JPH06177262A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH06177262A JPH06177262A JP33060492A JP33060492A JPH06177262A JP H06177262 A JPH06177262 A JP H06177262A JP 33060492 A JP33060492 A JP 33060492A JP 33060492 A JP33060492 A JP 33060492A JP H06177262 A JPH06177262 A JP H06177262A
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- Japan
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- wiring
- insulating film
- layer wiring
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 配線間コンタクト部での断線を防止する。
【構成】 第１層配線１０１上の層間絶縁膜を開口する
ための設定パターンとなるレジスト開口部１０３の平面
形状を３角形としている。層間絶縁膜上に形成するレジ
スト開口部１０３の面積が大きい程エッチング反応が速
く進行し、面積が小さい程エッチング反応は遅い。その
ため、３角形の形状をしたレジスト開口部１０３のエッ
チング反応速度は、３角形の底辺部で速く、頂点部で遅
い。その結果、図１のＡ−Ａ′における層間絶縁膜の断
面は、オーバーエッチング量が大きい場合、３角形の底
辺部でオーバーハング形状となり、３角形の頂点部でな
だらかな傾斜をもった形状となる。この状態で第２層配
線１０２を形成する配線金属を蒸着すると、オーバーハ
ング部では断線を起こす可能性があるが、３角形の頂点
の部分では断線は起こらない。
ための設定パターンとなるレジスト開口部１０３の平面
形状を３角形としている。層間絶縁膜上に形成するレジ
スト開口部１０３の面積が大きい程エッチング反応が速
く進行し、面積が小さい程エッチング反応は遅い。その
ため、３角形の形状をしたレジスト開口部１０３のエッ
チング反応速度は、３角形の底辺部で速く、頂点部で遅
い。その結果、図１のＡ−Ａ′における層間絶縁膜の断
面は、オーバーエッチング量が大きい場合、３角形の底
辺部でオーバーハング形状となり、３角形の頂点部でな
だらかな傾斜をもった形状となる。この状態で第２層配
線１０２を形成する配線金属を蒸着すると、オーバーハ
ング部では断線を起こす可能性があるが、３角形の頂点
の部分では断線は起こらない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は高集積の半導体装置に
関するものである。
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置は、ますますその集積
規模を高めており、これに伴い配線間コンタクト部の微
細化に対する要求も強まっている。この要求に答えるた
めには、コンタクト開口部のドライエッチング技術が必
要不可欠の技術となりつつある。
規模を高めており、これに伴い配線間コンタクト部の微
細化に対する要求も強まっている。この要求に答えるた
めには、コンタクト開口部のドライエッチング技術が必
要不可欠の技術となりつつある。
【０００３】以下図面を参照しながら、従来の半導体装
置の一例について説明する。図７は従来の半導体装置の
配線間コンタクト部の平面図を示すものである。図７に
おいて、１０１は第１層配線、１０２は第２層配線、７
０１は層間絶縁膜を開口するためのフォトレジストの開
口部（レジスト開口部）である。また図８は図７のＤ−
Ｄ′における断面図を示すものである。図８において、
１０１は第１層配線、１０２は第２層配線、１０５は窒
化シリコンからなる層間絶縁膜、１０６は窒化シリコン
からなる保護膜、７０１はレジスト開口部である。また
図９に図７の配線間コンタクト部の製造方法を示す工程
断面図である。図９において、１００は半導体基板、１
０１は第１層配線、１０２は第２層配線、１０５は窒化
シリコンからなる層間保護膜、１０６は窒化シリコンか
らなる保護膜、２０１はフォトレジスト、７０１はレジ
スト開口部である。
置の一例について説明する。図７は従来の半導体装置の
配線間コンタクト部の平面図を示すものである。図７に
おいて、１０１は第１層配線、１０２は第２層配線、７
０１は層間絶縁膜を開口するためのフォトレジストの開
口部（レジスト開口部）である。また図８は図７のＤ−
Ｄ′における断面図を示すものである。図８において、
１０１は第１層配線、１０２は第２層配線、１０５は窒
化シリコンからなる層間絶縁膜、１０６は窒化シリコン
からなる保護膜、７０１はレジスト開口部である。また
図９に図７の配線間コンタクト部の製造方法を示す工程
断面図である。図９において、１００は半導体基板、１
０１は第１層配線、１０２は第２層配線、１０５は窒化
シリコンからなる層間保護膜、１０６は窒化シリコンか
らなる保護膜、２０１はフォトレジスト、７０１はレジ
スト開口部である。
【０００４】図９に示す製造方法について、以下説明を
行う。半導体基板１００上に第１層配線金属を蒸着後、
イオンミリング法等によりパターンニングを行い第１層
配線１０１を形成する。次に窒化シリコンからなる層間
絶縁膜１０５を堆積した後、フォトレジスト２０１を塗
布し、露光、現像によりレジスト開口部７０１を形成す
る（図９（Ａ））。次にドライエッチング法により層間
絶縁膜１０５のレジスト開口部７０１に相当する部分を
除去し開口部を形成する。この時、エッチング量が多い
（オーバーエッチング）と、層間絶縁膜１０５の開口部
端面がオーバーハング形状になる（図９（Ｂ））。次に
フォトレジスト２０１を除去し、第２層配線金属を蒸
着，パターンニングして第２層配線１０２を形成し（図
９（Ｃ））、最後に窒化シリコンからなる保護膜１０６
を堆積して完成する（図９（Ｄ））。
行う。半導体基板１００上に第１層配線金属を蒸着後、
イオンミリング法等によりパターンニングを行い第１層
配線１０１を形成する。次に窒化シリコンからなる層間
絶縁膜１０５を堆積した後、フォトレジスト２０１を塗
布し、露光、現像によりレジスト開口部７０１を形成す
る（図９（Ａ））。次にドライエッチング法により層間
絶縁膜１０５のレジスト開口部７０１に相当する部分を
除去し開口部を形成する。この時、エッチング量が多い
（オーバーエッチング）と、層間絶縁膜１０５の開口部
端面がオーバーハング形状になる（図９（Ｂ））。次に
フォトレジスト２０１を除去し、第２層配線金属を蒸
着，パターンニングして第２層配線１０２を形成し（図
９（Ｃ））、最後に窒化シリコンからなる保護膜１０６
を堆積して完成する（図９（Ｄ））。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
のような構成では、ドライエッチング法で窒化シリコン
からなる層間絶縁膜１０５に開口部を形成する際に、確
実に配線間コンタクト部を開口させるため、ややオーバ
ーエッチング気味にすることが多い。この状態で第２層
配線金属を蒸着すると、極端な場合には図９（Ｃ），
（Ｄ）に示すように、配線金属が配線間コンタクト部で
断線を起こすという問題点を有していた。
のような構成では、ドライエッチング法で窒化シリコン
からなる層間絶縁膜１０５に開口部を形成する際に、確
実に配線間コンタクト部を開口させるため、ややオーバ
ーエッチング気味にすることが多い。この状態で第２層
配線金属を蒸着すると、極端な場合には図９（Ｃ），
（Ｄ）に示すように、配線金属が配線間コンタクト部で
断線を起こすという問題点を有していた。
【０００６】この発明の目的は、上記問題点に鑑み、配
線間コンタクト部での断線を防止できる半導体装置を提
供するものである。
線間コンタクト部での断線を防止できる半導体装置を提
供するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の半導体装
置は、第１の配線と第２の配線とを接続する絶縁膜の開
口部の平面形状の設定パターンを１つ以上の頂角が鋭角
である多角形としたことを特徴とする。請求項２記載の
半導体装置は、第１の配線と第２の配線とを接続する絶
縁膜の開口部の平面形状の設定パターンを２辺の長さの
比が１対３以上の長方形を１つ以上含む多角形としたこ
とを特徴とする。
置は、第１の配線と第２の配線とを接続する絶縁膜の開
口部の平面形状の設定パターンを１つ以上の頂角が鋭角
である多角形としたことを特徴とする。請求項２記載の
半導体装置は、第１の配線と第２の配線とを接続する絶
縁膜の開口部の平面形状の設定パターンを２辺の長さの
比が１対３以上の長方形を１つ以上含む多角形としたこ
とを特徴とする。
【０００８】
【作用】請求項１記載の構成によれば、配線間コンタク
ト部における絶縁膜の開口部の平面形状の設定パターン
を１つ以上の頂角が鋭角である多角形としたことによ
り、設定パターンの鋭角部におけるエッチング量が他の
部分に比べて小さいため、オーバーエッチング時にも、
絶縁膜の開口部端面がオーバーハング形状にならず、第
２の配線の断線を防止することができる。
ト部における絶縁膜の開口部の平面形状の設定パターン
を１つ以上の頂角が鋭角である多角形としたことによ
り、設定パターンの鋭角部におけるエッチング量が他の
部分に比べて小さいため、オーバーエッチング時にも、
絶縁膜の開口部端面がオーバーハング形状にならず、第
２の配線の断線を防止することができる。
【０００９】請求項２記載の構成によれば、配線間コン
タクト部における絶縁膜の開口部の平面形状の設定パタ
ーンを２辺の長さの比が１対３以上の長方形を１つ以上
含む多角形としたことにより、エッチングは設定パター
ンにおける長方形の中心部から外側へ長辺方向に進行す
るため、オーバーエッチング時には絶縁膜の開口部の長
さが長くなるだけで、開口部端面ではオーバーハング形
状にならず、第２の配線の断線を防止することができ
る。
タクト部における絶縁膜の開口部の平面形状の設定パタ
ーンを２辺の長さの比が１対３以上の長方形を１つ以上
含む多角形としたことにより、エッチングは設定パター
ンにおける長方形の中心部から外側へ長辺方向に進行す
るため、オーバーエッチング時には絶縁膜の開口部の長
さが長くなるだけで、開口部端面ではオーバーハング形
状にならず、第２の配線の断線を防止することができ
る。
【００１０】
【実施例】以下、この発明の実施例を図面に基づいて説
明する。 〔第１の実施例〕図１はこの発明の第１の実施例の半導
体装置の配線間コンタクト部の平面図である。図１にお
いて、１０１は第１層配線、１０２は第２層配線、１０
３は第１層配線１０１と第２層配線１０２を接続するた
めに層間絶縁膜１０５（図２参照）を開口するための設
定パターンとなるレジスト開口部である。また、図１の
Ａ−Ａ′における断面図を図２に示す。図２において、
１０３はレジスト開口部、１０５は窒化シリコンからな
る層間絶縁膜、１０６は窒化シリコンからなる保護膜で
ある。
明する。 〔第１の実施例〕図１はこの発明の第１の実施例の半導
体装置の配線間コンタクト部の平面図である。図１にお
いて、１０１は第１層配線、１０２は第２層配線、１０
３は第１層配線１０１と第２層配線１０２を接続するた
めに層間絶縁膜１０５（図２参照）を開口するための設
定パターンとなるレジスト開口部である。また、図１の
Ａ−Ａ′における断面図を図２に示す。図２において、
１０３はレジスト開口部、１０５は窒化シリコンからな
る層間絶縁膜、１０６は窒化シリコンからなる保護膜で
ある。
【００１１】従来例でも説明したように、一般にドライ
エッチング法により配線間コンタクト部の層間絶縁膜１
０５の開口部を形成する際にオーバーエッチング量が大
きくなると、層間絶縁膜１０５の開口部端面がオーバー
ハング形状になる。また、層間絶縁膜１０５上に形成す
るフォトレジストの開口部（レジスト開口部）の面積が
大きい程エッチング反応が速く進行し、面積が小さい程
エッチング反応は遅い。
エッチング法により配線間コンタクト部の層間絶縁膜１
０５の開口部を形成する際にオーバーエッチング量が大
きくなると、層間絶縁膜１０５の開口部端面がオーバー
ハング形状になる。また、層間絶縁膜１０５上に形成す
るフォトレジストの開口部（レジスト開口部）の面積が
大きい程エッチング反応が速く進行し、面積が小さい程
エッチング反応は遅い。
【００１２】したがって、この実施例では、層間絶縁膜
１０５を開口するための設定パターンとなるレジスト開
口部１０３の平面形状を３角形としている。そのため、
図１の３角形の形状をしたレジスト開口部１０３のエッ
チング反応速度は、３角形の底辺部で速く、頂点部で遅
い。その結果、図２に示すように、図１のＡ−Ａ′にお
ける層間絶縁膜１０５の断面は、オーバーエッチング量
が大きい場合、３角形の底辺部でオーバーハング形状と
なり、３角形の頂点部でなだらかな傾斜をもった形状と
なる。この状態で第２層配線１０２を形成する配線金属
を蒸着すると、オーバーハング部では断線を起こす可能
性があるが、３角形の頂点の部分では断線は起こらな
い。このように、レジスト開口部１０３の形状の違いに
よるエッチング量の差を利用して、配線間コンタクト部
での断線を防止することができる。
１０５を開口するための設定パターンとなるレジスト開
口部１０３の平面形状を３角形としている。そのため、
図１の３角形の形状をしたレジスト開口部１０３のエッ
チング反応速度は、３角形の底辺部で速く、頂点部で遅
い。その結果、図２に示すように、図１のＡ−Ａ′にお
ける層間絶縁膜１０５の断面は、オーバーエッチング量
が大きい場合、３角形の底辺部でオーバーハング形状と
なり、３角形の頂点部でなだらかな傾斜をもった形状と
なる。この状態で第２層配線１０２を形成する配線金属
を蒸着すると、オーバーハング部では断線を起こす可能
性があるが、３角形の頂点の部分では断線は起こらな
い。このように、レジスト開口部１０３の形状の違いに
よるエッチング量の差を利用して、配線間コンタクト部
での断線を防止することができる。
【００１３】なお、第１の実施例において、レジスト開
口部１０３の平面形状を３角形としたが、鋭角を含む多
角形であればよい。 〔第２の実施例〕図３はこの発明の第２の実施例の半導
体装置の配線間コンタクト部の平面図である。図３にお
いて、１０１は第１層配線、１０２は第２層配線、３０
１は第１層配線１０１と第２層配線１０２を接続するた
めに層間絶縁膜１０５（図４参照）を開口するための設
定パターンとなるレジスト開口部である。また、図３の
Ｂ−Ｂ′における断面図を図４に示す。図４において、
１０５は窒化シリコンからなる層間絶縁膜、１０６は窒
化シリコンからなる保護膜、３０１はレジスト開口部で
ある。
口部１０３の平面形状を３角形としたが、鋭角を含む多
角形であればよい。 〔第２の実施例〕図３はこの発明の第２の実施例の半導
体装置の配線間コンタクト部の平面図である。図３にお
いて、１０１は第１層配線、１０２は第２層配線、３０
１は第１層配線１０１と第２層配線１０２を接続するた
めに層間絶縁膜１０５（図４参照）を開口するための設
定パターンとなるレジスト開口部である。また、図３の
Ｂ−Ｂ′における断面図を図４に示す。図４において、
１０５は窒化シリコンからなる層間絶縁膜、１０６は窒
化シリコンからなる保護膜、３０１はレジスト開口部で
ある。
【００１４】第１の実施例１と同様に、レジスト開口部
３０１の面積が大きい程エッチング反応が速く進行し、
面積が小さい程エッチング反応は遅い。従って、図３の
星型の形状をしたレジスト開口部３０１のエッチング反
応速度は、星型の中心部で速く、頂点部で遅い。その結
果、図４に示すように、図３のＢ−Ｂ′における層間絶
縁膜１０５の断面は、オーバーエッチング量が大きい場
合、星型の頂点部でなだらかな傾斜をもった形状とな
る。この状態で第２層配線１０２を形成する配線金属を
蒸着すれば、星型の頂点の部分では断線は起こらない。
このように、レジスト開口部３０１の形状の違いによる
エッチング量の差を利用して、配線間コンタクト部での
断線を防止することができる。
３０１の面積が大きい程エッチング反応が速く進行し、
面積が小さい程エッチング反応は遅い。従って、図３の
星型の形状をしたレジスト開口部３０１のエッチング反
応速度は、星型の中心部で速く、頂点部で遅い。その結
果、図４に示すように、図３のＢ−Ｂ′における層間絶
縁膜１０５の断面は、オーバーエッチング量が大きい場
合、星型の頂点部でなだらかな傾斜をもった形状とな
る。この状態で第２層配線１０２を形成する配線金属を
蒸着すれば、星型の頂点の部分では断線は起こらない。
このように、レジスト開口部３０１の形状の違いによる
エッチング量の差を利用して、配線間コンタクト部での
断線を防止することができる。
【００１５】〔第３の実施例〕図５はこの発明の第３の
実施例の半導体装置の配線間コンタクト部の平面図であ
る。図５において、１０１は第１層配線、１０２は第２
層配線、５０１は第１層配線１０１と第２層配線１０２
を接続するために層間絶縁膜１０５（図６参照）を開口
するための設定パターンとなるレジスト開口部である。
また、図５のＣ−Ｃ′における断面図を図６に示す。図
６において、１０５は窒化シリコンからなる層間絶縁
膜、１０６は窒化シリコンからなる保護膜である。
実施例の半導体装置の配線間コンタクト部の平面図であ
る。図５において、１０１は第１層配線、１０２は第２
層配線、５０１は第１層配線１０１と第２層配線１０２
を接続するために層間絶縁膜１０５（図６参照）を開口
するための設定パターンとなるレジスト開口部である。
また、図５のＣ−Ｃ′における断面図を図６に示す。図
６において、１０５は窒化シリコンからなる層間絶縁
膜、１０６は窒化シリコンからなる保護膜である。
【００１６】一般にドライエッチング法により配線間コ
ンタクト部の層間絶縁膜１０５の開口部を形成する際に
オーバーエッチング量が大きくなると、層間絶縁膜１０
５の開口部端面がオーバーハング形状になる。また、層
間絶縁膜１０５上に形成するフォトレジストの開口部
（レジスト開口部）の形状が細長いスリット状である場
合、スリットの中心部に近い程エッチング反応が速く進
行し、スリットの両端部に近い程エッチング反応は遅く
なる。
ンタクト部の層間絶縁膜１０５の開口部を形成する際に
オーバーエッチング量が大きくなると、層間絶縁膜１０
５の開口部端面がオーバーハング形状になる。また、層
間絶縁膜１０５上に形成するフォトレジストの開口部
（レジスト開口部）の形状が細長いスリット状である場
合、スリットの中心部に近い程エッチング反応が速く進
行し、スリットの両端部に近い程エッチング反応は遅く
なる。
【００１７】したがってこの実施例では、層間絶縁膜１
０５を開口するための設定パターンとなるレジスト開口
部５０１の平面形状を、図５に示すように十字形状とし
ている。十字の形状をしたレジスト開口部５０１のエッ
チング反応速度は、十字形の中心部で速く、周辺部で遅
い。その結果、図６に示すように、図５のＣ−Ｃ′にお
ける層間絶縁膜１０５の断面は、十字形の端部でなだら
かな傾斜をもった形状となり、第２層配線１０２を形成
する配線金属を蒸着により被着させても断線は起こらな
い。なお、図６（Ａ）はアンダーエッチング状態を示
し、図６（Ｂ）はオーバーエッチング状態を示してい
る。いずれの場合も層間絶縁膜１０５の開口部端面はな
だらかな傾斜をもっており、第２層配線１０２の配線間
コンタクト部における断線を防止することができる。
０５を開口するための設定パターンとなるレジスト開口
部５０１の平面形状を、図５に示すように十字形状とし
ている。十字の形状をしたレジスト開口部５０１のエッ
チング反応速度は、十字形の中心部で速く、周辺部で遅
い。その結果、図６に示すように、図５のＣ−Ｃ′にお
ける層間絶縁膜１０５の断面は、十字形の端部でなだら
かな傾斜をもった形状となり、第２層配線１０２を形成
する配線金属を蒸着により被着させても断線は起こらな
い。なお、図６（Ａ）はアンダーエッチング状態を示
し、図６（Ｂ）はオーバーエッチング状態を示してい
る。いずれの場合も層間絶縁膜１０５の開口部端面はな
だらかな傾斜をもっており、第２層配線１０２の配線間
コンタクト部における断線を防止することができる。
【００１８】また、第３の実施例において、レジスト開
口部５０１は十字形としたが、長方形を用いても良いこ
とは言うまでもなく、２辺の長さの比が１対３以上の長
方形を１つ以上含む多角形であればよい。
口部５０１は十字形としたが、長方形を用いても良いこ
とは言うまでもなく、２辺の長さの比が１対３以上の長
方形を１つ以上含む多角形であればよい。
【００１９】
【発明の効果】請求項１記載の半導体装置は、配線間コ
ンタクト部における絶縁膜の開口部の平面形状の設定パ
ターンを１つ以上の頂角が鋭角である多角形としたこと
により、設定パターンの鋭角部におけるエッチング量が
他の部分に比べて小さいため、オーバーエッチング時に
も、絶縁膜の開口部端面がオーバーハング形状になら
ず、第２の配線の断線を防止することができる。
ンタクト部における絶縁膜の開口部の平面形状の設定パ
ターンを１つ以上の頂角が鋭角である多角形としたこと
により、設定パターンの鋭角部におけるエッチング量が
他の部分に比べて小さいため、オーバーエッチング時に
も、絶縁膜の開口部端面がオーバーハング形状になら
ず、第２の配線の断線を防止することができる。
【００２０】請求項２記載の半導体装置は、配線間コン
タクト部における絶縁膜の開口部の平面形状の設定パタ
ーンを２辺の長さの比が１対３以上の長方形を１つ以上
含む多角形としたことにより、エッチングは設定パター
ンにおける長方形の中心部から外側へ長辺方向に進行す
るため、オーバーエッチング時には絶縁膜の開口部の長
さが長くなるだけで、開口部端面ではオーバーハング形
状にならず、第２の配線の断線を防止することができ
る。
タクト部における絶縁膜の開口部の平面形状の設定パタ
ーンを２辺の長さの比が１対３以上の長方形を１つ以上
含む多角形としたことにより、エッチングは設定パター
ンにおける長方形の中心部から外側へ長辺方向に進行す
るため、オーバーエッチング時には絶縁膜の開口部の長
さが長くなるだけで、開口部端面ではオーバーハング形
状にならず、第２の配線の断線を防止することができ
る。
【図１】この発明の第１の実施例の半導体装置の配線間
コンタクト部の平面図である。
コンタクト部の平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ′における断面図である。
【図３】この発明の第２の実施例の半導体装置の配線間
コンタクト部の平面図である。
コンタクト部の平面図である。
【図４】図３のＢ−Ｂ′における断面図である。
【図５】この発明の第３の実施例の半導体装置の配線間
コンタクト部の平面図である。
コンタクト部の平面図である。
【図６】図５のＣ−Ｃ′における断面図である。
【図７】従来の半導体装置の配線間コンタクト部の平面
図である。
図である。
【図８】図７のＤ−Ｄ′における断面図である。
【図９】従来の半導体装置の配線間コンタクト部の製造
方法を示す工程断面図である。
方法を示す工程断面図である。
１０１ 第１層配線（第１の配線） １０２ 第２層配線（第２の配線） １０３ レジスト開口部（設定パターン） １０５ 層間絶縁膜（絶縁膜） ３０１ レジスト開口部（設定パターン） ５０１ レジスト開口部（設定パターン）
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板上に形成した第１の配線と、
この第１の配線上に形成し開口部を有した絶縁膜と、こ
の絶縁膜上に形成し前記絶縁膜の開口部を介して第１の
配線と接続した第２の配線とを備えた半導体装置であっ
て、 前記絶縁膜の開口部の平面形状の設定パターンを１つ以
上の頂角が鋭角である多角形としたことを特徴とする半
導体装置。 - 【請求項２】 半導体基板上に形成した第１の配線と、
この第１の配線上に形成し開口部を有した絶縁膜と、こ
の絶縁膜上に形成し前記絶縁膜の開口部を介して第１の
配線と接続した第２の配線とを備えた半導体装置であっ
て、 前記絶縁膜の開口部の平面形状の設定パターンを２辺の
長さの比が１対３以上の長方形を１つ以上含む多角形と
したことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33060492A JPH06177262A (ja) | 1992-12-10 | 1992-12-10 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33060492A JPH06177262A (ja) | 1992-12-10 | 1992-12-10 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06177262A true JPH06177262A (ja) | 1994-06-24 |
Family
ID=18234517
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33060492A Pending JPH06177262A (ja) | 1992-12-10 | 1992-12-10 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06177262A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012190900A (ja) * | 2011-03-09 | 2012-10-04 | Sony Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
-
1992
- 1992-12-10 JP JP33060492A patent/JPH06177262A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012190900A (ja) * | 2011-03-09 | 2012-10-04 | Sony Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
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