JPH05179026A - 帯電防止膜の製造方法 - Google Patents
帯電防止膜の製造方法Info
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- JPH05179026A JPH05179026A JP4109875A JP10987592A JPH05179026A JP H05179026 A JPH05179026 A JP H05179026A JP 4109875 A JP4109875 A JP 4109875A JP 10987592 A JP10987592 A JP 10987592A JP H05179026 A JPH05179026 A JP H05179026A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 化学吸着法を用いて導電基を化学吸着膜の分
子内に導入することにより、きわめて薄いナノメータレ
ベルの膜厚の帯電防止膜を基体表面に、基体本来の機能
を損なうことなく形成する。 【構成】 フィルム基材２１表面の水酸基にたとえばＳ
ｉＣｌ4 を接触させ、加水分解することによりシロキサ
ン単分子膜２３を得る。次にたとえばＨＳｉ（ＣＨ3 ）
2 （ＣＨ2 ）19ＳｉＣｌ3 を含む非水溶液を接触させて
化学吸着単分子膜２４を形成する。次にアルカリ処理ま
たは酸化処理により単分子膜２４の末端を水酸基２５な
どの帯電防止基に変性する。
子内に導入することにより、きわめて薄いナノメータレ
ベルの膜厚の帯電防止膜を基体表面に、基体本来の機能
を損なうことなく形成する。 【構成】 フィルム基材２１表面の水酸基にたとえばＳ
ｉＣｌ4 を接触させ、加水分解することによりシロキサ
ン単分子膜２３を得る。次にたとえばＨＳｉ（ＣＨ3 ）
2 （ＣＨ2 ）19ＳｉＣｌ3 を含む非水溶液を接触させて
化学吸着単分子膜２４を形成する。次にアルカリ処理ま
たは酸化処理により単分子膜２４の末端を水酸基２５な
どの帯電防止基に変性する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、帯電防止に関するもの
である。さらに詳しくは、オーバーヘッドプロジェクタ
ー用フィルム、映画フィルム、ビデオフィルム、写真フ
ィルム、録音フィルム等で代表されるフィルム類および
電子銃からなるディスプレイ、エレクトロルミネッセン
スディスプレイやプラズマディスプレイ、液晶ディスプ
レイ等で代表されるディスプレイ、さらに映画や投射型
テレビやオーバーヘッドプロジェクターで使用されるス
クリーン等および衣類、カーテン等で代表される繊維加
工品等の表面に帯電防止効果の高い膜を製造する方法に
関するものである。
である。さらに詳しくは、オーバーヘッドプロジェクタ
ー用フィルム、映画フィルム、ビデオフィルム、写真フ
ィルム、録音フィルム等で代表されるフィルム類および
電子銃からなるディスプレイ、エレクトロルミネッセン
スディスプレイやプラズマディスプレイ、液晶ディスプ
レイ等で代表されるディスプレイ、さらに映画や投射型
テレビやオーバーヘッドプロジェクターで使用されるス
クリーン等および衣類、カーテン等で代表される繊維加
工品等の表面に帯電防止効果の高い膜を製造する方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】オーバーヘッドプロジェクター用フィル
ム、映画フィルム、ビデオフィルム、写真フィルム、録
音フィルム等で代表されるフィルム類およびＶＴＲなど
の電子銃からなるディスプレイ、エレクトロルミネッセ
ンスディスプレイやプラズマディスプレイ、液晶ディス
プレイ等で代表されるディスプレイ、さらに映画や投射
型テレビやオーバーヘッドプロジェクターで使用される
スクリーン等および衣類、カーテン等で代表される繊維
加工品等の表面には、帯電防止を施すことが要請されて
いる。すなわち、基体が帯電することにより基体同士が
密着したり、帯電により空気中のほこりなどの汚れが付
着することは、一般的に好ましくない。
ム、映画フィルム、ビデオフィルム、写真フィルム、録
音フィルム等で代表されるフィルム類およびＶＴＲなど
の電子銃からなるディスプレイ、エレクトロルミネッセ
ンスディスプレイやプラズマディスプレイ、液晶ディス
プレイ等で代表されるディスプレイ、さらに映画や投射
型テレビやオーバーヘッドプロジェクターで使用される
スクリーン等および衣類、カーテン等で代表される繊維
加工品等の表面には、帯電防止を施すことが要請されて
いる。すなわち、基体が帯電することにより基体同士が
密着したり、帯電により空気中のほこりなどの汚れが付
着することは、一般的に好ましくない。
【０００３】従来、帯電防止するためには、表面に金属
微粉末、炭素繊維等樹脂等に分散させた塗剤を塗った
り、ポリアルキレングリコールなどを含むスプレー噴射
などの手段が知られている。
微粉末、炭素繊維等樹脂等に分散させた塗剤を塗った
り、ポリアルキレングリコールなどを含むスプレー噴射
などの手段が知られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来の塗
剤やスプレー噴射などの手段は、透明性を損なうため透
明材料には適用することが困難であり、また耐久性に乏
しく永続的な帯電防止を期待できないという問題があっ
た。
剤やスプレー噴射などの手段は、透明性を損なうため透
明材料には適用することが困難であり、また耐久性に乏
しく永続的な帯電防止を期待できないという問題があっ
た。
【０００５】本発明は、前記従来技術の課題を解決する
ため、透明性及び耐久性に優れ、しかも帯電防止効果の
高い高性能膜の製造方法を提供することを目的とする。
ため、透明性及び耐久性に優れ、しかも帯電防止効果の
高い高性能膜の製造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
本発明の帯電防止膜の第１番目の製造方法は、基材表面
に基材と化学結合させて帯電防止膜を製造する方法であ
って、まず一端にクロルシリル基を有する化学吸着剤を
非水系有機溶媒に溶解して化学吸着液を調製し、前記化
学吸着液を表面が親水性の基材表面に接触させ、化学吸
着単分子膜を基材表面に形成する工程と、前記形成され
た化学吸着単分子膜の末端基にアルカリ処理、または酸
化処理によって帯電防止官能基を付与する工程を含むこ
とを特徴とする。
本発明の帯電防止膜の第１番目の製造方法は、基材表面
に基材と化学結合させて帯電防止膜を製造する方法であ
って、まず一端にクロルシリル基を有する化学吸着剤を
非水系有機溶媒に溶解して化学吸着液を調製し、前記化
学吸着液を表面が親水性の基材表面に接触させ、化学吸
着単分子膜を基材表面に形成する工程と、前記形成され
た化学吸着単分子膜の末端基にアルカリ処理、または酸
化処理によって帯電防止官能基を付与する工程を含むこ
とを特徴とする。
【０００７】次に本発明の帯電防止膜の第２番目の製造
方法は、基材表面に基材と化学結合させて帯電防止膜を
製造する方法であって、まずクロロシリル基を複数個含
む化学吸着物質を溶解した非水系溶媒を調製し、前記化
学吸着液を表面が親水性の基材表面に接触させ、前記基
材表面の親水性基と前記化学吸着物質のクロロシリル基
とを反応させて前記化学吸着物質を前記基材表面に吸着
させる工程と、非水系有機溶媒を用い前記基材上に残っ
た未反応化学吸着物質を洗浄除去した後、水と反応させ
て、前記基材上にシラノール基を複数個含む物質よりな
る単分子内層膜を形成する工程と、一端にクロルシリル
基を有し他の一端に直鎖状炭化水素基を含むクロロシラ
ン系化学吸着剤を前記内層膜上に化学吸着させて単分子
吸着膜を累積する工程と、形成された化学吸着単分子膜
の末端基をアルカリ処理、または酸化処理によって帯電
防止官能基を付与する工程を含むことを特徴とする。
方法は、基材表面に基材と化学結合させて帯電防止膜を
製造する方法であって、まずクロロシリル基を複数個含
む化学吸着物質を溶解した非水系溶媒を調製し、前記化
学吸着液を表面が親水性の基材表面に接触させ、前記基
材表面の親水性基と前記化学吸着物質のクロロシリル基
とを反応させて前記化学吸着物質を前記基材表面に吸着
させる工程と、非水系有機溶媒を用い前記基材上に残っ
た未反応化学吸着物質を洗浄除去した後、水と反応させ
て、前記基材上にシラノール基を複数個含む物質よりな
る単分子内層膜を形成する工程と、一端にクロルシリル
基を有し他の一端に直鎖状炭化水素基を含むクロロシラ
ン系化学吸着剤を前記内層膜上に化学吸着させて単分子
吸着膜を累積する工程と、形成された化学吸着単分子膜
の末端基をアルカリ処理、または酸化処理によって帯電
防止官能基を付与する工程を含むことを特徴とする。
【０００８】前記本発明の第１〜２番目の製造方法の構
成においては、クロルシラン系化学吸着剤の末端基が、
ＳｉＨm Ｒn 基、ＳｉＦm （ＣＨ3 ）n 基、ＳｉＣｌm
（ＣＨ3 ）n 基、Ｓｉ（ＮＲ2 ）m （ＣＨ3 ）n 基、Ｓ
ｉ（ＯＲ）m （ＣＨ3 ）n 基、Ｓｉ（Ｐｈ）m （Ｃ
Ｈ3 ）n 基（ただし、ｍ＋ｎ＝３、かつｍ≠０、かつｍ
≠３、Ｒは水素以外の基、Ｐｈはフェニル基を示す）か
ら選ばれる基であることが好ましい。
成においては、クロルシラン系化学吸着剤の末端基が、
ＳｉＨm Ｒn 基、ＳｉＦm （ＣＨ3 ）n 基、ＳｉＣｌm
（ＣＨ3 ）n 基、Ｓｉ（ＮＲ2 ）m （ＣＨ3 ）n 基、Ｓ
ｉ（ＯＲ）m （ＣＨ3 ）n 基、Ｓｉ（Ｐｈ）m （Ｃ
Ｈ3 ）n 基（ただし、ｍ＋ｎ＝３、かつｍ≠０、かつｍ
≠３、Ｒは水素以外の基、Ｐｈはフェニル基を示す）か
ら選ばれる基であることが好ましい。
【０００９】また前記本発明の第１〜２番目の製造方法
の構成においては、形成された化学吸着単分子膜の末端
基に帯電防止官能基を付与する工程が、アルカリ処理ま
たは酸化処理によって末端基ＳｉＨm Ｒn 基（ただし、
ｍ＋ｎ＝３、かつｍ≠０、かつｍ≠３、Ｒは水素以外の
基）を水酸基にする工程であることが好ましい。
の構成においては、形成された化学吸着単分子膜の末端
基に帯電防止官能基を付与する工程が、アルカリ処理ま
たは酸化処理によって末端基ＳｉＨm Ｒn 基（ただし、
ｍ＋ｎ＝３、かつｍ≠０、かつｍ≠３、Ｒは水素以外の
基）を水酸基にする工程であることが好ましい。
【００１０】また前記本発明の第１〜２番目の製造方法
の構成においては、クロルシラン系化学吸着剤の末端基
が不飽和基であることが好ましい。また前記本発明の第
１〜２番目の製造方法の構成においては、形成された化
学吸着単分子膜の末端基を修飾する工程が、乾燥した酸
素雰囲気、窒素雰囲気、空気雰囲気から選ばれる雰囲気
下で電子線照射することによって末端基の不飽和結合を
酸素雰囲気において水酸基にする工程、または窒素雰囲
気においてアミノ基およびイミノ基にする工程、または
空気雰囲気において水酸基およびアミノ基およびイミノ
基にする工程であることが好ましい。
の構成においては、クロルシラン系化学吸着剤の末端基
が不飽和基であることが好ましい。また前記本発明の第
１〜２番目の製造方法の構成においては、形成された化
学吸着単分子膜の末端基を修飾する工程が、乾燥した酸
素雰囲気、窒素雰囲気、空気雰囲気から選ばれる雰囲気
下で電子線照射することによって末端基の不飽和結合を
酸素雰囲気において水酸基にする工程、または窒素雰囲
気においてアミノ基およびイミノ基にする工程、または
空気雰囲気において水酸基およびアミノ基およびイミノ
基にする工程であることが好ましい。
【００１１】また前記本発明の第２番目の製造方法の構
成においては、クロロシリル基を複数個含む物質として
ＳｉＣｌ4 、ＳｉＨＣｌ3 、ＳｉＨ2 Ｃｌ2 、またはＣ
ｌ（ＳｉＣｌ2 Ｏ）n ＳｉＣｌ3 （ｎは整数）を用いる
ことが好ましい。
成においては、クロロシリル基を複数個含む物質として
ＳｉＣｌ4 、ＳｉＨＣｌ3 、ＳｉＨ2 Ｃｌ2 、またはＣ
ｌ（ＳｉＣｌ2 Ｏ）n ＳｉＣｌ3 （ｎは整数）を用いる
ことが好ましい。
【００１２】次に本発明の帯電防止膜の第３番目の製造
方法は、表面に親水性基を有する吸着膜表面に、クロロ
シリル基を複数個含むクロロシラン物質を接触させ、次
いで非水溶液で洗浄するかまたはせずして水と反応させ
ることを特徴とする。
方法は、表面に親水性基を有する吸着膜表面に、クロロ
シリル基を複数個含むクロロシラン物質を接触させ、次
いで非水溶液で洗浄するかまたはせずして水と反応させ
ることを特徴とする。
【００１３】また前記本発明の第３番目の製造方法の構
成においては、クロロシリル基を複数個含む化学吸着物
質としてＳｉＣｌ4 、ＳｉＨＣｌ3 、ＳｉＨ2 Ｃｌ2 、
またはＣｌ（ＳｉＣｌ2 Ｏ）n ＳｉＣｌ3 （ただしｎは
整数）を用いることが好ましい。
成においては、クロロシリル基を複数個含む化学吸着物
質としてＳｉＣｌ4 、ＳｉＨＣｌ3 、ＳｉＨ2 Ｃｌ2 、
またはＣｌ（ＳｉＣｌ2 Ｏ）n ＳｉＣｌ3 （ただしｎは
整数）を用いることが好ましい。
【００１４】
【作用】前記本発明の構成によれば、きわめて薄いナノ
メータレベルの膜厚の炭化水素系単分子膜をオーバーヘ
ッドプロジェクター用フィルム、映画フィルム、ビデオ
フィルム、写真フィルム、録音フィルム等で代表される
フィルム類および電子銃からなるディスプレイ、エレク
トロルミネッセンスディスプレイやプラズマディスプレ
イ、液晶ディスプレイ等で代表されるディスプレイ、さ
らに映画や投射型テレビやオーバーヘッドプロジェクタ
ーで使用されるスクリーン等および衣類、カーテン等で
代表される繊維加工品等の表面に形成するため、基体本
来の透明性を損なうことがない。また、前記炭化水素系
単分子膜または炭化水素系化学吸着単分子累積膜は帯電
防止にも優れている。従って、帯電防止効果の高い膜を
提供することができる。
メータレベルの膜厚の炭化水素系単分子膜をオーバーヘ
ッドプロジェクター用フィルム、映画フィルム、ビデオ
フィルム、写真フィルム、録音フィルム等で代表される
フィルム類および電子銃からなるディスプレイ、エレク
トロルミネッセンスディスプレイやプラズマディスプレ
イ、液晶ディスプレイ等で代表されるディスプレイ、さ
らに映画や投射型テレビやオーバーヘッドプロジェクタ
ーで使用されるスクリーン等および衣類、カーテン等で
代表される繊維加工品等の表面に形成するため、基体本
来の透明性を損なうことがない。また、前記炭化水素系
単分子膜または炭化水素系化学吸着単分子累積膜は帯電
防止にも優れている。従って、帯電防止効果の高い膜を
提供することができる。
【００１５】
【実施例】以下に本発明に関するオーバーヘッドプロジ
ェクター用フィルム、映画フィルム、ビデオフィルム、
写真フィルム、録音フィルム等で代表されるフィルム類
および電子銃からなるディスプレイ、エレクトロルミネ
ッセンスディスプレイやプラズマディスプレイ、液晶デ
ィスプレイ等で代表されるディスプレイ、さらに映画や
投射型テレビやオーバーヘッドプロジェクターで使用さ
れるスクリーン等および衣類、カーテン等で代表される
繊維加工品等があるが、代表例としてオーバーヘッドプ
ロジェクター用フィルムを取り上げて説明する。◎ なお以下の実施例おいて単に％としているのは、重量％
を意味する。 実施例１ プラズマ処理等を行ってもある程度は親水性ではある
が、水酸基を含む割合が少ないフィルム２１の場合、ク
ロロシリル基を複数個含む物質（たとえばＳｉＣｌ4 、
またはＳｉＨＣｌ3 、ＳｉＨ2 Ｃｌ2 、Ｃｌ−（ＳｉＣ
ｌ2 Ｏ）n −ＳｉＣｌ3 （ｎは整数）、特にＳｉＣｌ4
を用いれば、分子が小さく水酸基に対する活性も大きい
ので、フィルム２１表面を均一に親水化する効果が大き
い）を混ぜた非水系溶媒、例えばクロロホルム溶媒に１
重量パーセント溶解した溶液に３０分間程度浸漬する
と、フィルム表面２１には親水性のＯＨ基２２が多少と
も存在するので（図１（ａ））、表面で脱塩酸反応が生
じる。次にフレオン−１１３などの非水系溶媒を用いて
未反応化学吸着剤を洗浄・除去し、その後に水と反応さ
せると、化学吸着単分子内層膜が形成できる。
ェクター用フィルム、映画フィルム、ビデオフィルム、
写真フィルム、録音フィルム等で代表されるフィルム類
および電子銃からなるディスプレイ、エレクトロルミネ
ッセンスディスプレイやプラズマディスプレイ、液晶デ
ィスプレイ等で代表されるディスプレイ、さらに映画や
投射型テレビやオーバーヘッドプロジェクターで使用さ
れるスクリーン等および衣類、カーテン等で代表される
繊維加工品等があるが、代表例としてオーバーヘッドプ
ロジェクター用フィルムを取り上げて説明する。◎ なお以下の実施例おいて単に％としているのは、重量％
を意味する。 実施例１ プラズマ処理等を行ってもある程度は親水性ではある
が、水酸基を含む割合が少ないフィルム２１の場合、ク
ロロシリル基を複数個含む物質（たとえばＳｉＣｌ4 、
またはＳｉＨＣｌ3 、ＳｉＨ2 Ｃｌ2 、Ｃｌ−（ＳｉＣ
ｌ2 Ｏ）n −ＳｉＣｌ3 （ｎは整数）、特にＳｉＣｌ4
を用いれば、分子が小さく水酸基に対する活性も大きい
ので、フィルム２１表面を均一に親水化する効果が大き
い）を混ぜた非水系溶媒、例えばクロロホルム溶媒に１
重量パーセント溶解した溶液に３０分間程度浸漬する
と、フィルム表面２１には親水性のＯＨ基２２が多少と
も存在するので（図１（ａ））、表面で脱塩酸反応が生
じる。次にフレオン−１１３などの非水系溶媒を用いて
未反応化学吸着剤を洗浄・除去し、その後に水と反応さ
せると、化学吸着単分子内層膜が形成できる。
【００１６】例えば、クロロシリル基を複数個含む物質
としてＳｉＣｌ4 を用いれば、フィルム２１表面には少
量の親水性のＯＨ基が露出されているので、表面で脱塩
酸反応が生じ下記式（化１）に示すように分子が−Ｓｉ
Ｏ−結合を介して表面に固定される。
としてＳｉＣｌ4 を用いれば、フィルム２１表面には少
量の親水性のＯＨ基が露出されているので、表面で脱塩
酸反応が生じ下記式（化１）に示すように分子が−Ｓｉ
Ｏ−結合を介して表面に固定される。
【００１７】
【化１】
【００１８】その後、非水系の溶媒例えばクロロホルム
で洗浄して、さらに水で洗浄すると、基体と反応してい
ないＳｉＣｌ4 分子は除去され、下記式（化２）に示す
ようにフィルム表面に等のシロキサン単分子膜２３（化
学吸着単分子内層膜）が得られる（図１（ｂ））。
で洗浄して、さらに水で洗浄すると、基体と反応してい
ないＳｉＣｌ4 分子は除去され、下記式（化２）に示す
ようにフィルム表面に等のシロキサン単分子膜２３（化
学吸着単分子内層膜）が得られる（図１（ｂ））。
【００１９】
【化２】
【００２０】なお、このときできた単分子膜２３はフィ
ルム２１とは−ＳｉＯ−の化学結合（共有結合）を介し
て完全に結合されているので剥がれることが無い。ま
た、得られた単分子膜は表面にＳｉＯＨ結合を数多く持
ち、当初の水酸基の約３倍程度の数が生成される。
ルム２１とは−ＳｉＯ−の化学結合（共有結合）を介し
て完全に結合されているので剥がれることが無い。ま
た、得られた単分子膜は表面にＳｉＯＨ結合を数多く持
ち、当初の水酸基の約３倍程度の数が生成される。
【００２１】そこでさらに、炭化水素基及びクロロシリ
ル基を含む化学吸着剤を混ぜた非水系の溶液、（例え
ば、ＨＳｉ（ＣＨ3 ）2 （ＣＨ2 ）19ＳｉＣｌ3 を用
い、３重量％程度の濃度で溶かした８０重量％のｎ−ヘ
キサデカン、１２重量％の四塩化炭素、８重量％のクロ
ロホルム溶液）を調製し、前記内層膜を形成した基材を
１時間程度浸漬すると、前記化学吸着剤のクロロシリル
基と前記内層膜の水酸基とが脱塩酸反応を起こす。次に
フレオン−１１３などの非水系溶媒を用いて未反応化学
吸着剤を洗浄・除去し、その後に水と反応させると、化
学吸着単分子内層膜が形成できる。その結果、内層膜表
面に下記（化３）に示すような結合が生成され、化学吸
着単分子膜２４が下層のシロキサン単分子膜と化学結合
した状態でフィルム２１表面全面に亘り約２５オングス
トロームの膜厚で形成できた（図１（ｃ））。
ル基を含む化学吸着剤を混ぜた非水系の溶液、（例え
ば、ＨＳｉ（ＣＨ3 ）2 （ＣＨ2 ）19ＳｉＣｌ3 を用
い、３重量％程度の濃度で溶かした８０重量％のｎ−ヘ
キサデカン、１２重量％の四塩化炭素、８重量％のクロ
ロホルム溶液）を調製し、前記内層膜を形成した基材を
１時間程度浸漬すると、前記化学吸着剤のクロロシリル
基と前記内層膜の水酸基とが脱塩酸反応を起こす。次に
フレオン−１１３などの非水系溶媒を用いて未反応化学
吸着剤を洗浄・除去し、その後に水と反応させると、化
学吸着単分子内層膜が形成できる。その結果、内層膜表
面に下記（化３）に示すような結合が生成され、化学吸
着単分子膜２４が下層のシロキサン単分子膜と化学結合
した状態でフィルム２１表面全面に亘り約２５オングス
トロームの膜厚で形成できた（図１（ｃ））。
【００２２】
【化３】
【００２３】次に、過酸化水素酸化を行った。フッ化カ
リウム１４５ｍｇをメタノール５０ｍＬに溶かし、ま
た、炭酸水素カリウム２５０ｍｇをテトラヒドロフラン
５０ｍＬに溶かし、さらに、この溶液に３０％過酸化水
素水２５ｍＬを加えた。これらの溶液を合わせて充分撹
拌して反応液にした。室温中でこの反応溶液に前記化学
吸着単分子膜が形成されたフィルムを１０時間浸漬させ
た。この浸漬により、化学吸着単分子膜分子末端のＣ−
Ｓｉ結合は切断され、分子末端に水酸基（ＯＨ基）２５
が形成された（図２）。
リウム１４５ｍｇをメタノール５０ｍＬに溶かし、ま
た、炭酸水素カリウム２５０ｍｇをテトラヒドロフラン
５０ｍＬに溶かし、さらに、この溶液に３０％過酸化水
素水２５ｍＬを加えた。これらの溶液を合わせて充分撹
拌して反応液にした。室温中でこの反応溶液に前記化学
吸着単分子膜が形成されたフィルムを１０時間浸漬させ
た。この浸漬により、化学吸着単分子膜分子末端のＣ−
Ｓｉ結合は切断され、分子末端に水酸基（ＯＨ基）２５
が形成された（図２）。
【００２４】以上説明した通り、フィルム基材２１表面
の水酸基にたとえばＳｉＣｌ4 を接触させてシロキサン
単分子膜２３を得る。次にたとえばＨＳｉ（ＣＨ3 ）2
（ＣＨ2 ）19ＳｉＣｌ3 を含む非水溶液を接触させて単
分子膜２４を形成する。次にアルカリ処理または酸化処
理により単分子膜２４の末端を水酸基２５などの帯電防
止基に変性する。これにより、きわめて薄いナノメータ
レベルの膜厚の帯電防止膜を基体表面に基体本来の機能
を損なうことなく形成できる。またこの膜は帯電防止膜
は撥水性にも優れており、表面の防汚効果を高めること
が可能となる。
の水酸基にたとえばＳｉＣｌ4 を接触させてシロキサン
単分子膜２３を得る。次にたとえばＨＳｉ（ＣＨ3 ）2
（ＣＨ2 ）19ＳｉＣｌ3 を含む非水溶液を接触させて単
分子膜２４を形成する。次にアルカリ処理または酸化処
理により単分子膜２４の末端を水酸基２５などの帯電防
止基に変性する。これにより、きわめて薄いナノメータ
レベルの膜厚の帯電防止膜を基体表面に基体本来の機能
を損なうことなく形成できる。またこの膜は帯電防止膜
は撥水性にも優れており、表面の防汚効果を高めること
が可能となる。
【００２５】実施例２ プラズマ処理等を行ってもある程度は親水性ではあるが
水酸基を含む割合が少ないフィルム３１の場合、クロロ
シリル基を複数個含む物質（例えばＳｉＣｌ4 、または
ＳｉＨＣｌ3 、ＳｉＨ2 Ｃｌ2 、Ｃｌ（ＳｉＣｌ2 Ｏ）
n ＳｉＣｌ3 （ｎは整数）、特にＳｉＣｌ4 を用いれ
ば、分子が小さく水酸基に対する活性も大きいので、フ
ィルム３１表面を均一に親水化する効果が大きい）を混
ぜた非水系溶媒、例えばクロロホルム溶媒に１重量パー
セント溶解した溶液に３０分間程度浸漬すると、フィル
ム表面３１には親水性のＯＨ基３２が多少とも存在する
ので（図３（ａ））、表面で脱塩酸反応が生じクロロシ
リル基を複数個含む物質のクロロシラン単分子膜が形成
される。
水酸基を含む割合が少ないフィルム３１の場合、クロロ
シリル基を複数個含む物質（例えばＳｉＣｌ4 、または
ＳｉＨＣｌ3 、ＳｉＨ2 Ｃｌ2 、Ｃｌ（ＳｉＣｌ2 Ｏ）
n ＳｉＣｌ3 （ｎは整数）、特にＳｉＣｌ4 を用いれ
ば、分子が小さく水酸基に対する活性も大きいので、フ
ィルム３１表面を均一に親水化する効果が大きい）を混
ぜた非水系溶媒、例えばクロロホルム溶媒に１重量パー
セント溶解した溶液に３０分間程度浸漬すると、フィル
ム表面３１には親水性のＯＨ基３２が多少とも存在する
ので（図３（ａ））、表面で脱塩酸反応が生じクロロシ
リル基を複数個含む物質のクロロシラン単分子膜が形成
される。
【００２６】例えば、クロロシリル基を複数個含む物質
としてＳｉＣｌ4 を用いれば、フィルム３１表面には少
量の親水性のＯＨ基が露出されているので、表面で脱塩
酸反応が生じ、下記式（化４）に示すように分子が−Ｓ
ｉＯ−結合を介して表面に固定される。
としてＳｉＣｌ4 を用いれば、フィルム３１表面には少
量の親水性のＯＨ基が露出されているので、表面で脱塩
酸反応が生じ、下記式（化４）に示すように分子が−Ｓ
ｉＯ−結合を介して表面に固定される。
【００２７】
【化４】
【００２８】その後、非水系の溶媒例えばクロロホルム
で洗浄して、さらに水で洗浄すると、基体と反応してい
ないＳｉＣｌ4 分子は除去され、下記式（化５）に示す
ようにフィルム表面に等のシロキサン単分子膜３３が得
られる（図３（ｂ））。
で洗浄して、さらに水で洗浄すると、基体と反応してい
ないＳｉＣｌ4 分子は除去され、下記式（化５）に示す
ようにフィルム表面に等のシロキサン単分子膜３３が得
られる（図３（ｂ））。
【００２９】
【化５】
【００３０】なお、このときできた単分子膜３３はフィ
ルム３１とは−ＳｉＯ−の化学結合を介して完全に結合
されているので剥がれることが無い。また、得られた単
分子膜は表面にＳｉＯＨ結合を数多く持つ。当初の水酸
基の約３倍程度の数が生成される。
ルム３１とは−ＳｉＯ−の化学結合を介して完全に結合
されているので剥がれることが無い。また、得られた単
分子膜は表面にＳｉＯＨ結合を数多く持つ。当初の水酸
基の約３倍程度の数が生成される。
【００３１】そこでさらに、炭化水素基及びクロロシリ
ル基を含む物質を混ぜた非水系の溶液、（例えば、ＨＳ
ｉ（ＣＨ3 ）2 （ＣＨ2 ）19ＳｉＣｌ3 を用い、３％程
度の濃度で溶かした８０重量％のｎ−ヘキサデカン、１
２重量％の四塩化炭素、８重量％のクロロホルム溶液）
を調製し、前記表面にＳｉＯＨ結合を数多く持つ単分子
膜の形成されたフィルムを１時間程度浸漬すると、フィ
ルム表面に次の（化６）に示す結合が生成され、化学吸
着単分子膜３４が下層のシロキサン単分子膜と化学結合
した状態でフィルム３１表面全面に亘り約２５オングス
トロームの膜厚で形成できた（図３（ｃ））
ル基を含む物質を混ぜた非水系の溶液、（例えば、ＨＳ
ｉ（ＣＨ3 ）2 （ＣＨ2 ）19ＳｉＣｌ3 を用い、３％程
度の濃度で溶かした８０重量％のｎ−ヘキサデカン、１
２重量％の四塩化炭素、８重量％のクロロホルム溶液）
を調製し、前記表面にＳｉＯＨ結合を数多く持つ単分子
膜の形成されたフィルムを１時間程度浸漬すると、フィ
ルム表面に次の（化６）に示す結合が生成され、化学吸
着単分子膜３４が下層のシロキサン単分子膜と化学結合
した状態でフィルム３１表面全面に亘り約２５オングス
トロームの膜厚で形成できた（図３（ｃ））
【００３２】
【化６】
【００３３】なお、単分子膜は剥離試験を行なっても剥
離することがなかった。次に、アルカリ処理を行った。
このアルカリ処理反応液は、１重量％水酸化テトラメチ
ルアンモニウム水溶液を用い、処理反応は室温で１０分
程度浸漬した。化学吸着単分子膜が形成されたフィルム
３１を浸漬することにより、分子末端のジメチルシリル
基のＳｉＨ結合は切断され、分子末端に水酸基（ＯＨ
基）３５が形成された（図４）。
離することがなかった。次に、アルカリ処理を行った。
このアルカリ処理反応液は、１重量％水酸化テトラメチ
ルアンモニウム水溶液を用い、処理反応は室温で１０分
程度浸漬した。化学吸着単分子膜が形成されたフィルム
３１を浸漬することにより、分子末端のジメチルシリル
基のＳｉＨ結合は切断され、分子末端に水酸基（ＯＨ
基）３５が形成された（図４）。
【００３４】実施例３ まず、加工の終了したオーバーヘッドプロジェクター用
フィルム４１を用意する。前記フィルム４１を酸素雰囲
気下でプラズマ処理を行う。この処理によりフィルム４
１の表面には水酸基を露出させる（図５（ａ））。前記
フィルム４１を有機溶媒等で洗浄した後、末端基が不飽
和基であるＨ2 Ｃ＝ＣＨ−基をもつ炭化水素基およびク
ロロシリル基を含む物質を混ぜた非水系の溶液（例え
ば、ＣＨ2 ＝ＣＨ（ＣＨ2 ）19ＳｉＣｌ3 を用い、３重
量％程度の濃度で溶かした８０重量％のｎ−ヘキサデカ
ン（トルエン、キシレン、ビシクロヘキシルでもよ
い）、１２重量％の四塩化炭素、８重量％のクロロホル
ム溶液）を調製し、前記フィルム４１を２時間程度浸漬
すると、フィルム４１の表面は水酸基が露出されてお
り、炭化水素基及びクロロシリル基を含む物質のＳｉＣ
ｌ基と前記水酸基が反応し脱塩酸反応が生じフィルム表
面全面に亘り、下記（化７）に示す結合が生成され、化
学吸着単分子膜４２がフィルム４１の表面と化学結合し
た状態で約２５オングストロームの膜厚で形成できた
（図５（ｂ））。
フィルム４１を用意する。前記フィルム４１を酸素雰囲
気下でプラズマ処理を行う。この処理によりフィルム４
１の表面には水酸基を露出させる（図５（ａ））。前記
フィルム４１を有機溶媒等で洗浄した後、末端基が不飽
和基であるＨ2 Ｃ＝ＣＨ−基をもつ炭化水素基およびク
ロロシリル基を含む物質を混ぜた非水系の溶液（例え
ば、ＣＨ2 ＝ＣＨ（ＣＨ2 ）19ＳｉＣｌ3 を用い、３重
量％程度の濃度で溶かした８０重量％のｎ−ヘキサデカ
ン（トルエン、キシレン、ビシクロヘキシルでもよ
い）、１２重量％の四塩化炭素、８重量％のクロロホル
ム溶液）を調製し、前記フィルム４１を２時間程度浸漬
すると、フィルム４１の表面は水酸基が露出されてお
り、炭化水素基及びクロロシリル基を含む物質のＳｉＣ
ｌ基と前記水酸基が反応し脱塩酸反応が生じフィルム表
面全面に亘り、下記（化７）に示す結合が生成され、化
学吸着単分子膜４２がフィルム４１の表面と化学結合し
た状態で約２５オングストロームの膜厚で形成できた
（図５（ｂ））。
【００３５】
【化７】
【００３６】なお、単分子膜はきわめて強固に化学結合
しているので剥離することがなかった。次に、末端基の
電子線処理を行った。窒素雰囲気中で５メガラドの電子
線を照射することによって、末端Ｈ2 Ｃ＝ＣＨ基をＨ2
Ｎ基（アミノ基）４３またはＨＮ＝Ｃ基（イミノ基）４
４にした。この処理により化学吸着単分子膜表面を親水
性に変化できた（図５（ｃ））。
しているので剥離することがなかった。次に、末端基の
電子線処理を行った。窒素雰囲気中で５メガラドの電子
線を照射することによって、末端Ｈ2 Ｃ＝ＣＨ基をＨ2
Ｎ基（アミノ基）４３またはＨＮ＝Ｃ基（イミノ基）４
４にした。この処理により化学吸着単分子膜表面を親水
性に変化できた（図５（ｃ））。
【００３７】実施例４ まず、加工の終了したオーバーヘッドプロジェクター用
フィルム５１を用意する。前記フィルム５１を酸素雰囲
気下でプラズマ処理を行う。この処理によりフィルム５
１の表面には水酸基を露出させる（図６（ａ））。前記
フィルム５１を有機溶媒等で洗浄した後、末端基が不飽
和基であるＨ2 Ｃ＝ＣＨ基をもつ炭化水素基およびクロ
ロシリル基を含む物質を混ぜた非水系の溶液、（例え
ば、ＣＨ2 ＝ＣＨ（ＣＨ2 ）19ＳｉＣｌ3 を用い、３％
程度の濃度で溶かした８０重量％のｎ−ヘキサデカン
（トルエン、キシレン、ビシクロヘキシルでもよい）、
１２重量％の四塩化炭素、８重量％のクロロホルム溶
液）を調製し、前記フィルム５１を２時間程度浸漬する
と、フィルム５１の表面は水酸基が露出されており、炭
化水素基及びクロロシリル基を含む物質のＳｉＣｌ基と
前記水酸基が反応し脱塩酸反応が生じフィルム表面全面
に亘り、下記（化８）に示す結合が生成され、化学吸着
単分子膜５２がフィルム５１の表面と化学結合した状態
で約２５オングストロームの膜厚で形成できた（図６
（ｂ））。
フィルム５１を用意する。前記フィルム５１を酸素雰囲
気下でプラズマ処理を行う。この処理によりフィルム５
１の表面には水酸基を露出させる（図６（ａ））。前記
フィルム５１を有機溶媒等で洗浄した後、末端基が不飽
和基であるＨ2 Ｃ＝ＣＨ基をもつ炭化水素基およびクロ
ロシリル基を含む物質を混ぜた非水系の溶液、（例え
ば、ＣＨ2 ＝ＣＨ（ＣＨ2 ）19ＳｉＣｌ3 を用い、３％
程度の濃度で溶かした８０重量％のｎ−ヘキサデカン
（トルエン、キシレン、ビシクロヘキシルでもよい）、
１２重量％の四塩化炭素、８重量％のクロロホルム溶
液）を調製し、前記フィルム５１を２時間程度浸漬する
と、フィルム５１の表面は水酸基が露出されており、炭
化水素基及びクロロシリル基を含む物質のＳｉＣｌ基と
前記水酸基が反応し脱塩酸反応が生じフィルム表面全面
に亘り、下記（化８）に示す結合が生成され、化学吸着
単分子膜５２がフィルム５１の表面と化学結合した状態
で約２５オングストロームの膜厚で形成できた（図６
（ｂ））。
【００３８】
【化８】
【００３９】なお、単分子膜はきわめて強固に化学結合
しているので全く剥離することがなかった。次に、末端
基の電子線処理を行った。酸素雰囲気中で５メガラドの
電子線を照射することによって、末端Ｈ2 Ｃ＝ＣＨ基を
ＨＯ基（水酸基）５３にした。この処理により化学吸着
単分子膜表面を親水性に変化できた（図６（ｃ））。
しているので全く剥離することがなかった。次に、末端
基の電子線処理を行った。酸素雰囲気中で５メガラドの
電子線を照射することによって、末端Ｈ2 Ｃ＝ＣＨ基を
ＨＯ基（水酸基）５３にした。この処理により化学吸着
単分子膜表面を親水性に変化できた（図６（ｃ））。
【００４０】実施例５ プラズマ処理等を行ってもある程度は親水性ではあるが
水酸基を含む割合が少ないフィルム６１の場合、クロロ
シリル基を複数個含む物質（例えばＳｉＣｌ4 、または
ＳｉＨＣｌ3 、ＳｉＨ2 Ｃｌ2 、Ｃｌ（ＳｉＣｌ2 Ｏ）
n ＳｉＣｌ3 （ｎは整数）、特にＣｌ（ＳｉＣｌ2 Ｏ）
2 ＳｉＣｌ3 を用いれば、分子が小さく水酸基に対する
活性も大きいので、フィルム６１表面を均一に親水化す
る効果が大きい）を混ぜた非水系溶媒、例えばクロロホ
ルム溶媒に１重量パーセント溶解した溶液に３０分間程
度浸漬すると、フィルム表面６１には親水性のＯＨ基６
２が多少とも存在するので（図７（ａ））、表面で脱塩
酸反応が生じクロロシリル基を複数個含む物質のクロロ
シラン単分子膜が形成される（図７（ｂ））。
水酸基を含む割合が少ないフィルム６１の場合、クロロ
シリル基を複数個含む物質（例えばＳｉＣｌ4 、または
ＳｉＨＣｌ3 、ＳｉＨ2 Ｃｌ2 、Ｃｌ（ＳｉＣｌ2 Ｏ）
n ＳｉＣｌ3 （ｎは整数）、特にＣｌ（ＳｉＣｌ2 Ｏ）
2 ＳｉＣｌ3 を用いれば、分子が小さく水酸基に対する
活性も大きいので、フィルム６１表面を均一に親水化す
る効果が大きい）を混ぜた非水系溶媒、例えばクロロホ
ルム溶媒に１重量パーセント溶解した溶液に３０分間程
度浸漬すると、フィルム表面６１には親水性のＯＨ基６
２が多少とも存在するので（図７（ａ））、表面で脱塩
酸反応が生じクロロシリル基を複数個含む物質のクロロ
シラン単分子膜が形成される（図７（ｂ））。
【００４１】例えば、クロロシリル基を複数個含む物質
としてＣｌ（ＳｉＣｌ2 Ｏ）2 ＳｉＣｌ3 を用いれば、
フィルム６１表面には少量の親水性のＯＨ基が露出され
ているので、表面で脱塩酸反応が生じ、下記（化９）に
示すように分子が−ＳｉＯ−結合を介して表面に固定さ
れる。
としてＣｌ（ＳｉＣｌ2 Ｏ）2 ＳｉＣｌ3 を用いれば、
フィルム６１表面には少量の親水性のＯＨ基が露出され
ているので、表面で脱塩酸反応が生じ、下記（化９）に
示すように分子が−ＳｉＯ−結合を介して表面に固定さ
れる。
【００４２】
【化９】
【００４３】その後、非水系の溶媒例えばクロロホルム
で洗浄して、さらに水で洗浄すると、基体と反応してい
ないＣｌ（ＳｉＣｌ2 Ｏ）2 ＳｉＣｌ3 分子は除去さ
れ、フィルム表面に等のシロキサン単分子膜６３が得ら
れる（図７（ｂ））。
で洗浄して、さらに水で洗浄すると、基体と反応してい
ないＣｌ（ＳｉＣｌ2 Ｏ）2 ＳｉＣｌ3 分子は除去さ
れ、フィルム表面に等のシロキサン単分子膜６３が得ら
れる（図７（ｂ））。
【００４４】
【化１０】
【００４５】なお、このときできた単分子膜６３はフィ
ルム６１とは−ＳｉＯ−の化学結合を介して完全に結合
されているので剥がれることが全く無い。また、得られ
た単分子膜は表面にＳｉＯＨ結合を数多く持つ。当初の
水酸基の約６．５倍程度の数が生成される。
ルム６１とは−ＳｉＯ−の化学結合を介して完全に結合
されているので剥がれることが全く無い。また、得られ
た単分子膜は表面にＳｉＯＨ結合を数多く持つ。当初の
水酸基の約６．５倍程度の数が生成される。
【００４６】そこでさらに、末端基が不飽和基であるＨ
2 Ｃ＝ＣＨ基をもつ炭化水素基およびクロロシリル基を
含む物質を混ぜた非水系の溶液、（例えば、ＣＨ2 ＝Ｃ
Ｈ（ＣＨ2 ）19ＳｉＣｌ3 を用い、３％程度の濃度で溶
かした８０重量％のｎ−ヘキサデカン（トルエン、キシ
レン、ビシクロヘキシルでもよい）、１２重量％の四塩
化炭素、８重量％のクロロホルム溶液）を調製し、前記
フィルム６１を２時間程度浸漬すると、フィルム６１の
表面のシロキサン単分子膜６３表面には水酸基が露出さ
れており、炭化水素基及びクロロシリル基を含む物質の
ＳｉＣｌ基と前記水酸基が反応し脱塩酸反応が生じフィ
ルム表面全面に亘り、下記（化学１１）に示す結合が生
成され、化学吸着単分子膜６４がフィルム６１の表面と
化学結合した状態で約２５オングストロームの膜厚で形
成できた（図７（ｃ））。
2 Ｃ＝ＣＨ基をもつ炭化水素基およびクロロシリル基を
含む物質を混ぜた非水系の溶液、（例えば、ＣＨ2 ＝Ｃ
Ｈ（ＣＨ2 ）19ＳｉＣｌ3 を用い、３％程度の濃度で溶
かした８０重量％のｎ−ヘキサデカン（トルエン、キシ
レン、ビシクロヘキシルでもよい）、１２重量％の四塩
化炭素、８重量％のクロロホルム溶液）を調製し、前記
フィルム６１を２時間程度浸漬すると、フィルム６１の
表面のシロキサン単分子膜６３表面には水酸基が露出さ
れており、炭化水素基及びクロロシリル基を含む物質の
ＳｉＣｌ基と前記水酸基が反応し脱塩酸反応が生じフィ
ルム表面全面に亘り、下記（化学１１）に示す結合が生
成され、化学吸着単分子膜６４がフィルム６１の表面と
化学結合した状態で約２５オングストロームの膜厚で形
成できた（図７（ｃ））。
【００４７】
【化１１】
【００４８】なお、単分子膜はきわめて強固に化学結合
しているので剥離することがなかった。次に、末端基の
電子線処理を行った。窒素雰囲気中で５メガラドの電子
線を照射することによって、末端Ｈ2 Ｃ＝ＣＨ基をＨ2
Ｎ基（アミノ基）６５またはＨＮ＝Ｃ基（イミノ基）６
６にした。この処理により化学吸着単分子膜表面を親水
性に変性できた（図８）。
しているので剥離することがなかった。次に、末端基の
電子線処理を行った。窒素雰囲気中で５メガラドの電子
線を照射することによって、末端Ｈ2 Ｃ＝ＣＨ基をＨ2
Ｎ基（アミノ基）６５またはＨＮ＝Ｃ基（イミノ基）６
６にした。この処理により化学吸着単分子膜表面を親水
性に変性できた（図８）。
【００４９】実施例６ プラズマ処理等を行ってもある程度は親水性ではあるが
水酸基を含む割合が少ないフィルム７１の場合、クロロ
シリル基を複数個含む物質（例えばＳｉＣｌ4 、又はＳ
ｉＨＣｌ3 、ＳｉＨ2 Ｃｌ2 、Ｃｌ（ＳｉＣｌ2 Ｏ）n
ＳｉＣｌ3 （ｎは整数）。特にＣｌ（ＳｉＣｌ2 Ｏ）2
ＳｉＣｌ3 を用いれば、分子が小さく水酸基に対する活
性も大きいので、フィルム７１表面を均一に親水化する
効果が大きい）を混ぜた非水系溶媒、例えばクロロホル
ム溶媒に１重量パーセント溶解した溶液に３０分間程度
浸漬すると、フィルム表面７１には親水性のＯＨ基７２
が多少とも存在するので（図９（ａ））、表面で脱塩酸
反応が生じクロロシリル基を複数個含む物質のクロロシ
ラン単分子膜が形成される。
水酸基を含む割合が少ないフィルム７１の場合、クロロ
シリル基を複数個含む物質（例えばＳｉＣｌ4 、又はＳ
ｉＨＣｌ3 、ＳｉＨ2 Ｃｌ2 、Ｃｌ（ＳｉＣｌ2 Ｏ）n
ＳｉＣｌ3 （ｎは整数）。特にＣｌ（ＳｉＣｌ2 Ｏ）2
ＳｉＣｌ3 を用いれば、分子が小さく水酸基に対する活
性も大きいので、フィルム７１表面を均一に親水化する
効果が大きい）を混ぜた非水系溶媒、例えばクロロホル
ム溶媒に１重量パーセント溶解した溶液に３０分間程度
浸漬すると、フィルム表面７１には親水性のＯＨ基７２
が多少とも存在するので（図９（ａ））、表面で脱塩酸
反応が生じクロロシリル基を複数個含む物質のクロロシ
ラン単分子膜が形成される。
【００５０】例えば、クロロシリル基を複数個含む物質
としてＣｌ（ＳｉＣｌ2 Ｏ）2 ＳｉＣｌ3 を用いれば、
フィルム７１表面には少量の親水性のＯＨ基が露出され
ているので、表面で脱塩酸反応が生じ、下記（化１２）
に示すように分子が−ＳｉＯ−結合を介して表面に固定
される。
としてＣｌ（ＳｉＣｌ2 Ｏ）2 ＳｉＣｌ3 を用いれば、
フィルム７１表面には少量の親水性のＯＨ基が露出され
ているので、表面で脱塩酸反応が生じ、下記（化１２）
に示すように分子が−ＳｉＯ−結合を介して表面に固定
される。
【００５１】
【化１２】
【００５２】その後、非水系の溶媒例えばクロロホルム
で洗浄して、さらに水で洗浄すると、基体と反応してい
ないＣｌ（ＳｉＣｌ2 Ｏ）2 ＳｉＣｌ3 分子は除去さ
れ、下記（化１３）に示すようにフィルム表面に等のシ
ロキサン単分子膜７３が得られる（図９（ｂ））。
で洗浄して、さらに水で洗浄すると、基体と反応してい
ないＣｌ（ＳｉＣｌ2 Ｏ）2 ＳｉＣｌ3 分子は除去さ
れ、下記（化１３）に示すようにフィルム表面に等のシ
ロキサン単分子膜７３が得られる（図９（ｂ））。
【００５３】
【化１３】
【００５４】なお、このときできた単分子膜７３はフィ
ルム７１とは−ＳｉＯ−の化学結合を介して完全に結合
されているので剥がれることが無い。また、得られた単
分子膜は表面にＳｉＯＨ結合を数多く持つ。当初の水酸
基の約６．５倍程度の数が生成される。
ルム７１とは−ＳｉＯ−の化学結合を介して完全に結合
されているので剥がれることが無い。また、得られた単
分子膜は表面にＳｉＯＨ結合を数多く持つ。当初の水酸
基の約６．５倍程度の数が生成される。
【００５５】そこでさらに、末端基が不飽和基であるＨ
2 Ｃ＝ＣＨ基をもつ炭化水素基およびクロロシリル基を
含む物質を混ぜた非水系の溶液、（例えば、ＣＨ2 ＝Ｃ
Ｈ（ＣＨ2 ）19ＳｉＣｌ3 を用い、３％程度の濃度で溶
かした８０重量％のｎ−ヘキサデカン（トルエン、キシ
レン、ビシクロヘキシルでもよい）、１２重量％の四塩
化炭素、８重量％のクロロホルム溶液）を調製し、前記
フィルム７１を２時間程度浸漬すると、フィルム７１の
表面に形成されたシロキサン単分子膜７３には水酸基が
露出されており、炭化水素基及びクロロシラン基を含む
物質のＳｉＣｌ基と前記水酸基が反応し脱塩酸反応が生
じフィルム表面全面に亘り、
2 Ｃ＝ＣＨ基をもつ炭化水素基およびクロロシリル基を
含む物質を混ぜた非水系の溶液、（例えば、ＣＨ2 ＝Ｃ
Ｈ（ＣＨ2 ）19ＳｉＣｌ3 を用い、３％程度の濃度で溶
かした８０重量％のｎ−ヘキサデカン（トルエン、キシ
レン、ビシクロヘキシルでもよい）、１２重量％の四塩
化炭素、８重量％のクロロホルム溶液）を調製し、前記
フィルム７１を２時間程度浸漬すると、フィルム７１の
表面に形成されたシロキサン単分子膜７３には水酸基が
露出されており、炭化水素基及びクロロシラン基を含む
物質のＳｉＣｌ基と前記水酸基が反応し脱塩酸反応が生
じフィルム表面全面に亘り、
【００５６】
【化１４】
【００５７】の結合が生成され、化学吸着単分子膜７４
がシロキサン単分子膜７３を介してフィルム７１の表面
と化学結合した状態で約２５オングストロームの膜厚で
形成できた（図９（ｃ））。
がシロキサン単分子膜７３を介してフィルム７１の表面
と化学結合した状態で約２５オングストロームの膜厚で
形成できた（図９（ｃ））。
【００５８】なお、単分子膜はきわめて強固に化学結合
しているので剥離することがなかった。次に、末端基の
電子線処理を行った。酸素雰囲気中で５メガラドの電子
線を照射することによって、末端ビニル基（Ｈ2 Ｃ＝Ｃ
Ｈ−）をＨＯ基（水酸基）７５にした。この処理により
化学吸着単分子膜表面を親水性にできた（図１０）。
しているので剥離することがなかった。次に、末端基の
電子線処理を行った。酸素雰囲気中で５メガラドの電子
線を照射することによって、末端ビニル基（Ｈ2 Ｃ＝Ｃ
Ｈ−）をＨＯ基（水酸基）７５にした。この処理により
化学吸着単分子膜表面を親水性にできた（図１０）。
【００５９】これら実施例で示したフィルムの使用を試
みたところ、処理していないフィルムに比べてフィルム
表面が親水性であるため帯電状態が明らかに解消されて
おり、フィルム同志の密着現象も起きず、また帯電に伴
う埃等の付着も大幅に改善することができた。また、た
とえ付着したにしてもブラシなどで容易に除去できた。
さらに、このようなブラシ等の使用によって、膜に傷が
つくようなことも認められず、膜の剥離もなかった。さ
らに、手などによってフィルムを持った場合にフィルム
表面につく油汚れもこの膜によって容易に除去できた。
みたところ、処理していないフィルムに比べてフィルム
表面が親水性であるため帯電状態が明らかに解消されて
おり、フィルム同志の密着現象も起きず、また帯電に伴
う埃等の付着も大幅に改善することができた。また、た
とえ付着したにしてもブラシなどで容易に除去できた。
さらに、このようなブラシ等の使用によって、膜に傷が
つくようなことも認められず、膜の剥離もなかった。さ
らに、手などによってフィルムを持った場合にフィルム
表面につく油汚れもこの膜によって容易に除去できた。
【００６０】実施例７ 実施例１で得られた吸着膜の分子末端基の水酸基（−Ｏ
Ｈ基）２５（図２参照）をクロル基を複数含むクロロシ
ラン系物質［例えばＳｉＣｌ4 、ＳｉＨＣｌ3 、ＳｉＨ
2 Ｃｌ2 、またはＣｌ−（ＳｉＣｌ2 Ｏ）n −ＳｉＣｌ
3 （ただしｎは整数）、特にＳｉＣｌ4 を用いれば、分
子が小さく水酸基に対する活性も大きいので、単分子膜
２４の表面をさらに親水性化する効果が大きい。］を混
合した非水系溶媒、たとえばクロロホルム溶媒に１重量
％溶解した溶液に３０分程度浸漬し、次いで非水系溶液
であるクロロホルムで未反応物を洗浄・除去し、次に水
と反応させると、単分子膜２４の表面に親水性基からな
る単分子累積膜１００が累積される。その水酸基の数は
当初の約３倍の数である（図１１）。前記において、非
水系溶液であるクロロホルムで未反応物を洗浄・除去し
ないときは、ポリマー吸着膜が累積される。
Ｈ基）２５（図２参照）をクロル基を複数含むクロロシ
ラン系物質［例えばＳｉＣｌ4 、ＳｉＨＣｌ3 、ＳｉＨ
2 Ｃｌ2 、またはＣｌ−（ＳｉＣｌ2 Ｏ）n −ＳｉＣｌ
3 （ただしｎは整数）、特にＳｉＣｌ4 を用いれば、分
子が小さく水酸基に対する活性も大きいので、単分子膜
２４の表面をさらに親水性化する効果が大きい。］を混
合した非水系溶媒、たとえばクロロホルム溶媒に１重量
％溶解した溶液に３０分程度浸漬し、次いで非水系溶液
であるクロロホルムで未反応物を洗浄・除去し、次に水
と反応させると、単分子膜２４の表面に親水性基からな
る単分子累積膜１００が累積される。その水酸基の数は
当初の約３倍の数である（図１１）。前記において、非
水系溶液であるクロロホルムで未反応物を洗浄・除去し
ないときは、ポリマー吸着膜が累積される。
【００６１】なお本実施例は、実施例２以降の実施例で
得られた単分子膜についても応用できることはもちろん
である。
得られた単分子膜についても応用できることはもちろん
である。
【００６２】
【発明の効果】以上説明した通り本発明によれば、きわ
めて薄いナノメータレベルの膜厚の炭化水素系単分子膜
をオーバーヘッドプロジェクト用フィルムで代表する基
体表面に形成するため、基体本来の透明性を損なうこと
がない。また、帯電防止に優れており、メンテナンスを
大幅に削減できる効果も大きい。
めて薄いナノメータレベルの膜厚の炭化水素系単分子膜
をオーバーヘッドプロジェクト用フィルムで代表する基
体表面に形成するため、基体本来の透明性を損なうこと
がない。また、帯電防止に優れており、メンテナンスを
大幅に削減できる効果も大きい。
【図１】本発明の第１の実施例であるオーバーヘッドプ
ロジェクト用フィルムの表面を分子レベルまで拡大した
断面工程概念図である。
ロジェクト用フィルムの表面を分子レベルまで拡大した
断面工程概念図である。
【図２】同単分子帯電防止膜を示す拡大断面概念図であ
る。
る。
【図３】本発明の第２の実施例であるオーバーヘッドプ
ロジェクト用フィルムの表面を分子レベルまで拡大した
断面工程概念図である。
ロジェクト用フィルムの表面を分子レベルまで拡大した
断面工程概念図である。
【図４】同単分子帯電防止膜を示す拡大断面概念図であ
る。
る。
【図５】本発明の第３の実施例であるオーバーヘッドプ
ロジェクト用フィルムの表面を分子レベルまで拡大した
断面工程概念図、および同単分子帯電防止膜を示す拡大
断面概念図である。
ロジェクト用フィルムの表面を分子レベルまで拡大した
断面工程概念図、および同単分子帯電防止膜を示す拡大
断面概念図である。
【図６】本発明の第４の実施例であるオーバーヘッドプ
ロジェクト用フィルムの表面を分子レベルまで拡大した
断面工程概念図、および同単分子帯電防止膜を示す拡大
断面概念図である。
ロジェクト用フィルムの表面を分子レベルまで拡大した
断面工程概念図、および同単分子帯電防止膜を示す拡大
断面概念図である。
【図７】本発明の第５の実施例であるオーバーヘッドプ
ロジェクト用フィルムの表面を分子レベルまで拡大した
断面工程概念図である。
ロジェクト用フィルムの表面を分子レベルまで拡大した
断面工程概念図である。
【図８】同単分子帯電防止膜を示す拡大断面概念図であ
る。
る。
【図９】本発明の第６の実施例であるオーバーヘッドプ
ロジェクト用フィルムの表面を分子レベルまで拡大した
断面工程概念図である。
ロジェクト用フィルムの表面を分子レベルまで拡大した
断面工程概念図である。
【図１０】同単分子帯電防止膜を示す拡大断面概念図で
ある。
ある。
【図１１】本発明の第７の実施例であるオーバーヘッド
プロジェクト用フィルムの表面に単分子累積膜による帯
電防止膜を形成した例を示す拡大断面概念図である。
プロジェクト用フィルムの表面に単分子累積膜による帯
電防止膜を形成した例を示す拡大断面概念図である。
２１ フィルム基材 ２２ 水酸基 ２３ シロキサン単分子膜 ２４ 化学吸着単分子膜 ２５ 水酸基 １００ シロキサン単分子累積膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｂ３２Ｂ 9/00 Ｚ 7365−4Ｆ
Claims (9)
- 【請求項１】 基材表面に基材と化学結合させて帯電防
止膜を製造する方法であって、まず一端にクロルシリル
基を有する化学吸着剤を非水系有機溶媒に溶解して化学
吸着液を調製し、前記化学吸着液を表面が親水性の基材
表面に接触させ、化学吸着単分子膜を基材表面に形成す
る工程と、前記形成された化学吸着単分子膜の末端基に
アルカリ処理、または酸化処理によって帯電防止官能基
を付与する工程を含むことを特徴とする帯電防止膜の製
造方法。 - 【請求項２】 基材表面に基材と化学結合させて帯電防
止膜を製造する方法であって、まずクロロシリル基を複
数個含む化学吸着物質を溶解した非水系溶媒を調製し、
前記化学吸着液を表面が親水性の基材表面に接触させ、
前記基材表面の親水性基と前記化学吸着物質のクロロシ
リル基とを反応させて前記化学吸着物質を前記基材表面
に吸着させる工程と、非水系有機溶媒を用い前記基材上
に残った未反応化学吸着物質を洗浄除去した後、水と反
応させて、前記基材上にシラノール基を複数個含む物質
よりなる単分子内層膜を形成する工程と、一端にクロル
シリル基を有し他の一端に直鎖状炭化水素基を含むクロ
ロシラン系化学吸着剤を前記内層膜上に化学吸着させて
単分子吸着膜を累積する工程と、形成された化学吸着単
分子膜の末端基をアルカリ処理、または酸化処理によっ
て帯電防止官能基を付与する工程を含むことを特徴とす
る帯電防止膜の製造方法。 - 【請求項３】 クロルシラン系化学吸着剤の末端基が、
ＳｉＨm Ｒn 基、ＳｉＦm （ＣＨ3 ）n 基、ＳｉＣｌm
（ＣＨ3 ）n 基、Ｓｉ（ＮＲ2 ）m （ＣＨ3 ） n 基、Ｓ
ｉ（ＯＲ）m （ＣＨ3 ）n 基、Ｓｉ（Ｐｈ）m （Ｃ
Ｈ3 ）n 基（ただし、ｍ＋ｎ＝３、かつｍ≠０、かつｍ
≠３、Ｒは水素以外の基、Ｐｈはフェニル基を示す）か
ら選ばれる基である請求項１または２に記載の帯電防止
膜の製造方法。 - 【請求項４】 形成された化学吸着単分子膜の末端基に
帯電防止官能基を付与する工程が、アルカリ処理または
酸化処理によって末端基ＳｉＨm Ｒn 基（ただし、ｍ＋
ｎ＝３、かつｍ≠０、かつｍ≠３、Ｒは水素以外の基）
を水酸基にする工程である請求項１，２または３に記載
の帯電防止膜の製造方法。 - 【請求項５】 クロルシラン系化学吸着剤の末端基が不
飽和基である請求項１または２に記載の帯電防止膜の製
造方法。 - 【請求項６】 形成された化学吸着単分子膜の末端基に
帯電防止官能基を付与する工程が、乾燥した酸素雰囲
気、窒素雰囲気、空気雰囲気から選ばれる雰囲気下で電
子線照射することによって末端基の不飽和結合を酸素雰
囲気で水酸基にする工程、または窒素雰囲気でアミノ基
およびイミノ基にする工程、または空気雰囲気で水酸基
およびアミノ基およびイミノ基にする工程である請求項
１または２記載の帯電防止膜の製造方法。 - 【請求項７】 クロロシリル基を複数個含む内層膜用化
学吸着物質としてＳｉＣｌ4 、ＳｉＨＣｌ3 、ＳｉＨ2
Ｃｌ2 、またはＣｌ（ＳｉＣｌ2 Ｏ）n ＳｉＣｌ3 （た
だしｎは整数）を用いる請求項２に記載の帯電防止膜の
製造方法。 - 【請求項８】 表面に親水性基を有する吸着膜表面に、
クロロシリル基を複数個含むクロロシラン物質を接触さ
せ、次いで非水溶液で洗浄するかまたはせずして水と反
応させることを特徴とする帯電防止膜の製造方法。 - 【請求項９】 クロロシリル基を複数個含む化学吸着物
質としてＳｉＣｌ4 、ＳｉＨＣｌ3 、ＳｉＨ2 Ｃｌ2 、
またはＣｌ（ＳｉＣｌ2 Ｏ）n ＳｉＣｌ3 （ただしｎは
整数）を用いる請求項７に記載の帯電防止膜の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10987592A JP3181093B2 (ja) | 1991-04-30 | 1992-04-28 | 帯電防止膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9891091 | 1991-04-30 | ||
| JP3-98910 | 1991-04-30 | ||
| JP10987592A JP3181093B2 (ja) | 1991-04-30 | 1992-04-28 | 帯電防止膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05179026A true JPH05179026A (ja) | 1993-07-20 |
| JP3181093B2 JP3181093B2 (ja) | 2001-07-03 |
Family
ID=26440004
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10987592A Expired - Fee Related JP3181093B2 (ja) | 1991-04-30 | 1992-04-28 | 帯電防止膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3181093B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0782397A (ja) * | 1993-09-17 | 1995-03-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 親水親油性フィルム及びその製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102443092B1 (ko) | 2015-09-01 | 2022-09-14 | 삼성전자주식회사 | 공기조화장치에 사용되는 부품 및 이를 구비한 공기조화장치 |
-
1992
- 1992-04-28 JP JP10987592A patent/JP3181093B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0782397A (ja) * | 1993-09-17 | 1995-03-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 親水親油性フィルム及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3181093B2 (ja) | 2001-07-03 |
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