JPH06154590A - ポルフィリン薄膜の製造方法 - Google Patents
ポルフィリン薄膜の製造方法Info
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- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 title claims abstract description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 239000012528 membrane Substances 0.000 title abstract 4
- 150000004033 porphyrin derivatives Chemical class 0.000 claims abstract description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 10
- YNHJECZULSZAQK-UHFFFAOYSA-N tetraphenylporphyrin Chemical group C1=CC(C(=C2C=CC(N2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3N2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 YNHJECZULSZAQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 124
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 124
- -1 6-quinolyl Chemical group 0.000 claims description 96
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 27
- DNZSHSJERXNJGX-UHFFFAOYSA-N chembl3040240 Chemical compound C1=CC(C(=C2C=CC(N2)=C(C=2C=CN=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CN=CC=2)C2=CC=C3N2)C=2C=CN=CC=2)=NC1=C3C1=CC=NC=C1 DNZSHSJERXNJGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- SBTXZBOBSRZUPE-UHFFFAOYSA-N 5,10,15,20-tetrapyridin-2-yl-21,23-dihydroporphyrin Chemical compound c1cc2nc1c(-c1ccccn1)c1ccc([nH]1)c(-c1ccccn1)c1ccc(n1)c(-c1ccccn1)c1ccc([nH]1)c2-c1ccccn1 SBTXZBOBSRZUPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- GZKPUYJFADMBGO-UHFFFAOYSA-N 5,10,15,20-tetrapyridin-3-yl-21,23-dihydroporphyrin Chemical compound c1cc2nc1c(-c1cccnc1)c1ccc([nH]1)c(-c1cccnc1)c1ccc(n1)c(-c1cccnc1)c1ccc([nH]1)c2-c1cccnc1 GZKPUYJFADMBGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- GZEFZLXJPGMRSP-UHFFFAOYSA-N 37,38,39,40-tetrazanonacyclo[28.6.1.13,10.112,19.121,28.04,9.013,18.022,27.031,36]tetraconta-1(37),2,4,6,8,10,12(39),13,15,17,19,21,23,25,27,29,31,33,35-nonadecaene Chemical compound c1ccc2c3cc4[nH]c(cc5nc(cc6[nH]c(cc(n3)c2c1)c1ccccc61)c1ccccc51)c1ccccc41 GZEFZLXJPGMRSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- WXDXBLGDPXJKTC-UHFFFAOYSA-N C12=CC=C(N1)C=C1C=CC(=N1)C=C1C=CC(N1)=CC=1C=CC(N1)=C2.COC2=C(C=CC(=C2)OC)O Chemical compound C12=CC=C(N1)C=C1C=CC(=N1)C=C1C=CC(N1)=CC=1C=CC(N1)=C2.COC2=C(C=CC(=C2)OC)O WXDXBLGDPXJKTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- GIXOEYQYKDSWAV-UHFFFAOYSA-N N1=CC=C(C2=CC=CC=C12)C1=C2NC(=C1)C=C1C=CC(=N1)C=C1C=CC(N1)=CC=1C=CC(N1)=C2 Chemical compound N1=CC=C(C2=CC=CC=C12)C1=C2NC(=C1)C=C1C=CC(=N1)C=C1C=CC(N1)=CC=1C=CC(N1)=C2 GIXOEYQYKDSWAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- IEQNHCBQIXBYRJ-UHFFFAOYSA-N C1=C(C=CC=2C3=CC=CC=C3CC1=2)C1=C2NC(=C1)C=C1C=CC(=N1)C=C1C=CC(N1)=CC=1C=CC(N=1)=C2 Chemical compound C1=C(C=CC=2C3=CC=CC=C3CC1=2)C1=C2NC(=C1)C=C1C=CC(=N1)C=C1C=CC(N1)=CC=1C=CC(N=1)=C2 IEQNHCBQIXBYRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- QUXLWXKRSSWLOB-UHFFFAOYSA-N [O-][N+](=O)C1=CC=CC=C1C1=CC2=CC([N]3)=CC=C3C=C(C=C3)NC3=CC([N]3)=CC=C3C=C1N2 Chemical compound [O-][N+](=O)C1=CC=CC=C1C1=CC2=CC([N]3)=CC=C3C=C(C=C3)NC3=CC([N]3)=CC=C3C=C1N2 QUXLWXKRSSWLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- HCIIFBHDBOCSAF-UHFFFAOYSA-N octaethylporphyrin Chemical compound N1C(C=C2C(=C(CC)C(C=C3C(=C(CC)C(=C4)N3)CC)=N2)CC)=C(CC)C(CC)=C1C=C1C(CC)=C(CC)C4=N1 HCIIFBHDBOCSAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- RKMSOSSVUFHQRK-UHFFFAOYSA-N 5,10,15,20-tetrakis(9H-fluoren-2-yl)-21,23-dihydroporphyrin Chemical compound N1=C(C(C=2C=C3C(C4=CC=CC=C4C3)=CC=2)=C2NC(C=C2)=C(C=2C=C3C(C4=CC=CC=C4C3)=CC=2)C2=NC(C=C2)=C(C=2C=C3C(C4=CC=CC=C4C3)=CC=2)C=2NC3=CC=2)C=CC1=C3C1=CC=C2C3=CC=CC=C3CC2=C1 RKMSOSSVUFHQRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- OQFXLKPXTVQULX-UHFFFAOYSA-N 5,10,15,20-tetrakis(2-nitrophenyl)-21,23-dihydroporphyrin Chemical compound [O-][N+](=O)c1ccccc1-c1c2ccc(n2)c(-c2ccccc2[N+]([O-])=O)c2ccc([nH]2)c(-c2ccccc2[N+]([O-])=O)c2ccc(n2)c(-c2ccccc2[N+]([O-])=O)c2ccc1[nH]2 OQFXLKPXTVQULX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- SNHUSAJLCUEATR-UHFFFAOYSA-N N1=CC=C(C2=CC=CC=C12)C1=C2C=CC(C(=C3C=CC(=C(C=4C=CC(=C(C5=CC=C1N5)C1=CC=NC5=CC=CC=C15)N=4)C1=CC=NC4=CC=CC=C14)N3)C1=CC=NC3=CC=CC=C13)=N2 Chemical compound N1=CC=C(C2=CC=CC=C12)C1=C2C=CC(C(=C3C=CC(=C(C=4C=CC(=C(C5=CC=C1N5)C1=CC=NC5=CC=CC=C15)N=4)C1=CC=NC4=CC=CC=C14)N3)C1=CC=NC3=CC=CC=C13)=N2 SNHUSAJLCUEATR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 13
- 229910021654 trace metal Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 206
- 239000010408 film Substances 0.000 description 170
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 70
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 42
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 42
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 38
- MNVMYTVDDOXZLS-UHFFFAOYSA-N 2,4-dimethoxyphenol Chemical compound COC1=CC=C(O)C(OC)=C1 MNVMYTVDDOXZLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 36
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 36
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 27
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 27
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 23
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 20
- 125000004105 2-pyridyl group Chemical group N1=C([*])C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 19
- 125000003349 3-pyridyl group Chemical group N1=C([H])C([*])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 19
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 125000000339 4-pyridyl group Chemical group N1=C([H])C([H])=C([*])C([H])=C1[H] 0.000 description 17
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 17
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 17
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 16
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 13
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 11
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 10
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 10
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- XLJLGAJOYLVSAT-UHFFFAOYSA-N N1=CC=CC2=CC(=CC=C12)C1=C2NC(=C1)C=C1C=CC(=N1)C=C1C=CC(N1)=CC=1C=CC(N=1)=C2 Chemical compound N1=CC=CC2=CC(=CC=C12)C1=C2NC(=C1)C=C1C=CC(=N1)C=C1C=CC(N1)=CC=1C=CC(N=1)=C2 XLJLGAJOYLVSAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 5
- QSZCGGBDNYTQHH-UHFFFAOYSA-N 2,3-dimethoxyphenol Chemical compound COC1=CC=CC(O)=C1OC QSZCGGBDNYTQHH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 108010083687 Ion Pumps Proteins 0.000 description 4
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 4
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DHYCMVFQZJGKJP-UHFFFAOYSA-N N1C=2C=C(N=3)C=CC=3C=C(N3)C=CC3=CC(=N3)C=CC3=CC1=CC=2C1=CC=CC=N1 Chemical compound N1C=2C=C(N=3)C=CC=3C=C(N3)C=CC3=CC(=N3)C=CC3=CC1=CC=2C1=CC=CC=N1 DHYCMVFQZJGKJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DWJFGGVNPNGBBN-UHFFFAOYSA-N N1C=2C=C(N=3)C=CC=3C=C(N3)C=CC3=CC(=N3)C=CC3=CC1=CC=2C1=CC=NC=C1 Chemical compound N1C=2C=C(N=3)C=CC=3C=C(N3)C=CC3=CC(=N3)C=CC3=CC1=CC=2C1=CC=NC=C1 DWJFGGVNPNGBBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VCGRFBXVSFAGGA-UHFFFAOYSA-N (1,1-dioxo-1,4-thiazinan-4-yl)-[6-[[3-(4-fluorophenyl)-5-methyl-1,2-oxazol-4-yl]methoxy]pyridin-3-yl]methanone Chemical compound CC=1ON=C(C=2C=CC(F)=CC=2)C=1COC(N=C1)=CC=C1C(=O)N1CCS(=O)(=O)CC1 VCGRFBXVSFAGGA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FJNLCHNQVJVCPY-UHFFFAOYSA-N 2-n-methoxy-2-n-methyl-4-n,6-n-dipropyl-1,3,5-triazine-2,4,6-triamine Chemical compound CCCNC1=NC(NCCC)=NC(N(C)OC)=N1 FJNLCHNQVJVCPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KVCQTKNUUQOELD-UHFFFAOYSA-N 4-amino-n-[1-(3-chloro-2-fluoroanilino)-6-methylisoquinolin-5-yl]thieno[3,2-d]pyrimidine-7-carboxamide Chemical compound N=1C=CC2=C(NC(=O)C=3C4=NC=NC(N)=C4SC=3)C(C)=CC=C2C=1NC1=CC=CC(Cl)=C1F KVCQTKNUUQOELD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CYJRNFFLTBEQSQ-UHFFFAOYSA-N 8-(3-methyl-1-benzothiophen-5-yl)-N-(4-methylsulfonylpyridin-3-yl)quinoxalin-6-amine Chemical compound CS(=O)(=O)C1=C(C=NC=C1)NC=1C=C2N=CC=NC2=C(C=1)C=1C=CC2=C(C(=CS2)C)C=1 CYJRNFFLTBEQSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052580 B4C Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OUKFCDVAELYDPO-UHFFFAOYSA-N C(C)C1=C2NC(=C1CC)C=C1C(=C(C(=N1)C=C1C(=C(C(N1)=CC=1C(=C(C(N1)=C2)CC)CC)CC)CC)CC)CC.[Cd] Chemical compound C(C)C1=C2NC(=C1CC)C=C1C(=C(C(=N1)C=C1C(=C(C(N1)=CC=1C(=C(C(N1)=C2)CC)CC)CC)CC)CC)CC.[Cd] OUKFCDVAELYDPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017488 Cu K Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017541 Cu-K Inorganic materials 0.000 description 1
- AYCPARAPKDAOEN-LJQANCHMSA-N N-[(1S)-2-(dimethylamino)-1-phenylethyl]-6,6-dimethyl-3-[(2-methyl-4-thieno[3,2-d]pyrimidinyl)amino]-1,4-dihydropyrrolo[3,4-c]pyrazole-5-carboxamide Chemical compound C1([C@H](NC(=O)N2C(C=3NN=C(NC=4C=5SC=CC=5N=C(C)N=4)C=3C2)(C)C)CN(C)C)=CC=CC=C1 AYCPARAPKDAOEN-LJQANCHMSA-N 0.000 description 1
- 229920002292 Nylon 6 Polymers 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 241000206609 Porphyra Species 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000005260 alpha ray Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N boron carbide Chemical compound B12B3B4C32B41 INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N palladium;triphenylphosphane Chemical compound [Pd].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- XGVXKJKTISMIOW-ZDUSSCGKSA-N simurosertib Chemical compound N1N=CC(C=2SC=3C(=O)NC(=NC=3C=2)[C@H]2N3CCC(CC3)C2)=C1C XGVXKJKTISMIOW-ZDUSSCGKSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000001988 small-angle X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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-
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【目的】 優れた表面精度が長期間持続し得るポルフィ
リン薄膜を製造する。 【構成】 ポルフィリン薄膜の製造方法は、ポルフィリ
ン誘導体分子を加熱蒸発させかつ1×10-7Torr未
満の超高真空下で分子線として飛行させて基板上に堆積
させ、これにX線を照射する工程を含んでいる。 【効果】 上記の方法により基板上に形成されたポルフ
ィリン薄膜は、太陽電池、光導電素子、溶液中の微量金
属元素センサー素子等として使用できる。
リン薄膜を製造する。 【構成】 ポルフィリン薄膜の製造方法は、ポルフィリ
ン誘導体分子を加熱蒸発させかつ1×10-7Torr未
満の超高真空下で分子線として飛行させて基板上に堆積
させ、これにX線を照射する工程を含んでいる。 【効果】 上記の方法により基板上に形成されたポルフ
ィリン薄膜は、太陽電池、光導電素子、溶液中の微量金
属元素センサー素子等として使用できる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、基板上に形成され
て、太陽電池、光導電素子、溶液中の微量金属元素セン
サー素子などとして使用され得るポルフィリン薄膜の製
造方法に関する。
て、太陽電池、光導電素子、溶液中の微量金属元素セン
サー素子などとして使用され得るポルフィリン薄膜の製
造方法に関する。
【0002】
【従来の技術及びその課題】有機薄膜を形成する方法と
しては、例えば、M.Ashidaらによる、"Acta Crystallog
raphica Vol.B47 (1991) 87"に記載された方法が知られ
ている。この方法は、1×10-6Torrの真空下での
真空蒸着法により、KC1基板上にテトラフェニルポル
フィリン薄膜を作製するものである。
しては、例えば、M.Ashidaらによる、"Acta Crystallog
raphica Vol.B47 (1991) 87"に記載された方法が知られ
ている。この方法は、1×10-6Torrの真空下での
真空蒸着法により、KC1基板上にテトラフェニルポル
フィリン薄膜を作製するものである。
【0003】ところが、この方法で作製した薄膜は、粒
径が数百nmでかつ粒間に空隙のある粗なものでるた
め、この薄膜を太陽電池などに利用しようとして、膜を
挟むように膜の上下に電極を付けようとする場合、電極
間のショートが起きやすいという問題点がある。この発
明の目的は、優れた表面精度が長期間にわたり持続し得
るポルフィリン薄膜を製造することにある。
径が数百nmでかつ粒間に空隙のある粗なものでるた
め、この薄膜を太陽電池などに利用しようとして、膜を
挟むように膜の上下に電極を付けようとする場合、電極
間のショートが起きやすいという問題点がある。この発
明の目的は、優れた表面精度が長期間にわたり持続し得
るポルフィリン薄膜を製造することにある。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明にかかるポルフィ
リン薄膜の製造方法は、次の工程を含んでいる。 ◎ ポルフィリン誘導体分子を加熱蒸発させかつ1×1
0-7Torr未満の超高真空下で分子線として飛行させ
て基板上に堆積させる工程。 ◎ 基板上に堆積したポルフィリン誘導体分子にX線を
照射する工程。
リン薄膜の製造方法は、次の工程を含んでいる。 ◎ ポルフィリン誘導体分子を加熱蒸発させかつ1×1
0-7Torr未満の超高真空下で分子線として飛行させ
て基板上に堆積させる工程。 ◎ 基板上に堆積したポルフィリン誘導体分子にX線を
照射する工程。
【0005】なお、ポルフィリン誘導体分子は、たとえ
ば、5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリン、5,10,1
5,20−金属テトラフェニルポルフィリン、テトラベンゾ
ポルフィリン、金属テトラベンゾポルフィリン、5,10,1
5,20−テトラ(2−ピリジル)ポルフィリン、5,10,15,
20−金属テトラ(2−ピリジル)ポルフィリン、5,10,1
5,20−テトラ(3−ピリジル)ポルフィリン、5,10,15,
20−金属テトラ(3−ピリジル)ポルフィリン、5,10,1
5,20−テトラ(4−ピリジル)ポルフィリン、5,10,15,
20−テトラ(4−ピリジル)ポルフィリン、5,10,15,20
−金属テトラ(4−ピリジル)ポルフィリン、5,10,15,
20−テトラ(4−キノリル)ポルフィリン、5,10,15,20
−金属テトラ(4−キノリル)ポルフィリン、5,10,15,
20−テトラ(6−キノリル)ポルフィリン、5,10,15,20
−金属テトラ(6−キノリル)ポルフィリン、5,10,15,
20−テトラキノキサリルポルフィリン、5,10,15,20−金
属テトラキノキサリルポルフィリン、5,10,15,20−テト
ラキス(2−フルオレニル)ポルフィリン、5,10,15,20
−金属テトラキス(2−フルオレニル)ポルフィリン、
5,10,15,20−テトラキス(2,4−ジメトキシフェノー
ル)ポルフィリン、5,10,15,20−金属テトラキス(2,
4−ジメトキシフェノール)ポルフィリン、5,10,15,20
−テトラキス(2−ニトロフェニル)ポルフィリン、5,
10,15,20−金属テトラキス(2−ニトロフェニル)ポル
フィリン、5,10,15,20−テトラビフェニルポルフィリ
ン、5,10,15,20−金属テトラビフェニルポルフィリン、
2,3,7,8,12,13,17,18 −オクタエチルポルフィリン、2,
3,7,8,12,13,17,18 −金属オクタエチルポルフィリンか
らなる群から選ばれた少なくとも1種のポルフィリン誘
導体である。
ば、5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリン、5,10,1
5,20−金属テトラフェニルポルフィリン、テトラベンゾ
ポルフィリン、金属テトラベンゾポルフィリン、5,10,1
5,20−テトラ(2−ピリジル)ポルフィリン、5,10,15,
20−金属テトラ(2−ピリジル)ポルフィリン、5,10,1
5,20−テトラ(3−ピリジル)ポルフィリン、5,10,15,
20−金属テトラ(3−ピリジル)ポルフィリン、5,10,1
5,20−テトラ(4−ピリジル)ポルフィリン、5,10,15,
20−テトラ(4−ピリジル)ポルフィリン、5,10,15,20
−金属テトラ(4−ピリジル)ポルフィリン、5,10,15,
20−テトラ(4−キノリル)ポルフィリン、5,10,15,20
−金属テトラ(4−キノリル)ポルフィリン、5,10,15,
20−テトラ(6−キノリル)ポルフィリン、5,10,15,20
−金属テトラ(6−キノリル)ポルフィリン、5,10,15,
20−テトラキノキサリルポルフィリン、5,10,15,20−金
属テトラキノキサリルポルフィリン、5,10,15,20−テト
ラキス(2−フルオレニル)ポルフィリン、5,10,15,20
−金属テトラキス(2−フルオレニル)ポルフィリン、
5,10,15,20−テトラキス(2,4−ジメトキシフェノー
ル)ポルフィリン、5,10,15,20−金属テトラキス(2,
4−ジメトキシフェノール)ポルフィリン、5,10,15,20
−テトラキス(2−ニトロフェニル)ポルフィリン、5,
10,15,20−金属テトラキス(2−ニトロフェニル)ポル
フィリン、5,10,15,20−テトラビフェニルポルフィリ
ン、5,10,15,20−金属テトラビフェニルポルフィリン、
2,3,7,8,12,13,17,18 −オクタエチルポルフィリン、2,
3,7,8,12,13,17,18 −金属オクタエチルポルフィリンか
らなる群から選ばれた少なくとも1種のポルフィリン誘
導体である。
【0006】この発明において用いられるポルフィリン
誘導体は、特に限定されるものではないが、たとえば、
下記A群から選ばれた粉末状もしくは塊状のポルフィリ
ン誘導体が用いられる。 A群:5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリン 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリナト亜鉛 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリナトコバルト 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリナト鉛 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリナトニッケル 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリナトマグネシウ
ム 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリナト銅 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリナトカドミウム テトラベンゾポルフィリン テトラベンゾポルフィリナト亜鉛 テトラベンゾポルフィリナトコバルト テトラベンゾポルフィリナト鉛 テトラベンゾポルフィリナトニッケル テトラベンゾポルフィリナトマグネシウム テトラベンゾポルフィリナト銅 テトラベンゾポルフィリナトカドミウム 5,10,15,20−テトラ(2-ピリジル)ポルフィリン 5,10,15,20−テトラ(2-ピリジル)ポルフィリナト亜鉛 5,10,15,20−テトラ(2-ピリジル)ポルフィリナトコバ
ルト 5,10,15,20−テトラ(2-ピリジル)ポルフィリナト鉛 5,10,15,20−テトラ(2-ピリジル)ポルフィリンニッケ
ル 5,10,15,20−テトラ(2-ピリジル)ポルフィリンマグネ
シウム 5,10,15,20−テトラ(2-ピリジル)ポルフィリン銅 5,10,15,20−テトラ(2-ピリジル)ポルフィリンカドミ
ウム 5,10,15,20−テトラ(3-ピリジル)ポルフィリン 5,10,15,20−テトラ(3-ピリジル)ポルフィリナト亜鉛 5,10,15,20−テトラ(3-ピリジル)ポルフィリナトコバ
ルト 5,10,15,20−テトラ(3-ピリジル)ポルフィリナト鉛 5,10,15,20−テトラ(3-ピリジル)ポルフィリンニッケ
ル 5,10,15,20−テトラ(3-ピリジル)ポルフィリンマグネ
シウム 5,10,15,20−テトラ(3-ピリジル)ポルフィリン銅 5,10,15,20−テトラ(3-ピリジル)ポルフィリンカドミ
ウム 5,10,15,20−テトラ(4-ピリジル)ポルフィリン 5,10,15,20−テトラ(4-ピリジル)ポルフィリナト亜鉛 5,10,15,20−テトラ(4-ピリジル)ポルフィリナトコバ
ルト 5,10,15,20−テトラ(4-ピリジル)ポルフィリナト鉛 5,10,15,20−テトラ(4-ピリジル)ポルフィリンニッケ
ル 5,10,15,20−テトラ(4-ピリジル)ポルフィリンマグネ
シウム 5,10,15,20−テトラ(4-ピリジル)ポルフィリン銅 5,10,15,20−テトラ(4-ピリジル)ポルフィリンカドミ
ウム 5,10,15,20−テトラ(4-キノリル)ポルフィリン 5,10,15,20−テトラ(4-キノリル)ポルフィリナト亜鉛 5,10,15,20−テトラ(4-キノリル)ポルフィリナトコバ
ルト 5,10,15,20−テトラ(4-キノリル)ポルフィリナト鉛 5,10,15,20−テトラ(4-キノリル)ポルフィリナトニッ
ケル 5,10,15,20−テトラ(4-キノリル)ポルフィリナトマグ
ネシウム 5,10,15,20−テトラ(4-キノリル)ポルフィリナト銅 5,10,15,20−テトラ(4-キノリル)ポルフィリナトカド
ミウム 5,10,15,20−テトラ(6-キノリル)ポルフィリン 5,10,15,20−テトラ(6-キノリル)ポルフィリナト亜鉛 5,10,15,20−テトラ(6-キノリル)ポルフィリナトコバ
ルト 5,10,15,20−テトラ(6-キノリル)ポルフィリナト鉛 5,10,15,20−テトラ(6-キノリル)ポルフィリナトニッ
ケル 5,10,15,20−テトラ(6-キノリル)ポルフィリナトマグ
ネシウム 5,10,15,20−テトラ(6-キノリル)ポルフィリナト銅 5,10,15,20−テトラ(6-キノリル)ポルフィリナトカド
ミウム 5,10,15,20−テトラキノキサリルポルフィリン 5,10,15,20−テトラキノキサリルポルフィリナト亜鉛 5,10,15,20−テトラキノキサリルポルフィリナトコバル
ト 5,10,15,20−テトラキノキサリルポルフィリナト鉛 5,10,15,20−テトラキノキサリルポルフィリナトニッケ
ル 5,10,15,20−テトラキノキサリルポルフィリナトマグネ
シウム 5,10,15,20−テトラキノキサリルポルフィリナト銅 5,10,15,20−テトラキノキサリルポルフィリナトカドミ
ウム 5,10,15,20−テトラキス(2-フルオレニル)ポルフィリ
ン 5,10,15,20−テトラキス(2-フルオレニル)ポルフィリ
ナト亜鉛 5,10,15,20−テトラキス(2-フルオレニル)ポルフィリ
ナトコバルト 5,10,15,20−テトラキス(2-フルオレニル)ポルフィリ
ナト鉛 5,10,15,20−テトラキス(2-フルオレニル)ポルフィリ
ナトニッケル 5,10,15,20−テトラキス(2-フルオレニル)ポルフィリ
ナトマグネシウム 5,10,15,20−テトラキス(2-フルオレニル)ポルフィリ
ナト銅 5,10,15,20−テトラキス(2-フルオレニル)ポルフィリ
ナトカドミウム 5,10,15,20−テトラキス(2,4-ジメトキシフェノール)
ポリフィリン 5,10,15,20−テトラキス(2,4-ジメトキシフェノール)
ポリフィリナト亜鉛 5,10,15,20−テトラキス(2,4-ジメトキシフェノール)
ポリフィリナトコバルト 5,10,15,20−テトラキス(2,4-ジメトキシフェノール)
ポリフィリナト鉛 5,10,15,20−テトラキス(2,4-ジメトキシフェノール)
ポリフィリナトニッケル 5,10,15,20−テトラキス(2,4-ジメトキシフェノール)
ポリフィリナトマグネシウム 5,10,15,20−テトラキス(2,4-ジメトキシフェノール)
ポリフィリナト銅 5,10,15,20−テトラキス(2,4-ジメトキシフェノール)
ポリフィリナトカドミウム 5,10,15,20−テトラキス(2-ニトロフェニル)ポルフィ
リン 5,10,15,20−テトラキス(2-ニトロフェニル)ポルフィ
リナト亜鉛 5,10,15,20−テトラキス(2-ニトロフェニル)ポルフィ
リナトコバルト 5,10,15,20−テトラキス(2-ニトロフェニル)ポルフィ
リナト鉛 5,10,15,20−テトラキス(2-ニトロフェニル)ポルフィ
リナトニッケル 5,10,15,20−テトラキス(2-ニトロフェニル)ポルフィ
リナトマグネシウム 5,10,15,20−テトラキス(2-ニトロフェニル)ポルフィ
リナト銅 5,10,15,20−テトラキス(2-ニトロフェニル)ポルフィ
リナトカドミウム 5,10,15,20−テトラビフェニルポルフィリン 5,10,15,20−テトラビフェニルポルフィリナト亜鉛 5,10,15,20−テトラビフェニルポルフィリナトコバルト 5,10,15,20−テトラビフェニルポルフィリナト鉛 5,10,15,20−テトラビフェニルポルフィリナトニッケル 5,10,15,20−テトラビフェニルポルフィリナト銅 5,10,15,20−テトラビフェニルポルフィリナトカドミウ
ム 2,3,7,8,12,13,17,18 −オクタエチルポルフィリン 2,3,7,8,12,13,17,18 −オクタエチルポルフィリナト亜
鉛 2,3,7,8,12,13,17,18 −オクタエチルポルフィリナトコ
バルト 2,3,7,8,12,13,17,18 −オクタエチルポルフィリナト鉛 2,3,7,8,12,13,17,18 −オクタエチルポルフィリナトニ
ッケル 2,3,7,8,12,13,17,18 −オクタエチルポルフィリナトマ
グネシウム 2,3,7,8,12,13,17,18 −オクタエチルポルフィリナト銅 2,3,7,8,12,13,17,18 −オクタエチルポルフィリナトカ
ドミウム なお、A群のポルフィリン誘導体のうち、5,10,15,20−
テトラフェニルポルフィリン、5,10,15,20−テトラフェ
ニルポルフィリナト亜鉛、5,10,15,20−テトラフェニル
ポルフィリナトコバルト、5,10,15,20−テトラフェニル
ポルフィリナト鉛、5,10,15,20−テトラフェニルポルフ
ィリナトニッケル、5,10,15,20−テトラフェニルポルフ
ィリナトマグネシウム、5,10,15,20−テトラフェニルポ
ルフィリナト銅及び5,10,15,20−テトラフェニルポルフ
ィリナトカドミウムがより好ましい。
誘導体は、特に限定されるものではないが、たとえば、
下記A群から選ばれた粉末状もしくは塊状のポルフィリ
ン誘導体が用いられる。 A群:5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリン 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリナト亜鉛 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリナトコバルト 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリナト鉛 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリナトニッケル 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリナトマグネシウ
ム 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリナト銅 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリナトカドミウム テトラベンゾポルフィリン テトラベンゾポルフィリナト亜鉛 テトラベンゾポルフィリナトコバルト テトラベンゾポルフィリナト鉛 テトラベンゾポルフィリナトニッケル テトラベンゾポルフィリナトマグネシウム テトラベンゾポルフィリナト銅 テトラベンゾポルフィリナトカドミウム 5,10,15,20−テトラ(2-ピリジル)ポルフィリン 5,10,15,20−テトラ(2-ピリジル)ポルフィリナト亜鉛 5,10,15,20−テトラ(2-ピリジル)ポルフィリナトコバ
ルト 5,10,15,20−テトラ(2-ピリジル)ポルフィリナト鉛 5,10,15,20−テトラ(2-ピリジル)ポルフィリンニッケ
ル 5,10,15,20−テトラ(2-ピリジル)ポルフィリンマグネ
シウム 5,10,15,20−テトラ(2-ピリジル)ポルフィリン銅 5,10,15,20−テトラ(2-ピリジル)ポルフィリンカドミ
ウム 5,10,15,20−テトラ(3-ピリジル)ポルフィリン 5,10,15,20−テトラ(3-ピリジル)ポルフィリナト亜鉛 5,10,15,20−テトラ(3-ピリジル)ポルフィリナトコバ
ルト 5,10,15,20−テトラ(3-ピリジル)ポルフィリナト鉛 5,10,15,20−テトラ(3-ピリジル)ポルフィリンニッケ
ル 5,10,15,20−テトラ(3-ピリジル)ポルフィリンマグネ
シウム 5,10,15,20−テトラ(3-ピリジル)ポルフィリン銅 5,10,15,20−テトラ(3-ピリジル)ポルフィリンカドミ
ウム 5,10,15,20−テトラ(4-ピリジル)ポルフィリン 5,10,15,20−テトラ(4-ピリジル)ポルフィリナト亜鉛 5,10,15,20−テトラ(4-ピリジル)ポルフィリナトコバ
ルト 5,10,15,20−テトラ(4-ピリジル)ポルフィリナト鉛 5,10,15,20−テトラ(4-ピリジル)ポルフィリンニッケ
ル 5,10,15,20−テトラ(4-ピリジル)ポルフィリンマグネ
シウム 5,10,15,20−テトラ(4-ピリジル)ポルフィリン銅 5,10,15,20−テトラ(4-ピリジル)ポルフィリンカドミ
ウム 5,10,15,20−テトラ(4-キノリル)ポルフィリン 5,10,15,20−テトラ(4-キノリル)ポルフィリナト亜鉛 5,10,15,20−テトラ(4-キノリル)ポルフィリナトコバ
ルト 5,10,15,20−テトラ(4-キノリル)ポルフィリナト鉛 5,10,15,20−テトラ(4-キノリル)ポルフィリナトニッ
ケル 5,10,15,20−テトラ(4-キノリル)ポルフィリナトマグ
ネシウム 5,10,15,20−テトラ(4-キノリル)ポルフィリナト銅 5,10,15,20−テトラ(4-キノリル)ポルフィリナトカド
ミウム 5,10,15,20−テトラ(6-キノリル)ポルフィリン 5,10,15,20−テトラ(6-キノリル)ポルフィリナト亜鉛 5,10,15,20−テトラ(6-キノリル)ポルフィリナトコバ
ルト 5,10,15,20−テトラ(6-キノリル)ポルフィリナト鉛 5,10,15,20−テトラ(6-キノリル)ポルフィリナトニッ
ケル 5,10,15,20−テトラ(6-キノリル)ポルフィリナトマグ
ネシウム 5,10,15,20−テトラ(6-キノリル)ポルフィリナト銅 5,10,15,20−テトラ(6-キノリル)ポルフィリナトカド
ミウム 5,10,15,20−テトラキノキサリルポルフィリン 5,10,15,20−テトラキノキサリルポルフィリナト亜鉛 5,10,15,20−テトラキノキサリルポルフィリナトコバル
ト 5,10,15,20−テトラキノキサリルポルフィリナト鉛 5,10,15,20−テトラキノキサリルポルフィリナトニッケ
ル 5,10,15,20−テトラキノキサリルポルフィリナトマグネ
シウム 5,10,15,20−テトラキノキサリルポルフィリナト銅 5,10,15,20−テトラキノキサリルポルフィリナトカドミ
ウム 5,10,15,20−テトラキス(2-フルオレニル)ポルフィリ
ン 5,10,15,20−テトラキス(2-フルオレニル)ポルフィリ
ナト亜鉛 5,10,15,20−テトラキス(2-フルオレニル)ポルフィリ
ナトコバルト 5,10,15,20−テトラキス(2-フルオレニル)ポルフィリ
ナト鉛 5,10,15,20−テトラキス(2-フルオレニル)ポルフィリ
ナトニッケル 5,10,15,20−テトラキス(2-フルオレニル)ポルフィリ
ナトマグネシウム 5,10,15,20−テトラキス(2-フルオレニル)ポルフィリ
ナト銅 5,10,15,20−テトラキス(2-フルオレニル)ポルフィリ
ナトカドミウム 5,10,15,20−テトラキス(2,4-ジメトキシフェノール)
ポリフィリン 5,10,15,20−テトラキス(2,4-ジメトキシフェノール)
ポリフィリナト亜鉛 5,10,15,20−テトラキス(2,4-ジメトキシフェノール)
ポリフィリナトコバルト 5,10,15,20−テトラキス(2,4-ジメトキシフェノール)
ポリフィリナト鉛 5,10,15,20−テトラキス(2,4-ジメトキシフェノール)
ポリフィリナトニッケル 5,10,15,20−テトラキス(2,4-ジメトキシフェノール)
ポリフィリナトマグネシウム 5,10,15,20−テトラキス(2,4-ジメトキシフェノール)
ポリフィリナト銅 5,10,15,20−テトラキス(2,4-ジメトキシフェノール)
ポリフィリナトカドミウム 5,10,15,20−テトラキス(2-ニトロフェニル)ポルフィ
リン 5,10,15,20−テトラキス(2-ニトロフェニル)ポルフィ
リナト亜鉛 5,10,15,20−テトラキス(2-ニトロフェニル)ポルフィ
リナトコバルト 5,10,15,20−テトラキス(2-ニトロフェニル)ポルフィ
リナト鉛 5,10,15,20−テトラキス(2-ニトロフェニル)ポルフィ
リナトニッケル 5,10,15,20−テトラキス(2-ニトロフェニル)ポルフィ
リナトマグネシウム 5,10,15,20−テトラキス(2-ニトロフェニル)ポルフィ
リナト銅 5,10,15,20−テトラキス(2-ニトロフェニル)ポルフィ
リナトカドミウム 5,10,15,20−テトラビフェニルポルフィリン 5,10,15,20−テトラビフェニルポルフィリナト亜鉛 5,10,15,20−テトラビフェニルポルフィリナトコバルト 5,10,15,20−テトラビフェニルポルフィリナト鉛 5,10,15,20−テトラビフェニルポルフィリナトニッケル 5,10,15,20−テトラビフェニルポルフィリナト銅 5,10,15,20−テトラビフェニルポルフィリナトカドミウ
ム 2,3,7,8,12,13,17,18 −オクタエチルポルフィリン 2,3,7,8,12,13,17,18 −オクタエチルポルフィリナト亜
鉛 2,3,7,8,12,13,17,18 −オクタエチルポルフィリナトコ
バルト 2,3,7,8,12,13,17,18 −オクタエチルポルフィリナト鉛 2,3,7,8,12,13,17,18 −オクタエチルポルフィリナトニ
ッケル 2,3,7,8,12,13,17,18 −オクタエチルポルフィリナトマ
グネシウム 2,3,7,8,12,13,17,18 −オクタエチルポルフィリナト銅 2,3,7,8,12,13,17,18 −オクタエチルポルフィリナトカ
ドミウム なお、A群のポルフィリン誘導体のうち、5,10,15,20−
テトラフェニルポルフィリン、5,10,15,20−テトラフェ
ニルポルフィリナト亜鉛、5,10,15,20−テトラフェニル
ポルフィリナトコバルト、5,10,15,20−テトラフェニル
ポルフィリナト鉛、5,10,15,20−テトラフェニルポルフ
ィリナトニッケル、5,10,15,20−テトラフェニルポルフ
ィリナトマグネシウム、5,10,15,20−テトラフェニルポ
ルフィリナト銅及び5,10,15,20−テトラフェニルポルフ
ィリナトカドミウムがより好ましい。
【0007】この発明により製造され得るポルフィリン
薄膜は、上述のポルフィリン誘導体からなる単層膜、ま
たは上述のポルフィリン誘導体からなるポルフィリン薄
膜を2層以上積層してなる多層膜である。多層膜の場
合、その積層数は、2〜100層が好ましく、2〜20
層がより好ましい。また、この多層膜の表面の自乗平均
粗さは、100オングストローム以下が好ましく、50
オングストローム以下がより好ましく、さらに1〜20
オングストロームがより好ましい。この多層膜を構成す
る薄膜の各厚みは、80オングストローム以下が好まし
く、2〜50オングストロームがより好ましい。
薄膜は、上述のポルフィリン誘導体からなる単層膜、ま
たは上述のポルフィリン誘導体からなるポルフィリン薄
膜を2層以上積層してなる多層膜である。多層膜の場
合、その積層数は、2〜100層が好ましく、2〜20
層がより好ましい。また、この多層膜の表面の自乗平均
粗さは、100オングストローム以下が好ましく、50
オングストローム以下がより好ましく、さらに1〜20
オングストロームがより好ましい。この多層膜を構成す
る薄膜の各厚みは、80オングストローム以下が好まし
く、2〜50オングストロームがより好ましい。
【0008】なお、多層膜の場合、各層は互いに異なる
ポルフィリン誘導体により形成されていてもよい。上述
のポルフィリン薄膜は、分子線蒸着法、電子ビーム蒸着
法、イオン・クラスター・ビーム法などにより作製する
ことができる。たとえば、分子線蒸着法による場合は次
ようにして行う。
ポルフィリン誘導体により形成されていてもよい。上述
のポルフィリン薄膜は、分子線蒸着法、電子ビーム蒸着
法、イオン・クラスター・ビーム法などにより作製する
ことができる。たとえば、分子線蒸着法による場合は次
ようにして行う。
【0009】分子線蒸着装置は、蒸着前に予め分子線源
室内の試料の脱気を行えるようにするために、成長室と
分子線源室とが独立の真空ポンプを有し、かつゲートバ
ルブなどによりそれらの室内の雰囲気を分離/接続でき
るようになったものが好ましい。成長室は、クライオポ
ンプ、イオンポンプ、チタンゲッターポンプ、液体窒素
シュラウドなどによって排気されることにより、その圧
力がポルフィリン誘導体蒸着時に10-7Torr未満に
なるようなものが好ましい。蒸着時の圧力が10-7To
rr以上になると多層薄膜ができないことがある。分子
線源室は、成長室とは独立に排気できるようになってい
るものが好ましい。成長室と独立に排気できるようにな
っていない場合、蒸着前の試料の脱気が行いにくく、蒸
着時に成長室内の圧力を10-7Torrに保つことが困
難となり、多層薄膜ができにくい傾向がある。
室内の試料の脱気を行えるようにするために、成長室と
分子線源室とが独立の真空ポンプを有し、かつゲートバ
ルブなどによりそれらの室内の雰囲気を分離/接続でき
るようになったものが好ましい。成長室は、クライオポ
ンプ、イオンポンプ、チタンゲッターポンプ、液体窒素
シュラウドなどによって排気されることにより、その圧
力がポルフィリン誘導体蒸着時に10-7Torr未満に
なるようなものが好ましい。蒸着時の圧力が10-7To
rr以上になると多層薄膜ができないことがある。分子
線源室は、成長室とは独立に排気できるようになってい
るものが好ましい。成長室と独立に排気できるようにな
っていない場合、蒸着前の試料の脱気が行いにくく、蒸
着時に成長室内の圧力を10-7Torrに保つことが困
難となり、多層薄膜ができにくい傾向がある。
【0010】試料については、充分な脱気を行うのが好
ましい。充分な脱気を行わない場合、蒸着時に成長室内
の圧力を10-7Torrに保つことが困難となり、多層
薄膜ができにくい傾向がある。試料の蒸着は、真空下
で、分子線源室のヒータにより試料を加熱蒸発させ、こ
れを成長室に分子線として飛行させ、基板上に堆積させ
ることにより行う。
ましい。充分な脱気を行わない場合、蒸着時に成長室内
の圧力を10-7Torrに保つことが困難となり、多層
薄膜ができにくい傾向がある。試料の蒸着は、真空下
で、分子線源室のヒータにより試料を加熱蒸発させ、こ
れを成長室に分子線として飛行させ、基板上に堆積させ
ることにより行う。
【0011】種類の異なる複数のポルフィリン誘導体
a,b,c,d,e,…について積層蒸着を行う場合、
堆積量を水晶振動式膜厚計などでモニタしながら、まず
ポルフィリン誘導体aについてのみ蒸着を行い、所定の
堆積量に達したところで蒸着を終える。次に、ポルフィ
リン誘導体bについて同様に蒸着を行い、さらに各ポル
フィリン誘導体c,d,e,…と蒸着を行っていく。必
要に応じて、a,b,c,…、a,b,c,…という繰
り返しを行ってもよい。なお、接触する層同志が異なる
ポルフィリン誘導体からなれば、その順序は限定されな
い。
a,b,c,d,e,…について積層蒸着を行う場合、
堆積量を水晶振動式膜厚計などでモニタしながら、まず
ポルフィリン誘導体aについてのみ蒸着を行い、所定の
堆積量に達したところで蒸着を終える。次に、ポルフィ
リン誘導体bについて同様に蒸着を行い、さらに各ポル
フィリン誘導体c,d,e,…と蒸着を行っていく。必
要に応じて、a,b,c,…、a,b,c,…という繰
り返しを行ってもよい。なお、接触する層同志が異なる
ポルフィリン誘導体からなれば、その順序は限定されな
い。
【0012】それぞれの層の蒸着時の堆積速度は、0.
01〜1000オングストローム/分であるのが好まし
い。0.01オングストローム/分未満になると膜を形
成するのに時間がかかりすぎて実用的でない。1000
オングストローム/分を越えると多層薄膜ができにく
い。蒸着時の分子線源内の試料は、100〜400℃に
加熱するのが好ましい。100℃未満では、堆積速度が
0.01オングストローム/分未満になりやすい。40
0℃を越えるとポルフィリン誘導体が分解しやすく、不
純物の含まれた薄膜になる場合がある。
01〜1000オングストローム/分であるのが好まし
い。0.01オングストローム/分未満になると膜を形
成するのに時間がかかりすぎて実用的でない。1000
オングストローム/分を越えると多層薄膜ができにく
い。蒸着時の分子線源内の試料は、100〜400℃に
加熱するのが好ましい。100℃未満では、堆積速度が
0.01オングストローム/分未満になりやすい。40
0℃を越えるとポルフィリン誘導体が分解しやすく、不
純物の含まれた薄膜になる場合がある。
【0013】基板としては、材質が、シリコン、ゲルマ
ニウム、ニッケル、クロム、チタン、金、銀、白金など
の金属や、これらの少なくとも1種類を主成分とする合
金や、ガラス、ITOガラス、炭素、シリカ、アルミ
ナ、マグネシア、ジルコニア、チタニア、ストロンチウ
ムチタネート、窒化ホウ素、窒化ケイ素、炭化ケイ素、
炭化ホウ素、窒化アルミニウムなどの無機材料や、ポリ
エチレンやポリプロピレンなどポリオレフィン系フィル
ム、ポリエチレンテレフタレート等のポリエステル系フ
ィルム、ナイロン6フィルムなどのポリアミド系フィル
ム、その他ポリイミド系、ポリスチレン系などの高分子
材料など、室温で空気中及び真空中で安定な物質であれ
ばよい。これらの基板材料は、その表面を研磨などによ
り平滑にし、さらに洗浄し、油分などによるよごれを除
去しておくのが望ましい。
ニウム、ニッケル、クロム、チタン、金、銀、白金など
の金属や、これらの少なくとも1種類を主成分とする合
金や、ガラス、ITOガラス、炭素、シリカ、アルミ
ナ、マグネシア、ジルコニア、チタニア、ストロンチウ
ムチタネート、窒化ホウ素、窒化ケイ素、炭化ケイ素、
炭化ホウ素、窒化アルミニウムなどの無機材料や、ポリ
エチレンやポリプロピレンなどポリオレフィン系フィル
ム、ポリエチレンテレフタレート等のポリエステル系フ
ィルム、ナイロン6フィルムなどのポリアミド系フィル
ム、その他ポリイミド系、ポリスチレン系などの高分子
材料など、室温で空気中及び真空中で安定な物質であれ
ばよい。これらの基板材料は、その表面を研磨などによ
り平滑にし、さらに洗浄し、油分などによるよごれを除
去しておくのが望ましい。
【0014】蒸着時及び蒸着後の基板温度は100℃以
下に保持するのが好ましい。100℃を超えると多層薄
膜になりにくい場合がある。次に、X線による処理につ
いて説明する。基板に堆積したポルフィリン誘導体に
は、X線を照射する。X線の照射は、基板上にポルフィ
リン誘導体が堆積し終わってから実施してもよいし、ポ
ルフィリン誘導体の堆積工程と並行して実施してもよ
い。照射するX線の波長は、0.5〜4オングストロー
ムが好ましい。また、出力は0.1〜20W、好ましく
は0.5〜10Wである。照射時間は、X線の出力に応
じて適宜設定し得る。なお、照射装置としては、X線回
折分析装置のような分析装置を利用することもできる。
下に保持するのが好ましい。100℃を超えると多層薄
膜になりにくい場合がある。次に、X線による処理につ
いて説明する。基板に堆積したポルフィリン誘導体に
は、X線を照射する。X線の照射は、基板上にポルフィ
リン誘導体が堆積し終わってから実施してもよいし、ポ
ルフィリン誘導体の堆積工程と並行して実施してもよ
い。照射するX線の波長は、0.5〜4オングストロー
ムが好ましい。また、出力は0.1〜20W、好ましく
は0.5〜10Wである。照射時間は、X線の出力に応
じて適宜設定し得る。なお、照射装置としては、X線回
折分析装置のような分析装置を利用することもできる。
【0015】
【実施例】以下、この発明にかかる実施例を説明する
が、以下の実施例で使用した原子間力顕微鏡は、Digita
l Instruments, Inc. 社製の Nanoscope II AFM であっ
た。また、X線回折分析装置は、理学電機(株)社製の
クラツキー型二軸小角散乱装置であった。
が、以下の実施例で使用した原子間力顕微鏡は、Digita
l Instruments, Inc. 社製の Nanoscope II AFM であっ
た。また、X線回折分析装置は、理学電機(株)社製の
クラツキー型二軸小角散乱装置であった。
【0016】実施例1 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリン粉末0.1g
を計り取り、石英るつぼの中に入れ、これを成長室と分
子線源室とがゲートバルブにより雰囲気を分離された状
態にある分子線蒸着装置の分子線源室に入れて、液体窒
素トラップのついた油拡散式真空ポンプにより150℃
に加熱しながら10時間真空引きした。
を計り取り、石英るつぼの中に入れ、これを成長室と分
子線源室とがゲートバルブにより雰囲気を分離された状
態にある分子線蒸着装置の分子線源室に入れて、液体窒
素トラップのついた油拡散式真空ポンプにより150℃
に加熱しながら10時間真空引きした。
【0017】一方、厚みが0.5mmの4インチのシリ
コンウェハー(100)に、酸素気流中で200℃に加
熱しながら紫外線を当て、次に、純水で調整した1%の
フッ化水素水溶液に10分間浸漬することにより、洗
浄、エッチングを行った。そして、これを成長室内の基
板ホルダにセットした。次に、試料の加熱温度を240
℃にし、分子線源室と、クライオポンプ、イオンポン
プ、チタンゲッターポンプ及び液体窒素シュラウドによ
り1×10-10 の圧力に排気された成長室との雰囲気を
分離していたゲートバルブを開け、基板への蒸着を開始
した。基板温度は、ホルダを液体窒素で冷却することに
より、−100℃に保持した。蒸着時の成長室内圧は3
×10-10 Torrであった。蒸着時の堆積膜厚は水晶
振動子式膜厚計でモニタした。堆積膜厚が400オング
ストロームに達したところで蒸着を停止した。
コンウェハー(100)に、酸素気流中で200℃に加
熱しながら紫外線を当て、次に、純水で調整した1%の
フッ化水素水溶液に10分間浸漬することにより、洗
浄、エッチングを行った。そして、これを成長室内の基
板ホルダにセットした。次に、試料の加熱温度を240
℃にし、分子線源室と、クライオポンプ、イオンポン
プ、チタンゲッターポンプ及び液体窒素シュラウドによ
り1×10-10 の圧力に排気された成長室との雰囲気を
分離していたゲートバルブを開け、基板への蒸着を開始
した。基板温度は、ホルダを液体窒素で冷却することに
より、−100℃に保持した。蒸着時の成長室内圧は3
×10-10 Torrであった。蒸着時の堆積膜厚は水晶
振動子式膜厚計でモニタした。堆積膜厚が400オング
ストロームに達したところで蒸着を停止した。
【0018】次に、この膜にX線の1種である銅のKα
線を出力40KV、200mAで10分間照射した。得
られた5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリン薄膜表
面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗
平均粗さが2.5オングストロームであった。また、こ
の表面粗さは4ヶ月後も変化しなかった。
線を出力40KV、200mAで10分間照射した。得
られた5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリン薄膜表
面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗
平均粗さが2.5オングストロームであった。また、こ
の表面粗さは4ヶ月後も変化しなかった。
【0019】実施例2 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、5,
10,15,20−テトラフエニルポルフィリナト亜鉛を用いた
ほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,20−テトラフ
ェニルポルフィリナト亜鉛薄膜を得た。この膜の表面の
粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均
粗さが2.6オングストロームであった。また、この表
面粗さは4ヶ月後も変化しなかった。
10,15,20−テトラフエニルポルフィリナト亜鉛を用いた
ほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,20−テトラフ
ェニルポルフィリナト亜鉛薄膜を得た。この膜の表面の
粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均
粗さが2.6オングストロームであった。また、この表
面粗さは4ヶ月後も変化しなかった。
【0020】実施例3 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、5,
10,15,20−テトラフェニルポルフィリナトコバルトを用
いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,20−テト
ラフェニルポルフィリナトコバルト薄膜を得た。この膜
の表面の平均粗さを原子間顕微鏡で測定したところ、そ
の自乗平均粗さが2.6オングストロームであった。ま
た、この表面粗さは4ヶ月後も変化しなかった。
10,15,20−テトラフェニルポルフィリナトコバルトを用
いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,20−テト
ラフェニルポルフィリナトコバルト薄膜を得た。この膜
の表面の平均粗さを原子間顕微鏡で測定したところ、そ
の自乗平均粗さが2.6オングストロームであった。ま
た、この表面粗さは4ヶ月後も変化しなかった。
【0021】実施例4 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、5,
10,15,20−テトラフェニルポルフィリナト鉛を用いたほ
かは、実施例1と同様にして、5,10,15,20−テトラフェ
ニルポルフィリナト鉛薄膜を得た。この膜の表面の粗さ
を原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さ
が2.5オングストロームであった。また、この表面粗
さは4ヶ月後も変化しなかった。
10,15,20−テトラフェニルポルフィリナト鉛を用いたほ
かは、実施例1と同様にして、5,10,15,20−テトラフェ
ニルポルフィリナト鉛薄膜を得た。この膜の表面の粗さ
を原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さ
が2.5オングストロームであった。また、この表面粗
さは4ヶ月後も変化しなかった。
【0022】実施例5 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、5,
10,15,20−テトラフェニルポルフィリナトニッケルを用
いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,20−テト
ラフェニルポルフィリナトニッケル薄膜を得た。この膜
の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その
自乗平均粗さが2.6オングストロームであった。ま
た、この表面粗さは4ヶ月後も変化しなかった。
10,15,20−テトラフェニルポルフィリナトニッケルを用
いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,20−テト
ラフェニルポルフィリナトニッケル薄膜を得た。この膜
の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その
自乗平均粗さが2.6オングストロームであった。ま
た、この表面粗さは4ヶ月後も変化しなかった。
【0023】実施例6 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、5,
10,15,20−テトラフェニルポルフィリナトマグネシウム
を用いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,20−
テトラフェニルポルフィリナトマグネシウム薄膜を得
た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したと
ころ、その自乗平均粗さが2.6オングストロームであ
った。また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しなかっ
た。
10,15,20−テトラフェニルポルフィリナトマグネシウム
を用いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,20−
テトラフェニルポルフィリナトマグネシウム薄膜を得
た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したと
ころ、その自乗平均粗さが2.6オングストロームであ
った。また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しなかっ
た。
【0024】実施例7 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、5,
10,15,20−テトラフェニルポルフィリナト銅を用いたほ
かは、実施例1と同様にして、5,10,15,20−テトラフェ
ニルポルフィリナト銅薄膜を得た。この膜の表面の粗さ
を原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さ
が2.5オングストロームであった。また、この表面粗
さは4ヶ月後も変化しなかった。
10,15,20−テトラフェニルポルフィリナト銅を用いたほ
かは、実施例1と同様にして、5,10,15,20−テトラフェ
ニルポルフィリナト銅薄膜を得た。この膜の表面の粗さ
を原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さ
が2.5オングストロームであった。また、この表面粗
さは4ヶ月後も変化しなかった。
【0025】実施例8 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、5,
10,15,20−テトラフェニルポルフィリナトカドミウムを
用いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,20−テ
トラフェニルポルフィリナトカドミウム薄膜を得た。こ
の膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、
その自乗平均粗さが2.6オングストロームであった。
また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しなかった。
10,15,20−テトラフェニルポルフィリナトカドミウムを
用いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,20−テ
トラフェニルポルフィリナトカドミウム薄膜を得た。こ
の膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、
その自乗平均粗さが2.6オングストロームであった。
また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しなかった。
【0026】実施例9 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、テ
トラベンゾポルフィリンを用いたほかは、実施例1と同
様にして、テトラベンゾポルフィリン薄膜を得た。この
膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、そ
の自乗平均粗さが2.6オングストロームであった。ま
た、この表面粗さは4ヶ月後も変化しなかった。
トラベンゾポルフィリンを用いたほかは、実施例1と同
様にして、テトラベンゾポルフィリン薄膜を得た。この
膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、そ
の自乗平均粗さが2.6オングストロームであった。ま
た、この表面粗さは4ヶ月後も変化しなかった。
【0027】実施例10 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、テ
トラベンゾポルフィリナト亜鉛を用いたほかは、実施例
1と同様にして、テトラベンゾポルフィリナト亜鉛薄膜
を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定し
たところ、その自乗平均粗さが2.6オングストローム
であった。また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しなか
った。
トラベンゾポルフィリナト亜鉛を用いたほかは、実施例
1と同様にして、テトラベンゾポルフィリナト亜鉛薄膜
を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定し
たところ、その自乗平均粗さが2.6オングストローム
であった。また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しなか
った。
【0028】実施例11 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、テ
トラベンゾポルフィリナトコバルトを用いたほかは、実
施例1と同様にして、テトラベンゾポルフィリナトコバ
ルト薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡
で測定したところ、その自乗平均粗さが2.6オングス
トロームであった。また、この表面粗さは4ヶ月後も変
化しなかった。
トラベンゾポルフィリナトコバルトを用いたほかは、実
施例1と同様にして、テトラベンゾポルフィリナトコバ
ルト薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡
で測定したところ、その自乗平均粗さが2.6オングス
トロームであった。また、この表面粗さは4ヶ月後も変
化しなかった。
【0029】実施例12 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、テ
トラベンゾポルフィリナト鉛を用いたほかは、実施例1
と同様にして、テトラベンゾポルフィリナト鉛薄膜を得
た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したと
ころ、その自乗平均粗さが2.5オングストロームであ
った。また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しなかっ
た。
トラベンゾポルフィリナト鉛を用いたほかは、実施例1
と同様にして、テトラベンゾポルフィリナト鉛薄膜を得
た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したと
ころ、その自乗平均粗さが2.5オングストロームであ
った。また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しなかっ
た。
【0030】実施例13 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、テ
トラベンゾポルフィリナトニッケルを用いたほかは、実
施例1と同様にして、テトラベンゾポルフィリナトニッ
ケル薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡
で測定したところ、その自乗平均粗さが2.6オングス
トロームであった。また、この表面粗さは4ヶ月後も変
化しなかった。
トラベンゾポルフィリナトニッケルを用いたほかは、実
施例1と同様にして、テトラベンゾポルフィリナトニッ
ケル薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡
で測定したところ、その自乗平均粗さが2.6オングス
トロームであった。また、この表面粗さは4ヶ月後も変
化しなかった。
【0031】実施例14 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、テ
トラベンゾポルフィリナトマグネシウムを用いたほか
は、実施例1と同様にして、テトラベンゾポルフィリナ
トマグネシウム薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子
間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが2.
4オングストロームであった。また、この表面粗さは4
ヶ月後も変化しなかった。
トラベンゾポルフィリナトマグネシウムを用いたほか
は、実施例1と同様にして、テトラベンゾポルフィリナ
トマグネシウム薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子
間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが2.
4オングストロームであった。また、この表面粗さは4
ヶ月後も変化しなかった。
【0032】実施例15 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、テ
トラベンゾポルフィリナト銅を用いたほかは、実施例1
と同様にして、テトラベンゾポルフィリナト銅薄膜を得
た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したと
ころ、その自乗平均粗さが2.5オングストロームであ
った。また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しなかっ
た。
トラベンゾポルフィリナト銅を用いたほかは、実施例1
と同様にして、テトラベンゾポルフィリナト銅薄膜を得
た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したと
ころ、その自乗平均粗さが2.5オングストロームであ
った。また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しなかっ
た。
【0033】実施例16 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、テ
トラベンゾポルフィリナトカドミウムを用いたほかは、
実施例1と同様にして、テトラベンゾポルフィリナトカ
ドミウム薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕
微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが2.6オン
グストロームであった。また、この表面粗さは4ヶ月後
も変化しなかった。
トラベンゾポルフィリナトカドミウムを用いたほかは、
実施例1と同様にして、テトラベンゾポルフィリナトカ
ドミウム薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕
微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが2.6オン
グストロームであった。また、この表面粗さは4ヶ月後
も変化しなかった。
【0034】実施例17 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、5,
10,15,20−テトラ(2−ピリジル)ポルフィリンを用い
たほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,20−テトラ
(2−ピリジル)ポルフィリン薄膜を得た。この膜の表
面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗
平均粗さが2.6オングストロームであった。また、こ
の表面粗さは4ヶ月後も変化しなかった。
10,15,20−テトラ(2−ピリジル)ポルフィリンを用い
たほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,20−テトラ
(2−ピリジル)ポルフィリン薄膜を得た。この膜の表
面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗
平均粗さが2.6オングストロームであった。また、こ
の表面粗さは4ヶ月後も変化しなかった。
【0035】実施例18 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、5,
10,15,20−テトラ(2−ピリジル)ポルフィリナト亜鉛
を用いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,20−
テトラ(2−ピリジル)ポルフィリナト亜鉛薄膜を得
た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したと
ころ、その自乗平均粗さが2.5オングストロームであ
った。また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しなかっ
た。
10,15,20−テトラ(2−ピリジル)ポルフィリナト亜鉛
を用いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,20−
テトラ(2−ピリジル)ポルフィリナト亜鉛薄膜を得
た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したと
ころ、その自乗平均粗さが2.5オングストロームであ
った。また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しなかっ
た。
【0036】実施例19 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、5,
10,15,20−テトラ(2−ピリジル)ポルフィリナトコバ
ルトを用いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,
20−テトラ(2−ピリジル)ポルフィリナトコバルト薄
膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定
したところ、その自乗平均粗さが2.6オングストロー
ムであった。また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しな
かった。
10,15,20−テトラ(2−ピリジル)ポルフィリナトコバ
ルトを用いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,
20−テトラ(2−ピリジル)ポルフィリナトコバルト薄
膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定
したところ、その自乗平均粗さが2.6オングストロー
ムであった。また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しな
かった。
【0037】実施例20 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、5,
10,15,20−テトラ(2−ピリジル)ポルフィリナト鉛を
用いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,20−テ
トラ(2−ピリジル)ポルフィリナト鉛薄膜を得た。こ
の膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、
その自乗平均粗さが2.5オングストロームであった。
また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しなかった。
10,15,20−テトラ(2−ピリジル)ポルフィリナト鉛を
用いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,20−テ
トラ(2−ピリジル)ポルフィリナト鉛薄膜を得た。こ
の膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、
その自乗平均粗さが2.5オングストロームであった。
また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しなかった。
【0038】実施例21 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、5,
10,15,20−テトラ(2−ピリジル)ポルフィリナトニッ
ケルを用いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,
20−テトラ(2−ピリジル)ポルフィリナトニッケル薄
膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定
したところ、その自乗平均粗さが2.6オングストロー
ムであった。また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しな
かった。
10,15,20−テトラ(2−ピリジル)ポルフィリナトニッ
ケルを用いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,
20−テトラ(2−ピリジル)ポルフィリナトニッケル薄
膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定
したところ、その自乗平均粗さが2.6オングストロー
ムであった。また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しな
かった。
【0039】実施例22 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、5,
10,15,20−テトラ(2−ピリジル)ポルフィリナトマグ
ネシウムを用いたほかは、実施例1と同様にして、5,1
0,15,20−テトラ(2−ピリジル)ポルフィリナトマグ
ネシウム薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕
微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが2.4オン
グストロームであった。また、この表面粗さは4ヶ月後
も変化しなかった。
10,15,20−テトラ(2−ピリジル)ポルフィリナトマグ
ネシウムを用いたほかは、実施例1と同様にして、5,1
0,15,20−テトラ(2−ピリジル)ポルフィリナトマグ
ネシウム薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕
微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが2.4オン
グストロームであった。また、この表面粗さは4ヶ月後
も変化しなかった。
【0040】実施例23 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、5,
10,15,20−テトラ(2−ピリジル)ポルフィリナト銅を
用いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,20−テ
トラ(2−ピリジル)ポルフィリナト銅薄膜を得た。こ
の膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、
その自乗平均粗さが2.5オングストロームであった。
また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しなかった。
10,15,20−テトラ(2−ピリジル)ポルフィリナト銅を
用いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,20−テ
トラ(2−ピリジル)ポルフィリナト銅薄膜を得た。こ
の膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、
その自乗平均粗さが2.5オングストロームであった。
また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しなかった。
【0041】実施例24 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、5,
10,15,20−テトラ(2−ピリジル)ポルフィリナトカド
ミウムを用いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,1
5,20−テトラ(2−ピリジル)ポルフィリナトカドミウ
ム薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で
測定したところ、その自乗平均粗さが2.6オングスト
ロームであった。また、この表面粗さは4ヶ月後も変化
しなかった。
10,15,20−テトラ(2−ピリジル)ポルフィリナトカド
ミウムを用いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,1
5,20−テトラ(2−ピリジル)ポルフィリナトカドミウ
ム薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で
測定したところ、その自乗平均粗さが2.6オングスト
ロームであった。また、この表面粗さは4ヶ月後も変化
しなかった。
【0042】実施例25 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、5,
10,15,20−テトラ(3−ピリジル)ポルフィリンを用い
たほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,20−テトラ
(3−ピリジル)ポルフィリン薄膜を得た。この膜の表
面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗
平均粗さが2.6オングストロームであった。また、こ
の表面粗さは4ヶ月後も変化しなかった。
10,15,20−テトラ(3−ピリジル)ポルフィリンを用い
たほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,20−テトラ
(3−ピリジル)ポルフィリン薄膜を得た。この膜の表
面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗
平均粗さが2.6オングストロームであった。また、こ
の表面粗さは4ヶ月後も変化しなかった。
【0043】実施例26 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、5,
10,15,20−テトラ(3−ピリジル)ポルフィリナト亜鉛
を用いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,20−
テトラ(3−ピリジル)ポルフィリナト亜鉛薄膜を得
た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したと
ころ、その自乗平均粗さが2.5オングストロームであ
った。また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しなかっ
た。
10,15,20−テトラ(3−ピリジル)ポルフィリナト亜鉛
を用いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,20−
テトラ(3−ピリジル)ポルフィリナト亜鉛薄膜を得
た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したと
ころ、その自乗平均粗さが2.5オングストロームであ
った。また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しなかっ
た。
【0044】実施例27 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、5,
10,15,20−テトラ(3−ピリジル)ポルフィリナトコバ
ルトを用いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,
20−テトラ(3−ピリジル)ポルフィリナトコバルト薄
膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定
したところ、その自乗平均粗さが2.6オングストロー
ムであった。また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しな
かった。
10,15,20−テトラ(3−ピリジル)ポルフィリナトコバ
ルトを用いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,
20−テトラ(3−ピリジル)ポルフィリナトコバルト薄
膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定
したところ、その自乗平均粗さが2.6オングストロー
ムであった。また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しな
かった。
【0045】実施例28 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、5,
10,15,20−テトラ(3−ピリジル)ポルフィリナト鉛を
用いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,20−テ
トラ(3−ピリジル)ポルフィリナト鉛薄膜を得た。こ
の膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、
その自乗平均粗さが2.5オングストロームであった。
また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しなかった。
10,15,20−テトラ(3−ピリジル)ポルフィリナト鉛を
用いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,20−テ
トラ(3−ピリジル)ポルフィリナト鉛薄膜を得た。こ
の膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、
その自乗平均粗さが2.5オングストロームであった。
また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しなかった。
【0046】実施例29 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、5,
10,15,20−テトラ(3−ピリジル)ポルフィリナトニッ
ケルを用いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,
20−テトラ(3−ピリジル)ポルフィリナトニッケル薄
膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定
したところ、その自乗平均粗さが2.6オングストロー
ムであった。また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しな
かった。
10,15,20−テトラ(3−ピリジル)ポルフィリナトニッ
ケルを用いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,
20−テトラ(3−ピリジル)ポルフィリナトニッケル薄
膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定
したところ、その自乗平均粗さが2.6オングストロー
ムであった。また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しな
かった。
【0047】実施例30 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、5,
10,15,20−テトラ(3−ピリジル)ポルフィリナトマグ
ネシウムを用いたほかは、実施例1と同様にして、5,1
0,15,20−テトラ(3−ピリジル)ポルフィリナトマグ
ネシウム薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕
微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが2.4オン
グストロームであった。また、この表面粗さは4ヶ月後
も変化しなかった。
10,15,20−テトラ(3−ピリジル)ポルフィリナトマグ
ネシウムを用いたほかは、実施例1と同様にして、5,1
0,15,20−テトラ(3−ピリジル)ポルフィリナトマグ
ネシウム薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕
微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが2.4オン
グストロームであった。また、この表面粗さは4ヶ月後
も変化しなかった。
【0048】実施例31 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、5,
10,15,20−テトラ(3−ピリジル)ポルフィリナト銅を
用いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,20−テ
トラ(3−ピリジル)ポルフィリナト銅薄膜を得た。こ
の膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、
その自乗平均粗さが2.5オングストロームであった。
また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しなかった。
10,15,20−テトラ(3−ピリジル)ポルフィリナト銅を
用いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,20−テ
トラ(3−ピリジル)ポルフィリナト銅薄膜を得た。こ
の膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、
その自乗平均粗さが2.5オングストロームであった。
また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しなかった。
【0049】実施例32 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、5,
10,15,20−テトラ(3−ピリジル)ポルフィリナトカド
ミウムを用いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,1
5,20−テトラ(3−ピリジル)ポルフィリナトカドミウ
ム薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で
測定したところ、その自乗平均粗さが2.6オングスト
ロームであった。また、この表面粗さは4ヶ月後も変化
しなかった。
10,15,20−テトラ(3−ピリジル)ポルフィリナトカド
ミウムを用いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,1
5,20−テトラ(3−ピリジル)ポルフィリナトカドミウ
ム薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で
測定したところ、その自乗平均粗さが2.6オングスト
ロームであった。また、この表面粗さは4ヶ月後も変化
しなかった。
【0050】実施例33 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、5,
10,15,20−テトラ(4−ピリジル)ポルフィリンを用い
たほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,20−テトラ
(4−ピリジル)ポルフィリン薄膜を得た。この膜の表
面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗
平均粗さが2.6オングストロームであった。また、こ
の表面粗さは4ヶ月後も変化しなかった。
10,15,20−テトラ(4−ピリジル)ポルフィリンを用い
たほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,20−テトラ
(4−ピリジル)ポルフィリン薄膜を得た。この膜の表
面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗
平均粗さが2.6オングストロームであった。また、こ
の表面粗さは4ヶ月後も変化しなかった。
【0051】実施例34 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、5,
10,15,20−テトラ(4−ピリジル)ポルフィリナト亜鉛
を用いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,20−
テトラ(4−ピリジル)ポルフィリナト亜鉛薄膜を得
た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したと
ころ、その自乗平均粗さが2.5オングストロームであ
った。また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しなかっ
た。
10,15,20−テトラ(4−ピリジル)ポルフィリナト亜鉛
を用いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,20−
テトラ(4−ピリジル)ポルフィリナト亜鉛薄膜を得
た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したと
ころ、その自乗平均粗さが2.5オングストロームであ
った。また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しなかっ
た。
【0052】実施例35 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、5,
10,15,20−テトラ(4−ピリジル)ポルフィリナトコバ
ルトを用いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,
20−テトラ(4−ピリジル)ポルフィリナトコバルト薄
膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定
したところ、その自乗平均粗さが2.6オングストロー
ムであった。また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しな
かった。
10,15,20−テトラ(4−ピリジル)ポルフィリナトコバ
ルトを用いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,
20−テトラ(4−ピリジル)ポルフィリナトコバルト薄
膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定
したところ、その自乗平均粗さが2.6オングストロー
ムであった。また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しな
かった。
【0053】実施例36 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、5,
10,15,20−テトラ(4−ピリジル)ポルフィリナト鉛を
用いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,20−テ
トラ(4−ピリジル)ポルフィリナト鉛薄膜を得た。こ
の膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、
その自乗平均粗さが2.5オングストロームであった。
また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しなかった。
10,15,20−テトラ(4−ピリジル)ポルフィリナト鉛を
用いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,20−テ
トラ(4−ピリジル)ポルフィリナト鉛薄膜を得た。こ
の膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、
その自乗平均粗さが2.5オングストロームであった。
また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しなかった。
【0054】実施例37 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、5,
10,15,20−テトラ(4−ピリジル)ポルフィリナトニッ
ケルを用いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,
20−テトラ(4−ピリジル)ポルフィリナトニッケル薄
膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定
したところ、その自乗平均粗さが2.6オングストロー
ムであった。また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しな
かった。
10,15,20−テトラ(4−ピリジル)ポルフィリナトニッ
ケルを用いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,
20−テトラ(4−ピリジル)ポルフィリナトニッケル薄
膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定
したところ、その自乗平均粗さが2.6オングストロー
ムであった。また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しな
かった。
【0055】実施例38 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、5,
10,15,20−テトラ(4−ピリジル)ポルフィリナトマグ
ネシウムを用いたほかは、実施例1と同様にして、5,1
0,15,20−テトラ(4−ピリジル)ポルフィリナトマグ
ネシウム薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕
微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが2.4オン
グストロームであった。また、この表面粗さは4ヶ月後
も変化しなかった。
10,15,20−テトラ(4−ピリジル)ポルフィリナトマグ
ネシウムを用いたほかは、実施例1と同様にして、5,1
0,15,20−テトラ(4−ピリジル)ポルフィリナトマグ
ネシウム薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕
微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが2.4オン
グストロームであった。また、この表面粗さは4ヶ月後
も変化しなかった。
【0056】実施例39 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、5,
10,15,20−テトラ(4−ピリジル)ポルフィリナト銅を
用いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,20−テ
トラ(4−ピリジル)ポルフィリナト銅薄膜を得た。こ
の膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、
その自乗平均粗さが2.5オングストロームであった。
また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しなかった。
10,15,20−テトラ(4−ピリジル)ポルフィリナト銅を
用いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,20−テ
トラ(4−ピリジル)ポルフィリナト銅薄膜を得た。こ
の膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、
その自乗平均粗さが2.5オングストロームであった。
また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しなかった。
【0057】実施例40 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、5,
10,15,20−テトラ(4−ピリジル)ポルフィリナトカド
ミウムを用いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,1
5,20−テトラ(4−ピリジル)ポルフィリナトカドミウ
ム薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で
測定したところ、その自乗平均粗さが2.6オングスト
ロームであった。また、この表面粗さは4ヶ月後も変化
しなかった。
10,15,20−テトラ(4−ピリジル)ポルフィリナトカド
ミウムを用いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,1
5,20−テトラ(4−ピリジル)ポルフィリナトカドミウ
ム薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で
測定したところ、その自乗平均粗さが2.6オングスト
ロームであった。また、この表面粗さは4ヶ月後も変化
しなかった。
【0058】実施例41 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、5,
10,15,20−テトラ(4−キノリル)ポルフィリンを用い
たほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,20−テトラ
(4−キノリル)ポルフィリン薄膜を得た。この膜の表
面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗
平均粗さが2.6オングストロームであった。また、こ
の表面粗さは4ヶ月後も変化しなかった。
10,15,20−テトラ(4−キノリル)ポルフィリンを用い
たほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,20−テトラ
(4−キノリル)ポルフィリン薄膜を得た。この膜の表
面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗
平均粗さが2.6オングストロームであった。また、こ
の表面粗さは4ヶ月後も変化しなかった。
【0059】実施例42 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、5,
10,15,20−テトラ(4−キノリル)ポルフィリナト亜鉛
を用いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,20−
テトラ(4−キノリル)ポルフィリナト亜鉛薄膜を得
た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したと
ころ、その自乗平均粗さが2.5オングストロームであ
った。また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しなかっ
た。
10,15,20−テトラ(4−キノリル)ポルフィリナト亜鉛
を用いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,20−
テトラ(4−キノリル)ポルフィリナト亜鉛薄膜を得
た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したと
ころ、その自乗平均粗さが2.5オングストロームであ
った。また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しなかっ
た。
【0060】実施例43 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、5,
10,15,20−テトラ(4−キノリル)ポルフィリナトコバ
ルトを用いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,
20−テトラ(4−キノリル)ポルフィリナトコバルト薄
膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定
したところ、その自乗平均粗さが2.6オングストロー
ムであった。また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しな
かった。
10,15,20−テトラ(4−キノリル)ポルフィリナトコバ
ルトを用いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,
20−テトラ(4−キノリル)ポルフィリナトコバルト薄
膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定
したところ、その自乗平均粗さが2.6オングストロー
ムであった。また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しな
かった。
【0061】実施例44 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、5,
10,15,20−テトラ(4−キノリル)ポルフィリナト鉛を
用いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,20−テ
トラ(4−キノリル)ポルフィリナト鉛薄膜を得た。こ
の膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、
その自乗平均粗さが2.5オングストロームであった。
また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しなかった。
10,15,20−テトラ(4−キノリル)ポルフィリナト鉛を
用いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,20−テ
トラ(4−キノリル)ポルフィリナト鉛薄膜を得た。こ
の膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、
その自乗平均粗さが2.5オングストロームであった。
また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しなかった。
【0062】実施例45 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、5,
10,15,20−テトラ(4−キノリル)ポルフィリナトニッ
ケルを用いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,
20−テトラ(4−キノリル)ポルフィリナトニッケル薄
膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定
したところ、その自乗平均粗さが2.6オングストロー
ムであった。また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しな
かった。
10,15,20−テトラ(4−キノリル)ポルフィリナトニッ
ケルを用いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,
20−テトラ(4−キノリル)ポルフィリナトニッケル薄
膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定
したところ、その自乗平均粗さが2.6オングストロー
ムであった。また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しな
かった。
【0063】実施例46 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、5,
10,15,20−テトラ(4−キノリル)ポルフィリナトマグ
ネシウムを用いたほかは、実施例1と同様にして、5,1
0,15,20−テトラ(4−キノリル)ポルフィリナトマグ
ネシウム薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕
微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが2.4オン
グストロームであった。また、この表面粗さは4ヶ月後
も変化しなかった。
10,15,20−テトラ(4−キノリル)ポルフィリナトマグ
ネシウムを用いたほかは、実施例1と同様にして、5,1
0,15,20−テトラ(4−キノリル)ポルフィリナトマグ
ネシウム薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕
微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが2.4オン
グストロームであった。また、この表面粗さは4ヶ月後
も変化しなかった。
【0064】実施例47 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、5,
10,15,20−テトラ(4−キノリル)ポルフィリナト銅を
用いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,20−テ
トラ(4−キノリル)ポルフィリナト銅薄膜を得た。こ
の膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、
その自乗平均粗さが2.5オングストロームであった。
また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しなかった。
10,15,20−テトラ(4−キノリル)ポルフィリナト銅を
用いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,20−テ
トラ(4−キノリル)ポルフィリナト銅薄膜を得た。こ
の膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、
その自乗平均粗さが2.5オングストロームであった。
また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しなかった。
【0065】実施例48 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、5,
10,15,20−テトラ(4−キノリル)ポルフィリナトカド
ミウムを用いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,1
5,20−テトラ(4−キノリル)ポルフィリナトカドミウ
ム薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で
測定したところ、その自乗平均粗さが2.6オングスト
ロームであった。また、この表面粗さは4ヶ月後も変化
しなかった。
10,15,20−テトラ(4−キノリル)ポルフィリナトカド
ミウムを用いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,1
5,20−テトラ(4−キノリル)ポルフィリナトカドミウ
ム薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で
測定したところ、その自乗平均粗さが2.6オングスト
ロームであった。また、この表面粗さは4ヶ月後も変化
しなかった。
【0066】実施例49 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、5,
10,15,20−テトラ(6−キノリル)ポルフィリンを用い
たほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,20−テトラ
(6−キノリル)ポルフィリン薄膜を得た。この膜の表
面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗
平均粗さが2.6オングストロームであった。また、こ
の表面粗さは4ヶ月後も変化しなかった。
10,15,20−テトラ(6−キノリル)ポルフィリンを用い
たほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,20−テトラ
(6−キノリル)ポルフィリン薄膜を得た。この膜の表
面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗
平均粗さが2.6オングストロームであった。また、こ
の表面粗さは4ヶ月後も変化しなかった。
【0067】実施例50 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、5,
10,15,20−テトラ(6−キノリル)ポルフィリナト亜鉛
を用いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,20−
テトラ(6−キノリル)ポルフィリナト亜鉛薄膜を得
た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したと
ころ、その自乗平均粗さが2.5オングストロームであ
った。また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しなかっ
た。
10,15,20−テトラ(6−キノリル)ポルフィリナト亜鉛
を用いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,20−
テトラ(6−キノリル)ポルフィリナト亜鉛薄膜を得
た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したと
ころ、その自乗平均粗さが2.5オングストロームであ
った。また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しなかっ
た。
【0068】実施例51 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、5,
10,15,20−テトラ(6−キノリル)ポルフィリナトコバ
ルトを用いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,
20−テトラ(6−キノリル)ポルフィリナトコバルト薄
膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定
したところ、その自乗平均粗さが2.6オングストロー
ムであった。また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しな
かった。
10,15,20−テトラ(6−キノリル)ポルフィリナトコバ
ルトを用いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,
20−テトラ(6−キノリル)ポルフィリナトコバルト薄
膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定
したところ、その自乗平均粗さが2.6オングストロー
ムであった。また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しな
かった。
【0069】実施例52 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、5,
10,15,20−テトラ(6−キノリル)ポルフィリナト鉛を
用いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,20−テ
トラ(6−キノリル)ポルフィリナト鉛薄膜を得た。こ
の膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、
その自乗平均粗さが2.5オングストロームであった。
また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しなかった。
10,15,20−テトラ(6−キノリル)ポルフィリナト鉛を
用いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,20−テ
トラ(6−キノリル)ポルフィリナト鉛薄膜を得た。こ
の膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、
その自乗平均粗さが2.5オングストロームであった。
また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しなかった。
【0070】実施例53 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、5,
10,15,20−テトラ(6−キノリル)ポルフィリナトニッ
ケルを用いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,
20−テトラ(6−キノリル)ポルフィリナトニッケル薄
膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定
したところ、その自乗平均粗さが2.6オングストロー
ムであった。また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しな
かった。
10,15,20−テトラ(6−キノリル)ポルフィリナトニッ
ケルを用いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,
20−テトラ(6−キノリル)ポルフィリナトニッケル薄
膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定
したところ、その自乗平均粗さが2.6オングストロー
ムであった。また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しな
かった。
【0071】実施例54 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、5,
10,15,20−テトラ(6−キノリル)ポルフィリナトマグ
ネシウムを用いたほかは、実施例1と同様にして、5,1
0,15,20−テトラ(6−キノリル)ポルフィリナトマグ
ネシウム薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕
微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが2.4オン
グストロームであった。また、この表面粗さは4ヶ月後
も変化しなかった。
10,15,20−テトラ(6−キノリル)ポルフィリナトマグ
ネシウムを用いたほかは、実施例1と同様にして、5,1
0,15,20−テトラ(6−キノリル)ポルフィリナトマグ
ネシウム薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕
微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが2.4オン
グストロームであった。また、この表面粗さは4ヶ月後
も変化しなかった。
【0072】実施例55 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、5,
10,15,20−テトラ(6−キノリル)ポルフィリナト銅を
用いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,20−テ
トラ(6−キノリル)ポルフィリナト銅薄膜を得た。こ
の膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、
その自乗平均粗さが2.5オングストロームであった。
また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しなかった。実施例56 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、5,
10,15,20−テトラ(6−キノリル)ポルフィリナトカド
ミウムを用いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,1
5,20−テトラ(6−キノリル)ポルフィリナトカドミウ
ム薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で
測定したところ、その自乗平均粗さが2.6オングスト
ロームであった。また、この表面粗さは4ヶ月後も変化
しなかった。
10,15,20−テトラ(6−キノリル)ポルフィリナト銅を
用いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,20−テ
トラ(6−キノリル)ポルフィリナト銅薄膜を得た。こ
の膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、
その自乗平均粗さが2.5オングストロームであった。
また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しなかった。実施例56 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、5,
10,15,20−テトラ(6−キノリル)ポルフィリナトカド
ミウムを用いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,1
5,20−テトラ(6−キノリル)ポルフィリナトカドミウ
ム薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で
測定したところ、その自乗平均粗さが2.6オングスト
ロームであった。また、この表面粗さは4ヶ月後も変化
しなかった。
【0073】実施例57 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、5,
10,15,20−テトラキノキサリルポルフィリンを用いたほ
かは、実施例1と同様にして、5,10,15,20−テトラキノ
キサリルポルフィリン薄膜を得た。この膜の表面の粗さ
を原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さ
が2.6オングストロームであった。また、この表面粗
さは4ヶ月後も変化しなかった。
10,15,20−テトラキノキサリルポルフィリンを用いたほ
かは、実施例1と同様にして、5,10,15,20−テトラキノ
キサリルポルフィリン薄膜を得た。この膜の表面の粗さ
を原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さ
が2.6オングストロームであった。また、この表面粗
さは4ヶ月後も変化しなかった。
【0074】実施例58 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、5,
10,15,20−テトラキノキサリルポルフィリナト亜鉛を用
いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,20−テト
ラキノキサリルポルフィリナト亜鉛薄膜を得た。この膜
の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その
自乗平均粗さが2.5オングストロームであった。ま
た、この表面粗さは4ヶ月後も変化しなかった。
10,15,20−テトラキノキサリルポルフィリナト亜鉛を用
いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,20−テト
ラキノキサリルポルフィリナト亜鉛薄膜を得た。この膜
の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その
自乗平均粗さが2.5オングストロームであった。ま
た、この表面粗さは4ヶ月後も変化しなかった。
【0075】実施例59 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、5,
10,15,20−テトラキノキサリルポルフィリナトコバルト
を用いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,20−
テトラキノキサリルポルフィリナトコバルト薄膜を得
た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したと
ころ、その自乗平均粗さが2.6オングストロームであ
った。また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しなかっ
た。
10,15,20−テトラキノキサリルポルフィリナトコバルト
を用いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,20−
テトラキノキサリルポルフィリナトコバルト薄膜を得
た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したと
ころ、その自乗平均粗さが2.6オングストロームであ
った。また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しなかっ
た。
【0076】実施例60 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、5,
10,15,20−テトラキノキサリルポルフィリナト鉛を用い
たほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,20−テトラ
キノキサリルポルフィリナト鉛薄膜を得た。この膜の表
面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗
平均粗さが2.5オングストロームであった。また、こ
の表面粗さは4ヶ月後も変化しなかった。
10,15,20−テトラキノキサリルポルフィリナト鉛を用い
たほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,20−テトラ
キノキサリルポルフィリナト鉛薄膜を得た。この膜の表
面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗
平均粗さが2.5オングストロームであった。また、こ
の表面粗さは4ヶ月後も変化しなかった。
【0077】実施例61 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、5,
10,15,20−テトラキノキサリルポルフィリナトニッケル
を用いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,20−
テトラキノキサリルポルフィリナトニッケル薄膜を得
た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したと
ころ、その自乗平均粗さが2.6オングストロームであ
った。また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しなかっ
た。
10,15,20−テトラキノキサリルポルフィリナトニッケル
を用いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,20−
テトラキノキサリルポルフィリナトニッケル薄膜を得
た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したと
ころ、その自乗平均粗さが2.6オングストロームであ
った。また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しなかっ
た。
【0078】実施例62 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、5,
10,15,20−テトラキノキサリルポルフィリナトマグネシ
ウムを用いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,
20−テトラキノキサリルポルフィリナトマグネシウム薄
膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定
したところ、その自乗平均粗さが2.4オングストロー
ムであった。また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しな
かった。
10,15,20−テトラキノキサリルポルフィリナトマグネシ
ウムを用いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,
20−テトラキノキサリルポルフィリナトマグネシウム薄
膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定
したところ、その自乗平均粗さが2.4オングストロー
ムであった。また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しな
かった。
【0079】実施例63 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、5,
10,15,20−テトラキノキサリルポルフィリナト銅を用い
たほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,20−テトラ
キノキサリルポルフィリナト銅薄膜を得た。この膜の表
面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗
平均粗さが2.5オングストロームであった。また、こ
の表面粗さは4ヶ月後も変化しなかった。
10,15,20−テトラキノキサリルポルフィリナト銅を用い
たほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,20−テトラ
キノキサリルポルフィリナト銅薄膜を得た。この膜の表
面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗
平均粗さが2.5オングストロームであった。また、こ
の表面粗さは4ヶ月後も変化しなかった。
【0080】実施例64 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、5,
10,15,20−テトラキノキサリルポルフィリナトカドミウ
ムを用いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,20
−テトラキノキサリルポルフィリナトカドミウム薄膜を
得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定した
ところ、その自乗平均粗さが2.6オングストロームで
あった。また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しなかっ
た。
10,15,20−テトラキノキサリルポルフィリナトカドミウ
ムを用いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,20
−テトラキノキサリルポルフィリナトカドミウム薄膜を
得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定した
ところ、その自乗平均粗さが2.6オングストロームで
あった。また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しなかっ
た。
【0081】実施例65 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、5,
10,15,20−テトラキス(2−フルオレニル)ポルフィリ
ンを用いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,20
−テトラキス(2−フルオレニル)ポルフィリン薄膜を
得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定した
ところ、その自乗平均粗さが2.6オングストロームで
あった。また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しなかっ
た。
10,15,20−テトラキス(2−フルオレニル)ポルフィリ
ンを用いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,20
−テトラキス(2−フルオレニル)ポルフィリン薄膜を
得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定した
ところ、その自乗平均粗さが2.6オングストロームで
あった。また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しなかっ
た。
【0082】実施例66 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、5,
10,15,20−テトラキス(2−フルオレニル)ポルフィリ
ナト亜鉛を用いたほかは、実施例1と同様にして、5,1
0,15,20−テトラキス(2−フルオレニル)ポルフィリ
ナト亜鉛薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕
微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが2.5オン
グストロームであった。また、この表面粗さは4ヶ月後
も変化しなかった。
10,15,20−テトラキス(2−フルオレニル)ポルフィリ
ナト亜鉛を用いたほかは、実施例1と同様にして、5,1
0,15,20−テトラキス(2−フルオレニル)ポルフィリ
ナト亜鉛薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕
微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが2.5オン
グストロームであった。また、この表面粗さは4ヶ月後
も変化しなかった。
【0083】実施例67 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、5,
10,15,20−テトラキス(2−フルオレニル)ポルフィリ
ナトコバルトを用いたほかは、実施例1と同様にして、
5,10,15,20−テトラキス(2−フルオレニル)ポルフィ
リナトコバルト薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子
間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが2.
6オングストロームであった。また、この表面粗さは4
ヶ月後も変化しなかった。
10,15,20−テトラキス(2−フルオレニル)ポルフィリ
ナトコバルトを用いたほかは、実施例1と同様にして、
5,10,15,20−テトラキス(2−フルオレニル)ポルフィ
リナトコバルト薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子
間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが2.
6オングストロームであった。また、この表面粗さは4
ヶ月後も変化しなかった。
【0084】実施例68 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、5,
10,15,20−テトラキス(2−フルオレニル)ポルフィリ
ナト鉛を用いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,1
5,20−テトラキス(2−フルオレニル)ポルフィリナト
鉛薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で
測定したところ、その自乗平均粗さが2.5オングスト
ロームであった。また、この表面粗さは4ヶ月後も変化
しなかった。
10,15,20−テトラキス(2−フルオレニル)ポルフィリ
ナト鉛を用いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,1
5,20−テトラキス(2−フルオレニル)ポルフィリナト
鉛薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で
測定したところ、その自乗平均粗さが2.5オングスト
ロームであった。また、この表面粗さは4ヶ月後も変化
しなかった。
【0085】実施例69 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、5,
10,15,20−テトラキス(2−フルオレニル)ポルフィリ
ナトニッケルを用いたほかは、実施例1と同様にして、
5,10,15,20−テトラキス(2−フルオレニル)ポルフィ
リナトニッケル薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子
間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが2.
6オングストロームであった。また、この表面粗さは4
ヶ月後も変化しなかった。
10,15,20−テトラキス(2−フルオレニル)ポルフィリ
ナトニッケルを用いたほかは、実施例1と同様にして、
5,10,15,20−テトラキス(2−フルオレニル)ポルフィ
リナトニッケル薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子
間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが2.
6オングストロームであった。また、この表面粗さは4
ヶ月後も変化しなかった。
【0086】実施例70 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、5,
10,15,20−テトラキス(2−フルオレニル)ポルフィリ
ナトマグネシウムを用いたほかは、実施例1と同様にし
て、5,10,15,20−テトラキス(2−フルオレニル)ポル
フィリナトマグネシウム薄膜を得た。この膜の表面の粗
さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗
さが2.4オングストロームであった。また、この表面
粗さは4ヶ月後も変化しなかった。
10,15,20−テトラキス(2−フルオレニル)ポルフィリ
ナトマグネシウムを用いたほかは、実施例1と同様にし
て、5,10,15,20−テトラキス(2−フルオレニル)ポル
フィリナトマグネシウム薄膜を得た。この膜の表面の粗
さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗
さが2.4オングストロームであった。また、この表面
粗さは4ヶ月後も変化しなかった。
【0087】実施例71 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、5,
10,15,20−テトラキス(2−フルオレニル)ポルフィリ
ナト銅を用いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,1
5,20−テトラキス(2−フルオレニル)ポルフィリナト
銅薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で
測定したところ、その自乗平均粗さが2.5オングスト
ロームであった。また、この表面粗さは4ヶ月後も変化
しなかった。
10,15,20−テトラキス(2−フルオレニル)ポルフィリ
ナト銅を用いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,1
5,20−テトラキス(2−フルオレニル)ポルフィリナト
銅薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で
測定したところ、その自乗平均粗さが2.5オングスト
ロームであった。また、この表面粗さは4ヶ月後も変化
しなかった。
【0088】実施例72 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、5,
10,15,20−テトラキス(2−フルオレニル)ポルフィリ
ナトカドミウムを用いたほかは、実施例1と同様にし
て、5,10,15,20−テトラキス(2−フルオレニル)ポル
フィリナトカドミウム薄膜を得た。この膜の表面の粗さ
を原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さ
が2.6オングストロームであった。また、この表面粗
さは4ヶ月後も変化しなかった。
10,15,20−テトラキス(2−フルオレニル)ポルフィリ
ナトカドミウムを用いたほかは、実施例1と同様にし
て、5,10,15,20−テトラキス(2−フルオレニル)ポル
フィリナトカドミウム薄膜を得た。この膜の表面の粗さ
を原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さ
が2.6オングストロームであった。また、この表面粗
さは4ヶ月後も変化しなかった。
【0089】実施例73 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、5,
10,15,20−テトラキス(2,4−ジメトキシフェノー
ル)ポルフィリンを用いたほかは、実施例1と同様にし
て、5,10,15,20−テトラキス(2,4−ジメトキシフェ
ノール)ポルフィリン薄膜を得た。この膜の表面の粗さ
を原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さ
が2.6オングストロームであった。また、この表面粗
さは4ヶ月後も変化しなかった。
10,15,20−テトラキス(2,4−ジメトキシフェノー
ル)ポルフィリンを用いたほかは、実施例1と同様にし
て、5,10,15,20−テトラキス(2,4−ジメトキシフェ
ノール)ポルフィリン薄膜を得た。この膜の表面の粗さ
を原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さ
が2.6オングストロームであった。また、この表面粗
さは4ヶ月後も変化しなかった。
【0090】実施例74 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、5,
10,15,20−テトラキス(2,4−ジメトキシフェノー
ル)ポルフィリナト亜鉛を用いたほかは、実施例1と同
様にして、5,10,15,20−テトラキス(2,4−ジメトキ
シフェノール)ポルフィリナト亜鉛薄膜を得た。この膜
の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その
自乗平均粗さが2.5オングストロームであった。ま
た、この表面粗さは4ヶ月後も変化しなかった。
10,15,20−テトラキス(2,4−ジメトキシフェノー
ル)ポルフィリナト亜鉛を用いたほかは、実施例1と同
様にして、5,10,15,20−テトラキス(2,4−ジメトキ
シフェノール)ポルフィリナト亜鉛薄膜を得た。この膜
の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その
自乗平均粗さが2.5オングストロームであった。ま
た、この表面粗さは4ヶ月後も変化しなかった。
【0091】実施例75 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、5,
10,15,20−テトラキス(2,4−ジメトキシフェノー
ル)ポルフィリナトコバルトを用いたほかは、実施例1
と同様にして、5,10,15,20−テトラキス(2,4−ジメ
トキシフェノール)ポルフィリナトコバルト薄膜を得
た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したと
ころ、その自乗平均粗さが2.6オングストロームであ
った。また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しなかっ
た。
10,15,20−テトラキス(2,4−ジメトキシフェノー
ル)ポルフィリナトコバルトを用いたほかは、実施例1
と同様にして、5,10,15,20−テトラキス(2,4−ジメ
トキシフェノール)ポルフィリナトコバルト薄膜を得
た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したと
ころ、その自乗平均粗さが2.6オングストロームであ
った。また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しなかっ
た。
【0092】実施例76 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、5,
10,15,20−テトラキス(2,4−ジメトキシフェノー
ル)ポルフィリナト鉛を用いたほかは、実施例1と同様
にして、5,10,15,20−テトラキス(2,4−ジメトキシ
フェノール)ポルフィリナト鉛薄膜を得た。この膜の表
面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗
平均粗さが2.5オングストロームであった。また、こ
の表面粗さは4ヶ月後も変化しなかった。
10,15,20−テトラキス(2,4−ジメトキシフェノー
ル)ポルフィリナト鉛を用いたほかは、実施例1と同様
にして、5,10,15,20−テトラキス(2,4−ジメトキシ
フェノール)ポルフィリナト鉛薄膜を得た。この膜の表
面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗
平均粗さが2.5オングストロームであった。また、こ
の表面粗さは4ヶ月後も変化しなかった。
【0093】実施例77 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、5,
10,15,20−テトラキス(2,4−ジメトキシフェノー
ル)ポルフィリナトニッケルを用いたほかは、実施例1
と同様にして、5,10,15,20−テトラキス(2,4−ジメ
トキシフェノール)ポルフィリナトニッケル薄膜を得
た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したと
ころ、その自乗平均粗さが2.6オングストロームであ
った。また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しなかっ
た。
10,15,20−テトラキス(2,4−ジメトキシフェノー
ル)ポルフィリナトニッケルを用いたほかは、実施例1
と同様にして、5,10,15,20−テトラキス(2,4−ジメ
トキシフェノール)ポルフィリナトニッケル薄膜を得
た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したと
ころ、その自乗平均粗さが2.6オングストロームであ
った。また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しなかっ
た。
【0094】実施例78 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、5,
10,15,20−テトラキス(2,4−ジメトキシフェノー
ル)ポルフィリナトマグネシウムを用いたほかは、実施
例1と同様にして、5,10,15,20−テトラキス(2,4−
ジメトキシフェノール)ポルフィリナトマグネシウム薄
膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定
したところ、その自乗平均粗さが2.4オングストロー
ムであった。また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しな
かった。
10,15,20−テトラキス(2,4−ジメトキシフェノー
ル)ポルフィリナトマグネシウムを用いたほかは、実施
例1と同様にして、5,10,15,20−テトラキス(2,4−
ジメトキシフェノール)ポルフィリナトマグネシウム薄
膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定
したところ、その自乗平均粗さが2.4オングストロー
ムであった。また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しな
かった。
【0095】実施例79 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、5,
10,15,20−テトラキス(2,4−ジメトキシフェノー
ル)ポルフィリナト銅を用いたほかは、実施例1と同様
にして、5,10,15,20−テトラキス(2,4−ジメトキシ
フェノール)ポルフィリナト銅薄膜を得た。この膜の表
面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗
平均粗さが2.5オングストロームであった。また、こ
の表面粗さは4ヶ月後も変化しなかった。
10,15,20−テトラキス(2,4−ジメトキシフェノー
ル)ポルフィリナト銅を用いたほかは、実施例1と同様
にして、5,10,15,20−テトラキス(2,4−ジメトキシ
フェノール)ポルフィリナト銅薄膜を得た。この膜の表
面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗
平均粗さが2.5オングストロームであった。また、こ
の表面粗さは4ヶ月後も変化しなかった。
【0096】実施例80 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、5,
10,15,20−テトラキス(2,4−ジメトキシフェノー
ル)ポルフィリナトカドミウムを用いたほかは、実施例
1と同様にして、5,10,15,20−テトラキス(2,4−ジ
メトキシフェノール)ポルフィリナトカドミウム薄膜を
得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定した
ところ、その自乗平均粗さが2.6オングストロームで
あった。また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しなかっ
た。
10,15,20−テトラキス(2,4−ジメトキシフェノー
ル)ポルフィリナトカドミウムを用いたほかは、実施例
1と同様にして、5,10,15,20−テトラキス(2,4−ジ
メトキシフェノール)ポルフィリナトカドミウム薄膜を
得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定した
ところ、その自乗平均粗さが2.6オングストロームで
あった。また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しなかっ
た。
【0097】実施例81 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、5,
10,15,20−テトラキス(2−ニトロフェニル)ポルフィ
リンを用いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,
20−テトラキス(2−ニトロフェニル)ポルフィリン薄
膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定
したところ、その自乗平均粗さが2.6オングストロー
ムであった。また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しな
かった。
10,15,20−テトラキス(2−ニトロフェニル)ポルフィ
リンを用いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,
20−テトラキス(2−ニトロフェニル)ポルフィリン薄
膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定
したところ、その自乗平均粗さが2.6オングストロー
ムであった。また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しな
かった。
【0098】実施例82 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、5,
10,15,20−テトラキス(2−ニトロフェニル)ポルフィ
リナト亜鉛を用いたほかは、実施例1と同様にして、5,
10,15,20−テトラキス(2−ニトロフェニル)ポルフィ
リナト亜鉛薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力
顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが2.5オ
ングストロームであった。また、この表面粗さは4ヶ月
後も変化しなかった。
10,15,20−テトラキス(2−ニトロフェニル)ポルフィ
リナト亜鉛を用いたほかは、実施例1と同様にして、5,
10,15,20−テトラキス(2−ニトロフェニル)ポルフィ
リナト亜鉛薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力
顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが2.5オ
ングストロームであった。また、この表面粗さは4ヶ月
後も変化しなかった。
【0099】実施例83 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、5,
10,15,20−テトラキス(2−ニトロフェニル)ポルフィ
リナトコバルトを用いたほかは、実施例1と同様にし
て、5,10,15,20−テトラキス(2−ニトロフェニル)ポ
ルフィリナトコバルト薄膜を得た。この膜の表面の粗さ
を原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さ
が2.6オングストロームであった。また、この表面粗
さは4ヶ月後も変化しなかった。
10,15,20−テトラキス(2−ニトロフェニル)ポルフィ
リナトコバルトを用いたほかは、実施例1と同様にし
て、5,10,15,20−テトラキス(2−ニトロフェニル)ポ
ルフィリナトコバルト薄膜を得た。この膜の表面の粗さ
を原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さ
が2.6オングストロームであった。また、この表面粗
さは4ヶ月後も変化しなかった。
【0100】実施例84 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、5,
10,15,20−テトラキス(2−ニトロフェニル)ポルフィ
リナト鉛を用いたほかは、実施例1と同様にして、5,1
0,15,20−テトラキス(2−ニトロフェニル)ポルフィ
リナト鉛薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕
微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが2.5オン
グストロームであった。また、この表面粗さは4ヶ月後
も変化しなかった。
10,15,20−テトラキス(2−ニトロフェニル)ポルフィ
リナト鉛を用いたほかは、実施例1と同様にして、5,1
0,15,20−テトラキス(2−ニトロフェニル)ポルフィ
リナト鉛薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕
微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが2.5オン
グストロームであった。また、この表面粗さは4ヶ月後
も変化しなかった。
【0101】実施例85 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、5,
10,15,20−テトラキス(2−ニトロフェニル)ポルフィ
リナトニッケルを用いたほかは、実施例1と同様にし
て、5,10,15,20−テトラキス(2−ニトロフェニル)ポ
ルフィリナトニッケル薄膜を得た。この膜の表面の粗さ
を原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さ
が2.6オングストロームであった。また、この表面粗
さは4ヶ月後も変化しなかった。
10,15,20−テトラキス(2−ニトロフェニル)ポルフィ
リナトニッケルを用いたほかは、実施例1と同様にし
て、5,10,15,20−テトラキス(2−ニトロフェニル)ポ
ルフィリナトニッケル薄膜を得た。この膜の表面の粗さ
を原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さ
が2.6オングストロームであった。また、この表面粗
さは4ヶ月後も変化しなかった。
【0102】実施例86 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、5,
10,15,20−テトラキス(2−ニトロフェニル)ポルフィ
リナトマグネシウムを用いたほかは、実施例1と同様に
して、5,10,15,20−テトラキス(2−ニトロフェニル)
ポルフィリナトマグネシウム薄膜を得た。この膜の表面
の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平
均粗さが2.4オングストロームであった。また、この
表面粗さは4ヶ月後も変化しなかった。
10,15,20−テトラキス(2−ニトロフェニル)ポルフィ
リナトマグネシウムを用いたほかは、実施例1と同様に
して、5,10,15,20−テトラキス(2−ニトロフェニル)
ポルフィリナトマグネシウム薄膜を得た。この膜の表面
の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平
均粗さが2.4オングストロームであった。また、この
表面粗さは4ヶ月後も変化しなかった。
【0103】実施例87 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、5,
10,15,20−テトラキス(2−ニトロフェニル)ポルフィ
リナト銅を用いたほかは、実施例1と同様にして、5,1
0,15,20−テトラキス(2−ニトロフェニル)ポルフィ
リナト銅薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕
微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが2.5オン
グストロームであった。また、この表面粗さは4ヶ月後
も変化しなかった。
10,15,20−テトラキス(2−ニトロフェニル)ポルフィ
リナト銅を用いたほかは、実施例1と同様にして、5,1
0,15,20−テトラキス(2−ニトロフェニル)ポルフィ
リナト銅薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕
微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが2.5オン
グストロームであった。また、この表面粗さは4ヶ月後
も変化しなかった。
【0104】実施例88 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、5,
10,15,20−テトラキス(2−ニトロフェニル)ポルフィ
リナトカドミウムを用いたほかは、実施例1と同様にし
て、5,10,15,20−テトラキス(2−ニトロフェニル)ポ
ルフィリナトカドミウム薄膜を得た。この膜の表面の粗
さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗
さが2.5オングストロームであった。また、この表面
粗さは4ヶ月後も変化しなかった。
10,15,20−テトラキス(2−ニトロフェニル)ポルフィ
リナトカドミウムを用いたほかは、実施例1と同様にし
て、5,10,15,20−テトラキス(2−ニトロフェニル)ポ
ルフィリナトカドミウム薄膜を得た。この膜の表面の粗
さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗
さが2.5オングストロームであった。また、この表面
粗さは4ヶ月後も変化しなかった。
【0105】実施例89 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、5,
10,15,20−テトラビフェニルポルフィリンを用いたほか
は、実施例1と同様にして、5,10,15,20−テトラビフェ
ニルポルフィリン薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原
子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが
2.6オングストロームであった。また、この表面粗さ
は4ヶ月後も変化しなかった。
10,15,20−テトラビフェニルポルフィリンを用いたほか
は、実施例1と同様にして、5,10,15,20−テトラビフェ
ニルポルフィリン薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原
子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが
2.6オングストロームであった。また、この表面粗さ
は4ヶ月後も変化しなかった。
【0106】実施例90 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、5,
10,15,20−テトラビフェニルポルフィリナト亜鉛を用い
たほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,20−テトラ
ビフェニルポルフィリナト亜鉛薄膜を得た。この膜の表
面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗
平均粗さが2.6オングストロームであった。また、こ
の表面粗さは4ヶ月後も変化しなかった。
10,15,20−テトラビフェニルポルフィリナト亜鉛を用い
たほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,20−テトラ
ビフェニルポルフィリナト亜鉛薄膜を得た。この膜の表
面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗
平均粗さが2.6オングストロームであった。また、こ
の表面粗さは4ヶ月後も変化しなかった。
【0107】実施例91 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、5,
10,15,20−テトラビフェニルポルフィリナトコバルトを
用いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,20−テ
トラビフェニルポルフィリナトコバルト薄膜を得た。こ
の膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、
その自乗平均粗さが2.6オングストロームであった。
また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しなかった。
10,15,20−テトラビフェニルポルフィリナトコバルトを
用いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,20−テ
トラビフェニルポルフィリナトコバルト薄膜を得た。こ
の膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、
その自乗平均粗さが2.6オングストロームであった。
また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しなかった。
【0108】実施例92 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、5,
10,15,20−テトラビフェニルポルフィリナト鉛を用いた
ほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,20−テトラビ
フェニルポルフィリナト鉛薄膜を得た。この膜の表面の
粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均
粗さが2.5オングストロームであった。また、この表
面粗さは4ヶ月後も変化しなかった。
10,15,20−テトラビフェニルポルフィリナト鉛を用いた
ほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,20−テトラビ
フェニルポルフィリナト鉛薄膜を得た。この膜の表面の
粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均
粗さが2.5オングストロームであった。また、この表
面粗さは4ヶ月後も変化しなかった。
【0109】実施例93 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、5,
10,15,20−テトラビフェニルポルフィリナトニッケルを
用いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,20−テ
トラビフェニルポルフィリナトニッケル薄膜を得た。こ
の膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、
その自乗平均粗さが2.6オングストロームであった。
また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しなかった。
10,15,20−テトラビフェニルポルフィリナトニッケルを
用いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,20−テ
トラビフェニルポルフィリナトニッケル薄膜を得た。こ
の膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、
その自乗平均粗さが2.6オングストロームであった。
また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しなかった。
【0110】実施例94 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、5,
10,15,20−テトラビフェニルポルフィリナトマグネシウ
ムを用いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,20
−テトラビフェニルポルフィリナトマグネシウム薄膜を
得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定した
ところ、その自乗平均粗さが2.4オングストロームで
あった。また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しなかっ
た。
10,15,20−テトラビフェニルポルフィリナトマグネシウ
ムを用いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,20
−テトラビフェニルポルフィリナトマグネシウム薄膜を
得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定した
ところ、その自乗平均粗さが2.4オングストロームで
あった。また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しなかっ
た。
【0111】実施例95 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、5,
10,15,20−テトラビフェニルポルフィリナト銅を用いた
ほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,20−テトラビ
フェニルポルフィリナト銅薄膜を得た。この膜の表面の
粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均
粗さが2.5オングストロームであった。また、この表
面粗さは4ヶ月後も変化しなかった。
10,15,20−テトラビフェニルポルフィリナト銅を用いた
ほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,20−テトラビ
フェニルポルフィリナト銅薄膜を得た。この膜の表面の
粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均
粗さが2.5オングストロームであった。また、この表
面粗さは4ヶ月後も変化しなかった。
【0112】実施例96 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、5,
10,15,20−テトラビフェニルポルフィリナトカドミウム
を用いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,20−
テトラビフェニルポルフィリナトカドミウム薄膜を得
た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したと
ころ、その自乗平均粗さが2.6オングストロームであ
った。また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しなかっ
た。
10,15,20−テトラビフェニルポルフィリナトカドミウム
を用いたほかは、実施例1と同様にして、5,10,15,20−
テトラビフェニルポルフィリナトカドミウム薄膜を得
た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したと
ころ、その自乗平均粗さが2.6オングストロームであ
った。また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しなかっ
た。
【0113】実施例97 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、2,
3,7,8,12,13,17,18 −オクタエチルポルフィリンを用い
たほかは、実施例1と同様にして、2,3,7,8,12,13,17,1
8 −オクタエチルポルフィリン薄膜を得た。この膜の表
面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗
平均粗さが2.6オングストロームであった。また、こ
の表面粗さは4ヶ月後も変化しなかった。
3,7,8,12,13,17,18 −オクタエチルポルフィリンを用い
たほかは、実施例1と同様にして、2,3,7,8,12,13,17,1
8 −オクタエチルポルフィリン薄膜を得た。この膜の表
面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗
平均粗さが2.6オングストロームであった。また、こ
の表面粗さは4ヶ月後も変化しなかった。
【0114】実施例98 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、2,
3,7,8,12,13,17,18 −オクタエチルポルフィリナト亜鉛
を用いたほかは、実施例1と同様にして、2,3,7,8,12,1
3,17,18 −オクタエチルポルフィリナト亜鉛薄膜を得
た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したと
ころ、その自乗平均粗さが2.6オングストロームであ
った。また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しなかっ
た。
3,7,8,12,13,17,18 −オクタエチルポルフィリナト亜鉛
を用いたほかは、実施例1と同様にして、2,3,7,8,12,1
3,17,18 −オクタエチルポルフィリナト亜鉛薄膜を得
た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したと
ころ、その自乗平均粗さが2.6オングストロームであ
った。また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しなかっ
た。
【0115】実施例99 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、2,
3,7,8,12,13,17,18 −オクタエチルポルフィリナトコバ
ルトを用いたほかは、実施例1と同様にして、2,3,7,8,
12,13,17,18 −オクタエチルポルフィリナトコバルト薄
膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定
したところ、その自乗平均粗さが2.6オングストロー
ムであった。また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しな
かった。
3,7,8,12,13,17,18 −オクタエチルポルフィリナトコバ
ルトを用いたほかは、実施例1と同様にして、2,3,7,8,
12,13,17,18 −オクタエチルポルフィリナトコバルト薄
膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定
したところ、その自乗平均粗さが2.6オングストロー
ムであった。また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しな
かった。
【0116】実施例100 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、2,
3,7,8,12,13,17,18 −オクタエチルポルフィリナト鉛を
用いたほかは、実施例1と同様にして、2,3,7,8,12,13,
17,18 −オクタエチルポルフィリナト鉛薄膜を得た。こ
の膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、
その自乗平均粗さが2.5オングストロームであった。
また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しなかった。
3,7,8,12,13,17,18 −オクタエチルポルフィリナト鉛を
用いたほかは、実施例1と同様にして、2,3,7,8,12,13,
17,18 −オクタエチルポルフィリナト鉛薄膜を得た。こ
の膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、
その自乗平均粗さが2.5オングストロームであった。
また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しなかった。
【0117】実施例101 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、2,
3,7,8,12,13,17,18 −オクタエチルポルフィリナトニッ
ケルを用いたほかは、実施例1と同様にして、2,3,7,8,
12,13,17,18 −オクタエチルポルフィリナトニッケル薄
膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定
したところ、その自乗平均粗さが2.6オングストロー
ムであった。また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しな
かった。
3,7,8,12,13,17,18 −オクタエチルポルフィリナトニッ
ケルを用いたほかは、実施例1と同様にして、2,3,7,8,
12,13,17,18 −オクタエチルポルフィリナトニッケル薄
膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定
したところ、その自乗平均粗さが2.6オングストロー
ムであった。また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しな
かった。
【0118】実施例102 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、2,
3,7,8,12,13,17,18 −オクタエチルポルフィリナトマグ
ネシウムを用いたほかは、実施例1と同様にして、2,3,
7,8,12,13,17,18 −オクタエチルポルフィリナトマグネ
シウム薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微
鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが2.4オング
ストロームであった。また、この表面粗さは4ヶ月後も
変化しなかった。
3,7,8,12,13,17,18 −オクタエチルポルフィリナトマグ
ネシウムを用いたほかは、実施例1と同様にして、2,3,
7,8,12,13,17,18 −オクタエチルポルフィリナトマグネ
シウム薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微
鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが2.4オング
ストロームであった。また、この表面粗さは4ヶ月後も
変化しなかった。
【0119】実施例103 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、2,
3,7,8,12,13,17,18 −オクタエチルポルフィリナト銅を
用いたほかは、実施例1と同様にして、2,3,7,8,12,13,
17,18 −オクタエチルポルフィリナト銅薄膜を得た。こ
の膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、
その自乗平均粗さが2.5オングストロームであった。
また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しなかった。
3,7,8,12,13,17,18 −オクタエチルポルフィリナト銅を
用いたほかは、実施例1と同様にして、2,3,7,8,12,13,
17,18 −オクタエチルポルフィリナト銅薄膜を得た。こ
の膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、
その自乗平均粗さが2.5オングストロームであった。
また、この表面粗さは4ヶ月後も変化しなかった。
【0120】実施例104 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて、2,
3,7,8,12,13,17,18 −オクタエチルポルフィリナトカド
ミウムを用いたほかは、実施例1と同様にして、2,3,7,
8,12,13,17,18 −オクタエチルポルフィリナトカドミウ
ム薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で
測定したところ、その自乗平均粗さが2.6オングスト
ロームであった。また、この表面粗さは4ヶ月後も変化
しなかった。
3,7,8,12,13,17,18 −オクタエチルポルフィリナトカド
ミウムを用いたほかは、実施例1と同様にして、2,3,7,
8,12,13,17,18 −オクタエチルポルフィリナトカドミウ
ム薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で
測定したところ、その自乗平均粗さが2.6オングスト
ロームであった。また、この表面粗さは4ヶ月後も変化
しなかった。
【0121】実施例105 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリン粉末0.1g
と、5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリナト亜鉛
0.1gとを計り取り、それぞれを第1石英るつぼと第
2石英るつぼの中に入れた。そして、第1石英るつぼを
分子線蒸着装置の第1分子線源室に、第2石英るつぼを
第2分子線源室に入れて、別々に、150℃に加熱しな
がら液体窒素トラップのついた油拡散式真空ポンプによ
り10時間真空引きした。
と、5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリナト亜鉛
0.1gとを計り取り、それぞれを第1石英るつぼと第
2石英るつぼの中に入れた。そして、第1石英るつぼを
分子線蒸着装置の第1分子線源室に、第2石英るつぼを
第2分子線源室に入れて、別々に、150℃に加熱しな
がら液体窒素トラップのついた油拡散式真空ポンプによ
り10時間真空引きした。
【0122】一方、厚み0.5mm、直径4インチのシ
リコンウェハー(100)に対し、酸素気流中で200
℃に加熱しながら紫外線を当てた。次に、そのシリコン
ウェハーを、純水で調整した1%のフッ化水素水溶液に
10分間浸漬することにより、洗浄及びエッチングを行
った。そして、これを成長室内の基板ホルダにセットし
た。
リコンウェハー(100)に対し、酸素気流中で200
℃に加熱しながら紫外線を当てた。次に、そのシリコン
ウェハーを、純水で調整した1%のフッ化水素水溶液に
10分間浸漬することにより、洗浄及びエッチングを行
った。そして、これを成長室内の基板ホルダにセットし
た。
【0123】次に、第1及び第2分子線源室内を液体窒
素トラップのついた油拡散式真空ポンプにより真空引き
しながら、両試料とも240℃に加熱した。そして、第
1分子線源室と、内部をクライオポンプ、イオンポン
プ、チタンゲッタポンプ及び液体窒素シュラウドにより
1×10-10 Torrに減圧された成長室とを分離して
いた第1ゲートバルブを開け、5,10,15,20−テトラフェ
ニルポルフィリンの基板への蒸着を開始した。このと
き、堆積膜厚を水晶振動子式膜厚計でモニタした。そし
て、堆積膜厚が22オングストロームに達したところで
第1ゲートバルブを閉じ、蒸着を停止した。次に、同様
の手順で、5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリナト
亜鉛を22オングストローム蒸着した。この作業をそれ
ぞれ交互に20回ずつ繰り返して、多層膜を作成した。
この膜の積層周期をX線回折分析装置で調べたところ、
44オングストロームとなっていることが確認された。
素トラップのついた油拡散式真空ポンプにより真空引き
しながら、両試料とも240℃に加熱した。そして、第
1分子線源室と、内部をクライオポンプ、イオンポン
プ、チタンゲッタポンプ及び液体窒素シュラウドにより
1×10-10 Torrに減圧された成長室とを分離して
いた第1ゲートバルブを開け、5,10,15,20−テトラフェ
ニルポルフィリンの基板への蒸着を開始した。このと
き、堆積膜厚を水晶振動子式膜厚計でモニタした。そし
て、堆積膜厚が22オングストロームに達したところで
第1ゲートバルブを閉じ、蒸着を停止した。次に、同様
の手順で、5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリナト
亜鉛を22オングストローム蒸着した。この作業をそれ
ぞれ交互に20回ずつ繰り返して、多層膜を作成した。
この膜の積層周期をX線回折分析装置で調べたところ、
44オングストロームとなっていることが確認された。
【0124】この膜の小角のX線回折パターンを図1に
示す。なお、回折条件は、Cu−Kアルファ線、400
KV、200mAであった。また、測定角度θのピッチ
は0.02°であった。また、この膜の自乗平均粗さは
2.4オングストロームであり、この値は4ヶ月後も変
化しなかった。この実施例では、X線回折分析装置によ
る装定操作において、多層膜をX線処理したことにな
る。
示す。なお、回折条件は、Cu−Kアルファ線、400
KV、200mAであった。また、測定角度θのピッチ
は0.02°であった。また、この膜の自乗平均粗さは
2.4オングストロームであり、この値は4ヶ月後も変
化しなかった。この実施例では、X線回折分析装置によ
る装定操作において、多層膜をX線処理したことにな
る。
【0125】実施例106 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えてテト
ラベンゾポルフィリナトコバルトを用い、5,10,15,20−
テトラフェニルポルフィリナト亜鉛に代えてテトラベン
ゾ鉛を用い、それぞれのポルフィリン誘導体の1回ごと
の堆積膜厚をともに20オングストロームとし、アセト
ンで超音波洗浄されたITOガラスを基板に用いたほか
は、実施例105と同様にして、多層膜を得た。この膜
の積層周期をX線回折分析装置で調べたところ、40オ
ングストロームとなっていることが確認された。また、
この膜の自乗平均粗さは2.5オングストロームであ
り、この値は4ヶ月後も変化しなかった。
ラベンゾポルフィリナトコバルトを用い、5,10,15,20−
テトラフェニルポルフィリナト亜鉛に代えてテトラベン
ゾ鉛を用い、それぞれのポルフィリン誘導体の1回ごと
の堆積膜厚をともに20オングストロームとし、アセト
ンで超音波洗浄されたITOガラスを基板に用いたほか
は、実施例105と同様にして、多層膜を得た。この膜
の積層周期をX線回折分析装置で調べたところ、40オ
ングストロームとなっていることが確認された。また、
この膜の自乗平均粗さは2.5オングストロームであ
り、この値は4ヶ月後も変化しなかった。
【0126】実施例107 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて5,1
0,15,20−テトラ(2−ピリジル)ポルフィリナトニッ
ケルを用い、5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリナ
ト亜鉛に代えて5,10,15,20−テトラ(2−ピリジル)ポ
ルフィリナトマグネシウムを用い、それぞれのポルフィ
リン誘導体の1回ごとの堆積膜厚をともに24オングス
トロームとしたほかは、実施例105と同様にして、多
層膜を得た。この膜の積層周期をX線回折分析装置で調
べたところ、48オングストロームとなっていることが
確認された。また、この膜の自乗平均粗さは2.6オン
グストロームであり、この値は4ヶ月後も変化しなかっ
た。
0,15,20−テトラ(2−ピリジル)ポルフィリナトニッ
ケルを用い、5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリナ
ト亜鉛に代えて5,10,15,20−テトラ(2−ピリジル)ポ
ルフィリナトマグネシウムを用い、それぞれのポルフィ
リン誘導体の1回ごとの堆積膜厚をともに24オングス
トロームとしたほかは、実施例105と同様にして、多
層膜を得た。この膜の積層周期をX線回折分析装置で調
べたところ、48オングストロームとなっていることが
確認された。また、この膜の自乗平均粗さは2.6オン
グストロームであり、この値は4ヶ月後も変化しなかっ
た。
【0127】実施例108 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて5,1
0,15,20−テトラ(3−ピリジル)ポルフィリン銅を用
い、5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリナト亜鉛に
代えて、5,10,15,20−テトラ(3−ピリジル)ポルフィ
リナトカドミウムを用い、それぞれのポルフィリン誘導
体の1回ごとの堆積膜厚を30オングストローム及び2
0オングストロームとしたほかは、実施例105と同様
にして、多層膜を得た。この膜の積層周期をX線回折分
析装置で調べたところ、50オングストロームとなって
いることが確認された。また、この膜の自乗平均粗さは
2.4オングストロームであり、この値は4ヶ月後も変
化しなかった。
0,15,20−テトラ(3−ピリジル)ポルフィリン銅を用
い、5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリナト亜鉛に
代えて、5,10,15,20−テトラ(3−ピリジル)ポルフィ
リナトカドミウムを用い、それぞれのポルフィリン誘導
体の1回ごとの堆積膜厚を30オングストローム及び2
0オングストロームとしたほかは、実施例105と同様
にして、多層膜を得た。この膜の積層周期をX線回折分
析装置で調べたところ、50オングストロームとなって
いることが確認された。また、この膜の自乗平均粗さは
2.4オングストロームであり、この値は4ヶ月後も変
化しなかった。
【0128】実施例109 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて5,1
0,15,20−テトラ(4−ピリジル)ポルフィリンを用
い、5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリナト亜鉛に
代えて5,10,15,20−テトラ(4−ピリジル)ポルフィリ
ナトコバルトを用い、それぞれのポルフィリン誘導体の
1回ごとの堆積膜厚をともに22オングストロームとし
たほかは、実施例105と同様にして、多層膜を得た。
この膜の積層周期をX線回折分析装置で調べたところ、
44オングストロームとなっていることが確認された。
また、この膜の自乗平均粗さは2.5オングストローム
であり、この値は4ヶ月後も変化しなかった。
0,15,20−テトラ(4−ピリジル)ポルフィリンを用
い、5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリナト亜鉛に
代えて5,10,15,20−テトラ(4−ピリジル)ポルフィリ
ナトコバルトを用い、それぞれのポルフィリン誘導体の
1回ごとの堆積膜厚をともに22オングストロームとし
たほかは、実施例105と同様にして、多層膜を得た。
この膜の積層周期をX線回折分析装置で調べたところ、
44オングストロームとなっていることが確認された。
また、この膜の自乗平均粗さは2.5オングストローム
であり、この値は4ヶ月後も変化しなかった。
【0129】実施例110 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて5,1
0,15,20−テトラ(4−キノリル)ポルフィリンを用
い、5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリナト亜鉛に
代えて5,10,15,20−テトラ(4−キノリル)ポルフィリ
ナト鉛を用い、それぞれのポルフィリン誘導体の1回ご
との堆積膜厚をともに23オングストロームとしたほか
は、実施例105と同様にして、多層膜を得た。この膜
の積層周期をX線回折分析装置で調べたところ、46オ
ングストロームとなっていることが確認された。また、
この膜の自乗平均粗さは2.5オングストロームであ
り、この値は4ヶ月後も変化しなかった。
0,15,20−テトラ(4−キノリル)ポルフィリンを用
い、5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリナト亜鉛に
代えて5,10,15,20−テトラ(4−キノリル)ポルフィリ
ナト鉛を用い、それぞれのポルフィリン誘導体の1回ご
との堆積膜厚をともに23オングストロームとしたほか
は、実施例105と同様にして、多層膜を得た。この膜
の積層周期をX線回折分析装置で調べたところ、46オ
ングストロームとなっていることが確認された。また、
この膜の自乗平均粗さは2.5オングストロームであ
り、この値は4ヶ月後も変化しなかった。
【0130】実施例111 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて5,1
0,15,20−テトラ(6−キノリル)ポルフィリンを用
い、5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリナト亜鉛に
代えて5,10,15,20−テトラ(6−キノリル)ポルフィリ
ナトマグネシウムを用い、それぞれのポルフィリン誘導
体の1回ごとの堆積膜厚を28オングストローム及び2
4オングストロームとしたほかは、実施例105と同様
にして、多層膜を得た。この膜の積層周期をX線回折分
析装置で調べたところ、52オングストロームとなって
いることが確認された。また、この膜の自乗平均粗さは
2.7オングストロームであり、この値は4ヶ月後も変
化しなかった。
0,15,20−テトラ(6−キノリル)ポルフィリンを用
い、5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリナト亜鉛に
代えて5,10,15,20−テトラ(6−キノリル)ポルフィリ
ナトマグネシウムを用い、それぞれのポルフィリン誘導
体の1回ごとの堆積膜厚を28オングストローム及び2
4オングストロームとしたほかは、実施例105と同様
にして、多層膜を得た。この膜の積層周期をX線回折分
析装置で調べたところ、52オングストロームとなって
いることが確認された。また、この膜の自乗平均粗さは
2.7オングストロームであり、この値は4ヶ月後も変
化しなかった。
【0131】実施例112 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて5,1
0,15,20−テトラキノキサリルポルフィリンを用い、5,1
0,15,20−テトラフェニルポルフィリナト亜鉛に代えて
5,10,15,20−テトラキノキサリルポルフィリナト銅を用
い、それぞれのポルフィリン誘導体の1回ごとの堆積膜
厚を24オングストローム及び22オングストロームと
したほかは、実施例105と同様にして、多層膜を得
た。この膜の積層周期をX線回折分析装置で調べたとこ
ろ、46オングストロームとなっていることが確認され
た。また、この膜の自乗平均粗さは2.5オングストロ
ームであり、この値は4ヶ月後も変化しなかった。
0,15,20−テトラキノキサリルポルフィリンを用い、5,1
0,15,20−テトラフェニルポルフィリナト亜鉛に代えて
5,10,15,20−テトラキノキサリルポルフィリナト銅を用
い、それぞれのポルフィリン誘導体の1回ごとの堆積膜
厚を24オングストローム及び22オングストロームと
したほかは、実施例105と同様にして、多層膜を得
た。この膜の積層周期をX線回折分析装置で調べたとこ
ろ、46オングストロームとなっていることが確認され
た。また、この膜の自乗平均粗さは2.5オングストロ
ームであり、この値は4ヶ月後も変化しなかった。
【0132】実施例113 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて5,1
0,15,20−テトラ(2−フルオレニル)ポルフィリンを
用い、5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリナト亜鉛
に代えて5,10,15,20−テトラ(2−フルオレニル)ポル
フィリナトカドミウムを用い、それぞれのポルフィリン
誘導体の1回ごとの堆積膜厚を24オングストローム及
び26オングストロームとしたほかは、実施例105と
同様にして、多層膜を得た。この膜の積層周期をX線回
折分析装置で調べたところ、50オングストロームとな
っていることが確認された。また、この膜の自乗平均粗
さは2.5オングストロームであり、この値は4ヶ月後
も変化しなかった。
0,15,20−テトラ(2−フルオレニル)ポルフィリンを
用い、5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリナト亜鉛
に代えて5,10,15,20−テトラ(2−フルオレニル)ポル
フィリナトカドミウムを用い、それぞれのポルフィリン
誘導体の1回ごとの堆積膜厚を24オングストローム及
び26オングストロームとしたほかは、実施例105と
同様にして、多層膜を得た。この膜の積層周期をX線回
折分析装置で調べたところ、50オングストロームとな
っていることが確認された。また、この膜の自乗平均粗
さは2.5オングストロームであり、この値は4ヶ月後
も変化しなかった。
【0133】実施例114 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて5,1
0,15,20−テトラキス(2,4−ジメトキシフェノー
ル)ポルフィリナト鉛を用い、5,10,15,20−テトラフェ
ニルポルフィリナト亜鉛に代えて5,10,15,20−テトラキ
ス(2,4−ジメトキシフェノール)ポルフィリナトコ
バルトを用い、それぞれのポルフィリン誘導体の1回ご
との堆積膜厚を20オングストローム及び26オングス
トロームとしたほかは、実施例105と同様にして、多
層膜を得た。この膜の積層周期をX線回折分析装置で調
べたところ、46オングストロームとなっていることが
確認された。また、この膜の自乗平均粗さは2.7オン
グストロームであり、この値は4ヶ月後も変化しなかっ
た。
0,15,20−テトラキス(2,4−ジメトキシフェノー
ル)ポルフィリナト鉛を用い、5,10,15,20−テトラフェ
ニルポルフィリナト亜鉛に代えて5,10,15,20−テトラキ
ス(2,4−ジメトキシフェノール)ポルフィリナトコ
バルトを用い、それぞれのポルフィリン誘導体の1回ご
との堆積膜厚を20オングストローム及び26オングス
トロームとしたほかは、実施例105と同様にして、多
層膜を得た。この膜の積層周期をX線回折分析装置で調
べたところ、46オングストロームとなっていることが
確認された。また、この膜の自乗平均粗さは2.7オン
グストロームであり、この値は4ヶ月後も変化しなかっ
た。
【0134】実施例115 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて5,1
0,15,20−テトラビフェニルポルフィリナト亜鉛を用
い、5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリナト亜鉛に
代えて5,10,15,20−テトラビフェニルポルフィリナト鉛
を用い、それぞれのポルフィリン誘導体の1回ごとの堆
積膜厚を22オングストローム及び26オングストロー
ムとしたほかは、実施例105と同様にして、多層膜を
得た。この膜の積層周期をX線回折分析装置で調べたと
ころ、48オングストロームとなっていることが確認さ
れた。また、この膜の自乗平均粗さは2.6オングスト
ロームであり、この値は4ヶ月後も変化しなかった。
0,15,20−テトラビフェニルポルフィリナト亜鉛を用
い、5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリナト亜鉛に
代えて5,10,15,20−テトラビフェニルポルフィリナト鉛
を用い、それぞれのポルフィリン誘導体の1回ごとの堆
積膜厚を22オングストローム及び26オングストロー
ムとしたほかは、実施例105と同様にして、多層膜を
得た。この膜の積層周期をX線回折分析装置で調べたと
ころ、48オングストロームとなっていることが確認さ
れた。また、この膜の自乗平均粗さは2.6オングスト
ロームであり、この値は4ヶ月後も変化しなかった。
【0135】実施例116 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリンに代えて2,3,
7,8,12,13,17,18 −オクタエチルポルフィリナト亜鉛を
用い、5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリナト亜鉛
に代えて2,3,7,8,12,13,17,18 −オクタエチルポルフィ
リナトニッケルを用い、それぞれのポルフィリン誘導体
の1回ごとの堆積膜厚を22オングストローム及び23
オングストロームとしたほかは、実施例105と同様に
して、多層膜を得た。この膜の積層周期をX線回折分析
装置で調べたところ、45オングストロームとなってい
ることが確認された。また、この膜の自乗平均粗さは
2.6オングストロームであり、この値は4ヶ月後も変
化しなかった。
7,8,12,13,17,18 −オクタエチルポルフィリナト亜鉛を
用い、5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリナト亜鉛
に代えて2,3,7,8,12,13,17,18 −オクタエチルポルフィ
リナトニッケルを用い、それぞれのポルフィリン誘導体
の1回ごとの堆積膜厚を22オングストローム及び23
オングストロームとしたほかは、実施例105と同様に
して、多層膜を得た。この膜の積層周期をX線回折分析
装置で調べたところ、45オングストロームとなってい
ることが確認された。また、この膜の自乗平均粗さは
2.6オングストロームであり、この値は4ヶ月後も変
化しなかった。
【0136】実施例117 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリン粉末0.1g
と、5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリナト亜鉛
0.1gと、テトラベンゾポルフィリナトコバルト0.
1gとを計り取り、それぞれを第1石英るつぼと第2石
英るつぼと第3石英るつぼとの中に入れた。そして、第
1石英るつぼを分子線蒸着装置の第1分子線源室に、第
2石英るつぼを第2分子線源室に、第3石英るつぼを第
3分子線源室に入れて、別々に、150℃に加熱しなが
ら液体窒素トラップのついた油拡散式真空ポンプにより
10時間真空引きした。
と、5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリナト亜鉛
0.1gと、テトラベンゾポルフィリナトコバルト0.
1gとを計り取り、それぞれを第1石英るつぼと第2石
英るつぼと第3石英るつぼとの中に入れた。そして、第
1石英るつぼを分子線蒸着装置の第1分子線源室に、第
2石英るつぼを第2分子線源室に、第3石英るつぼを第
3分子線源室に入れて、別々に、150℃に加熱しなが
ら液体窒素トラップのついた油拡散式真空ポンプにより
10時間真空引きした。
【0137】一方、厚み0.5mm、直径4インチのシ
リコンウェハー(100)に対し、酸素気流中で200
℃に加熱しながら紫外線を当てた。次に、そのシリコン
ウェハーを純水で調整した1%のフッ化水溶液に10分
間浸漬することにより、洗浄及びエッチングを行った。
そして、これを成長室内の基板ホルダにセットした。次
に、第1〜第3分子線源室内を液体窒素トラップのつい
た油拡散式真空ポンプにより真空引きしながら、どの試
料とも240℃に加熱した。そして、第1分子線源室
と、クライオポンプ、イオンポンプ、チタンゲッタポン
プ及び液体窒素シュラウドにより1×10-10 Torr
に減圧された成長室との雰囲気を分離していた第1ゲー
トバルブを開け、5,10,15,20−テトラフェニルポルフィ
リンの基板への蒸着を開始した。このとき、堆積膜厚を
水晶振動子式膜厚計でモニタした。そして、堆積膜厚が
20オングストロームに達したところで第1ゲートバル
ブを閉じ、蒸着を停止した。次に、同様の手順で、5,1
0,15,20−テトラフェニルポルフィリナト亜鉛を20オ
ングストローム蒸着した。さらに同様にして、テトラベ
ンゾポルフィリナトコバルトをこの上から20オングス
トローム蒸着した。この作業をそれぞれ交互に20回ず
つ繰り返して、多層膜を作成した。この膜の積層周期を
X線回折分析装置を用いて実施例105と同じ条件で調
べたところ、60オングストロームとなっていることが
確認された。また、この膜の自乗平均粗さは2.8オン
グストロームであり、この値は4ヶ月後も変化しなかっ
た。
リコンウェハー(100)に対し、酸素気流中で200
℃に加熱しながら紫外線を当てた。次に、そのシリコン
ウェハーを純水で調整した1%のフッ化水溶液に10分
間浸漬することにより、洗浄及びエッチングを行った。
そして、これを成長室内の基板ホルダにセットした。次
に、第1〜第3分子線源室内を液体窒素トラップのつい
た油拡散式真空ポンプにより真空引きしながら、どの試
料とも240℃に加熱した。そして、第1分子線源室
と、クライオポンプ、イオンポンプ、チタンゲッタポン
プ及び液体窒素シュラウドにより1×10-10 Torr
に減圧された成長室との雰囲気を分離していた第1ゲー
トバルブを開け、5,10,15,20−テトラフェニルポルフィ
リンの基板への蒸着を開始した。このとき、堆積膜厚を
水晶振動子式膜厚計でモニタした。そして、堆積膜厚が
20オングストロームに達したところで第1ゲートバル
ブを閉じ、蒸着を停止した。次に、同様の手順で、5,1
0,15,20−テトラフェニルポルフィリナト亜鉛を20オ
ングストローム蒸着した。さらに同様にして、テトラベ
ンゾポルフィリナトコバルトをこの上から20オングス
トローム蒸着した。この作業をそれぞれ交互に20回ず
つ繰り返して、多層膜を作成した。この膜の積層周期を
X線回折分析装置を用いて実施例105と同じ条件で調
べたところ、60オングストロームとなっていることが
確認された。また、この膜の自乗平均粗さは2.8オン
グストロームであり、この値は4ヶ月後も変化しなかっ
た。
【0138】
【発明の効果】この発明によれば、表面精度にすぐれた
ポルフィリン薄膜が得られる。この膜は、たとえば電極
間に付着して用いるとショートを有効に防止できるの
で、太陽電池、光導電素子などに利用できる。
ポルフィリン薄膜が得られる。この膜は、たとえば電極
間に付着して用いるとショートを有効に防止できるの
で、太陽電池、光導電素子などに利用できる。
【図1】この発明の一実施例により製造された多層膜の
X線回折パターンを示す図。
X線回折パターンを示す図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石谷 炯 滋賀県大津市園山3丁目3番7号 株式会 社東レリサーチセンター内
Claims (2)
- 【請求項1】ポルフィリン誘導体分子を加熱蒸発させか
つ1×10-7Torr未満の超高真空下で分子線として
飛行させて基板上に堆積させる工程と、 前記基板上に堆積した前記ポルフィリン誘導体分子にX
線を照射する工程と、を含むポルフィリン薄膜の製造方
法。 - 【請求項2】前記ポルフィリン誘導体は、5,10,15,20−
テトラフェニルポルフィリン、5,10,15,20−金属テトラ
フェニルポルフィリン、テトラベンゾポルフィリン、金
属テトラベンゾポルフィリン、5,10,15,20−テトラ(2
−ピリジル)ポルフィリン、5,10,15,20−金属テトラ
(2−ピリジル)ポルフィリン、5,10,15,20−テトラ
(3−ピリジル)ポルフィリン、5,10,15,20−金属テト
ラ(3−ピリジル)ポルフィリン、5,10,15,20−テトラ
(4−ピリジル)ポルフィリン、5,10,15,20−テトラ
(4−ピリジル)ポルフィリン、5,10,15,20−金属テト
ラ(4−ピリジル)ポルフィリン、5,10,15,20−テトラ
(4−キノリル)ポルフィリン、5,10,15,20−金属テト
ラ(4−キノリル)ポルフィリン、5,10,15,20−テトラ
(6−キノリル)ポルフィリン、5,10,15,20−金属テト
ラ(6−キノリル)ポルフィリン、5,10,15,20−テトラ
キノキサリルポルフィリン、5,10,15,20−金属テトラキ
ノキサリルポルフィリン、5,10,15,20−テトラキス(2
−フルオレニル)ポルフィリン、5,10,15,20−金属テト
ラキス(2−フルオレニル)ポルフィリン、5,10,15,20
−テトラキス(2,4−ジメトキシフェノール)ポルフ
ィリン、5,10,15,20−金属テトラキス(2,4−ジメト
キシフェノール)ポルフィリン、5,10,15,20−テトラキ
ス(2−ニトロフェニル)ポルフィリン、5,10,15,20−
金属テトラキス(2−ニトロフェニル)ポルフィリン、
5,10,15,20−テトラビフェニルポルフィリン、5,10,15,
20−金属テトラビフェニルポルフィリン、2,3,7,8,12,1
3,17,18 −オクタエチルポルフィリン、2,3,7,8,12,13,
17,18 −金属オクタエチルポルフィリンからなる群から
選ばれた少なくとも1種のポルフィリン誘導体である、
請求項1に記載のポルフィリン薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4308513A JPH06154590A (ja) | 1992-11-18 | 1992-11-18 | ポルフィリン薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4308513A JPH06154590A (ja) | 1992-11-18 | 1992-11-18 | ポルフィリン薄膜の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06154590A true JPH06154590A (ja) | 1994-06-03 |
Family
ID=17981934
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4308513A Pending JPH06154590A (ja) | 1992-11-18 | 1992-11-18 | ポルフィリン薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06154590A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1255167A3 (en) * | 2001-04-12 | 2003-12-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Porphyrin compound, and electrophotographic photosensitive member, process-cartridge and apparatus using the compound |
JP2010529695A (ja) * | 2007-06-13 | 2010-08-26 | ユニバーシティ オブ サザン カリフォルニア | 非平面状ポルフィリンを用いた有機感光性光電子デバイス |
-
1992
- 1992-11-18 JP JP4308513A patent/JPH06154590A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1255167A3 (en) * | 2001-04-12 | 2003-12-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Porphyrin compound, and electrophotographic photosensitive member, process-cartridge and apparatus using the compound |
JP2010529695A (ja) * | 2007-06-13 | 2010-08-26 | ユニバーシティ オブ サザン カリフォルニア | 非平面状ポルフィリンを用いた有機感光性光電子デバイス |
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