JPS62262203A - 磁気バイアス発生装置 - Google Patents

磁気バイアス発生装置

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JPS62262203A
JPS62262203A JP10492586A JP10492586A JPS62262203A JP S62262203 A JPS62262203 A JP S62262203A JP 10492586 A JP10492586 A JP 10492586A JP 10492586 A JP10492586 A JP 10492586A JP S62262203 A JPS62262203 A JP S62262203A
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degrees
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Shinji Ikeda
池田 真治
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Nidec Servo Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (1)発明の目的 (産業上の利用分野) 本発明は光磁気ディスク記憶装置の書き込み装置に使用
される磁気バイアスの発生装置に関するものである。
(従来技術) 第3図は従来から実施されている光磁気ディスク記憶装
置の概念図であるが、光磁気ディスク記憶装置もその基
本機能は他の磁気ディスク記憶装置と同じで、回転円板
の表面に磁性体薄膜を形成した磁気ディスクを定速で回
転させ、該磁気ディスクに接近して配設した磁気ヘッド
により前記磁気ディスク上の磁性体薄膜を磁化してデー
タを記憶し、或いは逆に磁気ディスク上の磁化された磁
性体薄膜の磁束の変化により誘導される磁気ヘッドの電
圧を検出してデータを読み出すものである。
磁気ディグ101の記憶媒体としてその表面に形成され
る磁性体薄Htooにおいて、データを記憶するエリア
が磁気ヘッド(図示なし)の厚さに相当する巾で、前記
磁気ディスク101の回転中心から磁気ヘッドの停止位
置までの距離を半径とした円環状を成すものであり、該
円環状のエリア:トラックを同心状に多数形成する事で
多量のデータを記憶せしめる事は周知の通りである。
従来の磁気ディスク記憶装置では、記憶容量を高める為
の手段の一つとして磁気ヘッドの厚さを薄くする事でト
ラックの巾を狭くシ、磁性体薄膜100の面上でのトラ
ックの数を増加する方法が講じられているが、磁気ヘッ
ドの厚さを薄くする事が感度の低下をもたらすという問
題を抱えていた。
この問題点の解決を計り、トラック密度を高める為に考
案されたのが光磁気ディスク記憶装置である。
第3図(c)において磁気ディスク101の表面に形成
された磁性体薄膜100に対し、磁気バイアス発生袋@
 105からの磁束115がほぼ垂直に作用し、前記磁
性体薄g tooの表裏に磁極を示す磁区111を形成
する。
該磁区111の極性は前記磁気バイアス発生装置からの
バイアス磁束115に倣うものである。
又、光ビーム発生装置i!104からの光ビーム114
は前記磁性体薄膜100上で焦点を結ぶ様に照射される
もので、この光ビーム114に照射された磁性体薄膜1
00の極めて狭い゛面′は照射された光の熱エネルギー
で瞬時的に加熱される。
この加熱で当該磁気ディスク101に使用されている磁
性材料がキューリ一点を越える事で既存の磁極は消滅し
、新たな磁化即ち新しいデータの記憶に備える状態とな
る。
この磁極が消滅した′面′である当該磁区111は、磁
気バイアス発生袋@ 105からの磁束115により新
しい磁極を形成する事で、データを記憶するものである
該光ビーム114を利用した構成は、集光された光の照
射中を従来の磁気ヘッドの厚さに規制される限界寸法に
対し、格段に小さいものとする事が出来るものである為
、加熱され磁気が消滅する′面″即ち磁区111の巾が
小さく、従って従来の磁気ディスクよりも大巾に記憶容
量を増加出来る。
しかし上述の様な性能向上の反面、実用されている光磁
気ディスク記憶装置は、磁気バイアス発生装置105を
所定のデータ処理を行うトラックの位置に移動する為の
りニアモータ106を必要とする事や、バイアス磁束を
発生する為の磁気バイアス発生装置105のコイルの大
きさが装置全体の小形化の妨げになっている事、等の問
題があった。
(発明が解決しようとする問題点) 本発明は、記憶容量を損う事がなく、而も構成が簡単な
光磁気ディスク記憶装置を実現する事の出来る磁気バイ
アス発生装置を得るにある。
(2)発明の構成 (問題点を解決する為の手段) 本発明の磁気バイアス発生装置は、回転自在に軸支され
その円周上に交互6極に着磁され、少なくもその長さが
当該磁気ディスクの全トラック巾の寸法に相当する円筒
状永久磁石と、該永久磁石と空隙を介して対向しその長
さが前記永久磁石のほぼ半分の長さの一対の磁極片を軸
に対称に配設し、前記一対の磁極片を磁気ヨークで連結
し、前記磁極片の弧角をいずれも40度〜60度の範囲
に構成し、前記磁気ヨークに巻装された固定子巻線とよ
り成る第1の固定子と、前記第1の固定子と同様な構成
で、対を成す磁極片の中心線が前記第1の固定子の磁極
片の中心線と互いに60度〜90度の範囲のずれをもち
、軸方向に隣接して配設された第2の固定子とより構成
し、前記第1の固定子と第2の固定子の夫々の一対の磁
極と略直角の方向に設けた空間に投射される前記永久磁
石の磁束を光磁気ディスク記憶装置のバイアス用の磁束
として利用する構成が特徴で、前記の2個の固定子の巻
線に交互に通電することにより、前記永久磁石を回転さ
せバイアス用の磁束の極性を切り換える動作で目的を達
成できるものである。
(作  用) 前述の様な構成においては、バイアス用の磁束を発生す
る永久磁石の長さが磁気ディスクのトラックの巾全体を
カバーしているから磁気バイアス発生装置を所定のトラ
ックの位置に移動する為のりニアモータを必要とせず、
固定した磁気バイアス発生装置への信号付与のみで、所
定のデータ処理を行う事が出来る他、装置全体の小形化
を実現する事が出来る作用効果をもたらす。
(実施例) 以下図面によって1本発明の詳細な説明する。
第1図は本発明による磁気バイアス発生装置の部分断面
図(a)と(a)のA−A’断面図(b)で、同図に示
す様に第1の固定子1と第2の固定子2は軸方向に隣接
して絶縁して配設され、いずれも磁気ヨークで連結され
た夫々一対の磁極片5゜6及び9,10が1つの円筒状
の永久磁石回転子15に小空隙を介して軸に対称に配設
される。
上述の2個の固定子の夫々対を成す磁極片は。
双方の中心線が互いにほぼ75度だけずらして配設され
ており、夫々の磁気ヨークに巻装されている固定子巻線
7,8及び11.12は夫々電気的に接続され、従って
同時に通電され、双方に異極を示す磁束を発生する様に
構成されている。
前記回転子は軸14とこれに一体的に固着された円筒状
永久磁石15とにより構成され軸受13で回転自在に支
承されている。
該円筒状永久磁石15は、上述の通り2個の固定子即ち
2個の対を成す磁極片5,6及び9,10に対向するが
、その長さを当該磁気ディスクの全トラック巾とほぼ等
しいか少し長くし、且つその向きは前記磁気ディスクの
トラックとほぼ直交させて配設される。
第2図は、第1図の磁極片5,6及び9,10とこれに
対向する回転子の円筒状永久磁石15との関係を説明す
る部分拡大図で、永久磁石15は円周上に6極に着磁さ
れている。 また、第1の固定子1と第2の固定子2の
夫々の対の磁極片5,6及び9,10を便宜上同一の平
面に示している。
第2図に於ては各磁極片5,6,9.10の前記永久磁
石15に対向する面の弧角はほぼ45度、対の磁極片5
,6及び9,10の中心線相互のずれはほぼ75度、磁
極片5と9又は6と10の見掛は上の向き合う側光端の
軸心からの仰角はほぼ30度、同じく5と10又は6と
9とではその仰角がほぼ60度である。同図に示す永久
磁石15の停止位置は、第1の固定子1側に巻装された
固定子巻線7,8が通電され、磁極片5がS極に同6が
N極となる様に励磁された状態を示し、磁極片9と同6
との間の中央部はN極のa点となり、即ちバイアス磁束
ΦはN極を示す。
次に固定子巻線7.8を解放し、他方の固定子巻線11
.12を磁極片9,10が夫々S極、N極となる様に励
磁すると、a点を示すN極は磁極片9(S)に、又18
0度反対位置のS極は磁極片10(N)に夫々吸引され
る為、永久磁石15は半時針方向にほぼ30度回転し平
衡して停止しS極のb点が前記a点の位置に達し、従っ
てバイアス磁束はS極に転換される。
第1図に示す本発明による磁気バイアス発生装置は、第
3図に示した光磁気ディスク記憶装置の磁気バイアス発
生装置105に相当する位置に矢印で示すΦの方向の面
を光磁気ディスクのトラック面に近接しかつ円筒形永久
磁石15の軸を前記光磁気ディスクのトラックと直角に
固定して配置し、上述の如く永久磁石15の磁極を変換
する事で光ビームで消磁された磁区を任意に磁化する様
に構成されデータの書き込みを行う。
又、永久磁石15の長さを当該磁気ディスクの全トラッ
ク巾相当以上の寸法とする事により、全てのトラックに
対し該磁気バイアス発生装置の位置を移動する事なしに
、単に永久磁石15の転回動作だけで任意の磁化処理が
出来る構成となっている。
(3)発明の効果 本発明による光磁気ディスク記憶装置に使用する磁気バ
イアス発生装置は上記の様な構成であるので、併設され
る2つの固定子の夫々の巻線を交互に励磁するだけで、
当該光磁気ディスクの全トラック巾に対するバイアス磁
束を得る事が出来るので従来技術による磁気バイアス発
生装置のように磁気バイアス発生装置全体をトラックと
直角方向に移動させるリニアモータを備える必要が無く
なり、装置全体を小形に形成ししかも応答の早い光磁気
ディスク記憶装置を構成できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例を示す部分断面図(a)とA−
A’断面図(b)、第2図は同回転子とこれに直接対向
する磁極片との相関を示す拡大図、第3図は従来から実
施されている光磁気ディスク記憶装置の概念図で、平面
図(a)、正面図(b)及び主要部拡大図(c)である
。 符号の説明 1.2・・固定子、3.4・・磁極、5,6,9及び1
0・・磁極片、7,8,11及び11・・固定子巻線1
4・・回転軸、15・・永久磁石、100・・磁性体薄
膜lot・・磁気ディスク、102・・ディスク駆動用
電動機。 103・・装置全体の基板、 104・・光ビーム発生
装置。 105・・磁気バイアス発生装置、106・・磁気バイ
アス発生装置の移動用リニアモータ、111・・磁区1
14・・光ビーム、115・・バイアス磁束。 特許出願人  日本サーボ株式会社 B。 第2図 第3図

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)回転自在に軸支され、その円周上に交互6極に着
    磁された円筒状永久磁石と、該永久磁石と空隙を介して
    対向しその長さが前記永久磁石のほぼ半分の長さの1対
    の磁極片を軸に対称の位置に配設して磁気ヨークで連結
    し、前記磁気ヨークに巻装された固定子巻線とより成る
    第1の固定子と、前記第1の固定子と同様な構成で、対
    を成す磁極片の中心線が前記第1の固定子の磁極片の中
    心線と互いに60度〜90度の範囲のずれをもち、軸方
    向に隣接して配設された第2の固定子とより成る事を特
    徴とする光磁気ディスク記憶装置に使用する磁気バイア
    ス発生装置。
  2. (2)前記円筒状永久磁石の長さが、少なくも本装置を
    使用する当該磁気ディスク記憶装置の全トラック巾の寸
    法に相当するものである事を特徴とする特許請求の範囲
    第1項記載の磁気バイアス発生装置。
  3. (3)前記磁極片の弧角がいずれも40度〜60度の範
    囲に構成された事を特徴とする特許請求の範囲第1、第
    2項記載の磁気バイアス発生装置。
JP10492586A 1986-05-09 1986-05-09 磁気バイアス発生装置 Expired - Lifetime JPH0697483B2 (ja)

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