JPH06177406A - 薄膜太陽電池およびその製法 - Google Patents
薄膜太陽電池およびその製法Info
- Publication number
- JPH06177406A JPH06177406A JP43A JP35046292A JPH06177406A JP H06177406 A JPH06177406 A JP H06177406A JP 43 A JP43 A JP 43A JP 35046292 A JP35046292 A JP 35046292A JP H06177406 A JPH06177406 A JP H06177406A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- thin film
- amorphous silicon
- solar cell
- type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/545—Microcrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/546—Polycrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 Ｉ層の膜中の水素量が低減されることによ
り、長波長側の分光感度特性が向上されてなる薄膜太陽
電池およびその製法を提供する。 【構成】 本発明の薄膜太陽電池は、ガラス基板１上
に、収集金属電極２と、薄膜多結晶Ｐ型シリコン層３、
アモルファスシリコンＩ層４、Ｎ型アモルファスシリコ
ンまたはＮ型微結晶を含むアモルファスシリコン層５か
らなるＰＩＮ層と、裏面電極６とがこの順で形成されて
なるものである。また、本発明の薄膜太陽電池の製法
は、ガラス基板１上に、収集金属電極２と、薄膜多結晶
Ｐ型シリコン層３、アモルファスシリコンＩ層４、Ｎ型
アモルファスシリコンまたはＮ型微結晶シリコンを含む
アモルファスシリコン層５からなるＰＩＮ層と、裏面電
極６とをこの順で形成するものである。
り、長波長側の分光感度特性が向上されてなる薄膜太陽
電池およびその製法を提供する。 【構成】 本発明の薄膜太陽電池は、ガラス基板１上
に、収集金属電極２と、薄膜多結晶Ｐ型シリコン層３、
アモルファスシリコンＩ層４、Ｎ型アモルファスシリコ
ンまたはＮ型微結晶を含むアモルファスシリコン層５か
らなるＰＩＮ層と、裏面電極６とがこの順で形成されて
なるものである。また、本発明の薄膜太陽電池の製法
は、ガラス基板１上に、収集金属電極２と、薄膜多結晶
Ｐ型シリコン層３、アモルファスシリコンＩ層４、Ｎ型
アモルファスシリコンまたはＮ型微結晶シリコンを含む
アモルファスシリコン層５からなるＰＩＮ層と、裏面電
極６とをこの順で形成するものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は安価なガラス基板上に形
成された大面積の薄膜太陽電池およびその製法に関す
る。
成された大面積の薄膜太陽電池およびその製法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来のアモルファスＰＩＮ型またはＮＩ
Ｐ型太陽電池においては、ガラス基板側に形成されるＰ
層またはＮ層に抵抗が高いアモルファスシリコンを用い
ているので、ガラス基板上に透明電極を形成することが
必要である。
Ｐ型太陽電池においては、ガラス基板側に形成されるＰ
層またはＮ層に抵抗が高いアモルファスシリコンを用い
ているので、ガラス基板上に透明電極を形成することが
必要である。
【０００３】この透明電極を用いると、透明電極を作製
する工程が必要であるばかりでなく、透明電極が酸化物
であることから、アモルファスシリコン成膜時に水素プ
ラズマとの反応から還元され透過率が低下する。その
上、還元物のＰ層中またはＮ層中への拡散という問題も
生ずる。このためＰ，Ｉ，Ｎ層またはＮ，Ｉ，Ｐ層のＩ
層の成膜温度を２５０℃以下に押さえる必要がある。
する工程が必要であるばかりでなく、透明電極が酸化物
であることから、アモルファスシリコン成膜時に水素プ
ラズマとの反応から還元され透過率が低下する。その
上、還元物のＰ層中またはＮ層中への拡散という問題も
生ずる。このためＰ，Ｉ，Ｎ層またはＮ，Ｉ，Ｐ層のＩ
層の成膜温度を２５０℃以下に押さえる必要がある。
【０００４】そしてこのことにより、Ｉ層の膜中の水素
量を低減することが妨げられる。その結果、長波長側の
分光感度特性の向上をはかることが困難となる。
量を低減することが妨げられる。その結果、長波長側の
分光感度特性の向上をはかることが困難となる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明はかかる従来技
術の問題点に鑑みなされたものであって、Ｉ層の膜中の
水素量が低減されることにより、長波長側の分光感度特
性が向上されてなる薄膜太陽電池およびその製法を提供
することを目的としている。
術の問題点に鑑みなされたものであって、Ｉ層の膜中の
水素量が低減されることにより、長波長側の分光感度特
性が向上されてなる薄膜太陽電池およびその製法を提供
することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の薄膜太陽電池の
第１の態様は、ガラス基板上に、収集金属電極と、薄膜
多結晶Ｐ型シリコン層、アモルファスシリコンＩ層、Ｎ
型アモルファスシリコンもしくはＮ型微結晶を含むアモ
ルファスシリコン層からなるＰＩＮ層と、裏面電極とが
この順で形成されてなることを特徴としている。
第１の態様は、ガラス基板上に、収集金属電極と、薄膜
多結晶Ｐ型シリコン層、アモルファスシリコンＩ層、Ｎ
型アモルファスシリコンもしくはＮ型微結晶を含むアモ
ルファスシリコン層からなるＰＩＮ層と、裏面電極とが
この順で形成されてなることを特徴としている。
【０００７】また、本発明の薄膜太陽電池の第２の態様
は、ガラス基板上に、収集金属電極と、薄膜多結晶Ｎ型
シリコン層、アモルファスシリコンＩ層、Ｐ型アモルフ
ァスシリコン層からなるＮＩＰ層と、裏面電極とがこの
順で形成されてなることを特徴としている。
は、ガラス基板上に、収集金属電極と、薄膜多結晶Ｎ型
シリコン層、アモルファスシリコンＩ層、Ｐ型アモルフ
ァスシリコン層からなるＮＩＰ層と、裏面電極とがこの
順で形成されてなることを特徴としている。
【０００８】本発明の薄膜太陽電池においては、前記収
集金属電極側に形成される前記Ｐ層またはＮ層の粒径が
２００Å以上で、かつ、その電気抵抗率が１０Ωｃｍ以
下であるのが好ましい。
集金属電極側に形成される前記Ｐ層またはＮ層の粒径が
２００Å以上で、かつ、その電気抵抗率が１０Ωｃｍ以
下であるのが好ましい。
【０００９】また、本発明の薄膜太陽電池においては、
前記収集金属電極側に形成される前記Ｐ層またはＮ層が
レーザーアニール法、またはプラズマＣＶＤ法による成
膜と水素プラズマ処理との繰り返しにより形成されてな
るのが好ましい。
前記収集金属電極側に形成される前記Ｐ層またはＮ層が
レーザーアニール法、またはプラズマＣＶＤ法による成
膜と水素プラズマ処理との繰り返しにより形成されてな
るのが好ましい。
【００１０】一方、本発明の薄膜太陽電池の製法の第１
の態様は、ガラス基板上に、収集金属電極と、薄膜多結
晶Ｐ型シリコン層、アモルファスシリコンＩ層、Ｎ型ア
モルファスシリコンもしくはＮ型微結晶を含むアモルフ
ァスシリコン層からなるＰＩＮ層と、裏面電極とをこの
順で形成することを特徴としている。
の態様は、ガラス基板上に、収集金属電極と、薄膜多結
晶Ｐ型シリコン層、アモルファスシリコンＩ層、Ｎ型ア
モルファスシリコンもしくはＮ型微結晶を含むアモルフ
ァスシリコン層からなるＰＩＮ層と、裏面電極とをこの
順で形成することを特徴としている。
【００１１】また、本発明の薄膜太陽電池の製法の第２
の態様は、ガラス基板上に、収集金属電極と、薄膜多結
晶Ｎ型シリコン層、アモルファスシリコンＩ層、Ｐ型ア
モルファスシリコンからなるＮＩＰ層と、裏面電極とを
この順で形成することを特徴としている。
の態様は、ガラス基板上に、収集金属電極と、薄膜多結
晶Ｎ型シリコン層、アモルファスシリコンＩ層、Ｐ型ア
モルファスシリコンからなるＮＩＰ層と、裏面電極とを
この順で形成することを特徴としている。
【００１２】本発明の薄膜太陽電池の製法においては、
前記収集金属電極側に形成される前記Ｐ層またはＮ層の
粒径を２００Å以上とし、かつその電気抵抗率を１０Ω
ｃｍ以下とするのが好ましい。
前記収集金属電極側に形成される前記Ｐ層またはＮ層の
粒径を２００Å以上とし、かつその電気抵抗率を１０Ω
ｃｍ以下とするのが好ましい。
【００１３】また、本発明の薄膜太陽電池の製法におい
ては、前記収集金属電極側に形成される前記Ｐ層または
Ｎ層をレーザーアニール法、またはプラズマＣＶＤ法に
よる成膜と水素プラズマ処理との繰り返しにより形成す
るのが好ましい。
ては、前記収集金属電極側に形成される前記Ｐ層または
Ｎ層をレーザーアニール法、またはプラズマＣＶＤ法に
よる成膜と水素プラズマ処理との繰り返しにより形成す
るのが好ましい。
【００１４】
【作用】本発明の薄膜太陽電池は、前記のごとく構成さ
れているので、Ｉ層の膜中の水素量が低減され、長波長
側の分光感度特性が向上するとともに、光劣化特性も改
善されている。
れているので、Ｉ層の膜中の水素量が低減され、長波長
側の分光感度特性が向上するとともに、光劣化特性も改
善されている。
【００１５】また、本発明の薄膜太陽電池の製法によれ
ば、Ｉ層の膜中の水素量が低減され、長波長側の分光感
度特性が向上するとともに、光劣化特性も改善されてい
る薄膜太陽電池を製造することができる。
ば、Ｉ層の膜中の水素量が低減され、長波長側の分光感
度特性が向上するとともに、光劣化特性も改善されてい
る薄膜太陽電池を製造することができる。
【００１６】
【実施例】以下、添付図面を参照しながら本発明を実施
例に基づいて説明するが、本発明はかかる実施例のみに
限定されるものではない。
例に基づいて説明するが、本発明はかかる実施例のみに
限定されるものではない。
【００１７】図１は本発明の第１の態様の一実施例の概
略図である。図において、１はガラス基板、２は収集金
属電極、３はＰ型シリコン層、４はアモルファスシリコ
ンＩ層、５はＮ型シリコン層、６は裏面電極を示す。こ
こで、Ｐ型シリコン層３には薄膜多結晶シリコンが用い
られ、Ｎ型シリコン５には、Ｎ型アモルファスシリコン
またはＮ型微結晶を含むアモルファスシリコンが用いら
れている。
略図である。図において、１はガラス基板、２は収集金
属電極、３はＰ型シリコン層、４はアモルファスシリコ
ンＩ層、５はＮ型シリコン層、６は裏面電極を示す。こ
こで、Ｐ型シリコン層３には薄膜多結晶シリコンが用い
られ、Ｎ型シリコン５には、Ｎ型アモルファスシリコン
またはＮ型微結晶を含むアモルファスシリコンが用いら
れている。
【００１８】本発明の薄膜太陽電池は、前記のごとく、
ガラス基板１上に、収集金属電極２、薄膜多結晶シリコ
ンＰ層３、アモルファスシリコンＩ層４、Ｎ型アモルフ
ァスシリコンまたはＮ型微結晶を含むアモルファスシリ
コン層５、裏面電極６がこの順で形成されてなるもので
ある。なお、図に示す例においては、半導体層は収集金
属電極２側からＰＩＮの順に形成されているが、形成順
はこれに限定されるものではなく、収集金属電極２の上
に形成される層が薄膜多結晶シリコンであればよい。従
って、Ｎ層５を薄膜多結晶シリコンとすれば、図２に示
すごとく、ＮＩＰの順に形成されてもよい。図２におい
て、３はＰ型アモルファスシリコンを示す。
ガラス基板１上に、収集金属電極２、薄膜多結晶シリコ
ンＰ層３、アモルファスシリコンＩ層４、Ｎ型アモルフ
ァスシリコンまたはＮ型微結晶を含むアモルファスシリ
コン層５、裏面電極６がこの順で形成されてなるもので
ある。なお、図に示す例においては、半導体層は収集金
属電極２側からＰＩＮの順に形成されているが、形成順
はこれに限定されるものではなく、収集金属電極２の上
に形成される層が薄膜多結晶シリコンであればよい。従
って、Ｎ層５を薄膜多結晶シリコンとすれば、図２に示
すごとく、ＮＩＰの順に形成されてもよい。図２におい
て、３はＰ型アモルファスシリコンを示す。
【００１９】ここで、薄膜多結晶Ｐ層３の粒径は２００
Å以上とされ、またその電流抵抗率が１０Ωcm以下とさ
れている。これは、透明電極を用いないことからＰ層３
の抵抗を低抵抗として、収集金属電極２との接触抵抗を
下げること、およびＰ層３中のキャリアの移動度を上げ
るためである。なお、ＮＩＰの順に形成されるときは、
Ｎ層５の抵抗率および粒径が前記の如く設定される。
Å以上とされ、またその電流抵抗率が１０Ωcm以下とさ
れている。これは、透明電極を用いないことからＰ層３
の抵抗を低抵抗として、収集金属電極２との接触抵抗を
下げること、およびＰ層３中のキャリアの移動度を上げ
るためである。なお、ＮＩＰの順に形成されるときは、
Ｎ層５の抵抗率および粒径が前記の如く設定される。
【００２０】このように本発明はかかる低抵抗のＰ層３
（またはＮ層５）を用いることにより透明電極が不要と
なる。また、本発明はこの低抵抗のＰ層３（またはＮ層
５）の形成方法にも特徴を有する。
（またはＮ層５）を用いることにより透明電極が不要と
なる。また、本発明はこの低抵抗のＰ層３（またはＮ層
５）の形成方法にも特徴を有する。
【００２１】このＰ層３（またはＮ層５）は、前述のご
とくガラス基板１上に形成された収集金属電極２上に形
成される。ここで、収集金属電極材料としては、例えば
Ａｌ，Ａｇ，Ｔｉ等が用いられる。また、収集金属電極
２の形態としては、光の吸収ロスを少なくする点からク
シ型が好ましい。
とくガラス基板１上に形成された収集金属電極２上に形
成される。ここで、収集金属電極材料としては、例えば
Ａｌ，Ａｇ，Ｔｉ等が用いられる。また、収集金属電極
２の形態としては、光の吸収ロスを少なくする点からク
シ型が好ましい。
【００２２】さらに、本発明においては、透明電極を形
成することなく、収集金属電極２が形成されているガラ
ス基板１上にＰ層３（またはＮ層５）を形成しているの
で、透明電極が形成されたガラス基板上にＰ層３（また
はＮ層５）を形成する場合に比較して、水素原子による
還元の問題を生じないので、Ｐ層３（またはＮ層５）の
形成が容易となる。
成することなく、収集金属電極２が形成されているガラ
ス基板１上にＰ層３（またはＮ層５）を形成しているの
で、透明電極が形成されたガラス基板上にＰ層３（また
はＮ層５）を形成する場合に比較して、水素原子による
還元の問題を生じないので、Ｐ層３（またはＮ層５）の
形成が容易となる。
【００２３】次に、Ｐ型薄膜多結晶シリコン３の形成方
法について説明する。このＰ型薄膜多結晶シリコン３の
形成方法は、大別して２つの方法がある。
法について説明する。このＰ型薄膜多結晶シリコン３の
形成方法は、大別して２つの方法がある。
【００２４】（１）プラズマＣＶＤ法によるアモルファ
スシリコンの成膜と、水素プラズマ処理の繰り返しによ
り、Ｐ型薄膜多結晶シリコン３を得る方法である。
スシリコンの成膜と、水素プラズマ処理の繰り返しによ
り、Ｐ型薄膜多結晶シリコン３を得る方法である。
【００２５】具体的には、ＲＦプラズマＣＶＤ法により
基板温度１５０℃〜５００℃にてボロンをドープしたａ
−Ｓｉ：Ｈを５Å〜５０Å程度成膜し、ついで、ＥＣＲ
水素プラズマ処理を１０秒〜６０秒行ない水素プラズマ
処理を行うものである。
基板温度１５０℃〜５００℃にてボロンをドープしたａ
−Ｓｉ：Ｈを５Å〜５０Å程度成膜し、ついで、ＥＣＲ
水素プラズマ処理を１０秒〜６０秒行ない水素プラズマ
処理を行うものである。
【００２６】この水素プラズマ処理における重要なポイ
ントは、基板表面に到達する水素原子フラックス量の調
整である。この水素フラックス量は、４×１０15ａｔｏ
ｍ／ｃｍ2 ・ｓｅｃ、好ましくは１×１０16ａｔｏｍ／
ｃｍ2 ・ｓｅｃ以上必要である。
ントは、基板表面に到達する水素原子フラックス量の調
整である。この水素フラックス量は、４×１０15ａｔｏ
ｍ／ｃｍ2 ・ｓｅｃ、好ましくは１×１０16ａｔｏｍ／
ｃｍ2 ・ｓｅｃ以上必要である。
【００２７】この成膜と水素プラズマ処理を繰り返すこ
とによりＰ型薄膜多結晶シリコン３を得る。この膜厚
は、５００Å〜５０００Å、好ましくは５００Å〜２０
００Åである。
とによりＰ型薄膜多結晶シリコン３を得る。この膜厚
は、５００Å〜５０００Å、好ましくは５００Å〜２０
００Åである。
【００２８】（２）レーザーアニール法によりＰ型薄膜
多結晶シリコン３を得る方法である。
多結晶シリコン３を得る方法である。
【００２９】具体的には、プラズマＣＶＤ法により、ボ
ロンをドープしたａ−Ｓｉ：Ｈを１００Å〜３０００Å
蒸着し、ついでエキシマレーザーを用いてエネルギー密
度を１００ｍＪ／ｃｍ2 〜４００ｍＪ／ｃｍ2 にて、ａ
−Ｓｉ：Ｈをレーザーアニールし再結晶化するものであ
る。ここで、エキシマレーザーとしては、ＫｒＦ，Ａｒ
Ｆ，ＸｅＣｌ，Ｆ2 が用いられる。また、レーザーアニ
ールの際、基板温度は室温から５００℃とされる。
ロンをドープしたａ−Ｓｉ：Ｈを１００Å〜３０００Å
蒸着し、ついでエキシマレーザーを用いてエネルギー密
度を１００ｍＪ／ｃｍ2 〜４００ｍＪ／ｃｍ2 にて、ａ
−Ｓｉ：Ｈをレーザーアニールし再結晶化するものであ
る。ここで、エキシマレーザーとしては、ＫｒＦ，Ａｒ
Ｆ，ＸｅＣｌ，Ｆ2 が用いられる。また、レーザーアニ
ールの際、基板温度は室温から５００℃とされる。
【００３０】なお、半導体層をＮＩＰの順に形成すると
きは、Ｎ層５を前記と同様の方法にて形成する。この場
合、ａ−Ｓｉ：Ｈにボロンに代えてリンをドープする。
きは、Ｎ層５を前記と同様の方法にて形成する。この場
合、ａ−Ｓｉ：Ｈにボロンに代えてリンをドープする。
【００３１】次に、Ｐ層３成膜後にＩ層４を成膜する
が、Ｉ層４は通常の方法にてａ−Ｓｉ：ＨのＩ層４が形
成される。
が、Ｉ層４は通常の方法にてａ−Ｓｉ：ＨのＩ層４が形
成される。
【００３２】その際の基板温度としては、アモルファス
のＰ層を用いたり、透明電極を用いた場合には、Ｐ層中
のボロンの拡散、透明電極の拡散により２５０℃以下に
限定されるが、Ｐ層３に薄膜多結晶シリコンを用い、し
かも透明電極を形成しない場合には、５５０℃までの成
膜が可能である。
のＰ層を用いたり、透明電極を用いた場合には、Ｐ層中
のボロンの拡散、透明電極の拡散により２５０℃以下に
限定されるが、Ｐ層３に薄膜多結晶シリコンを用い、し
かも透明電極を形成しない場合には、５５０℃までの成
膜が可能である。
【００３３】Ｉ層４はプラズマＣＶＤ法にて、基板温度
を２００℃〜４５０℃、一般的には２５０℃〜４５０
℃、好ましくは２００℃〜４００℃にて成膜される。
を２００℃〜４５０℃、一般的には２５０℃〜４５０
℃、好ましくは２００℃〜４００℃にて成膜される。
【００３４】Ｎ層５の形成は、Ｎ型のａ−Ｓｉ：Ｈまた
は微結晶シリコンを含むＮ型のａ−Ｓｉ：Ｈにより形成
される。
は微結晶シリコンを含むＮ型のａ−Ｓｉ：Ｈにより形成
される。
【００３５】最後に裏面電極６が形成されて、太陽電池
が完成される。
が完成される。
【００３６】ここで注目すべき点として、薄膜多結晶Ｐ
層シリコン３上に形成したＩ層４のアモルファスシリコ
ンは、特に界面にて結晶上の成長であることから水素量
が少なく高品質のアモルファスシリコンが形成される。
そのため、太陽電池の光劣化特性を向上させる上で重要
なＰ／Ｉ界面での光劣化の小さなアモルファスシリコン
が形成可能となる。
層シリコン３上に形成したＩ層４のアモルファスシリコ
ンは、特に界面にて結晶上の成長であることから水素量
が少なく高品質のアモルファスシリコンが形成される。
そのため、太陽電池の光劣化特性を向上させる上で重要
なＰ／Ｉ界面での光劣化の小さなアモルファスシリコン
が形成可能となる。
【００３７】なお、半導体層をＮＩＰの順に形成したと
きも、同様の理由により光劣化の小さなアモルファスシ
リコンが形成可能となる。
きも、同様の理由により光劣化の小さなアモルファスシ
リコンが形成可能となる。
【００３８】以下、より具体的な実施例に基づいて、本
発明をより詳細に説明する。
発明をより詳細に説明する。
【００３９】実施例１ Ａｌの収集金属電極２が形成されたガラス基板１上に、
ＲＦプラズマＣＶＤ法によるＰ型ａ−Ｓｉ：Ｈ膜の成膜
とＥＣＲ水素プラズマ処理の繰り返しにより薄膜多結晶
Ｐ型シリコン膜３を形成した。
ＲＦプラズマＣＶＤ法によるＰ型ａ−Ｓｉ：Ｈ膜の成膜
とＥＣＲ水素プラズマ処理の繰り返しにより薄膜多結晶
Ｐ型シリコン膜３を形成した。
【００４０】ＲＦプラズマＣＶＤ法による成膜は、基板
温度２５０℃、ＳｉＨ4 ＝２０ＳＣＣＭ、Ｈ2 ＝２００
ＳＣＣＭ、Ｂ2 Ｈ6 （１０００ｐｐｍに希釈したもの）
＝２ＳＣＣＭ、反応室圧力０．５Ｔｏｒｒ、ＲＦパワー
密度３０ｍＷ／ｃｍ2 にて４０秒間行った。これにより
得られた膜厚は２０Åである。
温度２５０℃、ＳｉＨ4 ＝２０ＳＣＣＭ、Ｈ2 ＝２００
ＳＣＣＭ、Ｂ2 Ｈ6 （１０００ｐｐｍに希釈したもの）
＝２ＳＣＣＭ、反応室圧力０．５Ｔｏｒｒ、ＲＦパワー
密度３０ｍＷ／ｃｍ2 にて４０秒間行った。これにより
得られた膜厚は２０Åである。
【００４１】ついでＥＣＲ水素プラズマ処理を行う。こ
の処理は、Ｈ2 ＝２００ＳＣＣＭ、反応室圧力２０ｍＴ
ｏｒｒ、ＥＣＲパワー４５０Ｗにて３０秒間行った。こ
のとき基板１に到達している水素原子フラックスは、１
×１０16ａｔｏｍ／ｃｍ2 ・ｓｅｃ以上であった。
の処理は、Ｈ2 ＝２００ＳＣＣＭ、反応室圧力２０ｍＴ
ｏｒｒ、ＥＣＲパワー４５０Ｗにて３０秒間行った。こ
のとき基板１に到達している水素原子フラックスは、１
×１０16ａｔｏｍ／ｃｍ2 ・ｓｅｃ以上であった。
【００４２】このＲＦプラズマによる成膜とＥＣＲ水素
プラズマ処理を６０回繰り返して、膜厚１０００ÅのＰ
型多結晶シリコン薄膜３を得た。
プラズマ処理を６０回繰り返して、膜厚１０００ÅのＰ
型多結晶シリコン薄膜３を得た。
【００４３】次に、このＰ型シリコン膜３を真空中にて
搬送し、Ｉ層４のアモルファスシリコン膜をプラズマＣ
ＶＤ法にて形成した。
搬送し、Ｉ層４のアモルファスシリコン膜をプラズマＣ
ＶＤ法にて形成した。
【００４４】成膜は、ＳｉＨ4 ＝２０ＳＣＣＭ、基板温
度２５０℃、反応室圧力０．２Ｔｏｒｒ、ＲＦパワー密
度２０ｍＷ／ｃｍ2 にて行い、膜厚を４０００Åとし
た。
度２５０℃、反応室圧力０．２Ｔｏｒｒ、ＲＦパワー密
度２０ｍＷ／ｃｍ2 にて行い、膜厚を４０００Åとし
た。
【００４５】Ｎ層５も同様にプラズマＣＶＤ法にて形成
した。成膜は、基板温度２７０℃、反応室圧力１Ｔｏｒ
ｒ、ＳｉＨ4 ＝１０ＳＣＣＭ、ＰＨ3（１０００ｐｐｍ
に希釈したもの）＝１００ＳＣＣＭ、Ｈ2 ＝２００ＳＣ
ＣＭ、ＲＦパワー密度０．２Ｗ／ｃｍ2 にて行い、膜厚
を２５０Åとした。
した。成膜は、基板温度２７０℃、反応室圧力１Ｔｏｒ
ｒ、ＳｉＨ4 ＝１０ＳＣＣＭ、ＰＨ3（１０００ｐｐｍ
に希釈したもの）＝１００ＳＣＣＭ、Ｈ2 ＝２００ＳＣ
ＣＭ、ＲＦパワー密度０．２Ｗ／ｃｍ2 にて行い、膜厚
を２５０Åとした。
【００４６】このＮ層５上に、ＺｎＯ薄膜８００Åおよ
びＡｌ薄膜１０００Åからなる複合電極（裏面電極）６
を形成して太陽電池を完成させた。
びＡｌ薄膜１０００Åからなる複合電極（裏面電極）６
を形成して太陽電池を完成させた。
【００４７】この太陽電池の特性は、３ｍｍ角にて、Ｊ
sc＝１５．８４ｍＡ／ｃｍ2 、Ｖoc＝０．８５Ｖ、ＦＦ
＝５８．３８％、効率＝７．８％であった。
sc＝１５．８４ｍＡ／ｃｍ2 、Ｖoc＝０．８５Ｖ、ＦＦ
＝５８．３８％、効率＝７．８％であった。
【００４８】実施例２ Ａｇの収集金属電極２が形成されたガラス基板１上に、
ＲＦプラズマＣＶＤ法によりＰ型のａ−Ｓｉ：Ｈ膜を膜
厚７００Åで形成した。
ＲＦプラズマＣＶＤ法によりＰ型のａ−Ｓｉ：Ｈ膜を膜
厚７００Åで形成した。
【００４９】成膜条件は、ＳｉＨ4 ＝２０ＳＣＣＭ、Ｂ
2Ｈ6（１０００ｐｐｍに希釈したもの）＝２ＳＣＣＭ、
反応室圧力０．１Ｔｏｒｒ、基板温度３５０℃、ＲＦパ
ワー密度５０ｍＷ／ｃｍ2 とした。
2Ｈ6（１０００ｐｐｍに希釈したもの）＝２ＳＣＣＭ、
反応室圧力０．１Ｔｏｒｒ、基板温度３５０℃、ＲＦパ
ワー密度５０ｍＷ／ｃｍ2 とした。
【００５０】ついで、真空中でエキシマーレーザーを用
い、基板温度３５０℃にてレーザーアニールを行った。
エキシマーレーザーとしては、波長２４８ｎｍのＫｒＦ
を用い、そしてエネルギー密度を２５０ｍＪ／ｃｍ2 と
した。この処理によりＰ型多結晶シリコン薄膜３を得
た。
い、基板温度３５０℃にてレーザーアニールを行った。
エキシマーレーザーとしては、波長２４８ｎｍのＫｒＦ
を用い、そしてエネルギー密度を２５０ｍＪ／ｃｍ2 と
した。この処理によりＰ型多結晶シリコン薄膜３を得
た。
【００５１】得られた膜３を真空中に保持した状態に
て、Ｉ層４、Ｎ層５、裏面電極６を実施例１と同様の方
法により形成し、太陽電池を完成させた。
て、Ｉ層４、Ｎ層５、裏面電極６を実施例１と同様の方
法により形成し、太陽電池を完成させた。
【００５２】この太陽電池特性は、３ｍｍ角にて、Ｊsc
＝１６．０１ｍＡ／ｃｍ2 、Ｖoc＝０．８６６Ｖ、ＦＦ
＝６７．７３％、効率＝９．３９％であった。
＝１６．０１ｍＡ／ｃｍ2 、Ｖoc＝０．８６６Ｖ、ＦＦ
＝６７．７３％、効率＝９．３９％であった。
【００５３】比較例１ Ａｌの収集金属電極が形成されたガラス基板上にＲＦプ
ラズマＣＶＤ法によりＰ型のａ−Ｓｉ：Ｈ膜を、膜厚１
０００Åで形成した。
ラズマＣＶＤ法によりＰ型のａ−Ｓｉ：Ｈ膜を、膜厚１
０００Åで形成した。
【００５４】成膜条件は、基板温度２５０℃、ＳｉＨ4
＝２０ＳＣＣＭ、Ｈ2 ＝２５０ＳＣＣＭ、Ｂ2Ｈ6（１０
００ｐｐｍに希釈したもの）＝２ＳＣＣＭ、反応室圧力
０．５Ｔｏｒｒ、ＲＦパワー密度３０ｍＷ／ｃｍ2 とし
た。
＝２０ＳＣＣＭ、Ｈ2 ＝２５０ＳＣＣＭ、Ｂ2Ｈ6（１０
００ｐｐｍに希釈したもの）＝２ＳＣＣＭ、反応室圧力
０．５Ｔｏｒｒ、ＲＦパワー密度３０ｍＷ／ｃｍ2 とし
た。
【００５５】ついで、実施例１と同様に、Ｉ層、Ｎ層、
裏面電極を形成して太陽電池を完成させた。
裏面電極を形成して太陽電池を完成させた。
【００５６】得られた太陽電池の特性は、３ｍｍ角に
て、Ｊsc＝１０．２２ｍＡ／ｃｍ2 、Ｖoc＝０．８０１
Ｖ、ＦＦ＝２４．３７％、効率＝１．９９％であった。
特にＦＦが悪いのはＰ層がアモルファスであるため抵抗
が高いためと考えられる。
て、Ｊsc＝１０．２２ｍＡ／ｃｍ2 、Ｖoc＝０．８０１
Ｖ、ＦＦ＝２４．３７％、効率＝１．９９％であった。
特にＦＦが悪いのはＰ層がアモルファスであるため抵抗
が高いためと考えられる。
【００５７】実施例３ Ａｌの収集金属電極２が形成されたガラス基板１上に、
ＲＦプラズマＣＶＤ法によるＮ型ａ−Ｓｉ：Ｈ膜の成膜
とＥＣＲ水素プラズマ処理の繰り返しにより薄膜多結晶
Ｎ型シリコン膜５を形成した。
ＲＦプラズマＣＶＤ法によるＮ型ａ−Ｓｉ：Ｈ膜の成膜
とＥＣＲ水素プラズマ処理の繰り返しにより薄膜多結晶
Ｎ型シリコン膜５を形成した。
【００５８】ＲＦプラズマＣＶＤ法による成膜は、基板
温度２５０℃、ＳｉＨ4 ＝２０ＳＣＣＭ、Ｈ2 ＝２００
ＳＣＣＭ、ＰＨ3（１０００ｐｐｍに希釈したもの）＝
２ＳＣＣＭ、反応室圧力０．５Ｔｏｒｒ、ＲＦパワー密
度３０ｍＷ／ｃｍ2 にて４０秒間行った。これにより得
られた膜厚は２０Åである。
温度２５０℃、ＳｉＨ4 ＝２０ＳＣＣＭ、Ｈ2 ＝２００
ＳＣＣＭ、ＰＨ3（１０００ｐｐｍに希釈したもの）＝
２ＳＣＣＭ、反応室圧力０．５Ｔｏｒｒ、ＲＦパワー密
度３０ｍＷ／ｃｍ2 にて４０秒間行った。これにより得
られた膜厚は２０Åである。
【００５９】ついでＥＣＲ水素プラズマ処理を行う。こ
の処理は、Ｈ2 ＝２００ＳＣＣＭ、反応室圧力２０ｍＴ
ｏｒｒ、ＥＣＲパワー４５０Ｗにて３０秒間行った。こ
のとき基板１に到達している水素原子フラックスは、１
×１０16ａｔｏｍ／ｃｍ2 ・ｓｅｃ以上であった。
の処理は、Ｈ2 ＝２００ＳＣＣＭ、反応室圧力２０ｍＴ
ｏｒｒ、ＥＣＲパワー４５０Ｗにて３０秒間行った。こ
のとき基板１に到達している水素原子フラックスは、１
×１０16ａｔｏｍ／ｃｍ2 ・ｓｅｃ以上であった。
【００６０】このＲＦプラズマによる成膜とＥＣＲ水素
プラズマ処理を６０回繰り返して、膜厚１０００ÅのＮ
型多結晶シリコン薄膜５を得た。
プラズマ処理を６０回繰り返して、膜厚１０００ÅのＮ
型多結晶シリコン薄膜５を得た。
【００６１】次に、このＮ型シリコン膜５を真空中にて
搬送し、Ｉ層４のアモルファスシリコン膜をプラズマＣ
ＶＤ法にて形成した。
搬送し、Ｉ層４のアモルファスシリコン膜をプラズマＣ
ＶＤ法にて形成した。
【００６２】成膜は、ＳｉＨ4 ＝２０ＳＣＣＭ、基板温
度３５０℃、反応室圧力０．２Ｔｏｒｒ、ＲＦパワー密
度２０ｍＷ／ｃｍ2 にて行い、膜厚を４０００Åとし
た。
度３５０℃、反応室圧力０．２Ｔｏｒｒ、ＲＦパワー密
度２０ｍＷ／ｃｍ2 にて行い、膜厚を４０００Åとし
た。
【００６３】Ｐ層３も同様にプラズマＣＶＤ法にて形成
した。成膜は、基板温度２００℃、反応室圧力１Ｔｏｒ
ｒ、ＳｉＨ4 ＝１０ＳＣＣＭ、Ｂ2Ｈ6（１０００ｐｐｍ
に希釈したもの）＝１００ＳＣＣＭ、Ｈ2 ＝２００ＳＣ
ＣＭ、ＲＦパワー密度０．２Ｗ／ｃｍ2 にて行い、膜厚
を２５０Åとした。
した。成膜は、基板温度２００℃、反応室圧力１Ｔｏｒ
ｒ、ＳｉＨ4 ＝１０ＳＣＣＭ、Ｂ2Ｈ6（１０００ｐｐｍ
に希釈したもの）＝１００ＳＣＣＭ、Ｈ2 ＝２００ＳＣ
ＣＭ、ＲＦパワー密度０．２Ｗ／ｃｍ2 にて行い、膜厚
を２５０Åとした。
【００６４】このＰ層３上に、ＺｎＯ薄膜８００Åおよ
びＡｌ薄膜１０００Åからなる複合電極（裏面電極）６
を形成して太陽電池を完成させた。
びＡｌ薄膜１０００Åからなる複合電極（裏面電極）６
を形成して太陽電池を完成させた。
【００６５】この太陽電池の特性は、３ｍｍ角にて、Ｊ
sc＝１６．５２ｍＡ／ｃｍ2 、Ｖoc＝０．８４Ｖ、ＦＦ
＝６８．０％、効率＝９．４４％であった。
sc＝１６．５２ｍＡ／ｃｍ2 、Ｖoc＝０．８４Ｖ、ＦＦ
＝６８．０％、効率＝９．４４％であった。
【００６６】実施例４ Ａｇの収集金属電極２が形成されたガラス基板１上に、
ＲＦプラズマＣＶＤ法によりＮ型のａ−Ｓｉ：Ｈ膜を膜
厚１０００Åで形成した。
ＲＦプラズマＣＶＤ法によりＮ型のａ−Ｓｉ：Ｈ膜を膜
厚１０００Åで形成した。
【００６７】成膜条件は、ＳｉＨ4 ＝２０ＳＣＣＭ、Ｐ
Ｈ3（１０００ｐｐｍに希釈したもの）＝２ＳＣＣＭ、
反応室圧力０．１Ｔｏｒｒ、基板温度４００℃、ＲＦパ
ワー密度５０ｍＷ／ｃｍ2 とした。
Ｈ3（１０００ｐｐｍに希釈したもの）＝２ＳＣＣＭ、
反応室圧力０．１Ｔｏｒｒ、基板温度４００℃、ＲＦパ
ワー密度５０ｍＷ／ｃｍ2 とした。
【００６８】ついで、真空中でエキシマーレーザーを用
い、基板温度４００℃にてレーザーアニールを行った。
エキシマーレーザーとしては、波長２４８ｎｍのＫｒＦ
を用い、そしてエネルギー密度を２５０ｍＪ／ｃｍ2 と
した。この処理によりＮ型多結晶シリコン薄膜５を得
た。
い、基板温度４００℃にてレーザーアニールを行った。
エキシマーレーザーとしては、波長２４８ｎｍのＫｒＦ
を用い、そしてエネルギー密度を２５０ｍＪ／ｃｍ2 と
した。この処理によりＮ型多結晶シリコン薄膜５を得
た。
【００６９】得られた膜５を真空中に保持した状態に
て、Ｉ層４、Ｐ層３、裏面電極６を実施例１と同様の方
法により形成し、太陽電池を完成させた。
て、Ｉ層４、Ｐ層３、裏面電極６を実施例１と同様の方
法により形成し、太陽電池を完成させた。
【００７０】この太陽電池特性は、３ｍｍ角にて、Ｊsc
＝１７．５２ｍＡ／ｃｍ2 、Ｖoc＝０．８５３Ｖ、ＦＦ
＝７５．５２％、効率＝１１．２９％であった。
＝１７．５２ｍＡ／ｃｍ2 、Ｖoc＝０．８５３Ｖ、ＦＦ
＝７５．５２％、効率＝１１．２９％であった。
【００７１】比較例２ Ａｌの収集金属電極が形成されたガラス基板上にＲＦプ
ラズマＣＶＤ法によりＮ型のａ−Ｓｉ：Ｈ膜を、膜厚１
０００Åで形成した。
ラズマＣＶＤ法によりＮ型のａ−Ｓｉ：Ｈ膜を、膜厚１
０００Åで形成した。
【００７２】成膜条件は、基板温度２５０℃、ＳｉＨ4
＝２０ＳＣＣＭ、Ｈ2 ＝２５０ＳＣＣＭ、ＰＨ3（１０
００ｐｐｍに希釈したもの）＝２ＳＣＣＭ、反応室圧力
０．５Ｔｏｒｒ、ＲＦパワー密度３０ｍＷ／ｃｍ2 とし
た。
＝２０ＳＣＣＭ、Ｈ2 ＝２５０ＳＣＣＭ、ＰＨ3（１０
００ｐｐｍに希釈したもの）＝２ＳＣＣＭ、反応室圧力
０．５Ｔｏｒｒ、ＲＦパワー密度３０ｍＷ／ｃｍ2 とし
た。
【００７３】ついで、実施例１と同様に、Ｉ層、Ｐ層、
裏面電極を形成して太陽電池を完成させた。
裏面電極を形成して太陽電池を完成させた。
【００７４】得られた太陽電池の特性は、３ｍｍ角に
て、Ｊsc＝８．５０ｍＡ／ｃｍ2 、Ｖoc＝０．７５Ｖ、
ＦＦ＝２０．３２％、効率＝１．３０％であった。特に
ＦＦが悪いのはＮ層がアモルファスであるため抵抗が高
いためと考えられる。
て、Ｊsc＝８．５０ｍＡ／ｃｍ2 、Ｖoc＝０．７５Ｖ、
ＦＦ＝２０．３２％、効率＝１．３０％であった。特に
ＦＦが悪いのはＮ層がアモルファスであるため抵抗が高
いためと考えられる。
【００７５】比較例３ ＴＣＯが形成されたガラス基板上にＲＦプラズマＣＶＤ
法により、Ｐ型のａ−ＳｉＣ：Ｈを１５０Å形成した。
法により、Ｐ型のａ−ＳｉＣ：Ｈを１５０Å形成した。
【００７６】成膜条件は、基板温度２５０℃、ＳｉＨ4
＝２０ＳＣＣＭ、Ｈ2 ＝２５０ＳＣＣＭ、Ｂ2 Ｈ6 （１
０００ｐｐｍに希釈したもの）＝２０ＳＣＣＭ、反応室
圧力１Ｔｏｒｒ、ＲＦパワー密度２０ｍＷ／ｃｍ2 とし
た。
＝２０ＳＣＣＭ、Ｈ2 ＝２５０ＳＣＣＭ、Ｂ2 Ｈ6 （１
０００ｐｐｍに希釈したもの）＝２０ＳＣＣＭ、反応室
圧力１Ｔｏｒｒ、ＲＦパワー密度２０ｍＷ／ｃｍ2 とし
た。
【００７７】ついで実施例１と同様にＩ層、Ｎ層、裏面
電極を形成して太陽電池を完成させた。
電極を形成して太陽電池を完成させた。
【００７８】得られた太陽電池の特性は３ｍｍ角にて、
Ｊsc＝１７．５２ｍＡ／ｃｍ2 、Ｖoc＝０．８５３Ｖ、
ＦＦ＝７５．５２％、効率＝１１．２９％であった。
Ｊsc＝１７．５２ｍＡ／ｃｍ2 、Ｖoc＝０．８５３Ｖ、
ＦＦ＝７５．５２％、効率＝１１．２９％であった。
【００７９】比較例４ ＴＣＯが形成されたガラス基板上に比較例３と同様にし
てＰ層を形成した。
てＰ層を形成した。
【００８０】次に３５０℃にてＩ層を形成し、Ｎ層、裏
面電極を比較例３と同様にして形成し、太陽電池を完成
させた。
面電極を比較例３と同様にして形成し、太陽電池を完成
させた。
【００８１】得られた太陽電池の特性は３ｍｍ角にて、
Ｊsc＝１３．７２ｍＡ／ｃｍ2 、Ｖoc＝０．６７５Ｖ、
ＦＦ＝５９．５３％、効率＝５．５１％であった。
Ｊsc＝１３．７２ｍＡ／ｃｍ2 、Ｖoc＝０．６７５Ｖ、
ＦＦ＝５９．５３％、効率＝５．５１％であった。
【００８２】実施例１〜４および比較例１〜４の太陽電
池を、５００時間ＡＭ１．５（１００ｍＷ）のソーラシ
ミュレータにより光劣化させた時の特性調べた。結果を
初期特性とともに表１に示した。
池を、５００時間ＡＭ１．５（１００ｍＷ）のソーラシ
ミュレータにより光劣化させた時の特性調べた。結果を
初期特性とともに表１に示した。
【００８３】表１より、Ｉ層を３５０℃にて成膜した実
施例３、４、比較例３は光劣化が少なくなっていること
がわかる。
施例３、４、比較例３は光劣化が少なくなっていること
がわかる。
【００８４】また比較例３と実施例３、４とで初期特性
が大きく異なるのは、実施例３、４はＮ層の抵抗が低
く、透明電極（ＴＣＯ）が必要でないため、Ｉ層の高温
成膜におけるＴＣＯの劣化による悪影響がないためと推
察される。
が大きく異なるのは、実施例３、４はＮ層の抵抗が低
く、透明電極（ＴＣＯ）が必要でないため、Ｉ層の高温
成膜におけるＴＣＯの劣化による悪影響がないためと推
察される。
【００８５】
【表１】
【００８６】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明の薄膜
太陽電池は、透明電極が形成されていないにもかかわら
ず、効率が高いものである。また、光劣化特性も改善さ
れているものである。
太陽電池は、透明電極が形成されていないにもかかわら
ず、効率が高いものである。また、光劣化特性も改善さ
れているものである。
【００８７】一方、本発明の太陽電池の製法によれば、
透明電極を形成することなく、効率の高く、また光劣化
特性も改善された薄膜太陽電池を得ることができる。
透明電極を形成することなく、効率の高く、また光劣化
特性も改善された薄膜太陽電池を得ることができる。
【図１】本発明の第１の態様の一実施例の概略図であ
る。
る。
【図２】本発明の第２の態様の一実施例の概略図であ
る。
る。
１ ガラス基板 ２ 収集金属電極 ３ Ｐ型シリコン層 ４ アモルファスシリコンＩ層 ５ Ｎ型シリコン層 ６ 裏面電極
Claims (8)
- 【請求項１】 ガラス基板上に、収集金属電極と、薄膜
多結晶Ｐ型シリコン層、アモルファスシリコンＩ層、Ｎ
型アモルファスシリコンもしくはＮ型微結晶を含むアモ
ルファスシリコン層からなるＰＩＮ層と、裏面電極とが
この順で形成されてなることを特徴とする薄膜太陽電
池。 - 【請求項２】 ガラス基板上に、収集金属電極と、薄膜
多結晶Ｎ型シリコン層、アモルファスシリコンＩ層、Ｐ
型アモルファスシリコン層からなるＮＩＰ層と、裏面電
極とがこの順で形成されてなることを特徴とする薄膜太
陽電池。 - 【請求項３】 前記収集金属電極側に形成される前記Ｐ
層またはＮ層の粒径が２００Å以上で、かつ、その電気
抵抗率が１０Ωｃｍ以下であることを特徴とする請求項
１または２記載の薄膜太陽電池。 - 【請求項４】 前記収集金属電極側に形成される前記Ｐ
層またはＮ層がレーザーアニール法、またはプラズマＣ
ＶＤ法による成膜と水素プラズマ処理との繰り返しによ
り形成されてなることを特徴とする請求項１、２または
３記載の薄膜太陽電池。 - 【請求項５】 ガラス基板上に、収集金属電極と、薄膜
多結晶Ｐ型シリコン層、アモルファスシリコンＩ層、Ｎ
型アモルファスシリコンもしくはＮ型微結晶を含むアモ
ルファスシリコン層からなるＰＩＮ層と、裏面電極とを
この順で形成することを特徴とする薄膜太陽電池の製
法。 - 【請求項６】 ガラス基板上に、収集金属電極と、薄膜
多結晶Ｎ型シリコン層、アモルファスシリコンＩ層、Ｐ
型アモルファスシリコン層からなるＮＩＰ層と、裏面電
極とをこの順で形成することを特徴とする薄膜太陽電池
の製法。 - 【請求項７】 前記収集金属電極側に形成される前記Ｐ
層またはＮ層の粒径を２００Å以上とし、かつその電気
抵抗率を１０Ωｃｍ以下とすることを特徴とする請求項
５または６記載の薄膜太陽電池の製法。 - 【請求項８】 前記収集金属電極側に形成される前記Ｐ
層またはＮ層をレーザーアニール法、またはプラズマＣ
ＶＤ法による成膜と水素プラズマ処理との繰り返しによ
り形成することを特徴とする請求項５、６または７記載
の薄膜太陽電池の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP43A JPH06177406A (ja) | 1992-12-02 | 1992-12-02 | 薄膜太陽電池およびその製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP43A JPH06177406A (ja) | 1992-12-02 | 1992-12-02 | 薄膜太陽電池およびその製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06177406A true JPH06177406A (ja) | 1994-06-24 |
Family
ID=18410660
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP43A Pending JPH06177406A (ja) | 1992-12-02 | 1992-12-02 | 薄膜太陽電池およびその製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06177406A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010258102A (ja) * | 2009-04-22 | 2010-11-11 | Serubakku:Kk | 光電変換デバイスの製造方法、光電変換デバイス製造装置および光電変換デバイス |
-
1992
- 1992-12-02 JP JP43A patent/JPH06177406A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010258102A (ja) * | 2009-04-22 | 2010-11-11 | Serubakku:Kk | 光電変換デバイスの製造方法、光電変換デバイス製造装置および光電変換デバイス |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1650812B1 (en) | Method for making a silicon based thin film solar cell | |
| JPH05243596A (ja) | 積層型太陽電池の製造方法 | |
| JPH0370183A (ja) | 光起電力素子 | |
| KR100659044B1 (ko) | 산화아연 박막을 가지는 태양전지 및 그 제조 방법 | |
| JPH0878659A (ja) | 半導体デバイス及びその製造方法 | |
| JP4032610B2 (ja) | 非単結晶薄膜太陽電池の製造方法 | |
| JP2003282458A (ja) | 半導体素子及びその製造方法 | |
| JPWO2005109526A1 (ja) | 薄膜光電変換装置 | |
| JP3792376B2 (ja) | シリコン系薄膜光電変換装置 | |
| JP3623520B2 (ja) | 薄膜太陽電池の製法 | |
| JP3510443B2 (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| JP4215697B2 (ja) | 光電変換装置およびその製造方法 | |
| JPH06177406A (ja) | 薄膜太陽電池およびその製法 | |
| JP2698115B2 (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| JP3364137B2 (ja) | シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法 | |
| JP2001168363A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| JP3933334B2 (ja) | シリコン系薄膜光電変換装置とその製造方法 | |
| JP3695923B2 (ja) | 透明電極基板及びその作製方法並びに光起電力素子の製造方法 | |
| JPH0927627A (ja) | 薄膜太陽電池およびその製造方法 | |
| JP4124309B2 (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| JP2822358B2 (ja) | 薄膜太陽電池の製造方法 | |
| JP4098386B2 (ja) | 薄膜シリコン系光電変換装置とその製造方法 | |
| JP4215694B2 (ja) | 光電変換装置およびその製造方法 | |
| JP3158028B2 (ja) | 太陽電池及びその製造方法 | |
| JPH05175529A (ja) | アモルファスシリコン太陽電池 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20010828 |