JPH06116022A - 低温焼成用誘電体磁器組成物及びそれを用いて得られた誘電体共振器若しくは誘電体フィルター並びにそれらの製造方法 - Google Patents
低温焼成用誘電体磁器組成物及びそれを用いて得られた誘電体共振器若しくは誘電体フィルター並びにそれらの製造方法Info
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- JPH06116022A JPH06116022A JP4286811A JP28681192A JPH06116022A JP H06116022 A JPH06116022 A JP H06116022A JP 4286811 A JP4286811 A JP 4286811A JP 28681192 A JP28681192 A JP 28681192A JP H06116022 A JPH06116022 A JP H06116022A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高い比誘電率、大きな無負荷Ｑで、共振周波
数の温度係数が小さな誘電体磁器を与える低温焼成用誘
電体磁器組成物を提供する。 【構成】 一般式：ｘ〔（１−ａ−ｂ）ＢａＯ・ａＳｒ
Ｏ・ｂＣａＯ〕・ｙＴｉＯ2 ・ｚ〔（１−ｃ）ＲＥ2 Ｏ
3 ・ｃＢｉ2 Ｏ3 〕（ＲＥ：希土類金属）で表わされ、
且つ０．１０≦ｘ≦０．２０，０．６０≦ｙ≦０．７
５，０．１０≦ｚ≦０．２５，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，０≦ａ
≦０．４０，０≦ｂ≦０．２０，０≦ｃ≦０．３０を満
足するように構成された組成物を主成分とし、該主成分
組成物の１００重量部に対して、所定組成のＺｎＯ−Ｂ
2 Ｏ3 −Ｂｉ2 Ｏ3 系ガラスを、副成分として、０．１
重量部以上、（１８−６２．５ｃ）重量部以下（但し、
ｃ≦０．２０のとき）または５．５重量部以下（但し、
０．２＜ｃ≦０．３のとき）の割合で含有せしめた。
数の温度係数が小さな誘電体磁器を与える低温焼成用誘
電体磁器組成物を提供する。 【構成】 一般式：ｘ〔（１−ａ−ｂ）ＢａＯ・ａＳｒ
Ｏ・ｂＣａＯ〕・ｙＴｉＯ2 ・ｚ〔（１−ｃ）ＲＥ2 Ｏ
3 ・ｃＢｉ2 Ｏ3 〕（ＲＥ：希土類金属）で表わされ、
且つ０．１０≦ｘ≦０．２０，０．６０≦ｙ≦０．７
５，０．１０≦ｚ≦０．２５，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，０≦ａ
≦０．４０，０≦ｂ≦０．２０，０≦ｃ≦０．３０を満
足するように構成された組成物を主成分とし、該主成分
組成物の１００重量部に対して、所定組成のＺｎＯ−Ｂ
2 Ｏ3 −Ｂｉ2 Ｏ3 系ガラスを、副成分として、０．１
重量部以上、（１８−６２．５ｃ）重量部以下（但し、
ｃ≦０．２０のとき）または５．５重量部以下（但し、
０．２＜ｃ≦０．３のとき）の割合で含有せしめた。
Description
【０００１】
【技術分野】本発明は、低温焼成用誘電体磁器組成物に
係り、特にトリプレート構造のストリップライン型フィ
ルター等の、内層導体を有する誘電体共振器の製造に好
適に用いられる、低温焼成の可能な高周波用誘電体磁器
組成物に関するものである。また、本発明は、そのよう
な誘電体磁器組成物を用いて得られる該誘電体共振器若
しくは該共振器の複数から構成される誘電体フィルタ
ー、更にはそれら誘電体共振器若しくは誘電体フィルタ
ーの有利な製造手法に関するものである。
係り、特にトリプレート構造のストリップライン型フィ
ルター等の、内層導体を有する誘電体共振器の製造に好
適に用いられる、低温焼成の可能な高周波用誘電体磁器
組成物に関するものである。また、本発明は、そのよう
な誘電体磁器組成物を用いて得られる該誘電体共振器若
しくは該共振器の複数から構成される誘電体フィルタ
ー、更にはそれら誘電体共振器若しくは誘電体フィルタ
ーの有利な製造手法に関するものである。
【０００２】
【背景技術】今日、携帯電話や自動車用電話等では、高
誘電率磁器組成物を使用した同軸型誘電体フィルタが広
く用いられているが、かかる同軸型誘電体フィルタは、
筒形状の誘電体ブロックの内周面と外周面に、それぞ
れ、内部導体と外部導体とが設けられてなる同軸型の共
振器を複数個結合して、構成されてなるものであるとこ
ろから、その小型化には限度があり、そのために誘電体
内に導体を内層してなるトリプレート構造のストリップ
ライン型のものが検討されている。このストリップライ
ン型フィルタにあっては、板状の誘電体内に導体が所定
パターンで配列されて、一体的に設けられ、複数の共振
器を構成せしめた構造であるところから、フィルタの高
さ（厚さ）を低くすることが出来、以てその小型化が可
能となるのである。
誘電率磁器組成物を使用した同軸型誘電体フィルタが広
く用いられているが、かかる同軸型誘電体フィルタは、
筒形状の誘電体ブロックの内周面と外周面に、それぞ
れ、内部導体と外部導体とが設けられてなる同軸型の共
振器を複数個結合して、構成されてなるものであるとこ
ろから、その小型化には限度があり、そのために誘電体
内に導体を内層してなるトリプレート構造のストリップ
ライン型のものが検討されている。このストリップライ
ン型フィルタにあっては、板状の誘電体内に導体が所定
パターンで配列されて、一体的に設けられ、複数の共振
器を構成せしめた構造であるところから、フィルタの高
さ（厚さ）を低くすることが出来、以てその小型化が可
能となるのである。
【０００３】而して、かかるストリップライン型フィル
タの如き内層導体を有する誘電体フィルタを作製するに
際しては、内層導体と誘電体磁器組成物の同時焼成が必
要となるが、従来からの誘電体磁器組成物は、その焼成
温度が著しく高いものであるところから、内層導体とし
て使用可能な導体材料に制約を受け、導通抵抗の低いＡ
ｇ系材料を用いることは困難であった。例えば、内層導
体としてＡｇ−Ｐｄ系合金またはＡｇ−Ｐｔ系合金を使
用するには、誘電体磁器組成物の焼成温度は１０００℃
以下とする必要があり、特に導通抵抗の低いＡｇを単体
にて使用するには、誘電体磁器組成物の焼成温度は９０
０℃前後とする必要がある。このため、そのような低い
焼成温度で焼結可能であり、高周波特性に優れた誘電体
磁器組成物が必要とされているのである。
タの如き内層導体を有する誘電体フィルタを作製するに
際しては、内層導体と誘電体磁器組成物の同時焼成が必
要となるが、従来からの誘電体磁器組成物は、その焼成
温度が著しく高いものであるところから、内層導体とし
て使用可能な導体材料に制約を受け、導通抵抗の低いＡ
ｇ系材料を用いることは困難であった。例えば、内層導
体としてＡｇ−Ｐｄ系合金またはＡｇ−Ｐｔ系合金を使
用するには、誘電体磁器組成物の焼成温度は１０００℃
以下とする必要があり、特に導通抵抗の低いＡｇを単体
にて使用するには、誘電体磁器組成物の焼成温度は９０
０℃前後とする必要がある。このため、そのような低い
焼成温度で焼結可能であり、高周波特性に優れた誘電体
磁器組成物が必要とされているのである。
【０００４】一方、従来から、誘電体磁器組成物に関し
ては、種々なる組成のものが提案されており、中でも、
Ｂａ−Ｔｉ−ＲＥ−Ｂｉ系酸化物（ＲＥ：希土類金属）
にて構成される誘電体磁器組成物は、比誘電率が高く、
且つ無負荷Ｑが大きく、更に共振周波数の温度係数が小
さい材料として知られており、また特開昭６２−２１６
１０７号公報や特開平１−２７５４６６号公報等におい
ては、そのような組成系に、更にＳｒＯを導入すること
により、比誘電率の向上、共振周波数の温度係数の増大
を図っているが、それら誘電体磁器組成物においては、
何れも、その焼成温度が１３００℃〜１４００℃と高い
ところに問題があり、そのために、Ｐｂ酸化物等を添加
することにより、その焼成温度の低下を図る試みが為さ
れてきている。
ては、種々なる組成のものが提案されており、中でも、
Ｂａ−Ｔｉ−ＲＥ−Ｂｉ系酸化物（ＲＥ：希土類金属）
にて構成される誘電体磁器組成物は、比誘電率が高く、
且つ無負荷Ｑが大きく、更に共振周波数の温度係数が小
さい材料として知られており、また特開昭６２−２１６
１０７号公報や特開平１−２７５４６６号公報等におい
ては、そのような組成系に、更にＳｒＯを導入すること
により、比誘電率の向上、共振周波数の温度係数の増大
を図っているが、それら誘電体磁器組成物においては、
何れも、その焼成温度が１３００℃〜１４００℃と高い
ところに問題があり、そのために、Ｐｂ酸化物等を添加
することにより、その焼成温度の低下を図る試みが為さ
れてきている。
【０００５】例えば、米国特許第３８１１９３７号明細
書においては、酸化バリウム、酸化チタン、及び酸化レ
アアースの仮焼混合物に、ＣｄＯ−ＰｂＯ−Ｂｉ2 Ｏ3
系ガラスを、８〜３０重量％の割合で配合してなる組成
物が明らかにされており、そのような組成物は、９８２
℃〜１１５０℃程度の温度で焼成が行なわれている。ま
た、特開昭５９−２１４１０５号公報においては、Ｂａ
Ｏ−ＴｉＯ2 −Ｎｄ2Ｏ3 系組成物に対して、ＰｂＯ，
Ｂｉ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 及びＺｎＯの各粉末を混合して、
１０５０℃〜１１５０℃の温度で焼成することが明らか
にされている。更に、特開昭６０−１２４３０６号公報
には、ＢａＴｉＯ3 −Ｎｄ2 Ｏ3 −ＴｉＯ2 −Ｂｉ2 Ｏ
3 系組成物に対して、Ｐｂ3 Ｏ4 ，Ｂ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ
2 ，ＺｎＯのそれぞれを所定量配合してなる誘電体磁器
組成物が明らかにされ、それは、１０００〜１０５０℃
の焼成温度で焼成し得ることが明らかにされている。更
にまた、特開平２−４４６０９号公報には、ＢａＴｉＯ
3 ，Ｎｄ2 Ｏ3 ，ＴｉＯ2 ，Ｂｉ2 Ｏ3 ，及びＰｂ3 Ｏ
4 からなる組成物に対して、２ＣａＯ・３Ｂ2 Ｏ3 ，Ｓ
ｉＯ2 ，及びＺｎＯを添加した誘電体磁器組成物が示さ
れ、それは、１０００〜１０５０℃の焼成温度で焼結す
ることが明らかにされている。
書においては、酸化バリウム、酸化チタン、及び酸化レ
アアースの仮焼混合物に、ＣｄＯ−ＰｂＯ−Ｂｉ2 Ｏ3
系ガラスを、８〜３０重量％の割合で配合してなる組成
物が明らかにされており、そのような組成物は、９８２
℃〜１１５０℃程度の温度で焼成が行なわれている。ま
た、特開昭５９−２１４１０５号公報においては、Ｂａ
Ｏ−ＴｉＯ2 −Ｎｄ2Ｏ3 系組成物に対して、ＰｂＯ，
Ｂｉ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 及びＺｎＯの各粉末を混合して、
１０５０℃〜１１５０℃の温度で焼成することが明らか
にされている。更に、特開昭６０−１２４３０６号公報
には、ＢａＴｉＯ3 −Ｎｄ2 Ｏ3 −ＴｉＯ2 −Ｂｉ2 Ｏ
3 系組成物に対して、Ｐｂ3 Ｏ4 ，Ｂ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ
2 ，ＺｎＯのそれぞれを所定量配合してなる誘電体磁器
組成物が明らかにされ、それは、１０００〜１０５０℃
の焼成温度で焼成し得ることが明らかにされている。更
にまた、特開平２−４４６０９号公報には、ＢａＴｉＯ
3 ，Ｎｄ2 Ｏ3 ，ＴｉＯ2 ，Ｂｉ2 Ｏ3 ，及びＰｂ3 Ｏ
4 からなる組成物に対して、２ＣａＯ・３Ｂ2 Ｏ3 ，Ｓ
ｉＯ2 ，及びＺｎＯを添加した誘電体磁器組成物が示さ
れ、それは、１０００〜１０５０℃の焼成温度で焼結す
ることが明らかにされている。
【０００６】しかしながら、これら低温焼成が可能とさ
れている従来の誘電体磁器組成物にあっても、その焼成
温度は未だ１０００℃前後或いはそれ以上と高く、導通
抵抗の低いＡｇ単体やＡｇを主体とする合金材料を内部
導体として用いることが出来ないのである。そのため
に、導通抵抗の大きなＰｄの含有量を高めた、Ａｇ−Ｐ
ｄ系合金しか用いられ得ないのが、実情である。しか
も、それら従来の低温焼成用誘電体磁器組成物において
は、Ｐｂ酸化物を多量に添加せしめたものであるところ
から、Ｐｂ酸化物の毒性に鑑み、その取り扱い上におい
ても、問題のあるものであった。このように、誘電体磁
器組成物の焼成温度を１０００℃前後まで低下させる先
行技術は幾つか知られているが、Ａｇの融点：９６２℃
以下、望ましくは９５０℃以下、更に望ましくは９００
℃前後で焼成可能とする技術については、未だ、知られ
てはいないのである。
れている従来の誘電体磁器組成物にあっても、その焼成
温度は未だ１０００℃前後或いはそれ以上と高く、導通
抵抗の低いＡｇ単体やＡｇを主体とする合金材料を内部
導体として用いることが出来ないのである。そのため
に、導通抵抗の大きなＰｄの含有量を高めた、Ａｇ−Ｐ
ｄ系合金しか用いられ得ないのが、実情である。しか
も、それら従来の低温焼成用誘電体磁器組成物において
は、Ｐｂ酸化物を多量に添加せしめたものであるところ
から、Ｐｂ酸化物の毒性に鑑み、その取り扱い上におい
ても、問題のあるものであった。このように、誘電体磁
器組成物の焼成温度を１０００℃前後まで低下させる先
行技術は幾つか知られているが、Ａｇの融点：９６２℃
以下、望ましくは９５０℃以下、更に望ましくは９００
℃前後で焼成可能とする技術については、未だ、知られ
てはいないのである。
【０００７】
【解決課題】ここにおいて、本発明は、かかる事情を背
景にして為されたものであって、その課題とするところ
は、高い比誘電率を有し、また無負荷Ｑが大きく、共振
周波数の温度係数が小さな誘電体磁器を与える、９６２
℃（Ａｇの融点）以下の焼成温度で、好ましくは９００
℃前後の焼成温度で焼結が可能であり、また多量のＰｂ
酸化物を含有せしめる必要のない低温焼成用誘電体磁器
組成物を提供することにある。また、本発明の他の課題
とするところは、そのような誘電体磁器を用いて得られ
た誘電体共振器若しくは該共振器の複数から構成される
誘電体フィルター、更にはそれら誘電体共振器若しくは
誘電体フィルターの有利な製造手法提供することにあ
る。
景にして為されたものであって、その課題とするところ
は、高い比誘電率を有し、また無負荷Ｑが大きく、共振
周波数の温度係数が小さな誘電体磁器を与える、９６２
℃（Ａｇの融点）以下の焼成温度で、好ましくは９００
℃前後の焼成温度で焼結が可能であり、また多量のＰｂ
酸化物を含有せしめる必要のない低温焼成用誘電体磁器
組成物を提供することにある。また、本発明の他の課題
とするところは、そのような誘電体磁器を用いて得られ
た誘電体共振器若しくは該共振器の複数から構成される
誘電体フィルター、更にはそれら誘電体共振器若しくは
誘電体フィルターの有利な製造手法提供することにあ
る。
【０００８】そして、かかる課題を解決するために、本
発明者等が種々検討を重ねた結果、ＢａＯ−ＳｒＯ−Ｃ
ａＯ−ＴｉＯ2 −ＲＥ2 Ｏ3 −Ｂｉ2 Ｏ3 系の誘電体磁
器組成物に対して、所定のＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 −Ｂｉ2 Ｏ
3 系ガラスの少量を含有せしめることにより、その優れ
た特性を確保しつつ、その焼成温度を有利に低下せしめ
得る事実を見い出したのである。
発明者等が種々検討を重ねた結果、ＢａＯ−ＳｒＯ−Ｃ
ａＯ−ＴｉＯ2 −ＲＥ2 Ｏ3 −Ｂｉ2 Ｏ3 系の誘電体磁
器組成物に対して、所定のＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 −Ｂｉ2 Ｏ
3 系ガラスの少量を含有せしめることにより、その優れ
た特性を確保しつつ、その焼成温度を有利に低下せしめ
得る事実を見い出したのである。
【０００９】
【解決手段】すなわち、本発明は、かかる知見に基づい
て完成されたものであって、その特徴とするところは、
一般式：ｘ〔（１−ａ−ｂ）ＢａＯ・ａＳｒＯ・ｂＣａ
Ｏ〕・ｙＴｉＯ2 ・ｚ〔（１−ｃ）ＲＥ2 Ｏ3 ・ｃＢｉ
2 Ｏ3 〕（但し、ＲＥは希土類金属を示す）で表わさ
れ、且つ該一般式中のｘ，ｙ，ｚ並びにａ，ｂ，ｃが、
それぞれ、次式：０．１０≦ｘ≦０．２０，０．６０≦
ｙ≦０．７５，０．１０≦ｚ≦０．２５，ｘ＋ｙ＋ｚ＝
１，０≦ａ≦０．４０，０≦ｂ≦０．２０，及び０≦ｃ
≦０．３０を満足するように構成された、酸化バリウ
ム、酸化ストロンチウム、酸化カルシウム、酸化チタ
ン、酸化レアアース、及び酸化ビスマスからなる組成物
を主成分とし、該主成分組成物の１００重量部に対し
て、一般式：ｋ（重量％）ＺｎＯ・ｍ（重量％）Ｂ2 Ｏ
3 ・ｎ（重量％）Ｂｉ2 Ｏ3 （但し、１≦ｋ≦４５，５
≦ｍ≦５０，１５≦ｎ≦９４，ｋ＋ｍ＋ｎ＝１００）に
て表わされる組成のＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 −Ｂｉ2 Ｏ3 系ガ
ラスを、副成分として、０．１重量部以上、（１８−６
２．５ｃ）重量部以下（但し、ｃ≦０．２０のとき）ま
たは５．５重量部以下（但し、０．２＜ｃ≦０．３のと
き）の割合において含有せしめてなる低温焼成用誘電体
磁器組成物にある。
て完成されたものであって、その特徴とするところは、
一般式：ｘ〔（１−ａ−ｂ）ＢａＯ・ａＳｒＯ・ｂＣａ
Ｏ〕・ｙＴｉＯ2 ・ｚ〔（１−ｃ）ＲＥ2 Ｏ3 ・ｃＢｉ
2 Ｏ3 〕（但し、ＲＥは希土類金属を示す）で表わさ
れ、且つ該一般式中のｘ，ｙ，ｚ並びにａ，ｂ，ｃが、
それぞれ、次式：０．１０≦ｘ≦０．２０，０．６０≦
ｙ≦０．７５，０．１０≦ｚ≦０．２５，ｘ＋ｙ＋ｚ＝
１，０≦ａ≦０．４０，０≦ｂ≦０．２０，及び０≦ｃ
≦０．３０を満足するように構成された、酸化バリウ
ム、酸化ストロンチウム、酸化カルシウム、酸化チタ
ン、酸化レアアース、及び酸化ビスマスからなる組成物
を主成分とし、該主成分組成物の１００重量部に対し
て、一般式：ｋ（重量％）ＺｎＯ・ｍ（重量％）Ｂ2 Ｏ
3 ・ｎ（重量％）Ｂｉ2 Ｏ3 （但し、１≦ｋ≦４５，５
≦ｍ≦５０，１５≦ｎ≦９４，ｋ＋ｍ＋ｎ＝１００）に
て表わされる組成のＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 −Ｂｉ2 Ｏ3 系ガ
ラスを、副成分として、０．１重量部以上、（１８−６
２．５ｃ）重量部以下（但し、ｃ≦０．２０のとき）ま
たは５．５重量部以下（但し、０．２＜ｃ≦０．３のと
き）の割合において含有せしめてなる低温焼成用誘電体
磁器組成物にある。
【００１０】なお、本発明にあっては、かくの如き低温
焼成用誘電体磁器組成物を製造するに際して、前記主成
分組成物を与える原料組成物を１０５０℃以上の温度で
仮焼せしめ、次いでその得られた仮焼物を平均粒径が
０．８μｍ以下となるように微粉砕した後、前記副成分
たるＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 −Ｂｉ2 Ｏ3 系ガラスを配合する
ことにより、かかる低温焼成用誘電体磁器組成物を製造
する手法が、有利に採用されるものであり、このような
製造工程を採用することによって、かかる誘電体磁器組
成物の焼成温度の低下が著しく促進され、しかも比誘電
率の向上や無負荷Ｑの増大も有利に達成され得ることと
なる。
焼成用誘電体磁器組成物を製造するに際して、前記主成
分組成物を与える原料組成物を１０５０℃以上の温度で
仮焼せしめ、次いでその得られた仮焼物を平均粒径が
０．８μｍ以下となるように微粉砕した後、前記副成分
たるＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 −Ｂｉ2 Ｏ3 系ガラスを配合する
ことにより、かかる低温焼成用誘電体磁器組成物を製造
する手法が、有利に採用されるものであり、このような
製造工程を採用することによって、かかる誘電体磁器組
成物の焼成温度の低下が著しく促進され、しかも比誘電
率の向上や無負荷Ｑの増大も有利に達成され得ることと
なる。
【００１１】また、本発明は、誘電体磁器と、該誘電体
磁器と同時焼成することにより該誘電体磁器内に形成さ
れた導体パターンを有する誘電体共振器若しくは該共振
器よりなる誘電体フィルターにおいて、該誘電体磁器
を、上述の如き誘電体磁器組成物、即ち前記請求項１に
記載の誘電体磁器組成物を焼成して得られる誘電体磁器
にて構成する一方、前記導体パターンを、Ａｇ単体若し
くはＡｇを主成分とする合金材料にて形成したことを特
徴とする誘電体共振器若しくは該共振器よりなる誘電体
フィルターをも、その要旨とするものである。
磁器と同時焼成することにより該誘電体磁器内に形成さ
れた導体パターンを有する誘電体共振器若しくは該共振
器よりなる誘電体フィルターにおいて、該誘電体磁器
を、上述の如き誘電体磁器組成物、即ち前記請求項１に
記載の誘電体磁器組成物を焼成して得られる誘電体磁器
にて構成する一方、前記導体パターンを、Ａｇ単体若し
くはＡｇを主成分とする合金材料にて形成したことを特
徴とする誘電体共振器若しくは該共振器よりなる誘電体
フィルターをも、その要旨とするものである。
【００１２】さらに、本発明は、誘電体磁器と、該誘電
体磁器内に設けられた導体パターンとを有する誘電体共
振器若しくは該共振器よりなる誘電体フィルターを製造
するに際して、前記誘電体磁器を与える、前記請求項１
に記載の誘電体磁器組成物よりなる成形体若しくはその
仮焼物に、前記導体パターンを与える、Ａｇ単体若しく
はＡｇを主成分とする合金材料にて形成される導体層を
設け、それを同時焼成せしめることを特徴とする誘電体
共振器若しくは該共振器よりなる誘電体フィルターの製
造方法をも、その要旨とするものである。
体磁器内に設けられた導体パターンとを有する誘電体共
振器若しくは該共振器よりなる誘電体フィルターを製造
するに際して、前記誘電体磁器を与える、前記請求項１
に記載の誘電体磁器組成物よりなる成形体若しくはその
仮焼物に、前記導体パターンを与える、Ａｇ単体若しく
はＡｇを主成分とする合金材料にて形成される導体層を
設け、それを同時焼成せしめることを特徴とする誘電体
共振器若しくは該共振器よりなる誘電体フィルターの製
造方法をも、その要旨とするものである。
【００１３】
【具体的構成】ところで、かかる誘電体磁器組成物にお
いて、ｘ〔（１−ａ−ｂ）ＢａＯ・ａＳｒＯ・ｂＣａ
Ｏ〕は、主成分の一つたるＢａＯの一部がＳｒＯ及び／
又はＣａＯにて置換されることを示しており、それらＢ
ａＯ，ＳｒＯ，ＣａＯの合計の含有量が１０モル％より
も少なくなると（ｘ＜０．１０）、得られる誘電体磁器
の比誘電率が低くなってしまう問題があり、一方、２０
モル％を越えるようになると（ｘ＞０．２０）、共振周
波数の温度係数が大きくなり過ぎてしまうという問題を
惹起する。
いて、ｘ〔（１−ａ−ｂ）ＢａＯ・ａＳｒＯ・ｂＣａ
Ｏ〕は、主成分の一つたるＢａＯの一部がＳｒＯ及び／
又はＣａＯにて置換されることを示しており、それらＢ
ａＯ，ＳｒＯ，ＣａＯの合計の含有量が１０モル％より
も少なくなると（ｘ＜０．１０）、得られる誘電体磁器
の比誘電率が低くなってしまう問題があり、一方、２０
モル％を越えるようになると（ｘ＞０．２０）、共振周
波数の温度係数が大きくなり過ぎてしまうという問題を
惹起する。
【００１４】なお、このＢａＯの一部置換は、ＳｒＯ及
びＣａＯの少なくとも一方にて実施され、例えばＢａＯ
の一部をＳｒＯにて置換すると、その置換に伴い、高い
誘電率を維持したまま、無負荷Ｑを向上し、共振周波数
の温度係数を小さくすることが出来る。しかし、その置
換割合が０．４０より多くなると（ａ＞０．４０）、誘
電率や無負荷Ｑが共に劣化してしまう問題を生じる。ま
た、ＢａＯの一部をＣａＯにて置換した場合には、高い
誘電率及び無負荷Ｑを維持したまま、共振周波数の温度
係数を大きくすることが出来るが、その置換割合が０．
２０より多くなると（ｂ＞０．２０）、無負荷Ｑが急速
に劣化してしまう問題を惹起する。従って、これらＳｒ
Ｏ，ＣａＯの添加により、共振周波数の温度係数の制御
が有利に実現されるのである。
びＣａＯの少なくとも一方にて実施され、例えばＢａＯ
の一部をＳｒＯにて置換すると、その置換に伴い、高い
誘電率を維持したまま、無負荷Ｑを向上し、共振周波数
の温度係数を小さくすることが出来る。しかし、その置
換割合が０．４０より多くなると（ａ＞０．４０）、誘
電率や無負荷Ｑが共に劣化してしまう問題を生じる。ま
た、ＢａＯの一部をＣａＯにて置換した場合には、高い
誘電率及び無負荷Ｑを維持したまま、共振周波数の温度
係数を大きくすることが出来るが、その置換割合が０．
２０より多くなると（ｂ＞０．２０）、無負荷Ｑが急速
に劣化してしまう問題を惹起する。従って、これらＳｒ
Ｏ，ＣａＯの添加により、共振周波数の温度係数の制御
が有利に実現されるのである。
【００１５】また、ＴｉＯ2 については、その含有量が
６０モル％未満となると（ｙ＜０．６０）、焼結が困難
となって、緻密な焼結体が得られなくなるのである。一
方、７５モル％を越えるようになると（ｙ＞０．７
５）、共振周波数の温度係数が正の方向に大きくなり過
ぎてしまうという問題を惹起する。
６０モル％未満となると（ｙ＜０．６０）、焼結が困難
となって、緻密な焼結体が得られなくなるのである。一
方、７５モル％を越えるようになると（ｙ＞０．７
５）、共振周波数の温度係数が正の方向に大きくなり過
ぎてしまうという問題を惹起する。
【００１６】さらに、ＲＥ2 Ｏ3 とＢｉ2 Ｏ3 の合計量
に関して、換言すれば〔（１−ｃ）ＲＥ2 Ｏ3 ・ｃＢｉ
2 Ｏ3 〕の値については、その合計の含有量が１０モル
％よりも少なくなると（ｚ＜０．１０）、共振周波数の
温度係数が正に大きくなり過ぎてしまい、一方、２５モ
ル％を越えるようになると（ｚ＞０．２５）、焼結性が
悪く、比誘電率が小さくなってしまう問題を惹起する。
に関して、換言すれば〔（１−ｃ）ＲＥ2 Ｏ3 ・ｃＢｉ
2 Ｏ3 〕の値については、その合計の含有量が１０モル
％よりも少なくなると（ｚ＜０．１０）、共振周波数の
温度係数が正に大きくなり過ぎてしまい、一方、２５モ
ル％を越えるようになると（ｚ＞０．２５）、焼結性が
悪く、比誘電率が小さくなってしまう問題を惹起する。
【００１７】なお、本発明において、ＲＥ2 Ｏ3 におけ
るＲＥ（希土類金属）としては、Ｎｄ，Ｓｍ，Ｌａ，Ｃ
ｅ，Ｐｒ等であり、中でも、有利にはＮｄまたはＮｄと
共にＳｍ及び／又はＬａが組み合わせて用いられる。Ｎ
ｄと共にＳｍ及び／又はＬａを組み合わせて用いる場合
にあっては、高い誘電率、無負荷Ｑを保ったまま、温度
係数を制御することが出来る。しかしながら、そのよう
なＳｍ及び／またはＬａを組み合わせる場合にあって
は、ＲＥ全体に占めるＳｍ又はＬａの割合を２０モル％
以下にすることが望ましく、それを越えると、共振周波
数の温度係数が負または正に大きく変化する問題を生じ
る。なお、ＲＥとして、ＣｅやＰｒを用いる場合にあっ
ては、三価の原子に換算して、導入されることとなる。
るＲＥ（希土類金属）としては、Ｎｄ，Ｓｍ，Ｌａ，Ｃ
ｅ，Ｐｒ等であり、中でも、有利にはＮｄまたはＮｄと
共にＳｍ及び／又はＬａが組み合わせて用いられる。Ｎ
ｄと共にＳｍ及び／又はＬａを組み合わせて用いる場合
にあっては、高い誘電率、無負荷Ｑを保ったまま、温度
係数を制御することが出来る。しかしながら、そのよう
なＳｍ及び／またはＬａを組み合わせる場合にあって
は、ＲＥ全体に占めるＳｍ又はＬａの割合を２０モル％
以下にすることが望ましく、それを越えると、共振周波
数の温度係数が負または正に大きく変化する問題を生じ
る。なお、ＲＥとして、ＣｅやＰｒを用いる場合にあっ
ては、三価の原子に換算して、導入されることとなる。
【００１８】また、Ｂｉ2 Ｏ3 にてＲＥ2 Ｏ3 を置換す
ると、比誘電率が増加せしめられ、共振周波数の温度係
数を小さくすることが出来る。特に、このＢｉ2 Ｏ3 に
よる充分な置換効果を得るには、５モル％以上（ｃ≧
０．０５）の置換が望ましい。しかしながら、Ｂｉ2 Ｏ
3 の置換量が１５〜２０モル％以上に至ると、温度係数
が増加し始めるのであり、またＢｉ2 Ｏ3 の置換量が増
えるにつれ、無負荷Ｑが減少していくことから、Ｂｉ2
Ｏ3 の置換量は、実用的には３０モル％以下（ｃ≦０．
３０）が適切である。
ると、比誘電率が増加せしめられ、共振周波数の温度係
数を小さくすることが出来る。特に、このＢｉ2 Ｏ3 に
よる充分な置換効果を得るには、５モル％以上（ｃ≧
０．０５）の置換が望ましい。しかしながら、Ｂｉ2 Ｏ
3 の置換量が１５〜２０モル％以上に至ると、温度係数
が増加し始めるのであり、またＢｉ2 Ｏ3 の置換量が増
えるにつれ、無負荷Ｑが減少していくことから、Ｂｉ2
Ｏ3 の置換量は、実用的には３０モル％以下（ｃ≦０．
３０）が適切である。
【００１９】本発明は、上記の如き割合において、酸化
バリウム、酸化ストロンチウム、酸化カルシウム、酸化
チタン、酸化レアアース及び酸化ビスマスにて構成され
る磁器組成物を主成分とするものであって、このような
主成分組成物に対して、後述の如く、所定の副成分を配
合含有せしめるようにしたものであるが、また、そのよ
うな主成分磁器組成物に対して、無負荷Ｑの向上や共振
周波数の温度係数を補正する等の目的で、酸化アルミニ
ウム、酸化鉄、酸化マンガン、酸化クロム、酸化亜鉛、
酸化錫、酸化ジルコニウム等の金属酸化物を添加したり
することも、何等差支えない。
バリウム、酸化ストロンチウム、酸化カルシウム、酸化
チタン、酸化レアアース及び酸化ビスマスにて構成され
る磁器組成物を主成分とするものであって、このような
主成分組成物に対して、後述の如く、所定の副成分を配
合含有せしめるようにしたものであるが、また、そのよ
うな主成分磁器組成物に対して、無負荷Ｑの向上や共振
周波数の温度係数を補正する等の目的で、酸化アルミニ
ウム、酸化鉄、酸化マンガン、酸化クロム、酸化亜鉛、
酸化錫、酸化ジルコニウム等の金属酸化物を添加したり
することも、何等差支えない。
【００２０】また、かかる本発明に従う主成分磁器組成
物に対して、副成分として含有せしめられるＺｎＯ−Ｂ
2 Ｏ3 −Ｂｉ2 Ｏ3 系ガラスは、１〜４５重量％の酸化
亜鉛（ＺｎＯ）と、５〜５０重量％の酸化ホウ素（Ｂ2
Ｏ3 ）と、１５〜９４重量％の酸化ビスマス（Ｂｉ2 Ｏ
3 ）とから構成される必要がある。即ち、酸化亜鉛、酸
化ホウ素及び酸化ビスマスのそれぞれの含有量をｋ重量
％、ｍ重量％及びｎ重量％とすると、次のような式：１
≦ｋ≦４５，５≦ｍ≦５０，１５≦ｎ≦９４，ｋ＋ｍ＋
ｎ＝１００を満足させる必要があるのである。
物に対して、副成分として含有せしめられるＺｎＯ−Ｂ
2 Ｏ3 −Ｂｉ2 Ｏ3 系ガラスは、１〜４５重量％の酸化
亜鉛（ＺｎＯ）と、５〜５０重量％の酸化ホウ素（Ｂ2
Ｏ3 ）と、１５〜９４重量％の酸化ビスマス（Ｂｉ2 Ｏ
3 ）とから構成される必要がある。即ち、酸化亜鉛、酸
化ホウ素及び酸化ビスマスのそれぞれの含有量をｋ重量
％、ｍ重量％及びｎ重量％とすると、次のような式：１
≦ｋ≦４５，５≦ｍ≦５０，１５≦ｎ≦９４，ｋ＋ｍ＋
ｎ＝１００を満足させる必要があるのである。
【００２１】けだし、ＺｎＯの含有量（ｋ）が１重量％
未満の場合にあっては、ガラス化が困難となるのであ
り、一方４５重量％を越えるようになると、ガラス化が
困難となる他、目的とする誘電体磁器組成物の焼成温度
が高くなる問題を惹起するからである。また、Ｂ2 Ｏ3
の含有量（ｍ）が５重量％未満の場合には、ガラス化が
困難となると共に、誘電体磁器組成物の焼成温度が高く
なる問題があり、一方５０重量％を越えるようになる
と、無負荷Ｑが小さくなる問題を惹起するからである。
更に、Ｂｉ2 Ｏ3 の含有量（ｎ）が９４重量％を越える
ようになると、ガラス化が困難となることに加えて、目
的とする誘電体磁器組成物の焼成温度が高くなる問題を
惹起するからである。
未満の場合にあっては、ガラス化が困難となるのであ
り、一方４５重量％を越えるようになると、ガラス化が
困難となる他、目的とする誘電体磁器組成物の焼成温度
が高くなる問題を惹起するからである。また、Ｂ2 Ｏ3
の含有量（ｍ）が５重量％未満の場合には、ガラス化が
困難となると共に、誘電体磁器組成物の焼成温度が高く
なる問題があり、一方５０重量％を越えるようになる
と、無負荷Ｑが小さくなる問題を惹起するからである。
更に、Ｂｉ2 Ｏ3 の含有量（ｎ）が９４重量％を越える
ようになると、ガラス化が困難となることに加えて、目
的とする誘電体磁器組成物の焼成温度が高くなる問題を
惹起するからである。
【００２２】なお、かかるＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 −Ｂｉ2 Ｏ
3 系ガラスの好ましい組成範囲としては、ＺｎＯの含有
量（ｋ）が２〜４０重量％、Ｂ2 Ｏ3 の含有量（ｍ）が
１０〜４５重量％、Ｂｉ2 Ｏ3 の含有量（ｎ）が１５〜
７５重量％である。また、かかる副成分としてのガラス
には、各種金属酸化物の如き不純物の含有が許容され得
るが、そのような不純物の含有量は、一般に、ガラスに
対して１０重量％までの割合とされるべきである。更
に、この本発明にて用いられるＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3−Ｂｉ
2 Ｏ3 系ガラスとしては、全体が均一にガラス化したも
のばかりでなく、実質的にガラス状態となっておれば、
相分離したものであっても、また原料が部分的に残って
いたり或いは部分的に結晶化していたりするものであっ
ても、同様に使用可能である。
3 系ガラスの好ましい組成範囲としては、ＺｎＯの含有
量（ｋ）が２〜４０重量％、Ｂ2 Ｏ3 の含有量（ｍ）が
１０〜４５重量％、Ｂｉ2 Ｏ3 の含有量（ｎ）が１５〜
７５重量％である。また、かかる副成分としてのガラス
には、各種金属酸化物の如き不純物の含有が許容され得
るが、そのような不純物の含有量は、一般に、ガラスに
対して１０重量％までの割合とされるべきである。更
に、この本発明にて用いられるＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3−Ｂｉ
2 Ｏ3 系ガラスとしては、全体が均一にガラス化したも
のばかりでなく、実質的にガラス状態となっておれば、
相分離したものであっても、また原料が部分的に残って
いたり或いは部分的に結晶化していたりするものであっ
ても、同様に使用可能である。
【００２３】そして、このような組成のＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ
3 −Ｂｉ2 Ｏ3 系ガラスは、副成分として、前記した主
成分磁器組成物の１００重量部当たり、０．１重量部以
上、（１８−６２．５ｃ）重量部以下（但し、ｃ≦０．
２０のとき）または５．５重量部以下（但し、０．２０
＜ｃ≦０．３０のとき）の割合において含有せしめら
れ、以て目的とする誘電体磁器組成物の焼成温度が９６
２℃以下、好ましくは９００℃前後まで低下せしめられ
得るのである。これに対して、かかる副成分としてのガ
ラスの含有量が、０．１重量部に満たない場合にあって
は、そのような副成分の添加による焼成温度の低下の充
分な効果が得られず、またｃ≦０．２０のときに（１８
−６２．５ｃ）重量部を越えて、或いは０．２０＜ｃ≦
０．３０のときに５．５重量部を越えて添加した場合に
あっては、得られる誘電体磁器の無負荷Ｑが小さくなり
過ぎ、実用的でなくなってしまう問題がある。なお、か
かるＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 −Ｂｉ2 Ｏ3 系ガラスの好ましい
含有量としては、１〜５重量部程度である。
3 −Ｂｉ2 Ｏ3 系ガラスは、副成分として、前記した主
成分磁器組成物の１００重量部当たり、０．１重量部以
上、（１８−６２．５ｃ）重量部以下（但し、ｃ≦０．
２０のとき）または５．５重量部以下（但し、０．２０
＜ｃ≦０．３０のとき）の割合において含有せしめら
れ、以て目的とする誘電体磁器組成物の焼成温度が９６
２℃以下、好ましくは９００℃前後まで低下せしめられ
得るのである。これに対して、かかる副成分としてのガ
ラスの含有量が、０．１重量部に満たない場合にあって
は、そのような副成分の添加による焼成温度の低下の充
分な効果が得られず、またｃ≦０．２０のときに（１８
−６２．５ｃ）重量部を越えて、或いは０．２０＜ｃ≦
０．３０のときに５．５重量部を越えて添加した場合に
あっては、得られる誘電体磁器の無負荷Ｑが小さくなり
過ぎ、実用的でなくなってしまう問題がある。なお、か
かるＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 −Ｂｉ2 Ｏ3 系ガラスの好ましい
含有量としては、１〜５重量部程度である。
【００２４】ところで、本発明に従う誘電体磁器組成物
は、前記した主成分磁器組成物に対して、上記の如きＺ
ｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 −Ｂｉ2 Ｏ3 系ガラスを副成分として配
合せしめて製造されるものであるが、かかる副成分たる
ＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 −Ｂｉ2 Ｏ3 系ガラスの配合に先立っ
て、前記した主成分磁器組成物は、その組成を与える原
料組成物を仮焼せしめ、そして粉砕することによって準
備されることとなる。そして、その仮焼に際して、９０
０℃以上の仮焼温度を採用すると、仮焼温度の高温化に
伴なう誘電体磁器組成物の焼成温度の低下、比誘電率及
び無負荷Ｑの増加が認められるのである。特に、１０５
０℃以上の仮焼温度で、その効果が顕著であるところか
ら、本発明にあっては、好適には、１０５０℃以上の温
度で仮焼が行なわれる。しかしながら、仮焼温度が１３
５０℃を越えるようになると、仮焼後に仮焼物の硬化が
著しく、取り扱い上において問題を生じるので、好まし
くは１１００℃〜１３００℃の仮焼温度が有利に採用さ
れることとなる。
は、前記した主成分磁器組成物に対して、上記の如きＺ
ｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 −Ｂｉ2 Ｏ3 系ガラスを副成分として配
合せしめて製造されるものであるが、かかる副成分たる
ＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 −Ｂｉ2 Ｏ3 系ガラスの配合に先立っ
て、前記した主成分磁器組成物は、その組成を与える原
料組成物を仮焼せしめ、そして粉砕することによって準
備されることとなる。そして、その仮焼に際して、９０
０℃以上の仮焼温度を採用すると、仮焼温度の高温化に
伴なう誘電体磁器組成物の焼成温度の低下、比誘電率及
び無負荷Ｑの増加が認められるのである。特に、１０５
０℃以上の仮焼温度で、その効果が顕著であるところか
ら、本発明にあっては、好適には、１０５０℃以上の温
度で仮焼が行なわれる。しかしながら、仮焼温度が１３
５０℃を越えるようになると、仮焼後に仮焼物の硬化が
著しく、取り扱い上において問題を生じるので、好まし
くは１１００℃〜１３００℃の仮焼温度が有利に採用さ
れることとなる。
【００２５】また、このようにして仮焼して得られた仮
焼物を粉砕するに際しては、その粉砕物の平均粒子径が
細かくなるほど、誘電体磁器組成物の焼成温度の低下が
促進され、比誘電率及び無負荷Ｑを増加することが可能
となる。従って、本発明にあっては、有利には、０．８
μｍ以下の平均粒子径となるように仮焼物が粉砕される
こととなる。しかしながら、仮焼粉砕物の平均粒子径が
０．１μｍよりも小さくなると、得られる誘電体磁器組
成物の成形性が低下し、例えば、通常のドクターブレー
ド法等によるテープ成形が困難となるところから、仮焼
粉砕物の平均粒子径は０．１〜０．８μｍ程度に制御す
ることが望ましい。なお、このような微細な粉砕物の粒
子径は、一般に、レーザー回折散乱法を用いて測定され
ることとなる。
焼物を粉砕するに際しては、その粉砕物の平均粒子径が
細かくなるほど、誘電体磁器組成物の焼成温度の低下が
促進され、比誘電率及び無負荷Ｑを増加することが可能
となる。従って、本発明にあっては、有利には、０．８
μｍ以下の平均粒子径となるように仮焼物が粉砕される
こととなる。しかしながら、仮焼粉砕物の平均粒子径が
０．１μｍよりも小さくなると、得られる誘電体磁器組
成物の成形性が低下し、例えば、通常のドクターブレー
ド法等によるテープ成形が困難となるところから、仮焼
粉砕物の平均粒子径は０．１〜０．８μｍ程度に制御す
ることが望ましい。なお、このような微細な粉砕物の粒
子径は、一般に、レーザー回折散乱法を用いて測定され
ることとなる。
【００２６】
【実施例】以下に、本発明の幾つかの実施例を示し、本
発明を更に具体的に明らかにすることとするが、本発明
が、そのような実施例の記載によって何等の制約をも受
けるものでないことは言うまでもないところである。ま
た、本発明には、以下に示される実施例の他にも、本発
明の趣旨を逸脱しない限りにおいて、当業者の知識に基
づいて種々なる変更、修正、改良等を加え得るものであ
ることが理解されるべきである。
発明を更に具体的に明らかにすることとするが、本発明
が、そのような実施例の記載によって何等の制約をも受
けるものでないことは言うまでもないところである。ま
た、本発明には、以下に示される実施例の他にも、本発
明の趣旨を逸脱しない限りにおいて、当業者の知識に基
づいて種々なる変更、修正、改良等を加え得るものであ
ることが理解されるべきである。
【００２７】実施例 １ 高純度の炭酸バリウム、炭酸ストロンチウム、炭酸カル
シウム、酸化チタン、酸化ネオジム、酸化サマリウム、
酸化ランタン及び酸化ビスマスを用い、それら成分を、
下記表１において示される各種のｘ，ｙ，ｚ，ＲＥ，
ａ，ｂ，ｃ値を与えるようにそれぞれ秤量して、ポリエ
チレン製ポットの中に、ジルコニア玉石と共に投入し
て、純水を加え、湿式混合せしめた。そして、その得ら
れた混合物を、ポットから取り出して乾燥した後、アル
ミナ製坩堝に入れ、１２５０℃の温度で、４時間、空気
雰囲気下に仮焼を行なった。次いで、その仮焼物を解砕
し、再び、ポリエチレン製ポットの中にジルコニア玉石
と共に投入して、レーザー回折散乱法を利用して測定さ
れる平均粒子径が０．８μｍ以下になるまで、粉砕を行
ない、各種の仮焼粉砕物を得た。
シウム、酸化チタン、酸化ネオジム、酸化サマリウム、
酸化ランタン及び酸化ビスマスを用い、それら成分を、
下記表１において示される各種のｘ，ｙ，ｚ，ＲＥ，
ａ，ｂ，ｃ値を与えるようにそれぞれ秤量して、ポリエ
チレン製ポットの中に、ジルコニア玉石と共に投入し
て、純水を加え、湿式混合せしめた。そして、その得ら
れた混合物を、ポットから取り出して乾燥した後、アル
ミナ製坩堝に入れ、１２５０℃の温度で、４時間、空気
雰囲気下に仮焼を行なった。次いで、その仮焼物を解砕
し、再び、ポリエチレン製ポットの中にジルコニア玉石
と共に投入して、レーザー回折散乱法を利用して測定さ
れる平均粒子径が０．８μｍ以下になるまで、粉砕を行
ない、各種の仮焼粉砕物を得た。
【００２８】一方、高純度の酸化亜鉛、酸化ホウ素、酸
化ビスマスを用い、それらを下記表２において示される
各種組成のガラスを与えるように秤量し、そしてそれぞ
れの組成のものをポリエチレン製ポットの中にアルミナ
玉石と共に投入して、乾式混合せしめた。その後、その
得られた混合物を、シャモット坩堝の中で融解させ、水
中に急冷して、ガラス化した。得られたガラスを、アル
ミナ製ポットの中にアルミナ玉石と共に投入し、エタノ
ール中で平均粒子径が４μｍ程度になるまで粉砕した。
化ビスマスを用い、それらを下記表２において示される
各種組成のガラスを与えるように秤量し、そしてそれぞ
れの組成のものをポリエチレン製ポットの中にアルミナ
玉石と共に投入して、乾式混合せしめた。その後、その
得られた混合物を、シャモット坩堝の中で融解させ、水
中に急冷して、ガラス化した。得られたガラスを、アル
ミナ製ポットの中にアルミナ玉石と共に投入し、エタノ
ール中で平均粒子径が４μｍ程度になるまで粉砕した。
【００２９】次いで、かくして得られた各種の仮焼粉砕
物１００重量部と、各種組成のガラスの所定量（表１に
示される量）とを、アルミナ玉石と共にポリエチレン製
ポットの中に投入し、純水を加えて、湿式混合せしめ
た。その際、バインダーとして、ＰＶＡを１重量％加え
た。得られた混合物を乾燥した後、目開き：３５５μｍ
の篩を通して、造粒した。
物１００重量部と、各種組成のガラスの所定量（表１に
示される量）とを、アルミナ玉石と共にポリエチレン製
ポットの中に投入し、純水を加えて、湿式混合せしめ
た。その際、バインダーとして、ＰＶＡを１重量％加え
た。得られた混合物を乾燥した後、目開き：３５５μｍ
の篩を通して、造粒した。
【００３０】
【表１】
【００３１】
【表２】
【００３２】かくして得られた各種の造粒粉体を、プレ
ス成形機を用いて、面圧：１ｔｏｎ／ｃｍ2 にて成形し
て、それぞれ２０ｍｍφ×１５ｍｍt の大きさの円板状
の試験片を得た。そして、この得られた試験片を、空気
中において、９００℃の温度で２時間、焼成することに
より、各種の誘電体磁器サンプルを作製した。更に、こ
の焼成して得られたサンプルを１６ｍｍφ×８ｍｍt の
大きさの円板状に研磨し、それぞれ、その誘電体特性を
測定した。なお、比誘電率（εｒ）と無負荷Ｑは、平行
導体板型誘電体共振器法によって測定し、また共振周波
数の温度係数（τｆ）は、−２５℃〜＋７５℃の範囲で
測定した。測定周波数は、２〜４ＧＨｚであった。得ら
れた結果を、表３に示した。
ス成形機を用いて、面圧：１ｔｏｎ／ｃｍ2 にて成形し
て、それぞれ２０ｍｍφ×１５ｍｍt の大きさの円板状
の試験片を得た。そして、この得られた試験片を、空気
中において、９００℃の温度で２時間、焼成することに
より、各種の誘電体磁器サンプルを作製した。更に、こ
の焼成して得られたサンプルを１６ｍｍφ×８ｍｍt の
大きさの円板状に研磨し、それぞれ、その誘電体特性を
測定した。なお、比誘電率（εｒ）と無負荷Ｑは、平行
導体板型誘電体共振器法によって測定し、また共振周波
数の温度係数（τｆ）は、−２５℃〜＋７５℃の範囲で
測定した。測定周波数は、２〜４ＧＨｚであった。得ら
れた結果を、表３に示した。
【００３３】
【表３】
【００３４】実施例 ２ 実施例１においてＮｏ．５として得られた仮焼粉砕物を
用い、それと、実施例１におけるガラス種類：ＤのＺｎ
Ｏ−Ｂ2 Ｏ3 −Ｂｉ2 Ｏ3 系ガラス粉末（外配２．３重
量部）、ポリビニルブチラール（外配８重量部）、可塑
剤及び解膠剤を、ジルコニア玉石と共に、アルミナ製ポ
ットの中に投入し、更にトルエンとイソプロピルアルコ
ールの混合溶液を加えて、湿式混合せしめた。
用い、それと、実施例１におけるガラス種類：ＤのＺｎ
Ｏ−Ｂ2 Ｏ3 −Ｂｉ2 Ｏ3 系ガラス粉末（外配２．３重
量部）、ポリビニルブチラール（外配８重量部）、可塑
剤及び解膠剤を、ジルコニア玉石と共に、アルミナ製ポ
ットの中に投入し、更にトルエンとイソプロピルアルコ
ールの混合溶液を加えて、湿式混合せしめた。
【００３５】次いで、かかる混合物を、脱泡した後、ド
クターブレード法により厚さ：２５０μｍのグリーンテ
ープに成形した。そして、この得られたグリーンテープ
に、印刷用Ａｇペーストを用いて、９００ＭＨｚ帯２段
バンドパスフィルタの導体パターンを印刷した。次い
で、この導体パターンを印刷したグリーンテープを挟み
込むように、２０枚のグリーンテープを、温度：１００
℃、圧力：１００ kgf／ｃｍ2 の条件で積層した。そし
て、その積層物を切断した後、空気中において９００℃
の温度で２時間焼成することにより、図１に示される如
き構造のストリップライン型フィルタを作製した。な
お、この図１に示されるストリップライン型フィルタに
おいて、誘電体基板１６は３層構造を有し、導体との同
時焼成によって一体化せしめられるものである。そし
て、この誘電体基板１６の一つの層に複数の共振用電極
１２，１２が内蔵され、また、それとは異なる層に一対
の結合用電極２０，２０が内蔵されている。一方、該誘
電体基板１６の表面には、略全面にアース電極１４が設
けられると共に、対向する一対の側面において、該アー
ス電極１４と非接続な状態で、一対の入出力端子１８，
１８が設けられている。そして、前記結合用電極２０，
２０が延長されて、その延長部分２０ａの端部が誘電体
基板１６の外表面にまで引き出されていることにより、
外表面の入出力端子１８と内部の結合用電極２０とが接
続せしめられているのである。
クターブレード法により厚さ：２５０μｍのグリーンテ
ープに成形した。そして、この得られたグリーンテープ
に、印刷用Ａｇペーストを用いて、９００ＭＨｚ帯２段
バンドパスフィルタの導体パターンを印刷した。次い
で、この導体パターンを印刷したグリーンテープを挟み
込むように、２０枚のグリーンテープを、温度：１００
℃、圧力：１００ kgf／ｃｍ2 の条件で積層した。そし
て、その積層物を切断した後、空気中において９００℃
の温度で２時間焼成することにより、図１に示される如
き構造のストリップライン型フィルタを作製した。な
お、この図１に示されるストリップライン型フィルタに
おいて、誘電体基板１６は３層構造を有し、導体との同
時焼成によって一体化せしめられるものである。そし
て、この誘電体基板１６の一つの層に複数の共振用電極
１２，１２が内蔵され、また、それとは異なる層に一対
の結合用電極２０，２０が内蔵されている。一方、該誘
電体基板１６の表面には、略全面にアース電極１４が設
けられると共に、対向する一対の側面において、該アー
ス電極１４と非接続な状態で、一対の入出力端子１８，
１８が設けられている。そして、前記結合用電極２０，
２０が延長されて、その延長部分２０ａの端部が誘電体
基板１６の外表面にまで引き出されていることにより、
外表面の入出力端子１８と内部の結合用電極２０とが接
続せしめられているのである。
【００３６】かくして得られたストリップライン型フィ
ルタについて、ネットワークアナライザーを用い、その
フィルタ特性を測定した結果、中心周波数：９１５ＭＨ
ｚ、挿入損失：１．６ｄＢであった。
ルタについて、ネットワークアナライザーを用い、その
フィルタ特性を測定した結果、中心周波数：９１５ＭＨ
ｚ、挿入損失：１．６ｄＢであった。
【００３７】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
に従う誘電体磁器組成物は、酸化バリウム（ＢａＯ）、
酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）、酸化カルシウム（Ｃａ
Ｏ）、酸化チタン（ＴｉＯ2 ）、酸化レアアース（ＲＥ
2 Ｏ3 ）、及び酸化ビスマス（Ｂｉ2 Ｏ3 ）を主成分と
し、それら各成分が、それぞれ、特定量において含有せ
しめられていると共に、副成分として、特定組成のＺｎ
Ｏ−Ｂ2 Ｏ3 −Ｂｉ2 Ｏ3 系ガラスの所定量が含有せし
められていることにより、９６２℃（Ａｇの融点）以下
の焼成温度で、好ましくは９００℃前後の焼成温度で焼
結することが可能であり、これによって、導通抵抗の低
いＡｇ単体やＡｇを主成分とする合金材料を、内層導体
として有するストリップライン型フィルタ等の誘電体フ
ィルタを有利に製造し得ることとなったのであり、しか
も得られる誘電体磁器は、高い比誘電率を有し、また無
負荷Ｑが大きく、更に共振周波数の温度係数が小さい特
徴を備えているのである。
に従う誘電体磁器組成物は、酸化バリウム（ＢａＯ）、
酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）、酸化カルシウム（Ｃａ
Ｏ）、酸化チタン（ＴｉＯ2 ）、酸化レアアース（ＲＥ
2 Ｏ3 ）、及び酸化ビスマス（Ｂｉ2 Ｏ3 ）を主成分と
し、それら各成分が、それぞれ、特定量において含有せ
しめられていると共に、副成分として、特定組成のＺｎ
Ｏ−Ｂ2 Ｏ3 −Ｂｉ2 Ｏ3 系ガラスの所定量が含有せし
められていることにより、９６２℃（Ａｇの融点）以下
の焼成温度で、好ましくは９００℃前後の焼成温度で焼
結することが可能であり、これによって、導通抵抗の低
いＡｇ単体やＡｇを主成分とする合金材料を、内層導体
として有するストリップライン型フィルタ等の誘電体フ
ィルタを有利に製造し得ることとなったのであり、しか
も得られる誘電体磁器は、高い比誘電率を有し、また無
負荷Ｑが大きく、更に共振周波数の温度係数が小さい特
徴を備えているのである。
【図１】実施例２にて製造される誘電体フィルターの積
層構造の形態を示す説明図である。
層構造の形態を示す説明図である。
１２ 共振用電極 １４ アース電極 １６ 誘電体基板 １８ 入出力端子 ２０ 前記結合用電極
Claims (3)
- 【請求項１】 一般式：ｘ〔（１−ａ−ｂ）ＢａＯ・ａ
ＳｒＯ・ｂＣａＯ〕・ｙＴｉＯ2 ・ｚ〔（１−ｃ）ＲＥ
2 Ｏ3 ・ｃＢｉ2 Ｏ3 〕（但し、ＲＥは希土類金属を示
す）で表わされ、且つ該一般式中のｘ，ｙ，ｚ並びに
ａ，ｂ，ｃが、それぞれ、次式：０．１０≦ｘ≦０．２
０，０．６０≦ｙ≦０．７５，０．１０≦ｚ≦０．２
５，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，０≦ａ≦０．４０，０≦ｂ≦０．
２０，及び０≦ｃ≦０．３０を満足するように構成され
た、酸化バリウム、酸化ストロンチウム、酸化カルシウ
ム、酸化チタン、酸化レアアース、及び酸化ビスマスか
らなる組成物を主成分とし、該主成分組成物の１００重
量部に対して、一般式：ｋ（６量％）ＺｎＯ・ｍ（重量
％）Ｂ2 Ｏ3 ・ｎ（重量％）Ｂｉ2 Ｏ3 （但し、１≦ｋ
≦４５，５≦ｍ≦５０，１５≦ｎ≦９４，ｋ＋ｍ＋ｎ＝
１００）にて表わされる組成のＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 −Ｂｉ
2 Ｏ3 系ガラスを、副成分として、０．１重量部以上、
（１８−６２．５ｃ）重量部以下（但し、ｃ≦０．２０
のとき）または５．５重量部以下（但し、０．２＜ｃ≦
０．３のとき）の割合において含有せしめてなることを
特徴とする低温焼成用誘電体磁器組成物。 - 【請求項２】 誘電体磁器と、該誘電体磁器と同時焼成
することにより該誘電体磁器内に形成された導体パター
ンを有する誘電体共振器若しくは該共振器よりなる誘電
体フィルターにおいて、該誘電体磁器を、前記請求項１
に記載の誘電体磁器組成物を焼成して得られる誘電体磁
器にて構成する一方、前記導体パターンを、Ａｇ単体若
しくはＡｇを主成分とする合金材料にて形成したことを
特徴とする誘電体共振器若しくは該共振器よりなる誘電
体フィルター。 - 【請求項３】 誘電体磁器と、該誘電体磁器内に設けら
れた導体パターンとを有する誘電体共振器若しくは該共
振器よりなる誘電体フィルターを製造するに際して、前
記誘電体磁器を与える、前記請求項１に記載の誘電体磁
器組成物よりなる成形体若しくはその仮焼物に、前記導
体パターンを与える、Ａｇ単体若しくはＡｇを主成分と
する合金材料にて形成される導体層を設け、それを同時
焼成せしめることを特徴とする誘電体共振器若しくは該
共振器よりなる誘電体フィルターの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4286811A JP2781503B2 (ja) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | 低温焼成用誘電体磁器組成物及びそれを用いて得られた誘電体共振器若しくは誘電体フィルター並びにそれらの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4286811A JP2781503B2 (ja) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | 低温焼成用誘電体磁器組成物及びそれを用いて得られた誘電体共振器若しくは誘電体フィルター並びにそれらの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06116022A true JPH06116022A (ja) | 1994-04-26 |
| JP2781503B2 JP2781503B2 (ja) | 1998-07-30 |
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ID=17709355
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP4286811A Expired - Lifetime JP2781503B2 (ja) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | 低温焼成用誘電体磁器組成物及びそれを用いて得られた誘電体共振器若しくは誘電体フィルター並びにそれらの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2781503B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6184165B1 (en) | 1998-07-15 | 2001-02-06 | Tdk Corporation | Dielectric porcelain composition |
| KR100408022B1 (ko) * | 2001-02-02 | 2003-12-01 | 엘지전자 주식회사 | 유전체 칼라필터 및 그 조성물 |
| EP1575060A1 (en) * | 2004-03-08 | 2005-09-14 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition and multilayer ceramic part using the same |
| JP2007238376A (ja) * | 2006-03-08 | 2007-09-20 | Taiheiyo Cement Corp | 圧電セラミックス用焼結助剤、ｂｎｔ−ｂｔ系圧電セラミックス、積層型圧電デバイスおよびｂｎｔ−ｂｔ系圧電セラミックスの製造方法 |
| JP2012148919A (ja) * | 2011-01-19 | 2012-08-09 | Taiyo Yuden Co Ltd | セラミックス組成物及び電子部品 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6340649B1 (en) | 1999-03-16 | 2002-01-22 | Tdk Corporation | Composition of dielectric ceramics and producing method thereof |
-
1992
- 1992-09-30 JP JP4286811A patent/JP2781503B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| US6184165B1 (en) | 1998-07-15 | 2001-02-06 | Tdk Corporation | Dielectric porcelain composition |
| KR100408022B1 (ko) * | 2001-02-02 | 2003-12-01 | 엘지전자 주식회사 | 유전체 칼라필터 및 그 조성물 |
| EP1575060A1 (en) * | 2004-03-08 | 2005-09-14 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition and multilayer ceramic part using the same |
| US7153800B2 (en) | 2004-03-08 | 2006-12-26 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition and multilayer ceramic part using the same |
| JP2007238376A (ja) * | 2006-03-08 | 2007-09-20 | Taiheiyo Cement Corp | 圧電セラミックス用焼結助剤、ｂｎｔ−ｂｔ系圧電セラミックス、積層型圧電デバイスおよびｂｎｔ−ｂｔ系圧電セラミックスの製造方法 |
| JP4727458B2 (ja) * | 2006-03-08 | 2011-07-20 | 太平洋セメント株式会社 | 圧電セラミックス用焼結助剤、ｂｎｔ−ｂｔ系圧電セラミックス、積層型圧電デバイスおよびｂｎｔ−ｂｔ系圧電セラミックスの製造方法 |
| JP2012148919A (ja) * | 2011-01-19 | 2012-08-09 | Taiyo Yuden Co Ltd | セラミックス組成物及び電子部品 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2781503B2 (ja) | 1998-07-30 |
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