JPH06204362A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH06204362A JPH06204362A JP5000166A JP16693A JPH06204362A JP H06204362 A JPH06204362 A JP H06204362A JP 5000166 A JP5000166 A JP 5000166A JP 16693 A JP16693 A JP 16693A JP H06204362 A JPH06204362 A JP H06204362A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- epoxy resin
- film
- semiconductor
- polyimide film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】エポキシ樹脂により封止される半導体装置にお
いて、半導体ペレットとエポキシ樹脂との密着性を向上
させることによって樹脂剥離を防ぎ、耐湿性の向上を図
る。 【構成】半導体ペレット３を覆うカバー膜２の上に破砕
フィラー入りポリイミド膜１を設けてエポキシ樹脂６で
封止する。これによって半導体ペレット３上にポリイミ
ド膜で覆われた破砕フィラーによる鋸歯状の粗面が形成
され、エポキシ樹脂との接着面積が広くなって密着性が
向上し、さらに粗面において応力が分散されるのでクラ
ックの発生が防止され耐湿性が向上する。
いて、半導体ペレットとエポキシ樹脂との密着性を向上
させることによって樹脂剥離を防ぎ、耐湿性の向上を図
る。 【構成】半導体ペレット３を覆うカバー膜２の上に破砕
フィラー入りポリイミド膜１を設けてエポキシ樹脂６で
封止する。これによって半導体ペレット３上にポリイミ
ド膜で覆われた破砕フィラーによる鋸歯状の粗面が形成
され、エポキシ樹脂との接着面積が広くなって密着性が
向上し、さらに粗面において応力が分散されるのでクラ
ックの発生が防止され耐湿性が向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置に関し、特に
樹脂封止型の半導体装置に関する。
樹脂封止型の半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の樹脂封止型の半導体装置は、一般
に図３の部分断面図に示すように、ＳｉＯ2 やＳｉＮ等
のカバー膜２で被覆された半導体ペレット３をリードフ
レームのアイランド４に搭載し、ワイヤー５でインナー
リードとの間をボンディングした後エポキシ樹脂６で樹
脂封止した構造となっている。しかし、この構造は、ア
イランド４とエポキシ樹脂６との接合面、およびカバー
膜２とエポキシ樹脂６との接合面における密着性が悪い
という問題を抱えている。
に図３の部分断面図に示すように、ＳｉＯ2 やＳｉＮ等
のカバー膜２で被覆された半導体ペレット３をリードフ
レームのアイランド４に搭載し、ワイヤー５でインナー
リードとの間をボンディングした後エポキシ樹脂６で樹
脂封止した構造となっている。しかし、この構造は、ア
イランド４とエポキシ樹脂６との接合面、およびカバー
膜２とエポキシ樹脂６との接合面における密着性が悪い
という問題を抱えている。
【０００３】そこで、上記接合面における密着性を向上
させるために、以下のような構造が採られてきた。ま
ず、図４の部分断面図に示すように、アイランド４とエ
ポキシ樹脂６との密着性向上のためには、アイランド４
の裏面側に凹凸をつけたりスリットを入れるなどして接
合面積を増やす構造が採られている。この構造は、例え
ば実開昭６２−１４９８６７号、特開平３−１９２４６
号に示されている。一方、半導体ペレット３上のカバー
膜２の上面とエポキシ樹脂６との密着性向上のために
は、図５の部分断面図に示すように、カバー膜２の上面
にエポキシ樹脂６と比較的密着性のよいポリイミド膜７
を設ける構造が採られている。さらに、図６の部分断面
図に示すように、ポリイミド膜７の上面に酸素プラズマ
によるアッシング処理を施して粗面を形成し、密着性を
向上させた構造も用いられている。
させるために、以下のような構造が採られてきた。ま
ず、図４の部分断面図に示すように、アイランド４とエ
ポキシ樹脂６との密着性向上のためには、アイランド４
の裏面側に凹凸をつけたりスリットを入れるなどして接
合面積を増やす構造が採られている。この構造は、例え
ば実開昭６２−１４９８６７号、特開平３−１９２４６
号に示されている。一方、半導体ペレット３上のカバー
膜２の上面とエポキシ樹脂６との密着性向上のために
は、図５の部分断面図に示すように、カバー膜２の上面
にエポキシ樹脂６と比較的密着性のよいポリイミド膜７
を設ける構造が採られている。さらに、図６の部分断面
図に示すように、ポリイミド膜７の上面に酸素プラズマ
によるアッシング処理を施して粗面を形成し、密着性を
向上させた構造も用いられている。
【０００４】これらに用いられているポリイミド膜７
は、密着性向上の他にパッケージ材であるエポキシ樹脂
６中に含まれる放射性物質、特にシリカや石英等のフィ
ラーから発生するα線を減衰させる効果があり、半導体
チップ３を保護して半導体装置のソフトエラーを防止す
るための有効な手段として用いられている。
は、密着性向上の他にパッケージ材であるエポキシ樹脂
６中に含まれる放射性物質、特にシリカや石英等のフィ
ラーから発生するα線を減衰させる効果があり、半導体
チップ３を保護して半導体装置のソフトエラーを防止す
るための有効な手段として用いられている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述したように従来構
造の半導体装置は、耐湿性改善のために種々の手段が用
いられているが、半導体ペレットと封止樹脂間の密着性
を高めかつα線対策として有効なポリイミド樹脂が密着
性に関しては必ずしも充分ではなく、耐湿性の劣化につ
ながるという欠点を有している。そこで、この耐湿性改
善のため、エポキシ樹脂に替る低吸湿性の樹脂が開発さ
れてはいるがポリイミド樹脂との密着性の点で問題を残
している。
造の半導体装置は、耐湿性改善のために種々の手段が用
いられているが、半導体ペレットと封止樹脂間の密着性
を高めかつα線対策として有効なポリイミド樹脂が密着
性に関しては必ずしも充分ではなく、耐湿性の劣化につ
ながるという欠点を有している。そこで、この耐湿性改
善のため、エポキシ樹脂に替る低吸湿性の樹脂が開発さ
れてはいるがポリイミド樹脂との密着性の点で問題を残
している。
【０００６】本発明はこのような状況のもとでエポキシ
樹脂を用いて封止を行う半導体装置において、半導体ペ
レットとエポキシ樹脂との密着性を向上させるために、
この接合部分につなぎの役目を果す中間膜を介在させる
ことによって、半導体装置の耐湿性向上を図ることを目
的とする。
樹脂を用いて封止を行う半導体装置において、半導体ペ
レットとエポキシ樹脂との密着性を向上させるために、
この接合部分につなぎの役目を果す中間膜を介在させる
ことによって、半導体装置の耐湿性向上を図ることを目
的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
リードフレームに半導体ペレットを搭載しエポキシ樹脂
で封止してなる半導体装置において、半導体ペレット上
面を覆うカバー膜の上に破砕フィラーを混入したポリイ
ミド膜を設けている。
リードフレームに半導体ペレットを搭載しエポキシ樹脂
で封止してなる半導体装置において、半導体ペレット上
面を覆うカバー膜の上に破砕フィラーを混入したポリイ
ミド膜を設けている。
【０００８】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の実施例１の部分断面図である。
る。図１は本発明の実施例１の部分断面図である。
【０００９】本実施例の半導体装置の製造にあたって
は、まず、多数の半導体ペレットが形成されているウェ
ハ上にＳｉＯ2 のカバー膜を８００〜９００ｎｍ形成
し、この上に充填率６０％程度に破砕フィラーを混入し
たポリイミド樹脂を塗布する。この破砕フィラーはシリ
カあるいは石英からなり、粒径１〜１００μｍで平均粒
径１０μｍ程度のものを使用する。塗布方法はウェハを
スピンチャックに載せて樹脂を滴下する回転塗布法によ
り行い、塗布後、窒素雰囲気中で１００℃、３０分間の
ベークを行う。塗布厚さは破砕フィラーの最大粒径以下
とし、具体的にはこの塗布膜の表面に凹凸が形成される
７μｍ程度がよい。次に、ウェハを半導体ペレット３に
ダイシング（個片化）し、リードフレームのアイランド
４に半導体ペレット３をダイボンディングする。そし
て、インナーリードと半導体ペレット３とをワイヤー５
でボンディングし、樹脂モールド金型を用いてエポキシ
樹脂６で封止する。
は、まず、多数の半導体ペレットが形成されているウェ
ハ上にＳｉＯ2 のカバー膜を８００〜９００ｎｍ形成
し、この上に充填率６０％程度に破砕フィラーを混入し
たポリイミド樹脂を塗布する。この破砕フィラーはシリ
カあるいは石英からなり、粒径１〜１００μｍで平均粒
径１０μｍ程度のものを使用する。塗布方法はウェハを
スピンチャックに載せて樹脂を滴下する回転塗布法によ
り行い、塗布後、窒素雰囲気中で１００℃、３０分間の
ベークを行う。塗布厚さは破砕フィラーの最大粒径以下
とし、具体的にはこの塗布膜の表面に凹凸が形成される
７μｍ程度がよい。次に、ウェハを半導体ペレット３に
ダイシング（個片化）し、リードフレームのアイランド
４に半導体ペレット３をダイボンディングする。そし
て、インナーリードと半導体ペレット３とをワイヤー５
でボンディングし、樹脂モールド金型を用いてエポキシ
樹脂６で封止する。
【００１０】このようにして完成した半導体装置は、半
導体ペレット３上に破砕フィラー入りポリイミド膜１が
塗布されるので、半導体ペレット３の上部面に顕著な凹
凸の粗面が形成され、その結果ポリイミド樹脂の表面積
が増加し、エポキシ樹脂６との密着性が向上するととも
に凹凸の鋸歯状部分での応力の分散が生じるのでクラッ
クの発生も防止できる。
導体ペレット３上に破砕フィラー入りポリイミド膜１が
塗布されるので、半導体ペレット３の上部面に顕著な凹
凸の粗面が形成され、その結果ポリイミド樹脂の表面積
が増加し、エポキシ樹脂６との密着性が向上するととも
に凹凸の鋸歯状部分での応力の分散が生じるのでクラッ
クの発生も防止できる。
【００１１】図２は本発明の実施例２を説明する部分断
面図である。本実施例では、実施例１と同様にウェハ状
態でカバー膜２を形成した後、その上にポリイミド膜７
を約７μｍ設け、さらにその上に破砕フィラー入りポリ
イミド膜１を同じく約７μｍ塗布している。このポリイ
ミド膜７を介在させることにより、破砕フィラーによっ
てカバー膜に傷をつけることが防止できる。
面図である。本実施例では、実施例１と同様にウェハ状
態でカバー膜２を形成した後、その上にポリイミド膜７
を約７μｍ設け、さらにその上に破砕フィラー入りポリ
イミド膜１を同じく約７μｍ塗布している。このポリイ
ミド膜７を介在させることにより、破砕フィラーによっ
てカバー膜に傷をつけることが防止できる。
【００１２】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、ポリ
イミド樹脂とエポキシ樹脂との密着性が改善されること
によってクラックの発生がなくなり、耐湿性が改善され
るので半導体装置の特性が向上する。
イミド樹脂とエポキシ樹脂との密着性が改善されること
によってクラックの発生がなくなり、耐湿性が改善され
るので半導体装置の特性が向上する。
【図１】本発明の実施例１の部分断面図である。
【図２】本発明の実施例２の部分断面図である。
【図３】従来の半導体装置の部分断面図である。
【図４】従来の半導体装置の部分断面図である。
【図５】従来の半導体装置の部分断面図である。
【図６】術来の半導体装置の部分断面図である。
１ 破砕フィラー入りポリイミド膜 ２ カバー膜 ３ 半導体ペレット ４ アイランド ５ ワイヤー ６ エポキシ樹脂 ７ ポリイミド膜
Claims (3)
- 【請求項１】 リードフレームに半導体ペレットを搭載
しエポキシ樹脂で封止してなる半導体装置において、前
記半導体ペレット上面を覆うカバー膜の上に破砕フィラ
ーを混入したポリイミド膜を形成したことを特徴とする
半導体装置。 - 【請求項２】 前記カバー膜の上にポリイミド膜を形成
しその上に前記破砕フィラーを混入したポリイミド膜を
形成したことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】 前記破砕フィラーを混入したポリイミド
膜の厚さが破砕フィラーの最大粒径以下である請求項１
もしくは２記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5000166A JPH06204362A (ja) | 1993-01-05 | 1993-01-05 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5000166A JPH06204362A (ja) | 1993-01-05 | 1993-01-05 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06204362A true JPH06204362A (ja) | 1994-07-22 |
Family
ID=11466451
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5000166A Pending JPH06204362A (ja) | 1993-01-05 | 1993-01-05 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06204362A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003100556A (ja) * | 2001-09-26 | 2003-04-04 | Nec Tokin Toyama Ltd | チップ型固体電解コンデンサ及びその製造方法並びにリードフレーム |
| JP2020504451A (ja) * | 2016-12-30 | 2020-02-06 | 日本テキサス・インスツルメンツ合同会社 | 表面が粗化された粒子を有するパッケージングされた半導体デバイス |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60140739A (ja) * | 1983-12-28 | 1985-07-25 | Hitachi Ltd | パツシベ−シヨン構造を備えたプラスチツクｉｃパツケ−ジ |
| JPH01173636A (ja) * | 1987-12-28 | 1989-07-10 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体装置 |
| JPH0364355A (ja) * | 1989-08-02 | 1991-03-19 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 半導体素子保護用組成物 |
| JPH03296250A (ja) * | 1990-04-16 | 1991-12-26 | Toshiba Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
-
1993
- 1993-01-05 JP JP5000166A patent/JPH06204362A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60140739A (ja) * | 1983-12-28 | 1985-07-25 | Hitachi Ltd | パツシベ−シヨン構造を備えたプラスチツクｉｃパツケ−ジ |
| JPH01173636A (ja) * | 1987-12-28 | 1989-07-10 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体装置 |
| JPH0364355A (ja) * | 1989-08-02 | 1991-03-19 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 半導体素子保護用組成物 |
| JPH03296250A (ja) * | 1990-04-16 | 1991-12-26 | Toshiba Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003100556A (ja) * | 2001-09-26 | 2003-04-04 | Nec Tokin Toyama Ltd | チップ型固体電解コンデンサ及びその製造方法並びにリードフレーム |
| JP2020504451A (ja) * | 2016-12-30 | 2020-02-06 | 日本テキサス・インスツルメンツ合同会社 | 表面が粗化された粒子を有するパッケージングされた半導体デバイス |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5682065A (en) | Hermetic chip and method of manufacture | |
| TWI284960B (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
| JPS6010645A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP3756689B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH06204362A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2003124388A (ja) | ウェハレベルチップスケールパッケージおよびそれを製造する方法 | |
| EP0902468B1 (en) | Resin-sealed semiconductor device and method of manufacturing the device | |
| JPS62112348A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2000277550A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPS63216352A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61292947A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH06252194A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH06216282A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP2837488B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0582679A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH02308557A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH09326463A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH06349814A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPH0526760Y2 (ja) | ||
| JPS5931045A (ja) | 樹脂封止形半導体装置およびその製造方法 | |
| KR200292411Y1 (ko) | 스몰 다이패드 패키지용 리드프레임 | |
| JPH05144863A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2001291803A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH1131756A (ja) | Ｂｇａ型半導体装置 | |
| JPH0669381A (ja) | 半導体集積回路装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19950808 |