JPH06196568A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH06196568A JPH06196568A JP35779392A JP35779392A JPH06196568A JP H06196568 A JPH06196568 A JP H06196568A JP 35779392 A JP35779392 A JP 35779392A JP 35779392 A JP35779392 A JP 35779392A JP H06196568 A JPH06196568 A JP H06196568A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wirings
- photoresist layer
- wiring
- insulating film
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 同じ深さの配線同士を接続することができる
とともに、深さの異なる配線同士をも接続することがで
きる半導体装置の製造方法を提供する。 【構成】 半導体基板１上に形成され内部に深さの異な
る配線１１ａ，１１ｂを有する絶縁膜１２上にフォトレ
ジスト１３を塗布する工程と、フォトレジスト層１３を
パターン的に露光し、現像による可溶性が配線の深さに
対応して高まるようにしたフォトレジスト層１３を現像
する工程と、絶縁膜１２を選択的にエッチングし配線１
１ａ，１１ｂを露光する工程と、配線層１５により配線
１１ａ，１１ｂ同士を接続する工程とにより構成され
る。
とともに、深さの異なる配線同士をも接続することがで
きる半導体装置の製造方法を提供する。 【構成】 半導体基板１上に形成され内部に深さの異な
る配線１１ａ，１１ｂを有する絶縁膜１２上にフォトレ
ジスト１３を塗布する工程と、フォトレジスト層１３を
パターン的に露光し、現像による可溶性が配線の深さに
対応して高まるようにしたフォトレジスト層１３を現像
する工程と、絶縁膜１２を選択的にエッチングし配線１
１ａ，１１ｂを露光する工程と、配線層１５により配線
１１ａ，１１ｂ同士を接続する工程とにより構成され
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、深さの異なる配線同
士を容易に接続する半導体装置の製造方法に関するもの
である。
士を容易に接続する半導体装置の製造方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】図５ないし図８は従来の半導体装置の製
造方法を示す過程図である。ここで、従来の製造方法の
工程を順次説明する。 （ａ）第１工程 第１工程では、図５に示すように、例えばシリコン基板
１上に形成され、内部に下層配線２ａ，２ｂを有する酸
化ケイ素，窒化ケイ素等の絶縁膜３上に有機フォトレジ
スト４を塗布し、この有機フォトレジスト層４上に前記
下層配線２ａ，２ｂに対応する配線パターン５ａ，５ｂ
が形成されたマスク５を載置する。
造方法を示す過程図である。ここで、従来の製造方法の
工程を順次説明する。 （ａ）第１工程 第１工程では、図５に示すように、例えばシリコン基板
１上に形成され、内部に下層配線２ａ，２ｂを有する酸
化ケイ素，窒化ケイ素等の絶縁膜３上に有機フォトレジ
スト４を塗布し、この有機フォトレジスト層４上に前記
下層配線２ａ，２ｂに対応する配線パターン５ａ，５ｂ
が形成されたマスク５を載置する。
【０００３】（ｂ）第２工程 第２工程では、図６に示すように、紫外線を用いて有機
フォトレジスト層４をパターン的に露光し、この有機フ
ォトレジスト層４を現像する。この現像によりマスク５
の配線パターン５ａ，５ｂが有機フォトレジスト層４に
転写される。
フォトレジスト層４をパターン的に露光し、この有機フ
ォトレジスト層４を現像する。この現像によりマスク５
の配線パターン５ａ，５ｂが有機フォトレジスト層４に
転写される。
【０００４】（ｃ）第３工程 第３工程では、図７に示すように、絶縁膜３を選択的に
エッチングする。ここでは、有機フォトレジスト層４の
残っている部分は、この有機フォトレジスト層４が少々
エッチングされるにとどまり、この有機フォトレジスト
層４の無い部分は下層配線２ａ，２ｂまでエッチングさ
れる。したがって、下層配線２ａ，２ｂ上部が露出され
る。
エッチングする。ここでは、有機フォトレジスト層４の
残っている部分は、この有機フォトレジスト層４が少々
エッチングされるにとどまり、この有機フォトレジスト
層４の無い部分は下層配線２ａ，２ｂまでエッチングさ
れる。したがって、下層配線２ａ，２ｂ上部が露出され
る。
【０００５】（ｄ）第４工程 第４工程では、図８に示すように、有機フォトレジスト
層４を除去し、絶縁膜３上及び下層配線２ａ，２ｂ上に
配線層６を形成し、下層配線２ａ，２ｂ同士を接続す
る。
層４を除去し、絶縁膜３上及び下層配線２ａ，２ｂ上に
配線層６を形成し、下層配線２ａ，２ｂ同士を接続す
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体装置の製
造方法は以上のように構成されているため、深さの異な
る配線同士を接続する場合には上記の各工程を繰り返し
行なうことが必要で、これらの配線を容易に接続するこ
とができず、また工程数が増加しコストアップになるな
どの問題点があった。
造方法は以上のように構成されているため、深さの異な
る配線同士を接続する場合には上記の各工程を繰り返し
行なうことが必要で、これらの配線を容易に接続するこ
とができず、また工程数が増加しコストアップになるな
どの問題点があった。
【０００７】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、同じ深さの配線同士を接続する
ことができるとともに、深さの異なる配線同士をも接続
することができる半導体装置の製造方法を提供すること
を目的とする。
ためになされたもので、同じ深さの配線同士を接続する
ことができるとともに、深さの異なる配線同士をも接続
することができる半導体装置の製造方法を提供すること
を目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体装
置の製造方法は、半導体基板上に形成され、内部に深さ
の異なる配線を有する絶縁膜上に、フォトレジストを塗
布する第１の工程と、紫外線，Ｘ線，電子線のいずれか
を用いて前記フォトレジスト層をパターン的に露光し、
該フォトレジスト層の露光された部分の現像による可溶
性が前記配線のそれぞれの深さに対応して高まるように
し、前記フォトレジスト層を現像し、配線パターンを該
フォトレジスト層に転写する第２の工程と、前記絶縁膜
を選択的にエッチングし、前記配線の上部を露出する第
３の工程と、前記フォトレジスト層を除去し、前記絶縁
膜上及び配線上に配線層を形成し、深さの異なる配線同
士を接続する第４の工程とを備えるものである。
置の製造方法は、半導体基板上に形成され、内部に深さ
の異なる配線を有する絶縁膜上に、フォトレジストを塗
布する第１の工程と、紫外線，Ｘ線，電子線のいずれか
を用いて前記フォトレジスト層をパターン的に露光し、
該フォトレジスト層の露光された部分の現像による可溶
性が前記配線のそれぞれの深さに対応して高まるように
し、前記フォトレジスト層を現像し、配線パターンを該
フォトレジスト層に転写する第２の工程と、前記絶縁膜
を選択的にエッチングし、前記配線の上部を露出する第
３の工程と、前記フォトレジスト層を除去し、前記絶縁
膜上及び配線上に配線層を形成し、深さの異なる配線同
士を接続する第４の工程とを備えるものである。
【０００９】
【作用】この発明における半導体装置の製造方法は、フ
ォトレジストを塗布する第１の工程と、光の透過量の異
なる配線パターンを該フォトレジスト層に形成する第２
の工程により、絶縁膜上に前記配線の深さにそれぞれ対
応する厚みのフォトレジスト層を形成し、前記配線の上
部を露出する第３の工程と、深さの異なる配線同士を接
続する第４の工程により、該フォトレジスト層の厚みの
違いに対応して前記絶縁膜のエッチング量を制御するの
で、深さの異なる配線同士の接続が容易に行なえる。
ォトレジストを塗布する第１の工程と、光の透過量の異
なる配線パターンを該フォトレジスト層に形成する第２
の工程により、絶縁膜上に前記配線の深さにそれぞれ対
応する厚みのフォトレジスト層を形成し、前記配線の上
部を露出する第３の工程と、深さの異なる配線同士を接
続する第４の工程により、該フォトレジスト層の厚みの
違いに対応して前記絶縁膜のエッチング量を制御するの
で、深さの異なる配線同士の接続が容易に行なえる。
【００１０】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図１ないし図４は半導体装置の製造方法を示す過
程図である。ここで、この実施例の製造方法の工程を順
次説明する。 （ａ）第１工程 第１工程では、図１に示すように、例えばシリコン基板
（半導体基板）１上に形成され、内部に深さの異なる配
線１１ａ，１１ｂを有する酸化ケイ素，窒化ケイ素等の
絶縁膜１２上に有機フォトレジスト（フォトレジスト）
１３を塗布し、この有機フォトレジスト層１３上に、前
記配線１１ａ，１１ｂのそれぞれの深さに対応する厚み
の配線パターン１４ａ，１４ｂが形成されたマスク１４
を載置する。光の透過量は配線パターン１４ａの方が配
線パターン１４ｂより多いとされている。
する。図１ないし図４は半導体装置の製造方法を示す過
程図である。ここで、この実施例の製造方法の工程を順
次説明する。 （ａ）第１工程 第１工程では、図１に示すように、例えばシリコン基板
（半導体基板）１上に形成され、内部に深さの異なる配
線１１ａ，１１ｂを有する酸化ケイ素，窒化ケイ素等の
絶縁膜１２上に有機フォトレジスト（フォトレジスト）
１３を塗布し、この有機フォトレジスト層１３上に、前
記配線１１ａ，１１ｂのそれぞれの深さに対応する厚み
の配線パターン１４ａ，１４ｂが形成されたマスク１４
を載置する。光の透過量は配線パターン１４ａの方が配
線パターン１４ｂより多いとされている。
【００１１】（ｂ）第２工程 第２工程では、図２に示すように、紫外線を用いて有機
フォトレジスト層１３をパターン的に露光し、該有機フ
ォトレジスト層１３の現像による可溶性が配線１１ａ，
１１ｂのそれぞれの深さに対応して高まるようにし、該
有機フォトレジスト層１３を現像する。ここでは、有機
フォトレジスト層１３は、配線パターン１４ｂに対応す
る部分以外が露光され、配線パターン１４ａに対応する
部分はわずかに露光される。したがって、この現像によ
り、前記配線１１ａ，１１ｂそれぞれの深さに対応する
厚みの配線パターンが形成された有機フォトレジスト層
１３が形成される。
フォトレジスト層１３をパターン的に露光し、該有機フ
ォトレジスト層１３の現像による可溶性が配線１１ａ，
１１ｂのそれぞれの深さに対応して高まるようにし、該
有機フォトレジスト層１３を現像する。ここでは、有機
フォトレジスト層１３は、配線パターン１４ｂに対応す
る部分以外が露光され、配線パターン１４ａに対応する
部分はわずかに露光される。したがって、この現像によ
り、前記配線１１ａ，１１ｂそれぞれの深さに対応する
厚みの配線パターンが形成された有機フォトレジスト層
１３が形成される。
【００１２】（ｃ）第３工程 第３工程では、図３に示すように、絶縁膜１２を選択的
にエッチングする。ここでは、配線パターン１４ｂに対
応する絶縁膜１２の部分ははじめからエッチングされる
のに対し、配線パターン１４ａに対応する絶縁膜１２の
部分は有機フォトレジスト層１３がエッチングされてか
ら絶縁膜１２がエッチングされはじめる。この差により
絶縁膜１２のエッチング量を制御し、深さの異なる配線
１１ａ，１１ｂのそれぞれの上部を露出する。
にエッチングする。ここでは、配線パターン１４ｂに対
応する絶縁膜１２の部分ははじめからエッチングされる
のに対し、配線パターン１４ａに対応する絶縁膜１２の
部分は有機フォトレジスト層１３がエッチングされてか
ら絶縁膜１２がエッチングされはじめる。この差により
絶縁膜１２のエッチング量を制御し、深さの異なる配線
１１ａ，１１ｂのそれぞれの上部を露出する。
【００１３】（ｄ）第４工程 第４工程では、図４に示すように、有機フォトレジスト
層１３を除去し、絶縁膜１２上及び配線１１ａ，１１ｂ
上に配線層１５を形成し、配線１１ａ，１１ｂ同士を接
続する。
層１３を除去し、絶縁膜１２上及び配線１１ａ，１１ｂ
上に配線層１５を形成し、配線１１ａ，１１ｂ同士を接
続する。
【００１４】以上説明したように、本実施例の半導体装
置の製造方法によれば、有機フォトレジスト層１３を塗
布する第１工程と、厚みの異なる配線パターン１４ａ，
１４ｂを該有機フォトレジスト層１３に転写する第２工
程により、絶縁膜１２上に配線１１ａ，１１ｂのそれぞ
れの深さに対応する厚みの有機フォトレジスト層１３を
形成することができる。また、配線１１ａ，１１ｂのそ
れぞれの上部を露出する第３工程と、配線１１ａ，１１
ｂ同士を接続する第４工程により、深さの異なる配線１
１ａ，１１ｂ同士を容易に接続することができる。
置の製造方法によれば、有機フォトレジスト層１３を塗
布する第１工程と、厚みの異なる配線パターン１４ａ，
１４ｂを該有機フォトレジスト層１３に転写する第２工
程により、絶縁膜１２上に配線１１ａ，１１ｂのそれぞ
れの深さに対応する厚みの有機フォトレジスト層１３を
形成することができる。また、配線１１ａ，１１ｂのそ
れぞれの上部を露出する第３工程と、配線１１ａ，１１
ｂ同士を接続する第４工程により、深さの異なる配線１
１ａ，１１ｂ同士を容易に接続することができる。
【００１５】したがって、多層の配線を容易に接続する
ことができ、また、工程数の増加を抑制することがで
き、コストダウンが図れる効果がある。
ことができ、また、工程数の増加を抑制することがで
き、コストダウンが図れる効果がある。
【００１６】なお、上記実施例では、マスク１４の配線
パターン１４ａ，１４ｂの光の透過量を変えることによ
り、有機フォトレジスト層１３の厚みを変えたが、マス
ク１４を用いずに有機フォトレジスト層１３を光量を変
えて直接露光し、該有機フォトレジスト層１３の厚みを
変えることによっても同様の効果を奏する。
パターン１４ａ，１４ｂの光の透過量を変えることによ
り、有機フォトレジスト層１３の厚みを変えたが、マス
ク１４を用いずに有機フォトレジスト層１３を光量を変
えて直接露光し、該有機フォトレジスト層１３の厚みを
変えることによっても同様の効果を奏する。
【００１７】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、フォ
トレジストを塗布する第１の工程と、光の透過量の異な
る配線パターンを該フォトレジスト層に形成する第２の
工程とを備える構成としたので、絶縁膜上に前記配線の
深さにそれぞれ対応する厚みのフォトレジスト層を形成
することができる。また、前記配線の上部を露出する第
３の工程と、深さの異なる配線同士を接続する第４の工
程とを備える構成としたので、深さの異なる配線同士を
容易に接続することができる。
トレジストを塗布する第１の工程と、光の透過量の異な
る配線パターンを該フォトレジスト層に形成する第２の
工程とを備える構成としたので、絶縁膜上に前記配線の
深さにそれぞれ対応する厚みのフォトレジスト層を形成
することができる。また、前記配線の上部を露出する第
３の工程と、深さの異なる配線同士を接続する第４の工
程とを備える構成としたので、深さの異なる配線同士を
容易に接続することができる。
【００１８】したがって、多層の配線を容易に接続する
ことができ、また工程数の増加を抑制することができ、
コストダウンが図れる効果がある。
ことができ、また工程数の増加を抑制することができ、
コストダウンが図れる効果がある。
【図１】この発明の一実施例の製造方法による露光時の
断面図である。
断面図である。
【図２】この発明の一実施例の製造方法による現像後の
断面図である。
断面図である。
【図３】この発明の一実施例の製造方法によるエッチン
グ後の断面図である。
グ後の断面図である。
【図４】この発明の一実施例の製造方法によるフォトレ
ジスト層除去、配線後の断面図である。
ジスト層除去、配線後の断面図である。
【図５】従来の製造方法による露光時の断面図である。
【図６】従来の製造方法による現像後の断面図である。
【図７】従来の製造方法によるエッチング後の断面図で
ある。
ある。
【図８】従来の製造方法によるフォトレジスト層除去，
配線後の断面図である。
配線後の断面図である。
１ シリコン基板（半導体基板） １１ａ，１１ｂ 配線 １２ 絶縁膜 １３ 有機フォトレジスト（フォトレジスト） １５ 配線層
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板上に形成され、内部に深さの
異なる配線を有する絶縁膜上に、フォトレジストを塗布
する第１の工程と、紫外線、Ｘ線、電子線のいずれかを
用いて前記フォトレジスト層をパターン的に露光し、該
フォトレジスト層の現像による可溶性が前記配線の深さ
に対応して高まるようにし、前記フォトレジスト層を現
像する第２の工程と、前記絶縁膜を選択的にエッチング
し、前記配線を露出する第３の工程と、前記フォトレジ
スト層を除去し、前記絶縁膜上及び配線上に配線層を形
成し、深さの異なる配線同士を接続する第４の工程とを
備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35779392A JPH06196568A (ja) | 1992-12-25 | 1992-12-25 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35779392A JPH06196568A (ja) | 1992-12-25 | 1992-12-25 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06196568A true JPH06196568A (ja) | 1994-07-15 |
Family
ID=18455955
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35779392A Pending JPH06196568A (ja) | 1992-12-25 | 1992-12-25 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06196568A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6331121A (ja) * | 1986-07-24 | 1988-02-09 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH04171816A (ja) * | 1990-11-05 | 1992-06-19 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
-
1992
- 1992-12-25 JP JP35779392A patent/JPH06196568A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6331121A (ja) * | 1986-07-24 | 1988-02-09 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH04171816A (ja) * | 1990-11-05 | 1992-06-19 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
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