JPH06166565A - ムライト質焼結体の製造方法 - Google Patents
ムライト質焼結体の製造方法Info
- Publication number
- JPH06166565A JPH06166565A JP43A JP31743692A JPH06166565A JP H06166565 A JPH06166565 A JP H06166565A JP 43 A JP43 A JP 43A JP 31743692 A JP31743692 A JP 31743692A JP H06166565 A JPH06166565 A JP H06166565A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mullite
- powder
- group
- sintered body
- periodic table
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】Ａｌ2 Ｏ3 粉末と、ＳｉＯ2 粉末と、周期律表
第２ａ族元素化合物および周期律表第３ａ族元素化合物
のうち少なくとも一種の粉末と、ムライト結晶粉末との
混合粉末であって、周期律表第２ａ族元素化合物および
周期律表第３ａ族元素化合物のうち少なくとも一種の粉
末を酸化物換算で０．５重量％以上、ムライト結晶粉末
を０．５重量％以上の割合でそれぞれ含有するととも
に、全組成中におけるＡｌ2 Ｏ3 ／ＳｉＯ2 の重量比率
が１〜５の範囲となるように調合した混合粉末を所定形
状に成形した後、この成形体を１４５０℃以上の温度で
焼成する。 【効果】ムライトの生成反応が促進されるとともに反応
性液相による焼結がスムーズに生じ、安価に緻密な焼結
体が得られる。
第２ａ族元素化合物および周期律表第３ａ族元素化合物
のうち少なくとも一種の粉末と、ムライト結晶粉末との
混合粉末であって、周期律表第２ａ族元素化合物および
周期律表第３ａ族元素化合物のうち少なくとも一種の粉
末を酸化物換算で０．５重量％以上、ムライト結晶粉末
を０．５重量％以上の割合でそれぞれ含有するととも
に、全組成中におけるＡｌ2 Ｏ3 ／ＳｉＯ2 の重量比率
が１〜５の範囲となるように調合した混合粉末を所定形
状に成形した後、この成形体を１４５０℃以上の温度で
焼成する。 【効果】ムライトの生成反応が促進されるとともに反応
性液相による焼結がスムーズに生じ、安価に緻密な焼結
体が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置等のパッケ
−ジ材料や多層配線基板の絶縁材料として使用された
り、Ａｌ2 Ｏ3 質焼結体よりも低熱膨張率が要求される
酸化物系セラミツクス構造材料等として使用されるムラ
イト質焼結体の製造方法に関する。
−ジ材料や多層配線基板の絶縁材料として使用された
り、Ａｌ2 Ｏ3 質焼結体よりも低熱膨張率が要求される
酸化物系セラミツクス構造材料等として使用されるムラ
イト質焼結体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＬＳＩ等の集積回路は、一般に高
熱伝導性を有するとともに強度的に優れたアルミナ製の
パッケージに収納されてアルミナ基板に搭載されてい
た。ところが、常温から４００℃において、ＬＳＩを構
成するシリコンの熱膨張係数は３．５×１０-6／℃であ
るのに対し、アルミナ材料の熱膨張率は約７×１０-6／
℃であるため、ＬＳＩとパッケージとの熱膨張率差によ
り熱応力が発生して、ＬＳＩが破損したり、ＬＳＩとパ
ッケージとの接合が解除される等の不具合があった。
熱伝導性を有するとともに強度的に優れたアルミナ製の
パッケージに収納されてアルミナ基板に搭載されてい
た。ところが、常温から４００℃において、ＬＳＩを構
成するシリコンの熱膨張係数は３．５×１０-6／℃であ
るのに対し、アルミナ材料の熱膨張率は約７×１０-6／
℃であるため、ＬＳＩとパッケージとの熱膨張率差によ
り熱応力が発生して、ＬＳＩが破損したり、ＬＳＩとパ
ッケージとの接合が解除される等の不具合があった。
【０００３】また、近年においては、ますますＬＳＩの
信号伝播速度の高速化が要求され、配線パターンが高密
度化しているため、ＬＳＩの熱放散性や信号伝播速度の
高速化を図る必要がある。このような点を改善するに
は、ＬＳＩをアルミナからなる基板に直接実装する方法
があるが、上記したように、ＬＳＩとアルミナとの熱膨
張率の差により不具合が発生する。
信号伝播速度の高速化が要求され、配線パターンが高密
度化しているため、ＬＳＩの熱放散性や信号伝播速度の
高速化を図る必要がある。このような点を改善するに
は、ＬＳＩをアルミナからなる基板に直接実装する方法
があるが、上記したように、ＬＳＩとアルミナとの熱膨
張率の差により不具合が発生する。
【０００４】そこで、従来のアルミナからなるパッケー
ジや基板等の欠点を解消するために、ＬＳＩを構成する
シリコンとほぼ同様の熱膨張率（常温から４００℃にお
いて４〜５×１０-6／℃）を有するムライトがパッケー
ジや基板の材料として使用されている。
ジや基板等の欠点を解消するために、ＬＳＩを構成する
シリコンとほぼ同様の熱膨張率（常温から４００℃にお
いて４〜５×１０-6／℃）を有するムライトがパッケー
ジや基板の材料として使用されている。
【０００５】しかしながら、３Ａｌ2 Ｏ3 ・２ＳｉＯ2
で示されるムライトは、それ自体非常に焼結させにくい
材料であり、サブミクロンオーダーのムライト結晶粉末
であっても、ムライト単独であれば焼結させるには１７
００℃以上の温度で焼成することが必要である。
で示されるムライトは、それ自体非常に焼結させにくい
材料であり、サブミクロンオーダーのムライト結晶粉末
であっても、ムライト単独であれば焼結させるには１７
００℃以上の温度で焼成することが必要である。
【０００６】そこで、従来より、ムライト結晶粉末の焼
成温度を低下させる方法として種々の方法が提案されて
いる。例えば、特開昭５７−１１５８９５号公報や特開
昭５８−９５６４３号公報に開示されるように、コ−ジ
ェライトやガラスを添加することが提案されている。
成温度を低下させる方法として種々の方法が提案されて
いる。例えば、特開昭５７−１１５８９５号公報や特開
昭５８−９５６４３号公報に開示されるように、コ−ジ
ェライトやガラスを添加することが提案されている。
【０００７】また、他の方法として、特開昭６２−７２
５５５号公報や特開昭６２−１２８９６５号公報に開示
されるように、ムライト結晶粉末に通常のＡｌ2 Ｏ3 材
料において使用されているようなＳｉＯ2 ，ＣａＯ，Ｍ
ｇＯを添加して焼成することが提案されている。
５５５号公報や特開昭６２−１２８９６５号公報に開示
されるように、ムライト結晶粉末に通常のＡｌ2 Ｏ3 材
料において使用されているようなＳｉＯ2 ，ＣａＯ，Ｍ
ｇＯを添加して焼成することが提案されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ムライ
ト結晶粉末は、非常に焼結させにくい材料であったた
め、上記したように、ムライト結晶粉末自体が高価であ
ることに加え、コ−ジェライトやガラスを添加したり、
ＳｉＯ2 ，ＣａＯ，ＭｇＯ等の焼結助剤を添加する必要
があるため、材料コストが高くなり、一般に普及しにく
いという問題があった。
ト結晶粉末は、非常に焼結させにくい材料であったた
め、上記したように、ムライト結晶粉末自体が高価であ
ることに加え、コ−ジェライトやガラスを添加したり、
ＳｉＯ2 ，ＣａＯ，ＭｇＯ等の焼結助剤を添加する必要
があるため、材料コストが高くなり、一般に普及しにく
いという問題があった。
【０００９】また、Ａｌ2 Ｏ3 とＳｉＯ2 と周期律表第
２ａ，３ａ族元素化合物を添加し、焼成することによっ
てもムライトを生成することができるが、ムライト結晶
粉末が非常に焼結させにくい材料であるため、緻密な焼
結体を得ることが困難であった。このため、研削後の焼
結体表面にボイドが非常に多くなり、基板として使用す
る場合、基板に形成される薄膜法による薄膜パターンや
抵抗体の断線が多発したり、薄膜抵抗値のバラツキが大
きくなるなどの問題点があった。
２ａ，３ａ族元素化合物を添加し、焼成することによっ
てもムライトを生成することができるが、ムライト結晶
粉末が非常に焼結させにくい材料であるため、緻密な焼
結体を得ることが困難であった。このため、研削後の焼
結体表面にボイドが非常に多くなり、基板として使用す
る場合、基板に形成される薄膜法による薄膜パターンや
抵抗体の断線が多発したり、薄膜抵抗値のバラツキが大
きくなるなどの問題点があった。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記のよ
うな問題点について鋭意研究した結果、所定の割合で混
合されたＡｌ2 Ｏ3 とＳｉＯ2 の混合粉末に、周期律表
第２ａ族元素化合物や周期律表第３ａ族元素化合物を添
加し、さらに、ムライト結晶粉末を添加して焼成するこ
とにより、安価に緻密なムライト質焼結体を得ることが
できることを知見し、本発明に至ったのである。
うな問題点について鋭意研究した結果、所定の割合で混
合されたＡｌ2 Ｏ3 とＳｉＯ2 の混合粉末に、周期律表
第２ａ族元素化合物や周期律表第３ａ族元素化合物を添
加し、さらに、ムライト結晶粉末を添加して焼成するこ
とにより、安価に緻密なムライト質焼結体を得ることが
できることを知見し、本発明に至ったのである。
【００１１】即ち、本発明のムライト質焼結体の製造方
法は、Ａｌ2 Ｏ3 粉末と、ＳｉＯ2粉末と、周期律表第
２ａ族元素化合物および周期律表第３ａ族元素化合物の
うち少なくとも一種の粉末と、ムライト結晶粉末との混
合粉末であって、前記周期律表第２ａ族元素化合物およ
び周期律表第３ａ族元素化合物のうち少なくとも一種の
粉末を酸化物換算で０．５重量％以上、前記ムライト結
晶粉末を０．５重量％以上の割合でそれぞれ含有すると
ともに、全組成中におけるＡｌ2 Ｏ3 ／ＳｉＯ2 の重量
比率が１〜５の範囲となるように調合した混合粉末を所
定形状に成形した後、この成形体を１４５０℃以上の温
度で焼成する方法である。
法は、Ａｌ2 Ｏ3 粉末と、ＳｉＯ2粉末と、周期律表第
２ａ族元素化合物および周期律表第３ａ族元素化合物の
うち少なくとも一種の粉末と、ムライト結晶粉末との混
合粉末であって、前記周期律表第２ａ族元素化合物およ
び周期律表第３ａ族元素化合物のうち少なくとも一種の
粉末を酸化物換算で０．５重量％以上、前記ムライト結
晶粉末を０．５重量％以上の割合でそれぞれ含有すると
ともに、全組成中におけるＡｌ2 Ｏ3 ／ＳｉＯ2 の重量
比率が１〜５の範囲となるように調合した混合粉末を所
定形状に成形した後、この成形体を１４５０℃以上の温
度で焼成する方法である。
【００１２】以下、本発明を詳述する。本発明におい
て、全組成中におけるＡｌ2 Ｏ3 ／ＳｉＯ2 の重量比率
を１〜５の範囲としたのは、Ａｌ2 Ｏ3 ／ＳｉＯ2 の重
量比率が１より小さいと（ＳｉＯ2 過剰）、クリストバ
ライトが多量に生成し、焼結体がその熱膨張異常のため
破壊し、５を越えると（Ａｌ2 Ｏ3 過剰）、Ａｌ2 Ｏ3
が多量に残存し、熱膨張率と誘電率が大きくなる要因と
なるからである。
て、全組成中におけるＡｌ2 Ｏ3 ／ＳｉＯ2 の重量比率
を１〜５の範囲としたのは、Ａｌ2 Ｏ3 ／ＳｉＯ2 の重
量比率が１より小さいと（ＳｉＯ2 過剰）、クリストバ
ライトが多量に生成し、焼結体がその熱膨張異常のため
破壊し、５を越えると（Ａｌ2 Ｏ3 過剰）、Ａｌ2 Ｏ3
が多量に残存し、熱膨張率と誘電率が大きくなる要因と
なるからである。
【００１３】また、周期律表第２ａ族元素化合物および
周期律表第３ａ族元素化合物のうち少なくとも一種の粉
末を酸化物換算で０．５重量％以上添加したのは、周期
律表第２ａ，３ａ族元素化合物が０．５重量％より少な
いと、１７００℃以下での焼成が困難となるからであ
る。周期律表第２ａ，３ａ族元素化合物は酸化物換算で
６重量％以下が好ましい。６重量％を越えると低融点の
液相が多量に生成し、ボイドが増加しやすく、また焼成
温度が低下して、基板と、この基板へのＷやＭｏ等の高
融点金属のメタライズを同時に焼成することが難しくな
るからである。
周期律表第３ａ族元素化合物のうち少なくとも一種の粉
末を酸化物換算で０．５重量％以上添加したのは、周期
律表第２ａ，３ａ族元素化合物が０．５重量％より少な
いと、１７００℃以下での焼成が困難となるからであ
る。周期律表第２ａ，３ａ族元素化合物は酸化物換算で
６重量％以下が好ましい。６重量％を越えると低融点の
液相が多量に生成し、ボイドが増加しやすく、また焼成
温度が低下して、基板と、この基板へのＷやＭｏ等の高
融点金属のメタライズを同時に焼成することが難しくな
るからである。
【００１４】尚、周期律表第２ａ族元素としては、Ｃ
ａ，Ｍｇ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｒａがあり、それらの化合物と
しては、その酸化物およびこれらを実質的に含む炭酸
塩，硝酸塩等の塩等がある。また、周期律表第３ａ族元
素としては、Ｓｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｄｙ，Ｅ
ｒ，Ｙｂ等があり、それらの化合物としては、その酸化
物およびこれらを実質的に含む炭酸塩，硝酸塩等の塩等
がある。
ａ，Ｍｇ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｒａがあり、それらの化合物と
しては、その酸化物およびこれらを実質的に含む炭酸
塩，硝酸塩等の塩等がある。また、周期律表第３ａ族元
素としては、Ｓｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｄｙ，Ｅ
ｒ，Ｙｂ等があり、それらの化合物としては、その酸化
物およびこれらを実質的に含む炭酸塩，硝酸塩等の塩等
がある。
【００１５】そして、ムライト結晶粉末を０．５重量％
以上添加したのは、ムライト結晶粉末が０．５重量％よ
りも少ないと焼結体にそりが発生したり、また、ムライ
ト生成反応の促進という効果が殆どなく、緻密な焼結体
を得ることができないからである。ムライト結晶粉末は
特に０．５重量％以上添加すれば良いが、多量に添加す
ると高コストになるので、０．５〜３０重量％添加する
ことが望ましい。
以上添加したのは、ムライト結晶粉末が０．５重量％よ
りも少ないと焼結体にそりが発生したり、また、ムライ
ト生成反応の促進という効果が殆どなく、緻密な焼結体
を得ることができないからである。ムライト結晶粉末は
特に０．５重量％以上添加すれば良いが、多量に添加す
ると高コストになるので、０．５〜３０重量％添加する
ことが望ましい。
【００１６】また、成形体を温度１４５０℃以上で焼成
したのは、１４５０℃よりも低い温度で焼成すると、基
板とＷやＭｏのメタライズペーストとの同時焼成ができ
ないからである。焼成温度は１７００℃以下で行うこと
が望ましい。１７００℃よりも高い温度で焼成すると、
焼成設備が高コストとなり、コスト高になるからであ
る。
したのは、１４５０℃よりも低い温度で焼成すると、基
板とＷやＭｏのメタライズペーストとの同時焼成ができ
ないからである。焼成温度は１７００℃以下で行うこと
が望ましい。１７００℃よりも高い温度で焼成すると、
焼成設備が高コストとなり、コスト高になるからであ
る。
【００１７】そして、本発明のムライト質焼結体の製造
方法は、原料として全組成中におけるＡｌ2 Ｏ3 ／Ｓｉ
Ｏ2 の重量比率が１〜５の混合粉末（Ａｌ2 Ｏ3 の平均
結晶粒径０．５〜３μｍ、ＳｉＯ2 の平均結晶粒径０．
５〜３μｍ）と、例えば、ＣａＣＯ3 ，ＭｇＣＯ3 ，Ｙ
2 Ｏ3 粉末等の平均結晶粒径０．５〜３μｍの周期律表
第２ａ，３ａ族元素の酸化物や炭酸塩，硝酸塩等の化合
物と、ムライト結晶粉末を添加し、これにブチラール等
のバインダーを添加したものを、回転ミル等により２４
時間以上湿式粉砕混合し、公知の成形手段、例えば、ド
クターブレード法により成形し、この後、例えば、還元
性雰囲気や酸化性雰囲気中のトンネル炉で１４５０〜１
７００℃で焼成する。
方法は、原料として全組成中におけるＡｌ2 Ｏ3 ／Ｓｉ
Ｏ2 の重量比率が１〜５の混合粉末（Ａｌ2 Ｏ3 の平均
結晶粒径０．５〜３μｍ、ＳｉＯ2 の平均結晶粒径０．
５〜３μｍ）と、例えば、ＣａＣＯ3 ，ＭｇＣＯ3 ，Ｙ
2 Ｏ3 粉末等の平均結晶粒径０．５〜３μｍの周期律表
第２ａ，３ａ族元素の酸化物や炭酸塩，硝酸塩等の化合
物と、ムライト結晶粉末を添加し、これにブチラール等
のバインダーを添加したものを、回転ミル等により２４
時間以上湿式粉砕混合し、公知の成形手段、例えば、ド
クターブレード法により成形し、この後、例えば、還元
性雰囲気や酸化性雰囲気中のトンネル炉で１４５０〜１
７００℃で焼成する。
【００１８】
【作用】本発明によれば、Ａｌ2 Ｏ3 とＳｉＯ2 の混合
粉末にムライト結晶粉末を０．５重量％以上添加するこ
とにより、Ａｌ2 Ｏ3 とＳｉＯ2 との反応によるムライ
トの生成反応が促進される。焼結はムライトがＡｌ2 Ｏ
3 ，ＳｉＯ2 ，周期律表第２ａ，３ａ族元素からなる液
相に溶解し、ムライトの量を増加させることにより生じ
る反応性液相による焼結であり、焼結の開始時にムライ
トが存在することが不可欠である。よって、ムライト結
晶粉末を添加することによりムライトの生成反応が促進
されるとともに反応性液相による焼結がスムーズに生
じ、緻密な焼結体が得られる。
粉末にムライト結晶粉末を０．５重量％以上添加するこ
とにより、Ａｌ2 Ｏ3 とＳｉＯ2 との反応によるムライ
トの生成反応が促進される。焼結はムライトがＡｌ2 Ｏ
3 ，ＳｉＯ2 ，周期律表第２ａ，３ａ族元素からなる液
相に溶解し、ムライトの量を増加させることにより生じ
る反応性液相による焼結であり、焼結の開始時にムライ
トが存在することが不可欠である。よって、ムライト結
晶粉末を添加することによりムライトの生成反応が促進
されるとともに反応性液相による焼結がスムーズに生
じ、緻密な焼結体が得られる。
【００１９】
実施例１ ムライト結晶粉末添加の効果を確認すべく、全原料中に
おけるＡｌ2 Ｏ3 ／ＳｉＯ2 の重量比率が１〜５の混合
粉末（Ａｌ2 Ｏ3 の平均結晶粒径０．６μｍ、ＳｉＯ2
の平均結晶粒径０．８μｍ）、ＣａＣＯ3 ，ＭｇＣＯ3
粉末（平均結晶粒径１．５μｍ）に、ムライト粉末（平
均結晶粒径１．０μｍ）を、成形体組成が表１に示す割
合となるように秤量混合し、成形した後、表１に示すよ
うな焼成温度条件で焼成した。尚、ＣａＣＯ3 ，ＭｇＣ
Ｏ3 粉末は、ＣａＯ，ＭｇＯに変化したものとして表し
た。
おけるＡｌ2 Ｏ3 ／ＳｉＯ2 の重量比率が１〜５の混合
粉末（Ａｌ2 Ｏ3 の平均結晶粒径０．６μｍ、ＳｉＯ2
の平均結晶粒径０．８μｍ）、ＣａＣＯ3 ，ＭｇＣＯ3
粉末（平均結晶粒径１．５μｍ）に、ムライト粉末（平
均結晶粒径１．０μｍ）を、成形体組成が表１に示す割
合となるように秤量混合し、成形した後、表１に示すよ
うな焼成温度条件で焼成した。尚、ＣａＣＯ3 ，ＭｇＣ
Ｏ3 粉末は、ＣａＯ，ＭｇＯに変化したものとして表し
た。
【００２０】得られた焼結体に対して、画像解析装置を
用いて焼結体の鏡面研磨面を測定した。また、焼結体の
結晶相をＸ線回折測定により同定した。
用いて焼結体の鏡面研磨面を測定した。また、焼結体の
結晶相をＸ線回折測定により同定した。
【００２１】
【表１】
【００２２】上記表１より、ムライトを添加して焼成し
た本発明の範囲内のムライト質焼結体は、ボイド面積占
有率が４％以下であり、緻密な焼結体となっていること
が判った。
た本発明の範囲内のムライト質焼結体は、ボイド面積占
有率が４％以下であり、緻密な焼結体となっていること
が判った。
【００２３】実施例２ 上記実施例１と同様の原料粉末を用い、ムライト結晶粉
末添加量を変化させ、得られた焼結体に対して上記と同
様の方法で特性を測定した。この結果を表２に示す。
末添加量を変化させ、得られた焼結体に対して上記と同
様の方法で特性を測定した。この結果を表２に示す。
【００２４】
【表２】
【００２５】上記表２より、ムライト結晶粉末添加量が
本発明の範囲内である場合には、ボイド面積占有率が４
％以下の緻密な焼結体となっていることが判った。
本発明の範囲内である場合には、ボイド面積占有率が４
％以下の緻密な焼結体となっていることが判った。
【００２６】実施例３ 上記実施例１と同様の原料粉末を用い、周期律表第２ａ
族元素酸化物（ＣａＯ，ＭｇＯ）および周期律表第３ａ
族元素酸化物（Ｙ2 Ｏ3 ）の添加量および焼成温度を変
化させ、得られた焼結体に対して上記と同様の方法で特
性を測定した。
族元素酸化物（ＣａＯ，ＭｇＯ）および周期律表第３ａ
族元素酸化物（Ｙ2 Ｏ3 ）の添加量および焼成温度を変
化させ、得られた焼結体に対して上記と同様の方法で特
性を測定した。
【００２７】この結果を表３に示す。
【００２８】
【表３】
【００２９】上記表３より、助剤成分および焼成温度が
本発明の範囲内である場合には、ボイド面積占有率が４
％以下の緻密な焼結体となっていることが判った。
本発明の範囲内である場合には、ボイド面積占有率が４
％以下の緻密な焼結体となっていることが判った。
【００３０】
【発明の効果】本発明のムライト質焼結体の製造方法で
は、高価なムライト結晶粉末を多量に使用することな
く、Ａｌ2 Ｏ3 とＳｉＯ2 の混合粉末にムライト結晶粉
末を微量添加したので、ムライトの生成反応が促進され
るとともに反応性液相による焼結がスムーズに生じ、ボ
イドの発生を抑制して緻密な焼結体が得ることができ
る。
は、高価なムライト結晶粉末を多量に使用することな
く、Ａｌ2 Ｏ3 とＳｉＯ2 の混合粉末にムライト結晶粉
末を微量添加したので、ムライトの生成反応が促進され
るとともに反応性液相による焼結がスムーズに生じ、ボ
イドの発生を抑制して緻密な焼結体が得ることができ
る。
【００３１】従って、本発明のムライト質焼結体の製造
方法では、安価なムライト質焼結体を得ることができる
とともに、薄膜法によるパターンや抵抗の断線を防止す
ることができ、薄膜抵抗値のバラツキを最小限に抑制す
ることができる。
方法では、安価なムライト質焼結体を得ることができる
とともに、薄膜法によるパターンや抵抗の断線を防止す
ることができ、薄膜抵抗値のバラツキを最小限に抑制す
ることができる。
Claims (1)
- 【請求項１】Ａｌ2 Ｏ3 粉末と、ＳｉＯ2 粉末と、周期
律表第２ａ族元素化合物および周期律表第３ａ族元素化
合物のうち少なくとも一種の粉末と、ムライト結晶粉末
との混合粉末であって、前記周期律表第２ａ族元素化合
物および周期律表第３ａ族元素化合物のうち少なくとも
一種の粉末を酸化物換算で０．５重量％以上、前記ムラ
イト結晶粉末を０．５重量％以上の割合でそれぞれ含有
するとともに、全組成中におけるＡｌ2 Ｏ3 ／ＳｉＯ2
の重量比率が１〜５の範囲となるように調合した混合粉
末を所定形状に成形した後、この成形体を１４５０℃以
上の温度で焼成することを特徴とするムライト質焼結体
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4317436A JP2971273B2 (ja) | 1992-11-26 | 1992-11-26 | ムライト質焼結体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4317436A JP2971273B2 (ja) | 1992-11-26 | 1992-11-26 | ムライト質焼結体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06166565A true JPH06166565A (ja) | 1994-06-14 |
| JP2971273B2 JP2971273B2 (ja) | 1999-11-02 |
Family
ID=18088202
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4317436A Expired - Fee Related JP2971273B2 (ja) | 1992-11-26 | 1992-11-26 | ムライト質焼結体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2971273B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016104251A1 (ja) * | 2014-12-26 | 2016-06-30 | 日本碍子株式会社 | セラミック素地及びその製造方法 |
-
1992
- 1992-11-26 JP JP4317436A patent/JP2971273B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016104251A1 (ja) * | 2014-12-26 | 2016-06-30 | 日本碍子株式会社 | セラミック素地及びその製造方法 |
| CN107108371A (zh) * | 2014-12-26 | 2017-08-29 | 日本碍子株式会社 | 陶瓷基体及其制造方法 |
| JPWO2016104251A1 (ja) * | 2014-12-26 | 2017-10-05 | 日本碍子株式会社 | セラミック素地及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2971273B2 (ja) | 1999-11-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4749665A (en) | Low temperature fired ceramics | |
| JPS6115532B2 (ja) | ||
| JPH04231363A (ja) | 菫青石とガラスを含む誘電性組成物 | |
| JP3419291B2 (ja) | 低温焼結磁器組成物及びそれを用いた多層セラミック基板 | |
| JP2001287984A (ja) | ガラスセラミックス組成物 | |
| JPH06166565A (ja) | ムライト質焼結体の製造方法 | |
| JPH01167259A (ja) | 電子部品パッケージング用のガラスセラミック基盤、その製造方法、およびそれに用いるガラス | |
| JPH0643258B2 (ja) | 回路基板用誘電体材料 | |
| JPH09241068A (ja) | 低温焼成セラミックス基板 | |
| JPS63295473A (ja) | 回路基板用誘電体材料 | |
| JPS6049149B2 (ja) | 電子部品用白色アルミナ・セラミックの製造方法 | |
| JP2712031B2 (ja) | 回路基板用組成物及びそれを使用した電子部品 | |
| JP2989958B2 (ja) | アルミナ質焼結体の製造方法 | |
| JP2710311B2 (ja) | セラミツク絶縁材料 | |
| US4963514A (en) | Ceramic mullite-silica glass composite | |
| JPH05178658A (ja) | ムライト質焼結体の製造方法 | |
| JP4047050B2 (ja) | 低温焼成磁器組成物及び低温焼成磁器並びにそれを用いた配線基板 | |
| JP3101966B2 (ja) | 高熱膨張Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２系焼結体およびその製造方法 | |
| JPS63265858A (ja) | 多層基板用低温焼結磁器組成物 | |
| JP2686446B2 (ja) | 低温焼成セラミック焼結体 | |
| JPH04114931A (ja) | ガラスセラミック焼結体の製法 | |
| JPS62209895A (ja) | セラミツク多層配線基板用絶縁ペ−スト | |
| JP2982447B2 (ja) | ムライト系セラミック基板の製造方法 | |
| JP3372733B2 (ja) | ガラスセラミック焼結体の製造方法および配線基板の製造方法 | |
| JPS62283860A (ja) | アルミナ磁器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |