JPH06314653A - 化学気相成長装置 - Google Patents
化学気相成長装置Info
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- JPH06314653A JPH06314653A JP10291593A JP10291593A JPH06314653A JP H06314653 A JPH06314653 A JP H06314653A JP 10291593 A JP10291593 A JP 10291593A JP 10291593 A JP10291593 A JP 10291593A JP H06314653 A JPH06314653 A JP H06314653A
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- raw material
- material supply
- metal
- chemical vapor
- gas
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、配管や反応容器内にパーティクル
が発生せず、また、配管などが詰まらないＣＶＤ装置を
提供することを目的とする。 【構成】 本発明は、化学気相成長法によって、基板の
所望の領域に金属を堆積させて金属膜を形成する非金属
物質からなる反応容器と、反応容器に接続されており、
反応容器内に有機金属原料ガスを供給する非金属物質か
らなる原料供給管と、反応容器に接続されており、反応
容器内の不要なガスを排気する排気管とを有することを
特徴とする。
が発生せず、また、配管などが詰まらないＣＶＤ装置を
提供することを目的とする。 【構成】 本発明は、化学気相成長法によって、基板の
所望の領域に金属を堆積させて金属膜を形成する非金属
物質からなる反応容器と、反応容器に接続されており、
反応容器内に有機金属原料ガスを供給する非金属物質か
らなる原料供給管と、反応容器に接続されており、反応
容器内の不要なガスを排気する排気管とを有することを
特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、化学気相成長法（ＣＶ
Ｄ法）に用いるＣＶＤ装置に関するものである。
Ｄ法）に用いるＣＶＤ装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置は、ＬＳＩからＶＬＳ
Ｉへ、さらにはＵＬＳＩへとその集積度を向上させてお
り、これにともない配線の幅やヴィア孔等の接続孔の径
における微細化が著しく進んでいる。このような半導体
装置の高密度化、高集積化にともない多層配線技術及び
金属配線の微細化に関する技術が要求されている。
Ｉへ、さらにはＵＬＳＩへとその集積度を向上させてお
り、これにともない配線の幅やヴィア孔等の接続孔の径
における微細化が著しく進んでいる。このような半導体
装置の高密度化、高集積化にともない多層配線技術及び
金属配線の微細化に関する技術が要求されている。
【０００３】このような微細化に対して、従来のスパッ
タ法を用いた技術では対応できなくなりつつあるため提
案されているのが、Ａｌ有機化合物等の有機金属原料ガ
スを用いたＣＶＤ法である。このＣＶＤ法で用いられる
ＣＶＤ装置では、有機金属原料ガスを収容する容器から
配管を介してＣＶＤ反応を行う反応容器中に有機金属原
料ガスを供給している。そして、反応容器中でＣＶＤ反
応を行い、基板上の所望の領域に金属を選択的に堆積さ
せている。
タ法を用いた技術では対応できなくなりつつあるため提
案されているのが、Ａｌ有機化合物等の有機金属原料ガ
スを用いたＣＶＤ法である。このＣＶＤ法で用いられる
ＣＶＤ装置では、有機金属原料ガスを収容する容器から
配管を介してＣＶＤ反応を行う反応容器中に有機金属原
料ガスを供給している。そして、反応容器中でＣＶＤ反
応を行い、基板上の所望の領域に金属を選択的に堆積さ
せている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ここで、ＣＶＤ法に用
いられる有機金属原料ガスは比較的不安定な物質であ
り、低温で分解しやすく、また、金属に触れると金属が
触媒として働くので、金属表面で分解反応が進行してし
まうという性質がある。従って、ＣＶＤ装置を構成する
配管や反応容器には、通常、真鍮や銅等の金属が用いら
れているので、この配管が触媒として作用し有機金属原
料ガスが配管中で分解してしまうことがある。また、通
常、これらの配管は有機金属原料ガスの液化や固化を防
止するため適当な温度（原料気化温度１０℃〜５０℃）
で加熱されているが、加熱されていても徐々に不均一な
反応が進行している。特に、配管の接合部や段差部など
ではパーティクルが発生するなどの反応が進み配管がつ
まってしまうなどの問題を生じていた。
いられる有機金属原料ガスは比較的不安定な物質であ
り、低温で分解しやすく、また、金属に触れると金属が
触媒として働くので、金属表面で分解反応が進行してし
まうという性質がある。従って、ＣＶＤ装置を構成する
配管や反応容器には、通常、真鍮や銅等の金属が用いら
れているので、この配管が触媒として作用し有機金属原
料ガスが配管中で分解してしまうことがある。また、通
常、これらの配管は有機金属原料ガスの液化や固化を防
止するため適当な温度（原料気化温度１０℃〜５０℃）
で加熱されているが、加熱されていても徐々に不均一な
反応が進行している。特に、配管の接合部や段差部など
ではパーティクルが発生するなどの反応が進み配管がつ
まってしまうなどの問題を生じていた。
【０００５】そこで、本発明は、このような問題点を解
決したＣＶＤ装置を提供することを目的とする。
決したＣＶＤ装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに、本発明に係るＣＶＤ装置は、化学気相成長法によ
って、基板の所望の領域に金属を堆積させて金属膜を形
成する反応容器と、反応容器に接続されており、反応容
器内に有機金属原料ガスを供給し、内面が非金属物質で
ある原料供給管とを有することを特徴とする。
めに、本発明に係るＣＶＤ装置は、化学気相成長法によ
って、基板の所望の領域に金属を堆積させて金属膜を形
成する反応容器と、反応容器に接続されており、反応容
器内に有機金属原料ガスを供給し、内面が非金属物質で
ある原料供給管とを有することを特徴とする。
【０００７】原料供給管は、非金属物質からなる管又は
内面の略全体に非金属物質が塗布されている管であるこ
とが望ましい。
内面の略全体に非金属物質が塗布されている管であるこ
とが望ましい。
【０００８】また、反応容器には、反応容器内の不要な
ガスを排気する排気管が接続されており、排気管の内面
は非金属物質であることが望ましい。
ガスを排気する排気管が接続されており、排気管の内面
は非金属物質であることが望ましい。
【０００９】さらに、原料供給管の一端は原料収容容器
に接続されており、原料収容容器の内面は非金属物質で
あることが望ましい。
に接続されており、原料収容容器の内面は非金属物質で
あることが望ましい。
【００１０】上記問題点を解決するために、化学気相成
長法によって、基板の所望の領域に金属を堆積させて金
属膜を形成し、内面が非金属物質である反応容器と、反
応容器に接続されており、反応容器内に有機金属原料ガ
スを供給する原料供給管とを有することを特徴とする。
長法によって、基板の所望の領域に金属を堆積させて金
属膜を形成し、内面が非金属物質である反応容器と、反
応容器に接続されており、反応容器内に有機金属原料ガ
スを供給する原料供給管とを有することを特徴とする。
【００１１】なお上記の非金属物質とは、金属光沢がな
く、展性・延性に乏しく、電気的抵抗が大きい等の金属
としての共通の性質を有しない物質であり、非金属元素
の単体及び非金属元素を含む化合物をいう（「岩波 理
化学辞典 第４版」岩波書店ｐ．１０３０）。この非金
属物質としては、例えば、石英ガラス、ソーダガラス、
ホウケイ酸ガラス、アルミナ、ムライト、窒化ケイ素、
炭化ケイ素等がある。
く、展性・延性に乏しく、電気的抵抗が大きい等の金属
としての共通の性質を有しない物質であり、非金属元素
の単体及び非金属元素を含む化合物をいう（「岩波 理
化学辞典 第４版」岩波書店ｐ．１０３０）。この非金
属物質としては、例えば、石英ガラス、ソーダガラス、
ホウケイ酸ガラス、アルミナ、ムライト、窒化ケイ素、
炭化ケイ素等がある。
【００１２】また、上記の原料供給管には、単に原料ガ
スを反応容器内へ導くだけの配管のみならず、原料ガス
を反応容器内に噴出する役割を有するノズルも含まれて
いるものとする。
スを反応容器内へ導くだけの配管のみならず、原料ガス
を反応容器内に噴出する役割を有するノズルも含まれて
いるものとする。
【００１３】
【作用】上記の構成によれば、有機金属原料ガスが接触
する原料供給管、反応容器、排気管、原料収容容器は非
金属物質から作られているので、有機金属原料ガスがこ
れらの内面に接触することによる分解反応は生じない。
する原料供給管、反応容器、排気管、原料収容容器は非
金属物質から作られているので、有機金属原料ガスがこ
れらの内面に接触することによる分解反応は生じない。
【００１４】また、上記の構成によれば、有機金属原料
ガスが接触する原料供給管、反応容器、排気管、原料収
容容器はの内面には非金属物質が塗布されているので、
有機金属原料ガスがこれらの内面に接触することによる
分解反応は生じない。
ガスが接触する原料供給管、反応容器、排気管、原料収
容容器はの内面には非金属物質が塗布されているので、
有機金属原料ガスがこれらの内面に接触することによる
分解反応は生じない。
【００１５】
【実施例】以下、添付図面を参照して本発明のいくつか
の実施例について説明する。
の実施例について説明する。
【００１６】まず、図１に基づき第１実施例に係るＣＶ
Ｄ装置について説明する。ＣＶＤ反応容器であるＣＶＤ
室１０は、筐体１１と、基板５０が保持するために筐体
１１内の底部に設けられた基板保持台１２と、基板５０
に相対しており筐体１１の上面に設けられているノズル
１３とを備えている。筐体１１は、その全体が石英ガラ
スで構成されている。また、ノズル１３はホウケイ酸ガ
ラスから構成されている。ノズル１３の端部１４を構成
するはホウケイ酸ガラスには特殊な化学処理が施されて
複数の孔が穿設されている。このノズル１３を介して後
述する各原料ガスなどが供給される。また、基板保持台
１１内にはヒータ１５が設けられている。このヒータ１
５は交流電源１６から交流電圧が印加されて発熱し、基
板５０を一定の温度に加熱する。
Ｄ装置について説明する。ＣＶＤ反応容器であるＣＶＤ
室１０は、筐体１１と、基板５０が保持するために筐体
１１内の底部に設けられた基板保持台１２と、基板５０
に相対しており筐体１１の上面に設けられているノズル
１３とを備えている。筐体１１は、その全体が石英ガラ
スで構成されている。また、ノズル１３はホウケイ酸ガ
ラスから構成されている。ノズル１３の端部１４を構成
するはホウケイ酸ガラスには特殊な化学処理が施されて
複数の孔が穿設されている。このノズル１３を介して後
述する各原料ガスなどが供給される。また、基板保持台
１１内にはヒータ１５が設けられている。このヒータ１
５は交流電源１６から交流電圧が印加されて発熱し、基
板５０を一定の温度に加熱する。
【００１７】バブラー容器２０は、温度コントロールさ
れたオイルバス（図示せず）内に配設されており、バブ
ラー容器２０の内部には有機Ａｌ原料であるＤＭＡＨ
（ＡｌＨ（ＣＨ3 ）2 ：Ｄｉｍｅｔｈｙｌ−ａｌｍｉｎ
ｕｍ−ｈｙｄｒｉｄｅ）が収容されている。このバブラ
ー容器２０は石英ガラスで構成されている。また、この
バブラー２０には原料供給管３１を介してキャリアガス
が供給され、発生した原料ガスは、原料供給管３２及び
この原料供給管３２に設けられている圧力調節弁３３を
経て、ノズル１３から筐体１１内に供給される。これら
原料供給管３１、３２は石英ガラスで構成されている。
れたオイルバス（図示せず）内に配設されており、バブ
ラー容器２０の内部には有機Ａｌ原料であるＤＭＡＨ
（ＡｌＨ（ＣＨ3 ）2 ：Ｄｉｍｅｔｈｙｌ−ａｌｍｉｎ
ｕｍ−ｈｙｄｒｉｄｅ）が収容されている。このバブラ
ー容器２０は石英ガラスで構成されている。また、この
バブラー２０には原料供給管３１を介してキャリアガス
が供給され、発生した原料ガスは、原料供給管３２及び
この原料供給管３２に設けられている圧力調節弁３３を
経て、ノズル１３から筐体１１内に供給される。これら
原料供給管３１、３２は石英ガラスで構成されている。
【００１８】真空ポンプ４０は、筐体１１内の不要なガ
スを外部に排出する。真空ポンプ４０と筐体１１とは排
気管４１によって接続されており、真空ポンプはさらに
排気管４２を介してガスを外部に排気する。排気管４
１、４２はいずれも石英ガラスで造られている。
スを外部に排出する。真空ポンプ４０と筐体１１とは排
気管４１によって接続されており、真空ポンプはさらに
排気管４２を介してガスを外部に排気する。排気管４
１、４２はいずれも石英ガラスで造られている。
【００１９】この装置で原料ガスを供給する場合、バブ
ラー容器２０内の圧力を大気圧以下の値に一定にコント
ロールする。このときの圧力は、原料の粘度、蒸気圧等
の物性により適当な値を選択する。オイルバスの温度
は、原料の熱安定性、蒸気圧を考慮して決定する。例え
ば、原料ガスとしてＤＭＡＨの場合、バブリング圧力は
１０〜７６０Ｔｏｒｒの範囲、バブリング温度２０〜１
００℃程度が望ましい。
ラー容器２０内の圧力を大気圧以下の値に一定にコント
ロールする。このときの圧力は、原料の粘度、蒸気圧等
の物性により適当な値を選択する。オイルバスの温度
は、原料の熱安定性、蒸気圧を考慮して決定する。例え
ば、原料ガスとしてＤＭＡＨの場合、バブリング圧力は
１０〜７６０Ｔｏｒｒの範囲、バブリング温度２０〜１
００℃程度が望ましい。
【００２０】なお、第１実施例において石英ガラスを用
いている部分については、石英ガラスの代りにソーダガ
ラスやホウケイ酸ガラス等の非金属物質を用いることも
でき、また、ホウケイ酸ガラスを用いている部分につい
ては、ホウケイ酸ガラスの代りにソーダガラスや石英ガ
ラス等の非金属物質を用いることもできる。
いている部分については、石英ガラスの代りにソーダガ
ラスやホウケイ酸ガラス等の非金属物質を用いることも
でき、また、ホウケイ酸ガラスを用いている部分につい
ては、ホウケイ酸ガラスの代りにソーダガラスや石英ガ
ラス等の非金属物質を用いることもできる。
【００２１】次に、第１実施例に係るＣＶＤ装置を用い
て基板上の所望の領域に金属を堆積する場合について説
明する。
て基板上の所望の領域に金属を堆積する場合について説
明する。
【００２２】まず、Ｓｉ基板の表面に下地絶縁膜を形成
し、この下地絶縁膜上に、パターニングされた下層金属
配線を形成し、さらに、層間絶縁膜４０を形成して、所
望の領域にヴィア孔を穿設したものを用意する。
し、この下地絶縁膜上に、パターニングされた下層金属
配線を形成し、さらに、層間絶縁膜４０を形成して、所
望の領域にヴィア孔を穿設したものを用意する。
【００２３】次に、このようにしてヴィア孔の穿設され
たＳｉ基板を第１実施例に係るＣＶＤ装置のＣＶＤ反応
容器１１の基板保持台１２に配置する。そして、このＣ
ＶＤ反応容器１１内で、Ａｌ原料であるＤＭＡＨのガス
と、水素とを原料とする熱ＣＶＤ法でヴィア孔内にのみ
底面から選択的にＡｌを堆積させることによってヴィア
孔内にヴィアプラグを形成する。なお、このときのＣＶ
Ｄ法による金属堆積を行う条件は、ＤＭＡＨのキャリア
水素流量１００ｓｃｃｍ、バブリング圧力５００Ｔｏｒ
ｒ、バブリング温度５０℃で行う。また、この成膜を行
うＣＶＤ反応容器内の全圧は２．０Ｔｏｒｒ、基板温度
２５０℃である。
たＳｉ基板を第１実施例に係るＣＶＤ装置のＣＶＤ反応
容器１１の基板保持台１２に配置する。そして、このＣ
ＶＤ反応容器１１内で、Ａｌ原料であるＤＭＡＨのガス
と、水素とを原料とする熱ＣＶＤ法でヴィア孔内にのみ
底面から選択的にＡｌを堆積させることによってヴィア
孔内にヴィアプラグを形成する。なお、このときのＣＶ
Ｄ法による金属堆積を行う条件は、ＤＭＡＨのキャリア
水素流量１００ｓｃｃｍ、バブリング圧力５００Ｔｏｒ
ｒ、バブリング温度５０℃で行う。また、この成膜を行
うＣＶＤ反応容器内の全圧は２．０Ｔｏｒｒ、基板温度
２５０℃である。
【００２４】このように第１実施例に係るＣＶＤ装置を
用いてＡｌの堆積を行った場合には、筐体内部、原料供
給管及び排気管の内部にパーティクルの発生等が見られ
ず、また、原料供給管及び排気管がつまることもなかっ
たので、原料ガスの供給を円滑に行うことができた。こ
の結果、Ａｌ堆積の歩留まりが向上した。具体的には、
従来のＣＶＤ装置を用いたときの歩留まりは７０％であ
ったのに対し、第１実施例に係るＣＶＤ装置を用いたと
きの歩留まりは８５％にまで向上していた点にある。こ
のように本発明に係るＣＶＤ装置を用いた場合は飛躍的
に歩留まりの向上をもたらすことができる。
用いてＡｌの堆積を行った場合には、筐体内部、原料供
給管及び排気管の内部にパーティクルの発生等が見られ
ず、また、原料供給管及び排気管がつまることもなかっ
たので、原料ガスの供給を円滑に行うことができた。こ
の結果、Ａｌ堆積の歩留まりが向上した。具体的には、
従来のＣＶＤ装置を用いたときの歩留まりは７０％であ
ったのに対し、第１実施例に係るＣＶＤ装置を用いたと
きの歩留まりは８５％にまで向上していた点にある。こ
のように本発明に係るＣＶＤ装置を用いた場合は飛躍的
に歩留まりの向上をもたらすことができる。
【００２５】また、このように堆積したＡｌ薄膜中には
炭素等の不純物による汚染もほとんど見られなかった。
具体的には、第１実施例に係るＣＶＤ装置で製造したＡ
ｌ薄膜中の炭素濃度は１００ｐｐｍ以下であった。
炭素等の不純物による汚染もほとんど見られなかった。
具体的には、第１実施例に係るＣＶＤ装置で製造したＡ
ｌ薄膜中の炭素濃度は１００ｐｐｍ以下であった。
【００２６】なお、Ａｌ原料としては、上述したＤＭＡ
Ｈに限らず、ＡｌＨ（ＣＨ3 ）2 、Ａｌ（Ｃ
4 Ｈ9 ）3 、ＡｌＨ（Ｃ2 Ｈ5 ）2 、ＡｌＨ3 ・Ｎ（Ｃ
Ｈ3 ）3 、（ｉ−Ｃ2 Ｈ7 ）ＡｌＣｌ2 、（ｉ−Ｃ3 Ｈ
7 ）2 ＡｌＣｌ等を用いることもできる。
Ｈに限らず、ＡｌＨ（ＣＨ3 ）2 、Ａｌ（Ｃ
4 Ｈ9 ）3 、ＡｌＨ（Ｃ2 Ｈ5 ）2 、ＡｌＨ3 ・Ｎ（Ｃ
Ｈ3 ）3 、（ｉ−Ｃ2 Ｈ7 ）ＡｌＣｌ2 、（ｉ−Ｃ3 Ｈ
7 ）2 ＡｌＣｌ等を用いることもできる。
【００２７】この場合においても、上記ＤＭＡＨの場合
と同様、原料供給配管などがつまることもなく、また、
パーティクルの発生もみられず、歩留まりの向上をはか
ることができた。不純物汚染もほとんど見られなかった
ことも同様である。
と同様、原料供給配管などがつまることもなく、また、
パーティクルの発生もみられず、歩留まりの向上をはか
ることができた。不純物汚染もほとんど見られなかった
ことも同様である。
【００２８】また、Ａｌ原料の代りにＣｕ原料を用いる
ことができ、このＣｕ原料としては、例えば、Ｃｕ（ａ
ｃａｃ）2 、Ｃｕ（ｈｆａｃ）2 、Ｃ5 Ｈ5 ＣｕＰ（Ｃ
Ｈ3）3 、Ｃ5 Ｈ5 ＣｕＰ（Ｃ2 Ｈ5 ）3 、（ｈｆａ
ｃ）ＣｕＰ（Ｃ2 Ｈ5 ）3 、（ｈｆａｃ）Ｃｕ（２−Ｂ
ｕｔｙｎｅ）等を用いることもできる。この場合におい
ても、上記ＤＭＡＨの場合と同様、原料供給配管などが
つまることもなく、また、パーティクルの発生もみられ
ず、歩留まりの向上をはかることができた。不純物汚染
もほとんど見られなかったことも同様である。
ことができ、このＣｕ原料としては、例えば、Ｃｕ（ａ
ｃａｃ）2 、Ｃｕ（ｈｆａｃ）2 、Ｃ5 Ｈ5 ＣｕＰ（Ｃ
Ｈ3）3 、Ｃ5 Ｈ5 ＣｕＰ（Ｃ2 Ｈ5 ）3 、（ｈｆａ
ｃ）ＣｕＰ（Ｃ2 Ｈ5 ）3 、（ｈｆａｃ）Ｃｕ（２−Ｂ
ｕｔｙｎｅ）等を用いることもできる。この場合におい
ても、上記ＤＭＡＨの場合と同様、原料供給配管などが
つまることもなく、また、パーティクルの発生もみられ
ず、歩留まりの向上をはかることができた。不純物汚染
もほとんど見られなかったことも同様である。
【００２９】次に、図２及び図３に基づき第２実施例に
係るＣＶＤ装置について説明する。ＣＶＤ反応容器であ
るＣＶＤ室１１０は、筐体１１１と、基板５０が保持す
るために筐体１１１内の底部に設けられた基板保持台１
１２と、基板５０に相対しており筐体１１１の上面に設
けられているノズル１１３とを備えている。筐体１１１
は本体が真鍮で作られており、この真鍮の内部の表面に
石英ガラス１１７がコーティングされているものであ
る。また、ノズル１１３は、ホウケイ酸ガラスで構成さ
れている。ノズル１１３の端部１１４を構成するホウケ
イ酸ガラスには特殊な化学処理が施されて複数の孔が穿
設されている。このノズル１１３を介して後述する各原
料ガス等が供給される。また、基板保持台１１１内には
ヒータ１１５が設けられている。このヒータ１１５は交
流電源１１６から交流電圧が印加されて発熱し、基板５
０を一定の温度に加熱する。
係るＣＶＤ装置について説明する。ＣＶＤ反応容器であ
るＣＶＤ室１１０は、筐体１１１と、基板５０が保持す
るために筐体１１１内の底部に設けられた基板保持台１
１２と、基板５０に相対しており筐体１１１の上面に設
けられているノズル１１３とを備えている。筐体１１１
は本体が真鍮で作られており、この真鍮の内部の表面に
石英ガラス１１７がコーティングされているものであ
る。また、ノズル１１３は、ホウケイ酸ガラスで構成さ
れている。ノズル１１３の端部１１４を構成するホウケ
イ酸ガラスには特殊な化学処理が施されて複数の孔が穿
設されている。このノズル１１３を介して後述する各原
料ガス等が供給される。また、基板保持台１１１内には
ヒータ１１５が設けられている。このヒータ１１５は交
流電源１１６から交流電圧が印加されて発熱し、基板５
０を一定の温度に加熱する。
【００３０】バブラー容器１２０は、温度コントロール
されたオイルバス（図示せず）内に配設されており、バ
ブラー容器１２０の内部には有機Ａｌ原料であるＤＭＡ
Ｈ（ジメチルアルミニウムハイドライド）が収容されて
いる。このバブラー容器１２０はステンレスで作られて
おり、その内部の表面に石英ガラス１２１がコーティン
グされている。また、このバブラー１２０には原料供給
管１３１を介してキャリアガスが供給され、発生した原
料ガスは、原料供給管１３２及びこの原料供給管１３２
に設けられている圧力調節弁１３３を経て、ノズル１３
から筐体１１１内に供給される。これら原料供給管１３
１、１３２は、図３に示すように、薄肉円筒形の銅配管
２０１の内周面に石英ガラス２０２が全面コーティング
されたものである。
されたオイルバス（図示せず）内に配設されており、バ
ブラー容器１２０の内部には有機Ａｌ原料であるＤＭＡ
Ｈ（ジメチルアルミニウムハイドライド）が収容されて
いる。このバブラー容器１２０はステンレスで作られて
おり、その内部の表面に石英ガラス１２１がコーティン
グされている。また、このバブラー１２０には原料供給
管１３１を介してキャリアガスが供給され、発生した原
料ガスは、原料供給管１３２及びこの原料供給管１３２
に設けられている圧力調節弁１３３を経て、ノズル１３
から筐体１１１内に供給される。これら原料供給管１３
１、１３２は、図３に示すように、薄肉円筒形の銅配管
２０１の内周面に石英ガラス２０２が全面コーティング
されたものである。
【００３１】真空ポンプ１４０は、筐体１１１内の不要
なガスを外部に排出する。真空ポンプ１４０と筐体１１
１とは排気管１４１によって接続されており、真空ポン
プはさらに排気管１４２を介してガスを外部に排気す
る。排気管１４１、１４２はいずれも、原料供給管１３
１、１３２と同様には、図３に示すような薄肉円筒形の
銅配管２０１の内周面に石英ガラス２０２が全面コーテ
ィングされたものを用いている。
なガスを外部に排出する。真空ポンプ１４０と筐体１１
１とは排気管１４１によって接続されており、真空ポン
プはさらに排気管１４２を介してガスを外部に排気す
る。排気管１４１、１４２はいずれも、原料供給管１３
１、１３２と同様には、図３に示すような薄肉円筒形の
銅配管２０１の内周面に石英ガラス２０２が全面コーテ
ィングされたものを用いている。
【００３２】この装置で原料ガスを供給する場合、バブ
ラー容器１２０内の圧力を大気圧以下の値に一定にコン
トロールする。このときの圧力は、原料の粘度、蒸気圧
等の物性により適当な値を選択する。オイルバスの温度
は、原料の熱安定性、蒸気圧を考慮して決定することは
上記第１実施例の場合と同じである。
ラー容器１２０内の圧力を大気圧以下の値に一定にコン
トロールする。このときの圧力は、原料の粘度、蒸気圧
等の物性により適当な値を選択する。オイルバスの温度
は、原料の熱安定性、蒸気圧を考慮して決定することは
上記第１実施例の場合と同じである。
【００３３】これらの第２実施例に係るＣＶＤ装置に用
いる筐体１１１、原料供給管１３１、１３２及び排気管
１４１、１４２の内面にコーティングされる非金属物質
としては第２実施例で示した石英ガラスのほかに、ソー
ダガラス、ホウケイ酸ガラス、アルミナ、ムライト、窒
化ケイ素、炭化ケイ素等を用いることが可能である。ま
た、これらの物質をコーティングする方法としては、公
知の技術を用いることができる。これらの公知技術とし
ては、ＣＶＤ法、ＰＶＤ法、プラズマ溶射法、有機金属
化合物の塗布熱分解、溶融塩内での処理、水性ガラスコ
ーティング法などを用いることができる。
いる筐体１１１、原料供給管１３１、１３２及び排気管
１４１、１４２の内面にコーティングされる非金属物質
としては第２実施例で示した石英ガラスのほかに、ソー
ダガラス、ホウケイ酸ガラス、アルミナ、ムライト、窒
化ケイ素、炭化ケイ素等を用いることが可能である。ま
た、これらの物質をコーティングする方法としては、公
知の技術を用いることができる。これらの公知技術とし
ては、ＣＶＤ法、ＰＶＤ法、プラズマ溶射法、有機金属
化合物の塗布熱分解、溶融塩内での処理、水性ガラスコ
ーティング法などを用いることができる。
【００３４】なお、真鍮やステンレスが用いられている
部分には、これらの金属の代りに他の金属、例えば銅な
どを用いることも可能である。また、真鍮を用いている
部分にステンレスを用いてもよく、またその逆に、ステ
ンレスを用いている部分に心中を用いてもよい。
部分には、これらの金属の代りに他の金属、例えば銅な
どを用いることも可能である。また、真鍮を用いている
部分にステンレスを用いてもよく、またその逆に、ステ
ンレスを用いている部分に心中を用いてもよい。
【００３５】次に、第２実施例に係るＣＶＤ装置を用い
て基板上の所望の領域に金属を堆積する場合について
も、第１実施例に係るＣＶＤ装置を用いて基板上の所望
の領域に金属を堆積する場合と同様に行った。
て基板上の所望の領域に金属を堆積する場合について
も、第１実施例に係るＣＶＤ装置を用いて基板上の所望
の領域に金属を堆積する場合と同様に行った。
【００３６】この結果、第１実施例と同様結果を得るこ
とができた。また第２実施例にかかるＣＶＤ装置におい
ても第１実施例で用いられる原料ガスと同様の原料ガス
を用いることができ、このときの効果についても同様の
効果がえられた。
とができた。また第２実施例にかかるＣＶＤ装置におい
ても第１実施例で用いられる原料ガスと同様の原料ガス
を用いることができ、このときの効果についても同様の
効果がえられた。
【００３７】次に、図４に基づき第３実施例に係るＣＶ
Ｄ装置について説明する。ＣＶＤ反応容器であるＣＶＤ
室３１０は、筐体３１１と、基板５０が保持するために
筐体３１１内の底部に設けられた基板保持台３１２と、
基板５０に相対しており筐体３１１の上面に設けられて
いるノズル３１３とを備えている。筐体３１１は、その
全体が石英ガラスで構成されている。また、ノズル３１
３はホウケイ酸ガラスから構成されている。ノズル３１
３の端部３１４を構成するはホウケイ酸ガラスには特殊
な化学処理が施されて複数の孔が穿設されている。この
ノズル３１３を介して後述する各原料ガスなどが供給さ
れる。また、基板保持台３１１内にはヒータ３１５が設
けられている。このヒータ３１５は交流電源３１６から
交流電圧が印加されて発熱し、基板５０を一定の温度に
加熱する。
Ｄ装置について説明する。ＣＶＤ反応容器であるＣＶＤ
室３１０は、筐体３１１と、基板５０が保持するために
筐体３１１内の底部に設けられた基板保持台３１２と、
基板５０に相対しており筐体３１１の上面に設けられて
いるノズル３１３とを備えている。筐体３１１は、その
全体が石英ガラスで構成されている。また、ノズル３１
３はホウケイ酸ガラスから構成されている。ノズル３１
３の端部３１４を構成するはホウケイ酸ガラスには特殊
な化学処理が施されて複数の孔が穿設されている。この
ノズル３１３を介して後述する各原料ガスなどが供給さ
れる。また、基板保持台３１１内にはヒータ３１５が設
けられている。このヒータ３１５は交流電源３１６から
交流電圧が印加されて発熱し、基板５０を一定の温度に
加熱する。
【００３８】バブラー容器３２０ａは、温度コントロー
ルされたオイルバス（図示せず）内に配設されており、
バブラー容器３２０ａの内部には有機Ａｌ原料であるＤ
ＭＡＨが収容されている。このバブラー容器３２０ａは
石英ガラスで構成されている。また、このバブラー３２
０ａには原料供給管３３１ａを介してキャリアガスが供
給され、発生した原料ガスは、原料供給管３３２及びこ
の原料供給管３３２に設けられている圧力調節弁３３３
を経て、ノズル３１３から筐体３１１内に供給される。
これら原料供給管３３１ａ、３３２は石英ガラスで構成
されている。
ルされたオイルバス（図示せず）内に配設されており、
バブラー容器３２０ａの内部には有機Ａｌ原料であるＤ
ＭＡＨが収容されている。このバブラー容器３２０ａは
石英ガラスで構成されている。また、このバブラー３２
０ａには原料供給管３３１ａを介してキャリアガスが供
給され、発生した原料ガスは、原料供給管３３２及びこ
の原料供給管３３２に設けられている圧力調節弁３３３
を経て、ノズル３１３から筐体３１１内に供給される。
これら原料供給管３３１ａ、３３２は石英ガラスで構成
されている。
【００３９】バブラー容器３２０ｂは、温度コントロー
ルされたオイルバス（図示せず）内に配設されており、
バブラー容器３２０ｂの内部には有機Ｃｕ原料であるＣ
ｐＣｕＴＥＰ（Ｃ5 Ｈ5 ＣｕＰ（Ｃ2 Ｈ5 ）3 ：Ｃｙｃ
ｌｏｐｅｎｔａｄｉｅｎｙｌ−ｔｒｉｅｔｈｙｌｐｈｏ
ｓｐｈｉｎｅ−ｃｏｐｐｅｒ）が収容されている。この
バブラー容器３２０ｂは石英ガラスで構成されている。
また、このバブラー３２０ｂには原料供給管３３１ｂを
介してキャリアガスが供給され、発生した原料ガスは、
原料供給管３３２及びこの原料供給管３３２に設けられ
ている圧力調節弁３３３を経て、ノズル３１３から筐体
３１１内に供給される。これら原料供給管３３１ｂ、３
３２は石英ガラスで構成されている。
ルされたオイルバス（図示せず）内に配設されており、
バブラー容器３２０ｂの内部には有機Ｃｕ原料であるＣ
ｐＣｕＴＥＰ（Ｃ5 Ｈ5 ＣｕＰ（Ｃ2 Ｈ5 ）3 ：Ｃｙｃ
ｌｏｐｅｎｔａｄｉｅｎｙｌ−ｔｒｉｅｔｈｙｌｐｈｏ
ｓｐｈｉｎｅ−ｃｏｐｐｅｒ）が収容されている。この
バブラー容器３２０ｂは石英ガラスで構成されている。
また、このバブラー３２０ｂには原料供給管３３１ｂを
介してキャリアガスが供給され、発生した原料ガスは、
原料供給管３３２及びこの原料供給管３３２に設けられ
ている圧力調節弁３３３を経て、ノズル３１３から筐体
３１１内に供給される。これら原料供給管３３１ｂ、３
３２は石英ガラスで構成されている。
【００４０】真空ポンプ３４０は、筐体３１１内の不要
なガスを外部に排出する。真空ポンプ３４０と筐体３１
１とは排気管３４１によって接続されており、真空ポン
プはさらに排気管３４２を介してガスを外部に排気す
る。排気管３４１、３４２はいずれも石英ガラスで造ら
れている。
なガスを外部に排出する。真空ポンプ３４０と筐体３１
１とは排気管３４１によって接続されており、真空ポン
プはさらに排気管３４２を介してガスを外部に排気す
る。排気管３４１、３４２はいずれも石英ガラスで造ら
れている。
【００４１】この装置で原料ガスを供給する場合、バブ
ラー容器３２０ａ及び３２０ｂのそれぞれの容器内の圧
力を通常大気圧以下の値に一定にコントロールする。こ
のときの圧力は、原料の粘度、蒸気圧等の物性により適
当な値を選択する。オイルバスの温度は、原料の熱安定
性、蒸気圧を考慮して決定する。
ラー容器３２０ａ及び３２０ｂのそれぞれの容器内の圧
力を通常大気圧以下の値に一定にコントロールする。こ
のときの圧力は、原料の粘度、蒸気圧等の物性により適
当な値を選択する。オイルバスの温度は、原料の熱安定
性、蒸気圧を考慮して決定する。
【００４２】なお、第３実施例において石英ガラスを用
いている部分については、石英ガラスの代りにソーダガ
ラスやホウケイ酸ガラス等の非金属物質を用いることも
でき、また、ホウケイ酸ガラスを用いている部分につい
ては、ホウケイ酸ガラスの代りにソーダガラスや石英ガ
ラス等の非金属物質を用いることもできる。
いている部分については、石英ガラスの代りにソーダガ
ラスやホウケイ酸ガラス等の非金属物質を用いることも
でき、また、ホウケイ酸ガラスを用いている部分につい
ては、ホウケイ酸ガラスの代りにソーダガラスや石英ガ
ラス等の非金属物質を用いることもできる。
【００４３】次に、第３実施例に係るＣＶＤ装置を用い
て基板上の所望の領域に金属を堆積する場合について説
明する。
て基板上の所望の領域に金属を堆積する場合について説
明する。
【００４４】まず、Ｓｉ基板の表面に下地絶縁膜を形成
し、この下地絶縁膜上に、パターニングされた下層金属
配線を形成し、さらに、層間絶縁膜を形成して、所望の
領域にヴィア孔を穿設したものを用意する。
し、この下地絶縁膜上に、パターニングされた下層金属
配線を形成し、さらに、層間絶縁膜を形成して、所望の
領域にヴィア孔を穿設したものを用意する。
【００４５】次に、このようにしてヴィア孔の穿設され
たＳｉ基板を第１実施例に係るＣＶＤ装置のＣＶＤ反応
容器３１１の基板保持台３１２に配置する。そして、こ
のＣＶＤ反応容器３１１内で、Ａｌ原料であるＤＭＡＨ
のガスと、Ｃｕ原料であるＣｐＣｕＴＥＰのガスと、水
素とを原料とする熱ＣＶＤ法でヴィア孔内にのみ底面か
ら選択的にＡｌ及びＣｕを堆積させることによってヴィ
ア孔内にヴィアプラグを形成する。なお、このときのＣ
ＶＤ法による金属堆積を行う条件は、ＤＭＡＨのキャリ
ア水素ガス流量１００ｓｃｃｍ、バブリング温度５０
℃、バブラー圧力５００Ｔｏｒｒ、ＣｐＣｕＴＥＰのキ
ャリア水素ガス流量１００ｓｃｃｍ、バブリング温度１
６０℃、バブラー圧力１７０Ｔｏｒｒで行う。また、こ
の成膜を行うＣＶＤ反応容器内の全圧は２Ｔｏｒｒ、基
板温度２５０℃である。
たＳｉ基板を第１実施例に係るＣＶＤ装置のＣＶＤ反応
容器３１１の基板保持台３１２に配置する。そして、こ
のＣＶＤ反応容器３１１内で、Ａｌ原料であるＤＭＡＨ
のガスと、Ｃｕ原料であるＣｐＣｕＴＥＰのガスと、水
素とを原料とする熱ＣＶＤ法でヴィア孔内にのみ底面か
ら選択的にＡｌ及びＣｕを堆積させることによってヴィ
ア孔内にヴィアプラグを形成する。なお、このときのＣ
ＶＤ法による金属堆積を行う条件は、ＤＭＡＨのキャリ
ア水素ガス流量１００ｓｃｃｍ、バブリング温度５０
℃、バブラー圧力５００Ｔｏｒｒ、ＣｐＣｕＴＥＰのキ
ャリア水素ガス流量１００ｓｃｃｍ、バブリング温度１
６０℃、バブラー圧力１７０Ｔｏｒｒで行う。また、こ
の成膜を行うＣＶＤ反応容器内の全圧は２Ｔｏｒｒ、基
板温度２５０℃である。
【００４６】このように第３実施例に係るＣＶＤ装置を
用いてＡｌの堆積を行った場合には、筐体内部、原料供
給管及び排気管の内部にパーティクルの発生等が見られ
ず、また、原料供給管及び排気管がつまることもなかっ
たので、原料ガスの供給を円滑に行うことができた。こ
の結果、Ａｌ−Ｃｕ合金の堆積の歩留まりが向上した。
具体的には、従来のＣＶＤ装置を用いたときの歩留まり
は７５％であったのに対し、第１実施例に係るＣＶＤ装
置を用いたときの歩留まりは８５％にまで向上していた
点にある。このように本発明に係るＣＶＤ装置を用いた
場合は飛躍的に歩留まりの向上をもたらすことができ
る。
用いてＡｌの堆積を行った場合には、筐体内部、原料供
給管及び排気管の内部にパーティクルの発生等が見られ
ず、また、原料供給管及び排気管がつまることもなかっ
たので、原料ガスの供給を円滑に行うことができた。こ
の結果、Ａｌ−Ｃｕ合金の堆積の歩留まりが向上した。
具体的には、従来のＣＶＤ装置を用いたときの歩留まり
は７５％であったのに対し、第１実施例に係るＣＶＤ装
置を用いたときの歩留まりは８５％にまで向上していた
点にある。このように本発明に係るＣＶＤ装置を用いた
場合は飛躍的に歩留まりの向上をもたらすことができ
る。
【００４７】また、このように堆積したＡｌ薄膜中には
炭素等の不純物による汚染もほとんど見られなかった。
具体的には、第３実施例に係るＣＶＤ装置で製造したＡ
ｌ−Ｃｕ合金薄膜中の炭素濃度は１００ｐｐｍ以下であ
った。
炭素等の不純物による汚染もほとんど見られなかった。
具体的には、第３実施例に係るＣＶＤ装置で製造したＡ
ｌ−Ｃｕ合金薄膜中の炭素濃度は１００ｐｐｍ以下であ
った。
【００４８】なお、Ａｌ原料としては、上述したＤＭＡ
Ｈに限らず、ＡｌＨ（ＣＨ3 ）2 、Ａｌ（Ｃ
4 Ｈ9 ）3 、ＡｌＨ（Ｃ2 Ｈ5 ）2 、ＡｌＨ3 ・Ｎ（Ｃ
Ｈ3 ）3 、（ｉ−Ｃ2 Ｈ7 ）ＡｌＣｌ2 、（ｉ−Ｃ3 Ｈ
7 ）2 ＡｌＣｌ等を用いることもできる。 また、Ｃｕ
原料を用いることができ、このＣｕ原料としては、上述
したＣ5Ｈ5 ＣｕＰ（Ｃ2 Ｈ5 ）3 に限らず、例えば、
Ｃｕ（ａｃａｃ）2 、Ｃｕ（ｈｆａｃ）2 、Ｃ5 Ｈ5 Ｃ
ｕＰ（ＣＨ3 ）3 、（ｈｆａｃ）ＣｕＰ（Ｃ
2 Ｈ5 ）3 、（ｈｆａｃ）Ｃｕ（２−Ｂｕｔｙｎｅ）等
を用いることもできる。
Ｈに限らず、ＡｌＨ（ＣＨ3 ）2 、Ａｌ（Ｃ
4 Ｈ9 ）3 、ＡｌＨ（Ｃ2 Ｈ5 ）2 、ＡｌＨ3 ・Ｎ（Ｃ
Ｈ3 ）3 、（ｉ−Ｃ2 Ｈ7 ）ＡｌＣｌ2 、（ｉ−Ｃ3 Ｈ
7 ）2 ＡｌＣｌ等を用いることもできる。 また、Ｃｕ
原料を用いることができ、このＣｕ原料としては、上述
したＣ5Ｈ5 ＣｕＰ（Ｃ2 Ｈ5 ）3 に限らず、例えば、
Ｃｕ（ａｃａｃ）2 、Ｃｕ（ｈｆａｃ）2 、Ｃ5 Ｈ5 Ｃ
ｕＰ（ＣＨ3 ）3 、（ｈｆａｃ）ＣｕＰ（Ｃ
2 Ｈ5 ）3 、（ｈｆａｃ）Ｃｕ（２−Ｂｕｔｙｎｅ）等
を用いることもできる。
【００４９】この場合においても、上記の場合と同様、
原料供給配管などがつまることもなく、また、パーティ
クルの発生もみられず、歩留まりの向上をはかることが
できた。不純物汚染もほとんど見られなかったことも同
様である。
原料供給配管などがつまることもなく、また、パーティ
クルの発生もみられず、歩留まりの向上をはかることが
できた。不純物汚染もほとんど見られなかったことも同
様である。
【００５０】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、原料供給管、反応容器、排気管、原料収容容器
の有機金属原料ガスが接触する部分は非金属物質が用い
られているため、有機金属原料ガスがこれらの内面に接
触することによる分解反応は生じない。従って、本発明
に係るＣＶＤ装置を用いてＡｌの堆積を行った場合に
は、筐体内部、原料供給管及び排気管の内部にパーティ
クルの発生等が見られず、また、原料供給管及び排気管
がつまることもなかったので、原料ガスの供給を円滑に
行うことができた。この結果、Ａｌ堆積の歩留まりを向
上させることができた。
よれば、原料供給管、反応容器、排気管、原料収容容器
の有機金属原料ガスが接触する部分は非金属物質が用い
られているため、有機金属原料ガスがこれらの内面に接
触することによる分解反応は生じない。従って、本発明
に係るＣＶＤ装置を用いてＡｌの堆積を行った場合に
は、筐体内部、原料供給管及び排気管の内部にパーティ
クルの発生等が見られず、また、原料供給管及び排気管
がつまることもなかったので、原料ガスの供給を円滑に
行うことができた。この結果、Ａｌ堆積の歩留まりを向
上させることができた。
【００５１】このように本発明に係るＣＶＤ装置を用い
た場合は飛躍的に歩留まりの向上をもたらすことができ
る。
た場合は飛躍的に歩留まりの向上をもたらすことができ
る。
【００５２】また、このように堆積したＡｌ薄膜中には
炭素等の不純物による汚染もほとんど見られなかった。
炭素等の不純物による汚染もほとんど見られなかった。
【００５３】従って、本発明に係るＣＶＤ装置を用いた
場合は飛躍的に歩留まりの向上をもたらすことができる
とともに、膜質のよい金属薄膜をＣＶＤ法を用いて形成
することができる。
場合は飛躍的に歩留まりの向上をもたらすことができる
とともに、膜質のよい金属薄膜をＣＶＤ法を用いて形成
することができる。
【図１】第１実施例に係るＣＶＤ装置の説明図である。
【図２】第２実施例に係るＣＶＤ装置の説明図である。
【図３】第２実施例に係るＣＶＤ装置の原料供給管およ
び排気管として用いられる配管の斜視断面図である。
び排気管として用いられる配管の斜視断面図である。
【図４】第３実施例に係るＣＶＤ装置の説明図である。
１０、１１０、３１０…ＣＶＤ室、１１、１１１、３１
１…筐体、１２、１１２、３１２…基板保持台、１３、
１１３、３１３…ノズル、１５、１１５、３１５…ヒー
タ、１６、１１６、３１６…交流電源、２０、１２０、
３２０ａ、３２０ｂ…原料収容容器、３１、３２、１３
１、１３２、３３１ａ、３３１ｂ、３３２…原料供給
管、４０、１４０、３４０…真空ポンプ、５０…Ｓｉ基
板
１…筐体、１２、１１２、３１２…基板保持台、１３、
１１３、３１３…ノズル、１５、１１５、３１５…ヒー
タ、１６、１１６、３１６…交流電源、２０、１２０、
３２０ａ、３２０ｂ…原料収容容器、３１、３２、１３
１、１３２、３３１ａ、３３１ｂ、３３２…原料供給
管、４０、１４０、３４０…真空ポンプ、５０…Ｓｉ基
板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 片桐 智治 千葉県千葉市中央区川崎町１番地 川崎製 鉄株式会社技術研究本部内 (72)発明者 太田 与洋 千葉県千葉市中央区川崎町１番地 川崎製 鉄株式会社技術研究本部内
Claims (4)
- 【請求項１】 化学気相成長法によって、基板の所望の
領域に金属を堆積させて金属膜を形成する反応容器と、 前記反応容器に接続されており、前記反応容器内に有機
金属原料ガスを供給し、内面が非金属物質である原料供
給管とを有することを特徴とする化学気相成長装置。 - 【請求項２】 前記反応容器内の不要なガスを排気する
排気管が、前記反応容器には接続されており、前記排気
管の内面は非金属物質であることを特徴とする請求項１
に記載の化学気相成長装置。 - 【請求項３】 前記原料供給管の一端は原料収容容器に
接続されており、前記原料収容容器の内面は非金属物質
であることを特徴とする請求項１に記載の化学気相成長
装置。 - 【請求項４】 化学気相成長法によって、基板の所望の
領域に金属を堆積させて金属膜を形成し、内面が非金属
物質である反応容器と、 前記反応容器に接続されており、前記反応容器内に有機
金属原料ガスを供給する原料供給管とを有することを特
徴とする化学気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10291593A JPH06314653A (ja) | 1993-04-28 | 1993-04-28 | 化学気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10291593A JPH06314653A (ja) | 1993-04-28 | 1993-04-28 | 化学気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06314653A true JPH06314653A (ja) | 1994-11-08 |
Family
ID=14340158
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10291593A Pending JPH06314653A (ja) | 1993-04-28 | 1993-04-28 | 化学気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06314653A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20180005025A (ko) * | 2016-07-05 | 2018-01-15 | 주식회사 케이씨텍 | 약액 공급 성능이 향상된 기판 처리 장치 |
-
1993
- 1993-04-28 JP JP10291593A patent/JPH06314653A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20180005025A (ko) * | 2016-07-05 | 2018-01-15 | 주식회사 케이씨텍 | 약액 공급 성능이 향상된 기판 처리 장치 |
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