WO2014054083A1 - 半導体デバイス、これを備えた近接センサーおよび半導体デバイスの製造方法 - Google Patents

Abstract

　遮光壁部の配置の自由度と製造の容易さとを維持しつつ、発光素子から受光素子への光の回り込みを有効に防止することができる半導体デバイス等を提供する。　発光素子１２と受光素子１３とを共通のパッケージ基板１１上に実装して成る半導体デバイス１０であって、発光素子１２と受光素子１３との間に、パッケージ基板１１への高粘性樹脂によるポッティングにより形成され、発光素子１２および受光素子１３を越える高さの遮光壁部１５を備えたものである。

Description

半導体デバイス、これを備えた近接センサーおよび半導体デバイスの製造方法

　本発明は、発光素子および受光素子を共通の基板部に実装して成る半導体デバイス、これを備えた近接センサーおよび半導体デバイスの製造方法に関するものである。

　従来、この種の半導体デバイスとして、発光素子と受光素子との間に遮光部材を配置したオプトデバイスが知られている（特許文献１参照）。
　このオプトデバイスは、基板と、基板上に搭載した発光素子および受光素子と、発光素子および受光素子を透光性樹脂で封止すると共に、発光素子に対峙する発信用レンズおよび受光素子に対峙する受信用レンズを含むモールド部と、モールド部における発信用レンズと受信用レンズとの間に形成された溝と、溝に設けられ、受光素子からの光を遮光する遮光部材と、を備えている。
　発光素子から放射されてモールド部内を受光素子に向かって進む光は、溝に設けられた遮光部材により遮光される。これにより、新たにモールド金型等を必要とすることなく、モールド部内における発光素子から受光素子への光の回り込みを防止することができる。

特開２００９－１０１５７号公報

　このような従来のオプトデバイス（半導体デバイス）では、遮光部材を設けるために、モールド部に溝を形成する工程と、この溝に遮光部材を充填、或いは嵌合接着する工程と、が必要となり、製造工程における工数が増加する問題があった。また、溝を形成する関係から、基板上における遮光部材の配置が制約を受ける問題があった。

　本発明は、遮光壁部の配置の自由度と製造の容易さとを維持しつつ、発光素子から受光素子への光の回り込みを有効に防止することができる半導体デバイス、これを備えた近接センサーおよび半導体デバイスの製造方法を提供することを課題としている。

　本発明の半導体デバイスは、発光素子と受光素子とを共通のパッケージ基板上に実装して成る半導体デバイスであって、発光素子と受光素子との間に、パッケージ基板への高粘性樹脂によるポッティングにより形成され、発光素子を越える高さの遮光壁部を備えていることを特徴とする。

　この構成によれば、発光素子と受光素子との間に形成した遮光壁部により、発光素子から受光素子に向う放射光は反射或いは吸収され、ノイズ光として受光素子に達することがない。また、遮光壁部は、高粘性樹脂によるポッティング、すなわち高粘性流体の塗布技術により、簡単にかつ自由度をもって形成することができる。したがって、遮光壁部の配置の自由度と製造の容易さとを維持しつつ、発光素子から受光素子への光（ノイズ光）の回り込みを有効に防止することができる。この場合、遮光壁部は、発光素子のみならず、受光素子をも越える高さを有することが好ましい。なお、「パッケージ基板」は、リードフレームを含む概念である。

　この場合、遮光壁部は、発光素子および受光素子の少なくとも一方を囲むように配設されていることが好ましい。

　この構成によれば、例えば発光素子が遮光壁部に覆われた構成では、発光素子の放射光は、遮光壁部の内面で適宜反射しその開口部側から放射される。このため、発光素子からの放射光は、指向性を持つことになり、ノイズ光として受光素子に達することがない。一方、受光素子が遮光壁部に覆われた構成では、受光素子に向かう発光素子からの放射光は、遮光壁部により遮光され、ノイズ光として受光素子に達することがない。したがって、発光素子から受光素子への光（ノイズ光）の回り込みを、有効に防止することができる。

　この場合、遮光壁部は、受光素子の四周縁部および受光素子に接続されるボンディングワイヤーを覆っていることが好ましい。

　この構成によれば、受光素子の受光面を露出させた状態で、受光素子の四周縁部および受光素子に接続されるボンディングワイヤーを覆う（部分的に封止）ことができる。これにより、遮光壁部に受光素子を封止する封止樹脂を兼ねさせることができ、別途、封止樹脂のよるモールド或いはポッティングを省略することができる。

　また、遮光壁部は、少なくとも発光素子を囲むように配設した発光側壁部を有し、発光側壁部の内壁面には、反射膜が形成されていることが好ましい。

　この構成によれば、発光素子からの放射光を、遮光壁部の反射膜で効率良く反射しその開口部側から放射させることができる。したがつて、発光素子から受光素子への光（ノイズ光）の回り込みを防止することができると共に、放射光の取出し効率を向上させることができる。

　同様に、遮光壁部は、少なくとも発光素子を囲むように配設した発光側壁部を有し、発光側壁部の内壁面には、光吸収膜が形成されていることが好ましい。

　この構成によれば、発光素子から遮光壁部に放射される光を、その光吸収膜で吸収し、前方に向かう光のみをその開口部側から放射させることができる。したがつて、発光素子から受光素子への光（ノイズ光）の回り込みを有効に防止することができる。

　さらに、遮光壁部は、発光素子および受光素子を囲むように「Ｓ」字状に配設されていることが好ましい。

　この構成によれば、パッケージ基板に対し、いわゆる「一筆書き」で遮光壁部をポッティング（塗着）することができる。これにより、遮光壁部に重なり部分が生ずることがなく、遮光壁部の頂部に凹凸が生じるのを防止することができる。また、ポッティングにより樹脂封止を行う場合には、遮光壁部があっても、樹脂の流れ込みに支障を生ずることがなく、樹脂封止を容易に行うことができると共に、封止樹脂の膜厚を一定にすることができる。

　一方、発光素子および受光素子は、封止樹脂により封止され、遮光壁部は、封止樹脂と同等或いは高く形成されていることが好ましい。

　この構成によれば、遮光壁部により、封止樹脂の表面（空気との界面）から反射して、受光素子に向う光も遮光することができる。これにより、発光素子から受光素子への光（ノイズ光）の回り込みを、極力防止することができる。

　本発明の近接センサーは、上記した半導体デバイスを備え、透光性のパネル体を介して、対象物の相対的な接近をセンシングすることを特徴とする。

　この構成によれば、発光素子からの指向性を持った放射光は、パネル体に対し深い入射角で入射する。このため、パネル体からの反射が抑制され、その分、この反射に基いて受光素子に入射するノイズ光を少なくすることができる。したがって、誤検出等を防止することができる。

　この場合、携帯端末に搭載され、パネル体が、携帯端末のタッチパネルであることが好ましい。

　この構成によれば、発光素子から受光素子への光（ノイズ光）の回り込みを防止できるため、人体を対象物とするセンシングを良好に行うことができる。

　本発明の半導体デバイスの製造方法は、上記した半導体デバイスの製造方法であって、配線パターンを形成したパッケージ基板に、発光素子および受光素子をチップ・マウントするマウント工程と、マウント工程の後、発光素子をワイヤーボンディングすると共に、受光素子をワイヤーボンディングするボンディング工程と、ボンディング工程の後、パッケージ基板へのポッティングにより遮光壁部を形成する遮光壁部形成工程と、遮光壁部形成工程の後、発光素子および受光素子を、封止樹脂によりポッティングするポッティング工程と、を備えたことを特徴とする。

　この構成によれば、従前の製造工程に遮光壁部形成工程が追加された構成となる。遮光壁部形成工程においては、遮光性の高粘性樹脂を用い、ディスペンサノズルによるポッティングにより、遮光壁部を簡単に形成することができる。したがって、遮光壁部の配置の自由度と製造の容易さとを維持しつつ、発光素子から受光素子への光の回り込みを有効に防止することができる。

実施形態に係る半導体デバイスを、近接センサーとして携帯端末に搭載した状態の断面図である。 第１実施形態に係る半導体デバイスの断面図である。 第１実施形態に係る半導体デバイスの平面図である。 第２実施形態に係る半導体デバイスの断面図である。 第２実施形態に係る半導体デバイスの平面図である。 第３実施形態に係る半導体デバイスの断面図である。 第３実施形態に係る半導体デバイスの平面図である。 第４実施形態に係る半導体デバイスの断面図である。 第４実施形態に係る半導体デバイスの平面図である。 実施形態に係る半導体デバイスの製造方法を示す説明図である。

　以下、添付の図面を参照して、本発明の一実施形態に係る半導体デバイス、これを備えた近接センサーおよび半導体デバイスの製造方法について説明する。この半導体デバイスは、発光素子と受光素子とを備えており、近接センサーとして用いられる。例えば、この近接センサーは、携帯端末（スマートフォン）に搭載され、使用者が通話中であるか否かを検出する。このため、人体から反射した微弱な反射光を確実に受光すべく、発光素子から受光素子への光の回り込みを極力防止する構成になっている。

　図１は、実施形態に係る半導体デバイスを、近接センサーとしてスマートフォンに搭載した場合の断面図である。同図に示すように、スマートフォン１には、その前面全域にタッチパネル２が設けられており、タッチパネル２の内側には、回路基板３に実装するようにして、レシーバー４が配設されている。また、レシーバー４に隣接して、回路基板３に実装するようにして、近接センサー５が配設されている。

　すなわち、実施形態の近接センサー５は、タッチパネル２と回路基板３との間隙に配設され、タッチパネル２を介して検出光となる赤外線（実施形態のものは、近赤外線）を放射する。スマートフォン１の使用者が、通話状態に移行すべく、耳Ｅをレシーバー４に近づけると、近接センサー５から放射された赤外線が、耳Ｅの部分等で反射しその一部が、近接センサー５に入射する。近接センサー５では、入射した光（赤外線）を光―電変換し増幅して、回路基板３の判定回路（図示省略）に出力する。判定回路では、受光量（電流値）が閾値と比較され、閾値を越えることで人体（耳Ｅ）を検出、すなわち通話状態を検出する。そして、通話状態を検出したら、タッチパネル２の操作を無効とするモード切替えを実施する。

　このように、実施形態の近接センサー５は、極めて近い対象物（耳Ｅ等）を検出するものであり、消費電力を抑えるべく発光量が抑えられ、且つ発光量に比して極めて少ない受光量を確実に検出する必要がある。そこで、近接センサー５を構成する本実施形態の半導体デバイス１０では、Ｓ／Ｎ比を向上させるべく、ノイズ光を極力少なくなるようにしている。

　図２は、第１実施形態に係る半導体デバイス１０Ａの断面図であり、図３は、その平面図である。両図に示すように、この半導体デバイス１０Ａは、基板フレームやリードフレーム（実施形態のものは、基板フレーム）から成るパッケージ基板１１と、パッケージ基板１１上に実装したチップ構成の発光素子１２および受光素子１３と、発光素子１２および受光素子１３を封止する透光性の封止樹脂１４と、を備えている。また、パッケージ基板１１上には、発光素子１２の放射光が受光素子１３に達しないように遮光する遮光壁部１５が設けられている。

　パッケージ基板１１（基板フレーム）は、ガラスエポキシや有機材料の基板で構成されており、表裏両面には、発光素子１２がマウントされ且つ導通される発光側配線パターン２１（電極等）、および受光素子１３がマウントされ且つ導通される受光側配線パターン２２（電極等）が、それぞれ形成されている。すなわち、発光素子１２は、発光側配線パターン２１のダイパッド２１ａの部分にマウントされ、受光素子１３は、受光側配線パターン２２のダイパッド２２ａの部分にマウントされている。

　発光素子１２は、両小口端の発光面から赤外線（近赤外線）を放射する発光ダイオードのチップで構成されている。そして、発光素子１２の電極パッド１２ａと、発光側配線パターン２１のランド２１ｂとは、ボンディングワイヤー２４（金線、銅線、パラジューム被覆した銅線、アルミニウム線等）で接続されている。なお、発光素子１２は、上面を発光面とするものであってもよい。

　受光素子１３は、上面を受光面としてパッケージ基板１１にマウントされたフォトダイオードのチップで構成されている。そして、受光素子１３の電極パッド１３ａと、受光側配線パターン２２のランド２２ｂとは、ボンディングワイヤー２６（金線、銅線、パラジューム被覆した銅線、アルミニウム線等）で接続されている。なお、フォトダイオードに代えて、フォトトランジスタを用いてもよい。

　遮光壁部１５は、赤外線を遮光する高粘性の樹脂で構成され、ポッティングにより、パッケージ基板１１上に塗着されている。高粘性樹脂としての遮光壁部１５は、チクソ性の指標で０．７～１．４程度のものを用いることが好ましい。これにより、遮光壁部１５は、半楕円形の断面形状を維持した状態で、発光素子１２や受光素子１３より高くなるように、パッケージ基板１１上に塗着されている。

　上述のように、遮光壁部１５は、発光素子１２から受光素子１３に向かう放射光を遮光するものであり、発光素子１２と受光素子１３との間に設けられると共に、発光素子１２および受光素子１３をそれぞれ囲むように設けられている。すなわち、遮光壁部１５は、発光素子１２と受光素子１３との間に配設した隔壁部３１と、隔壁部３１を含んで発光素子１２を囲むように設けた発光側壁部３２と、隔壁部３１を含んで受光素子１３を囲むように設けた受光側壁部３３と、で構成されている。

　図３（ａ）に示すように、遮光壁部１５は、平面視略「Ｓ」字状に塗着され、隔壁部３１、発光側壁部３２および受光側壁部３３が一体に形成されている。詳細は後述するが、遮光壁部１５の塗着（塗布）は、ディスペンサを用いて行うため、「Ｓ」字状に「一筆書き」の要領で塗着することで、塗着開始部と塗着終了部との継ぎ目を生じないようにしている。これにより、遮光壁部１５の頂部に凹凸が生ずることがなく、遮光壁部１５の一部が、タッチパネル２に干渉する等の不具合が生ずることがない。また、後述する封止樹脂１４のポッティング工程において、遮光壁部１５が樹脂の流れ込みの障害となることがなく、樹脂封止を容易に行うことができると共に、封止樹脂１４の膜厚を一定にすることができる。

　もっとも、図３（ｂ）の変形例に示すように、発光素子１２を囲む発光側壁部３２と、受光素子１３を囲む受光側壁部３３と、を別々に形成してもよい。この場合には、隔壁部３１が二重壁の構成となる。

　また、図３（ｃ）の変形例では、受光側壁部３３が、受光素子１３の四周縁部（受光面の外側）および受光素子１３のボンディングワイヤー２６を覆うように、塗着されている。同様に、発光側壁部３２が、放射を阻害しない限りにおいて、発光素子１２に近接し且つ発光素子１２のボンディングワイヤー２４を覆うように、塗着されている。この場合には、遮光壁部１５により、発光素子１２、そのボンディングワイヤー２４、受光素子１３およびそのボンディングワイヤー２６を、パッケージ基板１１に強固に保持することができるため、封止樹脂１４を省略することができる。すなわち、遮光壁部１５に封止樹脂１４を兼ねさせることができる。

　一方、第１実施形態の遮光壁部１５では、その一部がダイシングラインＬにかかるように塗着されている。遮光壁部１５のダイシングラインＬにかかる部分は、隣接する半導体デバイス１０Ａにおける遮光壁部１５の一部を兼ねさせるべく、ダイシングラインＬ上に塗着されている。したがって、この部分の遮光壁部１５は、半楕円形を更に２分割した断面形状となる。

　また、特に図示しないが、発光側壁部３２の内壁面に、反射膜を形成することが好ましい。このようにすれば、発光素子１２からの放射光が、反射膜で効率良く反射して放射されるため、放射光の取出し効率を向上させることができる。
　また逆に、発光側壁部３２の内壁面に、光吸収膜を形成するようにしてもよい。このようにすれば、光吸収膜により、発光素子１２からの放射光のうち、前方に向かう光のみをその開口部側から放射させることができる。したがつて、発光素子から受光素子への光（ノイズ光）の回り込みを有効に防止することができる。

　図２に示すように、封止樹脂１４は、赤外線に対し透明なエポキシ系樹脂やシリコン系樹脂等で構成されており、発光素子１２、受光素子１３および各ボンディングワイヤー２４，２６を覆っている（封止）。また、封止樹脂１４は、遮光壁部１５の高さと同等或いは僅かに低くなるようにポッティングされている。すなわち、遮光壁部１５は、封止樹脂１４と同等或いは高く形成されている（実施形態のものは、遮光壁部１５の頂部が、封止樹脂１４から僅かに突出している）。これにより、封止樹脂１４内において、発光素子１２から受光素子１３に向かう光は、完全に遮光される。なお、言うまでもないが、封止樹脂１４は、低粘性の樹脂を用いたポッティングにより形成されている（詳細は、後述する）。すなわち、封止樹脂１４は、発光素子１２や受光素子１３を覆うように流し込んだ液体の封止樹脂１４を、熱硬化させて形成されている。

　このような第１実施形態の半導体デバイス１０Ａでは、発光素子１２と受光素子１３との間に配設した隔壁部３１により、発光素子１２から受光素子１３に向う放射光を遮光することができる。したがって、発光素子１２から受光素子１３への光（ノイズ光）の回り込みを確実に防止することができる。また、隔壁部３１を含む発光側壁部３２により、確実な遮光が行われるだけでなく、発光素子１２からの放射光（検出光）を前方に効率良く取り出すことができる。さらに、隔壁部３１を含む受光側壁部３３により、確実な遮光が行われるだけでなく、対象物からの反射光を受光素子１３に効率良く入射させることができる。

　一方、遮光壁部１５を構成するポッティング樹脂は、発光素子１２の発光面や受光素子１３の受光面を覆うものでない限り、塗着位置に規制を受けることがない。これにより、遮光壁部１５の配置の自由度を高くすることができ、半導体デバイス１０Ａの大型化を抑制することができる。

　次に、図４および図５を参照して、第２実施形態に係る半導体デバイス１０Ｂにつき、主に第１実施形態と異なる部分について説明する。同図に示すように、この半導体デバイス１０Ｂでは、遮光壁部１５が、受光側壁部３３のみで構成されている。すなわち、遮光壁部１５は、隔壁部３１を含んで受光素子１３を囲む受光側壁部３３により構成されている。

　この場合、図５（ａ）に示すように、受光側壁部３３は、平面視略「Ｃ」字状に塗着され、塗着開始部と塗着終了部との継ぎ目を生じないようにしている。
　また、図５（ｂ）の変形例に示すように、受光側壁部３３を、矩形形状に形成してもよい。

　このような第２実施形態の半導体デバイス１０Ｂでは、隔壁部３１を含む受光側壁部３３により、発光素子１２の放射光のうちの受光素子１３に向かう放射光が遮光され、封止樹脂１４内においてノイズ光として受光素子１３に受光されることがない。また、半導体デバイス１０Ｂの小型化を維持することができる。

　次に、図６および図７を参照して、第３実施形態に係る半導体デバイス１０Ｃにつき、主に第１実施形態と異なる部分について説明する。同図に示すように、この半導体デバイス１０Ｃでは、第２実施形態とは逆に、遮光壁部１５が、発光側壁部３２のみで構成されている。すなわち、遮光壁部１５は、隔壁部３１を含んで発光素子１２を囲む発光側壁部３２により構成されている。

　この場合も、図７（ａ）に示すように、発光側壁部３２は、平面視略「Ｃ」字状に塗着され、塗着開始部と塗着終了部との継ぎ目を生じないようにしている。
　また、図７（ｂ）の変形例に示すように、発光側壁部３２を、矩形形状に形成してもよい。

　このような第３実施形態の半導体デバイス１０Ｃでは、隔壁部３１を含む発光側壁部３２により、発光素子１２の放射光のうちの受光素子１３に向かう放射光が遮光され、封止樹脂１４内においてノイズ光として受光素子１３に受光されることがない。また、半導体デバイス１０Ｂの小型化を維持することができる。

　次に、図８および図９を参照して、第４実施形態に係る半導体デバイス１０Ｄにつき、主に第１実施形態と異なる部分について説明する。同図に示すように、この半導体デバイス１０Ｄでは、遮光壁部１５が、隔壁部３１のみで構成されている。すなわち、遮光壁部１５は、で発光素子１２と受光素子１３との間において、パッケージ基板１１に塗着した直線状の隔壁部３１で構成されている。この場合、図９に示すように、隔壁部３１は、発光素子１２と受光素子１３との間において、パッケージ基板１１を横断するように直線状に延在している。

　このような第４実施形態の半導体デバイス１０Ｄにおいても、隔壁部３１により、発光素子１２の放射光のうちの受光素子１３に向かう放射光が遮光され、封止樹脂１４内においてノイズ光として受光素子１３に受光されることがない。また、半導体デバイス１０Ｂの小型化を維持することができる。

　次に、図１０を参照して、実施形態の半導体デバイス１０（１０Ａ）の製造方法について、第１実施形態ものを例に説明する。
　この製造方法は、両配線パターン２１，２２の形成したパッケージ基板１１に発光素子１２および受光素子１３をチップ・マウントするマウント工程（同図（ａ））と、マウント工程の後、発光素子１２をワイヤーボンディングすると共に、受光素子１３をワイヤーボンディングするボンディング工程（同図（ｂ））と、ボンディング工程の後、パッケージ基板１１へのポッティングにより遮光壁部１５を形成する遮光壁部形成工程（同図（ｃ））と、遮光壁部形成工程の後、発光素子１２および受光素子１３を、封止樹脂１４によりポッティングするポッティング工程（同図（ｄ））と、を備えている。

　また、この製造方法は、その樹脂封止において、いわゆるウェーハレベルパッケージとしているため、ポッティング工程の後、ウェーハを個々の半導体デバイス１０に分断するダイシング工程（同図（ｅ））を、更に備えている。

　図１０（ａ）のマウント工程では、既知のダイボンディング装置を用い、発光素子１２および受光素子１３を銀ペースト等の接着剤を介してチップ・マウントする。
　図１０（ｂ）のボンディング工程では、既知のボンディング装置を用い、例えばボールボンディング方式で、発光素子１２および受光素子１３をワイヤーボンディングする。

　図１０（ｃ）の遮光壁部形成工程では、ディスペンサを用い、発光素子１２および受光素子１３を囲むように、「Ｓ」字状に遮光性の高粘性樹脂をポッティングして、遮光壁部１５を形成する。そして、遮光壁部１５をポッティングしたら、オーブン加熱等によりこれを硬化させる。

　図１０（ｄ）のポッティング工程では、ディスペンサを用い、パッケージ基板１１の上面全域に封止樹脂１４のポッティングを行い、その後、ポッティングした封止樹脂１４を、オーブン加熱等により硬化させる。
　図１０（ｅ）のダイシング工程では、既知のダイサを用い、半導体デバイス１０Ａをマトリクス状に作り込んだウェーハを、ダイシングブレードで縦横に分断し、個々の半導体デバイス１０Ａを切り出す。

　このように、実施形態の半導体デバイス１０（１０Ａ）の製造方法では、既知の製造方法に遮光壁部形成工程を付加しただけで、半導体デバイス１０（１０Ａ）を簡単に製造することができる。しかも、遮光壁部１５を設けるにあたり、半導体デバイス１０を大きくする必要がない。したがって、検出感度の良好な実施形態の半導体デバイス１０（１０Ａ）を、簡単に製造することができる。

　なお、本発明の半導体デバイスは、光デバイスとして、スマートフォン（携帯端末）の近接センサー以外の用途にも適用可能である。特に、透光性のパネル越しに設ける光デバイスとして有用である。

　１　スマートフォン、２　タッチパネル、５　近接センサー、１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ　半導体デバイス、１１　パッケージ基板、１２　発光素子、１３　受光素子、１４　封止樹脂、１５　遮光壁部、２１　発光側配線パターン、２２　受光側配線パターン、２４　ボンディングワイヤー、２６　ボンディングワイヤー、３１　隔壁部、３２　発光側壁部、３３　受光側壁部

Claims (10)

1. 　発光素子と受光素子とを共通のパッケージ基板上に実装して成る半導体デバイスであって、
   　前記発光素子と前記受光素子との間に、前記パッケージ基板への高粘性樹脂によるポッティングにより形成され、前記発光素子を越える高さの遮光壁部を備えていることを特徴とする半導体デバイス。
2. 　前記遮光壁部は、前記発光素子および前記受光素子の少なくとも一方を囲むように配設されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体デバイス。
3. 　前記遮光壁部は、前記受光素子の四周縁部および前記受光素子に接続されるボンディングワイヤーを覆っていることを特徴とする請求項２に記載の半導体デバイス。
4. 　前記遮光壁部は、少なくとも前記発光素子を囲むように配設した発光側壁部を有し、
   　前記発光側壁部の内壁面には、反射膜が形成されていることを特徴とする請求項２に記載の半導体デバイス。
5. 　前記遮光壁部は、少なくとも前記発光素子を囲むように配設した発光側壁部を有し、
   　前記発光側壁部の内壁面には、光吸収膜が形成されていることを特徴とする請求項２に記載の半導体デバイス。
6. 　前記遮光壁部は、前記発光素子および前記受光素子を囲むように「Ｓ」字状に配設されていることを特徴とする請求項２に記載の半導体デバイス。
7. 　前記発光素子および前記受光素子は、封止樹脂により封止され、
   　前記遮光壁部は、前記封止樹脂と同等或いは高く形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体デバイス。
8. 　請求項１に記載の半導体デバイスを備え、
   　透光性のパネル体を介して、対象物の相対的な接近をセンシングすることを特徴とする近接センサー。
9. 　携帯端末に搭載され、
   　前記パネル体が、前記携帯端末のタッチパネルであることを特徴とする請求項６に記載の近接センサー。
10. 　請求項７に記載の半導体デバイスの製造方法であって、
    　配線パターンを形成した前記パッケージ基板に、前記発光素子および前記受光素子をチップ・マウントするマウント工程と、
    　前記マウント工程の後、前記発光素子をワイヤーボンディングすると共に、前記受光素子をワイヤーボンディングするボンディング工程と、
    　前記ボンディング工程の後、前記パッケージ基板へのポッティングにより前記遮光壁部を形成する遮光壁部形成工程と、
    　前記遮光壁部形成工程の後、前記発光素子および前記受光素子を、封止樹脂によりポッティングするポッティング工程と、を備えたことを特徴とする半導体デバイスの製造方法。

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