JPH0697483B2 - 磁気バイアス発生装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 （１）発明の目的 （産業上の利用分野） 本発明は光磁気ディスク記憶装置の書き込み装置に使用
される磁気バイアスの発生装置に関するものである。

（従来技術） 第３図は従来から実施されている光磁気ディスク記憶装
置の概念図であるが、光磁気ディスク記憶装置もその基
本機能は他の磁気ディスク記憶装置と同じで、回転円板
の表面に磁性体薄膜を形成した磁気ディスクを定速で回
転させ、該磁気ディスクに接近して配設した磁気ヘッド
により前記磁気デイスク上の磁性体薄膜を磁化してデー
タを記憶し、或いは逆に磁気デイスク上の磁化された磁
性体薄膜の磁束の変化により誘導される磁気ヘッドの電
圧を検出してデータを読み出すものである。

磁気ディク101の記憶媒体としてその表面に形成される
磁性体薄膜100において、データを記憶するエリアが磁
気ヘッド（図示なし）の厚さに相当する巾で、前記磁気
ディスク101の回転中心から磁気ヘッドの停止位置まで
の距離を半径とした円環状を成すものであり、該円環状
のエリア：トラックを同心状に多数形成する事で多量の
データを記憶せしめる事は周知の通りである。

従来の磁気ディスク記憶装置では、記憶容量を高める為
の手段の一つとして磁気ヘッドの厚さを薄くする事でト
ラックの巾を狭くし、磁性体薄膜100の面上でのトラッ
クの数を増加する方法が講じられているが、磁気ヘッド
の厚さを薄くする事が感度の低下をもたらすという問題
を抱えていた。

この問題点の解決を計り、トラック密度を高める為に考
案されたのが光磁気ディスク記憶装置である。

第３図（ｃ）において磁気ディスク101の表面に形成さ
れた磁性体薄膜100に対し、磁気バイアス発生装置105か
らの磁束115がほぼ垂直に作用し、前記磁性体薄膜100の
表裏に磁極を示す磁区111を形成する。

該磁区111の極性は前記磁気バイアス発生装置からのバ
イアス磁束115に倣うものである。

又、光ビーム発生装置104からの光ビーム114は前記磁性
体薄膜100上で焦点を結ぶ様に照射されるもので、この
光ビーム114に照射された磁性体薄膜100の極めて狭い
‘面’は照射された光の熱エネルギーで瞬時的に加熱さ
れる。

この加熱で当該磁気ディスク101に使用されている磁性
材料がキューリー点を越える事で既存の磁極は消滅し、
新たな磁化即ち新しいデータの記憶に備える状態とな
る。

この磁極が消滅した‘面’である当該磁区111は、磁気
バイアス発生装置105からの磁束115により新しい磁極を
形成する事で、データを記憶するものである。

該光ビーム114を利用した構成は、集光された光の照射
巾を従来の磁気ヘッドの厚さに規制される限界寸法に対
し、格段に小さいものとする事が出来るものである為、
加熱され磁気が消滅する‘面’即ち磁区111の巾が小さ
く、従って従来の磁気ディスクよりも大巾に記憶容量を
増加出来る。

しかし上述の様な性能向上の反面、実用されている光磁
気ディスク記憶装置は、磁気バイアス発生装置105を所
定のデータ処理を行うトラックの位置に移動する為のリ
ニアモータ106を必要とする事や、バイアス磁束を発生
する為の磁気バイアス発生装置105のコイルの大きさが
装置全体の小形化の妨げになっている事、等の問題があ
った。

（発明が解決しようとする問題点） 本発明は、記憶容量を損う事がなく、而も構成が簡単な
光磁気ディスク記憶装置を実現する事の出来る磁気バイ
アス発生装置を得るにある。

（２）発明の構成 （問題点を解決する為の手段） 本発明の磁気バイアス発生装置は、回転自在に軸支され
その円周上に交互６極着磁が施され、その長さは少なく
も当該磁気ディスクの全トラック巾の寸法に相当する円
筒状永久磁石と、その長さが前記永久磁石のほぼ半分で
該永久磁石と空隙を介して対向するように軸に対称に配
置され磁気ヨークで連結された弧角がいずれも40度〜60
度を有する一対の磁極片と、前記磁気ヨークに巻装され
た固定子巻線とより成る第１の固定子と、前記第１の固
定子と同様な構成で、対をなす磁極片の中心線が前記第
１の固定子の磁極片の中心線と互いに60度〜90度の範囲
のずれをもち、軸方向に隣接して配設された第２の固定
子とより構成し、前記第１の固定子と第２の固定子の夫
々の一対の磁極と略直角の方向に設けた空間に投射され
る前記永久磁石の磁束を光磁気ディスク記憶装置のバイ
アス用の磁束として利用する構成が特徴で、前記の２個
の固定子の巻線に交互に通電することにより、前記永久
磁石を回転させバイアス用の磁束の極性を切り換える動
作で目的を達成できるものである。

（作用） 前述の様な構成においては、バイアス用の磁束を発生す
る永久磁石の長さが磁気ディスクのトラックの巾全体を
カバーしているから磁気バイアス発生装置を所定のトラ
ックの位置に移動する為のリニアモータを必要とせず、
固定した磁気バイアス発生装置への信号付与のみで、所
定のデータ処理を行う事が出来る他、装置全体の小形化
を実現する事が出来る作用効果をもたらす。

（実施例） 以下図面によって、本発明の実施例を説明する。

第１図は本発明による磁気バイアス発生装置の部分断面
図（ａ）と（ａ）のＡ−Ａ′断面図（ｂ）で、同図に示
す様に第１の固定子１と第２の固定子２は軸方向に隣接
して絶縁して配設され、いずれも磁気ヨーク3,4で連結
された夫々一対の磁極片5,6及び9,10が１つの円筒状の
永久磁石回転子15に小空隙を介して軸に対称に配設され
る。

上述の２個の固定子の夫々対を成す磁極片は、双方の中
心線が互いにほぼ75度だけずらして配設されており、夫
々の磁気ヨーク3,4に巻装されている固定子巻線7,8及び
11,12は夫々電気的に接続され、従って同時に通電さ
れ、双方に異極を示す磁束を発生する様に構成されてい
る。

前記回転子は軸14とこれに一体的に固着された円筒状永
久磁石15とにより構成され軸受13で回転自在に支承され
ている。

該円筒状永久磁石15は、上述の通り２個の固定子即ち２
個の対を成す磁極片5,6及び9,10に対向するが、その長
さを当該磁気ディスクの全トラック巾とほぼ等しいか少
し長くし、且つその向きは前記磁気ディスクのトラック
とほぼ直交するように配設される。

第２図は、第１図の磁極片5,6及び9,10とこれに対向す
る回転子の円筒状永久磁石15との関係を説明する部分拡
大図で、永久磁石15は円周上に６極に着磁されている。
また、第１の固定子１と第２の固定子２の夫々の対の磁
極片5,6及び9,10を便宜上同一の平面に示している。

第２図に於ては各磁極片5,6,9,10の前記永久磁石15に対
向する面の弧角はほぼ45度、対の磁極片5,6及び9,10の
中心線相互のずれはほぼ75度、磁極片５と９又は６と10
の見掛け上の向き合う側先端の軸心からの仰角はほぼ30
度、同じく５と10又は６と９とではその仰角がほぼ60度
である。同図に示す永久磁石15の停止位置は、第１の固
定子１側に巻装された固定子巻線7,8が通電され、磁極
片５がＳ極に同６がＮ極となる様に励磁された状態を示
し、磁極片９と同６との間の中央部はＮ極のａ点とな
り、即ちバイアス磁束ΦはＮ極を示す。

次に固定子巻線7,8を解放し、他方の固定子巻線11,12を
磁極片9,10が夫々Ｓ極,N極となる様に励磁すると、ａ点
を示すＮ極は磁極片９（Ｓ）に、又180度反対位置のＳ
極は磁極片10（Ｎ）に夫々吸引される為、永久磁石15は
反時計方向にほぼ30度回転し平衡して停止しＳ極のｂ点
が前記ａ点の位置に達し、従ってバイアス磁束はＳ極に
転換される。

第１図に示す本発明による磁気バイアス発生装置は、第
３図に示す従来構造における光磁気ディスク記憶装置の
磁気バイアス発生装置105に相当するもので、第１図
（ｂ）に示す磁束Φの矢印方向に近接して磁気ディスク
101を配設するものである。この磁束Φと直角となるよ
うに対向する磁気ディスク101の表面には従来通り第３
図（ｃ）に示す如く磁性体薄膜100が形成され光磁気デ
ィスク記憶装置のトラック面を構成する。そして上述の
如く永久磁石15の磁極を変換する事で光ビームで消磁さ
れた磁区を任意に磁化する様に構成されデータの書き込
みを行う。

又、永久磁石15の長さを当該磁気ディスクの全トラック
巾相当以上の寸法とする事により、全てのトラックに対
し該磁気バイアス発生装置の位置を移動する事なしに、
単に永久磁石15の転回動作だけで任意の酸化処理が出来
る構成となっている。

（３）発明の効果 本発明による光磁気ディスク記憶装置に使用する磁気バ
イアス発生装置は上記の様な構成であるので、併設され
る２つの固定子の夫々の巻線を交互に励磁するだけで、
当該光磁気ディスクの全トラック巾に対するバイアス磁
束を得る事が出来るので従来技術による磁気バイアス発
生装置のように磁気バイアス発生装置全体をトラックと
直角方向に移動させるリニアモータを備える必要が無く
なり、装置全体を小形に形成ししかも応答の早い光磁気
デイスク記憶装置を構成できる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例を示す部分断面図（ａ）とＡ−
Ａ′断面図（ｂ）、第２図は同回転子とこれに直接対向
する磁極片との相関を示す拡大図、第３図は従来から実
施されている光磁気ディスク記憶装置の概念図で、平面
図（ａ），正面図（ｂ）及び主要部拡大図（ｃ）であ
る。 符号の説明 1,2……固定子、3,4……磁気ヨーク、5,6,9及び10……
磁極片、7,8,11及び11……固定子巻線 14……回転軸、15……永久磁石、100……磁性体薄膜 101……磁気ディスク、102……ディスク駆動用電動機、
103……装置全体の基板、104……光ビーム発生装置、10
5……磁気バイアス発生装置、106……磁気バイアス発生
装置の移動用リニアモータ、111……磁区 114……光ビーム、115……バイアス磁束。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】光磁気ディスク記憶装置に使用される磁気
   バイアス発生装置において、回転自在に軸支され、その
   円周上に交互に６極に着磁され其の長さが少なくとも当
   該光磁気ディスクの全トラック巾に相当する円筒状永久
   磁石と、その長さが前記永久磁石の略半分で該永久磁石
   と空隙を介して対向するように夫々の一端が軸に対称に
   配置され第１の磁気ヨークで連結された一対の第１の磁
   極片と、該磁気ヨークに巻装された第１の固定子巻線と
   より成る第１の固定子と、その長さが前記第１の固定子
   と略等しく前記永久磁石と空隙を介して対向するよう
   に、夫々の一端が軸に対称に配置され第２の磁気ヨーク
   で連結された一対の第２の磁極片と、該磁気ヨークに巻
   装された第２の巻線とより成る第２の固定子とを有し、
   第１の固定子と第２の固定子は軸方向にづれており第１
   の磁極片の中心線と第２の磁極片の中心線とは60度乃至
   90度の範囲に設けられていることを特徴とする光磁気デ
   ィスク記憶装置に使用される磁気バイアス発生装置。
2. 【請求項２】前記第１の磁極片と第２の磁極片の弧角が
   夫々40度乃至60度の範囲に形成されていることを特徴と
   する特許請求の範囲第１項に記載の光磁気ディスク記憶
   装置に使用される磁気バイアス発生装置。