JP2879865B2 - 誘電体磁器組成物の製造方法 - Google Patents
誘電体磁器組成物の製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は損失の小さな低誘電率の
誘電体磁器組成物の製造方法に関するものである。
誘電体磁器組成物の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】損失の小さな低誘電率の誘電体磁器組成
物を誘電体層の材料に用いた磁器コンデンサは、一般
に、高周波回路におけるフィルター等に使用されてい
る。このような低誘電率の誘電体磁器組成物は一般的に
１２００〜１３００℃という高温で焼結されることが多
いので、これを積層磁器コンデンサの誘電体層の材料と
して使用する場合は、積層磁器コンデンサの内部電極の
材料にＰｔ，Ｐｄあるいはこれらの合金のような高融点
の金属を使う必要があった。
物を誘電体層の材料に用いた磁器コンデンサは、一般
に、高周波回路におけるフィルター等に使用されてい
る。このような低誘電率の誘電体磁器組成物は一般的に
１２００〜１３００℃という高温で焼結されることが多
いので、これを積層磁器コンデンサの誘電体層の材料と
して使用する場合は、積層磁器コンデンサの内部電極の
材料にＰｔ，Ｐｄあるいはこれらの合金のような高融点
の金属を使う必要があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする問題点】しかし、Ｐｔ，Ｐｄ
あるいはこれらの合金は電気伝導度が低く、これを内部
電極の材料として使用した積層磁器コンデンサを高周波
回路におけるフィルターに使用した場合は、損失が大き
くなり、Ｑが低下してしまうという欠点があった。この
ため、電気伝導度のより高いＡｇ，Ｃｕ等の金属を積層
磁器コンデンサの内部電極の材料として使用できるよう
に、１０００℃以下、好ましくは９００℃以下の温度の
焼成で緻密に焼結させることができ、しかも所望の電気
特性を備えている誘電体磁器組成物を開発する必要があ
った。
あるいはこれらの合金は電気伝導度が低く、これを内部
電極の材料として使用した積層磁器コンデンサを高周波
回路におけるフィルターに使用した場合は、損失が大き
くなり、Ｑが低下してしまうという欠点があった。この
ため、電気伝導度のより高いＡｇ，Ｃｕ等の金属を積層
磁器コンデンサの内部電極の材料として使用できるよう
に、１０００℃以下、好ましくは９００℃以下の温度の
焼成で緻密に焼結させることができ、しかも所望の電気
特性を備えている誘電体磁器組成物を開発する必要があ
った。
【０００４】本発明の目的は、９００℃以下の温度の焼
成で緻密に焼結させることができ、しかも所望の電気特
性を備えている低誘電率の誘電体磁器組成物の製造方法
を提供することにある。
成で緻密に焼結させることができ、しかも所望の電気特
性を備えている低誘電率の誘電体磁器組成物の製造方法
を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明に係る誘電体磁器
組成物の製造方法は、焼成して酸化物となるＢａ，Ｃ
ａ，Ｓｒ，Ｓｉ，Ｈｆ，Ａｌ，Ｔｉ及びＬｎの各原料化
合物の中の少なくともＢａ，Ｃａ，Ｓｒ及びＳｉの各原
料化合物を混合して加熱溶融する工程と、この溶融した
ものを急冷してガラス化する工程と、このガラス化した
ものを微粉砕する工程と、この微粉砕したものを含めて
全ての原料化合物及びバインダを混合する工程と、この
混合によって得られた混合物を成形する工程と、この成
形したものを９００℃以下の温度で焼成する工程とを備
え、前記各原料化合物が、式：ａ（ｘＢａ−ｙＣａ−ｚ
Ｓｒ）Ｏ−ｂＳｉＯ２ −ｃＨｆＯ２ −（ｄ／２）Ａｌ
２ Ｏ３ −ｅＴｉＯ２ −（ｆ／ｉ）Ｌｎｉ Ｏｊ（但
し、ＬｎはＬａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇ
ｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ及びＬｕから
選択された一種または二種以上の元素、ｉはＬｎの原子
価数とＯの原子価数の最小公倍数をＬｎの原子価数で割
って得られた数、ｊはＬｎの原子価数とＯの原子価数の
最小公倍数をＯの原子価数で割って得られた数、 で表わされる組成物を主成分とする焼結体からなるもの
である。
組成物の製造方法は、焼成して酸化物となるＢａ，Ｃ
ａ，Ｓｒ，Ｓｉ，Ｈｆ，Ａｌ，Ｔｉ及びＬｎの各原料化
合物の中の少なくともＢａ，Ｃａ，Ｓｒ及びＳｉの各原
料化合物を混合して加熱溶融する工程と、この溶融した
ものを急冷してガラス化する工程と、このガラス化した
ものを微粉砕する工程と、この微粉砕したものを含めて
全ての原料化合物及びバインダを混合する工程と、この
混合によって得られた混合物を成形する工程と、この成
形したものを９００℃以下の温度で焼成する工程とを備
え、前記各原料化合物が、式：ａ（ｘＢａ−ｙＣａ−ｚ
Ｓｒ）Ｏ−ｂＳｉＯ２ −ｃＨｆＯ２ −（ｄ／２）Ａｌ
２ Ｏ３ −ｅＴｉＯ２ −（ｆ／ｉ）Ｌｎｉ Ｏｊ（但
し、ＬｎはＬａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇ
ｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ及びＬｕから
選択された一種または二種以上の元素、ｉはＬｎの原子
価数とＯの原子価数の最小公倍数をＬｎの原子価数で割
って得られた数、ｊはＬｎの原子価数とＯの原子価数の
最小公倍数をＯの原子価数で割って得られた数、 で表わされる組成物を主成分とする焼結体からなるもの
である。
【０００６】ここで、原料化合物としては、焼成して酸
化物となるＢａ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｓｉ，Ｈｆ，Ａｌ，Ｔｉ
及びＬｎの各化合物を使用することができる。後述する
実施例では、原料化合物としてＢａＣＯ３ ，ＣａＣＯ
３ ，ＳｒＣＯ３ ，ＳｉＯ２，ＨｆＯ２ ，Ａｌ２ Ｏ３
，ＴｉＯ２ ，Ｌａ２ Ｏ３ ，Ｇｄ２ Ｏ３ 及びＹｂ２
Ｏ３ を原料化合物として使用したが、加熱によって酸
化物となるものであればこれら以外の化合物を使用でき
ることはもちろんである。
化物となるＢａ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｓｉ，Ｈｆ，Ａｌ，Ｔｉ
及びＬｎの各化合物を使用することができる。後述する
実施例では、原料化合物としてＢａＣＯ３ ，ＣａＣＯ
３ ，ＳｒＣＯ３ ，ＳｉＯ２，ＨｆＯ２ ，Ａｌ２ Ｏ３
，ＴｉＯ２ ，Ｌａ２ Ｏ３ ，Ｇｄ２ Ｏ３ 及びＹｂ２
Ｏ３ を原料化合物として使用したが、加熱によって酸
化物となるものであればこれら以外の化合物を使用でき
ることはもちろんである。
【０００７】また、Ｈｆ，Ａｌ，Ｔｉ及びＬｎの各化合
物については、他の原料化合物とともにガラス化して使
用してもよいし、あるいはガラス化した他の原料化合物
に後から混合して使用してもよい。いずれの場合も所望
の誘電体磁器組成物を得ることができる。
物については、他の原料化合物とともにガラス化して使
用してもよいし、あるいはガラス化した他の原料化合物
に後から混合して使用してもよい。いずれの場合も所望
の誘電体磁器組成物を得ることができる。
【０００８】また、原料化合物について、５モル％≦ａ
≦６０モル％としたのは、ａが５モル％未満になった
り、６０モル％を越えたりすると、いずれの場合も、９
００℃の温度の焼成で緻密な焼結体が得られなくなるか
らである。また、１０モル％≦ｂ≦７０モル％としたの
は、ｂが１０モル％未満になると組成物がガラス化せ
ず、ｂが７０モル％を越えると、９００℃の焼成で緻密
な焼結体が得られなくなるからである。
≦６０モル％としたのは、ａが５モル％未満になった
り、６０モル％を越えたりすると、いずれの場合も、９
００℃の温度の焼成で緻密な焼結体が得られなくなるか
らである。また、１０モル％≦ｂ≦７０モル％としたの
は、ｂが１０モル％未満になると組成物がガラス化せ
ず、ｂが７０モル％を越えると、９００℃の焼成で緻密
な焼結体が得られなくなるからである。
【０００９】また、９．２モル％≦ｃ≦３０モル％とし
たのは、ｃが３０モル％を越えると、９００℃の焼成で
緻密な焼結体が得られなくなるからである。また、２．
３モル％≦ｄ≦３０モル％としたのは、ｄが３０モル％
を越えると、９００℃の焼成で緻密な焼結体が得られな
くなるからである。また、４．６モル％≦ｅ≦３０モル
％としたのは、ｅが３０モル％を越えると、９００℃の
焼成で緻密な焼結体が得られなくなるからである。０モ
ル％＜ｆ≦２０モル％としたのは、ｆが２０モル％を越
えると、９００℃の焼成で緻密な焼結体が得られなくな
るからである。
たのは、ｃが３０モル％を越えると、９００℃の焼成で
緻密な焼結体が得られなくなるからである。また、２．
３モル％≦ｄ≦３０モル％としたのは、ｄが３０モル％
を越えると、９００℃の焼成で緻密な焼結体が得られな
くなるからである。また、４．６モル％≦ｅ≦３０モル
％としたのは、ｅが３０モル％を越えると、９００℃の
焼成で緻密な焼結体が得られなくなるからである。０モ
ル％＜ｆ≦２０モル％としたのは、ｆが２０モル％を越
えると、９００℃の焼成で緻密な焼結体が得られなくな
るからである。
【００１０】
実施例１及び比較例１ まず、表１の試料No.1-1の場合について説明する。Ｂａ
ＣＯ３ ，ＣａＣＯ３ ，ＳｒＣＯ３ ，ＳｉＯ２ ，Ｈｆ
Ｏ２ ，Ａｌ２ Ｏ３ ，ＴｉＯ２ ，Ｌａ２ Ｏ３ ，Ｇｄ
２ Ｏ３ 及びＹｂ２ Ｏ３ を、表１の試料No.1-1に示す
モル比で秤量し、これらを水とともにボールミルに入
れ、湿式で十分に攪拌混合して混合物を得た。
ＣＯ３ ，ＣａＣＯ３ ，ＳｒＣＯ３ ，ＳｉＯ２ ，Ｈｆ
Ｏ２ ，Ａｌ２ Ｏ３ ，ＴｉＯ２ ，Ｌａ２ Ｏ３ ，Ｇｄ
２ Ｏ３ 及びＹｂ２ Ｏ３ を、表１の試料No.1-1に示す
モル比で秤量し、これらを水とともにボールミルに入
れ、湿式で十分に攪拌混合して混合物を得た。
【００１１】次に、この混合物を乾燥した後、坩堝に入
れて１７００℃に加熱し、溶融した混合物を水中に滴下
して急冷し、ガラスを得た。そして、このガラスを粉砕
して、平均粒径１μｍ程度の微粉末とし、このガラス粉
末に有機バインダー（ＰＶＡ）を加えて十分に混合し、
１ton/cm２ の圧力で直径１０mm、厚み１mmの円板状の
成形体を作製した。
れて１７００℃に加熱し、溶融した混合物を水中に滴下
して急冷し、ガラスを得た。そして、このガラスを粉砕
して、平均粒径１μｍ程度の微粉末とし、このガラス粉
末に有機バインダー（ＰＶＡ）を加えて十分に混合し、
１ton/cm２ の圧力で直径１０mm、厚み１mmの円板状の
成形体を作製した。
【００１２】次に、この成形体を焼成炉に入れ、大気雰
囲気中において４００〜６００℃で１０時間保持して成
形体中の有機バインダーを燃焼除去させ、その後、炉内
温度を９００℃まで上昇させ、この温度で２時間保持さ
せて成形体を焼結させた。
囲気中において４００〜６００℃で１０時間保持して成
形体中の有機バインダーを燃焼除去させ、その後、炉内
温度を９００℃まで上昇させ、この温度で２時間保持さ
せて成形体を焼結させた。
【００１３】次に、この焼結させた成形体の表裏面に銀
ペーストを塗布して焼き付け、直径７mmの銀電極を表裏
面に備えた測定用の試料を得た。そして、この試料の電
気特性（比誘電率εｒ 及びＱ）を、１ＭＨｚ，１Ｖｒ
ｍｓ，２０℃の条件で測定した。結果は表１の試料No.1
-1の電気特性の欄に示す通りとなった。
ペーストを塗布して焼き付け、直径７mmの銀電極を表裏
面に備えた測定用の試料を得た。そして、この試料の電
気特性（比誘電率εｒ 及びＱ）を、１ＭＨｚ，１Ｖｒ
ｍｓ，２０℃の条件で測定した。結果は表１の試料No.1
-1の電気特性の欄に示す通りとなった。
【００１４】以上、No.1-1の試料の作製方法及びその電
気特性の測定方法について述べたが、試料No.1-2〜1-23
についても、組成を表１に示すように変化させた他は、
No.1-1の試料と全く同一の方法で試料を作製し、全く同
一の方法でその電気特性を測定した。結果は表１の電気
特性の欄に示す通りとなった。
気特性の測定方法について述べたが、試料No.1-2〜1-23
についても、組成を表１に示すように変化させた他は、
No.1-1の試料と全く同一の方法で試料を作製し、全く同
一の方法でその電気特性を測定した。結果は表１の電気
特性の欄に示す通りとなった。
【００１５】
【表１】
【００１６】次に、表１に示す結果について、各Noの試
料の組成及びその電気特性等を参照しながら説明する。
まず、試料No.1-1〜1-3 に示すように、ａが６０モル％
で、Ｂａの量が０〜６０モル％の範囲（０≦ｘ≦１）に
ある場合は所望の電気特性の組成物が得られる。また、
試料No.1-4〜1-6 に示すように、ａが６０モル％で、Ｃ
ａの量が０〜６０モル％の範囲（０≦ｙ≦１）にある場
合は所望の電気特性の組成物が得られる。更に、試料N
o.1-7〜1-9 に示すように、ａが６０モル％で、Ｓｒの
量が０〜６０モル％の範囲（０≦ｚ≦１）にある場合は
所望の電気特性の組成物が得られる。
料の組成及びその電気特性等を参照しながら説明する。
まず、試料No.1-1〜1-3 に示すように、ａが６０モル％
で、Ｂａの量が０〜６０モル％の範囲（０≦ｘ≦１）に
ある場合は所望の電気特性の組成物が得られる。また、
試料No.1-4〜1-6 に示すように、ａが６０モル％で、Ｃ
ａの量が０〜６０モル％の範囲（０≦ｙ≦１）にある場
合は所望の電気特性の組成物が得られる。更に、試料N
o.1-7〜1-9 に示すように、ａが６０モル％で、Ｓｒの
量が０〜６０モル％の範囲（０≦ｚ≦１）にある場合は
所望の電気特性の組成物が得られる。
【００１７】また、試料No.1-1〜1-11に示すように、ａ
が５〜６０モル％の場合は所望の電気特性の組成物が得
られるが、試料No.1-12 に示すように、ａが３モル％に
なるか、試料No.1-13 に示すように、ａが６５モル％に
なると、組成物が９００℃で焼結しなくなる。従って、
ａの適正範囲は５〜６０モル％である。
が５〜６０モル％の場合は所望の電気特性の組成物が得
られるが、試料No.1-12 に示すように、ａが３モル％に
なるか、試料No.1-13 に示すように、ａが６５モル％に
なると、組成物が９００℃で焼結しなくなる。従って、
ａの適正範囲は５〜６０モル％である。
【００１８】次に、試料No.1-15,1-16に示すように、ｂ
が１０〜７０モル％の場合は所望の電気特性の組成物が
得られるが、試料No.1-14 に示すように、ｂが５モル％
になると組成物がガラス化せず、また、試料No.1-17 に
示すように、ｂが７５モル％になると、組成物が１７０
０℃で溶融しなくなる。従って、ｂの適正範囲は１０〜
７０モル％である。
が１０〜７０モル％の場合は所望の電気特性の組成物が
得られるが、試料No.1-14 に示すように、ｂが５モル％
になると組成物がガラス化せず、また、試料No.1-17 に
示すように、ｂが７５モル％になると、組成物が１７０
０℃で溶融しなくなる。従って、ｂの適正範囲は１０〜
７０モル％である。
【００１９】次に、試料No.1-18 に示すように、ｃが３
０モル％の場合は所望の電気特性の組成物が得られる
が、試料No.1-19 に示すように、ｃが３５モル％になる
と、組成物が９００℃で焼結しなくなる。従って、ｃの
適正範囲は少なくとも３０モル％以下である。
０モル％の場合は所望の電気特性の組成物が得られる
が、試料No.1-19 に示すように、ｃが３５モル％になる
と、組成物が９００℃で焼結しなくなる。従って、ｃの
適正範囲は少なくとも３０モル％以下である。
【００２０】次に、試料No.1-20 に示すように、ｄが３
０モル％の場合は所望の電気特性の組成物が得られる
が、試料No.1-21 に示すように、ｄが３５モル％になる
と、組成物が９００℃で焼結しなくなる。従って、ｄの
適正範囲は少なくとも３０モル％以下である。
０モル％の場合は所望の電気特性の組成物が得られる
が、試料No.1-21 に示すように、ｄが３５モル％になる
と、組成物が９００℃で焼結しなくなる。従って、ｄの
適正範囲は少なくとも３０モル％以下である。
【００２１】次に、試料No.1-22 に示すように、ｅが３
０モル％の場合は所望の電気特性の組成物が得られる
が、試料No.1-23 に示すように、ｅが３５モル％になる
と、組成物が９００℃で焼結しなくなる。従って、ｅの
適正範囲は少なくとも３０モル％以下である。
０モル％の場合は所望の電気特性の組成物が得られる
が、試料No.1-23 に示すように、ｅが３５モル％になる
と、組成物が９００℃で焼結しなくなる。従って、ｅの
適正範囲は少なくとも３０モル％以下である。
【００２２】次に、試料No.1-25,1-27,1-29,1-30,1-31,
1-33に示すように、ｆが２０モル％未満の場合は所望の
電気特性の組成物が得られるが、試料No.1-24,1-26,1-2
8,1-32,1-34 に示すように、ｆが２０モル％を越える
と、組成物が９００℃で焼結しなくなる。従って、ｆの
適正範囲は少なくとも２０モル％以下である。
1-33に示すように、ｆが２０モル％未満の場合は所望の
電気特性の組成物が得られるが、試料No.1-24,1-26,1-2
8,1-32,1-34 に示すように、ｆが２０モル％を越える
と、組成物が９００℃で焼結しなくなる。従って、ｆの
適正範囲は少なくとも２０モル％以下である。
【００２３】 実施例２及び比較例２ 実施例１で使用したものと同様の原料化合物を、ＴｉＯ
２ を除き、表２に示す割合で秤量して混合し、実施例
１と同様に加熱溶融して急冷し、得られたガラスにＴｉ
Ｏ２ を表２に示す割合で加え、これらを湿式で粉砕混
合して混合物を得た。以後は、この混合物を用いて、実
施例１と同様の手順で測定用の試料を作製し、その電気
特性を測定した。結果は表２の電気特性の欄に示す通り
となった。この結果によれば、実施例２及び比較例２の
ようにして製造した誘電体磁器組成物も実施例１及び比
較例１の場合と全く同様の傾向を示した。しかして、実
施例２及び比較例２ではＴｉＯ２ を他の原料化合物と
ともにガラス化しなくても実施例１及び比較例１の場合
と同様の結果が得られることがわかる。
２ を除き、表２に示す割合で秤量して混合し、実施例
１と同様に加熱溶融して急冷し、得られたガラスにＴｉ
Ｏ２ を表２に示す割合で加え、これらを湿式で粉砕混
合して混合物を得た。以後は、この混合物を用いて、実
施例１と同様の手順で測定用の試料を作製し、その電気
特性を測定した。結果は表２の電気特性の欄に示す通り
となった。この結果によれば、実施例２及び比較例２の
ようにして製造した誘電体磁器組成物も実施例１及び比
較例１の場合と全く同様の傾向を示した。しかして、実
施例２及び比較例２ではＴｉＯ２ を他の原料化合物と
ともにガラス化しなくても実施例１及び比較例１の場合
と同様の結果が得られることがわかる。
【００２４】
【表２】
【００２５】 実施例３及び比較例３ 実施例１で使用したものと同様の原料化合物を、Ａｌ２
Ｏ３ を除き、表３に示す割合で秤量して混合し、実施
例１と同様に加熱溶融して急冷し、得られたガラスにＡ
ｌ２ Ｏ３ を表３に示す割合で加え、湿式で粉砕混合し
て混合物を得た。以後は、この混合物を用いて、実施例
１と同様の手順で測定用の試料を作製し、その電気特性
を測定した。結果は表３の電気特性の欄に示す通りとな
った。この結果によれば、実施例３及び比較例３のよう
にして製造した誘電体磁器組成物も実施例１及び比較例
１の場合と全く同様の傾向を示した。しかして、実施例
３及び比較例３ではＡｌ２ Ｏ３ を他の原料化合物とと
もにガラス化しなくても実施例１及び比較例１の場合と
同様の結果が得られることがわかる。
Ｏ３ を除き、表３に示す割合で秤量して混合し、実施
例１と同様に加熱溶融して急冷し、得られたガラスにＡ
ｌ２ Ｏ３ を表３に示す割合で加え、湿式で粉砕混合し
て混合物を得た。以後は、この混合物を用いて、実施例
１と同様の手順で測定用の試料を作製し、その電気特性
を測定した。結果は表３の電気特性の欄に示す通りとな
った。この結果によれば、実施例３及び比較例３のよう
にして製造した誘電体磁器組成物も実施例１及び比較例
１の場合と全く同様の傾向を示した。しかして、実施例
３及び比較例３ではＡｌ２ Ｏ３ を他の原料化合物とと
もにガラス化しなくても実施例１及び比較例１の場合と
同様の結果が得られることがわかる。
【００２６】
【表３】
【００２７】 実施例４及び比較例４ 実施例１で使用したものと同様の原料化合物を、ＨｆＯ
２ を除き、表４に示す割合で秤量して混合し、実施例
１と同様に加熱溶融して急冷し、得られたガラスにＨｆ
Ｏ２ を表４に示す割合で加え、湿式で粉砕混合して混
合物を得た。以後は、この混合物を用いて、実施例１と
同様の手順で測定用の試料を作製し、その電気特性を測
定した。結果は表４の電気特性の欄に示す通りとなっ
た。この結果によれば、実施例４及び比較例４のように
して製造した誘電体磁器組成物も実施例１及び比較例１
の場合と全く同様の傾向を示した。しかして、実施例４
及び比較例４ではＨｆＯ２ を他の原料化合物とともに
ガラス化しなくても実施例１及び比較例１の場合と同様
の結果が得られることがわかる。
２ を除き、表４に示す割合で秤量して混合し、実施例
１と同様に加熱溶融して急冷し、得られたガラスにＨｆ
Ｏ２ を表４に示す割合で加え、湿式で粉砕混合して混
合物を得た。以後は、この混合物を用いて、実施例１と
同様の手順で測定用の試料を作製し、その電気特性を測
定した。結果は表４の電気特性の欄に示す通りとなっ
た。この結果によれば、実施例４及び比較例４のように
して製造した誘電体磁器組成物も実施例１及び比較例１
の場合と全く同様の傾向を示した。しかして、実施例４
及び比較例４ではＨｆＯ２ を他の原料化合物とともに
ガラス化しなくても実施例１及び比較例１の場合と同様
の結果が得られることがわかる。
【００２８】
【表４】
【００２９】 実施例５及び比較例５ 実施例１で使用したものと同様の原料化合物を、Ａｌ２
Ｏ３ 及びＴｉＯ２を除き、表５に示す割合で秤量して
混合し、実施例１と同様に加熱溶融して急冷し、得られ
たガラスにＡｌ２ Ｏ３ 及びＴｉＯ２ を表５に示す割
合で加え、湿式で粉砕混合して混合物を得た。以後は、
この混合物を用いて、実施例１と同様の手順で測定用の
試料を作製し、その電気特性を測定した。結果は表５の
電気特性の欄に示す通りとなった。この結果によれば、
実施例５及び比較例５のようにして製造した誘電体磁器
組成物も実施例１及び比較例１の場合と全く同様の傾向
を示した。しかして、実施例５及び比較例５ではＡｌ２
Ｏ３ 及びＴｉＯ２ を他の原料化合物とともにガラス
化しなくても実施例１及び比較例１の場合と同様の結果
が得られることがわかる。
Ｏ３ 及びＴｉＯ２を除き、表５に示す割合で秤量して
混合し、実施例１と同様に加熱溶融して急冷し、得られ
たガラスにＡｌ２ Ｏ３ 及びＴｉＯ２ を表５に示す割
合で加え、湿式で粉砕混合して混合物を得た。以後は、
この混合物を用いて、実施例１と同様の手順で測定用の
試料を作製し、その電気特性を測定した。結果は表５の
電気特性の欄に示す通りとなった。この結果によれば、
実施例５及び比較例５のようにして製造した誘電体磁器
組成物も実施例１及び比較例１の場合と全く同様の傾向
を示した。しかして、実施例５及び比較例５ではＡｌ２
Ｏ３ 及びＴｉＯ２ を他の原料化合物とともにガラス
化しなくても実施例１及び比較例１の場合と同様の結果
が得られることがわかる。
【００３０】
【表５】
【００３１】 実施例６及び比較例６ 実施例１で使用したものと同様の原料化合物を、ＨｆＯ
２ 及びＴｉＯ２ を除き、表６に示す割合で秤量して混
合し、実施例１と同様に加熱溶融して急冷し、得られた
ガラスにＨｆＯ２ 及びＴｉＯ２ を表６に示す割合で加
え、湿式で粉砕混合して混合物を得た。以後は、この混
合物を用いて、実施例１と同様の手順で測定用の試料を
作製し、その電気特性を測定した。結果は表６の電気特
性の欄に示す通りとなった。この結果によれば、実施例
６及び比較例６のようにして製造した誘電体磁器組成物
も実施例１及び比較例１の場合と全く同様の傾向を示し
た。しかして、実施例６及び比較例６ではＨｆＯ２ 及
びＴｉＯ２ を他の原料化合物とともにガラス化しなく
ても実施例１及び比較例１の場合と同様の結果が得られ
ることがわかる。
２ 及びＴｉＯ２ を除き、表６に示す割合で秤量して混
合し、実施例１と同様に加熱溶融して急冷し、得られた
ガラスにＨｆＯ２ 及びＴｉＯ２ を表６に示す割合で加
え、湿式で粉砕混合して混合物を得た。以後は、この混
合物を用いて、実施例１と同様の手順で測定用の試料を
作製し、その電気特性を測定した。結果は表６の電気特
性の欄に示す通りとなった。この結果によれば、実施例
６及び比較例６のようにして製造した誘電体磁器組成物
も実施例１及び比較例１の場合と全く同様の傾向を示し
た。しかして、実施例６及び比較例６ではＨｆＯ２ 及
びＴｉＯ２ を他の原料化合物とともにガラス化しなく
ても実施例１及び比較例１の場合と同様の結果が得られ
ることがわかる。
【００３２】
【表６】
【００３３】 実施例７及び比較例７ 実施例１で使用したものと同様の原料化合物を、ＨｆＯ
２ 及びＡｌ２ Ｏ３を除き、表７に示す割合で秤量して
混合し、実施例１と同様に加熱溶融して急冷し、得られ
たガラスにＨｆＯ２ 及びＡｌ２ Ｏ３ を表７に示す割
合で加え、湿式で粉砕混合して混合物を得た。以後は、
この混合物を用いて、実施例１と同様の手順で測定用の
試料を作製し、その電気特性を測定した。結果は表７の
電気特性の欄に示す通りとなった。この結果によれば、
実施例７及び比較例７のようにして製造した誘電体磁器
組成物も実施例１及び比較例１の場合と全く同様の傾向
を示した。しかして、実施例７及び比較例７ではＨｆＯ
２ 及びＡｌ２ Ｏ３ を他の原料化合物とともにガラス
化しなくても実施例１及び比較例１の場合と同様の結果
が得られることがわかる。
２ 及びＡｌ２ Ｏ３を除き、表７に示す割合で秤量して
混合し、実施例１と同様に加熱溶融して急冷し、得られ
たガラスにＨｆＯ２ 及びＡｌ２ Ｏ３ を表７に示す割
合で加え、湿式で粉砕混合して混合物を得た。以後は、
この混合物を用いて、実施例１と同様の手順で測定用の
試料を作製し、その電気特性を測定した。結果は表７の
電気特性の欄に示す通りとなった。この結果によれば、
実施例７及び比較例７のようにして製造した誘電体磁器
組成物も実施例１及び比較例１の場合と全く同様の傾向
を示した。しかして、実施例７及び比較例７ではＨｆＯ
２ 及びＡｌ２ Ｏ３ を他の原料化合物とともにガラス
化しなくても実施例１及び比較例１の場合と同様の結果
が得られることがわかる。
【００３４】
【表７】
【００３５】 実施例８及び比較例８ 実施例１で使用したものと同様の原料化合物を、ＨｆＯ
２ ，Ａｌ２ Ｏ３ 及びＴｉＯ２ を除き、表８に示す割
合で秤量して混合し、実施例１と同様に加熱溶融して急
冷し、得られたガラスにＨｆＯ２ ，Ａｌ２ Ｏ３ 及び
ＴｉＯ２ を表８に示す割合で加え、湿式で粉砕混合し
て混合物を得た。以後は、この混合物を用いて、実施例
１と同様の手順で測定用の試料を作製し、その電気特性
を測定した。結果は表８の電気特性の欄に示す通りとな
った。この結果によれば、実施例８及び比較例８のよう
にして製造した誘電体磁器組成物も実施例１及び比較例
１の場合と全く同様の傾向を示した。しかして、実施例
８及び比較例８ではＨｆＯ２ ，Ａｌ２ Ｏ３ 及びＴｉ
Ｏ２ を他の原料化合物とともにガラス化しなくても実
施例１及び比較例１の場合と同様の結果が得られること
がわかる。
２ ，Ａｌ２ Ｏ３ 及びＴｉＯ２ を除き、表８に示す割
合で秤量して混合し、実施例１と同様に加熱溶融して急
冷し、得られたガラスにＨｆＯ２ ，Ａｌ２ Ｏ３ 及び
ＴｉＯ２ を表８に示す割合で加え、湿式で粉砕混合し
て混合物を得た。以後は、この混合物を用いて、実施例
１と同様の手順で測定用の試料を作製し、その電気特性
を測定した。結果は表８の電気特性の欄に示す通りとな
った。この結果によれば、実施例８及び比較例８のよう
にして製造した誘電体磁器組成物も実施例１及び比較例
１の場合と全く同様の傾向を示した。しかして、実施例
８及び比較例８ではＨｆＯ２ ，Ａｌ２ Ｏ３ 及びＴｉ
Ｏ２ を他の原料化合物とともにガラス化しなくても実
施例１及び比較例１の場合と同様の結果が得られること
がわかる。
【００３６】
【表８】
【００３７】 実施例９及び比較例９ 実施例１で使用したものと同様の原料化合物を、Ｌａ２
Ｏ３ ，Ｇｄ２ Ｏ３及びＹｂ２ Ｏ３ を除き、表９に
示す割合で秤量して混合し、実施例１と同様に加熱溶融
して急冷し、得られたガラスにＬａ２ Ｏ３ ，Ｇｄ２
Ｏ３ 及びＹｂ２Ｏ３ を表９に示す割合で加え、湿式で
粉砕混合して混合物を得た。以後は、この混合物を用い
て、実施例１と同様の手順で測定用の試料を作製し、そ
の電気特性を測定した。結果は表９の電気特性の欄に示
す通りとなった。この結果によれば、実施例９及び比較
例９のようにして製造した誘電体磁器組成物も実施例１
及び比較例１の場合と全く同様の傾向を示した。しかし
て、実施例９及び比較例９ではＬａ２ Ｏ３ ，Ｇｄ２
Ｏ３ 及びＹｂ２ Ｏ３ を他の原料化合物とともにガラ
ス化しなくても実施例１及び比較例１の場合と同様の結
果が得られることがわかる。
Ｏ３ ，Ｇｄ２ Ｏ３及びＹｂ２ Ｏ３ を除き、表９に
示す割合で秤量して混合し、実施例１と同様に加熱溶融
して急冷し、得られたガラスにＬａ２ Ｏ３ ，Ｇｄ２
Ｏ３ 及びＹｂ２Ｏ３ を表９に示す割合で加え、湿式で
粉砕混合して混合物を得た。以後は、この混合物を用い
て、実施例１と同様の手順で測定用の試料を作製し、そ
の電気特性を測定した。結果は表９の電気特性の欄に示
す通りとなった。この結果によれば、実施例９及び比較
例９のようにして製造した誘電体磁器組成物も実施例１
及び比較例１の場合と全く同様の傾向を示した。しかし
て、実施例９及び比較例９ではＬａ２ Ｏ３ ，Ｇｄ２
Ｏ３ 及びＹｂ２ Ｏ３ を他の原料化合物とともにガラ
ス化しなくても実施例１及び比較例１の場合と同様の結
果が得られることがわかる。
【００３８】
【表９】
【００３９】
【発明の効果】本発明によれば、従来よりも低い温度の
焼成で所望の電気的特性を有する低誘電率の誘電体磁器
組成物を得ることができるので、高周波用磁器コンデン
サの内部電極としてＡｇやＣｕのような電気伝導度の良
い、安価な材料を使用することができ、従って、従来よ
りも更にＱの大きな電気的特性の優れた磁器コンデンサ
を安価に提供することができるという効果がある。
焼成で所望の電気的特性を有する低誘電率の誘電体磁器
組成物を得ることができるので、高周波用磁器コンデン
サの内部電極としてＡｇやＣｕのような電気伝導度の良
い、安価な材料を使用することができ、従って、従来よ
りも更にＱの大きな電気的特性の優れた磁器コンデンサ
を安価に提供することができるという効果がある。
【００４０】また、本発明によれば、従来よりも低い温
度の焼成で所望の電気的特性を有する誘電体磁器組成物
を得ることができるので、誘電体磁器組成物を焼結させ
るためのエネルギーコストを低下させることができ、従
って、従来よりも安価な磁器コンデンサを提供すること
ができるという効果がある。
度の焼成で所望の電気的特性を有する誘電体磁器組成物
を得ることができるので、誘電体磁器組成物を焼結させ
るためのエネルギーコストを低下させることができ、従
って、従来よりも安価な磁器コンデンサを提供すること
ができるという効果がある。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｇ 4/12 ３５８ Ｃ０４Ｂ 35/46 Ｃ (72)発明者 成田 直人 東京都台東区上野６丁目16番20号 太陽 誘電株式会社内 (72)発明者 水野 洋一 東京都台東区上野６丁目16番20号 太陽 誘電株式会社内 (72)発明者 増田 淳 東京都台東区上野６丁目16番20号 太陽 誘電株式会社内 (56)参考文献 特開 平１−102808（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−123614（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−225407（ＪＰ，Ａ) 特開 昭49−59298（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−52211（ＪＰ，Ａ) 特公 昭43−12902（ＪＰ，Ｂ１) 特公 昭43−2441（ＪＰ，Ｂ１) 「化学大辞典」 Ｐ．1795
Claims (1)
- 【請求項１】 焼成して酸化物となるＢａ，Ｃａ，Ｓ
ｒ，Ｓｉ，Ｈｆ，Ａｌ，Ｔｉ及びＬｎの各原料化合物の
中の少なくともＢａ，Ｃａ，Ｓｒ及びＳｉの各原料化合
物を混合して加熱溶融する工程と、この溶融したものを
急冷してガラス化する工程と、このガラス化したものを
微粉砕する工程と、この微粉砕したものを含めて全ての
原料化合物及びバインダを混合する工程と、この混合に
よって得られた混合物を成形する工程と、この成形した
ものを９００℃以下の温度で焼成する工程とを備え、 前記各原料化合物が、式：ａ（ｘＢａ−ｙＣａ−ｚＳ
ｒ）Ｏ−ｂＳｉＯ２ −ｃＨｆＯ２ −（ｄ／２）Ａｌ２
Ｏ３ −ｅＴｉＯ２ −（ｆ／ｉ）Ｌｎｉ Ｏｊ（但し、
ＬｎはＬａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔ
ｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ及びＬｕから選択さ
れた一種または二種以上の元素、ｉはＬｎの原子価数と
Ｏの原子価数の最小公倍数をＬｎの原子価数で割って得
られた数、ｊはＬｎの原子価数とＯの原子価数の最小公
倍数をＯの原子価数で割って得られた数、 で表わされる割合になっていることを特徴とする誘電体
磁器組成物の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4025665A JP2879865B2 (ja) | 1992-01-16 | 1992-01-16 | 誘電体磁器組成物の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4025665A JP2879865B2 (ja) | 1992-01-16 | 1992-01-16 | 誘電体磁器組成物の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05190018A JPH05190018A (ja) | 1993-07-30 |
| JP2879865B2 true JP2879865B2 (ja) | 1999-04-05 |
Family
ID=12172091
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4025665A Expired - Fee Related JP2879865B2 (ja) | 1992-01-16 | 1992-01-16 | 誘電体磁器組成物の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2879865B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5635741A (en) * | 1994-09-30 | 1997-06-03 | Texas Instruments Incorporated | Barium strontium titanate (BST) thin films by erbium donor doping |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4959298A (ja) * | 1972-10-12 | 1974-06-08 | ||
| JPS63225407A (ja) * | 1987-03-13 | 1988-09-20 | 株式会社村田製作所 | 粒界絶縁形半導体磁器組成物 |
| JPH01102808A (ja) * | 1987-10-14 | 1989-04-20 | Murata Mfg Co Ltd | 温度補償用誘電体磁器組成物 |
| JPH02123614A (ja) * | 1988-11-02 | 1990-05-11 | Tdk Corp | 高誘電率系磁器組成物 |
-
1992
- 1992-01-16 JP JP4025665A patent/JP2879865B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 「化学大辞典」 Ｐ．１７９５ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05190018A (ja) | 1993-07-30 |
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