JP2002053370A - 誘電体磁器組成物及びその製造方法 - Google Patents
誘電体磁器組成物及びその製造方法Info
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Abstract
値を小さくして高周波帯で用いる高周波材料に求められ
る特性を具備し、低抵抗で大気雰囲気中で容易に焼成で
き、しかも安価なAgと同時に焼成可能な低温焼結性を
有する誘電体磁器組成物及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 Si、Zn、Li、Sn、Ti及びMg
を含み、950℃以下で焼成が可能な誘電体磁器組成物
において、SiがSiO2 換算で13.4〜46.3w
t%、ZnがZnO換算で22.5〜61.4wt%、
LiがLi2 O換算で1.3〜10.2wt%、Snが
SnO2 換算で9.1〜52.1wt%、TiがTiO
2 換算で4.4〜14.6wt%及びMgがMgO換算
で0を超え〜7.3wt%からなる主成分の100重量
部に対し、BがB2 O3 換算で0.5〜4.5wt%含
まれる。
Description
Z の高周波帯域で使用される電子部品を形成するために
用いられ、低抵抗金属と低温同時焼成が可能な誘電体磁
器組成物及びその製造方法に関する。
伴い、数GHz (2〜6GHz )帯、更にはそれ以上の
周波数帯の利用の検討が進められており、高周波対応の
誘電体磁器組成物の開発が進められている。この誘電体
磁器組成物で形成される誘電体基板には、材料である誘
電体磁器組成物の誘電損失tanδを小さくし、すなわ
ちQ値を高め、使用する電極材料の抵抗をより小さくし
て高周波帯での損失を抑えることが必要である。また、
特に誘電体にフィルタ機能を有するものに関しては、共
振周波数の温度係数(τf)を小さくして温度安定性を
よくする必要がある。使用する電極材料の抵抗をより小
さくするために、電極材料としてはAu、Ag、Cu、
Ag−Pd等の低抵抗金属が使用されており、これら融
点の低い金属(Auが1063℃、Agが961℃、C
uが1083℃)と同時焼成するために焼成温度の低い
誘電体磁器組成物が用いられている。
板自体も小型化の要求が強く、このような基板は、誘電
体グリーンシートに多層積層法を利用して形成される。
すなわち、基板は、誘電体グリーンシートに低抵抗金属
からなる電極用の導体ペーストで電極パターンを印刷し
た後、各誘電体グリーンシートを積層し、低抵抗金属と
同時焼成して形成している。誘電体基板の表層の外部電
極は、誘電体グリーンシートと内部電極用の導体ペース
トを同時焼成した後に、表層に外部電極用の導体ペース
トの後付けを行って、再度焼成して形成することもあ
る。このような誘電体基板を形成するための誘電体磁器
組成物としては、ガラスとセラミック原料をそれぞれ準
備し、混合して形成され、低温(1000℃以下)で焼
成できるガラスセラミックが誘電率が低いことから高周
波用として用いられている。
たような従来の誘電体磁器組成物(ガラスセラミック)
及びその製造方法においては、次のような課題がある。 (1)従来のガラスセラミックは誘電率は低いものの、
Q値が小さく(材料のtanδが高い)高周波帯での損
失が大きい。数GHz (2〜6GHz )帯、更にはそれ
以上の周波数帯の利用においては、誘電体基板の伝送線
路や部品内の損失を小さくする必要により、Q値はf・
Q値で示した時に4000GHz 以上が求められてい
る。 (2)また、従来のガラスセラミックは共振周波数の温
度係数(τf)が大きく(±30ppm/℃を超えてい
る)、特にフィルタ機能を有するものにおいては、小さ
い共振周波数の温度係数を必要とするが、満足なものが
得られていない。円柱状の共振器を作成して得られる共
振周波数の温度係数として、±30ppm/℃の範囲内
が求められている。 (3)電極材料として低抵抗のAgを用いる場合、ガラ
スセラミックと同時焼成するのに焼成温度が950℃を
超えるとAgの融点(961℃)に近くなり、Agの拡
散が発生する。Agと同時焼成するのに、焼成温度は9
50℃以下が必要である。 (4)従来のガラスセラミックの多くは、ガラスとセラ
ミックを別々に作製し、混合して形成しているので製造
プロセスが煩雑になっている。通常のセラミックの作製
におけるような固相法だけのプロセスでの組成物の形成
が求められている。本発明は、かかる事情に鑑みてなさ
れたものであって、Q値が大きく(すなわち材料のta
nδが低く)、共振周波数の温度係数の絶対値を小さく
して高周波帯で用いる高周波材料に求められる特性を具
備し、低抵抗で大気雰囲気中で容易に焼成でき、しかも
安価なAgと同時に焼成可能な低温焼結性を有する誘電
体磁器組成物及びその製造方法を提供することを目的と
する。
係る誘電体磁器組成物は、Si、Zn、Li、Sn、T
i及びMgを含み、950℃以下で焼成が可能な誘電体
磁器組成物において、SiがSiO2 換算で13.4〜
46.3wt%、ZnがZnO換算で22.5〜61.
4wt%、LiがLi2 O換算で1.3〜10.2wt
%、SnがSnO 2 換算で9.1〜52.1wt%、T
iがTiO2 換算で4.4〜14.6wt%及びMgが
MgO換算で0を超え〜7.3wt%からなる主成分の
100重量部に対し、BがB2 O3 換算で0.5〜4.
5wt%含まれる。これにより、Q値が大きく(すなわ
ち材料のtanδが低く)、共振周波数の温度係数の絶
対値を小さく、大気雰囲気中で容易に焼成でき、しかも
低抵抗で安価なAgと同時に焼成可能な950℃以下の
低温焼結性を有している。更に、ガラスとセラミックを
混合する必要がなく、通常のセラミックの合成における
固相法で誘電体磁器組成物が得られる。
成物の製造方法は、Si、Zn、Li、Sn、Ti及び
Mgを含み、950℃以下で焼成が可能な誘電体磁器組
成物の製造方法において、SiがSiO2 換算で13.
4〜46.3wt%、ZnがZnO換算で22.5〜6
1.4wt%、LiがLi2 O換算で1.3〜10.2
wt%、SnがSnO2 換算で9.1〜52.1wt
%、TiがTiO2 換算で4.4〜14.6wt%及び
MgがMgO換算で0を超え〜7.3wt%からなる主
成分を800〜1000℃で仮焼し、主成分の100重
量部に対して、BをB2 O3 換算で0.5〜4.5wt
%添加し、主成分とB2 O3 の混合物を粉砕して粉末を
形成する。これにより、B2 O3 を除いて主成分を仮焼
し、粉砕時にB2 O3 を添加するので、焼成温度の一層
の低温化や、Q値の向上を図ることができる。また、共
振周波数の温度係数の絶対値を小さく、低抵抗で大気雰
囲気中で容易に焼成でき、しかも安価なAgと同時に焼
成可能な低温焼結性を有する誘電体磁器組成物の製造方
法が得られる。なお、主成分を800℃未満で仮焼する
と仮焼が不完全で緻密な焼結体が得られず、1000℃
を超えて仮焼すると一部が焼結し、粉砕が困難になると
共に、B2 O3 の低温焼成効果が十分に得られず、95
0℃以下で緻密な焼結体が得られない。
体磁器組成物は、SiがSiO2 換算で13.4〜4
6.3wt%、ZnがZnO換算で22.5〜61.4
wt%、LiがLi2 O換算で1.3〜10.2wt
%、SnがSnO2 換算で9.1〜52.1wt%、T
iがTiO2 換算で4.4〜14.6wt%及びMgが
MgO換算で0を超え〜7.3wt%からなる主成分の
100重量部に対し、BがB2 O3 換算で0.5〜4.
5wt%とからなるものである。この誘電体磁器組成物
においては、予めガラスを形成するプロセスは必要とせ
ず、ガラスとセラミックを混合するようなプロセスをと
らずに、固相法だけのプロセスで誘電体磁器組成物が得
ることができる。
る。SiO2 とZnOは、高周波用の誘電体基板として
重要な誘電率を小さくするのに有効であり、高いQ値が
得られる主結晶相を形成する。更に、SiO2 とZnO
は、Li2 O、B2 O3 と共に低温焼成化を促進する。
しかしながら、Li2O、B2 O3 をそれぞれ単独で添
加すると、Q値は低下すると共に、低温焼成化をするの
に多くの量を必要とする。これに反し、双方を同時に添
加することにより、各々の添加量が少量でも低温焼成効
果が引き出され、Q値の低下を抑制できる。SnO2 は
TiO2 と同時に適当量添加することにより、負の大き
な共振周波数の温度係数(τf)を有するSiO2 、Z
nO系主結晶相のτfを正方向に作用させる。MgO
は、Q値を高めるのに寄与する。
理由を説明する。SiO2 は、13.4wt%未満ある
いは46.3wt%より多いと、焼成温度が950℃以
下の温度では焼結性が劣化して磁器が緻密化をしない。
ZnOは、22.5wt%未満あるいは61.4wt%
より多いと、950℃以下の温度では焼結性が劣化して
磁器が緻密化しない。Li2 Oは、1.3wt%未満で
は950℃以下の温度では焼結性が劣化して磁器が緻密
化しなくなり、10.2wt%より多いと、Q値が低下
する。SnO2 は、9.1wt%未満ではTiO2 によ
るτfの制御効果が引き出せなくなり、52.1wt%
より多いと、950℃以下の温度では焼結性が劣化して
磁器が緻密化しない。TiO2 は、4.4wt%未満で
はτfが−30ppm/℃より負側に大きくなり、1
4.6wt%より多いと、τfが+30ppm/℃を超
え、τfを±30ppm/℃の範囲に制御することがで
きなくなって、温度安定性が低下する。MgOは、7.
3wt%より多いと、Q値が低下する。B2 O3 は、
0.5wt%未満では、950℃以下の温度では焼結性
が劣化して磁器が緻密化せず、4.0wt%より多い
と、Q値が低下する。
は、SiO2 が20.0〜40.0wt%、ZnOが3
0.0〜50.0wt%、Li2 Oが1.5〜4.0w
t%、SnO2 が10.0〜20.0wt%、TiO2
が6.0〜12.0wt%、MgOが3.0〜6.0w
t%からなる主成分の100重量部に対して、B2 O3
を1.0〜2.0wt%添加することである。
成物の製造方法においては、SiO2、ZnO、Li2
O、SnO2 、TiO2 及びMgOの各成分を通常の方
法、すなわち、各成分の金属酸化物、又は、焼成中に金
属酸化物に変化する適当な前駆化合物、例えば炭酸塩や
カルボン酸塩等を所定の組成を生ずるような割合でボー
ルミル等で湿式混合し、主成分を形成する。次いで、こ
の主成分を大気中で800〜1000℃で1〜3時間仮
焼きする。焼成後、更に、この主成分をボールミル等に
投入すると同時に、主成分を100重量部に対して適当
量のB2 O3 を投入し、混合物を形成し、湿式粉砕し、
乾燥して誘電体磁器組成物の粉末を形成する。このよう
に、B2 O3 を除いて仮焼した後の粉砕時にB2 O3 を
添加すると、誘電体基板焼成時の焼成温度の一層の低温
化や、高周波特性のQ値の向上が可能になる。
体基板の製造方法は、誘電体グリーンシートの多層積層
法により、積層型に形成するのが適している。誘電体グ
リーンシートは、誘電体磁器組成物の粉末にバインダ、
可塑剤、溶剤等を加えてスラリーを形成し、ドクターブ
レード法等により形成することができる。次いで、適当
な寸法に切断した複数枚の誘電体グリーンシートに、低
抵抗金属からなる内、外部電極用の導体ペーストをスク
リーン印刷して内、外部電極を形成した後、複数枚の誘
電体グリーンシートを積層して積層体を形成し、大気中
の950℃以下の温度で焼成することで誘電体基板が得
られる。なお、積層体の表層の外部電極は焼成後に低抵
抗金属からなる外部電極用の導体ペーストを後付けし、
再度焼成することで電極を形成してもよい。
しい導体材料は、低抵抗で且つ大気中で焼成でき、比較
的安価であるAgである。Agを本発明に係る誘電体磁
器組成物に使用すると、内部電極の形成において、焼成
中に誘電体基板へのAgの拡散が抑えられ、誘電体基板
の特性劣化や電極形状の変形が起こらないので、配線パ
ターンの微細化にも対応できる。
により高周波特性評価用の試料を作成し、比較例として
作成した試料と併せて高周波特性の評価を行った。評価
用の試料(焼結体)は、次の手順で作成した。 (1)99%以上のSiO2 、ZnO、Li2 O、Sn
O2 、TiO2 、MgO及びB2 O3 を表1、表2の組
成になるに配合し、ボールミルで湿式混合する。 (2)800〜1000℃、1〜3時間仮焼し、ボール
ミルで湿式粉砕する。B 2 O3 を湿式粉砕時に添加する
場合は、(1)において、B2 O3 を配合しない。 (3)湿式粉砕した粉砕スラリーを蒸発乾燥する。 (4)乾燥した粉末に1wt%の有機バインダー(ポリ
ビニルアルコール)を加え、造粒し、1.5ton/c
m2 の圧力で、直径15mm×高さ8mmの円柱状に成
形する。 (5)円柱状の成形物を850〜1000℃で、2時間
焼成し、焼結体を作製する。特性の評価では、次の項目
を行った。 (1)両端短絡型円柱共振器法により、焼結体の比誘電
率(εr)、f・Q値(f=8〜15GHz )を測定し
た。なお、Q値は測定共振周波数により変化するので、
周波数により影響を受けずに略一定になるf・Q値で表
した。 (2)−25〜85℃の温度範囲で、共振周波数を測定
し、25℃における共振周波数を基準とした変化率から
共振周波数の温度係数(τf)を算出した。なお、表
1、表2は、仮焼前にB2 O3 を配合したものであり、
表3は、仮焼後にB2 O3 を配合したものである。
電体磁器組成物による試料の比誘電率は7.8〜12.
9と低く、f・Q値は4500GHz 以上と高く、共振
周波数の温度係数(τf)は±30ppm/℃の範囲内
に含まれるので、数GHz 以上の高周波帯で十分優れた
電気特性を有すると共に、Agの拡散が抑えられた誘電
体基板が得られる。一方、比較例で示す試料において
は、焼成温度が950℃を超えるもの、特性値の測定が
できないもの、f・Q値が4000GHz未満であるも
の、τfが±30ppm/℃の範囲を外れるものがあ
り、決められた電気特性を満足できなかった。
ては、SiがSiO2 換算で13.4〜46.3wt
%、ZnがZnO換算で22.5〜61.4wt%、L
iがLi2O換算で1.3〜10.2wt%、SnがS
nO2 換算で9.1〜52.1wt%、TiがTiO2
換算で4.4〜14.6wt%及びMgがMgO換算で
0を超え〜7.3wt%からなる主成分の100重量部
に対し、BがB2 O3 換算で0.5〜4.5wt%含ま
れるので、Q値が大きく(すなわち材料のtanδが低
く)、共振周波数の温度係数の絶対値が小さく、低抵抗
で大気雰囲気中で容易に焼成でき、しかも安価なAgと
同時に焼成可能な低温焼結性を有している。また、ガラ
スとセラミックスを混合する必要がなく、通常のセラミ
ックスの合成における固相法で誘電体磁器組成物を得る
ことができる。
法においては、SiがSiO2 換算で13.4〜46.
3wt%、ZnがZnO換算で22.5〜61.4wt
%、LiがLi2 O換算で1.3〜10.2wt%、S
nがSnO2 換算で9.1〜52.1wt%、TiがT
iO2 換算で4.4〜14.6wt%及びMgがMgO
換算で0を超え〜7.3wt%からなる主成分を800
〜1000℃で仮焼し、主成分の100重量部に対し
て、BをB2 O3 換算で0.5〜4.5wt%添加し、
主成分とB2 O3 の混合物を粉砕して粉末を形成するの
で、B2 O3 を除いて仮焼し、粉砕時にB2 O3 を添加
することで、焼成温度の一層の低温化や、Q値の向上を
図ることができる。また、共振周波数の温度係数の絶対
値を小さく、低抵抗で大気雰囲気中で容易に焼成でき、
しかも安価なAgと同時に焼成可能な低温焼結性を有す
る誘電体組成物の製造方法が得られる。
Claims (2)
- 【請求項1】 Si、Zn、Li、Sn、Ti及びMg
を含み、950℃以下で焼成が可能な誘電体磁器組成物
において、前記SiがSiO2 換算で13.4〜46.
3wt%、前記ZnがZnO換算で22.5〜61.4
wt%、前記LiがLi2 O換算で1.3〜10.2w
t%、前記SnがSnO2 換算で9.1〜52.1wt
%、前記TiがTiO2 換算で4.4〜14.6wt%
及び前記MgがMgO換算で0を超え〜7.3wt%か
らなる主成分の100重量部に対し、BがB2 O3 換算
で0.5〜4.5wt%含まれることを特徴とする誘電
体磁器組成物。 - 【請求項2】 Si、Zn、Li、Sn、Ti及びMg
を含み、950℃以下で焼成が可能な誘電体磁器組成物
の製造方法において、前記SiがSiO2 換算で13.
4〜46.3wt%、前記ZnがZnO換算で22.5
〜61.4wt%、前記LiがLi2 O換算で1.3〜
10.2wt%、前記SnがSnO2 換算で9.1〜5
2.1wt%、前記TiがTiO2 換算で4.4〜1
4.6wt%及び前記MgがMgO換算で0を超え〜
7.3wt%からなる主成分を800〜1000℃で仮
焼し、前記主成分の100重量部に対して、BをB2 O
3 換算で0.5〜4.5wt%添加し、前記主成分と前
記B2 O3 の混合物を粉砕して粉末を形成することを特
徴とする誘電体磁器組成物の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2000235991A JP3870015B2 (ja) | 2000-08-03 | 2000-08-03 | 誘電体磁器組成物及びその製造方法 |
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Country Status (1)
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JP (1) | JP3870015B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009164311A (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-23 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | 発光素子搭載用基板およびその製造方法およびそれを用いた発光装置 |
CN104230329A (zh) * | 2014-09-15 | 2014-12-24 | 电子科技大学 | 一种低温烧结微波陶瓷材料及其制备方法 |
Families Citing this family (1)
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KR101738857B1 (ko) * | 2016-03-04 | 2017-05-23 | 주식회사 씨엠티 | 마이크로파 감응 조성물 및 감응 소재 제조 방법 |
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2000
- 2000-08-03 JP JP2000235991A patent/JP3870015B2/ja not_active Expired - Lifetime
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