JPH06196817A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- JPH06196817A JPH06196817A JP34297992A JP34297992A JPH06196817A JP H06196817 A JPH06196817 A JP H06196817A JP 34297992 A JP34297992 A JP 34297992A JP 34297992 A JP34297992 A JP 34297992A JP H06196817 A JPH06196817 A JP H06196817A
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- Japan
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- laser diode
- laser
- photodiode
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高信頼性の半導体レーザ装置を提供するとと
もに、生産性の向上を図ることを目的とする。 【構成】 リードフレームピン３において、レーザダイ
オード１をマウントする面をレーザダイオード１裏面よ
り出射されるレーザを受光するためのフォトダイオード
２の受光面より高くするとともに、フォトダイオード２
の受光面とレーザダイオードチップ１の裏面出射端面と
を互いに垂直な位置関係になるようにする。
もに、生産性の向上を図ることを目的とする。 【構成】 リードフレームピン３において、レーザダイ
オード１をマウントする面をレーザダイオード１裏面よ
り出射されるレーザを受光するためのフォトダイオード
２の受光面より高くするとともに、フォトダイオード２
の受光面とレーザダイオードチップ１の裏面出射端面と
を互いに垂直な位置関係になるようにする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体レーザ装置に関す
るもので、主に光ディスクピックアップや光通信用の光
源に使用されるものである。
るもので、主に光ディスクピックアップや光通信用の光
源に使用されるものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体レーザ装置１は、いわゆる
ユニットタイプのものであり、図８は、その中央縦断面
図、図９は、保護樹脂層を除いて示す外観斜視図であ
る。
ユニットタイプのものであり、図８は、その中央縦断面
図、図９は、保護樹脂層を除いて示す外観斜視図であ
る。
【０００３】基板２は、アルミニウム板の表面にニッケ
ルメッキ及び金メッキを施したものである。基板２の前
方中央部には、サブマウント３がインジウム等の接続材
料により載置固定される。サブマウント３は、シリコン
製の矩形板材により基本的に構成され、その表面には二
酸化シリコン皮膜４を介して、レーザダイオードチップ
９に電力を供給するためのアルミニウム配線５、後述す
るモニタ素子７の作動によりサブマウント３に生じた電
流を取り出すためのアルミニウム配線６が形成される。
ルメッキ及び金メッキを施したものである。基板２の前
方中央部には、サブマウント３がインジウム等の接続材
料により載置固定される。サブマウント３は、シリコン
製の矩形板材により基本的に構成され、その表面には二
酸化シリコン皮膜４を介して、レーザダイオードチップ
９に電力を供給するためのアルミニウム配線５、後述す
るモニタ素子７の作動によりサブマウント３に生じた電
流を取り出すためのアルミニウム配線６が形成される。
【０００４】前記サブマウント３上における前方中央部
には、前記アルミニウム配線５が延びてボンディング面
を形成しており、このボンディング面上に、レーザダイ
オードチップ９が導電性ロウ材１０によってボンディン
グされる。この時、レーザダイオードチップ９の二つの
レーザ光出射端面９ａ，９ｂは、それぞれサブマウント
３の前後方向を向くようにされる。
には、前記アルミニウム配線５が延びてボンディング面
を形成しており、このボンディング面上に、レーザダイ
オードチップ９が導電性ロウ材１０によってボンディン
グされる。この時、レーザダイオードチップ９の二つの
レーザ光出射端面９ａ，９ｂは、それぞれサブマウント
３の前後方向を向くようにされる。
【０００５】一方、前記サブマウント３の表面中央部、
すなわちレーザダイオードチップ９の後方レーザ光出射
端面９ｂと隣接する領域には、サブマウント３表面から
Ｐ型不純物を拡散させてＰＮ接合を形成した、ホトダイ
オード素子が一体に作り込まれており、これがモニタ素
子７として機能する。このモニタ素子７には、前記アル
ミニウム配線６が連結されている。
すなわちレーザダイオードチップ９の後方レーザ光出射
端面９ｂと隣接する領域には、サブマウント３表面から
Ｐ型不純物を拡散させてＰＮ接合を形成した、ホトダイ
オード素子が一体に作り込まれており、これがモニタ素
子７として機能する。このモニタ素子７には、前記アル
ミニウム配線６が連結されている。
【０００６】アルミニウム配線５，６は、それぞれ基板
２上接続するフレキシブル回路１４上に対応するリード
１４ａ，１４ｂにワイヤＷ１，Ｗ２によりワイヤボンデ
ィングされている。また、レーザダイオードチップ９の
負極は、サブマウント３上の二酸化シリコン皮膜４を窓
開けして内部導通させられたパッド８に、ワイヤＷ４で
ワイヤボンディングすることにより基板２に電気的に接
続される。さらに基板２は、ワイヤＷ３により、フレキ
シブル回路１４のリード１４ｃとワイヤＷ３によりワイ
ヤボンディングされる。
２上接続するフレキシブル回路１４上に対応するリード
１４ａ，１４ｂにワイヤＷ１，Ｗ２によりワイヤボンデ
ィングされている。また、レーザダイオードチップ９の
負極は、サブマウント３上の二酸化シリコン皮膜４を窓
開けして内部導通させられたパッド８に、ワイヤＷ４で
ワイヤボンディングすることにより基板２に電気的に接
続される。さらに基板２は、ワイヤＷ３により、フレキ
シブル回路１４のリード１４ｃとワイヤＷ３によりワイ
ヤボンディングされる。
【０００７】レーザダイオードチップ９は、透明樹脂１
２で被覆される。この透明樹脂１２は、前方レーザ光出
射端面９ａを被覆するだけでなく、レーザダイオードチ
ップ９の後方にも拡がり、後方レーザ光出射端面９ｂと
モニタ素子７を結ぶ固体導波路１２ａを構成する。
２で被覆される。この透明樹脂１２は、前方レーザ光出
射端面９ａを被覆するだけでなく、レーザダイオードチ
ップ９の後方にも拡がり、後方レーザ光出射端面９ｂと
モニタ素子７を結ぶ固体導波路１２ａを構成する。
【０００８】この透明樹脂１２には、エポキシ樹脂、シ
リコン樹脂等が使用され、これらの樹脂を液状とし、レ
ーザダイオードチップ９に付着する。この液状の樹脂
は、前方レーザ光出射端面９ａにおいてその表面張力に
より平坦な表面を形成する。
リコン樹脂等が使用され、これらの樹脂を液状とし、レ
ーザダイオードチップ９に付着する。この液状の樹脂
は、前方レーザ光出射端面９ａにおいてその表面張力に
より平坦な表面を形成する。
【０００９】この状態で樹脂が硬化すると、前方レーザ
光出射端面９ａでは、樹脂表面の平坦さが保持されたま
ま硬化し、平坦な出射面１２ｂが形成される。また、レ
ーザダイオードチップ９の全体が透明樹脂１２で封止さ
れる。
光出射端面９ａでは、樹脂表面の平坦さが保持されたま
ま硬化し、平坦な出射面１２ｂが形成される。また、レ
ーザダイオードチップ９の全体が透明樹脂１２で封止さ
れる。
【００１０】基板２上には、さらに保護樹脂層１３が形
成され、サブマウント３、ワイヤＷ１〜Ｗ４等が被覆保
護される。
成され、サブマウント３、ワイヤＷ１〜Ｗ４等が被覆保
護される。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】前記従来の半導体レー
ザ装置において、モニタ素子７が後方レーザ光出射端面
９ａに対し垂直にかつレーザダイボンド面に対し垂直で
ダイボンド面に対し同じ高さに配置されているので、モ
ニタ素子７へのレーザ光受光効率が悪い。特にレーザ後
方レーザ光出射端面９ａの反射率が低く後方出射出力光
の低い高出力レーザでは十分なモニタ光が得られなく、
そのため小型化が図れない欠点があった。
ザ装置において、モニタ素子７が後方レーザ光出射端面
９ａに対し垂直にかつレーザダイボンド面に対し垂直で
ダイボンド面に対し同じ高さに配置されているので、モ
ニタ素子７へのレーザ光受光効率が悪い。特にレーザ後
方レーザ光出射端面９ａの反射率が低く後方出射出力光
の低い高出力レーザでは十分なモニタ光が得られなく、
そのため小型化が図れない欠点があった。
【００１２】また基板にはダイボンド用の基準位置の指
標がなかったので、生産工程において、レーザダイオー
ドチップ９を正確な位置にダイボンドすることは出来な
かった。
標がなかったので、生産工程において、レーザダイオー
ドチップ９を正確な位置にダイボンドすることは出来な
かった。
【００１３】さらに、レーザダイオードチップ９を被覆
する樹脂の厚みは特に規定されていないが、特に厚みが
薄いと周囲の湿度により端面腐食が発生し、そのためレ
ーザの動作電流に大きな変動が生じレーザの信頼性に問
題があった。
する樹脂の厚みは特に規定されていないが、特に厚みが
薄いと周囲の湿度により端面腐食が発生し、そのためレ
ーザの動作電流に大きな変動が生じレーザの信頼性に問
題があった。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに本発明は、基台上にレーザダイオードチップをボン
ディングしてなる半導体レーザ装置において、 （１）前記レーザダイオードチップが載置されるマウン
ト面を、該レーザダイオードチップ裏面より出射される
レーザを受光モニタするためのモニタ用フォトダイオー
ドの受光面より高く設け、かつ該受光面とレーザダイオ
ードチップの裏面出射端面より出射されるレーザ光の光
射方向とが互いに垂直の位置関係になるようにレーザダ
イオードチップとモニタ用フォトダイオードとを基台上
に載置する。
めに本発明は、基台上にレーザダイオードチップをボン
ディングしてなる半導体レーザ装置において、 （１）前記レーザダイオードチップが載置されるマウン
ト面を、該レーザダイオードチップ裏面より出射される
レーザを受光モニタするためのモニタ用フォトダイオー
ドの受光面より高く設け、かつ該受光面とレーザダイオ
ードチップの裏面出射端面より出射されるレーザ光の光
射方向とが互いに垂直の位置関係になるようにレーザダ
イオードチップとモニタ用フォトダイオードとを基台上
に載置する。
【００１５】（２）前記レーザダイオードチップを所定
の位置にダイボンドするために指標を設ける。
の位置にダイボンドするために指標を設ける。
【００１６】（３）さらに、レーザダイオードチップを
防湿するためにレーザダイオードチップを被覆する樹脂
の厚みを１０μｍ以上とする。
防湿するためにレーザダイオードチップを被覆する樹脂
の厚みを１０μｍ以上とする。
【００１７】
【作用】上記のように構成された半導体レーザ装置で
は、 （１）モニタ用フォトダイオードへのレーザ光の入射光
率が向上するとともにレーザユニットの小型化が図れ
る。
は、 （１）モニタ用フォトダイオードへのレーザ光の入射光
率が向上するとともにレーザユニットの小型化が図れ
る。
【００１８】（２）基台等にダイボンド用の位置決めを
する指標を設けることによって生産性が向上するととも
にダイボンドの精度の向上が図れる。
する指標を設けることによって生産性が向上するととも
にダイボンドの精度の向上が図れる。
【００１９】（３）レーザダイオードチップを被覆する
樹脂の厚みを１０μｍとすることによって、周囲の湿度
の影響を防止することができる。
樹脂の厚みを１０μｍとすることによって、周囲の湿度
の影響を防止することができる。
【００２０】
【実施例】本発明の実施例について図面に基づいて説明
すると、図１は本発明のリードフレームタイプの半導体
レーザ装置の外観斜視図、図２は図１の中央縦断面図で
ある。
すると、図１は本発明のリードフレームタイプの半導体
レーザ装置の外観斜視図、図２は図１の中央縦断面図で
ある。
【００２１】レーザダイオードチップ２１およびフォト
ダイオード２２はリードフレームピン２３にマウントさ
れ、透明樹脂２４にて封止されている。レーザダイオー
ドチップ２１がマウントされたリードフレームピン２３
部は、フォトダイオード２２がマウントされた部分より
高くなっている。
ダイオード２２はリードフレームピン２３にマウントさ
れ、透明樹脂２４にて封止されている。レーザダイオー
ドチップ２１がマウントされたリードフレームピン２３
部は、フォトダイオード２２がマウントされた部分より
高くなっている。
【００２２】また、フォトダイオード２２は、リードフ
レームピン２３の面上に載置してある。そして、レーザ
ダイオードチップ２１の裏面出射端面とフォトダイオー
ド２２の受光面とは垂直位置関係になるようにそれぞれ
載置してある。
レームピン２３の面上に載置してある。そして、レーザ
ダイオードチップ２１の裏面出射端面とフォトダイオー
ド２２の受光面とは垂直位置関係になるようにそれぞれ
載置してある。
【００２３】そしてレーザダイオードチップ２１はワイ
ヤＷ１によってリードフレームピン２５と、フォトダイ
オード２２はワイヤＷ２によってリードフレームピン２
６とそれぞれ配線されている。
ヤＷ１によってリードフレームピン２５と、フォトダイ
オード２２はワイヤＷ２によってリードフレームピン２
６とそれぞれ配線されている。
【００２４】なお、本発明の半導体レーザ装置は、数個
のパターンが連結されたリードフレームピン２３，２
５，２６を樹脂製の固定具２７で固定され（図３）、各
リードフレームピン２３，２５，２６にレーザダイオー
ドチップ２１、フォトダイオード２２をマウントし、ワ
イヤＷ１，Ｗ２をボンディングした後、レーザダイオー
ドチップ２１およびフォトダイオード２２を透明樹脂２
４で封止した後、ダイバー２８をカットして組立が完了
するものである。
のパターンが連結されたリードフレームピン２３，２
５，２６を樹脂製の固定具２７で固定され（図３）、各
リードフレームピン２３，２５，２６にレーザダイオー
ドチップ２１、フォトダイオード２２をマウントし、ワ
イヤＷ１，Ｗ２をボンディングした後、レーザダイオー
ドチップ２１およびフォトダイオード２２を透明樹脂２
４で封止した後、ダイバー２８をカットして組立が完了
するものである。
【００２５】図４は本発明の第二実施例の半導体レーザ
装置の外観斜視図、図５はリードフレーム組品の平面図
である。前記第一実施例と異なるところは、リードフレ
ームピン２３，２５，２６及び固定具２８、ダイバー２
９にそれぞれ位置決め用穴３０と位置決め用溝３１が設
けられているものである。
装置の外観斜視図、図５はリードフレーム組品の平面図
である。前記第一実施例と異なるところは、リードフレ
ームピン２３，２５，２６及び固定具２８、ダイバー２
９にそれぞれ位置決め用穴３０と位置決め用溝３１が設
けられているものである。
【００２６】これらの位置決め用穴３０と溝３１によっ
て、リードフレームピン組品３２を位置決めすることに
よって、レーザダイオードチップ２１、フォトダイオー
ド２２が、リードフレームピン２３の正確な位置にマウ
ントされる。
て、リードフレームピン組品３２を位置決めすることに
よって、レーザダイオードチップ２１、フォトダイオー
ド２２が、リードフレームピン２３の正確な位置にマウ
ントされる。
【００２７】図６は本発明の半導体レーザ装置において
レーザダイオードチップ３１およびフォトダイオード３
２を封止する透明樹脂３４の膜厚と半導体レーザ装置の
劣化現象の関係を示した図表である。図６のデータは、
樹脂膜厚の異なった半導体レーザ装置を７種類作り、そ
れらを温度６５℃、絶対湿度９５％の雰囲気中に放置し
て、レーザの動作電流変動について５０Ｈ毎に調べたも
のである。図７は膜厚０．１μｍの場合の放置時間Ｔと
動作電流変動ΔＩｏｐとの関係を表わしたグラフであ
る。
レーザダイオードチップ３１およびフォトダイオード３
２を封止する透明樹脂３４の膜厚と半導体レーザ装置の
劣化現象の関係を示した図表である。図６のデータは、
樹脂膜厚の異なった半導体レーザ装置を７種類作り、そ
れらを温度６５℃、絶対湿度９５％の雰囲気中に放置し
て、レーザの動作電流変動について５０Ｈ毎に調べたも
のである。図７は膜厚０．１μｍの場合の放置時間Ｔと
動作電流変動ΔＩｏｐとの関係を表わしたグラフであ
る。
【００２８】上記図６、図７からわかるように膜厚が１
０μｍ未満の場合は劣化が観察されているが、１０μｍ
以上になると劣化は観察されていない。その結果樹脂の
膜厚を１０μｍ以上にすることが望ましいことがわか
る。
０μｍ未満の場合は劣化が観察されているが、１０μｍ
以上になると劣化は観察されていない。その結果樹脂の
膜厚を１０μｍ以上にすることが望ましいことがわか
る。
【００２９】
【発明の効果】本発明は上記のように構成されているの
で、以下のような効果を奏する。請求項１においては、
モニタ用フォトダイオードへのレーザ光の入射光率が向
上するとともにレーザユニットの小型化が図れる。
で、以下のような効果を奏する。請求項１においては、
モニタ用フォトダイオードへのレーザ光の入射光率が向
上するとともにレーザユニットの小型化が図れる。
【００３０】請求項２においては、リードフレームの位
置決めが確実になされるので、レーザダイオードチップ
およびフォトダイオードの載置位置を正確に決めること
ができ生産性が向上するとともに半導体レーザ装置の精
度が向上する。
置決めが確実になされるので、レーザダイオードチップ
およびフォトダイオードの載置位置を正確に決めること
ができ生産性が向上するとともに半導体レーザ装置の精
度が向上する。
【００３１】請求項３においては、樹脂膜厚を１０μｍ
以上にすることによって周囲の湿度の影響による劣化を
防止でき、耐環境性のすぐれた半導体レーザ装置を提供
することができる。
以上にすることによって周囲の湿度の影響による劣化を
防止でき、耐環境性のすぐれた半導体レーザ装置を提供
することができる。
【図１】本発明の半導体レーザ装置の第一実施例外観斜
視図である。
視図である。
【図２】同じく図１の中央縦断面図である。
【図３】同じくリードフレーム組品の平面図である。
【図４】本発明の半導体レーザ装置の第二実施例外観斜
視図である。
視図である。
【図５】同じくリードフレーム組品の平面図である。
【図６】本発明の第三実施例で、半導体レーザ装置の樹
脂膜厚と劣化時間の関係を表わす図表である。
脂膜厚と劣化時間の関係を表わす図表である。
【図７】同じく半導体レーザ装置の放置時間と動作電流
変化率の関係を表わすグラフである。
変化率の関係を表わすグラフである。
【図８】従来の半導体レーザ装置の中央縦断面図であ
る。
る。
【図９】同じく図８において保護樹脂層を除いた外観斜
視図である。
視図である。
２１ レーザダイオードチップ ２２ フォトダイオード ２３，２５，２６ リードフレームピン ２４ 透明樹脂 ２７ 固定具 ２８ ダイバー ３０ 位置決め用穴 ３１ 位置決め用溝 ３２ リードフレーム組品
Claims (3)
- 【請求項１】 レーザダイオードチップを樹脂でモール
ドしてなる半導体レーザ装置において、前記レーザダイ
オードチップが載置されるマウント面を、該レーザダイ
オードチップ裏面より出射されるレーザを受光するため
のモニタ用フォトダイオードの受光面より高く設け、か
つ該受光面とレーザダイオードチップの裏面出射端面よ
り出射されるレーザ光の光射方向とが互いに垂直の位置
関係になるように前記レーザダイオードチップとモニタ
用フォトダイオードとを基台に載置することを特徴とす
る半導体レーザ装置。 - 【請求項２】 前記レーザダイオードチップを所定の位
置にダイボンドするための指標を基台に設けたことを特
徴とする請求項１記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項３】 前記レーザダイオードチップをモールド
する樹脂の厚さを１０μｍ以上としたことを特徴とする
請求項１または２記載の半導体レーザ装置。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34297992A JPH06196817A (ja) | 1992-12-24 | 1992-12-24 | 半導体レーザ装置 |
| US08/178,399 US5557116A (en) | 1992-12-24 | 1993-12-22 | Semiconductor laser device and resin layer |
| TW082110900A TW289872B (ja) | 1992-12-24 | 1993-12-22 | |
| CA002112343A CA2112343C (en) | 1992-12-24 | 1993-12-23 | Semiconductor laser device |
| CN93119979A CN1065672C (zh) | 1992-12-24 | 1993-12-24 | 半导体激光器件 |
| KR1019930029606A KR940017021A (ko) | 1992-12-24 | 1993-12-24 | 반도체 레이저장치 |
| EP93310535A EP0607700B1 (en) | 1992-12-24 | 1993-12-24 | Semiconductor laser device |
| DE69326136T DE69326136T2 (de) | 1992-12-24 | 1993-12-24 | Halbleiterlaservorrichtung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34297992A JPH06196817A (ja) | 1992-12-24 | 1992-12-24 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06196817A true JPH06196817A (ja) | 1994-07-15 |
Family
ID=18357996
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34297992A Pending JPH06196817A (ja) | 1992-12-24 | 1992-12-24 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06196817A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1313184A1 (en) * | 2000-07-17 | 2003-05-21 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device |
| WO2014054085A1 (ja) * | 2012-10-05 | 2014-04-10 | パイオニア株式会社 | 半導体デバイス、これを備えた近接センサーおよび半導体デバイスの製造方法 |
-
1992
- 1992-12-24 JP JP34297992A patent/JPH06196817A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1313184A1 (en) * | 2000-07-17 | 2003-05-21 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device |
| EP1313184A4 (en) * | 2000-07-17 | 2005-12-07 | Sanyo Electric Co | SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT |
| WO2014054085A1 (ja) * | 2012-10-05 | 2014-04-10 | パイオニア株式会社 | 半導体デバイス、これを備えた近接センサーおよび半導体デバイスの製造方法 |
| JP5938479B2 (ja) * | 2012-10-05 | 2016-06-22 | パイオニア株式会社 | 半導体デバイス、これを備えた近接センサーおよび半導体デバイスの製造方法 |
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