JP2016100448A - フォトリフレクタ及びその製造方法 - Google Patents
フォトリフレクタ及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016100448A JP2016100448A JP2014236043A JP2014236043A JP2016100448A JP 2016100448 A JP2016100448 A JP 2016100448A JP 2014236043 A JP2014236043 A JP 2014236043A JP 2014236043 A JP2014236043 A JP 2014236043A JP 2016100448 A JP2016100448 A JP 2016100448A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- resin layer
- emitting element
- receiving element
- shielding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 17
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 85
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 85
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 38
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 abstract description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/93—Batch processes
- H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
Landscapes
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
Description
このような要求に応えて小型薄型化を実現するため、フォトリフレクタにおいては、非常に薄いプリント配線板を基板(インターポーザ)とし、その上に発光・受光素子をフリップチップボンディング等で実装することが行われている。
請求項2の発明は、上記基板上の電極に、上記受光素子及び発光素子のそれぞれの電極がワイヤボンディングにて接続され、上記遮光性樹脂層は、上記基板上の電極と、この電極とボンディングワイヤとの接続部が埋没するように形成されていることを特徴とする。
請求項4の発明に係るフォトリフレクタの製造方法は、集合基板上に発光素子及び受光素子の組を複数組実装し、この各組の発光素子及び受光素子の側面の少なくとも相互に対向する面の一部が覆われる状態で上記基板上に遮光性樹脂層を形成し、この遮光性樹脂層の上の上記発光素子と受光素子との間に、遮光性樹脂を積層することにより上記発光素子と受光素子との間の光を遮る遮光壁を形成し、この遮光壁の側面部及び上記遮光性樹脂層の上に、上記発光素子及び受光素子を封止する透光性樹脂層を形成し、上記工程の後、上記発光素子及び受光素子を1組毎に個片化することを特徴とする。
請求項5の発明に係るフォトリフレクタの製造方法は、上記基板上の電極に上記発光素子及び受光素子のそれぞれの電極がワイヤボンディングされた後、上記基板上の電極と、この電極とボンディングワイヤとの接続部が埋設するように上記遮光性樹脂層が形成されていることを特徴とする。
最後に、図3(e)の集合基板体をダイシングテープに貼り付け、ダイシングブレードを用いて個片化すれば、図1のフォトリフレクタ8が得られる。
このような配置・構成によれば、図1の構成に比べて発光素子−受光素子間の距離を縮めることができ、より小型化することが可能となる。
3…受光素子、 4,18…透光性樹脂層、
8,22,24…フォトリフレクタ、
13…上面の電極、 14…下面の電極、
15…ワイヤ、 16…遮光性樹脂層、
17,23,27…遮光壁、
20…インターポーザ。
Claims (5)
- 基板上に実装された発光素子及び受光素子と、
この発光素子及び受光素子の側面の少なくとも相互に対向する面の一部が覆われる状態で上記基板上に形成された遮光性樹脂層と、
この遮光性樹脂層の上部に形成され、上記発光素子と受光素子との間の光を遮る遮光壁と、
この遮光壁の側面部及び上記遮光性樹脂層の上部に形成され、上記発光素子及び受光素子を封止する透光性樹脂層と、を備えてなるフォトリフレクタ。 - 上記基板上の電極に、上記受光素子及び発光素子のそれぞれの電極がワイヤボンディングにて接続され、上記遮光性樹脂層は、上記基板上の電極と、この電極とボンディングワイヤとの接続部が埋没するように形成されていることを特徴とする請求項1記載のフォトリフレクタ。
- 集合基板上に発光素子及び受光素子の組を複数組実装し、
この各組の発光素子及び受光素子の側面の少なくとも相互に対向する面の一部が覆われる状態で上記基板上に遮光性樹脂層を形成し、
この遮光性樹脂層の上に上記発光素子及び受光素子を封止する透光性樹脂層を形成し、
この透光性樹脂層の上記発光素子と受光素子との間に、上記遮光性樹脂層に達する溝を形成し、この溝に遮光性樹脂を流し込むことにより上記発光素子と受光素子との間の光を遮る遮光壁を形成し、
上記工程の後、上記発光素子及び受光素子を1組毎に個片化するフォトリフレクタの製造方法。 - 集合基板上に発光素子及び受光素子の組を複数組実装し、
この各組の発光素子及び受光素子の側面の少なくとも相互に対向する面の一部が覆われる状態で上記基板上に遮光性樹脂層を形成し、
この遮光性樹脂層の上の上記発光素子と受光素子との間に、遮光性樹脂を積層することにより上記発光素子と受光素子との間の光を遮る遮光壁を形成し、
この遮光壁の側面部及び上記遮光性樹脂層の上に、上記発光素子及び受光素子を封止する透光性樹脂層を形成し、
上記工程の後、上記発光素子及び受光素子を1組毎に個片化するフォトリフレクタの製造方法。 - 上記基板上の電極に上記発光素子及び受光素子のそれぞれの電極がワイヤボンディングされた後、上記基板上の電極と、この電極とボンディングワイヤとの接続部が埋設するように上記遮光性樹脂層が形成されていることを特徴とする請求項3又は4のいずれかに記載のフォトリフレクタの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014236043A JP6450569B2 (ja) | 2014-11-20 | 2014-11-20 | フォトリフレクタ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014236043A JP6450569B2 (ja) | 2014-11-20 | 2014-11-20 | フォトリフレクタ及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016100448A true JP2016100448A (ja) | 2016-05-30 |
JP6450569B2 JP6450569B2 (ja) | 2019-01-09 |
Family
ID=56075522
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014236043A Active JP6450569B2 (ja) | 2014-11-20 | 2014-11-20 | フォトリフレクタ及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6450569B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110931371A (zh) * | 2019-11-25 | 2020-03-27 | 合肥速芯微电子有限责任公司 | 半导体装置及其制备方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2021192148A1 (ja) * | 2020-03-26 | 2021-09-30 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05152603A (ja) * | 1991-11-28 | 1993-06-18 | Sharp Corp | 反射型光結合装置 |
JP2005217529A (ja) * | 2004-01-27 | 2005-08-11 | Mitsumi Electric Co Ltd | 画像検出装置 |
JP2013235887A (ja) * | 2012-05-07 | 2013-11-21 | Aoi Electronics Co Ltd | 光源一体型光センサの製造方法 |
JP2013254930A (ja) * | 2012-05-07 | 2013-12-19 | Aoi Electronics Co Ltd | 光源一体型光センサ |
US20140091326A1 (en) * | 2012-10-01 | 2014-04-03 | Texas Instruments Incorporated | Light Blocking Structure in Leadframe |
WO2014054083A1 (ja) * | 2012-10-05 | 2014-04-10 | パイオニア株式会社 | 半導体デバイス、これを備えた近接センサーおよび半導体デバイスの製造方法 |
JP2014207395A (ja) * | 2013-04-16 | 2014-10-30 | 新日本無線株式会社 | 光半導体装置およびその製造方法 |
-
2014
- 2014-11-20 JP JP2014236043A patent/JP6450569B2/ja active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05152603A (ja) * | 1991-11-28 | 1993-06-18 | Sharp Corp | 反射型光結合装置 |
JP2005217529A (ja) * | 2004-01-27 | 2005-08-11 | Mitsumi Electric Co Ltd | 画像検出装置 |
JP2013235887A (ja) * | 2012-05-07 | 2013-11-21 | Aoi Electronics Co Ltd | 光源一体型光センサの製造方法 |
JP2013254930A (ja) * | 2012-05-07 | 2013-12-19 | Aoi Electronics Co Ltd | 光源一体型光センサ |
US20140091326A1 (en) * | 2012-10-01 | 2014-04-03 | Texas Instruments Incorporated | Light Blocking Structure in Leadframe |
WO2014054083A1 (ja) * | 2012-10-05 | 2014-04-10 | パイオニア株式会社 | 半導体デバイス、これを備えた近接センサーおよび半導体デバイスの製造方法 |
JP2014207395A (ja) * | 2013-04-16 | 2014-10-30 | 新日本無線株式会社 | 光半導体装置およびその製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110931371A (zh) * | 2019-11-25 | 2020-03-27 | 合肥速芯微电子有限责任公司 | 半导体装置及其制备方法 |
CN110931371B (zh) * | 2019-11-25 | 2022-04-22 | 合肥速芯微电子有限责任公司 | 半导体装置及其制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6450569B2 (ja) | 2019-01-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI657603B (zh) | 半導體封裝裝置及其製造方法 | |
CN101159279A (zh) | 半导体摄像元件及其制法、半导体摄像元件模块及装置 | |
KR100790994B1 (ko) | 이미지 센서 패키지, 그 제조 방법 및 이미지 센서패키지를 포함하는 이미지 센서 모듈 | |
CN102486425B (zh) | 压力传感器及其组装方法 | |
KR101579623B1 (ko) | 이미지 센서용 반도체 패키지 및 그 제조 방법 | |
KR20140126598A (ko) | 반도체 패키지 및 그 제조 방법 | |
JP2013004534A (ja) | 半導体パッケージ | |
JP2004319530A (ja) | 光半導体装置およびその製造方法 | |
JP6057282B2 (ja) | 光学デバイス及び光学デバイスの製造方法 | |
JP2005079536A (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
JP2014099468A (ja) | 半導体デバイスの製造方法および半導体デバイス | |
JP2009239258A (ja) | 光学デバイス及びその製造方法 | |
WO2017208724A1 (ja) | 光学モジュール、モジュール及びその製造方法 | |
CN111477693A (zh) | 光学芯片封装结构及其封装方法、光电装置 | |
CN104377217A (zh) | 图像传感器的封装件和图像传感器的封装方法 | |
JP2011054794A (ja) | 光学デバイス及びその製造方法 | |
JP6450569B2 (ja) | フォトリフレクタ及びその製造方法 | |
JP2016149386A (ja) | 半導体装置、電子装置、及び半導体装置の製造方法 | |
JP2004363400A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2013089717A (ja) | Ledモジュール | |
US20110204465A1 (en) | Optical device and method of manufacturing the device | |
JP6104624B2 (ja) | 半導体デバイスの製造方法および半導体デバイス | |
CN212434647U (zh) | 光学芯片封装结构及光电装置 | |
TW201409672A (zh) | 半導體器件 | |
TW201438286A (zh) | Led封裝體及其製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170907 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180425 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180501 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180613 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180807 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180907 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20181204 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20181210 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6450569 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |