JPH0616513B2 - Ｎｐｎ型バイポーラトランジスタの製造方法 - Google Patents
Ｎｐｎ型バイポーラトランジスタの製造方法Info
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- JPH0616513B2 JPH0616513B2 JP16636787A JP16636787A JPH0616513B2 JP H0616513 B2 JPH0616513 B2 JP H0616513B2 JP 16636787 A JP16636787 A JP 16636787A JP 16636787 A JP16636787 A JP 16636787A JP H0616513 B2 JPH0616513 B2 JP H0616513B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置に利用され、特にベース領域であ
るＰ型層を形成する不純物の選定を改善したＮＰＮ型バ
イポーラトランジスタの製造方法に関する。
るＰ型層を形成する不純物の選定を改善したＮＰＮ型バ
イポーラトランジスタの製造方法に関する。
本発明は、ＮＰＮ型バイポーラトランジスタの製造方法
において、 ベース領域の少なくともエミッタ領域に対向する領域を
従来のボロン不純物層に代わり、ガリウムあるいはイン
ジウム不純物層をイオン注入により形成した後、高温短
時間の熱処理を行うことにより、 ベース幅を小さくできるＮＰＮ型バイポーラトランジス
タを製造できるようにするものである。
において、 ベース領域の少なくともエミッタ領域に対向する領域を
従来のボロン不純物層に代わり、ガリウムあるいはイン
ジウム不純物層をイオン注入により形成した後、高温短
時間の熱処理を行うことにより、 ベース幅を小さくできるＮＰＮ型バイポーラトランジス
タを製造できるようにするものである。
従来ＮＰＮ型バイポーラトランジスタでは、ベース領域
となるｐ型不純物拡散層に、ボロンを不純物として用い
ていた。例えば、第４図に示すように、ｎ型単結晶ケイ
素基板31上に素子分離用の厚い二酸化ケイ素膜32を形成
後、ベース領域となるＰ型不純物（ボロン）拡散層34お
よびエミッタ領域となるｎ型不純物拡散層35を形成して
いた。ここで、ｐ型不純物（ボロン）拡散層34を形成す
る不純物としてボロンを用いていた理由は、ボロンは、
ケイ素中よりも酸化ケイ素中の拡散係数が１桁程度小さ
く、不純物を熱拡散する再二酸化ケイ素膜32がマスクと
なり、自己整合的に、ｐ型不純物拡散層が形成できるこ
と、ボロンはケイ素中での固溶度が1020以上と大きく、
拡散層の電気抵抗を低くできることによるためである。
となるｐ型不純物拡散層に、ボロンを不純物として用い
ていた。例えば、第４図に示すように、ｎ型単結晶ケイ
素基板31上に素子分離用の厚い二酸化ケイ素膜32を形成
後、ベース領域となるＰ型不純物（ボロン）拡散層34お
よびエミッタ領域となるｎ型不純物拡散層35を形成して
いた。ここで、ｐ型不純物（ボロン）拡散層34を形成す
る不純物としてボロンを用いていた理由は、ボロンは、
ケイ素中よりも酸化ケイ素中の拡散係数が１桁程度小さ
く、不純物を熱拡散する再二酸化ケイ素膜32がマスクと
なり、自己整合的に、ｐ型不純物拡散層が形成できるこ
と、ボロンはケイ素中での固溶度が1020以上と大きく、
拡散層の電気抵抗を低くできることによるためである。
ちなみに、他のＶ族元素であるガリウムやインジウム等
は二酸化ケイ素中の拡散係数がケイ素中の値より大きく
二酸化ケイ素がマスクにならないうえ、ケイ素中での固
溶度が1018程度であるため拡散層の抵抗がボロンの場合
より１桁以上大きくなることからこれまで使われること
が少なかった。なお、第４図において、33は二酸化ケイ
素膜および36は多結晶ケイ素膜である。
は二酸化ケイ素中の拡散係数がケイ素中の値より大きく
二酸化ケイ素がマスクにならないうえ、ケイ素中での固
溶度が1018程度であるため拡散層の抵抗がボロンの場合
より１桁以上大きくなることからこれまで使われること
が少なかった。なお、第４図において、33は二酸化ケイ
素膜および36は多結晶ケイ素膜である。
以上説明した従来のＮＰＮ型バイポーラトランジスタ
は、ベース不純物拡散領域にボロンを用いるためトラン
ジスタのベース幅を小さくするのが困難である問題点が
あった。すなわち、第４図に示したベース領域のｐ型不
純物（ボロン）拡散層34の接合深さと、エミッタ領域の
ｎ型不純物拡散層35の接合深さの差を小さくするのが困
難である。以下第５図(a)〜(d)に示す製造工程における
模式的断面図を用いてその理由を説明する。
は、ベース不純物拡散領域にボロンを用いるためトラン
ジスタのベース幅を小さくするのが困難である問題点が
あった。すなわち、第４図に示したベース領域のｐ型不
純物（ボロン）拡散層34の接合深さと、エミッタ領域の
ｎ型不純物拡散層35の接合深さの差を小さくするのが困
難である。以下第５図(a)〜(d)に示す製造工程における
模式的断面図を用いてその理由を説明する。
第５図(a)に示すように、ｎ型単結晶ケイ素基板31に選
択酸化法等により素子分離のための厚い二酸化ケイ素膜
32を形成し、ボロンをイオン注入してｐ型不純物（ボロ
ン）拡散層34を形成する。続いて第５図(b)に示すよう
に、層間を絶縁するための二酸化ケイ素膜33を堆積後、
フォトリソグラフィ技術並びにエッチング技術を用い
て、エミッタ領域のみ選択的に二酸化ケイ素膜33を除去
して開孔部37を設ける。
択酸化法等により素子分離のための厚い二酸化ケイ素膜
32を形成し、ボロンをイオン注入してｐ型不純物（ボロ
ン）拡散層34を形成する。続いて第５図(b)に示すよう
に、層間を絶縁するための二酸化ケイ素膜33を堆積後、
フォトリソグラフィ技術並びにエッチング技術を用い
て、エミッタ領域のみ選択的に二酸化ケイ素膜33を除去
して開孔部37を設ける。
次に、第５図(c)に示すように、全面に多結晶ケイ素膜3
6を堆積し、この多結晶ケイ素膜36にヒ素をイオン注入
する。そして高温の熱処理により多結晶ケイ素膜36から
ｎ型単結晶ケイ素基板31に不純物すなわちヒ素を拡散
し、第５図(d)に示すようにエミッタ領域となるｎ型不
純物拡散層35を形成する。
6を堆積し、この多結晶ケイ素膜36にヒ素をイオン注入
する。そして高温の熱処理により多結晶ケイ素膜36から
ｎ型単結晶ケイ素基板31に不純物すなわちヒ素を拡散
し、第５図(d)に示すようにエミッタ領域となるｎ型不
純物拡散層35を形成する。
この際、エミッタ領域となるｎ型不純物拡散層35は高濃
度にヒ素をイオン注入された多結晶ケイ素膜36からの増
速拡散により押し込まれて形成される。しかし同時に、
ベース領域を形成するｐ型不純物（ボロン）拡散層34の
ボロンも拡散されるので、熱処理が高精度に制御されな
ければならない。また、ｐ型不純物（ボロン）拡散層34
のボロンは、イオン注入法によりｎ型単結晶ケイ素基板
31に導入されるが、ボロンのように比較的質量数の小さ
い元素は、基板中での飛程が大きく、チャネリングの効
果も大きいため、浅い拡散層の形成が困難となる。
度にヒ素をイオン注入された多結晶ケイ素膜36からの増
速拡散により押し込まれて形成される。しかし同時に、
ベース領域を形成するｐ型不純物（ボロン）拡散層34の
ボロンも拡散されるので、熱処理が高精度に制御されな
ければならない。また、ｐ型不純物（ボロン）拡散層34
のボロンは、イオン注入法によりｎ型単結晶ケイ素基板
31に導入されるが、ボロンのように比較的質量数の小さ
い元素は、基板中での飛程が大きく、チャネリングの効
果も大きいため、浅い拡散層の形成が困難となる。
本発明の目的は、前述の問題点を解消することにより、
ベース幅を小さくすることができるＮＰＮ型バイポーラ
トランジスタの製造方法を提供することにある。
ベース幅を小さくすることができるＮＰＮ型バイポーラ
トランジスタの製造方法を提供することにある。
本第一発明は、ベース領域の少なくともエミッタ領域に
対向する領域がガリウム不純物層から構成されたＮＰＮ
型バイポーラトランジスタの製造方法おいて、イオン注
入で上記ガリウム不純物層を形成する工程と、このガリ
ウムイオン注入後の熱処理を不純物の再拡散がほとんど
生じない短時間の熱処理で行う工程とを含むことを特徴
とする。
対向する領域がガリウム不純物層から構成されたＮＰＮ
型バイポーラトランジスタの製造方法おいて、イオン注
入で上記ガリウム不純物層を形成する工程と、このガリ
ウムイオン注入後の熱処理を不純物の再拡散がほとんど
生じない短時間の熱処理で行う工程とを含むことを特徴
とする。
本発明第二発明は、ガリウムに代えてｐ型不純物として
インジウムを用いること特徴とする。
インジウムを用いること特徴とする。
ベース領域を形成するｐ型不純物をボロンによらず、ガ
リウムあるいはインジウムを用い、イオン注入によりベ
ースのｐ型領域を形成する。
リウムあるいはインジウムを用い、イオン注入によりベ
ースのｐ型領域を形成する。
ガリウムやインジウムは、ボロンより質量数が大きいた
め、イオン注入時の飛程が小さく、また、チャネリング
効果が少ない。また、単結晶ケイ素中での拡散係数は、
ガリウムの場合、ほぼ1100℃以下の領域で、インジウム
の場合ほぼ1300℃以下の領域でいずれもボロンの拡散係
数より小さい。
め、イオン注入時の飛程が小さく、また、チャネリング
効果が少ない。また、単結晶ケイ素中での拡散係数は、
ガリウムの場合、ほぼ1100℃以下の領域で、インジウム
の場合ほぼ1300℃以下の領域でいずれもボロンの拡散係
数より小さい。
文献、「Physics of Semiconductor Devices」S.M.Sze 著
第２版 1981年 68頁 このためｐ型不純物拡散層をボロンの場合よりはるかに
浅くすることができ、これによりベース幅を小さくする
ことが可能となる。
第２版 1981年 68頁 このためｐ型不純物拡散層をボロンの場合よりはるかに
浅くすることができ、これによりベース幅を小さくする
ことが可能となる。
ところで、従来技術の項で説明したように、ガリウムや
インジウムは、二酸化ケイ素中での拡散係数が大きく、
二酸化ケイ素膜がマスクにならない。しかしこの問題
は、例えば近年発達してきた数百〜千数百℃の高温を秒
単位で制御するラピッドサーマルアニール技術によりそ
の不純物が再分布しない程度の短時間サーマルアニール
を施すことで、充分回避することができる。さらに、ガ
リウムやインジウム等のケイ素中での固溶度の低さにつ
いては、ベース領域自体は1019cm-3程度の濃度で充分な
ので、エミッタ領域周辺以外の部分にボロンを高濃度に
拡散した素子構造により対処できる。
インジウムは、二酸化ケイ素中での拡散係数が大きく、
二酸化ケイ素膜がマスクにならない。しかしこの問題
は、例えば近年発達してきた数百〜千数百℃の高温を秒
単位で制御するラピッドサーマルアニール技術によりそ
の不純物が再分布しない程度の短時間サーマルアニール
を施すことで、充分回避することができる。さらに、ガ
リウムやインジウム等のケイ素中での固溶度の低さにつ
いては、ベース領域自体は1019cm-3程度の濃度で充分な
ので、エミッタ領域周辺以外の部分にボロンを高濃度に
拡散した素子構造により対処できる。
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明す
る。
る。
第１図は本第一発明により製造される第一実施例のＮＰ
Ｎ型トランジスタの構造を示す模式的断面図である。こ
のＮＰＮ型トランジスタは、ｎ型単結晶ケイ素基板11上
に、例えばガリウムをイオン注入して形成したベース領
域のｐ型不純物（ガリウム）拡散層14を備えており、本
発明よるＮＰＮ型トランジスタの基本的な構造を示す。
なお、第１図において、15はエミッタ領域のｎ型不純物
拡散層、16および17は、それぞれベース取出し電極およ
びエミッタ取出し電極、13は層間絶縁のための二酸化ケ
イ素膜、および12は素子分離用の厚い二酸化ケイ素膜で
ある。なお、コレクタ取出し電極は省略してある。
Ｎ型トランジスタの構造を示す模式的断面図である。こ
のＮＰＮ型トランジスタは、ｎ型単結晶ケイ素基板11上
に、例えばガリウムをイオン注入して形成したベース領
域のｐ型不純物（ガリウム）拡散層14を備えており、本
発明よるＮＰＮ型トランジスタの基本的な構造を示す。
なお、第１図において、15はエミッタ領域のｎ型不純物
拡散層、16および17は、それぞれベース取出し電極およ
びエミッタ取出し電極、13は層間絶縁のための二酸化ケ
イ素膜、および12は素子分離用の厚い二酸化ケイ素膜で
ある。なお、コレクタ取出し電極は省略してある。
本発明では、ｐ型不純物としてガリウムを用いているの
で、ベース幅を小さくすることができる。しかし、その
ため濃度が小さく、ベース取出し電極16からエミッタ取
出し電極17までの間の寄生抵抗により、トランジスタの
動作速度が劣化する。
で、ベース幅を小さくすることができる。しかし、その
ため濃度が小さく、ベース取出し電極16からエミッタ取
出し電極17までの間の寄生抵抗により、トランジスタの
動作速度が劣化する。
第２図は本第一発明によるＮＰＮ型トランジスタの第二
実施例の要部を示す模式的断面図で、第１図の第一例に
おけるベースの寄生抵抗を下げるようにしたものであ
る。
実施例の要部を示す模式的断面図で、第１図の第一例に
おけるベースの寄生抵抗を下げるようにしたものであ
る。
本第二実施例のＮＰＮ型トランジスタは、ｎ型単結晶ケ
イ素基板11上に、ベース領域のうちエミッタ領域となる
ヒ素イオン注入層15a 対向する内部ベース領域はガリウ
ムイオン注入層14c で形成し、それを取り巻く外部ベー
ス領域はボロン拡散層14a および14b で形成した構造と
なっている。なお、第２図において、12は二酸化ケイ素
膜、18は多結晶ケイ素膜、19は窒化ケイ素膜、20は多結
晶ケイ素膜、21は二酸化ケイ素膜、23はサイドウォール
および17はエミッタ取出し電極で、ベース取出し電極お
よびコレクタ取出し電極は省略してある。
イ素基板11上に、ベース領域のうちエミッタ領域となる
ヒ素イオン注入層15a 対向する内部ベース領域はガリウ
ムイオン注入層14c で形成し、それを取り巻く外部ベー
ス領域はボロン拡散層14a および14b で形成した構造と
なっている。なお、第２図において、12は二酸化ケイ素
膜、18は多結晶ケイ素膜、19は窒化ケイ素膜、20は多結
晶ケイ素膜、21は二酸化ケイ素膜、23はサイドウォール
および17はエミッタ取出し電極で、ベース取出し電極お
よびコレクタ取出し電極は省略してある。
すなわち、本実施例は、ベース幅を決める内部ベース領
域はガリウムにより、寄生抵抗が問題となる外部ベース
領域は従来と同様にボロンにより形成しているので、ベ
ース幅を小さくしかつ寄生抵抗を下げることができる。
域はガリウムにより、寄生抵抗が問題となる外部ベース
領域は従来と同様にボロンにより形成しているので、ベ
ース幅を小さくしかつ寄生抵抗を下げることができる。
次に、第３図(a)〜(k)を用いて本第二実施例の製造方法
の一例を説明する。
の一例を説明する。
第３図(a)に示すように、ｎ型単結晶ケイ素基板11上に
選択酸化法により素子分離用の厚さ１．０μｍ程度の二
酸化ケイ素膜12を形成し、素子領域に厚さ50ｎｍ程度の
二酸化ケイ素膜13を形成後、全面に多結晶ケイ素膜18を
厚さ０．４μｍ程度に堆積する。続いて全面にボロンを
30KeV で５×1015cm-2程度イオン注入し、さらに全面に
窒化ケイ素膜19を厚さ０．２μｍ程度に堆積する。
選択酸化法により素子分離用の厚さ１．０μｍ程度の二
酸化ケイ素膜12を形成し、素子領域に厚さ50ｎｍ程度の
二酸化ケイ素膜13を形成後、全面に多結晶ケイ素膜18を
厚さ０．４μｍ程度に堆積する。続いて全面にボロンを
30KeV で５×1015cm-2程度イオン注入し、さらに全面に
窒化ケイ素膜19を厚さ０．２μｍ程度に堆積する。
次に、フォトリソグラフィ技術と、反応性スパッタエッ
チング技術を用いて、第３図(b)に示すように、エミッ
タ領域のみ選択的に窒化ケイ素膜19および多結晶ケイ素
膜18を除去する。このとき二酸化ケイ素膜13は除去して
もしなくてもどちらでもかまわない。
チング技術を用いて、第３図(b)に示すように、エミッ
タ領域のみ選択的に窒化ケイ素膜19および多結晶ケイ素
膜18を除去する。このとき二酸化ケイ素膜13は除去して
もしなくてもどちらでもかまわない。
次に、フッ酸等により二酸化ケイ素膜13をエッチングし
て、第３図(c)に示すように、エミッタ領域の開孔部か
ら二酸化ケイ素膜13を後退させ、多結晶ケイ素膜18の
「ひさし」を形成する。続いて全面に厚さ30ｎｍ程度の
多結晶ケイ素膜20を源圧ＣＶＤ法等の段差被覆性に優れ
た方法で堆積すると、第３図(d)に示すように、「ひさ
し」は完全に埋められ、多結晶ケイ素膜18は多結晶ケイ
素膜20によってｎ型単結晶ケイ素基板11と電気的に接続
される。
て、第３図(c)に示すように、エミッタ領域の開孔部か
ら二酸化ケイ素膜13を後退させ、多結晶ケイ素膜18の
「ひさし」を形成する。続いて全面に厚さ30ｎｍ程度の
多結晶ケイ素膜20を源圧ＣＶＤ法等の段差被覆性に優れ
た方法で堆積すると、第３図(d)に示すように、「ひさ
し」は完全に埋められ、多結晶ケイ素膜18は多結晶ケイ
素膜20によってｎ型単結晶ケイ素基板11と電気的に接続
される。
次に、異方性エッチングにより多結晶ケイ素膜20を窒化
ケイ素膜19が露出するまでエッチングし、第３図(e)に
示すように、エミッタ領域の基板表面を露出する。続い
て、800 ℃程度の温度で酸化を行い第３図(f)に示すよ
うに、二酸化ケイ素膜21を厚さ10ｎｍ程度形成する。こ
のとき、多結晶ケイ素膜18中のボロンは、800 ℃と温度
が低いためほとんど拡散しない。
ケイ素膜19が露出するまでエッチングし、第３図(e)に
示すように、エミッタ領域の基板表面を露出する。続い
て、800 ℃程度の温度で酸化を行い第３図(f)に示すよ
うに、二酸化ケイ素膜21を厚さ10ｎｍ程度形成する。こ
のとき、多結晶ケイ素膜18中のボロンは、800 ℃と温度
が低いためほとんど拡散しない。
次に950 ℃で10分程度窒素雰囲気中で熱処理し、多結晶
ケイ素膜18中のボロンをｎ型単結晶ケイ素基板11中に拡
散させ、第３図(g)に示すように、ボロン拡散層14a お
よび14b を形成する。このとき、二酸化ケイ素膜21がス
トッパーとなり、多結晶ケイ素膜18中のボロンはアウト
ディフュージョンせず、エミッタ領域へのオートドーピ
ングも起こらない。
ケイ素膜18中のボロンをｎ型単結晶ケイ素基板11中に拡
散させ、第３図(g)に示すように、ボロン拡散層14a お
よび14b を形成する。このとき、二酸化ケイ素膜21がス
トッパーとなり、多結晶ケイ素膜18中のボロンはアウト
ディフュージョンせず、エミッタ領域へのオートドーピ
ングも起こらない。
次に、ガリウムを70KeV で１×1014cm-2イオン注入し、
第３図(h)に示すように、ガリウムイオン注入層14c を
形成後、第３図(i)に示すように、気相成長法により二
酸化ケイ素膜22を厚さ０．５μｍ程度に堆積する。
第３図(h)に示すように、ガリウムイオン注入層14c を
形成後、第３図(i)に示すように、気相成長法により二
酸化ケイ素膜22を厚さ０．５μｍ程度に堆積する。
次に、この二酸化ケイ素膜22を異方性エッチングして、
第３図(j)に示すようにエミッタ領域の基板表面を露出
すると、二酸化ケイ素のサイドウォール23が形成され
る。続いて、ヒ素を30KeV で５×1015cm-2イオン注入し
て、第３図(k)に示すように、ヒ素イオン注入層15a を
形成後、ハロゲンランプ光照射等により1000℃、５秒程
度の熱処理を行い、ヒ素イオン注入層15a およびガリウ
ムイオン注入層14c の不純物を電気的に活性化する。こ
の際、熱処理時間が短いため、不純物はほとんど拡散し
ない。
第３図(j)に示すようにエミッタ領域の基板表面を露出
すると、二酸化ケイ素のサイドウォール23が形成され
る。続いて、ヒ素を30KeV で５×1015cm-2イオン注入し
て、第３図(k)に示すように、ヒ素イオン注入層15a を
形成後、ハロゲンランプ光照射等により1000℃、５秒程
度の熱処理を行い、ヒ素イオン注入層15a およびガリウ
ムイオン注入層14c の不純物を電気的に活性化する。こ
の際、熱処理時間が短いため、不純物はほとんど拡散し
ない。
最後に、第２図に示すようにエミッタ取出し電極17を設
けて、本第二実施例のＮＰＮトランジスタを得る。
けて、本第二実施例のＮＰＮトランジスタを得る。
以上説明したように、本第二実施例は、ＮＰＮバイポー
ラトランジスタのベース幅をほとんどイオン注入により
制御するため、ベース幅の制御精度を大幅に向上させ、
かつ小さくすることができる。
ラトランジスタのベース幅をほとんどイオン注入により
制御するため、ベース幅の制御精度を大幅に向上させ、
かつ小さくすることができる。
以上、第一発明の実施例について説明したが、第二発明
はガリウムの代わりにインジウムを用いたものであり、
前述の第一発明の場合と同様である。
はガリウムの代わりにインジウムを用いたものであり、
前述の第一発明の場合と同様である。
以上、説明したように、本発明はＮＰＮバイポーラトラ
ンジスタのベース領域の少なくとも内部ベース領域を、
不純物としてガリウムまたはインジウムを用いて形成す
ることができるので、ベース幅を小さくしたバイポーラ
トランジスタを得ることができる。
ンジスタのベース領域の少なくとも内部ベース領域を、
不純物としてガリウムまたはインジウムを用いて形成す
ることができるので、ベース幅を小さくしたバイポーラ
トランジスタを得ることができる。
また、ガリウムまたはインジウムによるベース領域を内
部ベース領域に限定し、外部ベース領域はボロンを用い
て形成した構造とすることにより、ほとんどイオン注入
法によりベース幅の制御ができ、ベース幅を高精度でも
って小さくできるとともにベース寄生抵抗も小さくでき
る効果がある。
部ベース領域に限定し、外部ベース領域はボロンを用い
て形成した構造とすることにより、ほとんどイオン注入
法によりベース幅の制御ができ、ベース幅を高精度でも
って小さくできるとともにベース寄生抵抗も小さくでき
る効果がある。
従って、本発明によれば、トランジスタの性能、特に周
波数特性を大幅に向上させたＮＰＮ型バイポーラトラン
ジスタが容易に製造することができ、その効果は大であ
る。
波数特性を大幅に向上させたＮＰＮ型バイポーラトラン
ジスタが容易に製造することができ、その効果は大であ
る。
第１図は本発明の第一実施例を示す模式的断面図。 第２図は本発明の第二実施例の要部を示す模式的断面
図。 第３図(a)〜(k)はその製造工程を示す模式的断面図。 第４図は従来例を示す模式的断面図。 第５図はその製造工程を示す模式的断面図。 11、31……ｎ型単結晶ケイ素基板、12、13、21、22、3
2、33……二酸化ケイ素膜、14……ｐ型不純物（ガリウ
ム）拡散層、14a 、14b ……ボロン拡散層、14c ……ガ
リウムイオン注入層、15、35……ｎ型不純物拡散層、15
a ……ヒ素イオン注入層、16……ベース取出し電極、17
……エミッタ取出し電極、18、20、36……多結晶ケイ素
膜、19……窒化ケイ素膜、23……サイドウォール、34…
…ｐ型不純物（ボロン）拡散層、37……開孔部。
図。 第３図(a)〜(k)はその製造工程を示す模式的断面図。 第４図は従来例を示す模式的断面図。 第５図はその製造工程を示す模式的断面図。 11、31……ｎ型単結晶ケイ素基板、12、13、21、22、3
2、33……二酸化ケイ素膜、14……ｐ型不純物（ガリウ
ム）拡散層、14a 、14b ……ボロン拡散層、14c ……ガ
リウムイオン注入層、15、35……ｎ型不純物拡散層、15
a ……ヒ素イオン注入層、16……ベース取出し電極、17
……エミッタ取出し電極、18、20、36……多結晶ケイ素
膜、19……窒化ケイ素膜、23……サイドウォール、34…
…ｐ型不純物（ボロン）拡散層、37……開孔部。
Claims (2)
- 【請求項１】ベース領域の少なくともエミッタ領域に対
向する領域がガリウム不純物層から構成されたＮＰＮ型
バイポーラトランジスタの製造方法において、 イオン注入で上記ガリウム不純物層を形成する工程と、 このガリウムイオン注入後の熱処理を不純物の再拡散が
ほとんど生じない程度の短時間の熱処理で行う工程と を含むことを特徴とするＮＰＮ型バイポーラトランジス
タの製造方法。 - 【請求項２】ベース領域の少なくともエミッタ領域に対
向する領域がインジウム不純物層から構成されたＮＰＮ
型バイポーラトランジスタの製造方法において、 イオン注入により上記インジウム不純物層を形成する工
程と、 このインジウムイオン注入後の熱処理を不純物の再拡散
がほとんど生じない程度の短時間の熱処理で行う工程と を含むことを特徴とするＮＰＮ型バイポーラトランジス
タの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16636787A JPH0616513B2 (ja) | 1987-07-02 | 1987-07-02 | Ｎｐｎ型バイポーラトランジスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16636787A JPH0616513B2 (ja) | 1987-07-02 | 1987-07-02 | Ｎｐｎ型バイポーラトランジスタの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6410668A JPS6410668A (en) | 1989-01-13 |
| JPH0616513B2 true JPH0616513B2 (ja) | 1994-03-02 |
Family
ID=15830088
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16636787A Expired - Lifetime JPH0616513B2 (ja) | 1987-07-02 | 1987-07-02 | Ｎｐｎ型バイポーラトランジスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0616513B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2236901A (en) * | 1989-09-20 | 1991-04-17 | Philips Nv | A method of manufacturing a semiconductor device |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS502476A (ja) * | 1973-05-07 | 1975-01-11 | ||
| JPS54586A (en) * | 1977-06-03 | 1979-01-05 | Hitachi Ltd | Production of semiconductor device |
-
1987
- 1987-07-02 JP JP16636787A patent/JPH0616513B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6410668A (en) | 1989-01-13 |
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