JPH06181236A - 半導体集積回路装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体集積回路装置およびその製造方法Info
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- JPH06181236A JPH06181236A JP4334342A JP33434292A JPH06181236A JP H06181236 A JPH06181236 A JP H06181236A JP 4334342 A JP4334342 A JP 4334342A JP 33434292 A JP33434292 A JP 33434292A JP H06181236 A JPH06181236 A JP H06181236A
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- Japan
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- semiconductor chip
- tape carrier
- carrier package
- resin
- metal plate
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 テープキャリアパッケージの熱抵抗を低減す
る。また、テープキャリアパッケージの製造歩留りを向
上させる。 【構成】 半導体チップ４の裏面側に金属板７を接合
し、表面側のみを樹脂８で封止したテープキャリアパッ
ケージ１０である。このテープキャリアパッケージ１０
を製造するには、あらかじめ裏面側に金属板７を接合し
た半導体チップ４を成形金型に装着し、半導体チップ４
の表面側のみをトランスファモールド法で樹脂封止す
る。
る。また、テープキャリアパッケージの製造歩留りを向
上させる。 【構成】 半導体チップ４の裏面側に金属板７を接合
し、表面側のみを樹脂８で封止したテープキャリアパッ
ケージ１０である。このテープキャリアパッケージ１０
を製造するには、あらかじめ裏面側に金属板７を接合し
た半導体チップ４を成形金型に装着し、半導体チップ４
の表面側のみをトランスファモールド法で樹脂封止す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路装置に
関し、特に、テープキャリアパッケージ(Tape Carrier
Package;ＴＰＣ）構造を有する半導体集積回路装置に適
用して有効な技術に関するものである。
関し、特に、テープキャリアパッケージ(Tape Carrier
Package;ＴＰＣ）構造を有する半導体集積回路装置に適
用して有効な技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、ポータブル形パソコンやラップト
ップ形パソコンなど、軽量、薄形パーソナルコンピュー
タの普及に伴い、半導体チップを実装基板に薄く実装す
ることのできるテープキャリアパッケージ（ＴＡＢとも
いう）が注目されている。
ップ形パソコンなど、軽量、薄形パーソナルコンピュー
タの普及に伴い、半導体チップを実装基板に薄く実装す
ることのできるテープキャリアパッケージ（ＴＡＢとも
いう）が注目されている。
【０００３】テープキャリアパッケージは、半導体チッ
プのボンディングパッド上に形成したＡｕのバンプ電極
とポリイミド樹脂などの絶縁フィルムに形成したＣｕリ
ードの一端とを電気的に接続し、このＣｕリードの他端
を実装基板上に半田付けする実装方式である。
プのボンディングパッド上に形成したＡｕのバンプ電極
とポリイミド樹脂などの絶縁フィルムに形成したＣｕリ
ードの一端とを電気的に接続し、このＣｕリードの他端
を実装基板上に半田付けする実装方式である。
【０００４】上記テープキャリアパッケージは、従来よ
り主としてポッティング法によって半導体チップの樹脂
封止を行っている。ポッティング法は、ノズルを使って
液状の樹脂を半導体チップの表面に塗布し、硬化させる
方法である。
り主としてポッティング法によって半導体チップの樹脂
封止を行っている。ポッティング法は、ノズルを使って
液状の樹脂を半導体チップの表面に塗布し、硬化させる
方法である。
【０００５】しかし最近は、テープキャリアパッケージ
のより一層の薄形化や生産性の向上を実現するために、
トランスファモールド（射出成形）法によって半導体チ
ップを樹脂封止することが検討されている。
のより一層の薄形化や生産性の向上を実現するために、
トランスファモールド（射出成形）法によって半導体チ
ップを樹脂封止することが検討されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、テープキャ
リアパッケージの場合、半導体チップは極めて薄いＣｕ
リードによって絶縁フィルムのデバイスホール内に中空
状態で支持されているため、これを成形金型に装着して
樹脂を注入すると、半導体チップが揺動してしまい、封
止状態にばらつきが生じるという問題がある。
リアパッケージの場合、半導体チップは極めて薄いＣｕ
リードによって絶縁フィルムのデバイスホール内に中空
状態で支持されているため、これを成形金型に装着して
樹脂を注入すると、半導体チップが揺動してしまい、封
止状態にばらつきが生じるという問題がある。
【０００７】また、半導体チップの表面側のみを樹脂封
止する片面封止方式では、半導体チップの裏面側がパッ
ケージから露出するため、テープキャリアパッケージを
成形金型から取り出す際、半導体チップにクラックが生
じ易いという問題がある。
止する片面封止方式では、半導体チップの裏面側がパッ
ケージから露出するため、テープキャリアパッケージを
成形金型から取り出す際、半導体チップにクラックが生
じ易いという問題がある。
【０００８】そこで、本発明の目的は、トランスファモ
ールド法で半導体チップを樹脂封止するテープキャリア
パッケージの製造歩留りを向上させることのできる技術
を提供することにある。
ールド法で半導体チップを樹脂封止するテープキャリア
パッケージの製造歩留りを向上させることのできる技術
を提供することにある。
【０００９】本発明の他の目的は、テープキャリアパッ
ケージの熱抵抗を低減することのできる技術を提供する
ことにある。
ケージの熱抵抗を低減することのできる技術を提供する
ことにある。
【００１０】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
次のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
次のとおりである。
【００１２】本発明によるテープキャリアパッケージの
製造方法は、あらかじめ半導体チップの裏面側に金属板
を接合した後、半導体チップを成形金型に装着し、半導
体チップの表面側のみをトランスファモールド法で樹脂
封止するものである。
製造方法は、あらかじめ半導体チップの裏面側に金属板
を接合した後、半導体チップを成形金型に装着し、半導
体チップの表面側のみをトランスファモールド法で樹脂
封止するものである。
【００１３】
【作用】上記した手段によれば、裏面側に金属板を接合
した半導体チップを成形金型に装着した時、成形金型
（の下型）に金属板が密着するため、樹脂を注入した際
に半導体チップが揺動することがない。
した半導体チップを成形金型に装着した時、成形金型
（の下型）に金属板が密着するため、樹脂を注入した際
に半導体チップが揺動することがない。
【００１４】また、上記した手段によれば、半導体チッ
プの裏面側に金属板を接合したことにより、半導体チッ
プの裏面が成形金型（の下型）と直接接触しないため、
テープキャリアパッケージを成形金型から取り出す際、
半導体チップにクラックが生じることがない。
プの裏面側に金属板を接合したことにより、半導体チッ
プの裏面が成形金型（の下型）と直接接触しないため、
テープキャリアパッケージを成形金型から取り出す際、
半導体チップにクラックが生じることがない。
【００１５】また、上記した手段によれば、半導体チッ
プの裏面側に接合した金属板が放熱板として機能するた
め、熱抵抗の低いテープキャリアパッケージが得られ
る。
プの裏面側に接合した金属板が放熱板として機能するた
め、熱抵抗の低いテープキャリアパッケージが得られ
る。
【００１６】
【実施例】図１は、本発明の実施例であるテープキャリ
アパッケージ１０の要部を示す断面図である。
アパッケージ１０の要部を示す断面図である。
【００１７】ポリイミド樹脂のような耐熱性合成樹脂か
らなる絶縁フィルム１の一面には、複数本のリード２が
パターン形成されている。リード２の一端（インナーリ
ード部）は、絶縁フィルム１の中央に設けたデバイスホ
ール３の内側に延在し、他端側（図示せず）は、絶縁フ
ィルム１の外側に延在している。リード２は、絶縁フィ
ルム１の一面に接着したＣｕ箔をエッチングして形成し
たもので、その表面にはＡｕまたはＳｎのメッキが施さ
れている。
らなる絶縁フィルム１の一面には、複数本のリード２が
パターン形成されている。リード２の一端（インナーリ
ード部）は、絶縁フィルム１の中央に設けたデバイスホ
ール３の内側に延在し、他端側（図示せず）は、絶縁フ
ィルム１の外側に延在している。リード２は、絶縁フィ
ルム１の一面に接着したＣｕ箔をエッチングして形成し
たもので、その表面にはＡｕまたはＳｎのメッキが施さ
れている。
【００１８】デバイスホール３の内側には、所定の論理
ＬＳＩを形成した半導体チップ４が配置されており、こ
の半導体チップ４の素子形成面に設けられたボンディン
グパッド６とリード２とは、ボンディングパッド６上に
形成されたＡｕのバンプ電極５を介して電気的に接続さ
れている。
ＬＳＩを形成した半導体チップ４が配置されており、こ
の半導体チップ４の素子形成面に設けられたボンディン
グパッド６とリード２とは、ボンディングパッド６上に
形成されたＡｕのバンプ電極５を介して電気的に接続さ
れている。
【００１９】本実施例のテープキャリアパッケージ１０
は、半導体チップ４の裏面に図示しない接着剤を介して
金属板７が接合されている。この金属板７は、例えば厚
さ１００μｍ程度のＣｕ板で構成されている。
は、半導体チップ４の裏面に図示しない接着剤を介して
金属板７が接合されている。この金属板７は、例えば厚
さ１００μｍ程度のＣｕ板で構成されている。
【００２０】また、本実施例のテープキャリアパッケー
ジ１０は、半導体チップ４の表面側が樹脂８により封止
されているが、裏面側は、上記金属板７が露出したまま
の状態になっている。
ジ１０は、半導体チップ４の表面側が樹脂８により封止
されているが、裏面側は、上記金属板７が露出したまま
の状態になっている。
【００２１】上記テープキャリアパッケージ１０を製造
するには、まず常法により半導体チップ４のバンプ電極
５上にリード２の一端をギャングボンディング（一括ボ
ンディング）した後、半導体チップ４の裏面に金属板７
を接合する。あるいは、あらかじめ金属板７を接合して
からギャングボンディングを行ってもよい。
するには、まず常法により半導体チップ４のバンプ電極
５上にリード２の一端をギャングボンディング（一括ボ
ンディング）した後、半導体チップ４の裏面に金属板７
を接合する。あるいは、あらかじめ金属板７を接合して
からギャングボンディングを行ってもよい。
【００２２】次に、半導体チップ４を絶縁フィルム１と
共に成形金型（図示せず）に装着し、半導体チップ４の
表面側のみをトランスファモールド法で樹脂封止する。
共に成形金型（図示せず）に装着し、半導体チップ４の
表面側のみをトランスファモールド法で樹脂封止する。
【００２３】このように、本実施例によれば、次のよう
な効果を得ることができる。
な効果を得ることができる。
【００２４】(1).半導体チップ４をトランスファモール
ド法で樹脂封止する際、あらかじめ半導体チップ４の裏
面に金属板７を接合しておくことにより、この半導体チ
ップ４を成形金型に装着した時、成形金型（の下型）に
金属板７が密着するため、樹脂を注入した際に半導体チ
ップ４が揺動することがない。
ド法で樹脂封止する際、あらかじめ半導体チップ４の裏
面に金属板７を接合しておくことにより、この半導体チ
ップ４を成形金型に装着した時、成形金型（の下型）に
金属板７が密着するため、樹脂を注入した際に半導体チ
ップ４が揺動することがない。
【００２５】これにより、半導体チップ４を確実に封止
することができるので、テープキャリアパッケージ１０
の製造歩留りを向上させることができる。
することができるので、テープキャリアパッケージ１０
の製造歩留りを向上させることができる。
【００２６】(2).半導体チップ４をトランスファモール
ド法で樹脂封止する際、あらかじめ半導体チップ４の裏
面に金属板７を接合しておくことにより、半導体チップ
４の裏面と成形金型（の下型）とが直接接触しない。
ド法で樹脂封止する際、あらかじめ半導体チップ４の裏
面に金属板７を接合しておくことにより、半導体チップ
４の裏面と成形金型（の下型）とが直接接触しない。
【００２７】これにより、樹脂封止が完了したテープキ
ャリアパッケージ１０を成形金型から取り出す際、半導
体チップ４にクラックが生じることがないので、テープ
キャリアパッケージ１０の製造歩留りを向上させること
ができる。
ャリアパッケージ１０を成形金型から取り出す際、半導
体チップ４にクラックが生じることがないので、テープ
キャリアパッケージ１０の製造歩留りを向上させること
ができる。
【００２８】(3).半導体チップ４の表面側のみを樹脂封
止するので、超薄型のテープキャリアパッケージ１０を
提供することができる。
止するので、超薄型のテープキャリアパッケージ１０を
提供することができる。
【００２９】(4).半導体チップ４の裏面側に接合した金
属板７が放熱板として機能するため、熱抵抗の低いテー
プキャリアパッケージ１０が得られ、特に図２に示すよ
うに、複数のテープキャリアパッケージ１０を積層して
実装する場合の放熱特性を向上させることができる。
属板７が放熱板として機能するため、熱抵抗の低いテー
プキャリアパッケージ１０が得られ、特に図２に示すよ
うに、複数のテープキャリアパッケージ１０を積層して
実装する場合の放熱特性を向上させることができる。
【００３０】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることはいうまでもない。
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００３１】
【発明の効果】本願によって開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下の通りである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下の通りである。
【００３２】(1).本発明によれば、トランスファモール
ド法で半導体チップを樹脂封止するテープキャリアパッ
ケージの製造歩留りを向上させることができる。
ド法で半導体チップを樹脂封止するテープキャリアパッ
ケージの製造歩留りを向上させることができる。
【００３３】(2).本発明によれば、熱抵抗の低いテープ
キャリアパッケージを提供することができる。
キャリアパッケージを提供することができる。
【図１】本発明の実施例であるテープキャリアパッケー
ジの要部を示す断面図である。
ジの要部を示す断面図である。
【図２】本発明のテープキャリアパッケージを複数積層
した状態を示す要部断面図である。
した状態を示す要部断面図である。
１ 絶縁フィルム ２ リード ３ デバイスホール ４ 半導体チップ ５ バンプ電極 ６ ボンディングパッド ７ 金属板 ８ 樹脂 １０ テープキャリアパッケージ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 西田 隆文 東京都小平市上水本町５丁目22番１号 株 式会社日立マイコンシステム内 (72)発明者 市原 誠一 東京都小平市上水本町５丁目22番１号 株 式会社日立マイコンシステム内 (72)発明者 西 邦彦 東京都小平市上水本町５丁目20番１号 株 式会社日立製作所武蔵工場内 (72)発明者 下石 智明 東京都小平市上水本町５丁目20番１号 日 立超エル・エス・アイ・エンジニアリング 株式会社内 (72)発明者 川窪 浩 東京都小平市上水本町５丁目22番１号 株 式会社日立マイコンシステム内 (72)発明者 中村 寿雄 東京都小平市上水本町５丁目22番１号 株 式会社日立マイコンシステム内
Claims (2)
- 【請求項１】 絶縁フィルムの一面に形成したリードの
一端を前記絶縁フィルムに設けたデバイスホールの内側
に突出させ、前記デバイスホールの内側に配置した半導
体チップと前記リードの一端とをバンプ電極を介して電
気的に接続したテープキャリアパッケージ構造を有する
半導体集積回路装置であって、前記半導体チップの裏面
側に金属板を接合し、表面側のみを樹脂封止したことを
特徴とする半導体集積回路装置。 - 【請求項２】 絶縁フィルムの一面に形成したリードの
一端を前記絶縁フィルムに設けたデバイスホールの内側
に突出させ、前記デバイスホールの内側に配置した半導
体チップと前記リードの一端とをバンプ電極を介して電
気的に接続したテープキャリアパッケージ構造を有する
半導体集積回路装置の製造方法であって、あらかじめ前
記半導体チップの裏面側に金属板を接合した後、前記半
導体チップの表面側のみをトランスファモールド法によ
り樹脂封止することを特徴とする半導体集積回路装置の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4334342A JPH06181236A (ja) | 1992-12-15 | 1992-12-15 | 半導体集積回路装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4334342A JPH06181236A (ja) | 1992-12-15 | 1992-12-15 | 半導体集積回路装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06181236A true JPH06181236A (ja) | 1994-06-28 |
Family
ID=18276294
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4334342A Withdrawn JPH06181236A (ja) | 1992-12-15 | 1992-12-15 | 半導体集積回路装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06181236A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6342728B2 (en) | 1996-03-22 | 2002-01-29 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US7091620B2 (en) | 1996-03-22 | 2006-08-15 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
-
1992
- 1992-12-15 JP JP4334342A patent/JPH06181236A/ja not_active Withdrawn
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6342728B2 (en) | 1996-03-22 | 2002-01-29 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US6342726B2 (en) | 1996-03-22 | 2002-01-29 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US6353255B2 (en) | 1996-03-22 | 2002-03-05 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US6355975B2 (en) | 1996-03-22 | 2002-03-12 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US6355500B2 (en) | 1996-03-22 | 2002-03-12 | Hitachi. Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US6365439B2 (en) | 1996-03-22 | 2002-04-02 | Hitachi, Ltd. | Method of manufacturing a ball grid array type semiconductor package |
| SG87818A1 (en) * | 1996-03-22 | 2002-04-16 | Hitachi Ltd | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US6472727B2 (en) | 1996-03-22 | 2002-10-29 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US6521981B2 (en) | 1996-03-22 | 2003-02-18 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US6642083B2 (en) | 1996-03-22 | 2003-11-04 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US6664135B2 (en) | 1996-03-22 | 2003-12-16 | Renesas Technology Corporation | Method of manufacturing a ball grid array type semiconductor package |
| US6670215B2 (en) | 1996-03-22 | 2003-12-30 | Renesas Technology Corporation | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US7091620B2 (en) | 1996-03-22 | 2006-08-15 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US7420284B2 (en) | 1996-03-22 | 2008-09-02 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000307 |