JPH0619806B2 - 磁気バイアス発生装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 （１）発明の目的 （産業上の利用分野） 本発明は、光磁気ディスク記憶装置の書き込み装置に使
用される磁気バイアスの発生装置に関するものである。

（従来技術） 従来技術における問題点を第３図により説明する。

第３図は従来から実施されている光磁気ディスク記憶装
置の概念図であるが、光磁気ディスク記憶装置もその基
本機能は他の磁気ディスク記憶装置と同じで、回転円板
の表面に磁性体薄膜を形成した磁気ディスクを定速で回
転させ、該磁気ディスクに接近して配設した磁気ヘッド
により前記磁気ディスク上の磁性体薄膜を磁化してデー
タを記憶し、或いは逆に磁気ディスク上の磁化された磁
性体薄膜の磁束の変化により誘導される磁気ヘッドの電
圧を検出してデータを読み出すものである。

磁気ディスク 101の記憶媒体としてその表面に形成され
る磁性体薄膜 100において、データを記憶するエリアが
磁気ヘッド（図示なし）の厚さに相当する巾で、前記磁
気ディスク 101の回転中心から磁気ヘッドの停止位置ま
での距離を半径とした円環状を成すものであり、該円環
状のエリア：トラックを同心状に多数形成する事で多量
のデータを記憶せしめる事は周知の通りである。

従来の磁気ディスク記録装置では、記憶容量を高める為
の手段の一つとして磁気ヘッドの厚さを薄くする事でト
ラックの巾を狭くし、磁性体薄膜 100の面上でのトラッ
クの数を増加する方法が講じられているが、磁気ヘッド
の厚さを薄くする事が感度の低下をもたらすという問題
を抱えていた。

この問題点の解決を計り、トラック密度を高める為に考
案されたのが光磁気ディスク記憶装置である。第３図
（ｃ）において磁気ディスク 101の表面に形成された磁
性体薄膜 100に対し、磁気バイアス発生装置 105からの
磁束 115がほぼ垂直に作用し、前記磁性体薄膜 100の表
裏に磁極を示す磁区 111を形成する。

該磁区 111の極性は前記磁気バイアス発生装置からのバ
イアス磁束 115に倣うものである。

又、光ビーム発生装置 104からの光ビーム 114は前記磁
性体薄膜 100上で焦点を結ぶ様に照射されるもので、こ
の光ビーム 114に照射された磁性体薄膜 100の極めて狭
い“面”は照射された光の熱エネルギーで瞬時的に加熱
される。

この加熱により当該磁気ディスク 101に使用されている
磁性材料がキューリー点を越える事で既存の磁極は消滅
し、新たな磁化即ち新しいデータの記憶に備える状態と
なる。

この磁極が消滅した“面”である当該磁区 111は、磁気
バイアス発生装置 105からの磁束 115により新しい磁極
を形成する事で、データを記憶するものである。

該光ビーム 114を利用した構成は、集光された光の照射
巾を従来の磁気ヘッドの厚さに規制される限界寸法に対
し、格段に小さいものとする事が出来るものである為、
加熱され磁気が消滅する“面’即ち磁区 111の巾が小さ
く、従って従来の磁気ディスクよりも大巾に記憶容量を
増加出来る。

しかし上述の様な性能向上の反面、実用されている光磁
気ディスク記憶装置は、磁気バイアス発生装置 105を所
定のデータ処理を行うトラックの位置に移動する為のリ
ニアモータ 106を必要とする事や、バイアス磁束を発生
する為の磁気バイアス発生装置 105のコイルの大きさが
装置全体の小形化の妨げになっている事、等の問題があ
った。

（発明が解決しようとする問題点） 本発明は、記憶容量を損う事がなく、而も構成が簡単な
光磁気ディスク記憶装置を実現する事の出来る磁気バイ
アス発生装置を得るにある。

（２）発明の構成 （問題点を解決する為の手段） 本発明の磁気バイアス発生装置は、その対向する両端面
が同極性を示す如く構成された電磁石と、該電磁石の端
部が形成する空隙に跨る如く配設された軸と、該軸に滑
動自在に軸受部材で軸支され，その側面軸方向に着磁さ
れ、該着磁面は平板状を成し，滑動方向と直角を成す向
きの巾が少なくとも当該磁気ディスクの全トラック巾の
寸法に相当する永久磁石を主要部材とする可動部とより
成り、前記軸とこれを滑動する可動部の摺動部断面形状
が非円形部分をもち、前記電磁石の両端部もしくは可動
部の両端面に緩衝部材を配設固着し、前記電磁石の励磁
コイルは，磁気ヨークに凹みを設け該凹部に巻装し、又
前記永久磁石の１つの磁極巾と同等か，それより狭い巾
のスリットを形成した磁気遮蔽板を永久磁石の着磁面に
対向して併設する如く構成されている。

（作 用） 前述の様な構成においては、所定のトラックの位置に移
動する為のリニアモータを必要とせず、固定した磁気バ
イアス発生装置への信号付与のみで、所定のデータ処理
を行う事が出来る他、装置全体の小形化を実現する事が
出来る如き作用効果をもたらす。

（実施例） 以下図面によって、本発明の実施例を説明する。

第１図は本発明に成る磁気バイアス発生装置の例の平面
図（ａ）と要部拡大図（ｂ）で、該例では類似構造を成
す２個の磁気ヨーク２を配し、該磁気ヨーク２の端部は
互いに対向し、磁気的に同極性を示す様に前記磁気ヨー
ク２に巻装された励磁コイル３が励磁される。

前記磁気ヨーク２の両端が形成する空隙８には、該空隙
８を跨る様に固着された軸５と、該軸５に軸受部材６で
軸支され、その側面軸方向に２極着磁された永久磁石４
が、同図（ｂ）の要部拡大図に示す如く配設される。

該永久磁石４の極性が左側をＮ，右側をＳとした図示例
では、電磁石１の端部極性がＳになる様に励磁される
と、滑動自在の永久磁石４は図示の如く左に吸引され、
入力が反転し電磁石１の端部極性がＮとなると永久磁石
４は空隙８の右側に吸引される。

上述の永久磁石４の移動動作は、空隙８のほぼ中央の側
方に位置する磁気ディスク（図示せず）のトラックの当
該処理部分に照射する磁束：Φの反転をもたらす事にな
る。

即ち、上述の如く永久磁石４の軸方向の移動が磁気ディ
スクのトラックの当該箇所に対し、任意の極性の磁束：
Φを照射し、前述の如く光ビームで消磁された磁区を任
意に磁化する様に構成されている。

又、永久磁石４の滑動方向と直角の向きの巾を当該磁気
ディスクの全トラック巾相当以上の寸法とする事によ
り、全てのトラックに対し該磁気バイアス発生装置の位
置を移動する事なしに、単に前記永久磁石４の移動だけ
で任意の磁化処理が出来るものである。該例では同図
（ｂ）に示す如く、永久磁石４の左右高速反転動作で電
磁石１の磁極部に衝突する際の衝撃を緩和する為の緩衝
部材７を当該永久磁石４の両端に配設しているが、これ
は電磁石１の端部に配設固着してもよい。

又前記磁気ヨーク２に巻装される励磁コイル３は、その
巻装位置は任意であるが、磁気ヨーク２の当該巻装箇所
を凹状として構成する事で、励磁コイル３の装置全体の
厚さ寸法への影響を低減する手段もある。

更に、同第１図（ａ）に一点鎖線で示すのが磁気遮蔽板
９で、該遮蔽板９に形成したスリット10により、永久磁
石４表面から照射される磁束：Φを所定の極性側のみに
収束する目的で併設される。

又第２図は、磁気ヨーク２を一体構成とした例の平面図
である。

（３）発明の効果 本発明の磁気バイアス発生装置は上記の様な構造である
ので、電磁石の励磁コイルを交互励磁するだけで、当該
磁気デイスクの全トラック巾に対するバイアス磁束を得
る事が出来るほか、可動部分の質量を小さくする事が出
来、構成が簡単となり、小形軽量化を実現できるという
利点がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の例を示す平面図（ａ）と要部拡大断面
図（ｂ）、第２図は同じく別の例の平面図、第３図は従
来から実施されている光磁気デイスク記憶装置の概念図
で、平面図（ａ），正面図（ｂ）及び要部拡大図（ｃ）
である。 符号の説明 １……電磁石、２……磁気ヨーク、３……励磁コイル、 ４……永久磁石、５……軸、６……軸受部材、７……緩
衝部材、８……空隙、９……磁気遮蔽板、10……スリッ
ト、100……磁性体薄膜、101……磁気デイスク、 102……デイスク駆動用電動機、103……装置全体の基
板、104……光ビーム発生装置、105……磁気バイアス発
生装置、106……磁気バイアス発生装置の移動用リニア
モータ、111……磁区、114……光ビーム、 115……バイアス磁束。

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】光磁気ディスク記憶装置に使用する磁気バ
   イアス発生装置において、磁性体ヨークと該ヨークに巻
   装された励磁コイルとより成り、その端部が互いに対向
   し且つ双方が同極性を示す如く構成された電磁石と、 該電磁石の双方の端部が形成する空隙に跨る如く配設さ
   れた軸と、 該軸上を滑動自在に支承され、平板状の着磁面を有し、
   その側面軸方向にＮ，Ｓ極が交互着磁され、滑動方向と
   直角を成す向きの巾が、少なくも当該磁気ディスクの全
   トラック巾の寸法に相当する永久磁石を主要部材とする
   可動部と、を有する事を特徴とする磁気バイアス発生装
   置。
2. 【請求項２】永久磁石は、軸受部材外周面に装着、軸支
   されている事、を特徴とする特許請求の範囲第１項記載
   の磁気バイアス発生装置。
3. 【請求項３】軸と，該軸と滑動する可動部との摺動部断
   面形状が非円形部分をもつ事、を特徴とする特許請求の
   範囲第１項，第２項記載の磁気バイアス発生装置。
4. 【請求項４】電磁石の双方の端部に緩衝部材を配設固着
   した事、を特徴とする特許請求の範囲第１項〜第３項記
   載の磁気バイアス発生装置。
5. 【請求項５】可動部の両端面に緩衝部材を配設固着した
   事、を特徴とする特許請求の範囲第１項〜第３項記載の
   磁気バイアス発生装置。
6. 【請求項６】電磁石を形成する磁性体ヨークに凹みを設
   け，該凹部に励磁コイルを巻装した事、を特徴とする特
   許請求の範囲第１項〜第５項記載の磁気バイアス発生装
   置。
7. 【請求項７】永久磁石の一つの磁極巾と同等か，それよ
   り狭い巾のスリットを形成した磁気遮蔽板を，永久磁石
   の着磁面に対向する如く併設した事、を特徴とする特許
   請求の範囲第１項〜第６項記載の磁気バイアス発生装
   置。