JPS62262204A - 磁気バイアス発生装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （１）発明の目的 （産業上の利用分野） 本発明は、光磁気ディスク記憶装置の書き込み装置に使
用される磁気バイアス発生装置に関するものである。

（従来技術） 第４図は従来から実施されている光磁気ディスク記憶装
置の概念図であるが、光磁気ディスク記憶装置もその基
本機能は他の磁気ディスク記憶装置と同じで、回転円板
の表面に磁性体薄膜を形成した磁気ディスクを定速で回
転させ、該磁気ディスクに接近して配設した磁気ヘッド
により前記磁気ディスク上の磁性体薄膜を磁化してデー
タを記憶し、或いは逆に磁気ディスク上の磁化された磁
性体薄膜の磁束の変化により誘導される磁気ヘッドの電
圧を検出してデータを読み出すものである。

磁気ディスク１０１の記憶媒体としてその表面に形成さ
れる磁性体薄膜１００において、データを記憶するエリ
アが磁気ヘッド（図示なし）の厚さに相当する巾で、前
記磁気ディスク１０１の回転中心から磁気ヘッドの停止
位置までの距離を半径とした円環状を成すものであり、
該円環状の工、リア：トラックを同心状に多数形成する
事で多量のデータを記憶せしめる事は周知の通りである
。

従来の磁気ディスク記憶装置では、記憶容量を高める為
の手段の一つとして磁気ヘッドの厚さを薄くする事でト
ラックの巾を狭くシ、磁性体薄膜１００の面上でのトラ
ックの数を増加する方法が講じられているが、磁気ヘッ
ドの厚さを薄くする事が感度の低下をもたらすという問
題を抱えていた。

この問題点の解決を図り、トラック密度を高める為に考
案されたのが光磁気ディスク記憶装置である。　第４図
（Ｃ）において磁気ディスク１０１の表面に形成された
磁性体薄１ｇ１ｏｏに対し、磁気バイアス発生装置１０
５からの磁束１１５がほぼ垂直に作用し、前記磁性体薄
膜１００の表裏に磁極を示す磁区１１１を形成する。

該磁区１１１の極性は前記磁気バイアス発生装置からの
バイアス磁束１１５に倣うものである。

又、光ビーム発生装［１０４からの光ビーム１１４は前
記磁性体薄膜１００上で焦点を結ぶ様に照射されるもの
で、この光ビーム１１４に照射された磁性体薄ｌｌ９１
１０Ｇの極めて狭い゛面１は照射された光の熱エネルギ
ーで瞬時的に加熱される。

この加熱で当該磁気ディスク１０１に使用されている磁
性材料がキューリ一点を越える事で既存の磁極は消滅し
、新たな磁化即ち新しいデータの記憶に備える状層とな
る。

この磁極が消滅した１面′である当該磁区１１１は、磁
気バイアス発生装置！！１０５からの磁束１１５により
新しい磁極を形成する事で、データを記憶するものであ
る。

該光ビーム１１４を利用した構成は、集光された光の照
射中を従来の磁気ヘッドの厚さに規制される限界寸法に
対し、格段に小さいものとする事が出来るものである為
、加熱され磁気が消滅する１面′即ち磁区１１１の巾が
小さく、従って従来の磁気ディスクよりも大巾に記憶容
量を増加出来る。

しかし上述の様な性能向上の反面、実用されている光磁
気ディスク記憶装置は、磁気バイアス発生装置１０５を
所定のデータ処理を行うトラックの位置に移動する為の
りニアモータ１０６を必要とする事や、バイアス磁束を
発生する為の磁気バイアス発生装！Ｉ　ｔｏｓのコイル
の大きさが装置全体の小形化の妨げになっている事等の
問題があった。

（発明が解決しようとする問題点） 本発明は、記憶容量を損う事がなく、而も構成が簡単な
光磁気ディスク記憶装置を実現する事の出来る磁気バイ
アス発生装置を得るにある。

（２）発明の構成 （問題点を解決する為の手段） 本発明の磁気バイアス発生装置は１回転自在に軸支され
、その円周上に夫々がほぼ　１２０度で隣接した一対と
夫々がほぼ６０度で隣接した一対との交互に４極に着磁
され、その長さが少なくも当該磁気ディスクの全トラッ
ク巾の寸法に相当する円筒状永久磁石と、該永久磁石と
空隙を介して対向しその長さが前記永久磁石のほぼ半分
の長さの一対の磁極片を軸に対称の位置に配設して磁気
ヨークで連結し、前記磁気ヨークに巻装された固定子巻
線とより成る第１の固定子と、前記第１の固定子と同様
な構造で、対を成す夫々の磁極片が前記第１の固定子の
夫々の磁極片に対し双方の外側端部同士の成す仰角がほ
ぼ１２０度となる位置でかつ軸方向に隣接し絶縁して配
設された第２の固定子とより構成し、前記第１の固定子
と第２の固定子の夫々の一対の磁極と略直角の方向に設
けた空間に投射される前記永久磁石の磁束を光磁気ディ
スク記憶装置のバイアス用の磁束として利用する構成が
特徴で、前記２個の固定子の巻線に交互に通電すること
により、前記永久磁石を回転させバイアス用の磁束の極
性を切り換える動作で目的を達成できるものである。

（作　　用） 前述の様な構成においては、バイアス用の磁束を発生す
る永久磁石の長さが磁気ディスクのトラックの巾全体を
カバーしているから磁気バイアス発生装置を所定のトラ
ックの位置に移動する為のりニアモータを必要とせず、
コイルを励磁する電力も不用であり、唯固定した磁気バ
イアス発生装置への信号付与のみで、所定のデータ処理
を行う事ができる他、装置全体の小形化を実現する事が
出来る作用効果をもたらす。

（実施例） 以下図面によって、本発明の詳細な説明する。

第１図は本発明による磁気バイアス発生装置の部分断面
図（ａ）とＡ−Ａ’断面図（ｂ）で、同図に示す様に第
１の固定子１と第２の固定子２は軸方向に隣接し絶縁し
て配設され、いずれも磁気ヨークで連結された夫々対の
磁極片５，６及び９゜１０が、１個の永久磁石回転子１
５に小空隙を介して夫々の外側端部を軸に対称の位置に
配設される。

上述の２個の固定子の夫々対を成す磁極片は、第１（第
２）の固定子の大きな弧角を持つ側と第２（第１）の固
定子の小さな弧角を持つ側とが、夫々双方の外側端部の
成す仰角をほぼ１２０度となる様に配設され、夫々の磁
気ヨークに巻装されている固定子巻線７，８及び１１．
１２は夫々電気的に接続され、従って同時に通電され、
双方に異極を示す磁束を発生する様に構成されている。

前記回転子は軸１４と、これに一体的に固着された円筒
状永久磁石１５とにより構成され、軸受１３で回転自在
に軸支されている。

該円筒状永久磁石１５は、上述の通り２つの固定子即ち
２つの対を成す磁極片５，６及び９，１０に対向するが
、その長さを当該磁気ディスクの全トラック巾とほぼ等
しいか少し長くし、且つその向きは前記磁気ディスクの
トラックとほぼ直交する如く配設される。

第２図は第１図の磁糧片５．６及び９．ＩＯとこれに対
向する回転子の円筒状永久磁石１５との関係を説明する
部分拡大図で、永久磁石１５は円周上に１２０度の一対
と、６０度の一対との交互４極に着磁されている。また
第２図は第１の固定子１と第２の固定子２の夫々の対の
磁極片５，６及び９，１０を便宜上同一の平面に示して
いる。

第２図に示した部分拡大図に於て、各磁極片６゜９と５
．ｌＯの前記永久磁石１５に対向する面の弧角は夫々は
ぼ９０度と４５度で、磁極片５，９及び６゜ＩＯの夫々
の外側端部の軸心から見た仰角はほぼ１２０度、磁極片
５と９又は６と１０の平面的に見た見掛は上の交錯する
部分の軸心から見た仰角はほぼ１５度、又５と１０及び
６と９との間の空間部分の仰角はほぼ６０度である。第
３図は本発明による磁気バイアス発生装置の動作の説明
図で、第３図（ａ）に示す永久磁石１５の停止位置は、
第２の固定子２側に巻装された固定子巻線１１．１２が
通電され、磁極片９がＮ極に同１０がＳ極となる様に励
磁された状態を示し、永久磁石１５の１２０度に着磁さ
れたＳ極が磁極片９のＮ極に吸引され永久磁石１５のＮ
極が磁極片１０のＳ極に吸引されて磁極片９と同６との
空間部の中央部に永久磁石１５のＮ極が対向し、即ちバ
イアス磁束ΦはＮ極を示す。

次に同図（ｂ）は、固定子巻線１１．１２を解放し、他
方の固定子巻線７．８を磁極片５，６が夫々Ｎ極、Ｓ極
となる様に励磁した直後の状態を示し、永久磁石１５は
同図に矢印で示す如く、磁極片９に吸引されていたＳ極
（１２０度着磁）は磁極片９から解放されて、磁極片５
に吸引され、又１８０度反対に位置するＮ　（１２０度
着磁の内の半分）及びＳ極（６０度着磁）は磁極片６の
（Ｓ極）により夫々吸引又は反発される為、永久磁石１
５は同図（ｃ）に示す如く反時計方向にほぼ６０度回転
し、平衡して停止し、即ちバイアス磁束はＳ極に転換さ
れる。

又、磁気バイアスのｓＶｉからＮ極への変換は第１の固
定子１を解放し、第２の固定子２を励磁して磁極片９及
び１０を夫々Ｎ極及びＳ極に磁化することにより、永久
磁石回転子１５を反時計方向に回転させ同図（ａ）の状
態にもどすことで達せられる。

第１図に示す本発明による磁気バイアス発生装置は、第
４図に示した光磁気ディスク記憶装置の磁気バイアス発
生装［１０５に相当する位置に矢印で示すΦの方向の面
を光磁気ディスクのトラック面に近接しかつ円筒状永久
磁石１５の軸を前記光磁気ディスクのトラックと直角に
固定して配置し。

上述のごとく永久磁石１５の磁極変換する事で光ビーム
で消磁された磁区を任意に磁化する様に構成されデータ
の書き込みを行う。

又、永久磁石１５の長さを当該磁気ディスクの全トラッ
ク巾相当以上の寸法とする事により、全てのトラックに
対し該磁気バイアス発生装置の位置を移動する事なしに
、単に永久磁石１５の転回動作だけで任意の磁化処理が
出来る構成としている。

（３）発明の効果 本発明による光磁気ディスク記憶装置に使用する磁気バ
イアス発生装置は上記の様な構成であるので、併設され
る２つの固定子夫々の巻線を交互励磁するだけで、当該
磁気ディスクの全トラック巾に対するバイアス磁束を得
る事が出来るので従来技術による磁気バイアス発生装置
のように磁気バイアス発生装置全体をトラックと直角方
向に移動させるリニアモータを備える必要が無くまたバ
イアス磁束を発生させるコイルに通電する電力も不用と
なり、装置全体を小形に形成ししかも応答の早い光磁気
ディスク記憶装置を構成できる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の例を示す部分断面図（ａ）とＡ−Ａ’
断面図（ｂ）、第２図は同回転子とこれに直接対向する
磁極片との相関を示す部分拡大図。 第３図は磁極片の磁化に伴う回転子の転回状層を示す説
明図、第４図は従来から実施されている光磁気ディスク
記憶装置の概念図で、平面図（ａ）。 正面図（ｂ）及び主要部拡大図（Ｑ）である。 符号の説明 １．２：固定子、３，４：磁極、５，６，９及び１０：
磁極片７，８．１１及び１２：固定子巻線１４：回転軸
１５：永久磁石、１００：磁性体薄膜１０１：磁気ディ
スク、１０２：ディスク駆動用電動機。 １０３：装置全体の基板、１０４：光ビーム発生装置１
０５：磁気バイアス発生装［，１０６：磁気バイアス発
生装置の移動用リニアモータ、１１１：磁区１１４：光
ビーム、１１５：バイアス磁動。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）回転自在に軸支され、その円周上に夫々がほぼ１
   ２０度で隣接した一対と夫々がほぼ６０度で隣接した一
   対との、交互に４極に着磁された円筒状永久磁石と、該
   永久磁石と空隙を介して対向しその長さが前記永久磁石
   のほぼ半分の長さの一対の磁極片を軸に対称の位置に配
   設して磁気ヨークで連結し、前記磁気ヨークに巻装され
   た固定子巻線とより成る第１の固定子と、前記第１の固
   定子と同様な構成で、対を成す夫々の磁極片が前記第１
   の固定子の夫々の磁極片に対し双方の外側端部同士の成
   す仰角がほぼ１２０度となる位置でかつ軸方向に隣接し
   絶縁して配設された第２の固定子とより成る事を特徴と
   する光磁気ディスク記憶装置に使用する磁気バイアス発
   生装置。
2. （２）前記円筒状永久磁石の長さが、少なくも本装置を
   使用する当該磁気ディスクの全トラック巾の寸法に相当
   するものである事を特徴とする特許請求の範囲第１項記
   載の磁気バイアス発生装置。
3. （３）前記磁極片の弧角が、２つの固定子双方の夫々一
   方が７０度〜１１０度で他方が３５度〜５５度の範囲に
   形成された事を特徴とする特許請求の範囲第１、第２項
   記載の磁気バイアス発生装置。