JP3067918B2 - 高周波用低温焼結性磁器組成物 - Google Patents
高周波用低温焼結性磁器組成物Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高周波用の積層磁器コ
ンデンサ、インダクタ、共振器等の磁器部分を構成する
高周波用低温焼結性磁器組成物に関するものである。
ンデンサ、インダクタ、共振器等の磁器部分を構成する
高周波用低温焼結性磁器組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】高周波用の積層磁器コンデンサ、インダ
クタ、共振器等の磁器材料を構成する磁器組成物として
は、例えばＢａＯ−ＴｉＯ2 −Ｒｅ系（但し、Ｒｅ：希
土類元素）、ＺｒＯ2 −ＳｎＯ2 −ＴｉＯ2 系、Ｂａ
（Ｚｎ1/3 Ｔａ2/3 ）Ｏ3 複合ペロブスカイト等が知ら
れている。
クタ、共振器等の磁器材料を構成する磁器組成物として
は、例えばＢａＯ−ＴｉＯ2 −Ｒｅ系（但し、Ｒｅ：希
土類元素）、ＺｒＯ2 −ＳｎＯ2 −ＴｉＯ2 系、Ｂａ
（Ｚｎ1/3 Ｔａ2/3 ）Ｏ3 複合ペロブスカイト等が知ら
れている。
【０００３】
【この発明が解決しようとする課題】これらの磁器組成
物は焼結温度が１１００〜１６００℃とかなり高いの
で、例えば積層磁器コンデンサの誘電体材料として使用
する場合は、内部電極としてタングステン、モリブデ
ン、パラジウム等の高融点金属を使用しなければならな
い。しかし、これらの高融点金属は電気伝導度が低いの
で、この積層磁器コンデンサを高周波回路で使用した場
合は誘電体損失が大きくなり、Ｑが低下してしまうとい
う問題があった。
物は焼結温度が１１００〜１６００℃とかなり高いの
で、例えば積層磁器コンデンサの誘電体材料として使用
する場合は、内部電極としてタングステン、モリブデ
ン、パラジウム等の高融点金属を使用しなければならな
い。しかし、これらの高融点金属は電気伝導度が低いの
で、この積層磁器コンデンサを高周波回路で使用した場
合は誘電体損失が大きくなり、Ｑが低下してしまうとい
う問題があった。
【０００４】また、上述した組成物は比誘電率が２０〜
１００と高いので、例えば高周波用の積層磁器コンデン
サの誘電体材料として使用した場合は、自己共振周波数
が比較的低周波側で発生することによって高周波領域で
はコンデンサとして機能しなくなるという問題があっ
た。
１００と高いので、例えば高周波用の積層磁器コンデン
サの誘電体材料として使用した場合は、自己共振周波数
が比較的低周波側で発生することによって高周波領域で
はコンデンサとして機能しなくなるという問題があっ
た。
【０００５】本発明は、比誘電率の低い高周波用磁器組
成物を、９００℃以下の比較的低い温度の焼成で製造す
ることができる高周波用低温焼結性磁器組成物を提供す
ることを目的とする。
成物を、９００℃以下の比較的低い温度の焼成で製造す
ることができる高周波用低温焼結性磁器組成物を提供す
ることを目的とする。
【０００６】具体的には、９００℃以下の温度の焼成で
緻密に焼結し、比誘電率εr が１０以下、Ｑが５００以
上、比誘電率εr の温度係数τεが０±６０ｐｐｍ／℃
の高周波用低温焼結性磁器組成物を提供することを目的
とする。
緻密に焼結し、比誘電率εr が１０以下、Ｑが５００以
上、比誘電率εr の温度係数τεが０±６０ｐｐｍ／℃
の高周波用低温焼結性磁器組成物を提供することを目的
とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に係る高周波用低
温焼結性磁器組成物は、石英粉末とガラス粉末との混合
物を焼結したものからなり、石英粉末（Ｘ）とガラス粉
末（Ｙ）のモル比率が、３３ｍｏｌ％≦Ｘ≦５５ｍｏｌ
％，４５ｍｏｌ％≦Ｙ≦６７ｍｏｌ％，Ｘ＋Ｙ＝１００
ｍｏｌ％，の範囲にある。
温焼結性磁器組成物は、石英粉末とガラス粉末との混合
物を焼結したものからなり、石英粉末（Ｘ）とガラス粉
末（Ｙ）のモル比率が、３３ｍｏｌ％≦Ｘ≦５５ｍｏｌ
％，４５ｍｏｌ％≦Ｙ≦６７ｍｏｌ％，Ｘ＋Ｙ＝１００
ｍｏｌ％，の範囲にある。
【０００８】ここで、石英粉末としてはα−石英の粉末
が好ましい。また、石英粉末及びガラス粉末の組成範囲
を、３３ｍｏｌ％≦Ｘ≦５５ｍｏｌ％、４５ｍｏｌ％≦
Ｙ≦６７ｍｏｌ％としたのは、石英粉末が５５ｍｏｌ％
を越え、ガラス粉末が４５ｍｏｌ％未満になると、９０
０℃の焼成で緻密な焼結体が得られなくなり、石英粉末
が３３ｍｏｌ％未満になり、ガラス粉末が６７ｍｏｌ％
を越えると、９００℃の焼成において発泡、反り、変形
を生じるようになるか、比誘電率εｒが悪化するからで
ある。
が好ましい。また、石英粉末及びガラス粉末の組成範囲
を、３３ｍｏｌ％≦Ｘ≦５５ｍｏｌ％、４５ｍｏｌ％≦
Ｙ≦６７ｍｏｌ％としたのは、石英粉末が５５ｍｏｌ％
を越え、ガラス粉末が４５ｍｏｌ％未満になると、９０
０℃の焼成で緻密な焼結体が得られなくなり、石英粉末
が３３ｍｏｌ％未満になり、ガラス粉末が６７ｍｏｌ％
を越えると、９００℃の焼成において発泡、反り、変形
を生じるようになるか、比誘電率εｒが悪化するからで
ある。
【０００９】次に、この高周波用低温焼結性磁器組成物
において、ガラス粉末は、酸化物換算表記に従ったと
き、主成分が、ＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３，（Ｂａａ，Ｃａ
ｂ，Ｓｒｃ）Ｏ及びＴｉＯ２からなり、ＳｉＯ
２（Ａ），Ａｌ２Ｏ３（Ｂ），（Ｂａａ，Ｃａｂ，Ｓｒ
ｃ）Ｏ（Ｃ）及びＴｉＯ２（Ｄ）のモル比率が、１５ｍ
ｏｌ％≦Ａ≦７０ｍｏｌ％，０ｍｏｌ％＜Ｂ≦１５ｍｏ
ｌ％，５ｍｏｌ％≦Ｃ≦６０ｍｏｌ％，１０ｍｏｌ％≦
ａ≦８０ｍｏｌ％，１０ｍｏｌ％≦ｂ≦８０ｍｏｌ％，
１０ｍｏｌ％≦ｃ≦８０ｍｏｌ％，ａ＋ｂ＋ｃ＝１００
ｍｏｌ％，の範囲にある。
において、ガラス粉末は、酸化物換算表記に従ったと
き、主成分が、ＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３，（Ｂａａ，Ｃａ
ｂ，Ｓｒｃ）Ｏ及びＴｉＯ２からなり、ＳｉＯ
２（Ａ），Ａｌ２Ｏ３（Ｂ），（Ｂａａ，Ｃａｂ，Ｓｒ
ｃ）Ｏ（Ｃ）及びＴｉＯ２（Ｄ）のモル比率が、１５ｍ
ｏｌ％≦Ａ≦７０ｍｏｌ％，０ｍｏｌ％＜Ｂ≦１５ｍｏ
ｌ％，５ｍｏｌ％≦Ｃ≦６０ｍｏｌ％，１０ｍｏｌ％≦
ａ≦８０ｍｏｌ％，１０ｍｏｌ％≦ｂ≦８０ｍｏｌ％，
１０ｍｏｌ％≦ｃ≦８０ｍｏｌ％，ａ＋ｂ＋ｃ＝１００
ｍｏｌ％，の範囲にある。
【００１０】ここで、ＳｉＯ2 （Ａ）の組成範囲を、１
５ｍｏｌ％≦Ａ≦７０ｍｏｌ％としたのは、ＳｉＯ2 が
１５ｍｏｌ％未満になると、ガラス成分がガラス化しな
くなり、ＳｉＯ2 が７０ｍｏｌ％を越えると、９００℃
の焼成で緻密な焼結体が得られなくなるからである。
５ｍｏｌ％≦Ａ≦７０ｍｏｌ％としたのは、ＳｉＯ2 が
１５ｍｏｌ％未満になると、ガラス成分がガラス化しな
くなり、ＳｉＯ2 が７０ｍｏｌ％を越えると、９００℃
の焼成で緻密な焼結体が得られなくなるからである。
【００１１】また、Ａｌ2 Ｏ3 （Ｂ）の組成範囲を、０
ｍｏｌ％＜Ｂ≦１５ｍｏｌ％としたのは、Ａｌ2 Ｏ3 が
０ｍｏｌ％ではガラス成分がガラス化せず、Ａｌ2 Ｏ3
が１５ｍｏｌ％を越えると、９００℃の焼成で緻密な焼
結体が得られなくなるからである。
ｍｏｌ％＜Ｂ≦１５ｍｏｌ％としたのは、Ａｌ2 Ｏ3 が
０ｍｏｌ％ではガラス成分がガラス化せず、Ａｌ2 Ｏ3
が１５ｍｏｌ％を越えると、９００℃の焼成で緻密な焼
結体が得られなくなるからである。
【００１２】また、（Ｂａa,Ｃａb,Ｓｒc ）Ｏ（Ｃ）の
組成範囲を、５ｍｏｌ％≦Ｃ≦６０ｍｏｌ％としたの
は、（Ｂａa,Ｃａb,Ｓｒc ）が５ｍｏｌ％未満では、９
００℃の焼成で緻密な焼結体が得られなくなり、（Ｂａ
a,Ｃａb,Ｓｒc ）が６０ｍｏｌ％を越えると、比誘電率
εr の温度係数τεが悪化するからである。
組成範囲を、５ｍｏｌ％≦Ｃ≦６０ｍｏｌ％としたの
は、（Ｂａa,Ｃａb,Ｓｒc ）が５ｍｏｌ％未満では、９
００℃の焼成で緻密な焼結体が得られなくなり、（Ｂａ
a,Ｃａb,Ｓｒc ）が６０ｍｏｌ％を越えると、比誘電率
εr の温度係数τεが悪化するからである。
【００１３】また、ＢａＯ（ａ），ＣａＯ（ｃ）及びＳ
ｒＯ（ｄ）の組成範囲を、１０ｍｏｌ％≦ａ≦８０ｍｏ
ｌ％，１０ｍｏｌ％≦ｂ≦８０ｍｏｌ％，１０ｍｏｌ％
≦ｃ≦８０ｍｏｌ％としたのは、ＢａＯが８０ｍｏｌ％
を越えたり、ＣａＯが８０ｍｏｌ％を越えたり、ＳｒＯ
が８０ｍｏｌ％を越えると、９００℃の焼成において発
泡、変形、反りを生じたり、９００℃の焼成で緻密な焼
結体が得られなくなるからである。
ｒＯ（ｄ）の組成範囲を、１０ｍｏｌ％≦ａ≦８０ｍｏ
ｌ％，１０ｍｏｌ％≦ｂ≦８０ｍｏｌ％，１０ｍｏｌ％
≦ｃ≦８０ｍｏｌ％としたのは、ＢａＯが８０ｍｏｌ％
を越えたり、ＣａＯが８０ｍｏｌ％を越えたり、ＳｒＯ
が８０ｍｏｌ％を越えると、９００℃の焼成において発
泡、変形、反りを生じたり、９００℃の焼成で緻密な焼
結体が得られなくなるからである。
【００１４】また、ＴｉＯ２（Ｄ）の組成範囲を、４ｍ
ｏｌ％≦Ｄ≦１１ｍｏｌ％としたのは、ＴｉＯ２が４ｍ
ｏｌ％未満になったり、ＴｉＯ２が１１ｍｏｌ％を越え
ると、比誘電率εｒが悪化したり、比誘電率εｒの温度
係数τεが悪化するからである。
ｏｌ％≦Ｄ≦１１ｍｏｌ％としたのは、ＴｉＯ２が４ｍ
ｏｌ％未満になったり、ＴｉＯ２が１１ｍｏｌ％を越え
ると、比誘電率εｒが悪化したり、比誘電率εｒの温度
係数τεが悪化するからである。
【００１５】なお、上述のガラス粉末の製造方法として
は、ガラス成分を例えば１４００〜１５００℃の高温で
溶融させ、これを水中に滴下して急冷させるか、鉄板上
に流して急冷させることにより得られるが、これ以外の
急冷方法を用いてもよい。また、上述のガラス成分の各
原料は酸化物に限定されるものではなく、炭酸塩、水酸
化物のように焼成で酸化物になり得るものであれば使用
できることはもちろんである。
は、ガラス成分を例えば１４００〜１５００℃の高温で
溶融させ、これを水中に滴下して急冷させるか、鉄板上
に流して急冷させることにより得られるが、これ以外の
急冷方法を用いてもよい。また、上述のガラス成分の各
原料は酸化物に限定されるものではなく、炭酸塩、水酸
化物のように焼成で酸化物になり得るものであれば使用
できることはもちろんである。
【００１６】
【実施例】まず、実施例１の場合について説明する。ガ
ラス成分の各原料（ＳｉＯ2 ，ＣａＣＯ3 ，ＢａＣＯ
3 ，ＳｒＣＯ3 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＴｉＯ2 ）を表１の実
施例１の欄に示すように各々秤量し、これらをボールミ
ルで十分に混合してガラス成分のバッチ(batch) を作成
した。
ラス成分の各原料（ＳｉＯ2 ，ＣａＣＯ3 ，ＢａＣＯ
3 ，ＳｒＣＯ3 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＴｉＯ2 ）を表１の実
施例１の欄に示すように各々秤量し、これらをボールミ
ルで十分に混合してガラス成分のバッチ(batch) を作成
した。
【００１７】次に、このバッチを坩堝に入れ、１５５０
℃で１時間加熱して溶融し、溶融物を水中に滴下して急
冷しガラス片を得た。そして、このガラス片をボールミ
ルで微粉砕し、平均粒径０．４〜１．０μｍのガラス粉
末を得た。
℃で１時間加熱して溶融し、溶融物を水中に滴下して急
冷しガラス片を得た。そして、このガラス片をボールミ
ルで微粉砕し、平均粒径０．４〜１．０μｍのガラス粉
末を得た。
【００１８】次に、このガラス粉末とα−石英の粉末と
を表１に示すようなモル比で配合し、これらをボール
ミルに入れて１５時間混合し、均質な混合粉末を得た。
を表１に示すようなモル比で配合し、これらをボール
ミルに入れて１５時間混合し、均質な混合粉末を得た。
【００１９】次に、この混合粉末に有機バインダー（Ｐ
ＶＡ）を加えて造粒し、これを成形機の型内に入れ、５
００ｋｇ／ｃｍ2 の圧力で加圧成形し、直径９．８ｍ
ｍ、厚さ０．６ｍｍの円板状の成形物を得た。
ＶＡ）を加えて造粒し、これを成形機の型内に入れ、５
００ｋｇ／ｃｍ2 の圧力で加圧成形し、直径９．８ｍ
ｍ、厚さ０．６ｍｍの円板状の成形物を得た。
【００２０】次に、この成形物をジルコニアセッター上
に載せて焼成炉に入れ、大気雰囲気中において３５０℃
で６時間保持し、成形物中の有機バインダーを燃焼除去
させ、その後、炉内温度を９００℃まで上昇させ、この
温度で２時間保持させて成形物を焼結させ、磁器素体を
得た。
に載せて焼成炉に入れ、大気雰囲気中において３５０℃
で６時間保持し、成形物中の有機バインダーを燃焼除去
させ、その後、炉内温度を９００℃まで上昇させ、この
温度で２時間保持させて成形物を焼結させ、磁器素体を
得た。
【００２１】次に、この磁器素体の両主面にＡｇペース
トを塗布して焼付け、一対の電極を設けた測定用のコン
デンサを得た。そして、このコンデンサについて、比誘
電率εr 、Ｑ及び比誘電率εr の温度係数τεを測定し
た。比誘電率εr 及びＱは、２０℃，１ＭＨｚ，１Ｖ
rms の条件で測定し、比誘電率εr の温度係数τεは、
−５５〜＋１２５℃（２０℃基準）の温度範囲において
測定した。結果は表１の電気的特性の欄に示す通りと
なった。
トを塗布して焼付け、一対の電極を設けた測定用のコン
デンサを得た。そして、このコンデンサについて、比誘
電率εr 、Ｑ及び比誘電率εr の温度係数τεを測定し
た。比誘電率εr 及びＱは、２０℃，１ＭＨｚ，１Ｖ
rms の条件で測定し、比誘電率εr の温度係数τεは、
−５５〜＋１２５℃（２０℃基準）の温度範囲において
測定した。結果は表１の電気的特性の欄に示す通りと
なった。
【００２２】表１〜表１には、実施例２〜２１及び
比較例１〜１４の条件及び結果も記載されている。これ
らの例における各原料成分の割合（ｍｏｌ％）はこれら
の表の左欄に記載されている通りである。実験方法は実
施例１と同様である。結果はこれらの表の右欄に示す通
りとなった。
比較例１〜１４の条件及び結果も記載されている。これ
らの例における各原料成分の割合（ｍｏｌ％）はこれら
の表の左欄に記載されている通りである。実験方法は実
施例１と同様である。結果はこれらの表の右欄に示す通
りとなった。
【００２３】
【表１】
【００２４】
【表１】
【００２５】
【表１】
【００２６】次に、表１〜表１に示す結果を参照し
ながら、各原料成分の好適な範囲（ｍｏｌ％）について
検討する。なお、以下で述べられている実施例１，１
２，１３，１４，１５，１６及び２１は参考例である。
ながら、各原料成分の好適な範囲（ｍｏｌ％）について
検討する。なお、以下で述べられている実施例１，１
２，１３，１４，１５，１６及び２１は参考例である。
【００２７】まず、実施例２〜１１に示すように、石英
粉末が３３〜５５ｍｏｌ％、ガラス粉末が４５〜６７ｍ
ｏｌ％の場合は、所望の磁器組成物が得られる。しか
し、比較例１に示すように、石英粉末が６０ｍｏｌ％、
ガラス粉末が４０ｍｏｌ％の場合は、９００℃の焼成で
緻密な焼結体が得られない。また、比較例２，３に示す
ように、石英粉末が１０ｍｏｌ％、ガラス粉末が９０ｍ
ｏｌ％の場合は、９００℃の焼成において発泡、反り、
変形を生ずるか、又は比誘電率εｒが１１．２と悪化す
る。従って、石英粉末（Ｘ）は、３３ｍｏｌ％≦Ｘ≦５
５ｍｏｌ％の範囲が好適であり、ガラス粉末（Ｙ）は、
４５ｍｏｌ％≦Ｙ≦６７ｍｏｌ％の範囲が好適である。
粉末が３３〜５５ｍｏｌ％、ガラス粉末が４５〜６７ｍ
ｏｌ％の場合は、所望の磁器組成物が得られる。しか
し、比較例１に示すように、石英粉末が６０ｍｏｌ％、
ガラス粉末が４０ｍｏｌ％の場合は、９００℃の焼成で
緻密な焼結体が得られない。また、比較例２，３に示す
ように、石英粉末が１０ｍｏｌ％、ガラス粉末が９０ｍ
ｏｌ％の場合は、９００℃の焼成において発泡、反り、
変形を生ずるか、又は比誘電率εｒが１１．２と悪化す
る。従って、石英粉末（Ｘ）は、３３ｍｏｌ％≦Ｘ≦５
５ｍｏｌ％の範囲が好適であり、ガラス粉末（Ｙ）は、
４５ｍｏｌ％≦Ｙ≦６７ｍｏｌ％の範囲が好適である。
【００２８】なお、同様の目的で、実施例７の磁器組成
物についてＸ線回折図を求めたところ、図１に示す通り
となった。すなわち、この組成物の結晶相は、ＳｉＯ2
（α−石英），（Ｂａ，Ｃａ，Ｓｒ）Ａｌ2 Ｓｉ2 Ｏ
8 ，ＴｉＯ2 （Ｒｕｔｉｌｅ），Ｓｒ2 ＴｉＳｉ2 Ｏ8
であった。
物についてＸ線回折図を求めたところ、図１に示す通り
となった。すなわち、この組成物の結晶相は、ＳｉＯ2
（α−石英），（Ｂａ，Ｃａ，Ｓｒ）Ａｌ2 Ｓｉ2 Ｏ
8 ，ＴｉＯ2 （Ｒｕｔｉｌｅ），Ｓｒ2 ＴｉＳｉ2 Ｏ8
であった。
【００２９】次に、実施例１２〜１５に示すように、Ｓ
ｉＯ2 が１５〜７０ｍｏｌ％の場合は、いずれも所望の
磁器組成物が得られる。しかし、比較例５に示すよう
に、ＳｉＯ2 が７５ｍｏｌ％の場合は、９００℃の焼成
で緻密な焼結体が得られず、また、比較例６に示すよう
に、ＳｉＯ2 が１０ｍｏｌ％の場合は、ガラス成分がガ
ラス化しない。従って、ＳｉＯ2 （Ａ）は、１５ｍｏｌ
％≦Ａ≦７０ｍｏｌ％の範囲が好適である。
ｉＯ2 が１５〜７０ｍｏｌ％の場合は、いずれも所望の
磁器組成物が得られる。しかし、比較例５に示すよう
に、ＳｉＯ2 が７５ｍｏｌ％の場合は、９００℃の焼成
で緻密な焼結体が得られず、また、比較例６に示すよう
に、ＳｉＯ2 が１０ｍｏｌ％の場合は、ガラス成分がガ
ラス化しない。従って、ＳｉＯ2 （Ａ）は、１５ｍｏｌ
％≦Ａ≦７０ｍｏｌ％の範囲が好適である。
【００３０】次に、実施例１５〜２１に示すように、Ａ
ｌ2 Ｏ3 が５〜１５ｍｏｌ％の場合は、いずれも所望の
磁器組成物が得られる。しかし、比較例７に示すよう
に、Ａｌ2 Ｏ3 が０ｍｏｌ％の場合は、ガラス成分がガ
ラス化せず、また、比較例１３に示すように、Ａｌ2 Ｏ
3 が２０ｍｏｌ％の場合は、９００℃の焼成で緻密な焼
結体が得られない。従って、Ａｌ2 Ｏ3 （Ｂ）は、０ｍ
ｏｌ％＜Ｂ≦１５ｍｏｌ％の範囲が好適である。
ｌ2 Ｏ3 が５〜１５ｍｏｌ％の場合は、いずれも所望の
磁器組成物が得られる。しかし、比較例７に示すよう
に、Ａｌ2 Ｏ3 が０ｍｏｌ％の場合は、ガラス成分がガ
ラス化せず、また、比較例１３に示すように、Ａｌ2 Ｏ
3 が２０ｍｏｌ％の場合は、９００℃の焼成で緻密な焼
結体が得られない。従って、Ａｌ2 Ｏ3 （Ｂ）は、０ｍ
ｏｌ％＜Ｂ≦１５ｍｏｌ％の範囲が好適である。
【００３１】次に、実施例１４〜２１に示すように、
（Ｂａa,Ｃａb,Ｓｒc ）が５〜６０ｍｏｌ％の場合は、
いずれも所望の磁器組成物が得られる。しかし、比較例
１２に示すように、（Ｂａa,Ｃａb,Ｓｒc ）が３ｍｏｌ
％の場合は、９００℃の焼成で緻密な焼結体が得られ
ず、また、比較例１４に示すように、（Ｂａa,Ｃａb,Ｓ
ｒc ）が６５．０ｍｏｌ％の場合は、比誘電率εr の温
度係数τεが＋７５ｐｐｍ／℃と悪くなる。従って、
（Ｂａa,Ｃａb,Ｓｒc ）（Ｃ）は、５ｍｏｌ％≦Ｃ≦６
０ｍｏｌ％の範囲が好適である。
（Ｂａa,Ｃａb,Ｓｒc ）が５〜６０ｍｏｌ％の場合は、
いずれも所望の磁器組成物が得られる。しかし、比較例
１２に示すように、（Ｂａa,Ｃａb,Ｓｒc ）が３ｍｏｌ
％の場合は、９００℃の焼成で緻密な焼結体が得られ
ず、また、比較例１４に示すように、（Ｂａa,Ｃａb,Ｓ
ｒc ）が６５．０ｍｏｌ％の場合は、比誘電率εr の温
度係数τεが＋７５ｐｐｍ／℃と悪くなる。従って、
（Ｂａa,Ｃａb,Ｓｒc ）（Ｃ）は、５ｍｏｌ％≦Ｃ≦６
０ｍｏｌ％の範囲が好適である。
【００３２】次に、実施例１４〜２１に示すように、Ｂ
ａＯが１０ｍｏｌ％〜８０ｍｏｌ％、ＣａＯが１０ｍｏ
ｌ％〜８０ｍｏｌ％、ＳｒＯが１０ｍｏｌ％〜８０ｍｏ
ｌ％の場合は、所望の磁器組成物が得られる。しかし、
比較例８に示すように、ＢａＯが１０ｍｏｌ％，ＣａＯ
が９０ｍｏｌ％，ＳｒＯが０ｍｏｌ％の場合は、９００
℃の焼成で緻密な焼結体が得られず、また、比較例９に
示すように、ＢａＯが９０ｍｏｌ％，ＣａＯが０ｍｏｌ
％，ＳｒＯが１０ｍｏｌ％の場合は、９００℃の焼成に
おいて発泡、反り、変形を生じ、比較例１０に示すよう
に、ＢａＯが０ｍｏｌ％，ＣａＯが１０ｍｏｌ％，Ｓｒ
Ｏが９０ｍｏｌ％の場合は、９００℃の焼成において発
泡、反り、変形を生じる。従って、ＢａＯ（ａ），Ｃａ
Ｏ（ｂ）及びＳｒＯ（ｃ）は、０ｍｏｌ％＜ａ≦８０ｍ
ｏｌ％、０ｍｏｌ％＜ｂ≦８０ｍｏｌ％，０ｍｏｌ％＜
ｃ≦８０ｍｏｌ％の範囲が好適である。
ａＯが１０ｍｏｌ％〜８０ｍｏｌ％、ＣａＯが１０ｍｏ
ｌ％〜８０ｍｏｌ％、ＳｒＯが１０ｍｏｌ％〜８０ｍｏ
ｌ％の場合は、所望の磁器組成物が得られる。しかし、
比較例８に示すように、ＢａＯが１０ｍｏｌ％，ＣａＯ
が９０ｍｏｌ％，ＳｒＯが０ｍｏｌ％の場合は、９００
℃の焼成で緻密な焼結体が得られず、また、比較例９に
示すように、ＢａＯが９０ｍｏｌ％，ＣａＯが０ｍｏｌ
％，ＳｒＯが１０ｍｏｌ％の場合は、９００℃の焼成に
おいて発泡、反り、変形を生じ、比較例１０に示すよう
に、ＢａＯが０ｍｏｌ％，ＣａＯが１０ｍｏｌ％，Ｓｒ
Ｏが９０ｍｏｌ％の場合は、９００℃の焼成において発
泡、反り、変形を生じる。従って、ＢａＯ（ａ），Ｃａ
Ｏ（ｂ）及びＳｒＯ（ｃ）は、０ｍｏｌ％＜ａ≦８０ｍ
ｏｌ％、０ｍｏｌ％＜ｂ≦８０ｍｏｌ％，０ｍｏｌ％＜
ｃ≦８０ｍｏｌ％の範囲が好適である。
【００３３】次に、実施例１〜５，１７〜２０に示すよ
うに、ＴｉＯ２が４ｍｏｌ％の場合、及び実施例６，７
に示すように、ＴｉＯ２が１１ｍｏｌ％の場合は、いず
れも所望の磁器組成物が得られる。しかし、比較例４に
示すように、ＴｉＯ２が３ｍｏｌ％の場合は、比誘電率
εｒの温度係数τεが＋８３ｐｐｍ／℃と悪化し、ま
た、比較例１１に示すように、ＴｉＯ２が２０ｍｏｌ％
の場合は、比誘電率εｒが１２．４と悪化し、比誘電率
εｒの温度係数τεが−１２６ｐｐｍ／℃と悪化する。
従って、ＴｉＯ２（Ｄ）は、４ｍｏｌ％≦Ｄ≦１１ｍｏ
ｌ％の範囲が好適である。
うに、ＴｉＯ２が４ｍｏｌ％の場合、及び実施例６，７
に示すように、ＴｉＯ２が１１ｍｏｌ％の場合は、いず
れも所望の磁器組成物が得られる。しかし、比較例４に
示すように、ＴｉＯ２が３ｍｏｌ％の場合は、比誘電率
εｒの温度係数τεが＋８３ｐｐｍ／℃と悪化し、ま
た、比較例１１に示すように、ＴｉＯ２が２０ｍｏｌ％
の場合は、比誘電率εｒが１２．４と悪化し、比誘電率
εｒの温度係数τεが−１２６ｐｐｍ／℃と悪化する。
従って、ＴｉＯ２（Ｄ）は、４ｍｏｌ％≦Ｄ≦１１ｍｏ
ｌ％の範囲が好適である。
【００３４】
【発明の効果】本発明によれば、高周波用磁器組成物を
９００℃以下の比較的低い温度の焼成で得ることができ
るので、内部導体としてＡｇやＣｕのような電気伝導度
の良い金属を使用することができ、従って、Ｑを高める
ことができるという効果がある。
９００℃以下の比較的低い温度の焼成で得ることができ
るので、内部導体としてＡｇやＣｕのような電気伝導度
の良い金属を使用することができ、従って、Ｑを高める
ことができるという効果がある。
【００３５】また、本発明によれば、従来よりも低い温
度の焼成で高周波用磁器組成物を得ることができるの
で、焼成のためのエネルギーコストを低減させることが
できるという効果がある。
度の焼成で高周波用磁器組成物を得ることができるの
で、焼成のためのエネルギーコストを低減させることが
できるという効果がある。
【００３６】更に、本発明によれば、高周波用磁器組成
物の比誘電率を低下させたので、高周波域における電気
的特性を良好ならしめることができるという効果があ
る。
物の比誘電率を低下させたので、高周波域における電気
的特性を良好ならしめることができるという効果があ
る。
【図１】図１は実施例７の磁器組成物についてのＸ線回
折図である。
折図である。
【表１○１】
【表１○２】
【表１○３】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 成田 直人 東京都台東区上野６丁目16番20号 太陽 誘電株式会社内 (72)発明者 増田 淳 東京都台東区上野６丁目16番20号 太陽 誘電株式会社内 (72)発明者 鳥羽 利一 東京都台東区上野６丁目16番20号 太陽 誘電株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 石英粉末とガラス粉末の混合物を焼結し
たものからなり、石英粉末（Ｘ）とガラス粉末（Ｙ）の
モル比率が、３３ ｍｏｌ％≦Ｘ≦５５ｍｏｌ％， ４５ｍｏｌ％≦Ｙ≦６７ｍｏｌ％， Ｘ＋Ｙ＝１００ｍｏｌ％， の範囲にあり、 前記ガラス粉末は、酸化物換算表記に従ったとき、主成
分が、ＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３，（Ｂａａ，Ｃａｂ，Ｓｒ
ｃ）Ｏ及びＴｉＯ２からなり、ＳｉＯ２（Ａ），Ａｌ２
Ｏ３（Ｂ），（Ｂａａ，Ｃａｂ，Ｓｒｃ）Ｏ（Ｃ）及び
ＴｉＯ２（Ｄ）のモル比率が、 １５ｍｏｌ％≦Ａ≦７０ｍｏｌ％， ０ｍｏｌ％＜Ｂ≦１５ｍｏｌ％， ５ｍｏｌ％≦Ｃ≦６０ｍｏｌ％，１０ ｍｏｌ％≦ａ≦８０ｍｏｌ％，１０ ｍｏｌ％≦ｂ≦８０ｍｏｌ％，１０ ｍｏｌ％≦ｃ≦８０ｍｏｌ％， ａ＋ｂ＋ｃ＝１００ｍｏｌ％， ４ｍｏｌ％≦Ｄ≦１１ｍｏｌ％， Ａ＋Ｂ＋Ｃ＋Ｄ＝１００ｍｏｌ％， の範囲にあることを特徴とする比誘電率の低い高周波用
低温焼結性磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4360442A JP3067918B2 (ja) | 1992-12-28 | 1992-12-28 | 高周波用低温焼結性磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4360442A JP3067918B2 (ja) | 1992-12-28 | 1992-12-28 | 高周波用低温焼結性磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06215627A JPH06215627A (ja) | 1994-08-05 |
| JP3067918B2 true JP3067918B2 (ja) | 2000-07-24 |
Family
ID=18469421
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4360442A Expired - Fee Related JP3067918B2 (ja) | 1992-12-28 | 1992-12-28 | 高周波用低温焼結性磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3067918B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6407020B1 (en) | 1999-03-31 | 2002-06-18 | Tdk Corporation | Ceramics composition |
| CN108439804A (zh) * | 2018-04-19 | 2018-08-24 | 苏州凌科特新材料有限公司 | 一种玻璃陶瓷复合材料及其制备方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04275976A (ja) * | 1991-03-01 | 1992-10-01 | Ngk Insulators Ltd | 誘電体磁器組成物 |
| JPH04367537A (ja) * | 1991-06-14 | 1992-12-18 | Matsushita Electric Works Ltd | ガラス組成物および回路用基板 |
-
1992
- 1992-12-28 JP JP4360442A patent/JP3067918B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04275976A (ja) * | 1991-03-01 | 1992-10-01 | Ngk Insulators Ltd | 誘電体磁器組成物 |
| JPH04367537A (ja) * | 1991-06-14 | 1992-12-18 | Matsushita Electric Works Ltd | ガラス組成物および回路用基板 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06215627A (ja) | 1994-08-05 |
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