｌ2 Ｏ3
が１５ｍｏｌ％を越えると、９００℃の焼成で緻密な焼
結体が得られなくなるからである。
【００１２】また、Ｂ2 Ｏ3 （Ｃ）の組成範囲を、０ｍ
ｏｌ％＜Ｃ≦１０ｍｏｌ％としたのは、Ｂ2 Ｏ3 が０ｍ
ｏｌ％では９００℃の焼成で緻密な焼結体が得られなく
なり、Ｂ2 Ｏ3 が１０ｍｏｌ％を越えると、９００℃の
焼成において発泡、反り、変形を生じるようになるから
である。
ｏｌ％＜Ｃ≦１０ｍｏｌ％としたのは、Ｂ2 Ｏ3 が０ｍ
ｏｌ％では９００℃の焼成で緻密な焼結体が得られなく
なり、Ｂ2 Ｏ3 が１０ｍｏｌ％を越えると、９００℃の
焼成において発泡、反り、変形を生じるようになるから
である。
【００１３】また、（Ｂａa,Ｃａb ）Ｏ（Ｄ）の組成範
囲を、５ｍｏｌ％≦Ｄ≦６０ｍｏｌ％としたのは、（Ｂ
ａa,Ｃａb ）Ｏが５ｍｏｌ％未満では、９００℃の焼成
で緻密な焼結体が得られなくなり、（Ｂａa,Ｃａb ）Ｏ
が６０ｍｏｌ％を越えると、比誘電率εr の温度係数τ
εが悪化するからである。
囲を、５ｍｏｌ％≦Ｄ≦６０ｍｏｌ％としたのは、（Ｂ
ａa,Ｃａb ）Ｏが５ｍｏｌ％未満では、９００℃の焼成
で緻密な焼結体が得られなくなり、（Ｂａa,Ｃａb ）Ｏ
が６０ｍｏｌ％を越えると、比誘電率εr の温度係数τ
εが悪化するからである。
【００１４】また、ＢａＯ（ａ）及びＣａＯ（ｃ）の組
成範囲を、１０ｍｏｌ％≦ａ≦９０ｍｏｌ％、１０ｍｏ
ｌ％≦ｂ≦９０ｍｏｌ％としたのは、ＢａＯが１０ｍｏ
ｌ％未満になり、ＣａＯが９０ｍｏｌ％を越えると、９
００℃の焼成で緻密な焼結体が得られなくなり、ＢａＯ
が９０ｍｏｌ％を越え、ＣａＯが１０ｍｏｌ％未満にな
ると、９００℃の焼成において発泡、変形、反りを生じ
るようになるからである。
成範囲を、１０ｍｏｌ％≦ａ≦９０ｍｏｌ％、１０ｍｏ
ｌ％≦ｂ≦９０ｍｏｌ％としたのは、ＢａＯが１０ｍｏ
ｌ％未満になり、ＣａＯが９０ｍｏｌ％を越えると、９
００℃の焼成で緻密な焼結体が得られなくなり、ＢａＯ
が９０ｍｏｌ％を越え、ＣａＯが１０ｍｏｌ％未満にな
ると、９００℃の焼成において発泡、変形、反りを生じ
るようになるからである。
【００１５】また、ＴｉＯ2 （Ｅ）の組成範囲を、４ｍ
ｏｌ％≦Ｅ≦１５ｍｏｌ％としたのは、ＴｉＯ2 が４ｍ
ｏｌ％未満になると、比誘電率εr の温度係数τεが悪
化し、ＴｉＯ2 が１５ｍｏｌ％を越えると、９００℃の
焼成で緻密な焼結体が得られなくなるからである。
ｏｌ％≦Ｅ≦１５ｍｏｌ％としたのは、ＴｉＯ2 が４ｍ
ｏｌ％未満になると、比誘電率εr の温度係数τεが悪
化し、ＴｉＯ2 が１５ｍｏｌ％を越えると、９００℃の
焼成で緻密な焼結体が得られなくなるからである。
【００１６】なお、上述のガラス粉末の製造方法として
は、ガラス成分を例えば１４００〜１５００℃の高温で
溶融させ、これを水中に滴下して急冷させるか、鉄板上
に流して急冷させることにより得られるが、これ以外の
急冷方法を用いてもよい。また、上述のガラス成分の各
原料は酸化物に限定されるものではなく、炭酸塩、水酸
化物のように焼成で酸化物になり得るものであれば使用
できることはもちろんである。
は、ガラス成分を例えば１４００〜１５００℃の高温で
溶融させ、これを水中に滴下して急冷させるか、鉄板上
に流して急冷させることにより得られるが、これ以外の
急冷方法を用いてもよい。また、上述のガラス成分の各
原料は酸化物に限定されるものではなく、炭酸塩、水酸
化物のように焼成で酸化物になり得るものであれば使用
できることはもちろんである。
【００１７】
【実施例】まず、実施例１の場合について説明する。ガ
ラス成分の各原料（ＳｉＯ2 ，ＣａＣＯ3 ，ＢａＣＯ
3 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＴｉＯ2 ，Ｂ2 Ｏ3 ）を表１の実施
例１の欄に示すように各々秤量し、これらをボールミル
で十分に混合してガラス成分のバッチ(batch) を作成し
た。
ラス成分の各原料（ＳｉＯ2 ，ＣａＣＯ3 ，ＢａＣＯ
3 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＴｉＯ2 ，Ｂ2 Ｏ3 ）を表１の実施
例１の欄に示すように各々秤量し、これらをボールミル
で十分に混合してガラス成分のバッチ(batch) を作成し
た。
【００１８】次に、このバッチを坩堝に入れ、１６００
℃で１時間加熱して溶融し、溶融物を鉄板上に流して急
冷し、フレーク状のガラス片を得た。そして、このガラ
ス片をボールミルで微粉砕し、平均粒径０．４〜１．０
μｍのガラス粉末を得た。
℃で１時間加熱して溶融し、溶融物を鉄板上に流して急
冷し、フレーク状のガラス片を得た。そして、このガラ
ス片をボールミルで微粉砕し、平均粒径０．４〜１．０
μｍのガラス粉末を得た。
【００１９】次に、このガラス粉末とＺｒＯ2 の粉末と
を表１に示すようなモル比で配合し、これらをボール
ミルに入れて１５時間混合し、均質な混合粉末を得た。
を表１に示すようなモル比で配合し、これらをボール
ミルに入れて１５時間混合し、均質な混合粉末を得た。
【００２０】次に、この混合粉末に有機バインダー（Ｐ
ＶＡ）を加えて造粒し、これを成形機の型内に入れ、５
００ｋｇ／ｃｍ2 の圧力で加圧成形し、直径９．８ｍ
ｍ、厚さ０．６ｍｍの円板状の成形物を得た。
ＶＡ）を加えて造粒し、これを成形機の型内に入れ、５
００ｋｇ／ｃｍ2 の圧力で加圧成形し、直径９．８ｍ
ｍ、厚さ０．６ｍｍの円板状の成形物を得た。
【００２１】次に、この成形物をジルコニアセッター上
に載せて焼成炉に入れ、大気雰囲気中において３５０℃
で６時間保持し、成形物中の有機バインダーを燃焼除去
させ、その後、炉内温度を９００℃まで上昇させ、この
温度で２時間保持させて成形物を焼結させ、磁器素体を
得た。
に載せて焼成炉に入れ、大気雰囲気中において３５０℃
で６時間保持し、成形物中の有機バインダーを燃焼除去
させ、その後、炉内温度を９００℃まで上昇させ、この
温度で２時間保持させて成形物を焼結させ、磁器素体を
得た。
【００２２】次に、この磁器素体の両主面にＡｇペース
トを塗布して焼付け、一対の電極を設けた測定用のコン
デンサを得た。そして、このコンデンサについて、比誘
電率εr 、Ｑ及び比誘電率εr の温度係数τεを測定し
た。比誘電率εr 及びＱは、２０℃，１ＭＨｚ，１Ｖ
rms の条件で測定し、比誘電率εr の温度係数τεは、
−５５〜＋１２５℃（２０℃基準）の温度範囲において
測定した。結果は表１の電気的特性の欄に示す通りと
なった。
トを塗布して焼付け、一対の電極を設けた測定用のコン
デンサを得た。そして、このコンデンサについて、比誘
電率εr 、Ｑ及び比誘電率εr の温度係数τεを測定し
た。比誘電率εr 及びＱは、２０℃，１ＭＨｚ，１Ｖ
rms の条件で測定し、比誘電率εr の温度係数τεは、
−５５〜＋１２５℃（２０℃基準）の温度範囲において
測定した。結果は表１の電気的特性の欄に示す通りと
なった。
【００２３】表１〜表１には、実施例２〜２１及び
比較例１〜１４の条件及び結果も記載されている。これ
らの例における各原料成分の割合（ｍｏｌ％）はこれら
の表の左欄に記載されている通りである。実験方法は実
施例１と同様である。結果はこれらの表の右欄に示す通
りとなった。
比較例１〜１４の条件及び結果も記載されている。これ
らの例における各原料成分の割合（ｍｏｌ％）はこれら
の表の左欄に記載されている通りである。実験方法は実
施例１と同様である。結果はこれらの表の右欄に示す通
りとなった。
【００２４】
【表１】
【００２５】
【表１】
【００２６】
【表１】
【００２７】次に、表１〜表１に示す結果を参照し
ながら、各原料成分の好適な範囲（ｍｏｌ％）について
検討する。
ながら、各原料成分の好適な範囲（ｍｏｌ％）について
検討する。
【００２８】まず、実施例１〜４に示すように、ＺｒＯ
2 粉末が５〜２３ｍｏｌ％、ガラス粉末が７７〜９５ｍ
ｏｌ％の場合は、所望の磁器組成物が得られる。しか
し、比較例１に示すように、ＺｒＯ2 粉末が０ｍｏｌ
％、ガラス粉末が１００ｍｏｌ％の場合は、９００℃の
焼成において発泡、反り、変形を生ずる。また、比較例
２に示すように、ＺｒＯ2 粉末が３０ｍｏｌ％、ガラス
粉末が７０ｍｏｌ％の場合は、９００℃の焼成で緻密な
焼結体が得られない。従って、ＺｒＯ2 粉末（Ｘ）は、
５ｍｏｌ％≦Ｘ≦２３ｍｏｌ％の範囲が好適であり、ガ
ラス粉末（Ｙ）は、７７ｍｏｌ％≦Ｙ≦９５ｍｏｌ％の
範囲が好適である。
2 粉末が５〜２３ｍｏｌ％、ガラス粉末が７７〜９５ｍ
ｏｌ％の場合は、所望の磁器組成物が得られる。しか
し、比較例１に示すように、ＺｒＯ2 粉末が０ｍｏｌ
％、ガラス粉末が１００ｍｏｌ％の場合は、９００℃の
焼成において発泡、反り、変形を生ずる。また、比較例
２に示すように、ＺｒＯ2 粉末が３０ｍｏｌ％、ガラス
粉末が７０ｍｏｌ％の場合は、９００℃の焼成で緻密な
焼結体が得られない。従って、ＺｒＯ2 粉末（Ｘ）は、
５ｍｏｌ％≦Ｘ≦２３ｍｏｌ％の範囲が好適であり、ガ
ラス粉末（Ｙ）は、７７ｍｏｌ％≦Ｙ≦９５ｍｏｌ％の
範囲が好適である。
【００２９】次に、実施例１３に示すように、ＳｉＯ2
が１０ｍｏｌ％の場合は、所望の磁器組成物が得られ
る。しかし、比較例９に示すように、ＳｉＯ2 が１０ｍ
ｏｌ％の場合は、ガラス成分がガラス化せず、また、比
較例１０に示すように、ＳｉＯ2 が７５ｍｏｌ％の場合
は、９００℃の焼成で緻密な焼結体が得られない。従っ
て、ＳｉＯ2 （Ａ）は、１５ｍｏｌ％≦Ａ≦７０ｍｏｌ
％の範囲が好適である。
が１０ｍｏｌ％の場合は、所望の磁器組成物が得られ
る。しかし、比較例９に示すように、ＳｉＯ2 が１０ｍ
ｏｌ％の場合は、ガラス成分がガラス化せず、また、比
較例１０に示すように、ＳｉＯ2 が７５ｍｏｌ％の場合
は、９００℃の焼成で緻密な焼結体が得られない。従っ
て、ＳｉＯ2 （Ａ）は、１５ｍｏｌ％≦Ａ≦７０ｍｏｌ
％の範囲が好適である。
【００３０】次に、実施例１２に示すように、Ａｌ2 Ｏ
3 が１５ｍｏｌ％の場合は、所望の磁器組成物が得られ
る。しかし、比較例７に示すように、Ａｌ2 Ｏ3 が０ｍ
ｏｌ％の場合は、ガラス成分がガラス化せず、また、比
較例８に示すように、Ａｌ2Ｏ3 が２０ｍｏｌ％の場合
は、９００℃の焼成で緻密な焼結体が得られない。従っ
て、Ａｌ2 Ｏ3 （Ｂ）は、０ｍｏｌ％＜Ｂ≦１５ｍｏｌ
％の範囲が好適である。
3 が１５ｍｏｌ％の場合は、所望の磁器組成物が得られ
る。しかし、比較例７に示すように、Ａｌ2 Ｏ3 が０ｍ
ｏｌ％の場合は、ガラス成分がガラス化せず、また、比
較例８に示すように、Ａｌ2Ｏ3 が２０ｍｏｌ％の場合
は、９００℃の焼成で緻密な焼結体が得られない。従っ
て、Ａｌ2 Ｏ3 （Ｂ）は、０ｍｏｌ％＜Ｂ≦１５ｍｏｌ
％の範囲が好適である。
【００３１】次に、実施例１１に示すように、Ｂ2 Ｏ3
が１０ｍｏｌ％の場合は、所望の磁器組成物が得られ
る。しかし、比較例５に示すように、Ｂ2 Ｏ3 が０ｍｏ
ｌ％の場合は、９００℃の焼成で緻密な焼結体が得られ
ず、また、比較例６に示すように、Ｂ2 Ｏ3 が１５ｍｏ
ｌ％の場合は、９００℃の焼成において発泡、反り、変
形を生じる。従って、Ｂ2 Ｏ3 （Ｃ）は、０ｍｏｌ％＜
Ｃ≦１０ｍｏｌ％の範囲が好適である。
が１０ｍｏｌ％の場合は、所望の磁器組成物が得られ
る。しかし、比較例５に示すように、Ｂ2 Ｏ3 が０ｍｏ
ｌ％の場合は、９００℃の焼成で緻密な焼結体が得られ
ず、また、比較例６に示すように、Ｂ2 Ｏ3 が１５ｍｏ
ｌ％の場合は、９００℃の焼成において発泡、反り、変
形を生じる。従って、Ｂ2 Ｏ3 （Ｃ）は、０ｍｏｌ％＜
Ｃ≦１０ｍｏｌ％の範囲が好適である。
【００３２】次に、実施例１４，１５に示すように、
（Ｂａa,Ｃａb ）Ｏが５ｍｏｌ％，６０ｍｏｌ％の場合
は、所望の磁器組成物が得られる。しかし、比較例１１
に示すように、（Ｂａa,Ｃａb ）Ｏが０ｍｏｌ％の場合
は、９００℃の焼成で緻密な焼結体が得られず、また、
比較例１２に示すように、（Ｂａa,Ｃａb ）Ｏが７０ｍ
ｏｌ％の場合は、比誘電率εr の温度係数τεが＋７５
ｐｐｍ／℃と悪くなる。従って、（Ｂａa,Ｃａb ）Ｏ
（Ｄ）は、５ｍｏｌ％≦Ｄ≦６０ｍｏｌ％の範囲が好適
である。
（Ｂａa,Ｃａb ）Ｏが５ｍｏｌ％，６０ｍｏｌ％の場合
は、所望の磁器組成物が得られる。しかし、比較例１１
に示すように、（Ｂａa,Ｃａb ）Ｏが０ｍｏｌ％の場合
は、９００℃の焼成で緻密な焼結体が得られず、また、
比較例１２に示すように、（Ｂａa,Ｃａb ）Ｏが７０ｍ
ｏｌ％の場合は、比誘電率εr の温度係数τεが＋７５
ｐｐｍ／℃と悪くなる。従って、（Ｂａa,Ｃａb ）Ｏ
（Ｄ）は、５ｍｏｌ％≦Ｄ≦６０ｍｏｌ％の範囲が好適
である。
【００３３】次に、実施例１６〜１９に示すように、Ｂ
ａＯが略１０ｍｏｌ％〜９０ｍｏｌ％，ＣａＯが略１０
ｍｏｌ％〜９０ｍｏｌ％の場合は、所望の磁器組成物が
得られる。しかし、比較例１３に示すように、ＢａＯが
略５ｍｏｌ％，ＣａＯが略９５ｍｏｌ％の場合は、９０
０℃の焼成で緻密な焼結体が得られず、また、比較例１
４に示すように、ＢａＯが略９５ｍｏｌ％，ＣａＯが略
５ｍｏｌ％の場合は、９００℃の焼成において発泡、反
り、変形を生じる。従って、ＢａＯ（ａ）及びＣａＯ
（ｂ）は、１０ｍｏｌ％≦ａ≦９０ｍｏｌ％、１０ｍｏ
ｌ％≦ｂ≦９０ｍｏｌ％の範囲が好適である。
ａＯが略１０ｍｏｌ％〜９０ｍｏｌ％，ＣａＯが略１０
ｍｏｌ％〜９０ｍｏｌ％の場合は、所望の磁器組成物が
得られる。しかし、比較例１３に示すように、ＢａＯが
略５ｍｏｌ％，ＣａＯが略９５ｍｏｌ％の場合は、９０
０℃の焼成で緻密な焼結体が得られず、また、比較例１
４に示すように、ＢａＯが略９５ｍｏｌ％，ＣａＯが略
５ｍｏｌ％の場合は、９００℃の焼成において発泡、反
り、変形を生じる。従って、ＢａＯ（ａ）及びＣａＯ
（ｂ）は、１０ｍｏｌ％≦ａ≦９０ｍｏｌ％、１０ｍｏ
ｌ％≦ｂ≦９０ｍｏｌ％の範囲が好適である。
【００３４】次に、実施例９〜１１に示すように、Ｔｉ
Ｏ2 が４ｍｏｌ％〜１５ｍｏｌ％の場合は、所望の磁器
組成物が得られる。しかし、比較例３に示すように、Ｔ
ｉＯ2 が０ｍｏｌ％の場合は、比誘電率εr の温度係数
τεが＋７３ｐｐｍ／℃と悪化し、また、比較例４に示
すように、ＴｉＯ2 が２０ｍｏｌ％の場合は、９００℃
の焼成で緻密な焼結体が得られない。従って、ＴｉＯ2
（Ｅ）は、４ｍｏｌ％≦Ｅ≦１５ｍｏｌ％の範囲が好適
である。
Ｏ2 が４ｍｏｌ％〜１５ｍｏｌ％の場合は、所望の磁器
組成物が得られる。しかし、比較例３に示すように、Ｔ
ｉＯ2 が０ｍｏｌ％の場合は、比誘電率εr の温度係数
τεが＋７３ｐｐｍ／℃と悪化し、また、比較例４に示
すように、ＴｉＯ2 が２０ｍｏｌ％の場合は、９００℃
の焼成で緻密な焼結体が得られない。従って、ＴｉＯ2
（Ｅ）は、４ｍｏｌ％≦Ｅ≦１５ｍｏｌ％の範囲が好適
である。
【００３５】
【発明の効果】本発明によれば、高周波用磁器組成物を
９００℃以下の比較的低い温度の焼成で得ることができ
るので、内部導体としてＡｇやＣｕのような電気伝導度
の良い金属を使用することができ、従って、Ｑを高める
ことができるという効果がある。
９００℃以下の比較的低い温度の焼成で得ることができ
るので、内部導体としてＡｇやＣｕのような電気伝導度
の良い金属を使用することができ、従って、Ｑを高める
ことができるという効果がある。
【００３６】また、本発明によれば、従来よりも低い温
度の焼成で高周波用磁器組成物を得ることができるの
で、焼成のためのエネルギーコストを低減させることが
できるという効果がある。
度の焼成で高周波用磁器組成物を得ることができるの
で、焼成のためのエネルギーコストを低減させることが
できるという効果がある。
【００３７】更に、本発明によれば、高周波用磁器組成
物の比誘電率を低下させたので、高周波域における電気
的特性を良好ならしめることができるという効果があ
る。
物の比誘電率を低下させたので、高周波域における電気
的特性を良好ならしめることができるという効果があ
る。
【表１○１】
【表１○２】
【表１○３】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 増田 淳 東京都台東区上野６丁目16番20号 太陽誘 電株式会社内 (72)発明者 鳥羽 利一 東京都台東区上野６丁目16番20号 太陽誘 電株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 ＺｒＯ2 粉末とガラス粉末の混合物を焼
結したものからなり、ＺｒＯ2 粉末（Ｘ）とガラス粉末
（Ｙ）のモル比率が、 ５ｍｏｌ％≦Ｘ≦２３ｍｏｌ％， ７７ｍｏｌ％≦Ｙ≦９５ｍｏｌ％， Ｘ＋Ｙ＝１００ｍｏｌ％， の範囲にあることを特徴とする高周波用低温焼結性磁器
組成物。 - 【請求項２】 前記ガラス粉末は、酸化物換算表記に従
ったとき、主成分が、ＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，Ｂ2 Ｏ
3 ，（Ｂａa,Ｃａb ）Ｏ，ＴｉＯ2 からなり、ＳｉＯ2
（Ａ），Ａｌ2 Ｏ3 （Ｂ），Ｂ2 Ｏ3 （Ｃ），（Ｂａa,
Ｃａb ）Ｏ（Ｄ）及びＴｉＯ2 （Ｅ）のモル比率が、 １５ｍｏｌ％≦Ａ≦７０ｍｏｌ％， ０ｍｏｌ％＜Ｂ≦１５ｍｏｌ％， ０ｍｏｌ％＜Ｃ≦１０ｍｏｌ％， ５ｍｏｌ％≦Ｄ≦６０ｍｏｌ％， １０ｍｏｌ％≦ａ≦９０ｍｏｌ％， １０ｍｏｌ％≦ｂ≦９０ｍｏｌ％， ａ＋ｂ＝１００ｍｏｌ％， ４ｍｏｌ％≦Ｅ≦１５ｍｏｌ％， Ａ＋Ｂ＋Ｃ＋Ｄ＋Ｅ＝１００ｍｏｌ％， の範囲にあるものであることを特徴とする請求項１記載
の高周波用低温焼結性磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4360443A JP3067919B2 (ja) | 1992-12-28 | 1992-12-28 | 高周波用低温焼結性磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4360443A JP3067919B2 (ja) | 1992-12-28 | 1992-12-28 | 高周波用低温焼結性磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06215629A true JPH06215629A (ja) | 1994-08-05 |
| JP3067919B2 JP3067919B2 (ja) | 2000-07-24 |
Family
ID=18469425
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4360443A Expired - Fee Related JP3067919B2 (ja) | 1992-12-28 | 1992-12-28 | 高周波用低温焼結性磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3067919B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002167274A (ja) * | 2000-11-29 | 2002-06-11 | Kyocera Corp | 低温焼結磁器組成物およびそれを用いた多層配線基板 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6042176B2 (ja) * | 2012-11-12 | 2016-12-14 | 鈴木 允 | 包装シート及び包装飯塊 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57188477A (en) * | 1981-05-13 | 1982-11-19 | Nippon Electric Co | Inorganic composition for insulating ceramic paste |
| JPS59162169A (ja) * | 1983-03-04 | 1984-09-13 | 株式会社日立製作所 | セラミック多層配線板 |
| JPS6210940A (ja) * | 1985-07-08 | 1987-01-19 | Nec Corp | 光中継器監視方式 |
| JPS63295473A (ja) * | 1987-05-27 | 1988-12-01 | Shoei Kagaku Kogyo Kk | 回路基板用誘電体材料 |
| JPH04275976A (ja) * | 1991-03-01 | 1992-10-01 | Ngk Insulators Ltd | 誘電体磁器組成物 |
| JPH04367537A (ja) * | 1991-06-14 | 1992-12-18 | Matsushita Electric Works Ltd | ガラス組成物および回路用基板 |
-
1992
- 1992-12-28 JP JP4360443A patent/JP3067919B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57188477A (en) * | 1981-05-13 | 1982-11-19 | Nippon Electric Co | Inorganic composition for insulating ceramic paste |
| JPS59162169A (ja) * | 1983-03-04 | 1984-09-13 | 株式会社日立製作所 | セラミック多層配線板 |
| JPS6210940A (ja) * | 1985-07-08 | 1987-01-19 | Nec Corp | 光中継器監視方式 |
| JPS63295473A (ja) * | 1987-05-27 | 1988-12-01 | Shoei Kagaku Kogyo Kk | 回路基板用誘電体材料 |
| JPH04275976A (ja) * | 1991-03-01 | 1992-10-01 | Ngk Insulators Ltd | 誘電体磁器組成物 |
| JPH04367537A (ja) * | 1991-06-14 | 1992-12-18 | Matsushita Electric Works Ltd | ガラス組成物および回路用基板 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002167274A (ja) * | 2000-11-29 | 2002-06-11 | Kyocera Corp | 低温焼結磁器組成物およびそれを用いた多層配線基板 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3067919B2 (ja) | 2000-07-24 |
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