JPH06200025A - ポリイミドを形成する出発材料の溶液 - Google Patents

ポリイミドを形成する出発材料の溶液

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JPH06200025A
JPH06200025A JP4300865A JP30086592A JPH06200025A JP H06200025 A JPH06200025 A JP H06200025A JP 4300865 A JP4300865 A JP 4300865A JP 30086592 A JP30086592 A JP 30086592A JP H06200025 A JPH06200025 A JP H06200025A
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tetracarboxylic acid
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bis
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Rainer Blum
ライナー、ブルーム
Joachim Hoeller Hans
ハンス、ヨーアヒム、ヘラー
Klaus Lienert
クラウス、リーネルト
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    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C25/00—Surface treatment of fibres or filaments made from glass, minerals or slags
    • C03C25/10—Coating
    • C03C25/24—Coatings containing organic materials
    • C03C25/26—Macromolecular compounds or prepolymers
    • C03C25/32—Macromolecular compounds or prepolymers obtained otherwise than by reactions involving only carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C03C25/328—Polyamides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08G73/1042—Copolyimides derived from at least two different tetracarboxylic compounds or two different diamino compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
    • H01B3/18—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances
    • H01B3/30—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes
    • H01B3/303—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups H01B3/38 or H01B3/302
    • H01B3/306—Polyimides or polyesterimides

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ブリスタリング（いわゆるフクレ）をもたら
さず、満足すべき表面平坦性を示す、ポリイミドコーテ
ィングのための出発材料溶液を提供すること。 【構成】 ジアミンとテトラカルボン酸ジエステルを含
有する、ポリアミド形成出発材料溶液であって、このテ
トラカルボン酸ジエステルが、０．０５から０．９５モ
ル％のオキシジフタル酸ジエステルと、０．０５から
０．９５モル％のベンゾフェノンテトラカルボン酸ジエ
ステル、ビフェニルテトラカルボン酸ジエステルあるい
はこれらの混合物とから成る混合物を含有すること。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【技術分野】本発明はポリイミドを形成するための出発
材料の溶液およびこれを使用してポリアミド被覆を形成
する方法ないしこれにより被覆された物品に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】金属線、ガラスないし石英繊維およびシ
リコン基板（シリコンウエーハ）を被覆するためのポリ
イミドの使用は近年次第に増大している。ことにポリイ
ミドはエレクトロニクスおよびマイクロエレクトロニク
スの分野において、回路を構成する際の中間層および表
面層形成用に使用される。
【０００３】この基板の被覆は、一般にポリイミドある
いはポリアミド酸の溶液を基板上に施こし、ポリアミド
酸溶液の場合には基板上においてそのイミド化が行なわ
れる。
【０００４】しかしながらポリイミド、ポリアミド酸の
溶液は、充分に低い処理粘度がもたらされるように比較
的低い濃度の溶液が要求される。典型的な市販溶液は一
般的にわずか１２から２０重量％の固体分を含有するに
過ぎない。この低濃度の故に、乾燥の過程において高度
の収縮をもたらす、この収縮のために程度の差はあれポ
リイミド層下のパターンがポリイミド表面に著しく写し
出される。これはことに回路を形成するための多重層コ
ーティングの場合に顕著であって、回路形成の正確性を
阻害する。
【０００５】この理由から、また過度に大量の溶媒使用
を回避するために、さらに高濃度の溶液が要求される。
この高濃度はポリイミド形成用出発材料のみを含有する
溶液では原則的に達成可能であるが、テトラカルボン酸
ジアンヒドリドとジアミンの溶液は貯蔵安定性が悪く、
経時的に重合するので、テトラカルボン酸ジアンヒドリ
ドの代りにテトラカルボン酸ジエステルが使用されてい
る。
【０００６】米国特許３７００６４９号明細書には、ポ
リイミドコーティング形成のための極めて低い塩基性の
ジアミンとベンゾフェノンテトラカルボン酸ジエステル
の溶液が記載されている。
【０００７】また米国特許４８７４８３５号は、ジアミ
ンとアルカノールおよびオキシジフタル酸のエステルと
の溶液に関するものである。
【０００８】さらに米国特許４９６０８２４号は、アル
カノールおよびテトラカルボン酸のジエステルと、ｍ−
フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミンおよび４
−アミノフェニルエーテルから選択される少くとも１種
類のジアミンとの溶液を開示している。
【０００９】しかしながら、これら出発材料溶液の塗布
により形成される従来のポリアミドコーティングは、ブ
リスタリングないしフクレ、不充分な平坦性などから依
然として満足すべきものではない。
【００１０】そこで本発明の目的はこれらの欠点を回避
克服して、ブリスタリング（いわゆるフクレ）をもたら
さず、満足すべき表面平坦性を示す、ポリイミドコーテ
ィングのための出発材料溶液を提供することである。
【００１１】
【発明の要約】しかるに上述の目的は、ジアミンとテト
ラカルボン酸ジエステルを含有する、ポリイミド形成出
発材料溶液であって、このテトラカルボン酸ジエステル
が、０．０５から０．９５モル％、ことに０．２から
０．８モル％のオキシジフタル酸ジエステルと、０．０
５から０．９５モル％、ことに０．２から０．８モル％
のベンゾフェノンテトラカルボン酸ジエステル、ビフェ
ニルテトラカルボン酸ジエステルあるいはこれらの混合
物とから成る混合物を含有することにより達成されるこ
とが本発明者らにより見出された。
【００１２】
【発明の構成】オキシジフタル酸ジエステルの異性体と
しては、ことに３，３′−もしくは４，４′−オキシジ
フタル酸から誘導されるエステルが挙げられる。
【００１３】またベンゾフェノンテトラカルボン酸ジエ
ステルおよびビフェニルテトラカルボン酸ジエステルの
異性体としては、ことに３，３′，４，４′−もしくは
２，２′，３，３′−ビフェニルテトラカルボン酸もし
くは３，３′，４，４′−もしくは２，２′，３，３′
−ベンゾフェノンテトラカルボン酸から誘導されるエス
テルが挙げられる。
【００１４】テトラカルボン酸ジエステルのエステル基
は、例えばＣ1 −Ｃ8 アルカノールから誘導され得る。
【００１５】テトラカルボン酸ジエステルのエステル基
は、エステル基全体に対して少くとも２モル％は、以下
の式 ＨＯ−Ｚ−Ｏ−Ｘ （Ｉ） あるいは ＨＯ−Ｚ−Ｘ （ＩＩ） で表わされるアルコールから誘導されたものであるのが
好ましい。式中のＺは１から４個の、好ましくは１もし
くは２個のエーテル基で中断されていてもよい、炭素原
子数１から１５、ことに１から８の直鎖もしくは分枝の
脂肪族基を、−Ｏ−およびＸは芳香族環中にヘテロ原子
として窒素、酸素あるいは硫黄原子を持っていてもよ
い、炭素原子数５から２０の芳香族基をそれぞれ意味す
る。ことにＸがフェニル環を、ＺがＣ1 −Ｃ6 アルキレ
ン基を意味する場合のアルコールが好ましい。
【００１６】式（Ｉ）のアルコールとしては、例えばモ
ノフェノキシエチレングリコールまたはモノフェノキシ
プロピレングリコールが、また式（ＩＩ）のアルコール
としては、例えばベンジルアルコール、１−ヒドロキシ
−２−フェニルエタン、１−ヒドロキシ−２−フェニル
プロパンが挙げられる。なお少量の多官能性アルコール
も使用し得る。
【００１７】ジエステルにおけるエステル基の少くとも
１０モル％、好ましくは最少限３０モル％が式（Ｉ）あ
るいは（ＩＩ）のアルコールから誘導されるべきであ
る。すべてのエステル基がこれらアルコールから誘導さ
れることが極めて好ましい。
【００１８】テトラカルボン酸ジエステルの製造は、テ
トラカルボン酸ジアンヒドリドを上述したアルコールで
エステル化することにより極めて簡単に行なわれ得る。
エステル化の過程においてアンヒドリド環は裂開され、
１個のアンヒドリド環が１個のエステルと１個のカルボ
ン酸基をもたらす。残存カルボン酸基のそれ以上のエス
テル化は行なわれないので、アルコールが過剰量存在し
てもテトラカルボン酸テトラエステルもしくはトリエス
テルが極めて少量得られるだけである。エステル化は５
０から１５０℃で行なうのが好ましく、必要に応じジメ
チルアミノピリジンのようなエステル化触媒を添加して
もよい。
【００１９】テトラカルボン酸ジエステルは、また他の
方法、例えばテトラカルボン酸の直接エステル化によっ
ても製造される。
【００２０】適当なジアミンは、少くとも１個の芳香族
基を含有する芳香族ないし部分芳香族ジアミンであっ
て、これらは芳香族環、縮合芳香族環または例えば単一
縮合、エーテル、カルボニルもしくはスルホニル、ある
いは硫黄、窒素もしくは酸素のようなヘテロ環を持って
いるかあるいは持っていない、炭素原子数１から８の脂
肪族炭化水素基により結合合体された芳香族環を有する
ジアミンである。芳香族環は塩素、弗素のようなハロゲ
ンあるいはＣ1 −Ｃ6 アルキルないしアルコキシ基を置
換基として持っていてもよい。
【００２１】ジアミンの具体例としては、ベンジジン、
ジメチルベンジジン、ジメトキシベンジジン、ジエトキ
シベンジジン、ジアミノジフェニルスルホン、ジアミノ
ジフェニルプロパン、ジアミノジフェニルサルファイ
ド、４，４′−ビス−［２−（４−アミノフェニル）−
プロパン］−フェニレン／ビスアニリンＰ、４，４′−
ジメチル−３，３′−ジアミノジフェニルスルホン、
４，４′−ジメチル−３，３′−ジアミノジフェニルサ
ルファイド、ｐ−フェニレンジアミン、ｍ−フェニレン
ジアミン、ジエチルトルイレンジアミン、ジアミノメト
キシベンゼン、キシレンジアミン、ジアミノキュメン、
ジアミノナフタレン、ジアミノナフトール、ジアミノナ
フトキノン、ジアミノアントラセン、ジアミノアントラ
キノン、ジアミノフェナントレン、９，１０−ビス−
（４−アミノフェニル）−アントラセン、３，５−ジエ
チル−２，４−ジアミノトルエン、３，５−ジエチル−
２，６−ジアミノトルエン、ジイソプロピルフェニレン
ジアミン、４，４′−メチレンビス−（２，６−ジイソ
プロピルアニリン）、４，４′−メチレンビス−（２−
メチル−６−イソプロピルアニリン、２，６−ジイソプ
ロピルアニリン、１，３−ジアミノ−４−メトキシベン
ゼン、ヘキサフルオロ−２，２−ビス−（３−アミノ−
４，５−ジメチルフェニル）−プロパン、２，２−ビス
−（４，４′−アミノフェニル）−プロパン、ビス−
（４，４′−アミノフェニル）−スルホン、ビス−
（４，４′−アミノフェニル）−サルファイド、ビス−
（３，３′−アミノフェニル）−スルホン、ビス−
（３，３′−アミノフェニル）−サルファイド、２，２
−ビス−［４−（４−アミノフェノキシ）−フェニル］
−プロパン、２，２−ビス−［４−（４−アミノフェノ
キシ）−フェニル］−ヘキサフルオロプロパン、ビス−
［４−（４−アミノフェノキシ）−フェニル］−サルフ
ァイド、２，２−ビス−［４−（３−アミノフェノキシ
フェニル］−ヘキサフルオロプロパン、ビス−［４−
（３−アミノフェノキシ）−フェニル］−スルホン、ビ
ス−［４−（３−アミノフェノキシ）−フェニル］−サ
ルファイド、４，４′−ビス−（４−アミノフェノキ
シ）−ビフェニル、４，４′−ビス−（３−アミノフェ
ノキシ）−ビフェニル、１，４′−ビス−（４−アミノ
フェノキシ）−フェニレン、１，３′−ビス−（４−ア
ミノフェノキシ）フェニレン、ジアミノジフェニルメタ
ン、ジアミノジフェノキシフェニルスルホン、ジアミノ
ジフェノキシフェニルサルファイド、ジアミノジフェニ
ルオキサイド、ジアミノピリジン、ビス−（４−アミノ
フェニル）−ジアルキルシラン、３，３′−ジヒドロキ
シ−４，４′−ジアミノビフェニル、９，９′−ビス−
（４−アミノ）−フルオレン、ｏ−トルイジンスルホ
ン、ジアミノベンズアニリド、アクリジンジアミン、メ
チレンビスアントラニルアミドなどが挙げられる。これ
らジアミンの混合物も使用可能である。
【００２２】ことにジアミノジフェニルメタン、ジアミ
ノジフェニルオキサイド、２，２−ビス−［４−（４−
アミノフェノキシ）−フェニル］−プロパン、ジアミノ
ジフェニルサルファイド、ジアミノジフェニルスルホン
が工業的に重要である。
【００２３】テトラカルボン酸ジエステルおよびジアミ
ンのための溶媒としては、例えば脂肪族ないし芳香族ア
ルコール、エーテル、ケトン、アルデヒド、エステルの
ような極性有機溶媒を使用するのが適当である。好まし
いのは高極性溶媒、例えばＮ−メチルピロリドン、ホル
ムアミド、ジメチルホルムアミド、アルキルアルキレン
ジウレア、ジメチルスルホキサイド、ブチロラクトン、
ピロリドン、ジアルキルアセトアミドであるが、グリコ
ール、グリコールエステル、グリコールエーテルも使用
され得る。溶媒としてテトラカルボン酸ジエステル製造
において従来から行なわれているように過剰量のアルコ
ールを使用することができる。溶媒ないし混合溶媒の選
定は、もっぱらテトラカルボン酸ジエステルおよびジア
ミンの溶解性ないし極性に応じて行なわれる。必要に応
じて溶剤混合物中に非極性溶媒、例えば脂肪族および芳
香族炭化水素を添加使用することもできる。
【００２４】本発明による出発材料溶液は、１．５：１
から１：１．５のモル割合、ことに約１：１のモル割合
でテトラカルボン酸ジエステルおよびジアミンを含有す
るのが好ましい。溶液中の固体含有分は３０から６０重
量％とするのが好ましい。溶液の調製に当たり、テトラ
カルボン酸ジエステル、ジアミンおよび溶媒は任意の順
序で添加され得る。例えばまずテトラカルボン酸ジエス
テルを、テトラカルボン酸ジアンヒドリドと過剰量のア
ルコールと反応させることにより製造し、次いでジアミ
ンを追加溶媒と共に、あるいはこれを使用することなく
反応混合物に添加することができる。すべての反応構成
分を溶解させるために、室温においてあるいは加熱し
て、例えば３０から１２０℃、ことに４０から８０℃の
温度において撹拌する。
【００２５】本発明溶液は慣用添加剤、例えばイミド形
成触媒、染料、顔料、充填剤、流動制御剤、粘度調整剤
などを含有することができる。この溶液は広い範囲にわ
たる金属、ガラスあるいはシリコンなどの基板のコーテ
ィングに使用され、その硬化は最終温度１５０から４５
０℃、ことに３００から４００℃で行なわれる。硬化処
理は複数段階で温度を上げ、最終段階温度が上記温度と
なるようにするのが好ましい。この本発明溶液は、コー
ティング厚さが厚くても、ブリスターを生起させること
なく、好ましい平坦性を有するコーティングを形成し得
る。
【００２６】実施例 まず以下の実施例、対比例において使用されるべき符号
について説明する。
【００２７】 ＯＤＰＡ オキシジフタール酸ジアンヒドリド ＰＭＤＡ ピロメリット酸ジアンヒドリド ＢＴＤＡ ベンゾフェノンテトラカルボン酸ジアンヒ
ドリド ＢＡＰＰ−ＤＡ ２，２′−ビス−［４−（３，４−
ジカルボキシフェノキシ）−フェニル］−プロパンジア
ンヒドリド ６Ｆ−ＢＰＤＡ ヘキサフルオロイソプロピリデン−
２，２−ビス−（フタル酸アンヒドリド） ＢＰＤＡ ビフェニルテトラカルボン酸ジアンヒドリ
ド ＤＡＤＯ ジアミノジフェニルオキサイド ＢＡＰＰ ２，２−ビス−［−（４−アミノフェノキ
シ）−フェニル］−プロパン ＨＦ−ＢＡＰＰ ２，２−ビス−［−（４−アミノフ
ェノキシ）−フェニル］−ヘキサフルオロプロパン ｍ−ＰＤＡ ｍ−フェニレンジアミン ｐ−ＰＤＡ ｐ−フェニレンジアミン ＭＥＧ モノフェノキシエチレングリコール ＭＰＧ モノフェノキシプロピレングリコール ＢＺＡ ベンジルアルコール Ｅ エチルアルコール Ｍ メタノール Ｓ１００ Ｓｏｌｖｅｓｓｏ（登録商標）１００（Ｃ1
−Ｃ6 アルキルベンゼン、エッソ社） ＮＭＰ Ｎ−メチルピロリドン ＤＭＡＣ ジメチルアセトアミド ＢＬＡＣ ブチロールアセトン ＤＭＡＰ ジメチルアミノピリジン
【００２８】以下の実施例、これに続く対比例におい
て、まずテトラカルボン酸ジアンヒドリドを、触媒とし
てのジメチルアミノピリジンと以下に示される整数量の
ＮＭＰの存在下に、１００℃（３０分）において、アル
コールと反応させることにより、テトラカルボン酸ジエ
ステルを得た。これを６０℃まで冷却した後に、追加溶
媒と共に、あるいは溶媒を使用することなくジアミンを
添加し、溶液が形成されるまでこの混合物を撹拌する。
【００２９】（出発材料）実施例１ ２７．９２ｇのＯＤＰＡ（０．０９モル） ３．２３ｇのＢＴＤＡ（０．０１モル） １．５３ｇのＭＰＧ（０．０１モル） ５．４４ｇのＭ（０．１７モル） ０．３６ｇの水（０．０２モル） ２７．３９ｇのＮＭＰ ０．２５ｇのＤＭＡＰ ４１．０２ｇのＢＡＰＰ（０．１０モル） ３０．００ｇのＮＭＰ実施例２ ２４．８２ｇのＯＤＰＡ（０．０８モル） ８．８８ｇの６Ｆ−ＢＰＤＡ（０．０２モル） ５．５３ｇのＭＥＧ（０．０４モル） ６．９０ｇのＥ（０．１５モル） ０．１８ｇの水（０．０１モル） ２４．６６ｇのＮＭＰ ０．２５ｇのＤＭＡＰ ４１．０２ｇのＢＡＰＰ（０．１０モル） ３０．００ｇのＮＭＰ実施例３ １５．５１ｇのＯＤＰＡ（０．０５モル） １６．１５ｇのＢＴＤＡ（０．０５モル） １３．８０ｇのＥ（０．３０モル） ２０．００ｇのＮＭＰ ０．２５ｇのＤＭＡＰ ２０．００ｇのＤＡＤＯ（０．１０モル） ２１．３４ｇのＮＭＰ実施例４ １４．７１ｇのＢＰＤＡ（０．０５モル） １５．５１ｇのＯＤＰＡ（０．０５モル） １３．８０ｇのＥ ２０．００ｇのＮＭＰ ０．２５ｇのＤＭＡＰ ２０．００ｇのＤＡＤＯ（０．１０モル） １９．５８ｇのＮＭＰ実施例５ ５２．００ｇのＢＡＰＰ−ＤＡ（０．０９モル） ３．１０ｇのＯＤＰＡ（０．０１モル） １３．８０ｇのＥ（０．３０モル） ２０．００ｇのＮＭＰ ０．２５ｇのＤＭＡＰ ２０．００ｇのＤＡＤＯ（０．１０モル） ４６．２０ｇのＮＭＰ
【００３０】対比例１ ３１．０２ｇのＯＤＰＡ（０．１０モル） ９．２０ｇのＥ（０．２０モル） ５．１７ｇのＮＭＰ ０．２５ｇのＤＭＡＰ １０．８０ｇのｐ−ＰＤＡ（０．１０モル） ２０．００ｇのＮＭＰ対比例２ ３２．３０ｇのＢＴＤＡ（０．１０モル） １３．８０ｇのＥ（０．３０モル） ２０．００ｇのＮＭＰ ０．２５ｇのＤＭＡＰ ２０．００ｇのＤＡＤＯ（０．１０モル） ２２．２０ｇのＮＭＰ対比例３ ３１．０２ｇのＯＤＰＡ（０．１０モル） １３．８０ｇのＥ（０．３０モル） ２０．００ｇのＮＭＰ ０．２５ｇのＤＭＡＰ ２０．００ｇのＤＡＤＯ（０．１０モル） ２０．５５ｇのＮＭＰ対比例４ ２９．４２ｇのＢＰＤＡ（０．１０モル） １３．８０ｇのＥ（０．３０モル） ２０．００ｇのＮＭＰ ０．２５ｇのＤＭＡＰ ２０．００ｇのＤＡＤＯ（０．１０モル） １８．８２ｇのＮＭＰ対比例５ ３２．５０ｇのＢＴＤＡジエチルエステル（０．０７９
モル） ７６．００ｇの２：１のジオキサン／ＮＭＰを添加し、
次いで以下の溶液を添加 ２３．３０ｇのＤＡＤＯ（０．１７モル） ５４．００ｇのジオキサン／ＮＭＰ
【００３１】上述の各水溶液を、０から１０００μｍの
楔形スロットを有する採取杆体で脱脂スチールパネルに
塗布し、これをあらかじめ５０℃に予熱してあるプログ
ラム加熱炉に入れ５℃／分の割合で３０分間にわたり３
５０℃まで加熱した後、炉から取出し室温まで放冷し
た。
【００３２】厚く塗布されたコーティング上には、それ
までにブリスターが生起したが、第１のブリスターが生
起したときのコーティング層厚さ（ｄmax ）を磁気層厚
さ測定器により測定した。同時にコーティング層の脆弱
性も測定した。
【００３３】これら測定結果を、溶液中の固体含有分
（テトラカルボン酸ジエステルおよびアミンの合計量）
およびイミド化の過程における水分のロス（固体分の量
とイミド化反応残渣との間の差）と共に下表に示す。
【００３４】
【表１】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ライナー、ブルーム ドイツ連邦共和国、6700、ルートヴィヒス ハーフェン、バンヴァサーシュトラーセ、 58 (72)発明者 ハンス、ヨーアヒム、ヘラー ドイツ連邦共和国、2000、ハムブルク、 55、ブランケネザー、ハウプトシュトラー セ、62 (72)発明者 クラウス、リーネルト ドイツ連邦共和国、2000、ハムブルク、 50、ベルナドテシュトラーセ、54

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ジアミンとテトラカルボン酸ジエステル
    を含有する、ポリイミド形成出発材料溶液であって、こ
    のテトラカルボン酸ジエステルが、０．０５から０．９
    ５モル％のオキシジフタル酸ジエステルと、０．０５か
    ら０．９５モル％のベンゾフェノンテトラカルボン酸ジ
    エステル、ビフェニルテトラカルボン酸ジエステルある
    いはこれらの混合物とから成る混合物を含有することを
    特徴とする溶液。
  2. 【請求項２】 請求項（１）による溶液を使用して得ら
    れるポリイミド被覆物品。
JP4300865A 1991-10-24 1992-11-11 ポリイミドを形成する出発材料の溶液 Pending JPH06200025A (ja)

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