JPH06163414A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPH06163414A JPH06163414A JP30742092A JP30742092A JPH06163414A JP H06163414 A JPH06163414 A JP H06163414A JP 30742092 A JP30742092 A JP 30742092A JP 30742092 A JP30742092 A JP 30742092A JP H06163414 A JPH06163414 A JP H06163414A
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- Japan
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- liquid source
- pressure
- gas
- liquid
- pressure container
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 液体ソースを熱分解，酸化反応，または還元
反応させて，半導体基板上に半導体，金属，酸化物，窒
化物，シリサイドなどの薄膜を堆積するＣＶＤ（化学気
相成長）装置に関し，処理室に安定して液体ソースを供
給できるようにして，均一な薄膜を再現性良く形成でき
るようにする。 【構成】 液体ソース１を収容する圧力容器２内へ与圧
ガス３を導入して，圧力容器２の圧力を高めると共に，
圧力容器２内の余剰ガス４を外部に放出して，圧力容器
２内の圧力を一定に保つ。液体ソース１は，液体ソース
輸送管７により，処理室１１の近傍まで，液体のまま直
接輸送される。処理室１１の近傍まで輸送された液体ソ
ース１は，気化・分離器８において，キャリアガス９に
より単分子または複数分子に気化または分離され，処理
室１１へ導入されて，ウェハ１４上に薄膜を堆積する。
反応させて，半導体基板上に半導体，金属，酸化物，窒
化物，シリサイドなどの薄膜を堆積するＣＶＤ（化学気
相成長）装置に関し，処理室に安定して液体ソースを供
給できるようにして，均一な薄膜を再現性良く形成でき
るようにする。 【構成】 液体ソース１を収容する圧力容器２内へ与圧
ガス３を導入して，圧力容器２の圧力を高めると共に，
圧力容器２内の余剰ガス４を外部に放出して，圧力容器
２内の圧力を一定に保つ。液体ソース１は，液体ソース
輸送管７により，処理室１１の近傍まで，液体のまま直
接輸送される。処理室１１の近傍まで輸送された液体ソ
ース１は，気化・分離器８において，キャリアガス９に
より単分子または複数分子に気化または分離され，処理
室１１へ導入されて，ウェハ１４上に薄膜を堆積する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，半導体製造装置，特に
液体ソースを用いるＣＶＤ（ Chemical Vapor Depositi
on；化学気相成長 )装置に関する。
液体ソースを用いるＣＶＤ（ Chemical Vapor Depositi
on；化学気相成長 )装置に関する。
【０００２】半導体装置の製造には，半導体基板上に，
半導体，金属，酸化物，窒化物，シリサイドなどの各種
の薄膜を堆積する必要がある。これらの薄膜には，高い
機能性および量産性が求められる。
半導体，金属，酸化物，窒化物，シリサイドなどの各種
の薄膜を堆積する必要がある。これらの薄膜には，高い
機能性および量産性が求められる。
【０００３】半導体基板上へ薄膜を堆積する方法とし
て，液体ソースを用いたＣＶＤ法があるが，これには，
多様な液体ソースが利用される。このため，液体ソース
を処理室まで安定して輸送することが，重要になってい
る。
て，液体ソースを用いたＣＶＤ法があるが，これには，
多様な液体ソースが利用される。このため，液体ソース
を処理室まで安定して輸送することが，重要になってい
る。
【０００４】
【従来の技術】液体ソースを用いるＣＶＤ装置の処理室
への液体ソースの輸送方法として，従来，図５に示す３
通りの方法がとられていた。
への液体ソースの輸送方法として，従来，図５に示す３
通りの方法がとられていた。
【０００５】図中，３１は圧力容器，３２は液体ソー
ス，３３はキャリアガス輸送管，３４はソースガス輸送
管，３５は与圧ガス輸送管，３６は圧力計，３７は液体
ソース輸送管，３８はマスフローコントローラ（ＭＦ
Ｃ），３９は気化器である。
ス，３３はキャリアガス輸送管，３４はソースガス輸送
管，３５は与圧ガス輸送管，３６は圧力計，３７は液体
ソース輸送管，３８はマスフローコントローラ（ＭＦ
Ｃ），３９は気化器である。
【０００６】以下，従来の液体ソースの輸送方法を説明
する。 図５（ａ）に示す方法 圧力容器３１に収容された液体ソースＢ３２は，自然気
化あるいは外部からの加熱により気化して蒸気の状態で
圧力容器３１内に充満している。液体ソースＢ３２が蒸
気の状態で充満している圧力容器３１内へ，キャリアガ
ス輸送管３３によりキャリアガスＡを導入する。
する。 図５（ａ）に示す方法 圧力容器３１に収容された液体ソースＢ３２は，自然気
化あるいは外部からの加熱により気化して蒸気の状態で
圧力容器３１内に充満している。液体ソースＢ３２が蒸
気の状態で充満している圧力容器３１内へ，キャリアガ
ス輸送管３３によりキャリアガスＡを導入する。
【０００７】すると，圧力容器３１内では，液体ソース
Ｂ３２の蒸気とキャリアガスＡとが混合されて，Ａ＋Ｂ
というソースガスができる。このソースガスＡ＋Ｂを，
ソースガス輸送管３４により，処理室まで輸送する。
Ｂ３２の蒸気とキャリアガスＡとが混合されて，Ａ＋Ｂ
というソースガスができる。このソースガスＡ＋Ｂを，
ソースガス輸送管３４により，処理室まで輸送する。
【０００８】 図５（ｂ）に示す方法 圧力容器３１に収容された液体ソースＢ３２中に，キャ
リアガス輸送管３３が挿入されている。この状態で，キ
ャリアガス輸送管３３にキャリアガスＡを導入すると，
液体ソースＢ３２がバブリングされて，圧力容器３１内
にＡ＋Ｂというソースガスができる。このソースガスＡ
＋Ｂを，ソースガス輸送管３４により，処理室まで輸送
する。
リアガス輸送管３３が挿入されている。この状態で，キ
ャリアガス輸送管３３にキャリアガスＡを導入すると，
液体ソースＢ３２がバブリングされて，圧力容器３１内
にＡ＋Ｂというソースガスができる。このソースガスＡ
＋Ｂを，ソースガス輸送管３４により，処理室まで輸送
する。
【０００９】 図５（ｃ）に示す方法 与圧ガス輸送管３５から圧力容器３１内に与圧ガスを導
入すると，圧力容器３１内の圧力が高まり，圧力容器３
１に収容された液体ソースＢ３２は，液体ソース輸送管
３７中に液体のままの状態で導入される。
入すると，圧力容器３１内の圧力が高まり，圧力容器３
１に収容された液体ソースＢ３２は，液体ソース輸送管
３７中に液体のままの状態で導入される。
【００１０】液体ソース輸送管３７中に導入された液体
ソースＢ３２は，マスフローコントローラ（ＭＦＣ）３
８により流量を調節された後，気化器３９により気化さ
れ，蒸気の状態で処理室に導入される。
ソースＢ３２は，マスフローコントローラ（ＭＦＣ）３
８により流量を調節された後，気化器３９により気化さ
れ，蒸気の状態で処理室に導入される。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】従来の液体ソースの輸
送方法には，次の問題があった。 液体ソースＢ３２の蒸気とキャリアガスＡとを混合
させて，ソースガスＡ＋Ｂを作り，このソースガスＡ＋
Ｂを処理室まで輸送する，図５（ａ）および（ｂ）に示
す方法では，ソースガスＡ＋Ｂの輸送過程で液化が生じ
てしまい，安定に輸送することができなくなる。
送方法には，次の問題があった。 液体ソースＢ３２の蒸気とキャリアガスＡとを混合
させて，ソースガスＡ＋Ｂを作り，このソースガスＡ＋
Ｂを処理室まで輸送する，図５（ａ）および（ｂ）に示
す方法では，ソースガスＡ＋Ｂの輸送過程で液化が生じ
てしまい，安定に輸送することができなくなる。
【００１２】 キャリアガスＡにより液体ソースＢ３
２をバブリングする，図５（ｂ）に示す方法では，突沸
が生じ，ソースガスＡ＋Ｂを安定に輸送することができ
なくなる。
２をバブリングする，図５（ｂ）に示す方法では，突沸
が生じ，ソースガスＡ＋Ｂを安定に輸送することができ
なくなる。
【００１３】 液体ソースＢ３２を，処理室の近傍の
気化器３９まで，液体状態のままで輸送する，図５
（ｃ）に示す方法では，マスフローコントローラ（ＭＦ
Ｃ）３８に詰まりが生じ，液体ソースＢ３２を安定に輸
送することができなくなる。
気化器３９まで，液体状態のままで輸送する，図５
（ｃ）に示す方法では，マスフローコントローラ（ＭＦ
Ｃ）３８に詰まりが生じ，液体ソースＢ３２を安定に輸
送することができなくなる。
【００１４】本発明は，上記の問題点を解決して，処理
室に安定して液体ソースを供給することができるように
して，均一な薄膜を再現性良く形成することのできる，
半導体製造装置，特に液体ソースを用いるＣＶＤ装置を
提供することを目的とする。
室に安定して液体ソースを供給することができるように
して，均一な薄膜を再現性良く形成することのできる，
半導体製造装置，特に液体ソースを用いるＣＶＤ装置を
提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに，本発明は，次のように構成する。液体ソースを熱
分解または酸化反応もしくは還元反応させて，半導体基
板上に半導体，金属，酸化物，窒化物，シリサイドなど
の薄膜を堆積する化学気相成長装置であって，液体ソー
スを収容する圧力容器と，該圧力容器内へ与圧ガスを導
入して，該圧力容器内の圧力を高める与圧手段と，前記
圧力容器内の余剰ガスを外部に放出して，圧力容器内の
圧力を一定に保つ圧力調節手段と，圧力容器内の液体ソ
ースを処理室の近傍まで，液体のまま直接輸送する手段
と，処理室の近傍まで輸送された液体ソースを，キャリ
アガスにより単分子または複数分子に気化または分離す
る気化・分離器とを含むように構成する。
めに，本発明は，次のように構成する。液体ソースを熱
分解または酸化反応もしくは還元反応させて，半導体基
板上に半導体，金属，酸化物，窒化物，シリサイドなど
の薄膜を堆積する化学気相成長装置であって，液体ソー
スを収容する圧力容器と，該圧力容器内へ与圧ガスを導
入して，該圧力容器内の圧力を高める与圧手段と，前記
圧力容器内の余剰ガスを外部に放出して，圧力容器内の
圧力を一定に保つ圧力調節手段と，圧力容器内の液体ソ
ースを処理室の近傍まで，液体のまま直接輸送する手段
と，処理室の近傍まで輸送された液体ソースを，キャリ
アガスにより単分子または複数分子に気化または分離す
る気化・分離器とを含むように構成する。
【００１６】
【作用】本発明に係る液体ソースを用いる化学気相成長
装置では，圧力容器に収容された液体ソースを処理室の
近傍まで，液体のまま「直接」輸送するようにしてい
る。「直接」の意味は，液体ソースの輸送過程に，マス
フローコントローラ（ＭＦＣ）などの制御機器を設けな
い，ということである。
装置では，圧力容器に収容された液体ソースを処理室の
近傍まで，液体のまま「直接」輸送するようにしてい
る。「直接」の意味は，液体ソースの輸送過程に，マス
フローコントローラ（ＭＦＣ）などの制御機器を設けな
い，ということである。
【００１７】液体ソースの流量の制御は，圧力容器内へ
与圧ガスを導入して，圧力容器内の圧力を高める与圧手
段と，圧力容器内の余剰ガスを外部に放出して，圧力容
器内の圧力を一定に保つ圧力調節手段とで行う。
与圧ガスを導入して，圧力容器内の圧力を高める与圧手
段と，圧力容器内の余剰ガスを外部に放出して，圧力容
器内の圧力を一定に保つ圧力調節手段とで行う。
【００１８】以上のように構成することにより，本発明
によれば，液体ソースを液体状態のままで，輸送量に変
動をきたすことなく，一定の流量で処理室の近傍まで輸
送することが可能になる。その結果，均一な薄膜を再現
性良く形成することができるようになる。
によれば，液体ソースを液体状態のままで，輸送量に変
動をきたすことなく，一定の流量で処理室の近傍まで輸
送することが可能になる。その結果，均一な薄膜を再現
性良く形成することができるようになる。
【００１９】
【実施例】図１は，本発明の一実施例を示す図である。
図中，１は液体ソース，２は圧力容器，３は与圧ガス，
４は余剰ガス，５は圧力計，６はマスフローコントロー
ラ（ＭＦＣ），７は液体ソース輸送管，８は気化・分離
器，９はキャリアガス，１０はマスフローコントローラ
（ＭＦＣ），１１は処理室，１２はステージ，１３はヒ
ータ，１４はウェハである。
図中，１は液体ソース，２は圧力容器，３は与圧ガス，
４は余剰ガス，５は圧力計，６はマスフローコントロー
ラ（ＭＦＣ），７は液体ソース輸送管，８は気化・分離
器，９はキャリアガス，１０はマスフローコントローラ
（ＭＦＣ），１１は処理室，１２はステージ，１３はヒ
ータ，１４はウェハである。
【００２０】以下，図１を用いて，本発明に係る液体ソ
ースを用いるＣＶＤ装置の動作を説明する。圧力容器２
に液体ソース１が収容されている。圧力容器２には，与
圧ガス３が導入され，圧力容器２内の圧力を高める。圧
力容器２内の圧力が高まると，液体ソース１は，液体ソ
ース輸送管７により液体状態のまま気化・分離器８へ輸
送される。この輸送過程においては，障害となるものが
何も無いから，液体ソース１は，安定に輸送される。
ースを用いるＣＶＤ装置の動作を説明する。圧力容器２
に液体ソース１が収容されている。圧力容器２には，与
圧ガス３が導入され，圧力容器２内の圧力を高める。圧
力容器２内の圧力が高まると，液体ソース１は，液体ソ
ース輸送管７により液体状態のまま気化・分離器８へ輸
送される。この輸送過程においては，障害となるものが
何も無いから，液体ソース１は，安定に輸送される。
【００２１】液体ソース１の流量は，圧力容器２内の圧
力を調節することにより行われる。すなわち，与圧ガス
３により圧力容器２内の圧力を高め，圧力容器２内の圧
力が高くなり過ぎると，余剰ガス４として圧力容器２外
へ逃がす。圧力容器２外へ逃がす余剰ガス４の流量は，
マスフローコントローラ（ＭＦＣ）６により制御され
る。マスフローコントローラ（ＭＦＣ）６による制御
は，与圧ガスの圧力を計測する圧力計５と連動して行わ
れるので，圧力容器２内の圧力は，常に一定の値に保た
れる。
力を調節することにより行われる。すなわち，与圧ガス
３により圧力容器２内の圧力を高め，圧力容器２内の圧
力が高くなり過ぎると，余剰ガス４として圧力容器２外
へ逃がす。圧力容器２外へ逃がす余剰ガス４の流量は，
マスフローコントローラ（ＭＦＣ）６により制御され
る。マスフローコントローラ（ＭＦＣ）６による制御
は，与圧ガスの圧力を計測する圧力計５と連動して行わ
れるので，圧力容器２内の圧力は，常に一定の値に保た
れる。
【００２２】与圧ガス３は，液体ソース１と反応しない
ものの中から選択される。すなわち，Ｈｅ，Ａｒ，Ｘ
ｅ，Ｎ2 などが用いられる。液体ソース輸送管７により
気化・分離器８まで輸送された液体ソース１は，気化・
分離器８において，マスフローコントローラ（ＭＦＣ）
１０により流量を制御されたキャリアガス９により，単
分子または複数分子に気化または分離される。キャリア
ガス９としては，Ｈｅ，Ａｒ，Ｘｅ，Ｎ2 ，Ｈ2 などが
用いられる。
ものの中から選択される。すなわち，Ｈｅ，Ａｒ，Ｘ
ｅ，Ｎ2 などが用いられる。液体ソース輸送管７により
気化・分離器８まで輸送された液体ソース１は，気化・
分離器８において，マスフローコントローラ（ＭＦＣ）
１０により流量を制御されたキャリアガス９により，単
分子または複数分子に気化または分離される。キャリア
ガス９としては，Ｈｅ，Ａｒ，Ｘｅ，Ｎ2 ，Ｈ2 などが
用いられる。
【００２３】気化・分離器８により単分子または複数分
子に気化または分離された液体ソースは，処理室１１へ
導入され，ステージ１２上に載置されたウェハ１４の表
面に薄膜を堆積する。
子に気化または分離された液体ソースは，処理室１１へ
導入され，ステージ１２上に載置されたウェハ１４の表
面に薄膜を堆積する。
【００２４】次に，図２を用いて，本発明で用いる気化
・分離器の例を説明する。図中，２１は本体，２２は液
体ソース輸送管，２３はノズル，２４はキャリアガス輸
送管，２５はガス導出口である。
・分離器の例を説明する。図中，２１は本体，２２は液
体ソース輸送管，２３はノズル，２４はキャリアガス輸
送管，２５はガス導出口である。
【００２５】気化・分離器本体２１の一方の一部（図の
右側）は，くびれてキャリアガス輸送管２４を形成して
おり，他方の一部（図の下側）は，くびれてガス導出口
を形成している。また，本体２１の上部には，液体ソー
ス輸送管２２の先端を構成するノズル２３が挿通されて
いる。
右側）は，くびれてキャリアガス輸送管２４を形成して
おり，他方の一部（図の下側）は，くびれてガス導出口
を形成している。また，本体２１の上部には，液体ソー
ス輸送管２２の先端を構成するノズル２３が挿通されて
いる。
【００２６】以下，図２に示す気化・分離器の動作を説
明する。キャリアガス輸送管２４から本体２１内へ導入
されたキャリアガスがノズル２３の周囲を高速度で流れ
ると，ノズル２３の先端部は減圧される。すると，ノズ
ル２３の先端の開口部から，液体ソースが単分子あるい
は複数分子に気化または分離して放出される。ノズル２
３の先端の開口部から放出された液体ソースは，キャリ
アガスの流れに乗って，本体２１の下方に設けられたガ
ス導出口２５から処理室へ導入される。
明する。キャリアガス輸送管２４から本体２１内へ導入
されたキャリアガスがノズル２３の周囲を高速度で流れ
ると，ノズル２３の先端部は減圧される。すると，ノズ
ル２３の先端の開口部から，液体ソースが単分子あるい
は複数分子に気化または分離して放出される。ノズル２
３の先端の開口部から放出された液体ソースは，キャリ
アガスの流れに乗って，本体２１の下方に設けられたガ
ス導出口２５から処理室へ導入される。
【００２７】次に，本発明に係る液体ソースを用いるＣ
ＶＤ装置を用いて，実際に成膜した場合の例を説明す
る。図３は，成膜速度と成膜回数との関係を示す図であ
る。図中，○は本発明に係る装置によるものであり，×
は従来の装置によるものである。
ＶＤ装置を用いて，実際に成膜した場合の例を説明す
る。図３は，成膜速度と成膜回数との関係を示す図であ
る。図中，○は本発明に係る装置によるものであり，×
は従来の装置によるものである。
【００２８】図３から，従来の装置では成膜回数を重ね
るに従って成膜速度が低下するの対して，本発明の装置
では成膜回数を重ねても成膜速度がほとんど変化しない
ことが分かる。このことは，本発明の装置が長期使用可
能であることを示している。
るに従って成膜速度が低下するの対して，本発明の装置
では成膜回数を重ねても成膜速度がほとんど変化しない
ことが分かる。このことは，本発明の装置が長期使用可
能であることを示している。
【００２９】図４は，膜厚とキャリアガス流量（圧力容
器における圧力）との関係を示す図である。図４から，
従来の装置ではキャリアガス流量が増大するとある膜厚
で飽和してしまうのに対して，本発明の装置では膜厚
は，圧力容器における圧力に比例することが分かる。本
発明の装置の圧力容器における圧力は，従来の装置のキ
ャリアガス流量に相当するものであるから，従来の装置
では処理室に供給される液体ソースの量を増大させて
も，ある値以上においては成膜に寄与しない，というこ
とを示しており，それに対して，本発明の装置では処理
室に供給される液体ソースの量に比例して成膜が行われ
る，ということを示している。
器における圧力）との関係を示す図である。図４から，
従来の装置ではキャリアガス流量が増大するとある膜厚
で飽和してしまうのに対して，本発明の装置では膜厚
は，圧力容器における圧力に比例することが分かる。本
発明の装置の圧力容器における圧力は，従来の装置のキ
ャリアガス流量に相当するものであるから，従来の装置
では処理室に供給される液体ソースの量を増大させて
も，ある値以上においては成膜に寄与しない，というこ
とを示しており，それに対して，本発明の装置では処理
室に供給される液体ソースの量に比例して成膜が行われ
る，ということを示している。
【００３０】次に，図１に示す装置を用いた成膜の具体
例を説明する。 （１）ＴｉＳｉ2 の成膜 以下の条件で成膜を行った。
例を説明する。 （１）ＴｉＳｉ2 の成膜 以下の条件で成膜を行った。
【００３１】液体ソース ：ＴｉＣｌ4 圧力容器圧力 ：１〜２ｋｇ／ｃｍ2 基板温度 ：１００〜７００℃ キャリアガス ：Ｈ2 キャリアガス流量：１０〜１０００ｃｃ／ｍｉｎ 以上の条件で，Ｓｉ基板上にＴｉＳｉ2 を成膜したとこ
ろ，均一なＴｉＳｉ2膜を再現性良く得ることができ
た。
ろ，均一なＴｉＳｉ2膜を再現性良く得ることができ
た。
【００３２】（２）Ａｌの成膜 以下の条件で成膜を行った。 液体ソース ：ＤＭＡＨ（ Dimethylalminun hydri
de ) 圧力容器圧力 ：２〜１０ｋｇ／ｃｍ2 基板温度 ：−１００〜４００℃ キャリアガス ：Ｈ2 キャリアガス流量：１０〜２００ｃｃ／ｍｉｎ 以上の条件で，Ｓｉ基板上にＡｌを成膜したところ，均
一なＡｌ膜を再現性良く得ることができた。
de ) 圧力容器圧力 ：２〜１０ｋｇ／ｃｍ2 基板温度 ：−１００〜４００℃ キャリアガス ：Ｈ2 キャリアガス流量：１０〜２００ｃｃ／ｍｉｎ 以上の条件で，Ｓｉ基板上にＡｌを成膜したところ，均
一なＡｌ膜を再現性良く得ることができた。
【００３３】以上，本発明に係る液体ソースを用いるＣ
ＶＤ装置による成膜の具体例を説明したが，本発明の装
置では，Ｓｉ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｔｉ，Ｗ，Ｔａ，Ｍｏ，Ａ
ｕなどの金属の堆積，またはこれらの金属の酸化物，窒
化物，硫化物，またはシリサイドの堆積を行うことがで
きる。
ＶＤ装置による成膜の具体例を説明したが，本発明の装
置では，Ｓｉ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｔｉ，Ｗ，Ｔａ，Ｍｏ，Ａ
ｕなどの金属の堆積，またはこれらの金属の酸化物，窒
化物，硫化物，またはシリサイドの堆積を行うことがで
きる。
【００３４】また，液体ソースとしては，Ｓｉ，Ａｌ，
Ｃｕ，Ｔｉ，Ｗ，Ｔａ，Ｍｏ，Ａｕなどの金属の錯体，
有機化合物，またはハロゲン化物を用いることができ
る。
Ｃｕ，Ｔｉ，Ｗ，Ｔａ，Ｍｏ，Ａｕなどの金属の錯体，
有機化合物，またはハロゲン化物を用いることができ
る。
【００３５】
【発明の効果】本発明によれば，液体ソースを用いるＣ
ＶＤ装置において，処理室に液体ソースを安定して供給
することが可能になるので，均一な薄膜を再現性良く形
成することができる。
ＶＤ装置において，処理室に液体ソースを安定して供給
することが可能になるので，均一な薄膜を再現性良く形
成することができる。
【００３６】したがって，本発明によれば，高機能で多
様な薄膜を形成することが可能になり，超ＬＳＩなどの
半導体デバイスの製造に有用である。また，本発明に係
る液体ソースを用いるＣＶＤ装置は，長期使用が可能で
あることから，半導体装置の製造において，高い量産性
および設備コストの低減が可能になる。
様な薄膜を形成することが可能になり，超ＬＳＩなどの
半導体デバイスの製造に有用である。また，本発明に係
る液体ソースを用いるＣＶＤ装置は，長期使用が可能で
あることから，半導体装置の製造において，高い量産性
および設備コストの低減が可能になる。
【図１】本発明の一実施例を示す図である。
【図２】本発明で用いる気化・分離器の例を示す図であ
る。
る。
【図３】成膜速度と成膜回数との関係を示す図である。
【図４】膜厚とキャリアガス流量（圧力容器における圧
力）との関係を示す図てある。
力）との関係を示す図てある。
【図５】従来例を示す図である。
１ 液体ソース ２ 圧力容器 ３ 与圧ガス ４ 余剰ガス ５ 圧力計 ６ マスフローコントローラ（ＭＦＣ） ７ 液体ソース輸送管 ８ 気化・分離器 ９ キャリアガス １０ マスフローコントローラ（ＭＦＣ） １１ 処理室 １２ ステージ １３ ヒータ １４ ウェハ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 三沢 信裕 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 各務 克己 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 液体ソースを熱分解または酸化反応もし
くは還元反応させて，半導体基板上に半導体，金属，酸
化物，窒化物，シリサイドなどの薄膜を堆積する化学気
相成長装置であって，液体ソースを収容する圧力容器
と，該圧力容器内へ与圧ガスを導入して，該圧力容器内
の圧力を高める与圧手段と，前記圧力容器内の余剰ガス
を外部に放出して，圧力容器内の圧力を一定に保つ圧力
調節手段と，圧力容器内の液体ソースを処理室の近傍ま
で，液体のまま直接輸送する手段と，処理室の近傍まで
輸送された液体ソースを，キャリアガスにより単分子ま
たは複数分子に気化または分離する気化・分離器とを含
むことを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30742092A JPH06163414A (ja) | 1992-11-18 | 1992-11-18 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30742092A JPH06163414A (ja) | 1992-11-18 | 1992-11-18 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06163414A true JPH06163414A (ja) | 1994-06-10 |
Family
ID=17968846
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30742092A Withdrawn JPH06163414A (ja) | 1992-11-18 | 1992-11-18 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06163414A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100353210B1 (ko) * | 1997-02-06 | 2002-10-19 | 지멘스 악티엔게젤샤프트 | 표면상의층제조방법 |
| KR100455224B1 (ko) * | 2002-02-06 | 2004-11-06 | 주성엔지니어링(주) | 기화기 |
-
1992
- 1992-11-18 JP JP30742092A patent/JPH06163414A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100353210B1 (ko) * | 1997-02-06 | 2002-10-19 | 지멘스 악티엔게젤샤프트 | 표면상의층제조방법 |
| KR100455224B1 (ko) * | 2002-02-06 | 2004-11-06 | 주성엔지니어링(주) | 기화기 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000201 |