JP5938479B2 - 半導体デバイス、これを備えた近接センサーおよび半導体デバイスの製造方法 - Google Patents

半導体デバイス、これを備えた近接センサーおよび半導体デバイスの製造方法 Download PDF

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Description

本発明は、発光素子と受光素子とを共通のパッケージ基板に実装して成る半導体デバイス、これを備えた近接センサーおよび半導体デバイスの製造方法に関するものである。
従来、この種の半導体デバイスとして、発光素子と受光素子との間に遮光部材を配置したオプトデバイスが知られている（特許文献１参照）。このオプトデバイスは、近接する物体の有無を検知する物体検知センサーの機能を有する赤外線通信デバイスで構成されている。
オプトデバイスの物体検知センサーの部分は、基板と、基板上に搭載した発光素子および受光素子と、発光素子および受光素子を透光性樹脂で封止すると共に、発光素子に対峙する発信用レンズおよび受光素子に対峙する受信用レンズを含むモールド部と、モールド部における発信用レンズと受信用レンズとの間に形成された溝と、溝に設けられ、受光素子からの光を遮光する遮光部材と、を備えている。
発光素子から放射されてモールド部内を受光素子に向かって進む光は、溝に設けられた遮光部材により遮光される。これにより、新たにモールド金型等を必要とすることなく、モールド部内における発光素子から受光素子への光の回り込みを防止することができる。
また、ケースに収容したプリント基板を傾けた状態で、ケースに封止剤を充填する電装部品が知られている（特許文献２参照）。
特開２００９−１０１５７号公報 特開２００５−２１６９８０号公報
ところで、このような通信機能を有するオプトデバイス（半導体デバイス）は、例えば携帯端末に搭載される。そして、携帯端末におけるオプトデバイスは、透光性のパネル体（タッチパネル）の内側に配置される場合があり、かかる場合に物体検知センサーは、パネル体越しに物体をセンシングする。
このように、従来のオプトデバイスが、パネル体に内側に配置される場合、モールド部内において発光素子から受光素子に向かう光は、遮光部材により遮光されるが、パネル体に反射して受光素子に向かう光は、遮光することができない問題があった。すなわち、発光素子から受光素子に回り込むノイズ光のうち、パネル体から反射するノイズ光を防止することができない問題があった。
本発明は、発光素子から受光素子に回り込む光のうち、パネル体等から反射して受光素子に達する光を抑制することができる半導体デバイス、これを備えた近接センサーおよび半導体デバイスの製造方法を提供することを課題としている。
本発明の半導体デバイスは、共通のパッケージ基板に実装した発光素子および受光素子を、封止樹脂で封止して成る半導体デバイスであって、封止樹脂の表面は、パッケージ基板に対し、発光素子から受光素子に向かって下り傾斜の平面となる傾斜面で形成されていることを特徴とする。
この構成によれば、封止樹脂の表面が、発光素子から受光素子に向かって下り傾斜の平面となる傾斜面で形成されているため、発光素子から放射した光（検出光）は、封止樹脂の表面（空気との界面）において、全体として受光素子から離れる側に屈折する。このため、例えば前面にパネル体がある場合に、この屈折した光のうち、受光素子側においてパネル体を透過する光は、パネル体に深い角度で入射し、その反射が抑制される。すなわち、発光素子から受光素子に回り込むノイズ光のうち、パネル体から反射して受光素子に達するノイズ光を抑制することができる。なお、「パッケージ基板」は、リードフレームを含む概念である。
この場合、発光素子および受光素子は、封止樹脂のポッティングにより封止されていることが好ましい。
この構成によれば、パッケージ基板を傾斜面の角度分傾けた状態で、封止樹脂の流し込みおよび硬化を行うだけで、或いは封止樹脂の流し込みを行った後、パッケージ基板を傾けて硬化させるだけで、表面に傾斜面を有する封止樹脂を簡単に形成することができる。
また、発光素子および受光素子の少なくとも一方が、パッケージ基板に形成した凹溝に没するように実装されていることが好ましい。
この構成によれば、例えば発光素子が凹溝に実装されている場合、その放射光は、凹溝内で適宜反射し凹溝の開口部側から放射される。このため、発光素子からの放射光は、指向性を持つことになり、ノイズ光として受光素子に達することがない。しかも、凹溝により、発光素子からの放射光の取出し効率を向上させることができる。また、受光素子が凹溝に実装されている場合、受光素子に向かう発光素子からの放射光は、開口部上を通過するため、ノイズ光として受光素子に達することがない。したがって、封止樹脂内においても、発光素子から受光素子への光（ノイズ光）の回り込みを抑制することができる。
本発明の近接センサーは、上記した半導体デバイスを備え、透光性のパネル体を介して、対象物の相対的な接近をセンシングすることを特徴とする。
この構成によれば、パネル体からの反射により、受光素子に入射するノイズ光を少なくすることができる。これにより、発光素子から受光素子への光（ノイズ光）の回り込みを抑制することができ、誤検出等を有効に防止することができる。
この場合、携帯端末に搭載され、パネル体が、携帯端末のタッチパネルであることが好ましい。
この構成によれば、発光素子から受光素子への光（ノイズ光）の回り込みを抑制することができるため、人体を対象物とするセンシングを良好に行うことができる。
本発明の半導体デバイスの製造方法は、上記した半導体デバイスの製造方法であって、配線パターンを形成したパッケージ基板に、発光素子および受光素子をチップ・マウントするマウント工程と、マウント工程の後、発光素子をワイヤーボンディングすると共に、受光素子をワイヤーボンディングするボンディング工程と、ボンディング工程の後、前記パッケージ基板を水平に維持した状態で封止樹脂を流し込む工程と、前記パッケージ基板を傾けて前記封止樹脂を硬化させる工程とを経て、前記発光素子および前記受光素子を前記封止樹脂によりポッティングするポッティング工程と、を備えたことを特徴とする。
この構成によれば、水平姿勢に維持したパッケージ基板に封止樹脂を流し込み、その後、パッケージ基板を傾けて封止樹脂を硬化させるだけで、表面に傾斜面を有する封止樹脂を簡単に形成することができる。すなわち、従前の製造工程のポッティング工程において、封止樹脂を硬化させる際に、パッケージ基板を傾けるだけで、発光素子から受光素子への光（ノイズ光）の回り込みを抑制可能な半導体デバイスを簡単に製造することができる。なお、樹脂封止をウェーハレベルで実施する場合には、ポッティング工程において、デバイスの列単位でせき板（枠板）を設けるようにすることが好ましい。
この場合、ポッティング工程は、ウェーハレベルで行われ、ウェーハは、ダイシングラインの位置にそれぞれ設けたせき板と、四周縁部に設けられた四周枠とを有し、各せき板の少なくとも一方の端部は、四周枠から離間して「Ｌ」字状に屈曲していることが好ましい。
この構成によれば、封止樹脂をウェーハ全域に均一且つ円滑に流し込むことができる。また、切り離された（ダイシング）後の半導体デバイスにおける封止樹脂の厚みや傾斜角を同一にすることができる。
実施形態に係る半導体デバイスを、近接センサーとして携帯端末に搭載した状態の断面図である。 第１実施形態に係る半導体デバイスの断面図である。 第２実施形態に係る半導体デバイスの断面図である。 第３実施形態に係る半導体デバイスの断面図である。 第４実施形態に係る半導体デバイスの断面図である。 基板フレームにおける溝形成工程を示す説明図である。 リードフレームにおける溝形成工程を示す説明図である。 半導体デバイスのポッティング工程を示す説明図である。
以下、添付の図面を参照して、本発明の一実施形態に係る半導体デバイス、これを備えた近接センサーおよび半導体デバイスの製造方法について説明する。この半導体デバイスは、発光素子と受光素子とを備えており、近接センサーとして用いられる。例えば、この近接センサーは、携帯端末（スマートフォン）に搭載され、使用者が通話中であるか否かを検出する。このため、人体から反射した微弱な反射光を確実に受光すべく、発光素子から受光素子への光の回り込みを極力防止する構成になっている。
図１は、実施形態に係る半導体デバイスを、近接センサーとしてスマートフォンに搭載した場合の断面図である。同図に示すように、スマートフォン１には、その前面全域にタッチパネル２が設けられており、タッチパネル２の内側には、回路基板３に実装するようにして、レシーバー４が配設されている。また、レシーバー４に隣接して、回路基板３に実装するようにして、近接センサー５が配設されている。
すなわち、実施形態の近接センサー５は、タッチパネル２と回路基板３との間隙に配設され、タッチパネル２を介して検出光となる赤外線（実施形態のものは、近赤外線）を放射する。スマートフォン１の使用者が、通話状態に移行すべく、耳Ｅをレシーバー４に近づけると、近接センサー５から放射された赤外線が、耳Ｅの部分等で反射しその一部が、近接センサー５に入射する。近接センサー５では、入射した光（赤外線）を光―電変換し増幅して、回路基板３の判定回路（図示省略）に出力する。判定回路では、受光量（電流値）が閾値と比較され、閾値を越えることで人体（耳Ｅ）を検出、すなわち通話状態を検出する。そして、通話状態を検出したら、タッチパネル２の操作を無効とするモード切替えを実施する。
このように、実施形態の近接センサー５は、極めて近い対象物（耳Ｅ等）を検出するものであり、消費電力を抑えるべく発光量が抑えられ、且つ発光量に比して極めて少ない受光量を確実に検出する必要がある。そこで、近接センサー５を構成する本実施形態の半導体デバイス１０では、Ｓ／Ｎ比を向上させるべく、ノイズ光を極力少なくなるように構成されている。
図２は、第１実施形態に係る半導体デバイス１０Ａの断面図である。同図に示すように、この半導体デバイス１０Ａは、基板フレームやリードフレーム（実施形態のものは、基板フレーム）から成るパッケージ基板１１と、パッケージ基板１１に実装したチップ構成の発光素子１２および受光素子１３と、発光素子１２および受光素子１３を封止する透光性の封止樹脂１４と、を備えている。
受光素子１３は、パッケージ基板１１上に実装（マウント）される一方、発光素子１２は、パッケージ基板１１に形成した凹溝１５に実装されている。また、封止樹脂１４の表面１４ａは、傾斜面となっており、傾斜間隙を存してタッチパネル２（パネル体）に対峙している。
パッケージ基板１１（基板フレーム）は、ガラスエポキシや有機材料の基板で構成されており、表裏両面には、発光素子１２がマウントされ且つ導通される発光側配線パターン２１（電極等）、および受光素子１３がマウントされ且つ導通される受光側配線パターン２２（電極等）が、それぞれ形成されている。また、パッケージ基板１１の発光素子１２が実装される部位には、逆円錐台形状の凹溝１５が形成されている。そして、発光素子１２は、この凹溝１５の溝底１５ａに設けたヒートシンクを兼ねる発光側配線パターン２１（ダイパッド）にマウントされている。なお、凹溝１５の内周面には、反射膜を形成しておくことが好ましい。
発光素子１２は、両小口端の発光面から赤外線（近赤外線）を放射する発光ダイオードのチップで構成されている。そして、発光素子１２の電極パッド１２ａと、発光側配線パターン２１のランド２１ａとは、ボンディングワイヤー２４（金線、銅線、アルミニウム線等）で接続されている。そして、発光素子１２は、パッケージ基板１１に形成した凹溝１５内に完全に没するように配設されている。なお、発光素子１２は、上面が発光面のものであってもよい。
図２に示すように、パッケージ基板１１の凹溝１５内に実装された発光素子１２では、その両小口端から赤外線が、凹溝１２内面に反射してその開口部分から放射される。このため、検出光となる赤外線は、その放射角度が絞り込まれ（集束）指向性をもって放射されることになる。これにより、封止樹脂１４の上面（空気との界面）や、タッチパネル２の下面（空気との界面）における、赤外線の反射が抑制される。すなわち、受光素子１３へのノイズ光が抑制される。
受光素子１３は、上面を受光面としてパッケージ基板１１にマウントされたフォトダイオードのチップで構成されている。そして、受光素子１３の電極パッド１３ａと、受光側配線パターン２２のランド２２ａとは、ボンディングワイヤー２６（金線、銅線、アルミニウム線等）で接続されている。なお、フォトダイオードに代えて、フォトトランジスタを用いてもよい。
封止樹脂１４は、赤外線に対し透明なエポキシ系樹脂やシリコン系樹脂等で構成されており、発光素子１２、受光素子１３および各ボンディングワイヤー２４，２６を覆っている（封止）。この場合、封止樹脂１４は、モールド成形により形成してもよいが、実施形態のものは、ポッティングにより形成されている（詳細は、後述する）。すなわち、封止樹脂１４は、発光素子１２や受光素子１３を覆うように流し込んだ液体の封止樹脂１４を、熱硬化させて形成されている。
この場合、封止樹脂１４の表面１４ａは、パッケージ基板１１に対し、発光素子１２から受光素子１３に向かって下り傾斜の傾斜面で形成されている。すなわち、この半導体デバイス１０Ａは、発光素子１２側が厚手に形成され、受光素子１３側が薄手に形成されている。したがって、スマートフォン１に搭載した半導体デバイス１０Ａは、タッチパネル２との間隙が、発光素子１２側で狭く、受光素子１３側が広くなるように配設されている。なお、封止樹脂１４における傾斜面の角度は、封止の機能が損なわれない限りおいて、タッチパネル２との間隙幅を考慮して決定されている。
このように構成した、第１実施形態の半導体デバイス１０Ａでは、封止樹脂１４の表面１４ａが、発光素子１２から受光素子１３に向かって下り傾斜の傾斜面で形成されているため、発光素子１２から放射光は、封止樹脂１４の表面（空気との界面）において、全体として受光素子１３から離れる側に屈折する。このため、この屈折した光のうち、受光素子１３側においてタッチパネル２を透過する光は、タッチパネル２に深い角度で入射し、その反射が抑制される。したがって、タッチパネル２からの反射によるノイズ光を抑制することができる。
また、発光素子１２の放射光は、凹溝１５内で適宜反射し凹溝１５の開口部側から放射される。このため、発光素子１２からの放射光は、絞られるようにして放射され、封止樹脂１４内においてノイズ光として受光素子１３に達し難くなる。したがって、発光素子１２から受光素子１３への光（ノイズ光）の回り込みを有効に防止することができる。しかも、凹溝１５により、発光素子１２からの放射光の取出し効率を向上させることができる。一方、パッケージ基板１１に形成される凹溝１５は、ドリルビット等で簡単に穿孔することができる。したがって、小型化および製造の容易さを維持しつつ、発光素子１２から受光素子１３への光（ノイズ光）の回り込みを有効に防止することができる。
次に、図３を参照して、第２実施形態に係る半導体デバイス１０Ｂにつき、主に第１実施形態と異なる部分について説明する。同図に示すように、この半導体デバイス１０Ｂでは、第１実施形態と異なり、発光素子１２がパッケージ基板１１上に実装（マウント）される一方、受光素子１３がパッケージ基板１１の凹溝１５に実装されている。すなわち、発光素子１２は、パッケージ基板１１上に形成された発光側配線パターン２１にマウントされ、また受光素子１３は、凹溝１５に没するように、凹溝１５の溝底１５ａに設けた受光側配線パターン２２にマウントされている。
そして、この場合も、封止樹脂１４の表面１４ａは、パッケージ基板１１に対し、発光素子１２から受光素子１３に向かって下り傾斜の傾斜面で形成されている。また、受光素子１３が凹溝１５にマウントされているため、封止樹脂１４の表面１４ａを傾斜面としても、全体として薄手に形成されている。
このように構成した、第２実施形態の半導体デバイス１０Ｂでは、封止樹脂１４の表面１４ａを傾斜面となっているため、受光素子１３側においてタッチパネル２を透過する光は、タッチパネル２に深い角度で入射し、その反射が抑制される。したがって、タッチパネル２からの反射によるノイズ光を抑制することができる。
また、発光素子１２の放射光のうちの受光素子１３に向かう放射光は、凹溝１５の開口部上を通過するため、封止樹脂１４内においてノイズ光として受光素子１３に達し難くなる。さらに、対象物（耳Ｅ）からの反射光は、凹溝１５内で適宜反射し集束して受光素子１３の受光面に達し、光効率良く受光される。したがって、この場合も、小型化および製造の容易さを維持しつつ、発光素子１２から受光素子１３への光（ノイズ光）の回り込みを有効に防止することができる。
次に、図４を参照して、第３実施形態に係る半導体デバイス１０Ｃにつき、主に第１実施形態と異なる部分について説明する。同図に示すように、この半導体デバイス１０Ｃでは、発光素子１２および受光素子１３のいずれもが、パッケージ基板１１の凹溝１５に実装されている。すなわち、発光素子１２は、凹溝１５に没するように、凹溝１５の溝底１５ａに設けた発光側配線パターン２１にマウントされ、また受光素子１３は、凹溝１５に没するように、凹溝１５の溝底１５ａに設けた受光側配線パターン２２にマウントされている。
そして、この場合も、封止樹脂１４の表面１４ａは、パッケージ基板１１に対し、発光素子１２から受光素子１３に向かって下り傾斜の傾斜面で形成されている。また、発光素子１２および受光素子１３が凹溝１５にマウントされているため、封止樹脂１４の表面１４ａを傾斜面としても、全体として薄手に形成されている。
このように構成した、第３実施形態の半導体デバイス１０Ｃでは、封止樹脂１４の表面１４ａを傾斜面となっているため、タッチパネル２からの反射によるノイズ光を抑制することができる。また、それぞれの凹溝１５により、封止樹脂１４内において発光素子１２の放射光がノイズ光として受光素子１３に達し難くなる。したがって、この場合も、小型化および製造の容易さを維持しつつ、発光素子１２から受光素子１３への光（ノイズ光）の回り込みを有効に防止することができる。
次に、図５を参照して、第４実施形態に係る半導体デバイス１０Ｄにつき、主に第１実施形態と異なる部分について説明する。同図に示すように、この半導体デバイス１０Ｄでは、従前のものと同様に、凹溝１５が無く、発光素子１２および受光素子１３のいずれもが、パッケージ基板１１上にマウントされている。そして、この場合も、封止樹脂１４の表面１４ａは、パッケージ基板１１に対し、発光素子１２から受光素子１３に向かって下り傾斜の傾斜面で形成されている。
このように構成した、第４実施形態の半導体デバイス１０Ｄでは、封止樹脂１４の表面１４ａを傾斜面となっているため、受光素子１３側においてタッチパネル２を透過する光は、タッチパネル２に深い角度で入射し、その反射が抑制される。したがって、タッチパネル２からの反射によるノイズ光を抑制することができる。
次に、図２、図６、図７および図８を参照して、実施形態の半導体デバイス１０（１０Ａ）の製造方法について、第１実施形態ものを例に説明する。
この製造方法は、両配線パターン２１，２２の形成に相前後してパッケージ基板１１に、発光素子１２が実装される凹溝１５を形成する溝形成工程と、溝形成工程の後、パッケージ基板１１に発光素子１２および受光素子１３をチップ・マウントするマウント工程と、マウント工程の後、発光素子１２をワイヤーボンディングすると共に、受光素子１３をワイヤーボンディングするボンディング工程と、ボンディング工程の後、パッケージ基板１１を水平に維持した状態で封止樹脂１４を流し込む工程と、パッケージ基板１１を傾けて封止樹脂１４を硬化させる工程とを経て、発光素子１２および受光素子１３を封止樹脂１４によりポッティングするポッティング工程と、を備えている。
また、この製造方法は、樹脂封止において、いわゆるウェーハレベルパッケージとしているため、ポッティング工程において、液体の封止樹脂１４をせき止めておくせき板３３（詳細は、後述する）を設けるようにしている。さらに、ポッティング工程の後、ウェーハを個々の半導体デバイス１０に分断するダイシング工程を備えている。
溝形成工程では、パッケージ基板１１が基板フレームである場合には、表裏めっき処理された状態の基板フレームに、凹溝１５を形成してもよいし、表裏めっき処理された状態の基板フレームに、配線パターンのパターン形成を行った後、凹溝１５を形成してもよい。また、図６に示すように、凹溝１５の形成は、専用のドリルビット３１を用い、スルーホール３２の形成と併せて行うことが好ましい。一方、図７に示すように、パッケージ基板１１がリードフレーム（原材）である場合には、エッチング等により、凹溝１５と両配線パターン２１，２２とを同時に形成することが好ましい。
マウント工程では、既知のダイボンディング装置を用い、発光素子１２および受光素子１３を銀ペースト等の接着剤を介してチップ・マウントする。
ボンディング工程では、既知のボンディング装置を用い、例えばボールボンディング方式で、発光素子１２および受光素子１３をワイヤーボンディングする。
ポッティング工程は、ディスペンサを用い、水平姿勢のパッケージ基板１１の上面全域に封止樹脂１４を流し込む流込み工程と、パッケージ基板１１を所定の角度傾け、封止樹脂１４をオーブン加熱等により硬化させる硬化工程（図８（ａ）参照）と、を有している。
ポッティング工程では、ウェーハレベルでのポッティングとなるため、ウェーハには、ダイシングライン（横断方向）の位置にそれぞれせき板３３が設けられ、且つ縁部には四周枠３４が設けられている（図８（ｂ）参照）。各せき板３３の一方の端部は四周枠３４に接続され、他方の端部は四周枠３４に接続されることなく、「Ｌ」字状に屈曲している。
流込み工程では、四周枠３４の内側が、各せき板３３の「Ｌ」字状部分で連通しているため、水平姿勢のウェーハ（パッケージ基板１１）に封止樹脂１４を流し込むと、封止樹脂１４は、ウェーハ（パッケージ基板１１）上に均一に広がる（深さ一定）。
図８（ａ）に示すように、硬化工程では、封止樹脂１４を流し込んだウェーハ（パッケージ基板１１）を、所定角度の傾斜面を有するトレイ３５に載せる。これにより、各パッケージ基板１１に対し封止樹脂１４が相対的に傾く。この状態で、封止樹脂１４をオーブン加熱等により硬化させる。これにより、ダイシング工程により切り出された、個々の半導体デバイス１０Ａにおいて、封止樹脂１４の厚みが異なってしまうのを防止している。
ダイシング工程では、既知のダイサを用い、半導体デバイス１０Ａをマトリクス状に作り込んだウェーハを、ダイシングブレードで縦横に分断し、個々の半導体デバイス１０Ａを切り出す。
このように、実施形態の半導体デバイス１０（１０Ａ）の製造方法では、既知の製造方法に溝形成工程を付加しただけで、半導体デバイス１０（１０Ａ）を簡単に製造することができる。しかも、溝形成工程における凹溝１５の形成は、スルーホール３２の形成と併せて実施することができるため、既知のドリリングマシン等で、簡単に形成することができる。また、ポッティングにおいて、封止樹脂１４を、パッケージ基板１１を傾けた状態で硬化させるだけで、表面１４ａに傾斜面を有する封止樹脂１４を簡単に形成することができる。したがって、検出感度の良好な実施形態の半導体デバイス１０（１０Ａ）を、簡単に製造することができる。
なお、本発明の半導体デバイスは、光デバイスとして、スマートフォン（携帯端末）の近接センサー以外の用途にも適用可能である。特に、透光性のパネル越しに設ける光デバイスとして有用である。
また、封止樹脂１４の傾斜面は、湾曲面等必ずしも平面でなくてもよい（この場合には、樹脂モールドとなる。）。
１ スマートフォン、２ タッチパネル、５ 近接センサー、１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄ 半導体デバイス、１１ パッケージ基板、１２ 発光素子、１３ 受光素子、１４ 封止樹脂、１４ａ 表面、１５ 凹溝、１５ａ 溝底、２１ 発光側配線パターン、２２ 受光側配線パターン、２４ ボンディングワイヤー、２６ ボンディングワイヤー、３３ せき板、３４ 四周枠

Claims (7)

  1. 共通のパッケージ基板に実装した発光素子および受光素子を、封止樹脂で封止して成る半導体デバイスであって、
    前記封止樹脂の表面は、前記パッケージ基板に対し、前記発光素子から前記受光素子に向かって下り傾斜の平面となる傾斜面で形成されていることを特徴とする半導体デバイス。
  2. 前記発光素子および前記受光素子は、前記封止樹脂のポッティングにより封止されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体デバイス。
  3. 前記発光素子および前記受光素子の少なくとも一方が、前記パッケージ基板に形成した凹溝に没するように実装されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体デバイス。
  4. 請求項１に記載の半導体デバイスを備え、
    透光性のパネル体を介して、対象物の相対的な接近をセンシングすることを特徴とする近接センサー。
  5. 携帯端末に搭載され、
    前記パネル体が、前記携帯端末のタッチパネルであることを特徴とする請求項４に記載の近接センサー。
  6. 請求項２に記載の半導体デバイスの製造方法であって、
    配線パターンを形成した前記パッケージ基板に、前記発光素子および前記受光素子をチップ・マウントするマウント工程と、
    前記マウント工程の後、前記発光素子をワイヤーボンディングすると共に、前記受光素子をワイヤーボンディングするボンディング工程と、
    前記ボンディング工程の後、前記パッケージ基板を水平に維持した状態で封止樹脂を流し込む工程と、前記パッケージ基板を傾けて前記封止樹脂を硬化させる工程とを経て、前記発光素子および前記受光素子を前記封止樹脂によりポッティングするポッティング工程と、を備えたことを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
  7. ポッティング工程は、ウェーハレベルで行われ、
    ウェーハは、ダイシングラインの位置にそれぞれ設けたせき板と、四周縁部に設けられた四周枠とを有し、
    前記各せき板の少なくとも一方の端部は、前記四周枠から離間して「Ｌ」字状に屈曲していることを特徴とする請求項６に記載の半導体デバイスの製造方法。
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