JP3067917B2 - 高周波用低温焼結性磁器組成物 - Google Patents
高周波用低温焼結性磁器組成物Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高周波用の積層磁器コ
ンデンサ、インダクタ、共振器等の磁器部分を構成する
高周波用低温焼結性磁器組成物に関するものである。
ンデンサ、インダクタ、共振器等の磁器部分を構成する
高周波用低温焼結性磁器組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】高周波用の積層磁器コンデンサ、インダ
クタ、共振器等の磁器材料を構成する磁器組成物として
は、例えばＢａＯ−ＴｉＯ2 −Ｒｅ系（但し、Ｒｅ：希
土類元素）、ＺｒＯ2 −ＳｎＯ2 −ＴｉＯ2 系、Ｂａ
（Ｚｎ1/3 Ｔａ2/3 ）Ｏ3 複合ペロブスカイト等が知ら
れている。
クタ、共振器等の磁器材料を構成する磁器組成物として
は、例えばＢａＯ−ＴｉＯ2 −Ｒｅ系（但し、Ｒｅ：希
土類元素）、ＺｒＯ2 −ＳｎＯ2 −ＴｉＯ2 系、Ｂａ
（Ｚｎ1/3 Ｔａ2/3 ）Ｏ3 複合ペロブスカイト等が知ら
れている。
【０００３】
【この発明が解決しようとする課題】これらの磁器組成
物は焼結温度が１１００〜１６００℃とかなり高いの
で、例えば積層磁器コンデンサの誘電体材料として使用
する場合は、内部電極としてタングステン、モリブデ
ン、パラジウム等の高融点金属を使用しなければならな
い。しかし、これらの高融点金属は電気伝導度が低いの
で、この積層磁器コンデンサを高周波回路で使用した場
合は誘電体損失が大きくなり、Ｑが低下してしまうとい
う問題があった。
物は焼結温度が１１００〜１６００℃とかなり高いの
で、例えば積層磁器コンデンサの誘電体材料として使用
する場合は、内部電極としてタングステン、モリブデ
ン、パラジウム等の高融点金属を使用しなければならな
い。しかし、これらの高融点金属は電気伝導度が低いの
で、この積層磁器コンデンサを高周波回路で使用した場
合は誘電体損失が大きくなり、Ｑが低下してしまうとい
う問題があった。
【０００４】また、上述した組成物は比誘電率が２０〜
１００と高いので、例えば高周波用の積層磁器コンデン
サの誘電体材料として使用した場合は、自己共振周波数
が比較的低周波側で発生することによって高周波領域で
はコンデンサとして機能しなくなるという問題があっ
た。
１００と高いので、例えば高周波用の積層磁器コンデン
サの誘電体材料として使用した場合は、自己共振周波数
が比較的低周波側で発生することによって高周波領域で
はコンデンサとして機能しなくなるという問題があっ
た。
【０００５】本発明は、比誘電率の低い高周波用磁器組
成物を、９００℃以下の比較的低い温度の焼成で製造す
ることができる高周波用低温焼結性磁器組成物を提供す
ることを目的とする。
成物を、９００℃以下の比較的低い温度の焼成で製造す
ることができる高周波用低温焼結性磁器組成物を提供す
ることを目的とする。
【０００６】具体的には、９００℃以下の温度の焼成で
緻密に焼結し、比誘電率εr が１０以下、Ｑが５００以
上、比誘電率εr の温度係数τεが０±６０ｐｐｍ／℃
の高周波用低温焼結性磁器組成物を提供することを目的
とする。
緻密に焼結し、比誘電率εr が１０以下、Ｑが５００以
上、比誘電率εr の温度係数τεが０±６０ｐｐｍ／℃
の高周波用低温焼結性磁器組成物を提供することを目的
とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に係る高周波用低
温焼結性磁器組成物は、石英粉末とガラス粉末との混合
物を焼結したものからなり、石英粉末（Ｘ）とガラス粉
末（Ｙ）のモル比率が、２９ｍｏｌ％≦Ｘ≦５５ｍｏｌ
％，４５ｍｏｌ％≦Ｙ≦７１ｍｏｌ％，Ｘ＋Ｙ＝１００
ｍｏｌ％，の範囲にある。
温焼結性磁器組成物は、石英粉末とガラス粉末との混合
物を焼結したものからなり、石英粉末（Ｘ）とガラス粉
末（Ｙ）のモル比率が、２９ｍｏｌ％≦Ｘ≦５５ｍｏｌ
％，４５ｍｏｌ％≦Ｙ≦７１ｍｏｌ％，Ｘ＋Ｙ＝１００
ｍｏｌ％，の範囲にある。
【０００８】ここで、石英粉末としてはα−石英の粉末
が好ましい。また、石英粉末及びガラス粉末の組成範囲
を、２９ｍｏｌ％≦Ｘ≦５５ｍｏｌ％、４５ｍｏｌ％≦
Ｙ≦７１ｍｏｌ％としたのは、石英粉末が５５ｍｏｌ％
を越え、ガラス粉末が４５ｍｏｌ％未満になると、９０
０℃の焼成で緻密な焼結体が得られなくなり、石英粉末
が２９ｍｏｌ％未満になり、ガラス粉末が７１ｍｏｌ％
を越えると、９００℃の焼成において発泡、反り、変形
を生じるようになるか、比誘電率εｒが悪化するからで
ある。
が好ましい。また、石英粉末及びガラス粉末の組成範囲
を、２９ｍｏｌ％≦Ｘ≦５５ｍｏｌ％、４５ｍｏｌ％≦
Ｙ≦７１ｍｏｌ％としたのは、石英粉末が５５ｍｏｌ％
を越え、ガラス粉末が４５ｍｏｌ％未満になると、９０
０℃の焼成で緻密な焼結体が得られなくなり、石英粉末
が２９ｍｏｌ％未満になり、ガラス粉末が７１ｍｏｌ％
を越えると、９００℃の焼成において発泡、反り、変形
を生じるようになるか、比誘電率εｒが悪化するからで
ある。
【０００９】 次に、この高周波用低温焼結性磁器組成
物において、ガラス粉末は、酸化物換算表記に従ったと
き、主成分が、ＳｉＯ２ ，Ａｌ２ Ｏ３，Ｂ２ Ｏ３ ，
（Ｂａａ,Ｃａｂ ）Ｏ，ＴｉＯ２ からなり、ＳｉＯ２
（Ａ），Ａｌ２ Ｏ３ （Ｂ），Ｂ２ Ｏ３ （Ｃ），（Ｂ
ａａ,Ｃａｂ ）Ｏ（Ｄ）及びＴｉＯ２ （Ｅ）のモル比
率が、１５ｍｏｌ％≦Ａ≦７０ｍｏｌ％，０ｍｏｌ％＜
Ｂ≦１５ｍｏｌ％，０ｍｏｌ％＜Ｃ≦１０ｍｏｌ％，５
ｍｏｌ％≦Ｄ≦６０ｍｏｌ％，１０ｍｏｌ％≦ａ≦９０
ｍｏｌ％，１０ｍｏｌ％≦ｂ≦９０ｍｏｌ％，ａ＋ｂ＝
１００ｍｏｌ％，４ｍｏｌ％≦Ｅ≦１５ｍｏｌ％，Ａ＋
Ｂ＋Ｃ＋Ｄ＋Ｅ＝１００ｍｏｌ％，の範囲にある。
物において、ガラス粉末は、酸化物換算表記に従ったと
き、主成分が、ＳｉＯ２ ，Ａｌ２ Ｏ３，Ｂ２ Ｏ３ ，
（Ｂａａ,Ｃａｂ ）Ｏ，ＴｉＯ２ からなり、ＳｉＯ２
（Ａ），Ａｌ２ Ｏ３ （Ｂ），Ｂ２ Ｏ３ （Ｃ），（Ｂ
ａａ,Ｃａｂ ）Ｏ（Ｄ）及びＴｉＯ２ （Ｅ）のモル比
率が、１５ｍｏｌ％≦Ａ≦７０ｍｏｌ％，０ｍｏｌ％＜
Ｂ≦１５ｍｏｌ％，０ｍｏｌ％＜Ｃ≦１０ｍｏｌ％，５
ｍｏｌ％≦Ｄ≦６０ｍｏｌ％，１０ｍｏｌ％≦ａ≦９０
ｍｏｌ％，１０ｍｏｌ％≦ｂ≦９０ｍｏｌ％，ａ＋ｂ＝
１００ｍｏｌ％，４ｍｏｌ％≦Ｅ≦１５ｍｏｌ％，Ａ＋
Ｂ＋Ｃ＋Ｄ＋Ｅ＝１００ｍｏｌ％，の範囲にある。
【００１０】ここで、ＳｉＯ2 （Ａ）の組成範囲を、１
５ｍｏｌ％≦Ａ≦７０ｍｏｌ％としたのは、ＳｉＯ2 が
１５ｍｏｌ％未満になると、ガラス成分がガラス化しな
くなり、ＳｉＯ2 が７０ｍｏｌ％を越えると、９００℃
の焼成で緻密な焼結体が得られなくなるからである。
５ｍｏｌ％≦Ａ≦７０ｍｏｌ％としたのは、ＳｉＯ2 が
１５ｍｏｌ％未満になると、ガラス成分がガラス化しな
くなり、ＳｉＯ2 が７０ｍｏｌ％を越えると、９００℃
の焼成で緻密な焼結体が得られなくなるからである。
【００１１】また、Ａｌ2 Ｏ3 （Ｂ）の組成範囲を、０
ｍｏｌ％＜Ｂ≦１５ｍｏｌ％としたのは、Ａｌ2 Ｏ3 が
０ｍｏｌ％ではガラス成分がガラス化せず、Ａｌ2 Ｏ3
が１５ｍｏｌ％を越えると、９００℃の焼成で緻密な焼
結体が得られなくなるからである。
ｍｏｌ％＜Ｂ≦１５ｍｏｌ％としたのは、Ａｌ2 Ｏ3 が
０ｍｏｌ％ではガラス成分がガラス化せず、Ａｌ2 Ｏ3
が１５ｍｏｌ％を越えると、９００℃の焼成で緻密な焼
結体が得られなくなるからである。
【００１２】また、Ｂ2 Ｏ3 （Ｃ）の組成範囲を、０ｍ
ｏｌ％＜Ｃ≦１０ｍｏｌ％としたのは、Ｂ2 Ｏ3 が０ｍ
ｏｌ％では９００℃の焼成で緻密な焼結体が得られなく
なり、Ｂ2 Ｏ3 が１０ｍｏｌ％を越えると、９００℃の
焼成において発泡、反り、変形を生じるようになるから
である。
ｏｌ％＜Ｃ≦１０ｍｏｌ％としたのは、Ｂ2 Ｏ3 が０ｍ
ｏｌ％では９００℃の焼成で緻密な焼結体が得られなく
なり、Ｂ2 Ｏ3 が１０ｍｏｌ％を越えると、９００℃の
焼成において発泡、反り、変形を生じるようになるから
である。
【００１３】また、（Ｂａa,Ｃａb ）Ｏ（Ｄ）の組成範
囲を、５ｍｏｌ％≦Ｄ≦６０ｍｏｌ％としたのは、（Ｂ
ａa,Ｃａb ）Ｏが５ｍｏｌ％未満では、９００℃の焼成
で緻密な焼結体が得られなくなり、（Ｂａa,Ｃａb ）Ｏ
が６０ｍｏｌ％を越えると、比誘電率εr の温度係数τ
εが悪化するからである。
囲を、５ｍｏｌ％≦Ｄ≦６０ｍｏｌ％としたのは、（Ｂ
ａa,Ｃａb ）Ｏが５ｍｏｌ％未満では、９００℃の焼成
で緻密な焼結体が得られなくなり、（Ｂａa,Ｃａb ）Ｏ
が６０ｍｏｌ％を越えると、比誘電率εr の温度係数τ
εが悪化するからである。
【００１４】また、ＢａＯ（ａ）及びＣａＯ（ｃ）の組
成範囲を、１０ｍｏｌ％≦ａ≦９０ｍｏｌ％、１０ｍｏ
ｌ％≦ｂ≦９０ｍｏｌ％としたのは、ＢａＯが１０ｍｏ
ｌ％未満になり、ＣａＯが９０ｍｏｌ％を越えると、９
００℃の焼成で緻密な焼結体が得られなくなり、ＢａＯ
が９０ｍｏｌ％を越え、ＣａＯが１０ｍｏｌ％未満にな
ると、９００℃の焼成において発泡、変形、反りを生じ
るようになるからである。
成範囲を、１０ｍｏｌ％≦ａ≦９０ｍｏｌ％、１０ｍｏ
ｌ％≦ｂ≦９０ｍｏｌ％としたのは、ＢａＯが１０ｍｏ
ｌ％未満になり、ＣａＯが９０ｍｏｌ％を越えると、９
００℃の焼成で緻密な焼結体が得られなくなり、ＢａＯ
が９０ｍｏｌ％を越え、ＣａＯが１０ｍｏｌ％未満にな
ると、９００℃の焼成において発泡、変形、反りを生じ
るようになるからである。
【００１５】また、ＴｉＯ２（Ｅ）の組成範囲を、４ｍ
ｏｌ％≦Ｅ≦１２ｍｏｌ％としたのは、ＴｉＯ２が４ｍ
ｏｌ％未満になると、Ｑ及び比誘電率εｒの温度係数τ
εが悪化し、ＴｉＯ２が１２ｍｏｌ％を越えると、９０
０℃の焼成で緻密な焼結体が得られなくなるか、比誘電
率εｒが悪化するからである。
ｏｌ％≦Ｅ≦１２ｍｏｌ％としたのは、ＴｉＯ２が４ｍ
ｏｌ％未満になると、Ｑ及び比誘電率εｒの温度係数τ
εが悪化し、ＴｉＯ２が１２ｍｏｌ％を越えると、９０
０℃の焼成で緻密な焼結体が得られなくなるか、比誘電
率εｒが悪化するからである。
【００１６】なお、上述のガラス粉末の製造方法として
は、ガラス成分を例えば１４００〜１５００℃の高温で
溶融させ、これを水中に滴下して急冷させるか、鉄板上
に流して急冷させることにより得られるが、これ以外の
急冷方法を用いてもよい。また、上述のガラス成分の各
原料は酸化物に限定されるものではなく、炭酸塩、水酸
化物のように焼成で酸化物になり得るものであれば使用
できることはもちろんである。
は、ガラス成分を例えば１４００〜１５００℃の高温で
溶融させ、これを水中に滴下して急冷させるか、鉄板上
に流して急冷させることにより得られるが、これ以外の
急冷方法を用いてもよい。また、上述のガラス成分の各
原料は酸化物に限定されるものではなく、炭酸塩、水酸
化物のように焼成で酸化物になり得るものであれば使用
できることはもちろんである。
【００１７】
【実施例】まず、実施例１の場合について説明する。ガ
ラス成分の各原料（ＳｉＯ2 ，ＣａＣＯ3 ，ＢａＣＯ
3 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＴｉＯ2 ，Ｂ2 Ｏ3 ）を表１の実施
例１の欄に示すように各々秤量し、これらをボールミル
で十分に混合してガラス成分のバッチ(batch) を作成し
た。
ラス成分の各原料（ＳｉＯ2 ，ＣａＣＯ3 ，ＢａＣＯ
3 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＴｉＯ2 ，Ｂ2 Ｏ3 ）を表１の実施
例１の欄に示すように各々秤量し、これらをボールミル
で十分に混合してガラス成分のバッチ(batch) を作成し
た。
【００１８】次に、このバッチを坩堝に入れ、１６００
℃で２時間加熱して溶融し、溶融物を鉄板上に流してフ
レーク状のガラス片を得た。そして、このガラス片をボ
ールミルで微粉砕し、平均粒径０．４〜１．０μｍのガ
ラス粉末を得た。
℃で２時間加熱して溶融し、溶融物を鉄板上に流してフ
レーク状のガラス片を得た。そして、このガラス片をボ
ールミルで微粉砕し、平均粒径０．４〜１．０μｍのガ
ラス粉末を得た。
【００１９】次に、このガラス粉末とα−石英の粉末と
を表１に示すようなモル比で配合し、これらをボール
ミルに入れて１５時間混合し、均質な混合粉末を得た。
を表１に示すようなモル比で配合し、これらをボール
ミルに入れて１５時間混合し、均質な混合粉末を得た。
【００２０】次に、この混合粉末に有機バインダー（Ｐ
ＶＡ）を加えて造粒し、これを成形機の型内に入れ、５
００ｋｇ／ｃｍ2 の圧力で加圧成形し、直径９．８ｍ
ｍ、厚さ０．６ｍｍの円板状の成形物を得た。
ＶＡ）を加えて造粒し、これを成形機の型内に入れ、５
００ｋｇ／ｃｍ2 の圧力で加圧成形し、直径９．８ｍ
ｍ、厚さ０．６ｍｍの円板状の成形物を得た。
【００２１】次に、この成形物をジルコニアセッター上
に載せて焼成炉に入れ、大気雰囲気中において３５０℃
で６時間保持し、成形物中の有機バインダーを燃焼除去
させ、その後、炉内温度を９００℃まで上昇させ、この
温度で２時間保持させて成形物を焼結させ、磁器素体を
得た。
に載せて焼成炉に入れ、大気雰囲気中において３５０℃
で６時間保持し、成形物中の有機バインダーを燃焼除去
させ、その後、炉内温度を９００℃まで上昇させ、この
温度で２時間保持させて成形物を焼結させ、磁器素体を
得た。
【００２２】次に、この磁器素体の両主面にＡｇペース
トを塗布して焼付け、一対の電極を設けた測定用のコン
デンサを得た。そして、このコンデンサについて、比誘
電率εr 、Ｑ及び比誘電率εr の温度係数τεを測定し
た。比誘電率εr 及びＱは、２０℃，１ＭＨｚ，１Ｖ
rms の条件で測定し、比誘電率εr の温度係数τεは、
−５５〜＋１２５℃（２０℃基準）の温度範囲において
測定した。結果は表１の電気的特性の欄に示す通りと
なった。
トを塗布して焼付け、一対の電極を設けた測定用のコン
デンサを得た。そして、このコンデンサについて、比誘
電率εr 、Ｑ及び比誘電率εr の温度係数τεを測定し
た。比誘電率εr 及びＱは、２０℃，１ＭＨｚ，１Ｖ
rms の条件で測定し、比誘電率εr の温度係数τεは、
−５５〜＋１２５℃（２０℃基準）の温度範囲において
測定した。結果は表１の電気的特性の欄に示す通りと
なった。
【００２３】表１〜表１には、実施例２〜３０及び
比較例１〜１４の条件及び結果も記載されている。これ
らの例における各原料成分の割合（ｍｏｌ％）はこれら
の表の左欄に記載されている通りである。実験方法は実
施例１と同様である。結果はこれらの表の右欄に示す通
りとなった。
比較例１〜１４の条件及び結果も記載されている。これ
らの例における各原料成分の割合（ｍｏｌ％）はこれら
の表の左欄に記載されている通りである。実験方法は実
施例１と同様である。結果はこれらの表の右欄に示す通
りとなった。
【００２４】
【表１】
【００２５】
【表１】
【００２６】
【表１】
【００２７】次に、表１〜表１に示す結果を参照し
ながら、各原料成分の好適な範囲（ｍｏｌ％）について
検討する。なお、以下で述べられている実施例１，１
３，１４，１５，１６，２２，２３及び２６は参考例で
ある。
ながら、各原料成分の好適な範囲（ｍｏｌ％）について
検討する。なお、以下で述べられている実施例１，１
３，１４，１５，１６，２２，２３及び２６は参考例で
ある。
【００２８】まず、実施例２〜９に示すように、石英粉
末が２９〜５５ｍｏｌ％、ガラス粉末が４５〜７１ｍｏ
ｌ％の場合は、所望の磁器組成物が得られる。しかし、
比較例１に示すように、石英粉末が１０ｍｏｌ％、ガラ
ス粉末が９０ｍｏｌ％の場合は、９００℃の焼成におい
て発泡、反り、変形を生ずる。また、比較例２に示すよ
うに、石英粉末が６０ｍｏｌ％、ガラス粉末が４０ｍｏ
ｌ％の場合は、９００℃の焼成で緻密な焼結体が得られ
ない。従って、石英粉末（Ｘ）は、２９ｍｏｌ％≦Ｘ≦
５５ｍｏｌ％の範囲が好適であり、ガラス粉末（Ｙ）
は、４５ｍｏｌ％≦Ｙ≦７１ｍｏｌ％の範囲が好適であ
る。
末が２９〜５５ｍｏｌ％、ガラス粉末が４５〜７１ｍｏ
ｌ％の場合は、所望の磁器組成物が得られる。しかし、
比較例１に示すように、石英粉末が１０ｍｏｌ％、ガラ
ス粉末が９０ｍｏｌ％の場合は、９００℃の焼成におい
て発泡、反り、変形を生ずる。また、比較例２に示すよ
うに、石英粉末が６０ｍｏｌ％、ガラス粉末が４０ｍｏ
ｌ％の場合は、９００℃の焼成で緻密な焼結体が得られ
ない。従って、石英粉末（Ｘ）は、２９ｍｏｌ％≦Ｘ≦
５５ｍｏｌ％の範囲が好適であり、ガラス粉末（Ｙ）
は、４５ｍｏｌ％≦Ｙ≦７１ｍｏｌ％の範囲が好適であ
る。
【００２９】次に、実施例１５，１６に示すように、Ｓ
ｉＯ2 が１５ｍｏｌ％，７０ｍｏｌ％の場合は、所望の
磁器組成物が得られる。しかし、比較例７に示すよう
に、ＳｉＯ2 が１０ｍｏｌ％の場合は、ガラス成分がガ
ラス化せず、また、比較例８に示すように、ＳｉＯ2 が
７５ｍｏｌ％の場合は、９００℃の焼成で緻密な焼結体
が得られない。従って、ＳｉＯ2 （Ａ）は、１５ｍｏｌ
％≦Ａ≦７０ｍｏｌ％の範囲が好適である。
ｉＯ2 が１５ｍｏｌ％，７０ｍｏｌ％の場合は、所望の
磁器組成物が得られる。しかし、比較例７に示すよう
に、ＳｉＯ2 が１０ｍｏｌ％の場合は、ガラス成分がガ
ラス化せず、また、比較例８に示すように、ＳｉＯ2 が
７５ｍｏｌ％の場合は、９００℃の焼成で緻密な焼結体
が得られない。従って、ＳｉＯ2 （Ａ）は、１５ｍｏｌ
％≦Ａ≦７０ｍｏｌ％の範囲が好適である。
【００３０】次に、実施例１４に示すように、Ａｌ2 Ｏ
3 が１５ｍｏｌ％の場合は、所望の磁器組成物が得られ
る。しかし、比較例５に示すように、Ａｌ2 Ｏ3 が０ｍ
ｏｌ％の場合は、ガラス成分がガラス化せず、また、比
較例６に示すように、Ａｌ2Ｏ3 が２０ｍｏｌ％の場合
は、９００℃の焼成で緻密な焼結体が得られない。従っ
て、Ａｌ2 Ｏ3 （Ｂ）は、０ｍｏｌ％＜Ｂ≦１５ｍｏｌ
％の範囲が好適である。
3 が１５ｍｏｌ％の場合は、所望の磁器組成物が得られ
る。しかし、比較例５に示すように、Ａｌ2 Ｏ3 が０ｍ
ｏｌ％の場合は、ガラス成分がガラス化せず、また、比
較例６に示すように、Ａｌ2Ｏ3 が２０ｍｏｌ％の場合
は、９００℃の焼成で緻密な焼結体が得られない。従っ
て、Ａｌ2 Ｏ3 （Ｂ）は、０ｍｏｌ％＜Ｂ≦１５ｍｏｌ
％の範囲が好適である。
【００３１】次に、実施例１７に示すように、Ｂ2 Ｏ3
が１０ｍｏｌ％の場合は、所望の磁器組成物が得られ
る。しかし、比較例９に示すように、Ｂ2 Ｏ3 が０ｍｏ
ｌ％の場合は、９００℃の焼成で緻密な焼結体が得られ
ず、また、比較例１０に示すように、Ｂ2 Ｏ3 が１５ｍ
ｏｌ％の場合は、９００℃の焼成において発泡、反り、
変形を生じる。従って、Ｂ2 Ｏ3 （Ｃ）は、０ｍｏｌ％
＜Ｃ≦１０ｍｏｌ％の範囲が好適である。
が１０ｍｏｌ％の場合は、所望の磁器組成物が得られ
る。しかし、比較例９に示すように、Ｂ2 Ｏ3 が０ｍｏ
ｌ％の場合は、９００℃の焼成で緻密な焼結体が得られ
ず、また、比較例１０に示すように、Ｂ2 Ｏ3 が１５ｍ
ｏｌ％の場合は、９００℃の焼成において発泡、反り、
変形を生じる。従って、Ｂ2 Ｏ3 （Ｃ）は、０ｍｏｌ％
＜Ｃ≦１０ｍｏｌ％の範囲が好適である。
【００３２】次に、実施例２６，２７に示すように、
（Ｂａa,Ｃａb ）Ｏが５ｍｏｌ％，６０ｍｏｌ％の場合
は、所望の磁器組成物が得られる。しかし、比較例１１
に示すように、（Ｂａa,Ｃａb ）Ｏが０ｍｏｌ％の場合
は、９００℃の焼成で緻密な焼結体が得られず、また、
比較例１２に示すように、（Ｂａa,Ｃａb ）Ｏが７０ｍ
ｏｌ％の場合は、比誘電率εr の温度係数τεが＋７８
ｐｐｍ／℃と悪くなる。従って、（Ｂａa,Ｃａb ）Ｏ
（Ｄ）は、５ｍｏｌ％≦Ｄ≦６０ｍｏｌ％の範囲が好適
である。
（Ｂａa,Ｃａb ）Ｏが５ｍｏｌ％，６０ｍｏｌ％の場合
は、所望の磁器組成物が得られる。しかし、比較例１１
に示すように、（Ｂａa,Ｃａb ）Ｏが０ｍｏｌ％の場合
は、９００℃の焼成で緻密な焼結体が得られず、また、
比較例１２に示すように、（Ｂａa,Ｃａb ）Ｏが７０ｍ
ｏｌ％の場合は、比誘電率εr の温度係数τεが＋７８
ｐｐｍ／℃と悪くなる。従って、（Ｂａa,Ｃａb ）Ｏ
（Ｄ）は、５ｍｏｌ％≦Ｄ≦６０ｍｏｌ％の範囲が好適
である。
【００３３】次に、実施例２８〜３０に示すように、Ｂ
ａＯが１０ｍｏｌ％〜９０ｍｏｌ％，ＣａＯが１０ｍｏ
ｌ％〜９０ｍｏｌ％の場合は、所望の磁器組成物が得ら
れる。しかし、比較例１３に示すように、ＢａＯが略５
ｍｏｌ％，ＣａＯが略９５ｍｏｌ％の場合は、９００℃
の焼成で緻密な焼結体が得られず、また、比較例１４に
示すように、ＢａＯが略９５ｍｏｌ％，ＣａＯが略５ｍ
ｏｌ％の場合は、９００℃の焼成において発泡、反り、
変形を生じる。従って、ＢａＯ（ａ）及びＣａＯ（ｂ）
は、１０ｍｏｌ％≦ａ≦９０ｍｏｌ％、１０ｍｏｌ％≦
ｂ≦９０ｍｏｌ％の範囲が好適である。
ａＯが１０ｍｏｌ％〜９０ｍｏｌ％，ＣａＯが１０ｍｏ
ｌ％〜９０ｍｏｌ％の場合は、所望の磁器組成物が得ら
れる。しかし、比較例１３に示すように、ＢａＯが略５
ｍｏｌ％，ＣａＯが略９５ｍｏｌ％の場合は、９００℃
の焼成で緻密な焼結体が得られず、また、比較例１４に
示すように、ＢａＯが略９５ｍｏｌ％，ＣａＯが略５ｍ
ｏｌ％の場合は、９００℃の焼成において発泡、反り、
変形を生じる。従って、ＢａＯ（ａ）及びＣａＯ（ｂ）
は、１０ｍｏｌ％≦ａ≦９０ｍｏｌ％、１０ｍｏｌ％≦
ｂ≦９０ｍｏｌ％の範囲が好適である。
【００３４】次に、実施例２４，２５に示すように、Ｔ
ｉＯ２が１２ｍｏｌ％の場合は、所望の無機組成物が得
られる。しかし、比較例３に示すように、ＴｉＯ２が０
ｍｏｌ％の場合は、Ｑが５８０、比誘電率εｒの温度係
数τεが＋８７ｐｐｍ／℃と悪化し、また、比較例４に
示すように、ＴｉＯ２が２０ｍｏｌ％の場合は、９００
℃の焼成で緻密な焼結体が得られない。従って、ＴｉＯ
２（Ｅ）は、４ｍｏｌ％≦Ｅ≦１２ｍｏｌ％の範囲が好
適である。
ｉＯ２が１２ｍｏｌ％の場合は、所望の無機組成物が得
られる。しかし、比較例３に示すように、ＴｉＯ２が０
ｍｏｌ％の場合は、Ｑが５８０、比誘電率εｒの温度係
数τεが＋８７ｐｐｍ／℃と悪化し、また、比較例４に
示すように、ＴｉＯ２が２０ｍｏｌ％の場合は、９００
℃の焼成で緻密な焼結体が得られない。従って、ＴｉＯ
２（Ｅ）は、４ｍｏｌ％≦Ｅ≦１２ｍｏｌ％の範囲が好
適である。
【００３５】
【発明の効果】本発明によれば、高周波用磁器組成物を
９００℃以下の比較的低い温度の焼成で得ることができ
るので、内部導体としてＡｇやＣｕのような電気伝導度
の良い金属を使用することができ、従って、Ｑを高める
ことができるという効果がある。
９００℃以下の比較的低い温度の焼成で得ることができ
るので、内部導体としてＡｇやＣｕのような電気伝導度
の良い金属を使用することができ、従って、Ｑを高める
ことができるという効果がある。
【００３６】また、本発明によれば、従来よりも低い温
度の焼成で高周波用磁器組成物を得ることができるの
で、焼成のためのエネルギーコストを低減させることが
できるという効果がある。
度の焼成で高周波用磁器組成物を得ることができるの
で、焼成のためのエネルギーコストを低減させることが
できるという効果がある。
【００３７】更に、本発明によれば、高周波用磁器組成
物の比誘電率を低下させたので、高周波域における電気
的特性を良好ならしめることができるという効果があ
る。
物の比誘電率を低下させたので、高周波域における電気
的特性を良好ならしめることができるという効果があ
る。
【表１○１】
【表１○２】
【表１○３】
フロントページの続き (72)発明者 成田 直人 東京都台東区上野６丁目16番20号 太陽 誘電株式会社内 (72)発明者 増田 淳 東京都台東区上野６丁目16番20号 太陽 誘電株式会社内 (72)発明者 鳥羽 利一 東京都台東区上野６丁目16番20号 太陽 誘電株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 石英粉末とガラス粉末の混合物を焼結し
たものからなり、石英粉末（Ｘ）とガラス粉末（Ｙ）の
モル比率が、２９ ｍｏｌ％≦Ｘ≦５５ｍｏｌ％， ４５ｍｏｌ％≦Ｙ≦７１ｍｏｌ％， Ｘ＋Ｙ＝１００ｍｏｌ％， の範囲にあり、 前記ガラス粉末は、酸化物換算表記に従ったとき、主成
分が、ＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３，Ｂ２Ｏ３，（Ｂａａ，Ｃ
ａｂ）Ｏ，ＴｉＯ２からなり、ＳｉＯ２（Ａ），Ａｌ２
Ｏ３（Ｂ），Ｂ２Ｏ３（Ｃ），（Ｂａａ，Ｃａｂ）Ｏ
（Ｄ）及びＴｉＯ２（Ｅ）のモル比率が、 １５ｍｏｌ％≦Ａ≦７０ｍｏｌ％， ０ｍｏｌ％＜Ｂ≦１５ｍｏｌ％， ０ｍｏｌ％＜Ｃ≦１０ｍｏｌ％， ５ｍｏｌ％≦Ｄ≦６０ｍｏｌ％， １０ｍｏｌ％≦ａ≦９０ｍｏｌ％， １０ｍｏｌ％≦ｂ≦９０ｍｏｌ％， ａ＋ｂ＝１００ｍｏｌ％， ４ｍｏｌ％≦Ｅ≦１２ｍｏｌ％， Ａ＋Ｂ＋Ｃ＋Ｄ＋Ｅ＝１００ｍｏｌ％， の範囲にあることを特徴とする比誘電率の低い高周波用
低温焼結性磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4360441A JP3067917B2 (ja) | 1992-12-28 | 1992-12-28 | 高周波用低温焼結性磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4360441A JP3067917B2 (ja) | 1992-12-28 | 1992-12-28 | 高周波用低温焼結性磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06215628A JPH06215628A (ja) | 1994-08-05 |
| JP3067917B2 true JP3067917B2 (ja) | 2000-07-24 |
Family
ID=18469417
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4360441A Expired - Fee Related JP3067917B2 (ja) | 1992-12-28 | 1992-12-28 | 高周波用低温焼結性磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3067917B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6407020B1 (en) | 1999-03-31 | 2002-06-18 | Tdk Corporation | Ceramics composition |
| CN108439804A (zh) * | 2018-04-19 | 2018-08-24 | 苏州凌科特新材料有限公司 | 一种玻璃陶瓷复合材料及其制备方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59178752A (ja) * | 1983-03-30 | 1984-10-11 | Hitachi Ltd | 多層配線基板 |
| JPS62278145A (ja) * | 1986-05-26 | 1987-12-03 | Matsushita Electric Works Ltd | ガラスセラミツク焼結体 |
| JPS63295473A (ja) * | 1987-05-27 | 1988-12-01 | Shoei Kagaku Kogyo Kk | 回路基板用誘電体材料 |
| JPH04275976A (ja) * | 1991-03-01 | 1992-10-01 | Ngk Insulators Ltd | 誘電体磁器組成物 |
| JPH04367537A (ja) * | 1991-06-14 | 1992-12-18 | Matsushita Electric Works Ltd | ガラス組成物および回路用基板 |
-
1992
- 1992-12-28 JP JP4360441A patent/JP3067917B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59178752A (ja) * | 1983-03-30 | 1984-10-11 | Hitachi Ltd | 多層配線基板 |
| JPS62278145A (ja) * | 1986-05-26 | 1987-12-03 | Matsushita Electric Works Ltd | ガラスセラミツク焼結体 |
| JPS63295473A (ja) * | 1987-05-27 | 1988-12-01 | Shoei Kagaku Kogyo Kk | 回路基板用誘電体材料 |
| JPH04275976A (ja) * | 1991-03-01 | 1992-10-01 | Ngk Insulators Ltd | 誘電体磁器組成物 |
| JPH04367537A (ja) * | 1991-06-14 | 1992-12-18 | Matsushita Electric Works Ltd | ガラス組成物および回路用基板 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06215628A (ja) | 1994-08-05 |
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