JPH0616562B2 - 誘電体共振器 - Google Patents
誘電体共振器Info
- Publication number
- JPH0616562B2 JPH0616562B2 JP62156756A JP15675687A JPH0616562B2 JP H0616562 B2 JPH0616562 B2 JP H0616562B2 JP 62156756 A JP62156756 A JP 62156756A JP 15675687 A JP15675687 A JP 15675687A JP H0616562 B2 JPH0616562 B2 JP H0616562B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coupling
- dielectric
- dielectric block
- dielectric resonator
- hole
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
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- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 (a)産業上の利用分野 この発明は、誘電体ブロックの内部に複数の内導体と電
磁界結合用貫通孔を形成して、複数の共振器を一体化し
た誘電体共振器に関する。
磁界結合用貫通孔を形成して、複数の共振器を一体化し
た誘電体共振器に関する。
(b)従来の技術 この種の従来の誘電体共振器について、その外観を第７
図に示す。図において１は誘電体ブロックであり、この
内部に内導体形成用貫通孔３，３と、この貫通孔３，３
の中間位置に電磁界結合用貫通孔５が形成されている。
貫通孔３，３の内壁には金属膜からなる内導体４が形成
されている。誘電体ブロック１の四側面および必要に応
じ底面には金属膜からなる外導体２が形成されていて、
必要に応じ内導体４は底面にて外導体２と短絡されてい
る。
図に示す。図において１は誘電体ブロックであり、この
内部に内導体形成用貫通孔３，３と、この貫通孔３，３
の中間位置に電磁界結合用貫通孔５が形成されている。
貫通孔３，３の内壁には金属膜からなる内導体４が形成
されている。誘電体ブロック１の四側面および必要に応
じ底面には金属膜からなる外導体２が形成されていて、
必要に応じ内導体４は底面にて外導体２と短絡されてい
る。
上述の電磁界結合用貫通孔（以下単に結合孔という。）
を有する一体型の誘電体共振器においては、電気結合と
磁気結合の両方が存在し、電気結合と磁気結合は互いに
逆の性質を有し、打ち消し合う方向で作用する。第５図
（Ａ）〜（Ｃ），第６図（Ａ）〜（Ｃ）および第８図は
その状態を表す図であり、第５図（Ａ）〜（Ｃ）はイー
ブンモードにおける状態、第６図（Ａ）〜（Ｃ）はオッ
ドモードにおける状態を表し、両図において（Ａ）は２
つの誘電体共振器に流れる電流の方向、（Ｂ）は電気力
線の分布、（Ｃ）は磁力線の分布を概略的に表してい
る。また、第８図は結合孔が存在する場合の電気力線の
分布を概略的に表している。図から明らかなようにイー
ブンモードにおいては磁気結合し、オッドモードにおい
ては電気結合するが、結合孔を有する一体型の誘電体共
振器の場合、結合孔部分の誘電率が低くなるため、オッ
ドモードにおける電気結合の強さが低下する。一般に、
一体型誘電体共振器の結合の強さは（磁気結合の強さの
絶対値）−（電気結合の強さの絶対値）によって表さ
れ、結合孔を有する一体型誘電体共振器の場合、全体と
して磁気結合によって各共振器間が結合している。
を有する一体型の誘電体共振器においては、電気結合と
磁気結合の両方が存在し、電気結合と磁気結合は互いに
逆の性質を有し、打ち消し合う方向で作用する。第５図
（Ａ）〜（Ｃ），第６図（Ａ）〜（Ｃ）および第８図は
その状態を表す図であり、第５図（Ａ）〜（Ｃ）はイー
ブンモードにおける状態、第６図（Ａ）〜（Ｃ）はオッ
ドモードにおける状態を表し、両図において（Ａ）は２
つの誘電体共振器に流れる電流の方向、（Ｂ）は電気力
線の分布、（Ｃ）は磁力線の分布を概略的に表してい
る。また、第８図は結合孔が存在する場合の電気力線の
分布を概略的に表している。図から明らかなようにイー
ブンモードにおいては磁気結合し、オッドモードにおい
ては電気結合するが、結合孔を有する一体型の誘電体共
振器の場合、結合孔部分の誘電率が低くなるため、オッ
ドモードにおける電気結合の強さが低下する。一般に、
一体型誘電体共振器の結合の強さは（磁気結合の強さの
絶対値）−（電気結合の強さの絶対値）によって表さ
れ、結合孔を有する一体型誘電体共振器の場合、全体と
して磁気結合によって各共振器間が結合している。
(c)発明が解決しようとする問題点 結合孔を有する一体型の誘電体共振器の結合係数は、誘
電体ブロックを構成する誘電体材料の比誘電率と結合孔
の大きさ、誘電体ブロックの幅および共振器間ピッチで
決定される。従って誘電体材料を変えない場合は、誘電
体ブロック成形用の金型によって定まることになるが、
所望の結合係数が得られるまで金型を作り直す必要があ
り、そのための開発期間が必要であった。また、目的に
応じて結合係数を調整するためには、結合孔を削ってそ
の寸法を調整しなければならないが、その作業は悪く量
産性が低い。
電体ブロックを構成する誘電体材料の比誘電率と結合孔
の大きさ、誘電体ブロックの幅および共振器間ピッチで
決定される。従って誘電体材料を変えない場合は、誘電
体ブロック成形用の金型によって定まることになるが、
所望の結合係数が得られるまで金型を作り直す必要があ
り、そのための開発期間が必要であった。また、目的に
応じて結合係数を調整するためには、結合孔を削ってそ
の寸法を調整しなければならないが、その作業は悪く量
産性が低い。
この発明の目的は、誘電体ブロック成形用の金型を変更
することなく、共振器間の結合係数を容易に調整できる
ようにした誘電体共振器を提供することにある。
することなく、共振器間の結合係数を容易に調整できる
ようにした誘電体共振器を提供することにある。
(d)問題点を解決するための手段 この発明の誘電体共振器は、誘電体ブロックの内部に、
複数の内導体と、これらの各内導体間に位置する電磁界
結合用貫通孔をそれぞれ形成し、上記誘電体ブロックの
側面に外導体を形成してなる誘電体共振器において、 上記誘電体ブロックの開放端面に、上記誘電ブロックの
少なくとも一方の側面の外導体から電磁界結合用貫通孔
に近接する方向で、上記一方の側面に対向する他方の側
面にまで達しない範囲に導体膜を延出形成したことを特
徴としている。
複数の内導体と、これらの各内導体間に位置する電磁界
結合用貫通孔をそれぞれ形成し、上記誘電体ブロックの
側面に外導体を形成してなる誘電体共振器において、 上記誘電体ブロックの開放端面に、上記誘電ブロックの
少なくとも一方の側面の外導体から電磁界結合用貫通孔
に近接する方向で、上記一方の側面に対向する他方の側
面にまで達しない範囲に導体膜を延出形成したことを特
徴としている。
(e)作用 結合孔（電磁界結合用貫通孔）を有する一体型の誘電体
共振器における各共振器間の結合係数を決定する１つの
要素は、第４図に示すように誘電体ブロックの幅寸法Ａ
と結合孔の幅方向の寸法Ｂとの関係である。即ち、Ｂ／
Ａが大きくなれば結合係数が大きくなる関係にある。こ
の発明によれば、誘電体ブロックの開放端面に、誘電体
ブロック側面の外導体から結合孔に近接する方向に導体
膜を延出形成したことにより、結合孔付近における誘電
体ブロックの幅寸法Ａが等価的に小さくなりＢ／Ａの値
が大きくなり、結合係数が増大する。従って、上記導体
膜の延出量やその形状を調整することによって、結合係
数を容易に調整することができる。
共振器における各共振器間の結合係数を決定する１つの
要素は、第４図に示すように誘電体ブロックの幅寸法Ａ
と結合孔の幅方向の寸法Ｂとの関係である。即ち、Ｂ／
Ａが大きくなれば結合係数が大きくなる関係にある。こ
の発明によれば、誘電体ブロックの開放端面に、誘電体
ブロック側面の外導体から結合孔に近接する方向に導体
膜を延出形成したことにより、結合孔付近における誘電
体ブロックの幅寸法Ａが等価的に小さくなりＢ／Ａの値
が大きくなり、結合係数が増大する。従って、上記導体
膜の延出量やその形状を調整することによって、結合係
数を容易に調整することができる。
(f)実施例 この発明の実施例である誘電体共振器の外観を第１図に
示す。図において１は誘電体ブロックであり、その内部
に内導体形成用貫通孔３，３と、この貫通孔３，３の間
に電磁界結合用貫通孔５が形成されている。貫通孔３，
３の内壁には金属膜からなる内導体４，４が形成されて
いて、誘電体ブロック１の四側面と底面に金属膜からな
る外導体２が形成されている。内導体４，４は底面にお
いて外導体２と短絡されて、底面に短絡端面が構成さ
れ、上面に開放端面が構成される。開放端面には誘電体
ブロックの側面の外導体から電磁界結合用貫通孔５に近
接する方向に導体膜６，６を延出形成している。この導
体膜６は内導体４や外導体２と同様に例えばＡｇペース
トの塗布および焼き付けによって形成することができ
る。
示す。図において１は誘電体ブロックであり、その内部
に内導体形成用貫通孔３，３と、この貫通孔３，３の間
に電磁界結合用貫通孔５が形成されている。貫通孔３，
３の内壁には金属膜からなる内導体４，４が形成されて
いて、誘電体ブロック１の四側面と底面に金属膜からな
る外導体２が形成されている。内導体４，４は底面にお
いて外導体２と短絡されて、底面に短絡端面が構成さ
れ、上面に開放端面が構成される。開放端面には誘電体
ブロックの側面の外導体から電磁界結合用貫通孔５に近
接する方向に導体膜６，６を延出形成している。この導
体膜６は内導体４や外導体２と同様に例えばＡｇペース
トの塗布および焼き付けによって形成することができ
る。
上記誘電体共振器の開放端面におけるオッドモードの電
気力線の分布を第２図に示す。図に示すように導体膜６
の存在により結合孔５と誘電体ブロック側面との距離が
等価的に接近し、第８図に示した従来の誘電体共振器と
比較して明らかなように、２つの共振器間の電気結合の
強さが減少する。このため、一体型の誘電体共振器全体
の結合の強さが、導体膜６のない場合と比較して増大す
る。
気力線の分布を第２図に示す。図に示すように導体膜６
の存在により結合孔５と誘電体ブロック側面との距離が
等価的に接近し、第８図に示した従来の誘電体共振器と
比較して明らかなように、２つの共振器間の電気結合の
強さが減少する。このため、一体型の誘電体共振器全体
の結合の強さが、導体膜６のない場合と比較して増大す
る。
尚、一般に２つの共振器を結合させるためには、イーブ
ンモードとオッドモードにおける特性インピーダンスお
よび電気角のいずれか、または両方を変化させることが
必要であるが、２つの共振器間の誘電体ブロック内に結
合孔を形成することによりイーブンモードの特性インピ
ーダンスが低下し、オッドモードの特性インピーダンス
が増大するとともに、イーブンモードの電気角が増大
し、オッドモードの電気角が減少する。上記実施例で示
したように誘電体ブロック側面の外導体から結合孔に近
接する方向に導体膜を延出形成したことにより、オッド
モードの特性インピーダンスをより増大させ、オッドモ
ードの電気角をより減少させることができる。このた
め、結合孔だけ形成した場合と比較して共振器間の結合
係数が増大する。
ンモードとオッドモードにおける特性インピーダンスお
よび電気角のいずれか、または両方を変化させることが
必要であるが、２つの共振器間の誘電体ブロック内に結
合孔を形成することによりイーブンモードの特性インピ
ーダンスが低下し、オッドモードの特性インピーダンス
が増大するとともに、イーブンモードの電気角が増大
し、オッドモードの電気角が減少する。上記実施例で示
したように誘電体ブロック側面の外導体から結合孔に近
接する方向に導体膜を延出形成したことにより、オッド
モードの特性インピーダンスをより増大させ、オッドモ
ードの電気角をより減少させることができる。このた
め、結合孔だけ形成した場合と比較して共振器間の結合
係数が増大する。
上記実施例における誘電体共振器は長方形の導体膜を形
成した例であったが、導体膜の形状はこれに限るもので
はなく、例えば第３図（Ａ）〜（Ｄ）に示すように種々
の形状とすることができる。また、導体膜は誘電体ブロ
ックの両側面から延出させることに限らず、片側のみか
ら延出形成してもよい。
成した例であったが、導体膜の形状はこれに限るもので
はなく、例えば第３図（Ａ）〜（Ｄ）に示すように種々
の形状とすることができる。また、導体膜は誘電体ブロ
ックの両側面から延出させることに限らず、片側のみか
ら延出形成してもよい。
(g)発明の効果 以上のようにこの発明によれば、誘電体ブロックの開放
端面に誘電体ブロック側面の外導体から電磁界結合用貫
通孔に近接する方向に導体膜を延出形成したことによ
り、誘電体共振器間の結合係数を増大させることがで
き、上記導体膜の寸法や形状を変えることによって結合
係数を調整することができる。このため、誘電体ブロッ
ク形成用金型を変更することなく、所望の結合係数を得
ることができ、開発期間の短縮および量産性を向上させ
ることができる。
端面に誘電体ブロック側面の外導体から電磁界結合用貫
通孔に近接する方向に導体膜を延出形成したことによ
り、誘電体共振器間の結合係数を増大させることがで
き、上記導体膜の寸法や形状を変えることによって結合
係数を調整することができる。このため、誘電体ブロッ
ク形成用金型を変更することなく、所望の結合係数を得
ることができ、開発期間の短縮および量産性を向上させ
ることができる。
第１図はこの発明の実施例である誘電体共振器の外観を
表す斜視図、第２図は同誘電体共振器の開放端面におけ
る電気力線の分布を概略的に表す図、第３図（Ａ）〜
（Ｄ）は他の実施例に係る導体膜の形状を表す図、第４
図は一般的な誘電体共振器の開放端面を表す図、第５図
（Ａ）〜（Ｃ）と第６図（Ａ）〜（Ｃ）は一般的な誘電
体共振器のイーブンモードとオッドモードにおける電流
の方向のおよび電気力線と磁力線の分布を表す図、第７
図は従来の誘電体共振器の外観を表す斜視図、第８図は
従来の誘電体共振器の開放端面における電気力線の分布
を概略的に表す図である。 １……誘電体ブロック、２……外導体、 ４……内導体、５……電磁界結合用貫通孔（結合孔）、 ６……導体膜。
表す斜視図、第２図は同誘電体共振器の開放端面におけ
る電気力線の分布を概略的に表す図、第３図（Ａ）〜
（Ｄ）は他の実施例に係る導体膜の形状を表す図、第４
図は一般的な誘電体共振器の開放端面を表す図、第５図
（Ａ）〜（Ｃ）と第６図（Ａ）〜（Ｃ）は一般的な誘電
体共振器のイーブンモードとオッドモードにおける電流
の方向のおよび電気力線と磁力線の分布を表す図、第７
図は従来の誘電体共振器の外観を表す斜視図、第８図は
従来の誘電体共振器の開放端面における電気力線の分布
を概略的に表す図である。 １……誘電体ブロック、２……外導体、 ４……内導体、５……電磁界結合用貫通孔（結合孔）、 ６……導体膜。
Claims (1)
- 【請求項１】誘電体ブロックの内部に、複数の内導体
と、これらの各内導体間に位置する電磁界結合用貫通孔
をそれぞれ形成し、上記誘電体ブロックの側面に外導体
を形成してなる誘電体共振器において、 上記誘電体ブロックの開放端面に、上記誘電ブロックの
少なくとも一方の側面の外導体から電磁界結合用貫通孔
に近接する方向で、上記一方の側面に対向する他方の側
面にまで達しない範囲に導体膜を延出形成したことを特
徴とする誘電体共振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62156756A JPH0616562B2 (ja) | 1987-06-24 | 1987-06-24 | 誘電体共振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62156756A JPH0616562B2 (ja) | 1987-06-24 | 1987-06-24 | 誘電体共振器 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH011310A JPH011310A (ja) | 1989-01-05 |
| JPS641310A JPS641310A (en) | 1989-01-05 |
| JPH0616562B2 true JPH0616562B2 (ja) | 1994-03-02 |
Family
ID=15634630
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62156756A Expired - Fee Related JPH0616562B2 (ja) | 1987-06-24 | 1987-06-24 | 誘電体共振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0616562B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03280603A (ja) * | 1990-03-29 | 1991-12-11 | Anritsu Corp | 電子部品の自動トリミング装置 |
| JPH0521502U (ja) * | 1991-08-30 | 1993-03-19 | 太陽誘電株式会社 | 誘電体フイルタ |
| US5410285A (en) * | 1993-05-18 | 1995-04-25 | Uniden Corporation | Quasi-TEM mode dielectric filter |
| JP4823496B2 (ja) * | 2004-08-23 | 2011-11-24 | オリンパス株式会社 | 観察システム |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5896401A (ja) * | 1981-12-03 | 1983-06-08 | Oki Electric Ind Co Ltd | 小形高周波フイルタ |
| JPS61179603A (ja) * | 1985-02-04 | 1986-08-12 | Murata Mfg Co Ltd | 分布定数形誘電体共振器 |
| JPH0328561Y2 (ja) * | 1986-01-25 | 1991-06-19 |
-
1987
- 1987-06-24 JP JP62156756A patent/JPH0616562B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS641310A (en) | 1989-01-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |