JPH06212180A - 潤滑膜及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 潤滑膜を必要とする基体の少なくとも一方の
表面に、長鎖状分子をシロキサン結合などで化学結合さ
せた化学吸着膜２を形成し、さらにその上に化学吸着膜
の累積膜３，４を設けることにより、滑走耐久性、走行
性、耐摩耗性に優れ、それを長期間維持することができ
る潤滑膜を得る。 【構成】 基体１の表面の活性水素基を利用し、例えば
ジメチルシリル基を有するシラン系化学吸着剤と反応さ
せる。脱塩化水素反応により、前記化学吸着剤が共有結
合（ＳｉＯ−）を介して化学吸着膜２が形成される。次
に酸化処理、アルカリ処理、エネルギー線照射処理など
をしてジメチルシリル基を水酸基、イミノ基などの活性
水素基に変え、再度前記化学吸着剤を接触させ累積膜
３，４とする。その上に長鎖炭化水素化合物を物理吸着
させても良い。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、潤滑性を必要とする基
体表面の潤滑表面形成に関するものであり、特に、自己
潤滑性を有する潤滑膜に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、潤滑性を付与した部材の利用が盛
んである。機構部品内の摺動部材（シャフト、ベアリン
グ、クランクなど）、記録部材（磁気テープ、磁気ディ
スク、光磁気ディスクなど）がその一例である。ここで
は、潤滑性を付与する従来技術として磁気記録媒体の例
を用いて説明する。ポリエステルフィルム等にフェライ
ト粉末等の磁気材料を溶剤と共に塗布する磁気テープ等
の塗布型磁気記録媒体に代わって、メッキ法、スパッタ
リング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等の方
法によって、強磁性金属薄膜を非磁性支持体上に設けた
磁気記録媒体が、高密度磁気記録媒体として研究されて
いる。

【０００３】しかしながら、前記した方法で作られた強
磁性金属薄膜を用いた磁気記録媒体は、その耐摩耗性及
びその走行性に問題がある。すなわち、磁気記録媒体は
磁気信号の記録、再生の過程において、磁気ヘッドとの
高速相対運動の下におかれる。このとき、磁気記録媒体
の走行が円滑でかつ安定な状態で行われなければならな
い。しかしながら、前記方法で作られる強磁性金属薄膜
は、磁気記録、再生の過程の過酷な条件に耐えることが
できず、磁気ヘッド等の摩擦によって走行が不安定にな
ったり、長時間走行させた場合には摩耗したり、破損し
たり、摩耗粉の発生によって著しく出力が低下すること
があった。そのため、潤滑剤を磁気記録媒体表面に形成
する必要があった。また、高記録密度化を図るため、表
面はいっそう平滑であることが望まれている。ビデオテ
ープの磁性層の表面荒さは、現在中心線平均荒さで約
０．０２ミクロンメーターであるが、さらに高密度記録
行うためには、一桁下げる努力が行われている。表面性
が良くなるほどヘッドとの実効的な接触面積が増加し摩
擦係数が上昇する。そのため、より良い潤滑剤が求めら
れている。

【０００４】潤滑剤は、テープの摩擦係数を下げ、走行
性を良くする目的で使用され、潤滑剤とバインダーとの
相溶性、塗膜中での移行性を考慮して選択される。潤滑
剤としては、長鎖炭化水素化合物が主として用いられ、
その中に各種の潤滑剤が混合されることもある（株式会
社リアライズ社発行「電気材料のトライポロジー」第１
８５頁）。以上が、磁気記録媒体を例にした従来の潤滑
に関する技術である。その他セラミック、金属、樹脂、
木材、繊維、紙、無機物なの潤滑に関する技術も上記と
同様である。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
固体潤滑剤は均一に塗布することが困難で、使用されな
くなってきている。また液体潤滑剤は、スピンコートや
ディッピングによって潤滑膜を形成するが、その膜厚は
薄くても５ナノメーター程度あり、高密度化、高容量化
するため、磁気ヘッドにより接近させる場合は、この液
体潤滑膜では限界がある。また、液体潤滑剤であるため
に磁気記録媒体表面に付与した微細な凹凸のうち、凹部
に潤滑液がたまり易く、ヘッドと磁気記録媒体の接触に
よる摩耗を潤滑膜によって低減すべき凸部に潤滑膜がほ
とんどない状態となっていた。また、液体潤滑剤は、供
給量の正確な制御が困難で、供給量が多いと液体が飛散
し、記録の読み書きに欠落を生じる問題があった。した
がって、潤滑膜としての要求が満たされていなかった。

【０００６】本発明は、前記従来技術を解決するため
に、膜厚がナノメーター程度の薄い均一な潤滑膜を化学
結合を介して累積形成することによって、滑性耐久性、
走行性、耐摩耗性に優れ、かつ自己潤滑性を有する潤滑
膜及びその製造方法を提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明の第１番目の潤滑膜は、基体の少なくとも一
方の表面に、炭素鎖有機分子を含む化学吸着膜が基体表
面と共有結合によって形成され、その表面に単官能Ｚ−
結合（ただし、ＺはＳｉ，Ｔｉ，Ｓｎから選ばれる少な
くとも一つの元素）を介して炭素鎖有機分子を含む化学
吸着膜が累積形成されているという構成を備えたもので
ある。

【０００８】次に本発明の第２番目の潤滑膜は、基体の
少なくとも一方の表面に、シロキサン結合を含むシロキ
サン系化学吸着膜が基体表面と共有結合によって形成さ
れ、その表面に炭素鎖有機分子を含む化学吸着膜が基体
表面と共有結合によって形成され、その表面に単官能Ｓ
ｉ−結合を介して炭素鎖有機分子を含む化学吸着膜が累
積形成されているという構成を備えたものである。

【０００９】前記構成においては、累積形成された化学
吸着膜の最外層に炭素鎖を含む有機化合物が物理吸着さ
れていると、潤滑性をさらに向上できる。また前記構成
においては、化学吸着膜の化学結合が、前記（化１），
（化２），（化３）から選ばれる少なくとも一つの結合
であると、安定な共有結合を形成できる。

【００１０】また前記構成においては、化学吸着膜の累
積膜の少なくとも表面を構成する長鎖有機分子が、フッ
化炭素基を含むと、潤滑性をさらに向上できるほか、撥
水性なども向上する。

【００１１】また前記構成においては、化学吸着膜を構
成する炭素鎖有機分子の炭素数が、８以上３０以下であ
ると、基体と実質的に垂直方向に配向できるので好まし
い。また前記構成においては、基体がセラミック、金
属、樹脂、木材、繊維、紙、無機物、情報記録媒体層で
あると、化学吸着膜を形成しやすいので好ましい。

【００１２】また前記構成においては、化学吸着膜を構
成する炭素鎖有機分子が、側鎖を有していると、化学吸
着分子の配向性が向上できる。また前記構成において
は、化学吸着膜を構成する炭素鎖有機分子の前記長鎖有
機分子が、２種類以上の分子の混合物であると、潤滑性
がさらに向上する。

【００１３】また前記構成においては、物理吸着させた
有機化合物が、長鎖炭化水素、長鎖炭化水素系脂肪酸、
脂肪酸エステル、シリコン誘導体、脂肪酸塩、脂肪酸ア
ミド、フッ素化炭素誘導体から選ばれる少なくとも１種
類であると、潤滑性がさらに向上できる。

【００１４】次に本発明の第１番目の潤滑膜の製造方法
は、基体上に潤滑膜を製造する方法であって、基体の少
なくとも一方の表面に炭素鎖有機分子を含む化学吸着化
合物を接触させて基体表面と低分子脱離反応を起こさせ
化学吸着膜を形成し、次に前記化学吸着膜の表面に活性
水素基を導入し、次に分子末端が単官能Ｚ−Ｘ化合物
（ただし、ＺはＳｉ，Ｔｉ，Ｓｎから選ばれる少なくと
も一つの元素、Ｘはハロゲン元素）を接触させて前記活
性水素基と低分子脱離反応を起こさせ化学吸着累積膜を
少なくとも１層形成することを特徴とする。

【００１５】次に本発明の第２番目の潤滑膜の製造方法
は、基体上に潤滑膜を製造する方法であって、基体の少
なくとも一方の表面にシロキサン結合を含むシロキサン
系化学吸着化合物を接触させて基体表面と低分子脱離反
応を起こさせシロキサン系化学吸着膜を形成し、前記シ
ロキサン系化学吸着膜の表面に炭素鎖有機分子を含む化
学吸着化合物を接触させてと低分子脱離反応を起こさせ
化学吸着膜を形成し、次に前記化学吸着膜の表面に活性
水素基を導入し、次に分子末端が単官能Ｚ−Ｘ化合物
（ただし、ＺはＳｉ，Ｔｉ，Ｓｎから選ばれる少なくと
も一つの元素、Ｘはハロゲン元素）を接触させて前記活
性水素基と低分子脱離反応を起こさせ化学吸着累積膜を
少なくとも１層形成することを特徴とする。

【００１６】前記構成においては、活性水素基を導入す
る手段が、エネルギー照射、酸化処理、アルカリ処理か
ら選ばれる少なくとも一つの手段であると、効率よく活
性水素基を導入できる。

【００１７】また前記構成においては、シロキサン系化
学吸着膜、その表層の化学吸着膜、または化学吸着累積
膜のいずれかを形成する際、低分子脱離反応の工程の
後、非水系有機溶液を用いて未反応化学吸着剤を除去
し、単分子化学吸着膜を形成すると、膜の厚さが均一な
化学吸着膜を形成できる。

【００１８】また前記構成においては、累積形成された
化学吸着膜の最外層に炭素鎖を含む有機化合物をコーテ
ィングして物理吸着させこ、潤滑性をさらに向上でき
る。また前記構成においては、シロキサン系化学吸着化
合物がテトラクロロシラン、トリクロロシラン、ＳｉＣ
ｌ₃ −（Ｏ−ＳｉＣｌ₂ ）_n −Ｏ−ＳｉＣｌ₃ （ｎは０
及び正の整数）から選ばれる少なくとも１種類である
と、活性水素基を効率よく、かつ増加させて形成でき、
化学吸着膜を高密度に形成できる。

【００１９】また前記構成においては、シロキサン系化
学吸着膜、その表層の化学吸着膜、または化学吸着累積
膜のいずれかを形成する工程が、化学吸着化合物の溶液
に浸漬する工程、またはその蒸気中に接触させる工程で
あると、効率よく化学吸着膜を形成できる。

【００２０】また前記構成においては、シロキサン系化
学吸着膜、その表層の化学吸着膜、または化学吸着累積
膜のいずれかを形成する工程が、相対湿度３５％以下で
あると、化学吸着分子の加水分解を防ぐことができて好
ましい。とくに好ましい相対湿度は５％以下である。

【００２１】また前記構成においては、活性水素基が、
水酸基、アミノ基の水素、イミノ基の水素、カルボキシ
ル基の水素、チオール基の水素、カルボニル基のアルフ
ァ位の水素、シアノ基のアルファ位の水素、ニトロ基の
アルファ位の水素、２重結合のアルファ位の水素、ベン
ジル位の水素、スルフォン酸基の水素、スルフィン酸基
の水素、リン酸基の水素であることが好ましい。

【００２２】また前記構成においては、エネルギー照射
に用いるエネルギー線がＸ線、電子線、ガンマ線から選
ばれる少なくとも一つであることが好ましい。

【００２３】

【作用】前記本発明の第１番目の潤滑膜の構成によれ
ば、基体の少なくとも一方の表面に、炭素鎖有機分子を
含む化学吸着膜が累積形成されているので、膜厚がナノ
メーター程度の薄い均一な潤滑膜とすることができる。
また、滑性耐久性、走行性、耐摩耗性に優れ、かつ自己
潤滑性を有する潤滑膜とすることができる。

【００２４】次に本発明の第２番目の潤滑膜の構成によ
れば、基体の表面の化学吸着累積膜の密度を高め、より
緻密化した化学吸着膜を累積形成できる。さらに本発明
の好ましい構成によれば、累積形成された化学吸着膜の
最外層に炭素鎖を含む有機化合物が物理吸着されている
ので、さらに自己潤滑性に優れる。一例として、磁気記
録媒体の少なくとも一方の表面に酸素原子、硫黄原子、
窒素原子を介して化学結合した化学吸着膜の累積膜を形
成し、その表面に有機分子の物理吸着膜を形成した場合
は、摺動部（例えば磁気記録媒体では、磁気ヘッド）や
走行中に接触する各種部材等との摩擦によって、前記化
学吸着膜が削り落とされることなく、滑性耐久性、走行
性、耐摩耗性の優れた潤滑膜が得られる。また、膜厚が
ナノメーターレベルのきわめて薄い膜であるから、本来
の部材の機能を損なうことがない。

【００２５】

【実施例】化学吸着膜は、基体表面の水酸基、アミノ
基、イミノ基、カルボキシル基、チオール基、カルボニ
ル基のアルファ位、シアノ基のアルファ位、ニトロ基の
アルファ位、２重結合のアルファ位、ベンジル位、スル
フォン酸基、スルフィン酸基、リン酸基の活性な水素と
化学吸着分子のハロゲン化シラン基、ハロゲン化チタ
ン、ハロゲン化スタニルのハロゲンとの脱ハロゲン酸反
応によって、または、基体表面の金属原子と化学吸着分
子のシラノール基との配位結合によって生じる。この化
学吸着膜は、単分子膜を形成するため、その膜厚は極め
て一様で、化学吸着膜を形成している炭化水素基の数を
変えることによってコントロールできる。炭化水素基数
が２０の時、その膜厚は、約２．５ナノメートルとなる
ことがエリプソメトリー及びＸ線光電子分析法（ＸＰ
Ｓ）によって測定された。化学吸着膜の分子の配向性
は、接触角計によって測定から推測できる。末端トリフ
ッ化炭素基を末端に有する化学吸着膜の場合、膜の表面
エネルギーは、１５ミリニュートン／メートルと非常に
低い値となった。この結果は、膜表面にトリフッ化炭素
基が一様に露出していることを示唆しており、このこと
から膜の配向性が良いことが分かった。

【００２６】累積膜形成は、例えば−ＳｉＸｎＹｍ基
（ただしＸはハロゲン基、Ｙは炭素数１〜６の低級アル
キル基、ｎ，ｍは１〜３から選ばれる正の整数でｎ＋ｍ
＝３）で表される官能基をもつ化学吸着膜を形成し、ア
ルカリ処理または酸化処理することによって上記官能基
を水酸基に変化することができる。また、不飽和結合基
を有する化学吸着膜は、エネルギー線、たとえば、電子
線によって上記不飽和結合基をイミノ基、アミノ基など
に変化することができる。また、エステル結合基を有す
る化学吸着膜は酸化処理によって水酸基に変化させるこ
とができる。上記の水酸基、イミノ基、アミノ基などは
新たな化学吸着膜形成が可能であり、累積膜の形成がで
きる。

【００２７】基体としては、セラミック、金属、樹脂、
木材、及び繊維、無機物、蒸気録媒体層など活性な水素
もしくは配位できる金属が露出しているもので有れば良
い。浸漬反応処理あるいは気相反応処理を行うため、そ
の形状は問わない。また、表面に形成した化学吸着膜
は、透明であるため、基体表面の光沢、色調、材質感を
損なうこともない。

【００２８】化学吸着膜表面に塗布する有機化学分子
は、長鎖炭化水素系脂肪酸及び脂肪酸エステル、シリコ
ン誘導体、脂肪酸塩、脂肪酸アミド、フッ素化炭素誘導
体のうち少なくとも１種類であることが好ましい。

【００２９】また、基体表面に露出する活性な水素の数
を増すために、実施例２，１０〜１７，２１に示すよう
に、テトラクロロシラン、トリクロロシラン、ＳｉＣｌ
₃ −（Ｏ−ＳｉＣｌ₂ ）_n −Ｏ−ＳｉＣｌ₃ （ｎは０及
び正の整数）などＳｉＣｌ基を３個以上有する分子であ
らかじめ基体表面を処理することによって水酸基の数を
増すことができ、活性な水素を増やすことができる。

【００３０】なお本発明において、低分子脱離反応と
は、例えば脱塩化水素反応、脱水反応などをいう。以下
に本発明の具体的実施例を示す。 実施例１ まず、基体１として酸化鉄の粉体を高分子バインダーの
中に充填し、ベースフィルムであるポリエチレンテレフ
タレートフィルムの上に塗布し、乾燥し、圧縮処理して
高密度化した。次にディスク状に成形し、その表面にシ
リコン酸化物の薄膜を形成した。この薄膜表面には、水
酸基が露出しており、薄膜表面に活性な水素が数多く存
在している。

【００３１】つぎに、化学吸着膜作成用溶液を調製し
た。化学吸着膜を構成する分子として長鎖アルキル基の
末端にジメチルシリル基を有し、他端にトリクロロシリ
ル基を有する化学吸着剤：Ｈ（ＣＨ₃ ）₂ Ｓｉ（Ｃ
Ｈ₂ ）₁₈ＳｉＣｌ₃ を用いた。前記化学吸着剤の溶媒と
してフレオン−１１３の非水系溶媒を調製し、前記化学
吸着剤分子の濃度が１ミリモル／リットルとなるように
化学吸着溶液を調製した。これらの調製は、乾燥雰囲気
で行った。グローブボックス中で操作を行い、ガスは窒
素ガスを用い、グローブボックス内の乾燥度は湿度計で
５％以下であった。

【００３２】つぎに、前記基体１を前記溶液中に浸漬し
た。浸漬処理は、同じく乾燥雰囲気で行い、溶液温度は
２３℃で、浸漬時間は１時間行った。この処理において
化学吸着分子は基体表面の水酸基と脱塩酸反応をして
（化４）に示すようになり、化学吸着膜２が形成でき
る。

【００３３】

【化４】

【００３４】つぎに、前記処理を終えた基体を流水洗浄
した。この処理において（化４）に示す−ＳｉＣｌ基は
加水分解して−ＳｉＯＨ基になる。この流水洗浄は、１
５分間実施し、超純水を用いて行なった。次に乾燥する
と−ＳｉＯＨ基は隣の−ＳｉＯＨ基との間で脱水反応し
−Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ−結合が形成される。

【００３５】つぎに、酸化処理液を調製した。反応促進
剤のフッ化カリウム１４０ｍｇをメタノール５０ｍＬに
溶かし、また、炭酸水素カリウム２５０ｍｇをテトラヒ
ドロフラン５０ｍＬに溶かし、さらに、３０容量％過酸
化水素水２５ｍＬを加えて作成した。過酸化水素酸化
は、以下の手続きで行った。室温中で十分に撹拌溶解
後、２つの溶液を混合して、過酸化水素反応液を作成
し、この溶液中に上記化学吸着膜が形成された基板１を
室温中、１０時間浸漬した。この浸漬処理によって、化
学吸着膜２を形成する長鎖炭化水素分子末端のジメチル
シリル基のＣ−Ｓｉ結合は切断され、化学吸着膜２の長
鎖炭化水素分子末端に水酸基が形成された。

【００３６】つぎに、長鎖炭化水素分子末端が−ＯＨ基
化処理された基板１を再度、化学吸着剤：Ｈ（ＣＨ₃ ）
₂ Ｓｉ（ＣＨ₂ ）₁₈（ＣＨ₃ ）₂ ＳｉＣｌの非水溶液に
浸漬して２層目の化学吸着膜３を形成した。なお、この
化学吸着溶液の溶媒及び作成条件は前記と同じである。
この処理おいて（化５）に示す化学吸着累積膜が形成さ
れた。

【００３７】

【化５】

【００３８】つぎに、上述と同じ過酸化水素酸化を行
い、分子末端を水酸基に変化させ、さらに、化学式ＣＦ
₃ （ＣＨ₂ ）₁₈（ＣＨ₃ ）₂ ＳｉＣｌで示される化学吸
着溶液に前記処理を終えた基体１を浸漬して３層目の化
学吸着膜４を形成した。

【００３９】以上の潤滑膜の構成の断面図を図１に示
す。前記処理済基体を用いて摺動試験を行なった。荷重
は、１００グラム重とし、鋼体球を用いて、１０センチ
メートルの範囲で摺動した。図２に測定結果を示す。縦
軸は動摩擦係数を示す。摺動数が増加しても動摩擦係数
は初期の値と変わらず一様であり、耐久性のある潤滑膜
が形成できた。磁気記録ディスク表面に本発明の累積構
造の潤滑膜を形成してＣＳＳテスト（磁気ディスク上に
ヘッドを置いて、回転スタートとストップを繰り返す試
験）を行い、２０万回の走行テストをクリアした。

【００４０】実施例２ 基体は実施例１のものを用いた。つぎに化学吸着膜作成
用溶液を調製した。化学吸着膜を構成する分子として長
鎖アルキル基の末端にジメチルシリル基を有し、他端に
トリクロロシリル基を有する化学吸着剤：Ｈ（ＣＨ₃ ）
₂ Ｓｉ（ＣＨ₂）₁₈ＳｉＣｌ₃ を用いた。前記分子の溶
媒としてヘキサデカン８０重量％、四塩化炭素１２重量
％、クロロホルム８重量％の混合溶媒を調製し、前記分
子の濃度が１ミリモル／リットルとなるように化学吸着
溶液を調製した。これらの調製は、乾燥雰囲気で行っ
た。グローブボックス中で操作を行い、ガスは窒素ガス
を用い、グローブボックス内の乾燥度は湿度計で５％以
下であった。

【００４１】つぎに、前記基体を前記溶液中に浸漬し
た。浸漬処理は、同じく乾燥雰囲気で行い、溶液温度は
２３℃で、浸漬時間は１時間行った。この処理において
化学吸着分子は基体表面の水酸基と脱塩酸反応をして
（化６）に示すようになり、化学吸着膜が形成できる。

【００４２】

【化６】

【００４３】つぎに、前記処理を終えた基体を流水洗浄
した。この処理において（化６）に示す−ＳｉＣｌ基は
加水分解して−ＳｉＯＨ基になる。この流水洗浄は、１
５分間実施し、超純水を用いて行なった。次に乾燥する
と−ＳｉＯＨ基は隣の−ＳｉＯＨ基との間で脱水反応し
−Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ−結合が形成される。

【００４４】つぎに、アルカリ処理液を調製した。１重
量％水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を１００ｍ
Ｌ作成した。処理反応は、室温で１０分間浸漬した。こ
の操作により、化学吸着膜を構成している長鎖炭化水素
化合物の分子末端のジメチルシリル基の−ＳｉＨ結合は
切断され、直鎖炭化水素分子末端に水酸基が形成され
た。

【００４５】つぎに、長鎖炭化水素分子末端がＯＨ基化
処理された基板を再度、化学吸着剤：Ｈ（ＣＨ₃ ）₂ Ｓ
ｉ（ＣＨ₂ ）₁₈（ＣＨ₃ ）₂ ＳｉＣｌの化学吸着溶液に
浸漬して２層目の化学吸着膜を形成した。なお、化学吸
着溶液の溶媒及び作成条件は前記と同じである。この処
理おいて（化７）に示す化学吸着累積膜が形成された。

【００４６】

【化７】

【００４７】つぎに、上述と同じ過酸化水素酸化を行
い、分子末端を水酸基に変化させ、さらに、化学吸着
剤：ＣＦ₃ （ＣＨ₂ ）₁₈（ＣＨ₃ ）₂ ＳｉＣｌで示され
る化学吸着溶液に前記処理を終えた基体を浸漬して３層
目の化学吸着膜を形成した。

【００４８】以上の潤滑膜の構成の断面図は図１と同様
である。前記処理済基体を用いて摺動試験を行なった。
荷重は、１００グラム重とし、鋼体球を用いて、１０セ
ンチメートルの範囲で摺動した。摺動数が増加しても動
摩擦係数は初期の値と変わらず一様であり、耐久性のあ
る潤滑膜が形成できた。磁気記録ディスク表面に本発明
の累積構造の潤滑膜を形成してＣＳＳテストを行い、２
０万回の走行テストをクリアした。

【００４９】実施例３ まず、基体として酸化鉄の粉体を高分子バインダーの中
に充填し、ディスク状に成形し、その表面にシリコン酸
化物の薄膜を形成した。この薄膜表面には、水酸基が露
出しており、薄膜表面に活性な水素が数多く存在してい
る。

【００５０】つぎに、化学吸着膜作成用溶液を調製し
た。化学吸着膜を構成する分子として長鎖アルキル基の
末端にビニル基を有し、他端にトリクロロシリル基を有
する化学吸着剤：ＣＨ₂ ＝ＣＨ（ＣＨ₂ ）₁₈ＳｉＣｌ₃
を用いた。前記分子の溶媒としてヘキサデカン８０重量
％、四塩化炭素１２重量％、クロロホルム８重量％の混
合溶媒を調製し、前記分子の濃度が１ミリモル／リット
ルとなるように化学吸着溶液を調製した。これらの調製
は、乾燥雰囲気で行った。グローブボックス中で操作を
行い、ガスは窒素ガスを用い、グローブボックス内の乾
燥度は湿度計で５％以下であった。

【００５１】つぎに、前記基体を前記溶液中に浸漬し
た。浸漬処理は、同じく乾燥雰囲気で行い、溶液温度は
２３℃で、浸漬時間は１時間行った。この処理において
化学吸着分子は基体表面の水酸基と脱塩酸反応をして
（化８）に示すようになり、化学吸着膜ができる。

【００５２】

【化８】

【００５３】つぎに、前記処理を終えた基体を流水洗浄
した。この処理において（化８）に示す−ＳｉＣｌ基は
加水分解して−ＳｉＯＨ基になる。この流水洗浄は、１
５分間実施し、超純水を用いて行なった。次に乾燥する
と−ＳｉＯＨ基は隣の−ＳｉＯＨ基との間で脱水反応し
−Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ−結合が形成される。

【００５４】つぎに、エネルギー線照射を行った。この
実施例では電子線照射を実施した。ステンレス鋼（ＳＵ
Ｓ）製ホルダーの上面をアルミホイルでカバーし、窒素
ガスを導入できるようにした。照射用冶具を作成した。
加速電圧３００ｋｅＶ、電子電流５０マイクロアンペ
ア、ガス圧１気圧、温度室温、照射スピード（吸収線量
率）０．０２Ｍｒａｄ／ｓｅｃ、照射時間１００秒の条
件で上記処理済み基体に電子線照射を行った。この処理
によって、化学吸着膜を形成する長鎖炭化水素分子末端
の不飽和基（この実施例ではビニル基）はイミノ基及び
／またはアミノ基に変化された。

【００５５】つぎに、長鎖炭化水素分子末端がイミノ基
及び／またはアミノ基を導入処理された基板を再度、化
学式ＣＨ₂ ＝ＣＨ（ＣＨ₂ ）₁₈（ＣＨ₃ ）₂ ＳｉＣｌの
化学吸着溶液に浸漬して２層目の化学吸着膜を形成し
た。なお、化学吸着溶液の溶媒及び作成条件は前記と同
じである。この処理おいて（化９）に示す化学吸着累積
膜が形成された。

【００５６】

【化９】

【００５７】つぎに、上述と同じ電子線照射を行い、分
子末端をイミノ基及び／またはアミノ基に変化させ、さ
らに、化学式ＣＦ₃ （ＣＨ₂ ）₁₈（ＣＨ₃ ）₂ ＳｉＣｌ
で示される化学吸着溶液に前記処理を終えた基体を浸漬
して３層目の化学吸着膜を形成した。

【００５８】以上の潤滑膜の構成の断面図は図１と同様
である。前記処理済基体を用いて摺動試験を行なった。
荷重は、１００グラム重とし、鋼体球を用いて、１０セ
ンチメートルの範囲で摺動した。摺動数が増加しても動
摩擦係数は初期の値と変わらず一様であり、耐久性のあ
る潤滑膜が形成できた。磁気記録ディスク表面に本発明
の累積構造の潤滑膜を形成してＣＳＳテストを行い、２
０万回の走行テストをクリアした。

【００５９】実施例４ まず、基体として酸化鉄の粉体を高分子バインダーの中
に充填し、ディスク状に成形し、その表面にシリコン酸
化物の薄膜を形成した。この薄膜表面には、水酸基が露
出しており、薄膜表面に活性な水素が数多く存在してい
る。

【００６０】つぎに、化学吸着膜作成用溶液を調製し
た。化学吸着膜を構成する分子として長鎖アルキル基の
末端にジメチルシリル基を有し、他端にトリクロロシリ
ル基を有する化学吸着剤：Ｈ（ＣＨ₃ ）₂ Ｓｉ（Ｃ
Ｈ₂ ）₁₈ＳｉＣｌ₃ を用いた。前記分子の溶媒としてヘ
キサデカン８０重量％、四塩化炭素１２重量％、クロロ
ホルム８重量％の混合溶媒を調製し、前記分子の濃度が
１ミリモル／リットルとなるように化学吸着溶液を調製
した。これらの調製は、乾燥雰囲気で行った。グローブ
ボックス中で操作を行い、ガスは窒素ガスを用い、グロ
ーブボックス内の乾燥度は湿度計で５％以下であった。

【００６１】つぎに、前記基体を前記溶液中に浸漬し
た。浸漬処理は、同じく乾燥雰囲気で行い、溶液温度は
２３℃で、浸漬時間は１時間行った。この処理において
化学吸着分子は基体表面の水酸基と脱塩酸反応をして、
化学吸着膜ができる。

【００６２】つぎに、基体表面の水酸基と化学反応して
おらず物理吸着している化学吸着分子を取り除くためク
ロロホルムで洗浄を行った。化学吸着膜作成と同じ雰囲
気内で１５分間の撹拌洗浄を２回行った。この処理よっ
て、実施例１及び実施例２及び実施例３で形成される化
学吸着膜より一層配向の整った化学吸着膜が形成される
ことになる。このクロロホルム洗浄は、基体の凹凸や潤
滑性を有する部材の性質や種類によって洗浄の使用の有
無を決定して良い。以下の実施例で示されるクロロホル
ム洗浄も同様である。

【００６３】つぎに、前記処理を終えた基体を流水洗浄
した。この処理においてＳｉＣｌ基は、隣の吸着分子の
ＳｉＣｌ基と反応する。この流水洗浄は、１５分間実施
し、超純水を用いて行なった。

【００６４】つぎに、酸化処理液を調製した。反応促進
剤のフッ化カリウム１４０ｍｇをメタノール５０ｍＬに
溶かし、また、炭化水素カリウム２５０ｍｇをテトラヒ
ドロフラン５０ｍＬに溶かし、さらに、３０％過酸化水
素水２５ｍＬを加えて作成した。過酸化水素酸化は、以
下の手続きで行った。室温中で十分に撹拌溶解後、２つ
の溶液を混合して、過酸化水素反応液を作成し、この溶
液中に上記化学吸着膜が形成された基板を室温中、１０
時間浸漬した。この浸漬処理によって、化学吸着膜を形
成する長鎖炭化水素分子末端のジメチルシリル基のＣ−
Ｓｉ結合は切断され、化学吸着膜の長鎖炭化水素分子末
端に水酸基が形成された。

【００６５】つぎに、長鎖炭化水素分子末端がＯＨ基化
処理された基板を再度、化学式Ｈ（ＣＨ₃ ）₂ Ｓｉ（Ｃ
Ｈ₂ ）₁₈（ＣＨ₃ ）₂ ＳｉＣｌの化学吸着溶液に浸漬
し、クロロホルム洗浄、流水処理をして２層目の化学吸
着膜を形成した。なお、化学吸着溶液の溶媒及び処理条
件は前記と同じである。この処理おいて化学吸着累積膜
が形成された。

【００６６】つぎに、上述と同じ過酸化水素酸化を行
い、分子末端を水酸基に変化させ、さらに、化学式ＣＦ
₃ （ＣＨ₂ ）₁₈（ＣＨ₃ ）₂ ＳｉＣｌで示される化学吸
着溶液に前記処理を終えた基体を浸漬し、クロロホルム
洗浄、流水処理をして３層目の化学吸着膜を形成した。

【００６７】以上の潤滑膜の構成の断面図は図１と同様
である。前記処理済基体を用いて摺動試験を行なった。
荷重は、１００グラム重とし、鋼体球を用いて、１０セ
ンチメートルの範囲で摺動した。摺動数が増加しても動
摩擦係数は初期の値と変わらず一様であり、耐久性のあ
る潤滑膜が形成できた。磁気記録ディスク表面に本発明
の累積構造の潤滑膜を形成してＣＳＳテストを行い、２
０万回の走行テストをクリアした。

【００６８】実施例５ まず、基体として酸化鉄の粉体を高分子バインダーの中
に充填し、ディスク状に成形し、その表面にシリコン酸
化物の薄膜を形成した。この薄膜表面には、水酸基が露
出しており、薄膜表面に活性な水素が数多く存在してい
る。

【００６９】つぎに、化学吸着膜作成用溶液を調製し
た。化学吸着膜を構成する分子として長鎖アルキル基の
末端にビニル基を有し、他端にトリクロロシリル基を有
するＣＨ₂ ＝ＣＨ（ＣＨ₂ ）₁₈ＳｉＣｌ₃ を用いた。前
記分子の溶媒としてヘキサデカン８０重量％、四塩化炭
素１２重量％、クロロホルム８重量％の混合溶媒を調製
し、前記分子の濃度が１ミリモル／リットルとなるよう
に化学吸着溶液を調製した。これらの調製は、乾燥雰囲
気で行った。グローブボックス中で操作を行い、ガスは
窒素ガスを用い、グローブボックス内の乾燥度は湿度計
で５％以下であった。

【００７０】つぎに、前記基体を前記溶液中に浸漬し
た。浸漬処理は、同じく乾燥雰囲気で行い、溶液温度は
２３℃で、浸漬時間は１時間行った。この処理において
化学吸着分子は基体表面の水酸基と脱塩酸反応をして、
化学吸着膜ができる。

【００７１】つぎに、基体表面の水酸基と化学反応して
おらず物理吸着している化学吸着分子を取り除くためク
ロロホルムで洗浄を行った。化学吸着膜作成と同じ雰囲
気内で１５分間の撹拌洗浄を２回行った。

【００７２】つぎに、前記処理を終えた基体を流水洗浄
した。この処理においてＳｉＣｌ基は、隣の吸着分子の
ＳｉＣｌ基と反応する。この流水洗浄は、１５分間実施
し、超純水を用いて行なった。

【００７３】つぎに、エネルギー線照射を行った。この
実施例では電子線照射を実施した。ＳＵＳ製ホルダーの
上面をアルミホイルでカバーし、窒素ガスを導入できる
ようにした。照射用冶具を作成した。加速電圧３００ｋ
ｅＶ、電子電流５０マイクロアンペア、ガス圧１気圧、
温度室温、照射スピード（吸収線量率）０．０２Ｍｒａ
ｄ／ｓｅｃ、照射時間１００秒の条件で上記処理済み基
体に電子線照射を行った。この処理によって、化学吸着
膜を形成する長鎖炭化水素分子末端の不飽和基（この実
施例ではアルカン基）はイミノ基及び／またはアミノ基
に変化された。

【００７４】つぎに、長鎖炭化水素分子末端がイミノ基
及び／またはアミノ基化処理された基板を再度、化学式
ＣＨ₂ ＝ＣＨ（ＣＨ₂ ）₁₈（ＣＨ₃ ）₂ ＳｉＣｌの化学
吸着溶液に浸漬し、クロロホルム洗浄、流水処理をして
２層目の化学吸着膜を形成した。なお、化学吸着溶液の
溶媒及び作成条件は前記と同じである。この処理おいて
化学吸着累積膜が形成された。

【００７５】つぎに、上述と同じ電子線照射を行い、分
子末端をイミノ基及び／またはアミノ基に変化させ、さ
らに、化学式ＣＦ₃ （ＣＨ₂ ）₁₈（ＣＨ₃ ）₂ ＳｉＣｌ
で示される化学吸着溶液に前記処理を終えた基体を浸漬
し、クロロホルム洗浄、流水処理をして３層目の化学吸
着膜を形成した。

【００７６】以上の潤滑膜の構成の断面図は図１と同様
である。前記処理済基体を用いて摺動試験を行なった。
荷重は、１００グラム重とし、鋼体球を用いて、１０セ
ンチメートルの範囲で摺動した。摺動数が増加しても動
摩擦係数は初期の値と変わらず一様であり、耐久性のあ
る潤滑膜が形成できた。磁気記録ディスク表面に本発明
の累積構造の潤滑膜を形成してＣＳＳテストを行い、２
０万回の走行テストをクリアした。

【００７７】実施例６ まず、基体１１として酸化鉄の粉体を高分子バインダー
の中に充填し、ディスク状に成形し、その表面にシリコ
ン酸化物の薄膜を形成した。この薄膜表面には、水酸基
が露出しており、薄膜表面に活性な水素が数多く存在し
ている。

【００７８】つぎに、化学吸着膜作成用溶液を調製し
た。化学吸着膜を構成する分子として長鎖アルキル基の
末端にジメチルシリル基を有し、他端にトリクロロシリ
ル基を有するＨ（ＣＨ₃ ）₂ Ｓｉ（ＣＨ₂ ）₁₈ＳｉＣｌ
₃ を用いた。前記分子の溶媒としてヘキサデカン８０重
量％、四塩化炭素１２重量％、クロロホルム８重量％の
混合溶媒を調製し、前記分子の濃度が１ミリモル／リッ
トルとなるように化学吸着溶液を調製した。これらの調
製は、乾燥雰囲気で行った。グローブボックス中で操作
を行い、ガスは窒素ガスを用い、グローブボックス内の
乾燥度は湿度計で５％以下であった。

【００７９】つぎに、前記基体１１を前記溶液中に浸漬
した。浸漬処理は、同じく乾燥雰囲気で行い、溶液温度
は２３℃で、浸漬時間は１時間行った。この処理におい
て化学吸着分子は基体表面の水酸基と脱塩酸反応をし
て、化学吸着膜１２ができる。

【００８０】つぎに、前記処理を終えた基体を流水洗浄
した。この処理においてＳｉＣｌ基は、隣の吸着分子の
ＳｉＣｌ基と反応する。この流水洗浄は、１５分間実施
し、超純水を用いて行なった。

【００８１】つぎに、酸化処理液を調製した。反応促進
剤のフッ化カリウム１４０ｍｇをメタノール５０ｍＬに
溶かし、また、炭酸水素カリウム２５０ｍｇをテトラヒ
ドロフラン５０ｍＬに溶かし、さらに、３０容量％過酸
化水素水２５ｍＬを加えて作成した。過酸化水素酸化
は、以下の手続きで行った。室温中で十分に撹拌溶解
後、２つの溶液を混合して、過酸化水素反応液を作成
し、この溶液中に上記化学吸着膜が形成された基板１１
を室温中、１０時間浸漬した。この浸漬処理によって、
化学吸着膜１２を形成する長鎖炭化水素分子末端のジメ
チルシリル基のＣ−Ｓｉ結合は切断され、化学吸着膜１
２の長鎖炭化水素分子末端に水酸基が形成された。

【００８２】つぎに、長鎖炭化水素分子末端がＯＨ基化
処理された基板１１を再度、化学式Ｈ（ＣＨ₃ ）₂ Ｓｉ
（ＣＨ₂ ）₁₈（ＣＨ₃ ）₂ ＳｉＣｌの化学吸着溶液に浸
漬して２層目の化学吸着膜１３を形成した。なお、化学
吸着溶液の溶媒及び作成条件は前記と同じである。この
処理おいて化学吸着累積膜が形成された。

【００８３】つぎに、上述と同じ過酸化水素酸化を行
い、分子末端を水酸基に変化させ、さらに、化学式ＣＦ
₃ （ＣＨ₂ ）₁₈（ＣＨ₃ ）₂ ＳｉＣｌで示される化学吸
着溶液に前記処理を終えた基体１１を浸漬して３層目の
化学吸着膜１４を形成した。

【００８４】つぎに、前記基体上の化学吸着膜表面に長
鎖炭化水素としてＣＨ₃ （ＣＦ₂ ） ₁₇ＣＨ₃ のクロロホ
ルム溶液を作成し、そこに前記処理済基体を浸漬した。
このときの溶液濃度は１．０グラム／リットルで、浸漬
スピード、引き上げスピード１．５ｍｍ／秒で行った。
形成はクリーンルーム雰囲気下でおこなった。この操作
により化学吸着表面に長鎖炭化水素の薄膜１５（約１ナ
ノメーター）が形成された。

【００８５】以上の潤滑膜の構成の断面図を図３に示
す。前記処理済基体を用いて摺動試験を行なった。荷重
は、１００グラム重とし、鋼体球を用いて、１０センチ
メートルの範囲で摺動した。摺動数が増加しても動摩擦
係数は初期の値と変わらず一様であり、耐久性のある潤
滑膜が形成できた。磁気記録ディスク表面に本発明の累
積構造の潤滑膜を形成してＣＳＳテストを行い、２０万
回の走行テストをクリアした。

【００８６】実施例７ まず、基体として酸化鉄の粉体を高分子バインダーの中
に充填し、ディスク状に成形し、その表面にシリコン酸
化物の薄膜を形成した。この薄膜表面には、水酸基が露
出しており、薄膜表面に活性な水素が数多く存在してい
る。

【００８７】つぎに、化学吸着膜作成用溶液を調製し
た。化学吸着膜を構成する分子として長鎖アルキル基の
末端にビニル基を有し、他端にトリクロロシリル基を有
するＣＨ₂ ＝ＣＨ（ＣＨ₂ ）₁₈ＳｉＣｌ₃ を用いた。前
記分子の溶媒としてヘキサデカン８０重量％、四塩化炭
素１２重量％、クロロホルム８重量％の混合溶媒を調製
し、前記分子の濃度が１ミリモル／リットルとなるよう
に化学吸着溶液を調製した。これらの調製は、乾燥雰囲
気で行った。グローブボックス中で操作を行い、ガスは
窒素ガスを用い、グローブボックス内の乾燥度は湿度計
で５％以下であった。

【００８８】つぎに、前記基体を前記溶液中に浸漬し
た。浸漬処理は、同じく乾燥雰囲気で行い、溶液温度は
２３℃で、浸漬時間は１時間行った。この処理において
化学吸着分子は基体表面の水酸基と脱塩酸反応をして、
化学吸着膜ができる。

【００８９】つぎに、前記処理を終えた基体を流水洗浄
した。この処理において、ＳｉＣｌ基は、隣の吸着分子
のＳｉＣｌ基と反応する。この流水洗浄は、１５分間実
施し、超純水を用いて行なった。

【００９０】つぎに、エネルギー線照射を行った。この
実施例では電子線照射を実施した。ＳＵＳ製ホルダーの
上面をアルミホイルでカバーし、窒素ガスを導入できる
ようにした。照射用冶具を作成した。加速電圧３００ｋ
ｅＶ、電子電流５０マイクロアンペア、ガス圧１気圧、
温度室温、照射スピード（吸収線量率）０．０２Ｍｒａ
ｄ／ｓｅｃ、照射時間１００秒の条件で上記処理済み基
体に電子線照射を行った。この処理によって、化学吸着
膜を形成する長鎖炭化水素分子末端の不飽和基（この実
施例ではビニル基）はイミノ基及び／またはアミノ基に
変化された。

【００９１】つぎに、長鎖炭化水素分子末端がイミノ基
及び／またはアミノ基化処理された基板を再度、化学式
ＣＨ₂ ＝ＣＨ（ＣＨ₂ ）₁₈（ＣＨ₃ ）₂ ＳｉＣｌの化学
吸着溶液に浸漬して２層目の化学吸着膜を形成した。な
お、化学吸着溶液の溶媒及び作成条件は前記と同じであ
る。この処理おいて化学吸着累積膜が形成された。

【００９２】つぎに、上述と同じ電子線照射を行い、分
子末端をイミノ基及び／またはアミノ基に変化させ、さ
らに、化学式ＣＦ₃ （ＣＨ₂ ）₁₈（ＣＨ₃ ）₂ ＳｉＣｌ
で示される化学吸着溶液に前記処理を終えた基体を浸漬
して３層目の化学吸着膜を形成した。

【００９３】つぎに、前記基体上の化学吸着膜表面に長
鎖炭化水素としてＣＨ₃ （ＣＦ₂ ） ₁₇ＣＨ₃ のクロロホ
ルム溶液を作成し、そこに前記処理済基体を浸漬した。
このときの溶液濃度は１．０グラム／リットルで、浸漬
スピード、引き上げスピード１．５ｍｍ／秒で行った。
形成はクリーンルーム雰囲気下でおこなった。この操作
により化学吸着表面に長鎖炭化水素の薄膜（約１ナノメ
ーター）が形成された。

【００９４】以上の潤滑膜の構成の断面図は図３と同様
である。前記処理済基体を用いて摺動試験を行なった。
荷重は、１００グラム重とし、鋼体球を用いて、１０セ
ンチメートルの範囲で摺動した。摺動数が増加しても動
摩擦係数は初期の値と変わらず一様であり、耐久性のあ
る潤滑膜が形成できた。磁気記録ディスク表面に本発明
の累積構造の潤滑膜を形成してＣＳＳテストを行い、２
０万回の走行テストをクリアした。

【００９５】実施例８ まず、基体として酸化鉄の粉体を高分子バインダーの中
に充填し、ディスク状に成形し、その表面にシリコン酸
化物の薄膜を形成した。この薄膜表面には、水酸基が露
出しており、薄膜表面に活性な水素が数多く存在してい
る。

【００９６】つぎに、化学吸着膜作成用溶液を調製し
た。化学吸着膜を構成する分子として長鎖アルキル基の
末端にジメチルシリル基を有し、他端にトリクロロシリ
ル基を有するＨ（ＣＨ₃ ）₂ Ｓｉ（ＣＨ₂ ）₁₈ＳｉＣｌ
₃ を用いた。前記分子の溶媒としてヘキサデカン８０重
量％、四塩化炭素１２重量％、クロロホルム８重量％の
混合溶媒を調製し、前記分子の濃度が１ミリモル／リッ
トルとなるように化学吸着溶液を調製した。これらの調
製は、乾燥雰囲気で行った。グローブボックス中で操作
を行い、ガスは窒素ガスを用い、グローブボックス内の
乾燥度は湿度計で５％以下であった。

【００９７】つぎに、前記基体を前記溶液中に浸漬し
た。浸漬処理は、同じく乾燥雰囲気で行い、溶液温度は
２３℃で、浸漬時間は１時間行った。この処理において
化学吸着分子は基体表面の水酸基と脱塩酸反応をして、
化学吸着膜ができる。

【００９８】つぎに、基体表面の水酸基と化学反応して
おらず物理吸着している化学吸着分子を取り除くためク
ロロホルムで洗浄を行った。化学吸着膜作成と同じ雰囲
気内で１５分間の撹拌洗浄を２回行った。

【００９９】つぎに、前記処理を終えた基体を流水洗浄
した。この処理においてＳｉＣｌ基は、隣の吸着分子の
ＳｉＣｌ基と反応する。この流水洗浄は、１５分間実施
し、超純水を用いて行なった。

【０１００】つぎに、酸化処理液を調製した。反応促進
剤のフッ化カリウム１４０ｍｇをメタノール５０ｍＬに
溶かし、また、炭酸水素カリウム２５０ｍｇをテトラヒ
ドロフラン５０ｍＬに溶かし、さらに、３０容量％過酸
化水素水２５ｍＬを加えて作成した。過酸化水素酸化
は、以下の手続きで行った。室温中で十分に撹拌溶解
後、２つの溶液を混合して、過酸化水素反応液を作成
し、この溶液中に上記化学吸着膜が形成された基板を室
温中、１０時間浸漬した。この浸漬処理によって、化学
吸着膜を形成する長鎖炭化水素分子末端のジメチルシリ
ル基のＣ−Ｓｉ結合は切断され、化学吸着膜の長鎖炭化
水素分子末端に水酸基が形成された。

【０１０１】つぎに、長鎖炭化水素分子末端がＯＨ基化
処理された基板を再度、化学式Ｈ（ＣＨ₃ ）₂ Ｓｉ（Ｃ
Ｈ₂ ）₁₈（ＣＨ₃ ）₂ ＳｉＣｌの化学吸着溶液に浸漬
し、クロロホルム洗浄、流水処理をして２層目の化学吸
着膜を形成した。なお、化学吸着溶液の溶媒及び処理条
件は前記と同じである。この処理おいて化学吸着累積膜
が形成された。

【０１０２】つぎに、上述と同じ過酸化水素酸化を行
い、分子末端を水酸基に変化させ、さらに、化学式ＣＦ
₃ （ＣＨ₂ ）₁₈（ＣＨ₃ ）₂ ＳｉＣｌで示される化学吸
着溶液に前記処理を終えた基体を浸漬し、クロロホルム
洗浄、流水処理をして３層目の化学吸着膜を形成した。

【０１０３】つぎに、前記基体上の化学吸着膜表面に長
鎖炭化水素としてＣＨ₃ （ＣＦ₂ ） ₁₇ＣＨ₃ のクロロホ
ルム溶液を作成し、そこに前記処理済基体を浸漬した。
このときの溶液濃度は１．０グラム／リットルで、浸漬
スピード、引き上げスピード１．５ｍｍ／秒で行った。
形成はクリーンルーム雰囲気下でおこなった。この操作
により化学吸着表面に長鎖炭化水素の薄膜（約１ナノメ
ーター）が形成された。

【０１０４】以上の潤滑膜の構成の断面図は図３と同様
である。前記処理済基体を用いて摺動試験を行なった。
荷重は、１００グラム重とし、鋼体球を用いて、１０セ
ンチメートルの範囲で摺動した。摺動数が増加しても動
摩擦係数は初期の値と変わらず一様であり、耐久性のあ
る潤滑膜が形成できた。磁気記録ディスク表面に本発明
の累積構造の潤滑膜を形成してＣＳＳテストを行い、２
０万回の走行テストをクリアした。

【０１０５】実施例９ まず、基体として酸化鉄の粉体を高分子バインダーの中
に充填し、ディスク状に成形し、その表面にシリコン酸
化物の薄膜を形成した。この薄膜表面には、水酸基が露
出しており、薄膜表面に活性な水素が数多く存在してい
る。

【０１０６】つぎに、化学吸着膜作成用溶液を調製し
た。化学吸着膜を構成する分子として長鎖アルキル基の
末端にビニル基を有し、他端にトリクロロシリル基を有
するＣＨ₂ ＝ＣＨ（ＣＨ₂ ）₁₈ＳｉＣｌ₃ を用いた。前
記分子の溶媒としてヘキサデカン８０重量％、四塩化炭
素１２重量％、クロロホルム８重量％の混合溶媒を調製
し、前記分子の濃度が１ミリモル／リットルとなるよう
に化学吸着溶液を調製した。これらの調製は、乾燥雰囲
気で行った。グローブボックス中で操作を行い、ガスは
窒素ガスを用い、グローブボックス内の乾燥度は湿度計
で５％以下であった。

【０１０７】つぎに、前記基体を前記溶液中に浸漬し
た。浸漬処理は、同じく乾燥雰囲気で行い、溶液温度は
２３℃で、浸漬時間は１時間行った。この処理において
化学吸着分子は基体表面の水酸基と脱塩酸反応をして、
化学吸着膜ができる。

【０１０８】つぎに、基体表面の水酸基と化学反応して
おらず物理吸着している化学吸着分子を取り除くためク
ロロホルムで洗浄を行った。化学吸着膜作成と同じ雰囲
気内で１５分間の撹拌洗浄を２回行った。

【０１０９】つぎに、前記処理を終えた基体を流水洗浄
した。この処理においてＳｉＣｌ基は、隣の吸着分子の
ＳｉＣｌ基と反応する。この流水洗浄は、１５分間実施
し、超純水を用いて行なった。

【０１１０】つぎに、エネルギー線照射を行った。この
実施例では電子線照射を実施した。ＳＵＳ製ホルダーの
上面をアルミホイルでカバーし、窒素ガスを導入できる
ようにした。照射用冶具を作成した。加速電圧３００ｋ
ｅＶ、電子電流５０マイクロアンペア、ガス圧１気圧、
温度室温、照射スピード（吸収線量率）０．０２Ｍｒａ
ｄ／ｓｅｃ、照射時間１００秒の条件で上記処理済み基
体に電子線照射を行った。この処理によって、化学吸着
膜を形成する長鎖炭化水素分子末端の不飽和基（この実
施例ではアルカン基）はイミノ基及び／またはアミノ基
に変化された。

【０１１１】つぎに、長鎖炭化水素分子末端がイミノ基
及び／またはアミノ基化処理された基板を再度、化学式
ＣＨ₂ ＝ＣＨ（ＣＨ₂ ）₁₈（ＣＨ₃ ）₂ ＳｉＣｌの化学
吸着溶液に浸漬し、クロロホルム洗浄、流水処理をして
２層目の化学吸着膜を形成した。なお、化学吸着溶液の
溶媒及び作成条件は前記と同じである。この処理おいて
化学吸着累積膜が形成された。

【０１１２】つぎに、上述と同じ電子線照射を行い、分
子末端をイミノ基及び／またはアミノ基に変化させ、さ
らに、化学式ＣＦ₃ （ＣＨ₂ ）₁₈（ＣＨ₃ ）₂ ＳｉＣｌ
で示される化学吸着溶液に前記処理を終えた基体を浸漬
し、クロロホルム洗浄、流水処理をして３層目の化学吸
着膜を形成した。

【０１１３】つぎに、前記基体上の化学吸着膜表面に長
鎖炭化水素としてＣＨ₃ （ＣＦ₂ ） ₁₇ＣＨ₃ のクロロホ
ルム溶液を作成し、そこに前記処理済基体を浸漬した。
このときの溶液濃度は１．０グラム／リットルで、浸漬
スピード、引き上げスピード１．５ｍｍ／秒で行った。
形成はクリーンルーム雰囲気下でおこなった。この操作
により化学吸着表面に長鎖炭化水素の薄膜（約１ナノメ
ーター）が形成された。

【０１１４】以上の潤滑膜の構成の断面図は図３と同様
である。前記処理済基体を用いて摺動試験を行なった。
荷重は、１００グラム重とし、鋼体球を用いて、１０セ
ンチメートルの範囲で摺動した。摺動数が増加しても動
摩擦係数は初期の値と変わらず一様であり、耐久性のあ
る潤滑膜が形成できた。磁気記録ディスク表面に本発明
の累積構造の潤滑膜を形成してＣＳＳテストを行い、２
０万回の走行テストをクリアした。

【０１１５】実施例１０ まず、基体２１として酸化鉄の粉体を高分子バインダー
の中に充填し、ディスク状に成形した。この薄膜表面に
は、水酸基が露出は乏しく、薄膜表面に活性な水素は少
数である。

【０１１６】つぎに、低分子化学吸着剤用溶液を調製し
た。低分子化学吸着剤を構成する分子としてテトラクロ
ロシラン（ＳｉＣｌ₄ ）を用いた。その分子の溶媒とし
てヘキサデカン８０重量％、四塩化炭素１２重量％、ク
ロロホルム８重量％の混合溶媒を調製し、前記分子の濃
度が１ミリモル／リットルとなるように化学吸着溶液を
調製した。これらの調製は、乾燥雰囲気で行った。グロ
ーブボックス中で操作を行い、ガスは窒素ガスを用い、
グローブボックス内の乾燥度は湿度計で５％以下であっ
た。

【０１１７】つぎに、前記基体２１を前記溶液中に浸漬
した。浸漬処理は、同じく乾燥雰囲気で行い、溶液温度
は２３℃で、浸漬時間は１時間行った。この処理におい
て化学吸着分子は基体表面の水酸基と脱塩酸反応をして
（化１０）に示すようになり、低分子化学吸着層２２が
形成できる。

【０１１８】

【化１０】

【０１１９】つぎに、基体表面の水酸基と化学反応して
おらず物理吸着している低分子化学吸着剤を取り除くた
めクロロホルムで洗浄を行った。前記処理と同じ雰囲気
内で１５分間の撹拌洗浄を２回行った。

【０１２０】つぎに、前記処理を終えた基体を流水洗浄
した。この処理において（化１０）に示すＳｉＣｌ基
は、ＳｉＯＨ基となる。この流水洗浄は、１５分間実施
し、超純水を用いて行なった。

【０１２１】つぎに、化学吸着膜作成用溶液を調製し
た。化学吸着膜を構成する分子として長鎖アルキル基の
末端にジメチルシリル基を有し、他端にトリクロロシリ
ル基を有するＨ（ＣＨ₃ ）₂ Ｓｉ（ＣＨ₂ ）₁₈ＳｉＣｌ
₃ を用いた。前記分子の溶媒としてヘキサデカン８０重
量％、四塩化炭素１２重量％、クロロホルム８重量％の
混合溶媒を調製し、前記分子の濃度が１ミリモル／リッ
トルとなるように化学吸着溶液を調製した。これらの調
製は、乾燥雰囲気で行った。グローブボックス中で操作
を行い、ガスは窒素ガスを用い、グローブボックス内の
乾燥度は湿度計で５％以下であった。

【０１２２】つぎに、前記処理を終えた基体２１を前記
溶液中に浸漬した。浸漬処理は、同じく乾燥雰囲気で行
い、溶液温度は２３℃で、浸漬時間は１時間行った。こ
の処理において化学吸着分子は基体表面の水酸基と脱塩
酸反応をして（化１１）に示すようになり、化学吸着膜
２３が形成できる。

【０１２３】

【化１１】

【０１２４】つぎに、前記処理を終えた基体を流水洗浄
した。この処理において（化１１）に示すＳｉＣｌ基
は、隣の吸着分子のＳｉＣｌ基と反応する。この流水洗
浄は、１５分間実施し、超純水を用いて行なった。

【０１２５】つぎに、酸化処理液を調製した。反応促進
剤のフッ化カリウム１４０ｍｇをメタノール５０ｍＬに
溶かし、また、炭酸水素カリウム２５０ｍｇをテトラヒ
ドロフラン５０ｍＬに溶かし、さらに、３０容量％過酸
化水素水２５ｍＬを加えて作成した。過酸化水素酸化
は、以下の手続きで行った。室温中で十分に撹拌溶解
後、２つの溶液を混合して、過酸化水素反応液を作成
し、この溶液中に上記化学吸着膜が形成された基板２１
を室温中、１０時間浸漬した。この浸漬処理によって、
化学吸着膜２３を形成する長鎖炭化水素分子末端のジメ
チルシリル基のＣ−Ｓｉ結合は切断され、化学吸着膜２
３の長鎖炭化水素分子末端に水酸基が形成された。

【０１２６】つぎに、長鎖炭化水素分子末端がＯＨ基化
処理された基板２１を再度、化学式Ｈ（ＣＨ₃ ）₂ Ｓｉ
（ＣＨ₂ ）₁₈（ＣＨ₃ ）₂ ＳｉＣｌの化学吸着溶液に浸
漬して２層目の化学吸着膜２４を形成した。なお、化学
吸着溶液の溶媒及び作成条件は前記と同じである。この
処理おいて、化学吸着累積膜が形成された。

【０１２７】つぎに、上述と同じ過酸化水素酸化を行
い、分子末端を水酸基に変化させ、さらに、化学式ＣＦ
₃ （ＣＨ₂ ）₁₈（ＣＨ₃ ）₂ ＳｉＣｌで示される化学吸
着溶液に前記処理を終えた基体２１を浸漬して３層目の
化学吸着膜２５を形成した。

【０１２８】以上の潤滑膜の構成の断面図を図４に示
す。前記処理済基体を用いて摺動試験を行なった。荷重
は、１００グラム重とし、鋼体球を用いて、１０センチ
メートルの範囲で摺動した。摺動数が増加しても動摩擦
係数は初期の値と変わらず一様であり、耐久性のある潤
滑膜が形成できた。磁気記録ディスク表面に本発明の累
積構造の潤滑膜を形成してＣＳＳテストを行い、２０万
回の走行テストをクリアした。

【０１２９】実施例１１ まず、基体として酸化鉄の粉体を高分子バインダーの中
に充填し、ディスク状に成形した。この薄膜表面には、
水酸基が露出は乏しく、薄膜表面に活性な水素は少数で
ある。

【０１３０】つぎに、低分子化学吸着剤用溶液を調製し
た。低分子化学吸着剤を構成する分子としてＳｉＣｌ₄
を用いた。その分子の溶媒としてヘキサデカン８０重量
％、四塩化炭素１２重量％、クロロホルム８重量％の混
合溶媒を調製し、前記分子の濃度が１ミリモル／リット
ルとなるように化学吸着溶液を調製した。これらの調製
は、乾燥雰囲気で行った。グローブボックス中で操作を
行い、ガスは窒素ガスを用い、グローブボックス内の乾
燥度は湿度計で５％以下であった。

【０１３１】つぎに、前記基体を前記溶液中に浸漬し
た。浸漬処理は、同じく乾燥雰囲気で行い、溶液温度は
２３℃で、浸漬時間は１時間行った。この処理において
化学吸着分子は基体表面の水酸基と脱塩酸反応をして
（化１２）に示すようになり、低分子化学吸着層が形成
できる。

【０１３２】

【化１２】

【０１３３】つぎに、前記処理を終えた基体を流水洗浄
した。この処理において（化１２）に示すＳｉＣｌ基
は、ＳｉＯＨ基となる。この流水洗浄は、１５分間実施
し、超純水を用いて行なった。

【０１３４】つぎに、化学吸着膜作成用溶液を調製し
た。化学吸着膜を構成する分子として長鎖アルキル基の
末端にビニル基を有し、他端にトリクロロシリル基を有
するＣＨ₂ ＝ＣＨ（ＣＨ₂ ）₁₈ＳｉＣｌ₃ を用いた。前
記分子の溶媒としてヘキサデカン８０重量％、四塩化炭
素１２重量％、クロロホルム８重量％の混合溶媒を調製
し、前記分子の濃度が１ミリモル／リットルとなるよう
に化学吸着溶液を調製した。これらの調製は、乾燥雰囲
気で行った。グローブボックス中で操作を行い、ガスは
窒素ガスを用い、グローブボックス内の乾燥度は湿度計
で５％以下であった。

【０１３５】つぎに、前記基体を前記溶液中に浸漬し
た。浸漬処理は、同じく乾燥雰囲気で行い、溶液温度は
２３℃で、浸漬時間は１時間行った。この処理において
化学吸着分子は基体表面の水酸基と脱塩酸反応をして
（化１３）に示すようになり、化学吸着膜ができる。

【０１３６】

【化１３】

【０１３７】つぎに、前記処理を終えた基体を流水洗浄
した。この処理において（化１３）に示すＳｉＣｌ基
は、隣の吸着分子のＳｉＣｌ基と反応する。この流水洗
浄は、１５分間実施し、超純水を用いて行なった。

【０１３８】つぎに、エネルギー線照射を行った。この
実施例では電子線照射を実施した。ＳＵＳ製ホルダーの
上面をアルミホイルでカバーし、窒素ガスを導入できる
ようにした。照射用冶具を作成した。加速電圧３００ｋ
ｅＶ、電子電流５０マイクロアンペア、ガス圧１気圧、
温度室温、照射スピード（吸収線量率）０．０２Ｍｒａ
ｄ／ｓｅｃ、照射時間１００秒の条件で上記処理済み基
体に電子線照射を行った。この処理によって、化学吸着
膜を形成する長鎖炭化水素分子末端の不飽和基（この実
施例ではビニル基）はイミノ基及び／またはアミノ基に
変化された。

【０１３９】つぎに、長鎖炭化水素分子末端がイミノ基
及び／またはアミノ基化処理された基板を再度、化学式
ＣＨ₂ ＝ＣＨ（ＣＨ₂ ）₁₈（ＣＨ₃ ）₂ ＳｉＣｌの化学
吸着溶液に浸漬して２層目の化学吸着膜を形成した。な
お、化学吸着溶液の溶媒及び作成条件は前記と同じであ
る。この処理おいて化学吸着累積膜が形成された。

【０１４０】つぎに、上述と同じ電子線照射を行い、分
子末端をイミノ基及び／またはアミノ基に変化させ、さ
らに、化学式ＣＦ₃ （ＣＨ₂ ）₁₈（ＣＨ₃ ）₂ ＳｉＣｌ
で示される化学吸着溶液に前記処理を終えた基体を浸漬
して３層目の化学吸着膜を形成した。

【０１４１】以上の潤滑膜の構成の断面図は図４と同様
である。前記処理済基体を用いて摺動試験を行なった。
荷重は、１００グラム重とし、鋼体球を用いて、１０セ
ンチメートルの範囲で摺動した。図２に測定結果を示
す。縦軸は動摩擦係数を示す。摺動数が増加しても動摩
擦係数は初期の値と変わらず一様であり、耐久性のある
潤滑膜が形成できた。磁気記録ディスク表面に本発明の
累積構造の潤滑膜を形成してＣＳＳテストを行い、２０
万回の走行テストをクリアした。

【０１４２】実施例１２ まず、基体として酸化鉄の粉体を高分子バインダーの中
に充填し、ディスク状に成形した。この薄膜表面には、
水酸基が露出は乏しく、薄膜表面に活性な水素は少数で
ある。

【０１４３】つぎに、低分子化学吸着剤用溶液を調製し
た。低分子化学吸着剤を構成する分子としてＳｉＣｌ₄
を用いた。その分子の溶媒としてヘキサデカン８０重量
％、四塩化炭素１２重量％、クロロホルム８重量％の混
合溶媒を調製し、前記分子の濃度が１ミリモル／リット
ルとなるように化学吸着溶液を調製した。これらの調製
は、乾燥雰囲気で行った。グローブボックス中で操作を
行い、ガスは窒素ガスを用い、グローブボックス内の乾
燥度は湿度計で５％以下であった。

【０１４４】つぎに、前記基体を前記溶液中に浸漬し
た。浸漬処理は、同じく乾燥雰囲気で行い、溶液温度は
２３℃で、浸漬時間は１時間行った。この処理において
化学吸着分子は基体表面の水酸基と脱塩酸反応をして、
低分子化学吸着層ができる。

【０１４５】つぎに、前記処理を終えた基体を流水洗浄
した。この処理において、ＳｉＣｌ基は、ＳｉＯＨ基と
なる。この流水洗浄は、１５分間実施し、超純水を用い
て行なった。

【０１４６】つぎに、化学吸着膜作成用溶液を調製し
た。化学吸着膜を構成する分子として長鎖アルキル基の
末端にジメチルシリル基を有し、他端にトリクロロシリ
ル基を有するＨ（ＣＨ₃ ）₂ Ｓｉ（ＣＨ₂ ）₁₈ＳｉＣｌ
₃ を用いた。前記分子の溶媒としてヘキサデカン８０重
量％、四塩化炭素１２重量％、クロロホルム８重量％の
混合溶媒を調製し、前記分子の濃度が１ミリモル／リッ
トルとなるように化学吸着溶液を調製した。これらの調
製は、乾燥雰囲気で行った。グローブボックス中で操作
を行い、ガスは窒素ガスを用い、グローブボックス内の
乾燥度は湿度計で５％以下であった。

【０１４７】つぎに、前記処理を終えた基体を前記溶液
中に浸漬した。浸漬処理は、同じく乾燥雰囲気で行い、
溶液温度は２３℃で、浸漬時間は１時間行った。この処
理において化学吸着分子は基体表面の水酸基と脱塩酸反
応をして、化学吸着膜ができる。

【０１４８】つぎに、基体表面の水酸基と化学反応して
おらず物理吸着している低分子化学吸着剤を取り除くた
めクロロホルムで洗浄を行った。前記処理と同じ雰囲気
内で１５分間の撹拌洗浄を２回行った。

【０１４９】つぎに、前記処理を終えた基体を流水洗浄
した。この処理において、ＳｉＣｌ基は、隣の吸着分子
のＳｉＣｌ基と反応する。この流水洗浄は、１５分間実
施し、超純水を用いて行なった。

【０１５０】つぎに、酸化処理液を調製した。反応促進
剤のフッ化カリウム１４０ｍｇをメタノール５０ｍＬに
溶かし、また、炭酸水素カリウム２５０ｍｇをテトラヒ
ドロフラン５０ｍＬに溶かし、さらに、３０容量％過酸
化水素水２５ｍＬを加えて作成した。過酸化水素酸化
は、以下の手続きで行った。室温中で十分に撹拌溶解
後、２つの溶液を混合して、過酸化水素反応液を作成
し、この溶液中に上記化学吸着膜が形成された基板を室
温中、１０時間浸漬した。この浸漬処理によって、化学
吸着膜を形成する長鎖炭化水素分子末端のジメチルシリ
ル基のＣ−Ｓｉ結合は切断され、化学吸着膜の長鎖炭化
水素分子末端に水酸基が形成された。

【０１５１】つぎに、長鎖炭化水素分子末端がＯＨ基化
処理された基板を再度、化学式Ｈ（ＣＨ₃ ）₂ Ｓｉ（Ｃ
Ｈ₂ ）₁₈（ＣＨ₃ ）₂ ＳｉＣｌの化学吸着溶液に浸漬し
て２層目の化学吸着膜を形成した。なお、化学吸着溶液
の溶媒及び作成条件は前記と同じである。この処理おい
て、化学吸着累積膜が形成された。

【０１５２】つぎに、上述と同じ過酸化水素酸化を行
い、分子末端を水酸基に変化させ、さらに、化学式ＣＦ
₃ （ＣＨ₂ ）₁₈（ＣＨ₃ ）₂ ＳｉＣｌで示される化学吸
着溶液に前記処理を終えた基体を浸漬して３層目の化学
吸着膜を形成した。

【０１５３】以上の潤滑膜の構成の断面図を図４に示す
と同様になった。前記処理済基体を用いて摺動試験を行
なった。荷重は、１００グラム重とし、鋼体球を用い
て、１０センチメートルの範囲で摺動した。摺動数が増
加しても動摩擦係数は初期の値と変わらず一様であり、
耐久性のある潤滑膜が形成できた。磁気記録ディスク表
面に本発明の累積構造の潤滑膜を形成してＣＳＳテスト
を行い、２０万回の走行テストをクリアした。

【０１５４】実施例１３ まず、基体として酸化鉄の粉体を高分子バインダーの中
に充填し、ディスク状に成形した。この薄膜表面には、
水酸基が露出は乏しく、薄膜表面に活性な水素は少数で
ある。

【０１５５】つぎに、低分子化学吸着剤用溶液を調製し
た。低分子化学吸着剤層を構成する分子としてＳｉＣｌ
₄ を用いた。その分子の溶媒としてヘキサデカン８０重
量％、四塩化炭素１２重量％、クロロホルム８重量％の
混合溶媒を調製し、前記分子の濃度が１ミリモル／リッ
トルとなるように化学吸着溶液を調製した。これらの調
製は、乾燥雰囲気で行った。グローブボックス中で操作
を行い、ガスは窒素ガスを用い、グローブボックス内の
乾燥度は湿度計で５％以下であった。

【０１５６】つぎに、前記基体を前記溶液中に浸漬し
た。浸漬処理は、同じく乾燥雰囲気で行い、溶液温度は
２３℃で、浸漬時間は１時間行った。この処理において
化学吸着分子は基体表面の水酸基と脱塩酸反応をして、
低分子化学吸着層ができる。

【０１５７】つぎに、基体表面の水酸基と化学反応して
おらず物理吸着している低分子化学吸着剤を取り除くた
めクロロホルムで洗浄を行った。前記処理と同じ雰囲気
内で１５分間の撹拌洗浄を２回行った。

【０１５８】つぎに、前記処理を終えた基体を流水洗浄
した。この処理において、ＳｉＣｌ基は、ＳｉＯＨ基と
なる。この流水洗浄は、１５分間実施し、超純水を用い
て行なった。

【０１５９】つぎに、化学吸着膜作成用溶液を調製し
た。化学吸着膜を構成する分子として長鎖アルキル基の
末端にビニル基を有し、他端にトリクロロシリル基を有
するＣＨ₂ ＝ＣＨ（ＣＨ₂ ）₁₈ＳｉＣｌ₃ を用いた。前
記分子の溶媒としてヘキサデカン８０重量％、四塩化炭
素１２重量％、クロロホルム８重量％の混合溶媒を調製
し、前記分子の濃度が１ミリモル／リットルとなるよう
に化学吸着溶液を調製した。これらの調製は、乾燥雰囲
気で行った。グローブボックス中で操作を行い、ガスは
窒素ガスを用い、グローブボックス内の乾燥度は湿度計
で５％以下であった。

【０１６０】つぎに、前記基体を前記溶液中に浸漬し
た。浸漬処理は、同じく乾燥雰囲気で行い、溶液温度は
２３℃で、浸漬時間は１時間行った。この処理において
化学吸着分子は基体表面の水酸基と脱塩酸反応をして、
化学吸着膜ができる。

【０１６１】つぎに、基体表面の水酸基と化学反応して
おらず物理吸着している化学吸着分子を取り除くためク
ロロホルムで洗浄を行った。化学吸着膜作成と同じ雰囲
気内で１５分間の撹拌洗浄を２回行った。

【０１６２】つぎに、前記処理を終えた基体を流水洗浄
した。この処理において、ＳｉＣｌ基は、隣の吸着分子
のＳｉＣｌ基と反応する。この流水洗浄は、１５分間実
施し、超純水を用いて行なった。

【０１６３】つぎに、エネルギー線照射を行った。この
実施例では電子線照射を実施した。ＳＵＳ製ホルダーの
上面をアルミホイルでカバーし、窒素ガスを導入できる
ようにした。照射用冶具を作成した。加速電圧３００ｋ
ｅＶ、電子電流５０マイクロアンペア、ガス圧１気圧、
温度室温、照射スピード（吸収線量率）０．０２Ｍｒａ
ｄ／ｓｅｃ、照射時間１００秒の条件で上記処理済み基
体に電子線照射を行った。この処理によって、化学吸着
膜を形成する長鎖炭化水素分子末端の不飽和基（この実
施例ではアルカン基）はイミノ基及び／またはアミノ基
に変化された。

【０１６４】つぎに、長鎖炭化水素分子末端がイミノ基
及び／またはアミノ基化処理された基板を再度、化学式
ＣＨ₂ ＝ＣＨ（ＣＨ₂ ）₁₈（ＣＨ₃ ）₂ ＳｉＣｌの化学
吸着溶液に浸漬して２層目の化学吸着膜を形成した。な
お、化学吸着溶液の溶媒及び作成条件は前記と同じであ
る。この処理おいて化学吸着累積膜が形成された。

【０１６５】つぎに、上述と同じ電子線照射を行い、分
子末端をイミノ基及び／またはアミノ基に変化させ、さ
らに、化学式ＣＦ₃ （ＣＨ₂ ）₁₈（ＣＨ₃ ）₂ ＳｉＣｌ
で示される化学吸着溶液に前記処理を終えた基体を浸漬
して３層目の化学吸着膜を形成した。

【０１６６】以上の潤滑膜の構成の断面図は図４と同様
である。前記処理済基体を用いて摺動試験を行なった。
荷重は、１００グラム重とし、鋼体球を用いて、１０セ
ンチメートルの範囲で摺動した。摺動数が増加しても動
摩擦係数は初期の値と変わらず一様であり、耐久性のあ
る潤滑膜が形成できた。磁気記録ディスク表面に本発明
の累積構造の潤滑膜を形成してＣＳＳテストを行い、２
０万回の走行テストをクリアした。

【０１６７】実施例１４ まず、基体３１として酸化鉄の粉体を高分子バインダー
の中に充填し、ディスク状に成形した。この薄膜表面に
は、水酸基が露出は乏しく、薄膜表面に活性な水素は少
数である。

【０１６８】つぎに、低分子化学吸着剤用溶液を調製し
た。低分子化学吸着層を構成する分子としてＳｉＣｌ₄
を用いた。その分子の溶媒としてヘキサデカン８０重量
％、四塩化炭素１２重量％、クロロホルム８重量％の混
合溶媒を調製し、前記分子の濃度が１ミリモル／リット
ルとなるように化学吸着溶液を調製した。これらの調製
は、乾燥雰囲気で行った。グローブボックス中で操作を
行い、ガスは窒素ガスを用い、グローブボックス内の乾
燥度は湿度計で５％以下であった。

【０１６９】つぎに、前記基体を前記溶液中に浸漬し
た。浸漬処理は、同じく乾燥雰囲気で行い、溶液温度は
２３℃で、浸漬時間は１時間行った。この処理において
化学吸着分子は基体表面の水酸基と脱塩酸反応をして、
低分子化学吸着層３２ができる。

【０１７０】つぎに、前記処理を終えた基体を流水洗浄
した。この処理において、ＳｉＣｌ基は、ＳｉＯＨ基と
なる。この流水洗浄は、１５分間実施し、超純水を用い
て行なった。

【０１７１】つぎに、化学吸着膜作成用溶液を調製し
た。化学吸着膜を構成する分子として長鎖アルキル基の
末端にジメチルシリル基を有し、他端にトリクロロシリ
ル基を有するＨ（ＣＨ₃ ）₂ Ｓｉ（ＣＨ₂ ）₁₈ＳｉＣｌ
₃ を用いた。前記分子の溶媒としてヘキサデカン８０重
量％、四塩化炭素１２重量％、クロロホルム８重量％の
混合溶媒を調製し、前記分子の濃度が１ミリモル／リッ
トルとなるように化学吸着溶液を調製した。これらの調
製は、乾燥雰囲気で行った。グローブボックス中で操作
を行い、ガスは窒素ガスを用い、グローブボックス内の
乾燥度は湿度計で５％以下であった。

【０１７２】つぎに、前記処理を終えた基体を前記溶液
中に浸漬した。浸漬処理は、同じく乾燥雰囲気で行い、
溶液温度は２３℃で、浸漬時間は１時間行った。この処
理において化学吸着分子は基体表面の水酸基と脱塩酸反
応をして、化学吸着膜３３ができる。

【０１７３】つぎに、前記処理を終えた基体を流水洗浄
した。この処理において、ＳｉＣｌ基は、隣の吸着分子
のＳｉＣｌ基と反応する。この流水洗浄は、１５分間実
施し、超純水を用いて行なった。

【０１７４】つぎに、酸化処理液を調製した。反応促進
剤のフッ化カリウム１４０ｍｇをメタノール５０ｍＬに
溶かし、また、炭酸水素カリウム２５０ｍｇをテトラヒ
ドロフラン５０ｍＬに溶かし、さらに、３０容量％過酸
化水素水２５ｍＬを加えて作成した。過酸化水素酸化
は、以下の手続きで行った。室温中で十分に撹拌溶解
後、２つの溶液を混合して、過酸化水素反応液を作成
し、この溶液中に上記化学吸着膜が形成された基板３１
を室温中、１０時間浸漬した。この浸漬処理によって、
化学吸着膜を形成する長鎖炭化水素分子末端のジメチル
シリル基のＣ−Ｓｉ結合は切断され、化学吸着膜３３の
長鎖炭化水素分子末端に水酸基が形成された。

【０１７５】つぎに、長鎖炭化水素分子末端がＯＨ基化
処理された基板を再度、化学式Ｈ（ＣＨ₃ ）₂ Ｓｉ（Ｃ
Ｈ₂ ）₁₈（ＣＨ₃ ）₂ ＳｉＣｌの化学吸着溶液に浸漬し
て２層目の化学吸着膜３４を形成した。なお、化学吸着
溶液の溶媒及び作成条件は前記と同じである。

【０１７６】つぎに、上述と同じ過酸化水素酸化を行
い、分子末端を水酸基に変化させ、さらに、化学式ＣＦ
₃ （ＣＨ₂ ）₁₈（ＣＨ₃ ）₂ ＳｉＣｌで示される化学吸
着溶液に前記処理を終えた基体を浸漬して３層目の化学
吸着膜３５を形成した。

【０１７７】つぎに、前記基体上の化学吸着膜表面に長
鎖炭化水素としてＣＨ₃ （ＣＦ₂ ） ₁₇ＣＨ₃ のクロロホ
ルム溶液を作成し、そこに前記処理済基体を浸漬した。
このときの溶液濃度は１．０グラム／リットルで、浸漬
スピード、引き上げスピード１．５ｍｍ／秒で行った。
形成はクリーンルーム雰囲気下でおこなった。この操作
により化学吸着表面に長鎖炭化水素の薄膜３６（約１ナ
ノメーター）が形成された。

【０１７８】以上の潤滑膜の構成の断面図を図５に示
す。前記処理済基体を用いて摺動試験を行なった。荷重
は、１００グラム重とし、鋼体球を用いて、１０センチ
メートルの範囲で摺動した。摺動数が増加しても動摩擦
係数は初期の値と変わらず一様であり、耐久性のある潤
滑膜が形成できた。磁気記録ディスク表面に本発明の累
積構造の潤滑膜を形成してＣＳＳテストを行い、２０万
回の走行テストをクリアした。

【０１７９】実施例１５ まず、基体として酸化鉄の粉体を高分子バインダーの中
に充填し、ディスク状に成形した。この薄膜表面には、
水酸基が露出は乏しく、薄膜表面に活性な水素は少数で
ある。

【０１８０】つぎに、低分子化学吸着剤用溶液を調製し
た。低分子化学吸着剤を構成する分子としてＳｉＣｌ₄
を用いた。その分子の溶媒としてヘキサデカン８０重量
％、四塩化炭素１２重量％、クロロホルム８重量％の混
合溶媒を調製し、前記分子の濃度が１ミリモル／リット
ルとなるように化学吸着溶液を調製した。これらの調製
は、乾燥雰囲気で行った。グローブボックス中で操作を
行い、ガスは窒素ガスを用い、グローブボックス内の乾
燥度は湿度計で５％以下であった。

【０１８１】つぎに、前記基体を前記溶液中に浸漬し
た。浸漬処理は、同じく乾燥雰囲気で行い、溶液温度は
２３℃で、浸漬時間は１時間行った。この処理において
化学吸着分子は基体表面の水酸基と脱塩酸反応をして、
低分子化学吸着層ができる。

【０１８２】つぎに、前記処理を終えた基体を流水洗浄
した。この処理において、ＳｉＣｌ基は、ＳｉＯＨ基と
なる。この流水洗浄は、１５分間実施し、超純水を用い
て行なった。

【０１８３】つぎに、化学吸着膜作成用溶液を調製し
た。化学吸着剤を構成する分子として長鎖アルキル基の
末端にビニル基を有し、他端にトリクロロシリル基を有
するＣＨ₂ ＝ＣＨ（ＣＨ₂ ）₁₈ＳｉＣｌ₃ を用いた。前
記分子の溶媒としてヘキサデカン８０重量％、四塩化炭
素１２重量％、クロロホルム８重量％の混合溶媒を調製
し、前記分子の濃度が１ミリモル／リットルとなるよう
に化学吸着溶液を調製した。これらの調製は、乾燥雰囲
気で行った。グローブボックス中で操作を行い、ガスは
窒素ガスを用い、グローブボックス内の乾燥度は湿度計
で５％以下であった。

【０１８４】つぎに、前記基体を前記溶液中に浸漬し
た。浸漬処理は、同じく乾燥雰囲気で行い、溶液温度は
２３℃で、浸漬時間は１時間行った。この処理において
化学吸着分子は基体表面の水酸基と脱塩酸反応をして、
化学吸着膜が形成できる。

【０１８５】つぎに、基体表面の水酸基と化学反応して
おらず物理吸着している化学吸着分子を取り除くためク
ロロホルムで洗浄を行った。化学吸着膜作成と同じ雰囲
気内で１５分間の撹拌洗浄を２回行った。

【０１８６】つぎに、前記処理を終えた基体を流水洗浄
した。この処理において、ＳｉＣｌ基は、隣の吸着分子
のＳｉＣｌ基と反応する。この流水洗浄は、１５分間実
施し、超純水を用いて行なった。

【０１８７】つぎに、エネルギー線照射を行った。この
実施例では電子線照射を実施した。ＳＵＳ製ホルダーの
上面をアルミホイルでカバーし、窒素ガスを導入できる
ようにした。照射用冶具を作成した。加速電圧３００ｋ
ｅＶ、電子電流５０マイクロアンペア、ガス圧１気圧、
温度室温、照射スピード（吸収線量率）０．０２Ｍｒａ
ｄ／ｓｅｃ、照射時間１００秒の条件で上記処理済み基
体に電子線照射を行った。この処理によって、化学吸着
膜を形成する長鎖炭化水素分子末端の不飽和基（この実
施例ではアルカン基）はイミノ基及び／またはアミノ基
に変化された。

【０１８８】つぎに、長鎖炭化水素分子末端がイミノ基
及び／またはアミノ基化処理された基板を再度、化学式
ＣＨ₂ ＝ＣＨ（ＣＨ₂ ）₁₈（ＣＨ₃ ）₂ ＳｉＣｌの化学
吸着溶液に浸漬して２層目の化学吸着膜を形成した。な
お、化学吸着溶液の溶媒及び作成条件は前記と同じであ
る。この処理おいて化学吸着累積膜が形成された。

【０１８９】つぎに、上述と同じ電子線照射を行い、分
子末端をイミノ基及び／またはアミノ基に変化させ、さ
らに、化学式ＣＦ₃ （ＣＨ₂ ）₁₈（ＣＨ₃ ）₂ ＳｉＣｌ
で示される化学吸着溶液に前記処理を終えた基体を浸漬
して３層目の化学吸着膜を形成した。

【０１９０】つぎに、前記基体上の化学吸着膜表面に長
鎖炭化水素としてＣＨ₃ （ＣＦ₂ ） ₁₇ＣＨ₃ のクロロホ
ルム溶液を作成し、そこに前記処理済基体を浸漬した。
このときの溶液濃度は１．０グラム／リットルで、浸漬
スピード、引き上げスピード１．５ｍｍ／秒で行った。
形成はクリーンルーム雰囲気下でおこなった。この操作
により化学吸着表面に長鎖炭化水素の薄膜（約１ナノメ
ーター）が形成された。

【０１９１】以上の潤滑膜の構成の断面図は図５と同様
である。前記処理済基体を用いて摺動試験を行なった。
荷重は、１００グラム重とし、鋼体球を用いて、１０セ
ンチメートルの範囲で摺動した。摺動数が増加しても動
摩擦係数は初期の値と変わらず一様であり、耐久性のあ
る潤滑膜が形成できた。磁気記録ディスク表面に本発明
の累積構造の潤滑膜を形成してＣＳＳテストを行い、２
０万回の走行テストをクリアした。

【０１９２】実施例１６ まず、基体として酸化鉄の粉体を高分子バインダーの中
に充填し、ディスク状に成形した。この薄膜表面には、
水酸基が露出は乏しく、薄膜表面に活性な水素は少数で
ある。

【０１９３】つぎに、低分子化学吸着剤用溶液を調製し
た。低分子化学吸着剤を構成する分子としてＳｉＣｌ₄
を用いた。その分子の溶媒としてヘキサデカン８０重量
％、四塩化炭素１２重量％、クロロホルム８重量％の混
合溶媒を調製し、前記分子の濃度が１ミリモル／リット
ルとなるように化学吸着溶液を調製した。これらの調製
は、乾燥雰囲気で行った。グローブボックス中で操作を
行い、ガスは窒素ガスを用い、グローブボックス内の乾
燥度は湿度計で５％以下であった。

【０１９４】つぎに、前記基体を前記溶液中に浸漬し
た。浸漬処理は、同じく乾燥雰囲気で行い、溶液温度は
２３℃で、浸漬時間は１時間行った。この処理において
化学吸着分子は基体表面の水酸基と脱塩酸反応をして、
低分子化学吸着層ができる。

【０１９５】つぎに、前記処理を終えた基体を流水洗浄
した。この処理において、ＳｉＣｌ基は、ＳｉＯＨ基と
なる。この流水洗浄は、１５分間実施し、超純水を用い
て行なった。

【０１９６】つぎに、化学吸着膜作成用溶液を調製し
た。化学吸着膜を構成する分子として長鎖アルキル基の
末端にジメチルシリル基を有し、他端にトリクロロシリ
ル基を有するＨ（ＣＨ₃ ）₂ Ｓｉ（ＣＨ₂ ）₁₈ＳｉＣｌ
₃ を用いた。前記分子の溶媒としてヘキサデカン８０重
量％、四塩化炭素１２重量％、クロロホルム８重量％の
混合溶媒を調製し、前記分子の濃度が１ミリモル／リッ
トルとなるように化学吸着溶液を調製した。これらの調
製は、乾燥雰囲気で行った。グローブボックス中で操作
を行い、ガスは窒素ガスを用い、グローブボックス内の
乾燥度は湿度計で５％以下であった。

【０１９７】つぎに、前記処理を終えた基体を前記溶液
中に浸漬した。浸漬処理は、同じく乾燥雰囲気で行い、
溶液温度は２３℃で、浸漬時間は１時間行った。この処
理において化学吸着分子は基体表面の水酸基と脱塩酸反
応をして、化学吸着膜ができる。

【０１９８】つぎに、基体表面の水酸基と化学反応して
おらず物理吸着している低分子化学吸着剤を取り除くた
めクロロホルムで洗浄を行った。前記処理と同じ雰囲気
内で１５分間の撹拌洗浄を２回行った。

【０１９９】つぎに、前記処理を終えた基体を流水洗浄
した。この処理において、ＳｉＣｌ基は、隣の吸着分子
のＳｉＣｌ基と反応する。この流水洗浄は、１５分間実
施し、超純水を用いて行なった。

【０２００】つぎに、酸化処理液を調製した。反応促進
剤のフッ化カリウム１４０ｍｇをメタノール５０ｍＬに
溶かし、また、炭酸水素カリウム２５０ｍｇをテトラヒ
ドロフラン５０ｍＬに溶かし、さらに、３０容量％過酸
化水素水２５ｍＬを加えて作成した。過酸化水素酸化
は、以下の手続きで行った。室温中で十分に撹拌溶解
後、２つの溶液を混合して、過酸化水素反応液を作成
し、この溶液中に上記化学吸着膜が形成された基板を室
温中、１０時間浸漬した。この浸漬処理によって、化学
吸着膜を形成する長鎖炭化水素分子末端のジメチルシリ
ル基のＣ−Ｓｉ結合は切断され、化学吸着膜の長鎖炭化
水素分子末端に水酸基が形成された。

【０２０１】つぎに、長鎖炭化水素分子末端がＯＨ基化
処理された基板を再度、化学式Ｈ（ＣＨ₃ ）₂ Ｓｉ（Ｃ
Ｈ₂ ）₁₈（ＣＨ₃ ）₂ ＳｉＣｌの化学吸着溶液に浸漬し
て２層目の化学吸着膜を形成した。なお、化学吸着溶液
の溶媒及び作成条件は前記と同じである。

【０２０２】つぎに、上述と同じ過酸化水素酸化を行
い、分子末端を水酸基に変化させ、さらに、化学式ＣＦ
₃ （ＣＨ₂ ）₁₈（ＣＨ₃ ）₂ ＳｉＣｌで示される化学吸
着溶液に前記処理を終えた基体を浸漬して３層目の化学
吸着膜を形成した。

【０２０３】つぎに、前記基体上の化学吸着膜表面に長
鎖炭化水素としてＣＨ₃ （ＣＦ₂ ） ₁₇ＣＨ₃ のクロロホ
ルム溶液を作成し、そこに前記処理済基体を浸漬した。
このときの溶液濃度は１．０グラム／リットルで、浸漬
スピード、引き上げスピード１．５ｍｍ／秒で行った。
形成はクリーンルーム雰囲気下でおこなった。この操作
により化学吸着表面に長鎖炭化水素の薄膜（約１ナノメ
ーター）が形成された。

【０２０４】以上の潤滑膜の構成の断面図を図５に示す
と同様になった。前記処理済基体を用いて摺動試験を行
なった。荷重は、１００グラム重とし、鋼体球を用い
て、１０センチメートルの範囲で摺動した。摺動数が増
加しても動摩擦係数は初期の値と変わらず一様であり、
耐久性のある潤滑膜が形成できた。磁気記録ディスク表
面に本発明の累積構造の潤滑膜を形成してＣＳＳテスト
を行い、２０万回の走行テストをクリアした。

【０２０５】実施例１７ まず、基体として酸化鉄の粉体を高分子バインダーの中
に充填し、ディスク状に成形した。この薄膜表面には、
水酸基が露出は乏しく、薄膜表面に活性な水素は少数で
ある。

【０２０６】つぎに、低分子化学吸着剤用溶液を調製し
た。低分子化学吸着剤を構成する分子としてＳｉＣｌ₄
という４つのトリクロロシリル基を有する化学吸着剤を
用いた。その分子の溶媒としてヘキサデカン８０重量
％、四塩化炭素１２重量％、クロロホルム８重量％の混
合溶媒を調製し、前記分子の濃度が１ミリモル／リット
ルとなるように化学吸着溶液を調製した。これらの調製
は、乾燥雰囲気で行った。グローブボックス中で操作を
行い、ガスは窒素ガスを用い、グローブボックス内の乾
燥度は湿度計で５％以下であった。

【０２０７】つぎに、前記基体を前記溶液中に浸漬し
た。浸漬処理は、同じく乾燥雰囲気で行い、溶液温度は
２３℃で、浸漬時間は１時間行った。この処理において
化学吸着分子は基体表面の水酸基と脱塩酸反応をして、
低分子化学吸着層ができる。

【０２０８】つぎに、基体表面の水酸基と化学反応して
おらず物理吸着している低分子化学吸着剤を取り除くた
めクロロホルムで洗浄を行った。前記処理と同じ雰囲気
内で１５分間の撹拌洗浄を２回行った。

【０２０９】つぎに、前記処理を終えた基体を流水洗浄
した。この処理において、ＳｉＣｌ基は、ＳｉＯＨ基と
なる。この流水洗浄は、１５分間実施し、超純水を用い
て行なった。

【０２１０】つぎに、化学吸着膜作成用溶液を調製し
た。化学吸着膜を構成する分子として長鎖アルキル基の
末端にビニル基を有し、他端にトリクロロシリル基を有
するＣＨ₂ ＝ＣＨ（ＣＨ₂ ）₁₈ＳｉＣｌ₃ を用いた。前
記分子の溶媒としてヘキサデカン８０重量％、四塩化炭
素１２重量％、クロロホルム８重量％の混合溶媒を調製
し、前記分子の濃度が１ミリモル／リットルとなるよう
に化学吸着溶液を調製した。これらの調製は、乾燥雰囲
気で行った。グローブボックス中で操作を行い、ガスは
窒素ガスを用い、グローブボックス内の乾燥度は湿度計
で５％以下であった。

【０２１１】つぎに、前記基体を前記溶液中に浸漬し
た。浸漬処理は、同じく乾燥雰囲気で行い、溶液温度は
２３℃で、浸漬時間は１時間行った。この処理において
化学吸着分子は基体表面の水酸基と脱塩酸反応をして、
化学吸着膜ができる。

【０２１２】つぎに、基体表面の水酸基と化学反応して
おらず物理吸着している化学吸着分子を取り除くためク
ロロホルムで洗浄を行った。化学吸着膜作成と同じ雰囲
気内で１５分間の撹拌洗浄を２回行った。

【０２１３】つぎに、前記処理を終えた基体を流水洗浄
した。この処理において、ＳｉＣｌ基は、隣の吸着分子
のＳｉＣｌ基と反応する。この流水洗浄は、１５分間実
施し、超純水を用いて行なった。

【０２１４】つぎに、エネルギー線照射を行った。この
実施例では電子線照射を実施した。ＳＵＳ製ホルダーの
上面をアルミホイルでカバーし、窒素ガスを導入できる
ようにした。照射用冶具を作成した。加速電圧３００ｋ
ｅＶ、電子電流５０マイクロアンペア、ガス圧１気圧、
温度室温、照射スピード（吸収線量率）０．０２Ｍｒａ
ｄ／ｓｅｃ、照射時間１００秒の条件で上記処理済み基
体に電子線照射を行った。この処理によって、化学吸着
膜を形成する長鎖炭化水素分子末端の不飽和基（この実
施例ではビニル基）はイミノ基及び／またはアミノ基に
変化された。

【０２１５】つぎに、長鎖炭化水素分子末端がイミノ基
及び／またはアミノ基化処理された基板を再度、化学式
ＣＨ₂ ＝ＣＨ（ＣＨ₂ ）₁₈（ＣＨ₃ ）₂ ＳｉＣｌの化学
吸着溶液に浸漬して２層目の化学吸着膜を形成した。な
お、化学吸着溶液の溶媒及び作成条件は前記と同じであ
る。この処理おいて化学吸着累積膜が形成された。

【０２１６】つぎに、上述と同じ電子線照射を行い、分
子末端をイミノ基及び／またはアミノ基に変化させ、さ
らに、化学式ＣＦ₃ （ＣＨ₂ ）₁₈（ＣＨ₃ ）₂ ＳｉＣｌ
で示される化学吸着溶液に前記処理を終えた基体を浸漬
して３層目の化学吸着膜を形成した。

【０２１７】つぎに、前記基体上の化学吸着膜表面に長
鎖炭化水素としてＣＨ₃ （ＣＦ₂ ） ₁₇ＣＨ₃ のクロロホ
ルム溶液を作成し、そこに前記処理済基体を浸漬した。
このときの溶液濃度は１．０グラム／リットルで、浸漬
スピード、引き上げスピード１．５ｍｍ／秒で行った。
形成はクリーンルーム雰囲気下でおこなった。この操作
により化学吸着表面に長鎖炭化水素の薄膜（約１ナノメ
ーター）が形成された。

【０２１８】以上の潤滑膜の構成の断面図は図５と同様
である。前記処理済基体を用いて摺動試験を行なった。
荷重は、１００グラム重とし、鋼体球を用いて、１０セ
ンチメートルの範囲で摺動した。摺動数が増加しても動
摩擦係数は初期の値と変わらず一様であり、耐久性のあ
る潤滑膜が形成できた。磁気記録ディスク表面に本発明
の累積構造の潤滑膜を形成してＣＳＳテストを行い、２
０万回の走行テストをクリアした。

【０２１９】実施例１８ まず、基体４１としてガラスを用い、そのガラス表面の
有機洗浄をアセトンを用いて行った。この薄膜表面に
は、水酸基が多数露出している。

【０２２０】つぎに、化学吸着膜作成用溶液を調製し
た。化学吸着膜を構成する分子として長鎖アルキル基の
末端にジメチルシリル基を有し、他端にトリクロロシリ
ル基を有するＨ（ＣＨ₃ ）₂ Ｓｉ（ＣＨ₂ ）₁₈ＳｉＣｌ
₃ を用いた。前記分子の溶媒としてヘキサデカン８０重
量％、四塩化炭素１２重量％、クロロホルム８重量％の
混合溶媒を調製し、前記分子の濃度が１ミリモル／リッ
トルとなるように化学吸着溶液を調製した。これらの調
製は、乾燥雰囲気で行った。グローブボックス中で操作
を行い、ガスは窒素ガスを用い、グローブボックス内の
乾燥度は湿度計で５％以下であった。

【０２２１】つぎに、前記基体４１を前記溶液中に浸漬
した。浸漬処理は、同じく乾燥雰囲気で行い、溶液温度
は２３℃で、浸漬時間は１時間行った。この処理におい
て化学吸着分子は基体表面の水酸基と脱塩酸反応をし
て、化学吸着膜４２ができる。

【０２２２】つぎに、前記処理を終えた基体を流水洗浄
した。この処理において、ＳｉＣｌ基は、隣の吸着分子
のＳｉＣｌ基と反応する。この流水洗浄は、１５分間実
施し、超純水を用いて行なった。

【０２２３】つぎに、酸化処理液を調製した。反応促進
剤のフッ化カリウム１４０ｍｇをメタノール５０ｍＬに
溶かし、また、炭酸水素カリウム２５０ｍｇをテトラヒ
ドロフラン５０ｍＬに溶かし、さらに、３０容量％過酸
化水素水２５ｍＬを加えて作成した。過酸化水素酸化
は、以下の手続きで行った。室温中で十分に撹拌溶解
後、２つの溶液を混合して、過酸化水素反応液を作成
し、この溶液中に上記化学吸着膜が形成された基板４１
を室温中、１０時間浸漬した。この浸漬処理によって、
化学吸着膜４２を形成する長鎖炭化水素分子末端のジメ
チルシリル基のＣ−Ｓｉ結合は切断され、化学吸着膜４
２の長鎖炭化水素分子末端に水酸基が形成された。

【０２２４】つぎに、長鎖炭化水素分子末端がＯＨ基化
処理された基板４１を再度、化学式Ｈ（ＣＨ₃ ）₂ Ｓｉ
（ＣＨ₂ ）₁₈（ＣＨ₃ ）₂ ＳｉＣｌの化学吸着溶液に浸
漬して２層目の化学吸着膜４３を形成した。なお、化学
吸着溶液の溶媒及び作成条件は前記と同じである。

【０２２５】つぎに、上述と同じ過酸化水素酸化を行
い、分子末端を水酸基に変化させ、さらに、化学式ＣＦ
₃ （ＣＨ₄ ）₁₈（ＣＨ₃ ）₂ ＳｉＣｌで示される化学吸
着溶液に前記処理を終えた基体４１を浸漬して３層目の
化学吸着膜４４を形成した。

【０２２６】次に、上記処理を終えた基体４１表面に長
鎖炭化水素の薄膜４５を形成して、潤滑膜とした。以上
の潤滑膜の構成の断面図を図６に示す。５０００回の摺
動試験で０．１以下の動摩擦係数が得られた。

【０２２７】実施例１９ まず、基体５１として酸化鉄の粉体を高分子バインダー
の中に充填し、ディスク状に成形し、その表面にシリコ
ン酸化物の薄膜を形成した。この薄膜表面には、水酸基
が露出しており、薄膜表面に活性な水素が数多く存在し
ている。

【０２２８】つぎに、化学吸着膜作成用溶液を調製し
た。化学吸着膜を構成する分子として長鎖アルキル基の
末端にビニル基を有し、他端にトリクロロシリル基を有
するＣＨ₂ ＝ＣＨ（ＣＨ₂ ）₁₈ＳｉＣｌ₃ を用いた。前
記分子の溶媒としてヘキサデカン８０重量％、四塩化炭
素１２重量％、クロロホルム８重量％の混合溶媒を調製
し、前記分子の濃度が１ミリモル／リットルとなるよう
に化学吸着溶液を調製した。これらの調製は、乾燥雰囲
気で行った。グローブボックス中で操作を行い、ガスは
窒素ガスを用い、グローブボックス内の乾燥度は湿度計
で５％以下であった。

【０２２９】つぎに、前記基体５１を前記溶液中に浸漬
した。浸漬処理は、同じく乾燥雰囲気で行い、溶液温度
は２３℃で、浸漬時間は１時間行った。この処理におい
て化学吸着分子は基体表面の水酸基と脱塩酸反応をし
て、化学吸着膜５２が形成できる。

【０２３０】つぎに、基体表面の水酸基と化学反応して
おらず物理吸着している化学吸着分子を取り除くためク
ロロホルムで洗浄を行った。化学吸着膜作成と同じ雰囲
気内で１５分間の撹拌洗浄を２回行った。

【０２３１】つぎに、前記処理を終えた基体を流水洗浄
した。この処理において、ＳｉＣｌ基は、隣の吸着分子
のＳｉＣｌ基と反応する。この流水洗浄は、１５分間実
施し、超純水を用いて行なった。

【０２３２】つぎに、エネルギー線照射を行った。この
実施例では電子線照射を実施した。ＳＵＳ製ホルダーの
上面をアルミホイルでカバーし、窒素ガスを導入できる
ようにした。照射用冶具を作成した。加速電圧３００ｋ
ｅＶ、電子電流５０マイクロアンペア、ガス圧１気圧、
温度室温、照射スピード（吸収線量率）０．０２Ｍｒａ
ｄ／ｓｅｃ、照射時間１００秒の条件で上記処理済み基
体に電子線照射を行った。この処理によって、化学吸着
膜を形成する長鎖炭化水素分子末端の不飽和基（この実
施例ではアルカン基）はイミノ基及び／またはアミノ基
に変化した。

【０２３３】つぎに、化学吸着膜作成用溶液を調製し
た。化学吸着膜を構成する分子として長鎖アルキル基の
末端に複数のフッ化炭素基を有し、他端にモノクロロシ
リル基を有するＣＦ₃ （ＣＦ₂ ）₆ （ＣＨ₂ ）₃ （ＣＨ
₃ ）₂ ＳｉＣｌと末端にメチル基を有し、他端にモノク
ロロシリル基を有するＣＨ₃ （ＣＨ₂ ）₁₈（ＣＨ₃ ）₂
ＳｉＣｌを用いた。前記分子の溶媒としてヘキサデカン
８０重量％、四塩化炭素１２重量％、クロロホルム８重
量％の混合溶媒を調製し、前記両分子の濃度が１ミリモ
ル／リットルとなるように化学吸着溶液を調製した。こ
れらの調製は、乾燥雰囲気で行った。グローブボックス
中で操作を行い、ガスは窒素ガスを用い、グローブボッ
クス内の乾燥度は湿度計で５％以下であった。

【０２３４】つぎに、前記化学吸着膜５２が形成された
基体５１を前記溶液中に浸漬した。浸漬処理は、同じく
乾燥雰囲気で行い、溶液温度は２３℃で、浸漬時間は１
時間行った。この処理において化学吸着分子は、化学吸
着膜５２表面のイミノ基と脱塩酸反応をして（化１４）
及び（化１５）に示すように２種類の化学吸着分子が均
等に吸着した化学吸着膜５３を形成した。

【０２３５】

【化１４】

【０２３６】

【化１５】

【０２３７】つぎに、反応していない分子を基体上から
取り除くため、クロロホルムで洗浄した。この処理も乾
燥雰囲気で行なった。洗浄操作は、２０分間の浸漬を２
回行なった。その後、乾燥雰囲気中でクロロホルムを蒸
発させ、乾燥雰囲気外へ取り出した。

【０２３８】つぎに、前記処理を終えた基体を流水洗浄
した。この流水洗浄は、１５分間実施し、超純水を用い
て行なった。つぎに、前記基体上の化学吸着膜表面に長
鎖炭化水素としてＣＨ₃ （ＣＦ₂ ） ₁₇ＣＨ₃ のクロロホ
ルム溶液を作成し、そこに前記処理済基体を浸漬した。
このときの溶液濃度は１．０グラム／リットルで、浸漬
スピード、引き上げスピード１．５ｍｍ／秒で行った。
形成はクリーンルーム雰囲気下でおこなった。この操作
により化学吸着表面に長鎖炭化水素の薄膜５４（約１ナ
ノメーター）が形成された。以上の潤滑膜の構成の断面
図を図７に示すと同様になった。

【０２３９】磁気記録ディスク表面に本発明の潤滑膜を
形成してＣＳＳテストを行い、２０万回の走行テストを
クリアした。 実施例２０ まず、基体６１として酸化鉄の粉体を高分子バインダー
の中に充填し、ディスク状に成形し、その表面にシリコ
ン酸化物の薄膜を形成した。この薄膜表面には、水酸基
が露出しており、薄膜表面に活性な水素が数多く存在し
ている。

【０２４０】つぎに、化学吸着膜作成用溶液を調製し
た。化学吸着膜を構成する分子として長鎖アルキル基の
末端にビニル基を有し、他端にトリクロロシリル基を有
するＣＨ₂ ＝ＣＨ（ＣＨ₂ ）₁₈ＳｉＣｌ₃ を用いた。前
記分子の溶媒としてヘキサデカン８０重量％、四塩化炭
素１２重量％、クロロホルム８重量％の混合溶媒を調製
し、前記分子の濃度が１ミリモル／リットルとなるよう
に化学吸着溶液を調製した。これらの調製は、乾燥雰囲
気で行った。グローブボックス中で操作を行い、ガスは
窒素ガスを用い、グローブボックス内の乾燥度は湿度計
で５％以下であった。

【０２４１】つぎに、前記基体６１を前記溶液中に浸漬
した。浸漬処理は、同じく乾燥雰囲気で行い、溶液温度
は２３℃で、浸漬時間は１時間行った。この処理におい
て化学吸着分子は基体表面の水酸基と脱塩酸反応をし
て、化学吸着膜６２が形成できる。

【０２４２】つぎに、基体表面の水酸基と化学反応して
おらず物理吸着している化学吸着分子を取り除くためク
ロロホルムで洗浄を行った。化学吸着膜作成と同じ雰囲
気内で１５分間の撹拌洗浄を２回行った。

【０２４３】つぎに、前記処理を終えた基体を流水洗浄
した。この処理において、ＳｉＣｌ基は、隣の吸着分子
のＳｉＣｌ基と反応する。この流水洗浄は、１５分間実
施し、超純水を用いて行なった。

【０２４４】つぎに、エネルギー線照射を行った。この
実施例では電子線照射を実施した。ＳＵＳ製ホルダーの
上面をアルミホイルでカバーし、窒素ガスを導入できる
ようにした。照射用冶具を作成した。加速電圧３００ｋ
ｅＶ、電子電流５０マイクロアンペア、ガス圧１気圧、
温度室温、照射スピード（吸収線量率）０．０２Ｍｒａ
ｄ／ｓｅｃ、照射時間１００秒の条件で上記処理済み基
体に電子線照射を行った。この処理によって、化学吸着
膜を形成する長鎖炭化水素分子末端の不飽和基（この実
施例ではアルカン基）はイミノ基及び／またはアミノ基
に変化した。

【０２４５】つぎに、化学吸着膜作成用溶液を調製し
た。化学吸着膜を構成する分子として長鎖アルキル基の
末端に複数のフッ化炭素基を有し、かつ、側鎖の末端に
メチル基を有し、他端にトリクロロシリル基を有する
（化１６）に示すものを用いた。

【０２４６】

【化１６】

【０２４７】前記分子の溶媒としてヘキサデカン８０重
量％、四塩化炭素１２重量％、クロロホルム８重量％の
混合溶媒を調製し、前記両分子の濃度が１ミリモル／リ
ットルとなるように化学吸着溶液を調製した。これらの
調製は、乾燥雰囲気で行った。グローブボックス中で操
作を行い、ガスは窒素ガスを用い、グローブボックス内
の乾燥度は湿度計で５％以下であった。

【０２４８】つぎに、前記化学吸着膜６２を形成した基
体６１を前記溶液中に浸漬した。浸漬処理は、同じく乾
燥雰囲気で行い、溶液温度は２３℃で、浸漬時間は１時
間行った。この処理において化学吸着分子は化学吸着膜
６２表面のイミノ基と脱塩酸反応をして（化１７）に示
すように化学吸着膜６３が形成した。

【０２４９】

【化１７】

【０２５０】つぎに、反応していない分子を基体上から
取り除くため、クロロホルムで洗浄した。この処理も乾
燥雰囲気で行なった。洗浄操作は、２０分間の浸漬を２
回行なった。その後、乾燥雰囲気中でクロロホルムを蒸
発させ、乾燥雰囲気外へ取り出した。

【０２５１】つぎに、前記処理を終えた基体を流水洗浄
した。この流水洗浄は、１５分間実施し、超純水を用い
て行なった。つぎに、前記基体上の化学吸着膜表面に長
鎖炭化水素としてＣＨ₃ （ＣＦ₂ ） ₁₇ＣＨ₃ のクロロホ
ルム溶液を作成し、そこに前記処理済基体を浸漬した。
このときの溶液濃度は１．０グラム／リットルで、浸漬
スピード、引き上げスピード１．５ｍｍ／秒で行った。
形成はクリーンルーム雰囲気下でおこなった。この操作
により化学吸着表面に長鎖炭化水素の薄膜６４（約１ナ
ノメーター）が形成された。以上の潤滑膜の構成の断面
図を図８に示すと同様になった。。

【０２５２】磁気記録ディスク表面に本発明の潤滑膜を
形成してＣＳＳテストを行い、２０万回の走行テストを
クリアした。 実施例２１ まず、基体としてＳＵＳ基体７１の水酸基数の増加を行
った。低分子化学吸着剤用溶液を調製した。低分子化学
吸着剤層を構成する分子としてＳｉＣｌ₄ という４つの
トリクロロシリル基を有する化学吸着剤を用いた。その
分子の溶媒としてヘキサデカン８０重量％、四塩化炭素
１２重量％、クロロホルム８重量％の混合溶媒を調製
し、前記分子の濃度が１ミリモル／リットルとなるよう
に化学吸着溶液を調製した。これらの調製は、乾燥雰囲
気で行った。グローブボックス中で操作を行い、ガスは
窒素ガスを用い、グローブボックス内の乾燥度は湿度計
で５％以下であった。

【０２５３】つぎに、前記基体を前記溶液中に浸漬し
た。浸漬処理は、同じく乾燥雰囲気で行い、溶液温度は
２３℃で、浸漬時間は１時間行った。この処理において
化学吸着分子は基体表面の水酸基と脱塩酸反応をして、
低分子化学吸着剤層７２ができる。

【０２５４】つぎに、基体表面の水酸基と化学反応して
おらず物理吸着している低分子化学吸着剤を取り除くた
めクロロホルムで洗浄を行った。前記処理と同じ雰囲気
内で１５分間の撹拌洗浄を２回行った。

【０２５５】つぎに、前記処理を終えた基体を流水洗浄
した。この処理において、ＳｉＣｌ基は、ＳｉＯＨ基と
なる。この流水洗浄は、１５分間実施し、超純水を用い
て行なった。

【０２５６】つぎに、化学吸着膜作成用溶液を調製し
た。化学吸着膜を構成する分子として長鎖アルキル基の
末端にビニル基を有し、他端にトリクロロシリル基を有
するＣＨ₂ ＝ＣＨ（ＣＨ₂ ）₁₈ＳｉＣｌ₃ を用いた。前
記分子の溶媒としてヘキサデカン８０重量％、四塩化炭
素１２重量％、クロロホルム８重量％の混合溶媒を調製
し、前記分子の濃度が１ミリモル／リットルとなるよう
に化学吸着溶液を調製した。これらの調製は、乾燥雰囲
気で行った。グローブボックス中で操作を行い、ガスは
窒素ガスを用い、グローブボックス内の乾燥度は湿度計
で５％以下であった。

【０２５７】つぎに、前記基体を前記溶液中に浸漬し
た。浸漬処理は、同じく乾燥雰囲気で行い、溶液温度は
２３℃で、浸漬時間は１時間行った。この処理において
化学吸着分子は基体表面の水酸基と脱塩酸反応をして、
化学吸着膜７３ができる。

【０２５８】つぎに、基体表面の水酸基と化学反応して
おらず物理吸着している化学吸着分子を取り除くためク
ロロホルムで洗浄を行った。化学吸着膜作成と同じ雰囲
気内で１５分間の撹拌洗浄を２回行った。

【０２５９】つぎに、前記処理を終えた基体を流水洗浄
した。この処理において、ＳｉＣｌ基は、隣の吸着分子
のＳｉＣｌ基と反応する。この流水洗浄は、１５分間実
施し、超純水を用いて行なった。

【０２６０】つぎに、エネルギー線照射を行った。この
実施例では電子線照射を実施した。ＳＵＳ製ホルダーの
上面をアルミホイルでカバーし、窒素ガスを導入できる
ようにした。照射用冶具を作成した。加速電圧３００ｋ
ｅＶ、電子電流５０マイクロアンペア、ガス圧１気圧、
温度室温、照射スピード（吸収線量率）０．０２Ｍｒａ
ｄ／ｓｅｃ、照射時間１００秒の条件で上記処理済み基
体に電子線照射を行った。この処理によって、化学吸着
膜を形成する長鎖炭化水素分子末端の不飽和基（この実
施例ではアルカン基）はイミノ基及び／またはアミノ基
に変化された。

【０２６１】つぎに、長鎖炭化水素分子末端がイミノ基
及び／またはアミノ基化処理された基板を再度、化学式
ＣＨ₂ ＝ＣＨ（ＣＨ₂ ）₁₈（ＣＨ₃ ）₂ ＳｉＣｌの化学
吸着溶液に浸漬して２層目の化学吸着膜を形成した。な
お、化学吸着溶液の溶媒及び作成条件は前記と同じであ
る。この処理おいて化学吸着累積膜７４が形成された。

【０２６２】つぎに、上述と同じ電子線照射を行い、分
子末端をイミノ基及び／またはアミノ基に変化させ、さ
らに、化学式ＣＦ₃ （ＣＨ₂ ）₁₈（ＣＨ₃ ）₂ ＳｉＣｌ
で示される化学吸着溶液に前記処理を終えた基体を浸漬
して３層目の化学吸着膜７５を形成した。

【０２６３】つぎに、前記基体上の化学吸着膜表面に長
鎖炭化水素としてＣＨ₃ （ＣＦ₂ ） ₁₇ＣＨ₃ のクロロホ
ルム溶液を作成し、そこに前記処理済基体を浸漬した。
このときの溶液濃度は１．０グラム／リットルで、浸漬
スピード、引き上げスピード１．５ｍｍ／秒で行った。
形成はクリーンルーム雰囲気下でおこなった。この操作
により化学吸着表面に長鎖炭化水素の薄膜７６（約１ナ
ノメーター）が形成された。

【０２６４】以上の潤滑膜の構成の断面図は図９と同様
である。前記処理済基体を用いて摺動試験を行なった。
荷重は、１００グラム重とし、鋼体球を用いて、１０セ
ンチメートルの範囲で摺動した。摺動数が増加しても動
摩擦係数は初期の値と変わらず一様であり、耐久性のあ
る潤滑膜が形成できた。５０００回の摺動試験で０．１
の動摩擦係数が得られた。

【０２６５】実施例２２ 半導体プロセスを駆使して、シリコン基体表面上にミク
ロンレベルの歯車を形成した。上記歯車表面に実施例１
に示す方法によって潤滑膜を形成した。本発明により歯
車と軸との摺動ならびに歯車同志の摺動が潤滑になり、
回転にむらが生じず、また、プロセスのばらつきをカバ
ーできるようになった。

【０２６６】なお、化学吸着単分子膜表面に塗布する有
機分子が長鎖炭化水素系脂肪酸及び脂肪酸エステル、シ
リコン誘導体、脂肪酸塩、脂肪酸アミド、フッ素化炭素
誘導体のうち少なくとも１種類であればよい。

【０２６７】実施例２３ まず、基体として酸化鉄の粉体を高分子バインダーの中
に充填し、ディスク状に成形し、その表面にシリコン酸
化物の薄膜を形成した。この薄膜表面には、水酸基が露
出しており、薄膜表面に活性な水素が数多く存在してい
る。

【０２６８】つぎに、化学吸着膜作成用溶液を調製し
た。化学吸着膜を構成する分子として長鎖アルキル基の
末端にジメチルシリル基を有し、他端にトリクロロシリ
ル基を有するＨ（ＣＨ₃ ）₂ Ｓｉ（ＣＨ₂ ）₁₈ＳｉＣｌ
₃ を用いた。前記分子の濃度が１ミリモル／リットルと
なるように前記化学吸着分子のクロロホルム溶液を調製
した。これらの調製は、乾燥雰囲気で行った。グローブ
ボックス中で操作を行い、ガスは窒素ガスを用い、グロ
ーブボックス内の乾燥度は湿度計で５％以下であった。

【０２６９】つぎに、前記クロロホルム溶液を加温し、
かつ、超音波振動を与えて前記化学吸着分子が飛散し易
い条件を作り、乾燥雰囲気で前記基体の暴露を行った。
暴露時間は１時間行った。この処理において化学吸着分
子は基体表面の水酸基と脱塩酸反応をして、化学吸着膜
ができた。

【０２７０】つぎに、前記処理を終えた基体を流水洗浄
した。この処理において、ＳｉＣｌ基は、隣の吸着分子
のＳｉＣｌ基と反応する。この流水洗浄は、１５分間実
施し、超純水を用いて行なった。

【０２７１】つぎに、酸化処理液を調製した。反応促進
剤のフッ化カリウム１４０ｍｇをメタノール５０ｍＬに
溶かし、また、炭酸水素カリウム２５０ｍｇをテトラヒ
ドロフラン５０ｍＬに溶かし、さらに、３０容量％過酸
化水素水２５ｍＬを加えて作成した。過酸化水素酸化
は、以下の手続きで行った。室温中で十分に撹拌溶解
後、２つの溶液を混合して、過酸化水素反応液を作成
し、この溶液中に上記化学吸着膜が形成された基板を室
温中、１０時間浸漬した。この浸漬処理によって、化学
吸着膜を形成する長鎖炭化水素分子末端のジメチルシリ
ル基のＣ−Ｓｉ結合は切断され、化学吸着膜の長鎖炭化
水素分子末端に水酸基が形成された。

【０２７２】つぎに、長鎖炭化水素分子末端がＯＨ基化
処理された基板を再度、化学式Ｈ（ＣＨ₃ ）₂ Ｓｉ（Ｃ
Ｈ₂ ）₁₈（ＣＨ₃ ）₂ ＳｉＣｌの化学吸着溶液に浸漬し
て２層目の化学吸着膜を形成した。なお、化学吸着溶液
の溶媒及び作成条件は前記と同じである。

【０２７３】つぎに、上述と同じ過酸化水素酸化を行
い、分子末端を水酸基に変化させ、さらに、化学式ＣＦ
₃ （ＣＨ₂ ）₁₈（ＣＨ₃ ）₂ ＳｉＣｌで示される化学吸
着溶液に前記処理を終えた基体を浸漬して３層目の化学
吸着膜を形成した。

【０２７４】以上の潤滑膜の構成の断面図を図１と同様
になった。なお、以上の実施例では、おもに記録媒体の
潤滑剤について示したが、ハードディスクのほか、磁気
テープ、磁気カード、光磁気記録ディスク、メモリーカ
ード、また、クランク、シャフト、ベアリング、マイク
ロメカニクスの摺動部にも有効に使用できることは勿論
である。

【０２７５】

【発明の効果】以上説明した通り本発明によれば、潤滑
膜を必要とする基体の少なくとも一方の表面に、長鎖状
分子を化学結合させた化学吸着膜を形成し、さらにその
上に化学吸着膜の累積膜を形成することにより、例え
ば、磁気ヘッドや磁気テープなどの磁気記録媒体の走行
時に接触する各種部材などとの摩擦によって、前記化学
吸着膜が柔軟性を備えることにより、削り落とされるこ
となく、滑走耐久性、走行性、耐摩耗性に優れ、それを
長期間維持することができる。この効果は、記録媒体だ
けでなくあらゆる摺動部材に応用できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１，２，３，４，５，２３の潤
滑膜の断面図

【図２】本発明の一実施例の摺動試験結果

【図３】本発明の実施例６，７，８，９の潤滑膜の断面
図

【図４】本発明の実施例１０，１１，１２，１３の潤滑
膜の断面図

【図５】本発明の実施例１４，１５，１６，１７の潤滑
膜の断面図

【図６】本発明の実施例１８の潤滑膜の断面図

【図７】本発明の実施例１９の潤滑膜の断面図

【図８】本発明の実施例２０の潤滑膜の断面図

【図９】本発明の実施例２１の潤滑膜の断面図

【符号の説明】

１，１１，２１，３１，５１，６１：酸化鉄の粉体を高
分子バインダーの中に充填し、ディスク状に成形し、そ
の表面にシリコン酸化物の薄膜を形成した基体 ２，３，４，１２，１３，１４，２３，２４，２５，３
３，３４，３５，４２，４３，４４，５２，６２，６
３，７３，７４：化学吸着膜 １５，３６，４５，５４，６４，７５：長鎖炭化水素の
薄膜 ２２，３２，７２：低分子化学吸着剤層 ４１：ガラス基体 ５３：異なる２分子からなる化学吸着膜 ６３：側鎖を持つ化学吸着膜 ７１：ステンレス鋼（ＳＵＳ）基体

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁵ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ１０Ｎ 40:02 40:18 50:08 70:00

Claims (20)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基体の少なくとも一方の表面に、炭素鎖
   有機分子を含む化学吸着膜が基体表面と共有結合によっ
   て形成され、その表面に単官能Ｚ−結合（ただし、Ｚは
   Ｓｉ，Ｔｉ，Ｓｎから選ばれる少なくとも一つの元素）
   を介して炭素鎖有機分子を含む化学吸着膜が累積形成さ
   れている潤滑膜。
2. 【請求項２】 基体の少なくとも一方の表面に、シロキ
   サン結合を含むシロキサン系化学吸着膜が基体表面と共
   有結合によって形成され、その表面に炭素鎖有機分子を
   含む化学吸着膜が基体表面と共有結合によって形成さ
   れ、その表面に単官能Ｓｉ−結合を介して炭素鎖有機分
   子を含む化学吸着膜が累積形成されている潤滑膜。
3. 【請求項３】 累積形成された化学吸着膜の最外層に炭
   素鎖を含む有機化合物が物理吸着されている請求項１ま
   たは２に記載の潤滑膜。
4. 【請求項４】 化学吸着膜の化学結合が、（化１），
   （化２），（化３）から選ばれる少なくとも一つの結合
   である請求項１または２に記載の潤滑膜。 【化１】 【化２】 【化３】
5. 【請求項５】 化学吸着膜の累積膜の少なくとも表面を
   構成する長鎖有機分子が、フッ化炭素基を含む請求項１
   または請求項２に記載の潤滑膜。
6. 【請求項６】 化学吸着膜を構成する炭素鎖有機分子の
   炭素数が、８以上３０以下である請求項１または請求項
   ２に記載の潤滑膜。
7. 【請求項７】 基体が、セラミック、金属、樹脂、木
   材、繊維、紙、無機物、情報記録媒体層である請求項１
   または請求項２に記載の潤滑膜。
8. 【請求項８】 化学吸着膜を構成する炭素鎖有機分子
   が、側鎖を有している請求項１または請求項２に記載の
   潤滑膜。
9. 【請求項９】 化学吸着膜を構成する炭素鎖有機分子の
   前記長鎖有機分子が、２種類以上の分子の混合物である
   請求項１または請求項２に記載の潤滑膜。
10. 【請求項１０】 物理吸着させた有機化合物が、長鎖炭
    化水素、長鎖炭化水素系脂肪酸、脂肪酸エステル、シリ
    コン誘導体、脂肪酸塩、脂肪酸アミド、フッ素化炭素誘
    導体から選ばれる少なくとも１種類である請求項３に記
    載の潤滑膜。
11. 【請求項１１】 基体上に潤滑膜を製造する方法であっ
    て、基体の少なくとも一方の表面に炭素鎖有機分子を含
    む化学吸着化合物を接触させて基体表面と低分子脱離反
    応を起こさせ化学吸着膜を形成し、次に前記化学吸着膜
    の表面に活性水素基を導入し、次に分子末端が単官能Ｚ
    −Ｘ化合物（ただし、ＺはＳｉ，Ｔｉ，Ｓｎから選ばれ
    る少なくとも一つの元素、Ｘはハロゲン元素）を接触さ
    せて前記活性水素基と低分子脱離反応を起こさせ化学吸
    着累積膜を少なくとも１層形成することを特徴とする潤
    滑膜の製造方法。
12. 【請求項１２】 基体上に潤滑膜を製造する方法であっ
    て、基体の少なくとも一方の表面にシロキサン結合を含
    むシロキサン系化学吸着化合物を接触させて基体表面と
    低分子脱離反応を起こさせシロキサン系化学吸着膜を形
    成し、前記シロキサン系化学吸着膜の表面に炭素鎖有機
    分子を含む化学吸着化合物を接触させてと低分子脱離反
    応を起こさせ化学吸着膜を形成し、次に前記化学吸着膜
    の表面に活性水素基を導入し、次に分子末端が単官能Ｚ
    −Ｘ化合物（ただし、ＺはＳｉ，Ｔｉ，Ｓｎから選ばれ
    る少なくとも一つの元素、Ｘはハロゲン元素）を接触さ
    せて前記活性水素基と低分子脱離反応を起こさせ化学吸
    着累積膜を少なくとも１層形成することを特徴とする潤
    滑膜の製造方法。
13. 【請求項１３】 活性水素基を導入する手段が、エネル
    ギー照射、酸化処理、アルカリ処理から選ばれる少なく
    とも一つの手段である請求項１１または１２に記載の潤
    滑膜の製造方法。
14. 【請求項１４】 シロキサン系化学吸着膜、その表層の
    化学吸着膜、または化学吸着累積膜のいずれかを形成す
    る際、低分子脱離反応の工程の後、非水系有機溶液を用
    いて未反応化学吸着剤を除去し、単分子化学吸着膜を形
    成する請求項１１または１２に記載の潤滑膜の製造方
    法。
15. 【請求項１５】 累積形成された化学吸着膜の最外層に
    炭素鎖を含む有機化合物をコーティングして物理吸着さ
    せた請求項１１または１２に記載の潤滑膜。
16. 【請求項１６】 シロキサン系化学吸着化合物が、テト
    ラクロロシラン、トリクロロシラン、ＳｉＣｌ₃ −（Ｏ
    −ＳｉＣｌ₂ ）_n −Ｏ−ＳｉＣｌ₃ （ｎは０及び正の整
    数）から選ばれる少なくとも１種類である請求項１２に
    記載の潤滑膜の製造方法。
17. 【請求項１７】 シロキサン系化学吸着膜、その表層の
    化学吸着膜、または化学吸着累積膜のいずれかを形成す
    る工程が、化学吸着化合物の溶液に浸漬する工程、また
    は化学吸着化合物の蒸気中に接触させる工程である請求
    項１１または１２に記載の潤滑膜の製造方法。
18. 【請求項１８】 シロキサン系化学吸着膜、その表層の
    化学吸着膜、または化学吸着累積膜のいずれかを形成す
    る工程が、相対湿度３５％以下である請求項１１または
    １２に記載の潤滑膜の製造方法。
19. 【請求項１９】 活性水素基が、水酸基、アミノ基の水
    素、イミノ基の水素、カルボキシル基の水素、チオール
    基の水素、カルボニル基のアルファ位の水素、シアノ基
    のアルファ位の水素、ニトロ基のアルファ位の水素、２
    重結合のアルファ位の水素、ベンジル位の水素、スルフ
    ォン酸基の水素、スルフィン酸基の水素、リン酸基の水
    素である請求項１１または１２に記載の潤滑膜の製造方
    法。
20. 【請求項２０】 エネルギー照射に用いるエネルギー線
    がＸ線、電子線、ガンマ線から選ばれる少なくとも一つ
    である請求項１３に記載の潤滑膜の製造方法。