JPH0620982A - 不純物原子の導入方法 - Google Patents
不純物原子の導入方法Info
- Publication number
- JPH0620982A JPH0620982A JP3256821A JP25682191A JPH0620982A JP H0620982 A JPH0620982 A JP H0620982A JP 3256821 A JP3256821 A JP 3256821A JP 25682191 A JP25682191 A JP 25682191A JP H0620982 A JPH0620982 A JP H0620982A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- introducing
- diamond
- particles
- impurity
- accelerated particles
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ダイヤモンド、ＢＮ、ＳｉＣ又は有機物半導
体に不純物原子を導入する方法を提供する。 【構成】 不純物となる粒子を加速して、エネルギーを
持たせて、ダイヤモンド、ＢＮ、ＳｉＣ、又は有機物半
導体材料に照射することである。また、ダイヤモンド、
ＢＮ、ＳｉＣ又は有機物半導体材料に、加速した粒子を
照射後に水素ラジカル又は水素イオンを含む雰囲気に晒
すことである。
体に不純物原子を導入する方法を提供する。 【構成】 不純物となる粒子を加速して、エネルギーを
持たせて、ダイヤモンド、ＢＮ、ＳｉＣ、又は有機物半
導体材料に照射することである。また、ダイヤモンド、
ＢＮ、ＳｉＣ又は有機物半導体材料に、加速した粒子を
照射後に水素ラジカル又は水素イオンを含む雰囲気に晒
すことである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子工業における半導
体や絶縁体などに用いられる電子材料に、導電性の半導
体材料を得るために、不純物元素を導入するための方法
に関するものである。
体や絶縁体などに用いられる電子材料に、導電性の半導
体材料を得るために、不純物元素を導入するための方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＣＶＤ法（化学気相成長法）など
の方法によって得られるダイヤモンド、ＢＮ、ＳｉＣお
よび有機物半導体などの電子材料は、電子工業における
半導体や絶縁体などへの利用が検討され、工業的にも注
目されている。
の方法によって得られるダイヤモンド、ＢＮ、ＳｉＣお
よび有機物半導体などの電子材料は、電子工業における
半導体や絶縁体などへの利用が検討され、工業的にも注
目されている。
【０００３】これらの材料を広く用いるためには、結晶
性の良いものを作製する技術を確立すると共に、より機
能性を高める上でｐ形やｎ形の導電性を制御する技術が
必要不可欠である。従来行なわれてきた方法としては、
例えばｐ形やｎ形の結晶を作製する際、材料の作製時に
ドーパントとなる原子と混入させて作製する方法がある
が、作製温度が高いことや十分にドーパントが活性化し
ないなどといった問題点がある。
性の良いものを作製する技術を確立すると共に、より機
能性を高める上でｐ形やｎ形の導電性を制御する技術が
必要不可欠である。従来行なわれてきた方法としては、
例えばｐ形やｎ形の結晶を作製する際、材料の作製時に
ドーパントとなる原子と混入させて作製する方法がある
が、作製温度が高いことや十分にドーパントが活性化し
ないなどといった問題点がある。
【０００４】そこで、材料作成後不純物を導入する方法
がシリコン材料に関して知られていた。
がシリコン材料に関して知られていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ダイヤ
モンド、ＢＮ、ＳｉＣおよび有機物半導体の電子材料に
ついては、材料作成後の不純物導入は出来ないとされて
いた。
モンド、ＢＮ、ＳｉＣおよび有機物半導体の電子材料に
ついては、材料作成後の不純物導入は出来ないとされて
いた。
【０００６】そこで、本発明は、そのような従来の不純
物導入方法の課題を考慮し、ダイヤモンド、ＢＮ、Ｓｉ
Ｃおよび有機物半導体の導電性制御を可能にするため、
座量作成後に不純物を導入できる方法を提供することを
目的とする。
物導入方法の課題を考慮し、ダイヤモンド、ＢＮ、Ｓｉ
Ｃおよび有機物半導体の導電性制御を可能にするため、
座量作成後に不純物を導入できる方法を提供することを
目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】第１の本発明の不純物原
子の導入方法は、不純物となる粒子を加速して、エネル
ギーを持たせて、ダイヤモンド、ＢＮ、ＳｉＣ又は有機
物半導体材料に照射することである。
子の導入方法は、不純物となる粒子を加速して、エネル
ギーを持たせて、ダイヤモンド、ＢＮ、ＳｉＣ又は有機
物半導体材料に照射することである。
【０００８】また、第２の本発明の不純物原子の導入方
法は、ダイヤモンド、ＢＮ、ＳｉＣ又は有機物半導体材
料に、加速した粒子を照射後に水素ラジカル又は水素イ
オンを含む雰囲気に晒すことである。
法は、ダイヤモンド、ＢＮ、ＳｉＣ又は有機物半導体材
料に、加速した粒子を照射後に水素ラジカル又は水素イ
オンを含む雰囲気に晒すことである。
【０００９】前記第１または第２の不純物原子の導入方
法の本発明の構成においては、加速された粒子の状態が
イオンであることが好ましい。
法の本発明の構成においては、加速された粒子の状態が
イオンであることが好ましい。
【００１０】また前記第１または第２の不純物原子の導
入方法の本発明の構成においては、加速された粒子が
Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、ＩｎなどのIII族元素あるいはＮ、
Ｐ、Ａｓ、ＳｂなどのＶ族元素であることが好ましい。
入方法の本発明の構成においては、加速された粒子が
Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、ＩｎなどのIII族元素あるいはＮ、
Ｐ、Ａｓ、ＳｂなどのＶ族元素であることが好ましい。
【００１１】前記第１の不純物原子の導入方法の本発明
の構成においては、加速された粒子の照射量として、単
位平方ｃｍ当り1×1016個未満であるが好ましい。
の構成においては、加速された粒子の照射量として、単
位平方ｃｍ当り1×1016個未満であるが好ましい。
【００１２】前記第２の不純物原子の導入方法の本発明
の構成においては、加速された粒子の照射量として、単
位平方ｃｍ当り1×1018個以下であるが好ましい。
の構成においては、加速された粒子の照射量として、単
位平方ｃｍ当り1×1018個以下であるが好ましい。
【００１３】また前記第１または第２の不純物原子の導
入方法の本発明の構成においては、加速された粒子を照
射するときの電子材料の温度として、−２００℃から５
００℃に保つことが好ましい。
入方法の本発明の構成においては、加速された粒子を照
射するときの電子材料の温度として、−２００℃から５
００℃に保つことが好ましい。
【００１４】そして、前記第２の不純物原子の導入方法
の本発明の構成においては、加速された粒子を照射した
後に晒す水素ラジカルあるいは水素イオンを含む雰囲気
が、プラズマ状であることが好ましい。
の本発明の構成においては、加速された粒子を照射した
後に晒す水素ラジカルあるいは水素イオンを含む雰囲気
が、プラズマ状であることが好ましい。
【００１５】
【作用】不純物となる原子を加速してエネルギーを与
え、ダイヤモンド、ＢＮ、ＳｉＣ又は有機物半導体材料
に照射することにより、不純物原子を導入することがで
きる。この方法はドーパントとなる元素の濃度・分布の
制御性が良い、注入領域を選択できるなどの点で有効で
ある。
え、ダイヤモンド、ＢＮ、ＳｉＣ又は有機物半導体材料
に照射することにより、不純物原子を導入することがで
きる。この方法はドーパントとなる元素の濃度・分布の
制御性が良い、注入領域を選択できるなどの点で有効で
ある。
【００１６】また第２の本発明の如く、加速した粒子を
照射後に水素ラジカル又は水素イオンを含む雰囲気に晒
すことによって、照射時に受けた損傷を除去することが
可能になる。
照射後に水素ラジカル又は水素イオンを含む雰囲気に晒
すことによって、照射時に受けた損傷を除去することが
可能になる。
【００１７】第３の本発明の如く、加速された粒子の状
態がイオンであることによって、照射する粒子のエネル
ギーや位置などの制御が容易になる。
態がイオンであることによって、照射する粒子のエネル
ギーや位置などの制御が容易になる。
【００１８】第４の本発明の如く、加速された粒子が
Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，ＩｎなどのIII族元素あるいはＮ，
Ｐ，Ａｓ，ＳｂなどのＶ族元素であることによって、照
射された電子材料の導電性制御を行なうことが容易にな
る。
Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，ＩｎなどのIII族元素あるいはＮ，
Ｐ，Ａｓ，ＳｂなどのＶ族元素であることによって、照
射された電子材料の導電性制御を行なうことが容易にな
る。
【００１９】第５の本発明の如く、加速された粒子の照
射量として単位平方cm当り1×1016個未満であることに
よって、電子材料に必要以上に損傷を与えることはな
い。
射量として単位平方cm当り1×1016個未満であることに
よって、電子材料に必要以上に損傷を与えることはな
い。
【００２０】第６の本発明の如く、加速された粒子の照
射量として単位平方cm当り1×1018個以下であることに
よって、電子材料に必要以上に損傷を与えることはな
い。 第７の本発明の如く、加速された粒子を照射する
ときの電子材料の温度として、−２００℃から５００℃
に保つことによって、電子材料に与えられる損傷量の制
御や照射後の状態を制御が可能となる。
射量として単位平方cm当り1×1018個以下であることに
よって、電子材料に必要以上に損傷を与えることはな
い。 第７の本発明の如く、加速された粒子を照射する
ときの電子材料の温度として、−２００℃から５００℃
に保つことによって、電子材料に与えられる損傷量の制
御や照射後の状態を制御が可能となる。
【００２１】第８の本発明の如く、加速された粒子を照
射した後に晒す雰囲気が、プラズマ状であることによっ
て、より活性な水素量が多いため、効率的に損傷の除去
が行なえる。
射した後に晒す雰囲気が、プラズマ状であることによっ
て、より活性な水素量が多いため、効率的に損傷の除去
が行なえる。
【００２２】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００２３】（実施例１）原料ガスとして窒素ガスを用
い、そのガスをプラズマ化することにより得られたＮイ
オンを電子材料であるダイヤモンドに照射した。Ｎイオ
ンのエネルギーは100KeV、ドーズ量は 1×1015個/cm2で
行なった。イオンの照射の結果、ダイヤモンド中にＮ原
子が導入されていることが二次イオン質量分析法などで
確認された。また、図１はＮイオンを照射する前後のラ
マン測定の結果で、図中の（ａ）で示されたのがイオン
照射前のダイヤモンドのラマンスペクトルを、（ｂ）で
示されたのが照射後のものである。1333cm-1に得られる
シグナルがダイヤモンド特有のピークで、その強度がダ
イヤモンドの結晶性に対応する。図１の結果より、
（ａ）と（ｂ）のラマン散乱強度の変化が見られないこ
とから、この照射条件においてはダイヤモンドの結晶構
造の変化はないことがわかる。このことはＸ線回折法な
どの他の分析方法でも確認された。同様の結果は他のイ
オン、例えばＢ、Ｐなどでも得られることを本発明者ら
は確認した。以上より、電子材料であるダイヤモンドに
加速した粒子を照射することによって、不純物原子が導
入されることがわかった。
い、そのガスをプラズマ化することにより得られたＮイ
オンを電子材料であるダイヤモンドに照射した。Ｎイオ
ンのエネルギーは100KeV、ドーズ量は 1×1015個/cm2で
行なった。イオンの照射の結果、ダイヤモンド中にＮ原
子が導入されていることが二次イオン質量分析法などで
確認された。また、図１はＮイオンを照射する前後のラ
マン測定の結果で、図中の（ａ）で示されたのがイオン
照射前のダイヤモンドのラマンスペクトルを、（ｂ）で
示されたのが照射後のものである。1333cm-1に得られる
シグナルがダイヤモンド特有のピークで、その強度がダ
イヤモンドの結晶性に対応する。図１の結果より、
（ａ）と（ｂ）のラマン散乱強度の変化が見られないこ
とから、この照射条件においてはダイヤモンドの結晶構
造の変化はないことがわかる。このことはＸ線回折法な
どの他の分析方法でも確認された。同様の結果は他のイ
オン、例えばＢ、Ｐなどでも得られることを本発明者ら
は確認した。以上より、電子材料であるダイヤモンドに
加速した粒子を照射することによって、不純物原子が導
入されることがわかった。
【００２４】（実施例２）続いて（実施例１）と同様の
実験をドーズ量のみを1×1016個/cm2に変えて行なっ
た。その結果、ドーズ量を増やすことによって多くの原
子をダイヤモンド中に導入することは可能となるが、イ
オンが注入された領域に損傷をうけることがわかった。
図２にその様子を示す。図２中の（ａ）はイオン照射前
の、そして（ｂ）は照射後のダイヤモンドのラマンスペ
クトルである。（ｂ）に示される照射後のラマン散乱の
強度は（ａ）の強度に比べ、著しく減少したことがわか
る。すなわち、イオン照射によって結晶性の低下がみら
れ、損傷を受けたことが分かる。そこで、水素ラジカル
あるいは水素イオンを含む雰囲気にイオンを照射された
試料を晒すことによって、損傷を受けた領域の回復を試
みた。図３は用いた装置の一例の概略図である。以下に
その構成を述べる。
実験をドーズ量のみを1×1016個/cm2に変えて行なっ
た。その結果、ドーズ量を増やすことによって多くの原
子をダイヤモンド中に導入することは可能となるが、イ
オンが注入された領域に損傷をうけることがわかった。
図２にその様子を示す。図２中の（ａ）はイオン照射前
の、そして（ｂ）は照射後のダイヤモンドのラマンスペ
クトルである。（ｂ）に示される照射後のラマン散乱の
強度は（ａ）の強度に比べ、著しく減少したことがわか
る。すなわち、イオン照射によって結晶性の低下がみら
れ、損傷を受けたことが分かる。そこで、水素ラジカル
あるいは水素イオンを含む雰囲気にイオンを照射された
試料を晒すことによって、損傷を受けた領域の回復を試
みた。図３は用いた装置の一例の概略図である。以下に
その構成を述べる。
【００２５】本装置は真空槽３０２の外部よりマイクロ
波を導入し、水素ラジカルあるいは水素イオンを含む雰
囲気を生成するもので、そのためマイクロ波が槽内に入
射できるよう真空槽３０２は円筒状の石英管を用いてい
る。また、マイクロ波発振器３０５より発生したマイク
ロ波が伝導する導波管３０６のＥ面の中央部を石英管３
０２が貫通している。そして、真空槽３０２には前記真
空槽３０２内を真空にするための真空ポンプ３０３並び
にガスを導入するガス導入口３０４が取り付けられてい
る。試料３０１である損傷を有する電子材料は加熱が可
能なようにヒーターが組み込まれた基板台３０７の上に
設置されると共に、マイクロ波が入射する領域に配置さ
れる。
波を導入し、水素ラジカルあるいは水素イオンを含む雰
囲気を生成するもので、そのためマイクロ波が槽内に入
射できるよう真空槽３０２は円筒状の石英管を用いてい
る。また、マイクロ波発振器３０５より発生したマイク
ロ波が伝導する導波管３０６のＥ面の中央部を石英管３
０２が貫通している。そして、真空槽３０２には前記真
空槽３０２内を真空にするための真空ポンプ３０３並び
にガスを導入するガス導入口３０４が取り付けられてい
る。試料３０１である損傷を有する電子材料は加熱が可
能なようにヒーターが組み込まれた基板台３０７の上に
設置されると共に、マイクロ波が入射する領域に配置さ
れる。
【００２６】かかる装置を用いて、マイクロ波発振器３
０５でマイクロ波を真空槽３０２内に入射すると試料３
０１を設置した領域にプラズマが発生する。その際の真
空槽３０２内の圧力は通常 0.01〜100Torr程度が好まし
く用いられる。また、電子材料の温度は主に600〜900℃
の範囲が好ましく用いられる。真空槽３０２内に導入さ
れるガスは混合ガスでもよいが、一般的には純度が99％
以上の水素ガスが好ましい。
０５でマイクロ波を真空槽３０２内に入射すると試料３
０１を設置した領域にプラズマが発生する。その際の真
空槽３０２内の圧力は通常 0.01〜100Torr程度が好まし
く用いられる。また、電子材料の温度は主に600〜900℃
の範囲が好ましく用いられる。真空槽３０２内に導入さ
れるガスは混合ガスでもよいが、一般的には純度が99％
以上の水素ガスが好ましい。
【００２７】本実施例において具体的に行なった手順は
以下の通りである。
以下の通りである。
【００２８】まず、イオンを照射されたダイヤモンドを
試料３０１として真空槽３０２内の所定の位置に設置し
た後、真空ポンプ３０３によって槽内を充分に真空排気
した。そして、ガス導入口３０４より純度が99.5％の水
素ガスを導入し、槽内の圧力を30Torrで一定に保った
後、マイクロ波（200W）を入射した。このようにマイク
ロ波を作用された水素ガスは活性なラジカルやイオンを
含むプラズマとなった。そして、このプラズマに試料を
晒すことによって、電子材料の温度は約800℃となっ
た。プラズマに試料を晒した時間は、20分である。その
結果、図２中（ｃ）に示したように、このプラズマに試
料を晒すことにより、ラマン散乱の強度がイオン照射前
のダイヤモンドのラマン散乱強度にまで回復した。この
ことは、この処理によってダイヤモンドの受けた損傷が
除去されていることを表わしている。同様の結果は、電
子エネルギー損失分光法（ＥＥＬＳ）及びカソードルミ
ネセンス測定（ＣＬ）においても本発明者らは確認し
た。
試料３０１として真空槽３０２内の所定の位置に設置し
た後、真空ポンプ３０３によって槽内を充分に真空排気
した。そして、ガス導入口３０４より純度が99.5％の水
素ガスを導入し、槽内の圧力を30Torrで一定に保った
後、マイクロ波（200W）を入射した。このようにマイク
ロ波を作用された水素ガスは活性なラジカルやイオンを
含むプラズマとなった。そして、このプラズマに試料を
晒すことによって、電子材料の温度は約800℃となっ
た。プラズマに試料を晒した時間は、20分である。その
結果、図２中（ｃ）に示したように、このプラズマに試
料を晒すことにより、ラマン散乱の強度がイオン照射前
のダイヤモンドのラマン散乱強度にまで回復した。この
ことは、この処理によってダイヤモンドの受けた損傷が
除去されていることを表わしている。同様の結果は、電
子エネルギー損失分光法（ＥＥＬＳ）及びカソードルミ
ネセンス測定（ＣＬ）においても本発明者らは確認し
た。
【００２９】（実施例３）同様の実験を他の電子材料
（ＢＮ、ＳｉＣ、有機物半導体）においても行なった結
果、不純物原子を導入するが可能であることを本発明者
らは確認した。
（ＢＮ、ＳｉＣ、有機物半導体）においても行なった結
果、不純物原子を導入するが可能であることを本発明者
らは確認した。
【００３０】なお、加速する粒子は、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、
Ｉｎなどの III族元素あるいはＮ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂなど
のＶ族元素を用いることが出来るが、他の粒子でもよ
い。
Ｉｎなどの III族元素あるいはＮ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂなど
のＶ族元素を用いることが出来るが、他の粒子でもよ
い。
【００３１】
【発明の効果】以上述べたところから明らかなように、
本発明方法によれば、任意の原子を不純物としてダイヤ
モンド、ＢＮ、ＳｉＣ又は有機物半導体の材料に導入す
ることが可能になる。このことは特に電子材料の導電性
制御を可能にする。
本発明方法によれば、任意の原子を不純物としてダイヤ
モンド、ＢＮ、ＳｉＣ又は有機物半導体の材料に導入す
ることが可能になる。このことは特に電子材料の導電性
制御を可能にする。
【００３２】また、第２の本発明の如く、粒子を照射し
たダイヤモンド、ＢＮ、ＳｉＣ又は有機物半導体の材料
を水素ラジカル又は水素イオンを含む雰囲気に晒すこと
によって、照射時に受けた損傷を除去することが可能に
なる。
たダイヤモンド、ＢＮ、ＳｉＣ又は有機物半導体の材料
を水素ラジカル又は水素イオンを含む雰囲気に晒すこと
によって、照射時に受けた損傷を除去することが可能に
なる。
【００３３】第３の本発明の如く、加速された粒子の状
態がイオンであることによって、照射する粒子のエネル
ギーや位置などの制御が容易になる。
態がイオンであることによって、照射する粒子のエネル
ギーや位置などの制御が容易になる。
【００３４】第４の本発明の如く、加速された粒子が
Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，ＩｎなどのIII族元素あるいはＮ，
Ｐ，Ａｓ，ＳｂなどのＶ族元素であることによって、照
射された電子材料の導電性制御を行なうことが容易にな
る。
Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，ＩｎなどのIII族元素あるいはＮ，
Ｐ，Ａｓ，ＳｂなどのＶ族元素であることによって、照
射された電子材料の導電性制御を行なうことが容易にな
る。
【００３５】第５の本発明の如く、加速された粒子の照
射量として単位平方cm当り1×1016個未満であることに
よって、電子材料に必要以上に損傷を与えることはな
い。
射量として単位平方cm当り1×1016個未満であることに
よって、電子材料に必要以上に損傷を与えることはな
い。
【００３６】第６の本発明の如く、加速された粒子の照
射量として単位平方cm当り1×1018個以下であることに
よって、電子材料に必要以上に損傷を与えることはな
い。
射量として単位平方cm当り1×1018個以下であることに
よって、電子材料に必要以上に損傷を与えることはな
い。
【００３７】第７の本発明の如く、加速された粒子を照
射するときの電子材料の温度として、−２００℃から５
００℃に保つことによって、電子材料に与えられる損傷
量の制御や照射後の状態を制御が可能となる。
射するときの電子材料の温度として、−２００℃から５
００℃に保つことによって、電子材料に与えられる損傷
量の制御や照射後の状態を制御が可能となる。
【００３８】第８の本発明の如く、加速された粒子を照
射した後に晒す雰囲気が、プラズマ状であることによっ
て、より活性な水素量が多いため、効率的に損傷の除去
が行なえる。
射した後に晒す雰囲気が、プラズマ状であることによっ
て、より活性な水素量が多いため、効率的に損傷の除去
が行なえる。
【図１】1×1015個/cm2のＮイオンを照射する前後のラ
マン分光の結果を示すグラフである。
マン分光の結果を示すグラフである。
【図２】1×1016個/cm2のＮイオンを照射する前後およ
び水素プラズマ処理を行なった後のラマン分光の結果を
示すグラフである。
び水素プラズマ処理を行なった後のラマン分光の結果を
示すグラフである。
【図３】本発明の一実施例で用いた水素プラズマ処理装
置の概略図である。
置の概略図である。
３０１ 試料 ３０２ 真空槽 ３０３ 真空ポンプ ３０４ ガス導入口 ３０５ マイクロ波発振器 ３０６ 導波管 ３０７ 基板台
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 平尾 孝 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 北畠 真 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 出口 正洋 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 西村 一仁 大阪府堺市鳳北町２丁80番地 大阪ダイヤ モンド工業株式会社内
Claims (8)
- 【請求項１】 ダイヤモンド、ＢＮ、ＳｉＣ又は有機物
半導体の材料に、加速された粒子を照射することによっ
てその粒子を前記材料に導入することを特徴とする不純
物原子の導入方法。 - 【請求項２】 ダイヤモンド、ＢＮ、ＳｉＣ又は有機物
半導体の材料に、加速された粒子を照射した後に、その
材料を水素ラジカルあるいは水素イオンを含む雰囲気に
晒すことを特徴とする不純物原子の導入方法。 - 【請求項３】 加速された粒子の状態がイオンであるこ
とを特徴とする請求項１あるいは２記載の不純物原子の
導入方法。 - 【請求項４】 加速された粒子がＢ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ
などのIII族元素あるいはＮ、Ｐ、Ａｓ、ＳｂなどのＶ
族元素であることを特徴とする請求項１あるいは２記載
の不純物原子の導入方法。 - 【請求項５】 加速された粒子の照射量として、単位平
方ｃｍ当り1×1016個未満であることを特徴とする請求
項１記載の不純物原子の導入方法。 - 【請求項６】 加速された粒子の照射量として、単位平
方ｃｍ当り1×1018個以下であることを特徴とする請求
項２記載の不純物原子の導入方法。 - 【請求項７】 加速された粒子を照射するときの材料の
温度を、−２００℃から５００℃に保つことを特徴とす
る請求項１あるいは２記載の不純物原子の導入方法。 - 【請求項８】 加速された粒子を照射された後に晒す水
素ラジカルあるいは水素イオンを含む雰囲気が、プラズ
マ状であることを特徴とする請求項２記載の不純物原子
の導入方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3256821A JP2679011B2 (ja) | 1991-10-04 | 1991-10-04 | 不純物原子の導入方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3256821A JP2679011B2 (ja) | 1991-10-04 | 1991-10-04 | 不純物原子の導入方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0620982A true JPH0620982A (ja) | 1994-01-28 |
| JP2679011B2 JP2679011B2 (ja) | 1997-11-19 |
Family
ID=17297904
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3256821A Expired - Lifetime JP2679011B2 (ja) | 1991-10-04 | 1991-10-04 | 不純物原子の導入方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2679011B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008007383A (ja) * | 2006-06-30 | 2008-01-17 | Tokyo Yogyo Co Ltd | セラミックス構造物の製造方法およびセラミックス構造物 |
| JP2008285405A (ja) * | 2008-06-18 | 2008-11-27 | Applied Diamond:Kk | ダイヤモンド薄膜、ダイヤモンド薄膜の改質方法、ダイヤモンド薄膜の改質及び薄膜形成方法、並びにダイヤモンド薄膜の加工方法 |
| JP2016008334A (ja) * | 2014-06-25 | 2016-01-18 | 国立大学法人 大分大学 | 導電性ダイヤモンド電極の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0322526A (ja) * | 1989-06-20 | 1991-01-30 | Sharp Corp | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
| JPH0376168A (ja) * | 1989-08-17 | 1991-04-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | ダイヤモンドを用いた電子装置の作製方法 |
-
1991
- 1991-10-04 JP JP3256821A patent/JP2679011B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0322526A (ja) * | 1989-06-20 | 1991-01-30 | Sharp Corp | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
| JPH0376168A (ja) * | 1989-08-17 | 1991-04-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | ダイヤモンドを用いた電子装置の作製方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008007383A (ja) * | 2006-06-30 | 2008-01-17 | Tokyo Yogyo Co Ltd | セラミックス構造物の製造方法およびセラミックス構造物 |
| JP2008285405A (ja) * | 2008-06-18 | 2008-11-27 | Applied Diamond:Kk | ダイヤモンド薄膜、ダイヤモンド薄膜の改質方法、ダイヤモンド薄膜の改質及び薄膜形成方法、並びにダイヤモンド薄膜の加工方法 |
| JP2016008334A (ja) * | 2014-06-25 | 2016-01-18 | 国立大学法人 大分大学 | 導電性ダイヤモンド電極の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2679011B2 (ja) | 1997-11-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100739837B1 (ko) | 불순물 도입 방법 및 불순물 도입 장치 | |
| JP4544447B2 (ja) | プラズマドーピング方法 | |
| Lipp et al. | A comparison of focused ion beam and electron beam induced deposition processes | |
| JPH09115851A (ja) | 不純物の導入方法及びその装置、並びに半導体装置の製造方法 | |
| JP2836790B2 (ja) | ダイヤモンド薄膜へのオーミック電極形成方法 | |
| Qian et al. | Sub-100 mn p+/n junction formation using plasma immersion ion implantation | |
| KR20200044930A (ko) | 에피택셜 실리콘 웨이퍼의 제조 방법, 에피택셜 실리콘 웨이퍼, 및 고체 촬상 소자의 제조 방법 | |
| JPH0620982A (ja) | 不純物原子の導入方法 | |
| JP2002502123A (ja) | イオン注入したシリコンの急速熱処理方法 | |
| JP4124675B2 (ja) | シリコンウェハを低温酸化する方法およびその装置 | |
| US5851906A (en) | Impurity doping method | |
| JP3165536B2 (ja) | 半導体ダイヤモンドの形成方法及び装置 | |
| JPH0335825B2 (ja) | ||
| US6083354A (en) | Treatment method for diamonds | |
| Miyake | Removal of a thin SiO2 layer by low-energy hydrogen ion bombardment at elevated temperatures | |
| JPH05229896A (ja) | 導電性ダイヤモンドの製造方法 | |
| US20040266123A1 (en) | Electron beam treatment of SixNy films | |
| JP3095190B2 (ja) | 材料の結晶欠陥除去方法 | |
| JP2694625B2 (ja) | 化合物半導体基体のエッチング方法および製造方法 | |
| JPH0421335B2 (ja) | ||
| JPH06321690A (ja) | 半導体ダイヤモンド膜の形成方法及び処理方法 | |
| JPH1081588A (ja) | 半導体ダイヤモンド及びその形成方法 | |
| Hordequin et al. | Strong impact of x-ray radiation associated with electron beam metallization of diamond devices | |
| JP4053736B2 (ja) | イオン発生装置、イオン照射装置およびイオン発生方法 | |
| JP4086334B2 (ja) | 不純物の導入方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070801 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080801 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080801 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090801 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090801 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100801 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110801 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110801 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120801 Year of fee payment: 15 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120801 Year of fee payment: 15 |