JPH07182922A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
- Publication number
- JPH07182922A JPH07182922A JP5324174A JP32417493A JPH07182922A JP H07182922 A JPH07182922 A JP H07182922A JP 5324174 A JP5324174 A JP 5324174A JP 32417493 A JP32417493 A JP 32417493A JP H07182922 A JPH07182922 A JP H07182922A
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- JP
- Japan
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- dielectric ceramic
- composition
- ceramic composition
- dielectric
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
Landscapes
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】比誘電率εr およびＱ値が高く、かつ共振周波
数の温度係数τf が比較的小さい等の特徴を有し、８５
０〜９５０℃の低温でＡｇやＣｕの導体金属と同時に焼
成でき、基板や部品の小型化と高性能化を実現できる誘
電体磁器組成物を提供する。 【構成】金属元素として少なくともＮｄ、Ａｌ、Ｃａ、
Ｔｉを含有する複合酸化物であって、これらの金属元素
のモル比による組成式をａＮｄ2 Ｏ3 ・ｂＡｌ2Ｏ3 ・
ｃＣａＯ・ｄＴｉＯ2 と表した時、前記ａ、ｂ、ｃ、ｄ
が０．０５６≦ａ≦０．２１４、０．０５６≦ｂ≦０．
２１４、０．２８６≦ｃ≦０．５００、０．２３０＜ｄ
＜０．４７０、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１からなる組成物３５
〜６５重量％と、硼珪酸ガラスを６５〜３５重量％から
なる誘電体磁器組成物である。
数の温度係数τf が比較的小さい等の特徴を有し、８５
０〜９５０℃の低温でＡｇやＣｕの導体金属と同時に焼
成でき、基板や部品の小型化と高性能化を実現できる誘
電体磁器組成物を提供する。 【構成】金属元素として少なくともＮｄ、Ａｌ、Ｃａ、
Ｔｉを含有する複合酸化物であって、これらの金属元素
のモル比による組成式をａＮｄ2 Ｏ3 ・ｂＡｌ2Ｏ3 ・
ｃＣａＯ・ｄＴｉＯ2 と表した時、前記ａ、ｂ、ｃ、ｄ
が０．０５６≦ａ≦０．２１４、０．０５６≦ｂ≦０．
２１４、０．２８６≦ｃ≦０．５００、０．２３０＜ｄ
＜０．４７０、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１からなる組成物３５
〜６５重量％と、硼珪酸ガラスを６５〜３５重量％から
なる誘電体磁器組成物である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高周波領域で使用する
電子回路基板や電子部品等に適用される誘電体磁器組成
物に関するものである。
電子回路基板や電子部品等に適用される誘電体磁器組成
物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より誘電体材料として各種誘電体セ
ラミックスが電子回路基板や電子部品等に広く使用され
ており、近年、携帯電話に代表される移動体通信等の高
周波機器の発展と普及に伴い、高周波領域で使用する電
子回路基板や電子部品として誘電体セラミックスが積極
的に利用されるようになってきた。
ラミックスが電子回路基板や電子部品等に広く使用され
ており、近年、携帯電話に代表される移動体通信等の高
周波機器の発展と普及に伴い、高周波領域で使用する電
子回路基板や電子部品として誘電体セラミックスが積極
的に利用されるようになってきた。
【０００３】前記誘電体セラミックスからなる電子回路
基板等と導体とを同時焼成するに際しては、基板上に印
刷された導体が誘電体セラミックスの焼成温度で溶融す
ることがないように、該導体には、アルミナ、ステアタ
イト、フォルステライト等の誘電体セラミックスの焼成
温度よりも高い融点を有する、例えば、Ｐｔ、Ｐｄ、
Ｗ、Ｍｏ等の金属が用いられていた。
基板等と導体とを同時焼成するに際しては、基板上に印
刷された導体が誘電体セラミックスの焼成温度で溶融す
ることがないように、該導体には、アルミナ、ステアタ
イト、フォルステライト等の誘電体セラミックスの焼成
温度よりも高い融点を有する、例えば、Ｐｔ、Ｐｄ、
Ｗ、Ｍｏ等の金属が用いられていた。
【０００４】しかしながら、前記金属は導通抵抗が大き
いことから、従来の電子回路基板では、共振回路やイン
ダクタンスのＱ値が小さくなってしまい、導体線路の伝
送損失が大きくなる等の問題があった。
いことから、従来の電子回路基板では、共振回路やイン
ダクタンスのＱ値が小さくなってしまい、導体線路の伝
送損失が大きくなる等の問題があった。
【０００５】従来、上記のような問題点を解消するため
に導通抵抗の小さいＡｇやＣｕ等の金属を導体に採用
し、低温で同時焼成できる磁器として、特開昭５９−１
０７５９６号公報に開示されるものが知られている。こ
の公報に開示される磁器は、ガラスと、セラミックフィ
ラーとしての石英ガラス等からなることが開示されてい
る。
に導通抵抗の小さいＡｇやＣｕ等の金属を導体に採用
し、低温で同時焼成できる磁器として、特開昭５９−１
０７５９６号公報に開示されるものが知られている。こ
の公報に開示される磁器は、ガラスと、セラミックフィ
ラーとしての石英ガラス等からなることが開示されてい
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この特
開昭５９−１０７５９６号公報に開示される磁器組成物
は多層配線回路基板に用いられるもので、電子回路の信
号伝達速度を高速とするため１ＭＨｚでの比誘電率εr
が５以下と非常に小さく、また誘電損失も大きいため、
高誘電率で高Ｑ値が要求される電子部品等の誘電体磁器
組成物としては全く適さなかった。
開昭５９−１０７５９６号公報に開示される磁器組成物
は多層配線回路基板に用いられるもので、電子回路の信
号伝達速度を高速とするため１ＭＨｚでの比誘電率εr
が５以下と非常に小さく、また誘電損失も大きいため、
高誘電率で高Ｑ値が要求される電子部品等の誘電体磁器
組成物としては全く適さなかった。
【０００７】本発明は上記課題に鑑みなされたもので、
ガラスとセラミックフィラーとからなる誘電体磁器組成
物であって、８５０〜９５０℃の比較的低温でＡｇやＣ
ｕ等の導体金属と同時に焼成でき、比誘電率εr および
Ｑ値が高く、かつ共振周波数の温度係数τf が比較的小
さい等の特徴を有し、基板や部品等の小型化と高性能化
を実現できる誘電体磁器組成物を提供することを目的と
する。
ガラスとセラミックフィラーとからなる誘電体磁器組成
物であって、８５０〜９５０℃の比較的低温でＡｇやＣ
ｕ等の導体金属と同時に焼成でき、比誘電率εr および
Ｑ値が高く、かつ共振周波数の温度係数τf が比較的小
さい等の特徴を有し、基板や部品等の小型化と高性能化
を実現できる誘電体磁器組成物を提供することを目的と
する。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記問題
点に対して検討を重ねた結果、金属元素としてＮｄ、Ａ
ｌ、Ｃａ、Ｔｉを含有する複合酸化物を所定比率に設定
し、それら複合酸化物に硼珪酸ガラスを３５〜６５重量
％の割合で含有することにより、焼成温度が８５０〜９
５０℃となり、ＡｇやＣｕ等の導体金属と同時に焼成で
き、比誘電率εr やＱ値が高く、かつ共振周波数の温度
係数τf が比較的小さくなることを知見し、本発明に至
った。
点に対して検討を重ねた結果、金属元素としてＮｄ、Ａ
ｌ、Ｃａ、Ｔｉを含有する複合酸化物を所定比率に設定
し、それら複合酸化物に硼珪酸ガラスを３５〜６５重量
％の割合で含有することにより、焼成温度が８５０〜９
５０℃となり、ＡｇやＣｕ等の導体金属と同時に焼成で
き、比誘電率εr やＱ値が高く、かつ共振周波数の温度
係数τf が比較的小さくなることを知見し、本発明に至
った。
【０００９】即ち、本発明の誘電体磁器組成物は、金属
元素として少なくともＮｄ、Ａｌ、Ｃａ、Ｔｉを含有す
る複合酸化物であって、これらの金属元素のモル比によ
る組成式をａＮｄ2 Ｏ3 ・ｂＡｌ2 Ｏ3 ・ｃＣａＯ・ｄ
ＴｉＯ2 と表した時、前記ａ、ｂ、ｃ、ｄが、０．０５
６≦ａ≦０．２１４、０．０５６≦ｂ≦０．２１４、
０．２８６≦ｃ≦０．５００、０．２３０＜ｄ＜０．４
７０、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１を満足する組成物３５〜６５
重量％と、硼珪酸ガラスを６５〜３５重量％とからなる
ものである。
元素として少なくともＮｄ、Ａｌ、Ｃａ、Ｔｉを含有す
る複合酸化物であって、これらの金属元素のモル比によ
る組成式をａＮｄ2 Ｏ3 ・ｂＡｌ2 Ｏ3 ・ｃＣａＯ・ｄ
ＴｉＯ2 と表した時、前記ａ、ｂ、ｃ、ｄが、０．０５
６≦ａ≦０．２１４、０．０５６≦ｂ≦０．２１４、
０．２８６≦ｃ≦０．５００、０．２３０＜ｄ＜０．４
７０、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１を満足する組成物３５〜６５
重量％と、硼珪酸ガラスを６５〜３５重量％とからなる
ものである。
【００１０】本発明の誘電体磁器組成物において、Ｎｄ
2 Ｏ3 のモル比を０．０５６≦ａ≦０．２１４したの
は、ａが０．０５６より小さいと共振周波数の温度係数
τf がプラス側に大きくなり、０．２１４より大きいと
比誘電率εr や６ＧＨｚでのＱ値が低下し、また共振周
波数の温度係数τf がマイナス側に大きくなるからであ
る。特に０．０７８≦ａ≦０．１１６６とすることが好
ましい。
2 Ｏ3 のモル比を０．０５６≦ａ≦０．２１４したの
は、ａが０．０５６より小さいと共振周波数の温度係数
τf がプラス側に大きくなり、０．２１４より大きいと
比誘電率εr や６ＧＨｚでのＱ値が低下し、また共振周
波数の温度係数τf がマイナス側に大きくなるからであ
る。特に０．０７８≦ａ≦０．１１６６とすることが好
ましい。
【００１１】またＡｌ2 Ｏ3 のモル比を０．０５６≦ｂ
≦０．２１４としたのは、ｂが０．０５６より小さいと
Ｑ値が低下し、またτf がプラス側に大きくなり、０．
２１４より大きい場合には比誘電率εr やＱ値が低下す
るからである。特に０．０７８≦ｂ≦０．１１６６であ
ることが望ましい。
≦０．２１４としたのは、ｂが０．０５６より小さいと
Ｑ値が低下し、またτf がプラス側に大きくなり、０．
２１４より大きい場合には比誘電率εr やＱ値が低下す
るからである。特に０．０７８≦ｂ≦０．１１６６であ
ることが望ましい。
【００１２】ＣａＯのモル比を０．２８６≦ｃ≦０．５
００としたのは、ｃが０．２８６より小さいとガラスと
の濡れ性が悪化、緻密化せず、或いはＴｉＯ2 との生成
物が小となり、温度係数τｆがプラス側に大きく移動す
るからであり、０．５００より大きい場合にはＣａＯが
ガラス中に溶融し、ＣａＳｉＯ2 結晶が折出し、Ｑ値が
劣化し、耐水性が悪くなり、また温度係数τｆがマイナ
ス側に大きくなるからである。特に０．３９０２≦ｃ≦
０．４７０であることが好ましい。
００としたのは、ｃが０．２８６より小さいとガラスと
の濡れ性が悪化、緻密化せず、或いはＴｉＯ2 との生成
物が小となり、温度係数τｆがプラス側に大きく移動す
るからであり、０．５００より大きい場合にはＣａＯが
ガラス中に溶融し、ＣａＳｉＯ2 結晶が折出し、Ｑ値が
劣化し、耐水性が悪くなり、また温度係数τｆがマイナ
ス側に大きくなるからである。特に０．３９０２≦ｃ≦
０．４７０であることが好ましい。
【００１３】またＴｉＯ2 のモル比を０．２３０＜ｄ＜
０．４７０としたのは、ｄが０．２３０以下の時、εr
が小さくなり、τf がマイナス側に大きくなり、０．４
７０以上の場合にはτf がプラス側に大きくなるからで
ある。特に０．３４≦ｄ≦０．４２２であることが好ま
しい。
０．４７０としたのは、ｄが０．２３０以下の時、εr
が小さくなり、τf がマイナス側に大きくなり、０．４
７０以上の場合にはτf がプラス側に大きくなるからで
ある。特に０．３４≦ｄ≦０．４２２であることが好ま
しい。
【００１４】また、これらの組成物に硼珪酸ガラスを３
５〜６５重量％の割合で含有するのは、硼珪酸ガラスが
３５重量％より少ないと焼成温度が１０００℃以上とな
り、緻密化しにくく、εr やＱ値が低下し、６５重量％
より大きいと焼成温度が８００℃以下となり、εr やＱ
値が低下するからである。硼珪酸ガラスは、特に４０〜
６０重量％であることが望ましい。
５〜６５重量％の割合で含有するのは、硼珪酸ガラスが
３５重量％より少ないと焼成温度が１０００℃以上とな
り、緻密化しにくく、εr やＱ値が低下し、６５重量％
より大きいと焼成温度が８００℃以下となり、εr やＱ
値が低下するからである。硼珪酸ガラスは、特に４０〜
６０重量％であることが望ましい。
【００１５】本発明に基づき磁器を作製する方法として
は、例えば、純度９９％以上のＮｄ、Ａｌ、Ｃａ、Ｔｉ
の酸化物を秤量し、ボールミル等で混合粉砕し、脱水乾
燥する。この後、混合物を１１００〜１４００℃で１〜
４時間仮焼処理する。そして、仮焼物と所定量の硼珪酸
ガラスをボールミルに入れ、さらに溶媒及び有機バイン
ダーも投入して混合粉砕し、造粒あるいは整粒する。こ
れを公知手段により成形し、例えば、所定の圧力でプレ
ス成形し、所定の形状に成形し、３００〜５００℃で４
時間脱バインダー処理を行い、大気中において８５０〜
９５０℃で０．１〜２時間焼成することにより本発明の
誘電体磁器を得ることができる。
は、例えば、純度９９％以上のＮｄ、Ａｌ、Ｃａ、Ｔｉ
の酸化物を秤量し、ボールミル等で混合粉砕し、脱水乾
燥する。この後、混合物を１１００〜１４００℃で１〜
４時間仮焼処理する。そして、仮焼物と所定量の硼珪酸
ガラスをボールミルに入れ、さらに溶媒及び有機バイン
ダーも投入して混合粉砕し、造粒あるいは整粒する。こ
れを公知手段により成形し、例えば、所定の圧力でプレ
ス成形し、所定の形状に成形し、３００〜５００℃で４
時間脱バインダー処理を行い、大気中において８５０〜
９５０℃で０．１〜２時間焼成することにより本発明の
誘電体磁器を得ることができる。
【００１６】また、導体と同時に焼成する場合には上記
成形体表面にＡｇやＣｕの導体ペーストをスクリーン印
刷して所望により積層圧着した後、上記と同様な条件で
焼成すれば良い。Ｃｕの導体を同時焼成する場合には、
酸化を防止するため窒素雰囲気中で焼成する。
成形体表面にＡｇやＣｕの導体ペーストをスクリーン印
刷して所望により積層圧着した後、上記と同様な条件で
焼成すれば良い。Ｃｕの導体を同時焼成する場合には、
酸化を防止するため窒素雰囲気中で焼成する。
【００１７】
【作用】本発明の誘電体磁器組成物では、金属元素のモ
ル比による組成式をａＮｄ2 Ｏ3 ・ｂＡｌ2 Ｏ3 ・ｃＣ
ａＯ・ｄＴｉＯ2 と表した時、前記ａ、ｂ、ｃ、ｄが所
定の値を取る組成物をセラミックフィラーとして用い、
これと硼珪酸ガラスにより誘電体磁器を作製したので、
８５０〜９５０℃の比較的低温で焼成することが可能と
なり、ＡｇやＣｕ等の導体金属と同時に焼成することが
可能となる。
ル比による組成式をａＮｄ2 Ｏ3 ・ｂＡｌ2 Ｏ3 ・ｃＣ
ａＯ・ｄＴｉＯ2 と表した時、前記ａ、ｂ、ｃ、ｄが所
定の値を取る組成物をセラミックフィラーとして用い、
これと硼珪酸ガラスにより誘電体磁器を作製したので、
８５０〜９５０℃の比較的低温で焼成することが可能と
なり、ＡｇやＣｕ等の導体金属と同時に焼成することが
可能となる。
【００１８】また、比誘電率εr が高く、かつ共振周波
数の温度係数τf を比較的小さく制御することが可能と
なる。
数の温度係数τf を比較的小さく制御することが可能と
なる。
【００１９】
【実施例】以下、本発明の誘電体磁器組成物を実施例に
基づいて詳細に説明する。先ず、原料として純度９９％
以上のＮｄ2 Ｏ3 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＣａＯ及びＴｉＯ2 の
粉末を用いて、これらを表１，表２に示す割合に秤量
し、これをゴムで内張りしたボールミルに水と共に入
れ、直径１０ｍｍのＺｒＯ2 ボールを用いて２４時間湿
式混合した。次いで、この混合物を脱水、乾燥した後、
１４００℃で１時間仮焼した。さらに、当該仮焼物をＺ
ｒＯ2 ボールに水、有機バインダーを入れ、平均結晶粒
径が０．５〜５μｍの適度な粒径に調製し、これをセラ
ミックフィラーとした。
基づいて詳細に説明する。先ず、原料として純度９９％
以上のＮｄ2 Ｏ3 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＣａＯ及びＴｉＯ2 の
粉末を用いて、これらを表１，表２に示す割合に秤量
し、これをゴムで内張りしたボールミルに水と共に入
れ、直径１０ｍｍのＺｒＯ2 ボールを用いて２４時間湿
式混合した。次いで、この混合物を脱水、乾燥した後、
１４００℃で１時間仮焼した。さらに、当該仮焼物をＺ
ｒＯ2 ボールに水、有機バインダーを入れ、平均結晶粒
径が０．５〜５μｍの適度な粒径に調製し、これをセラ
ミックフィラーとした。
【００２０】また、ＳｉＯ2 を５０重量％、Ａｌ2 Ｏ3
を５重量％、ＣａＯを１０重量％、ＢａＯを２５重量
％、Ｂ2 Ｏ3 を１０重量％含有する硼珪酸ガラスを準備
し、前述したセラミックフィラーと硼珪酸ガラスを、そ
の比が表１，表２になるように秤量後、純水を添加し、
ＺｒＯ2 ボールを用いて２４時間湿式混合を行った。こ
の混合物に約１重量％のバインダーとしてポリビニルア
ルコールを添加して整粒し、得られた粉末を１ｔｏｎ／
ｃｍ2 の圧力でプレス成形し、直径２０ｍｍ、高さ１０
ｍｍの歪みのない円柱状の成形体を作製した。この後、
この成形体を４００℃で２〜２０時間脱バインダー処理
し、さらに表１，表２に示す温度で３０分間大気中で焼
成した。
を５重量％、ＣａＯを１０重量％、ＢａＯを２５重量
％、Ｂ2 Ｏ3 を１０重量％含有する硼珪酸ガラスを準備
し、前述したセラミックフィラーと硼珪酸ガラスを、そ
の比が表１，表２になるように秤量後、純水を添加し、
ＺｒＯ2 ボールを用いて２４時間湿式混合を行った。こ
の混合物に約１重量％のバインダーとしてポリビニルア
ルコールを添加して整粒し、得られた粉末を１ｔｏｎ／
ｃｍ2 の圧力でプレス成形し、直径２０ｍｍ、高さ１０
ｍｍの歪みのない円柱状の成形体を作製した。この後、
この成形体を４００℃で２〜２０時間脱バインダー処理
し、さらに表１，表２に示す温度で３０分間大気中で焼
成した。
【００２１】得られた磁器を平面研磨および円筒研削
し、試料を得た。この試料を用いて誘電体円柱共振器法
により共振周波数６ＧＨｚにて比誘電率，Ｑ値を測定
し、また、−４０〜＋８５℃までの温度範囲における共
振周波数の温度変化を測定し温度係数（τｆ）を計算し
た。これらの結果を表１及び表２に示した。
し、試料を得た。この試料を用いて誘電体円柱共振器法
により共振周波数６ＧＨｚにて比誘電率，Ｑ値を測定
し、また、−４０〜＋８５℃までの温度範囲における共
振周波数の温度変化を測定し温度係数（τｆ）を計算し
た。これらの結果を表１及び表２に示した。
【００２２】
【表１】
【００２３】
【表２】
【００２４】この表１、２の結果から、本発明の誘電体
磁器組成物では、比誘電率が１３以上、Ｑ値が３１０以
上、温度係数（τｆ）が±３０ｐｐｍ／℃以内であり、
焼結体自体のボイド状態も良好であった。尚、表中にお
ける は測定不能であったことを示す。
磁器組成物では、比誘電率が１３以上、Ｑ値が３１０以
上、温度係数（τｆ）が±３０ｐｐｍ／℃以内であり、
焼結体自体のボイド状態も良好であった。尚、表中にお
ける は測定不能であったことを示す。
【００２５】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明によれば金属
元素として少なくともＮｄ、Ａｌ、Ｃａ、Ｔｉを含有す
る複合酸化物のモル比を所定値に設定し、それら複合酸
化物に硼珪酸ガラスを３５〜６５重量％の割合で含有す
るので、焼成温度が８５０〜９５０℃となり、ＡｇやＣ
ｕ等の導体金属と同時に焼成でき、比誘電率εr やＱ値
が高く、かつ共振周波数の温度係数τf が比較的小さい
等の特徴を有し、高周波電子回路基板の小型化と高性能
化を実現できる。
元素として少なくともＮｄ、Ａｌ、Ｃａ、Ｔｉを含有す
る複合酸化物のモル比を所定値に設定し、それら複合酸
化物に硼珪酸ガラスを３５〜６５重量％の割合で含有す
るので、焼成温度が８５０〜９５０℃となり、ＡｇやＣ
ｕ等の導体金属と同時に焼成でき、比誘電率εr やＱ値
が高く、かつ共振周波数の温度係数τf が比較的小さい
等の特徴を有し、高周波電子回路基板の小型化と高性能
化を実現できる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤川 信儀 鹿児島県国分市山下町１番４号 京セラ株 式会社総合研究所内
Claims (1)
- 【請求項１】金属元素として少なくともＮｄ、Ａｌ、Ｃ
ａ、Ｔｉを含有する複合酸化物であって、これらの金属
元素のモル比による組成式をａＮｄ2 Ｏ3 ・ｂＡｌ2 Ｏ
3 ・ｃＣａＯ・ｄＴｉＯ2 と表した時、前記ａ、ｂ、
ｃ、ｄが ０．０５６≦ａ≦０．２１４ ０．０５６≦ｂ≦０．２１４ ０．２８６≦ｃ≦０．５００ ０．２３０＜ｄ＜０．４７０ ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１ を満足する組成物３５〜６５重量％と、硼珪酸ガラス６
５〜３５重量％とからなることを特徴とする誘電体磁器
組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5324174A JPH07182922A (ja) | 1993-12-22 | 1993-12-22 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5324174A JPH07182922A (ja) | 1993-12-22 | 1993-12-22 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07182922A true JPH07182922A (ja) | 1995-07-21 |
Family
ID=18162923
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5324174A Pending JPH07182922A (ja) | 1993-12-22 | 1993-12-22 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07182922A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001027942A1 (en) * | 1999-10-13 | 2001-04-19 | Morgan Matroc Limited | Dielectric ceramic composition |
| JP2005035829A (ja) * | 2003-07-18 | 2005-02-10 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 低温焼成誘電体磁器 |
-
1993
- 1993-12-22 JP JP5324174A patent/JPH07182922A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001027942A1 (en) * | 1999-10-13 | 2001-04-19 | Morgan Matroc Limited | Dielectric ceramic composition |
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| JP4694775B2 (ja) * | 2003-07-18 | 2011-06-08 | 日本特殊陶業株式会社 | 低温焼成誘電体磁器 |
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