JP2016100448A - フォトリフレクタ及びその製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】実装にワイヤボンディングを採用した場合でも、小型化に好適な構造を持つフォトリフレクタを提供する。【解決手段】基板10上に形成された発光素子2及び受光素子3、この発光素子2及び受光素子3の側面の少なくとも一部が覆われるように形成され、電極13a,13bとワイヤ15の一部が埋没する状態とする遮光性樹脂層16、この遮光性樹脂層16の上に形成され、発光素子2及び受光素子3を封止する透光性樹脂層18、この透光性樹脂層18を切削した溝に形成され、発光素子2と受光素子3との間の光を遮る遮光壁17を備えてなる。【選択図】図1

Description

本発明はフォトリフレクタ及びその製造方法に関し、特に表面実装されかつワイヤボンディングされた発光素子及び受光素子が遮光壁を伴って樹脂封止されるフォトリフレクタの構造に関する。
図6に、従来の表面実装型フォトリフレクタの一例(下記特許文献1)が示され、図7に、このフォトリフレクタの製造方法が示されており、このフォトリフレクタは、まず図7(a)に示されるように、インターポーザ(プリント配線基板)である基板1の上に、発光素子(LED)2と受光素子(フォトトランジスタ)3を実装した後、図7(b)のように透光性樹脂4で一括封止する。次いで、ダイシングブレードにより発光素子−受光素子間に基板1にまで至る溝5を形成し、この溝5に遮光性樹脂をポッテイング又は印刷により注入し、高温恒温槽にて加熱硬化させ、遮光壁6を形成することで製作される。この遮光壁6は、発光素子からの光が受光素子に直接入射することを防止し、出力のノイズを低減させるものである。
特開2004−71734号公報 特開2004−47790号公報
ところで、スマートフォンに代表される携帯端末等においては、市場からの高機能化の要求があるため、新しく搭載する部品のスペースの確保が課題となるが、搭載する部品のために製品サイズを大きくすることはデザイン上の制約等から難しく、個々のモジュールやデバイスのダウンサイジングが必要になる。
このような要求に応えて小型薄型化を実現するため、フォトリフレクタにおいては、非常に薄いプリント配線板を基板(インターポーザ)とし、その上に発光・受光素子をフリップチップボンディング等で実装することが行われている。
しかし、上記プリント配線板が非常に薄いため撓み易く、発光素子、受光素子表面に形成されたバンプ電極と基板上の配線とを確実に接続させる平面度が得られ難いという問題があることから、従来では、図7の例のように、フリップチップボンディングではなく、ワイヤボンディングを採用し、平面度の低い基板でも信頼性の高い接続が得られるようにすることが行われる。
しかしながら、実装にワイヤボンディングを採用すると、図7(a)に示されるように、発光素子2側のワイヤボンディング部と受光素子3側のワイヤボンディング部との間に、遮光壁6のための領域50を設けなければならず、フリップチップボンディングに比べると実装面積が広くなるという問題がある。即ち、発光素子2と受光素子3との間に、基板1までの溝5を形成して遮光壁6を設けるため、発光素子2と受光素子3との間の領域50には電極等の機能的な要素を配置することができず、この領域50がデッドスペースとなって小型化が促進できないという問題がある。
本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、実装にワイヤボンディングを採用した場合でも、小型化に好適な構造を持つフォトリフレクタとその製造方法を提供することにある。
上記目的を達成するために、請求項1の発明に係るフォトリフレクタは、基板上に実装された発光素子及び受光素子と、この発光素子及び受光素子の側面の少なくとも相互に対向する面の一部が覆われる状態で上記基板上に形成された遮光性樹脂層と、この遮光性樹脂層の上部に形成され、上記発光素子と受光素子との間の光を遮る遮光壁と、この遮光壁の側面部及び上記遮光性樹脂層の上部に形成され、上記発光素子及び受光素子を封止する透光性樹脂層と、を備えてなることを特徴とする。
請求項2の発明は、上記基板上の電極に、上記受光素子及び発光素子のそれぞれの電極がワイヤボンディングにて接続され、上記遮光性樹脂層は、上記基板上の電極と、この電極とボンディングワイヤとの接続部が埋没するように形成されていることを特徴とする。
請求項3の発明に係るフォトリフレクタの製造方法は、集合基板上に発光素子及び受光素子の組を複数組実装し、この各組の発光素子及び受光素子の側面の少なくとも相互に対向する面の一部が覆われる状態で上記基板上に遮光性樹脂層を形成し、この遮光性樹脂層の上に上記発光素子及び受光素子を封止する透光性樹脂層を形成し、この透光性樹脂層の上記発光素子と受光素子との間に、上記遮光性樹脂層に達する溝を形成し、この溝に遮光性樹脂を流し込むことにより上記発光素子と受光素子との間の光を遮る遮光壁を形成し、上記工程の後、上記発光素子及び受光素子を1組毎に個片化することを特徴とする。
請求項4の発明に係るフォトリフレクタの製造方法は、集合基板上に発光素子及び受光素子の組を複数組実装し、この各組の発光素子及び受光素子の側面の少なくとも相互に対向する面の一部が覆われる状態で上記基板上に遮光性樹脂層を形成し、この遮光性樹脂層の上の上記発光素子と受光素子との間に、遮光性樹脂を積層することにより上記発光素子と受光素子との間の光を遮る遮光壁を形成し、この遮光壁の側面部及び上記遮光性樹脂層の上に、上記発光素子及び受光素子を封止する透光性樹脂層を形成し、上記工程の後、上記発光素子及び受光素子を1組毎に個片化することを特徴とする。
請求項5の発明に係るフォトリフレクタの製造方法は、上記基板上の電極に上記発光素子及び受光素子のそれぞれの電極がワイヤボンディングされた後、上記基板上の電極と、この電極とボンディングワイヤとの接続部が埋設するように上記遮光性樹脂層が形成されていることを特徴とする。
上記の構成によれば、集合基板(インターポーザ)上に発光素子及び受光素子の複数組が実装された後、この発光・受光素子(各組毎)の対向する側面の一部が覆われる状態で基板上に遮光性樹脂層が形成され、その後、遮光壁形成と封止が行われる。この遮光壁形成の1つの方法は、透光性樹脂で封止をした後に遮光壁を形成する方法であり、上記遮光性樹脂層の上に、発光・受光素子を封止するための透光性樹脂層が形成され、この透光性樹脂層に、先に形成した遮光性樹脂層に達する溝を形成し、この溝に遮光性樹脂を流し込むことで、発光素子−受光素子間の光を遮る遮光壁が形成される。
また、他の方法は、遮光壁を形成した後に透光性樹脂による封止をする方法であり、上記遮光性樹脂層の上の発光素子−受光素子間に、遮光性樹脂を積層することにより遮光壁が形成され、この遮光壁の側面部及び遮光性樹脂の上に、発光・受光素子を封止するための透光性樹脂層が形成される。そして、最後に、集合基板体の切削により発光素子及び受光素子を1組毎に個片化することで、フォトリフレクタが製作される。
本発明のフォトリフレクタ及びその製造方法によれば、発光素子−受光素子間の遮光壁の下方に電極やボンディングワイヤ等を配置することが可能となり、実装にワイヤボンディングを採用した場合でも、従来ではデッドスペースとなっていた領域を有効に活用することができ、小型化が可能になるという効果がある。即ち、従来では、発光素子−受光素子間の光の授受を避けるために、遮光壁を基板表面から立ち上がる形にしていたことから、この遮光壁の下には何ら機能的な要素を配置することができなかったが、本発明では、基板上に遮光性樹脂層を形成し、その中、特に遮光壁直下の部分に電極やワイヤ等の機能的な要素を封じ込めることで、スペースの有効利用を図るようにしたものである。
本発明に係る第1実施例のフォトリフレクタの構成を示し、図(a)は上面図、図(b)は側面図である。 第1実施例のフォトリフレクタの他の例の構成を示し、図(a)は上面図、図(b)は側面図である。 第1実施例のフォトリフレクタの製造方法を示す図である。 第2実施例のフォトリフレクタの構成を示し、図(a)は上面図、図(b)は側面図である。 本発明のフォトリフレクタの製造方法の他の例である第3実施例を示す図である。 従来のフォトリフレクタの構成を示す斜視図である。 図6のフォトリフレクタの製造工程を示す図である。
図1に、第1実施例のフォトリフレクタの構成が示され、図3に、このフォトリフレクタの製造工程が示されており、第1実施例のフォトリフレクタ8は、図1(a),(b)に示されるように、基板10の上下面にバイアホール12を介して接続される上面の電極(パッド)13と下面の電極14が複数形成され、上面の所定の電極13に発光素子2と受光素子3のそれぞれが接続される。また、この発光素子2と受光素子3は、それぞれ対応する電極13a,13bにワイヤ15(ワイヤボンディング)で接続されている。
そして、上記電極13a,13bとワイヤ15の電極13a,13b側の一部を埋設し、発光素子2と受光素子3の対向する側面の一部を覆うように(所定の高さまで)、遮光性樹脂層16が形成されると共に、発光素子2と受光素子3の間には遮光壁17が設けられ、この遮光壁17の側面から発光素子2及び受光素子3の上部の全体に、封止材として透光性樹脂層18が形成される。
図3には、第1実施例の製造工程が示されており、まず図3(a)では、上述した上面の電極13と下面の電極14等が形成されたインターポーザ(プリント配線した集合基板)20が用意され、このインターポーザ20の所定の電極13上に、発光素子2と受光素子3をダイボンドし、この発光素子2の上面に形成されている電極を電極13aに、受光素子3の上面に形成されている電極を電極13bにそれぞれワイヤ15によりワイヤボンドすることで、発光・受光素子2,3がインターポーザ20に表面実装される。なお、図3では、1組の発光素子2及び受光素子3と、隣接する別の組の一部が図示されている。
次に、図3(b)では、インターポーザ20上に、液状の遮光性樹脂をポッテイングにより流し込み、硬化させることにより、遮光性樹脂層16が発光素子2と受光素子3の側面高さの半分以上を埋没させる状態で形成される。なお、図示していないが、インターポーザ20の外周には、遮光樹脂液が流れ出さないようダムが形成される。
図3(c)では、遮光性樹脂層16の上に重ねるようにして液状の透光性樹脂をポッテイングにより流し込み、硬化させることにより、透光性樹脂層18が形成される。
図3(d)では、発光素子2と受光素子3の間の透光性樹脂層18をその表面から遮光性樹脂層16に至るまでダイシングブレードにより切削し、溝18Fを形成する。この工程では、溝18Fにおいて、遮光性樹脂層16を露出させ、溝底部に透光性樹脂層18が残らないようにする。
その後、図3(e)では、遮光性樹脂層16の上に液状の遮光性樹脂をポッテイングにより滴下し、溝18Fの中に遮光性樹脂を充填させ、硬化させることにより、遮光壁17が形成される。この工程では、遮光壁17を形成した後、その表面を研磨することで、透光性樹脂層18上に付着した遮光性樹脂を除去することも可能である。
最後に、図3(e)の集合基板体をダイシングテープに貼り付け、ダイシングブレードを用いて個片化すれば、図1のフォトリフレクタ8が得られる。
図2には、第1実施例の他の例が示されており、この例は、図2(a),(b)に示されるように、フォトリフレクタ22の外周を囲むように遮光壁23を設けたものである。この遮光壁23は、図3(d)の工程で、溝18Fと共にフォトリフレクタの外周位置(隣接する別の組の発光素子2或いは受光素子3との間)に溝を切削し、図3(e)の工程で、遮光壁17の場合と同様にして遮光性樹脂を充填することにより形成することができる。
以上の第1実施例によれば、電極13a,13bとワイヤ15の一部(基板上の電極との接続部)を遮光樹脂層16内に埋没させ、その遮光樹脂層16の上に遮光壁17を設ける(ダイシングブレードによる溝18Fの切込みは遮光性脂層16の表面までとなる)ので、図7で説明したデッドスペースの領域50が発生せず、発光素子−受光素子間の距離を縮めることができ、フォトリフレクタの小型化が実現できる。
図4には、第2実施例の構成が示されており、この第2実施例のフォトリフレクタ24では、図4に示されるように、電極13a,13bを発光素子−受光素子間を結ぶ線に垂直な方向に並べ、この電極13a,13bのそれぞれにワイヤ15にてボンディングが行われる。そして、これら電極13a,13bとワイヤ15の一部を埋めるように、遮光性樹脂層16が形成される。
このような配置・構成によれば、図1の構成に比べて発光素子−受光素子間の距離を縮めることができ、より小型化することが可能となる。
図5には、製造方法に係る他の例である第3実施例が示されており、これは、遮光壁を形成した後に透光性樹脂による封止を行う。即ち、図5に示されるように、遮光性樹脂層16を形成した後、発光素子−受光素子間の遮光性樹脂層16の上に、遮光性樹脂を積層することにより遮光壁27が形成され、その後、この遮光壁27の高さまでその側面部と遮光性樹脂層16の上に透光性樹脂を流し込むことで、発光・受光素子が透光性樹脂層18で封止される(特許文献2参照)。この第3実施例によれば、積層形成する遮光壁27の高さを、インターポーザ20上に直接積層して形成する場合と比較して、遮光性樹脂層16の厚さ分だけ低く形成すれば良いので、遮光壁27の幅が狭くなり、発光素子−受光素子間の距離を縮めることができ、フォトリフレクタの小型化が実現できる。
以上のように、本発明では、基板10の上に遮光性樹脂層16を形成し、その中に電極13やワイヤ15等の機能的な要素を封じ込めるので、従来ではデッドスペースとなっていた遮光壁17,27の直下の部分を有効に利用することができ、これによって、小型化が促進できることになる。
1,10…基板、 2…発光素子、
3…受光素子、 4,18…透光性樹脂層、
8,22,24…フォトリフレクタ、
13…上面の電極、 14…下面の電極、
15…ワイヤ、 16…遮光性樹脂層、
17,23,27…遮光壁、
20…インターポーザ。

Claims (5)

  1. 基板上に実装された発光素子及び受光素子と、
    この発光素子及び受光素子の側面の少なくとも相互に対向する面の一部が覆われる状態で上記基板上に形成された遮光性樹脂層と、
    この遮光性樹脂層の上部に形成され、上記発光素子と受光素子との間の光を遮る遮光壁と、
    この遮光壁の側面部及び上記遮光性樹脂層の上部に形成され、上記発光素子及び受光素子を封止する透光性樹脂層と、を備えてなるフォトリフレクタ。
  2. 上記基板上の電極に、上記受光素子及び発光素子のそれぞれの電極がワイヤボンディングにて接続され、上記遮光性樹脂層は、上記基板上の電極と、この電極とボンディングワイヤとの接続部が埋没するように形成されていることを特徴とする請求項1記載のフォトリフレクタ。
  3. 集合基板上に発光素子及び受光素子の組を複数組実装し、
    この各組の発光素子及び受光素子の側面の少なくとも相互に対向する面の一部が覆われる状態で上記基板上に遮光性樹脂層を形成し、
    この遮光性樹脂層の上に上記発光素子及び受光素子を封止する透光性樹脂層を形成し、
    この透光性樹脂層の上記発光素子と受光素子との間に、上記遮光性樹脂層に達する溝を形成し、この溝に遮光性樹脂を流し込むことにより上記発光素子と受光素子との間の光を遮る遮光壁を形成し、
    上記工程の後、上記発光素子及び受光素子を1組毎に個片化するフォトリフレクタの製造方法。
  4. 集合基板上に発光素子及び受光素子の組を複数組実装し、
    この各組の発光素子及び受光素子の側面の少なくとも相互に対向する面の一部が覆われる状態で上記基板上に遮光性樹脂層を形成し、
    この遮光性樹脂層の上の上記発光素子と受光素子との間に、遮光性樹脂を積層することにより上記発光素子と受光素子との間の光を遮る遮光壁を形成し、
    この遮光壁の側面部及び上記遮光性樹脂層の上に、上記発光素子及び受光素子を封止する透光性樹脂層を形成し、
    上記工程の後、上記発光素子及び受光素子を1組毎に個片化するフォトリフレクタの製造方法。
  5. 上記基板上の電極に上記発光素子及び受光素子のそれぞれの電極がワイヤボンディングされた後、上記基板上の電極と、この電極とボンディングワイヤとの接続部が埋設するように上記遮光性樹脂層が形成されていることを特徴とする請求項3又は4のいずれかに記載のフォトリフレクタの製造方法。
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