JPH05275771A - ポルフィリン薄膜、その製造方法及びそれを用いた多層膜 - Google Patents
ポルフィリン薄膜、その製造方法及びそれを用いた多層膜Info
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- JPH05275771A JPH05275771A JP4068398A JP6839892A JPH05275771A JP H05275771 A JPH05275771 A JP H05275771A JP 4068398 A JP4068398 A JP 4068398A JP 6839892 A JP6839892 A JP 6839892A JP H05275771 A JPH05275771 A JP H05275771A
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- porphyrin
- thin film
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
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- Light Receiving Elements (AREA)
- Nitrogen Condensed Heterocyclic Rings (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 表面精度にすぐれたポルフィリン薄膜及びそ
の多層膜を得る。 【構成】 ポルフィリン薄膜は、ポルフィリン誘導体か
らなり、表面における自乗平均粗さが１００オングスト
ローム以下である。このポルフィリン薄膜は、ポルフィ
リン誘導体分子を加熱蒸発させ、１×１０-7Ｔｏｒｒ未
満の超高真空下で分子線として飛行させることにより得
られる。また、多層膜は、ポルフィリン薄膜を２層以上
積層することにより構成されており、該ポルフィリン薄
膜は接する薄膜同志が異なるポルフィリンからなる。
の多層膜を得る。 【構成】 ポルフィリン薄膜は、ポルフィリン誘導体か
らなり、表面における自乗平均粗さが１００オングスト
ローム以下である。このポルフィリン薄膜は、ポルフィ
リン誘導体分子を加熱蒸発させ、１×１０-7Ｔｏｒｒ未
満の超高真空下で分子線として飛行させることにより得
られる。また、多層膜は、ポルフィリン薄膜を２層以上
積層することにより構成されており、該ポルフィリン薄
膜は接する薄膜同志が異なるポルフィリンからなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、基板上に形成され
て、太陽電池、光導電素子、溶液中の微量金属元素セン
サー素子などとして使用され得るポルフィリン薄膜、そ
の製造方法及びそれを用いた多層膜に関する。
て、太陽電池、光導電素子、溶液中の微量金属元素セン
サー素子などとして使用され得るポルフィリン薄膜、そ
の製造方法及びそれを用いた多層膜に関する。
【０００２】
【従来の技術及びその課題】有機薄膜を形成する方法と
しては、例えば、M.Ashidaらによる、"Acta Crystallog
raphica Vol.B47 (1991) 87"に記載された方法が知られ
ている。この方法は、１×１０-6Ｔｏｒｒの真空下での
真空蒸着法により、ＫＣ１基板上にテトラフェニルポル
フィリン薄膜を作製するものである。
しては、例えば、M.Ashidaらによる、"Acta Crystallog
raphica Vol.B47 (1991) 87"に記載された方法が知られ
ている。この方法は、１×１０-6Ｔｏｒｒの真空下での
真空蒸着法により、ＫＣ１基板上にテトラフェニルポル
フィリン薄膜を作製するものである。
【０００３】ところが、この方法で作製した薄膜は、粒
径が数百ｎｍでかつ粒間に空隙のある粗なものでるた
め、この薄膜を太陽電池などに利用しようとして、膜を
挟むように膜の上下に電極を付けようとする場合、電極
間のショートが起きやすいという問題点がある。この発
明の目的は、表面精度にすぐれたポルフィリン薄膜及び
その多層膜を得ることにある。
径が数百ｎｍでかつ粒間に空隙のある粗なものでるた
め、この薄膜を太陽電池などに利用しようとして、膜を
挟むように膜の上下に電極を付けようとする場合、電極
間のショートが起きやすいという問題点がある。この発
明の目的は、表面精度にすぐれたポルフィリン薄膜及び
その多層膜を得ることにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】第１の発明にかかるポル
フィリン薄膜は、ポルフィリン誘導体からなり、表面に
おける自乗平均粗さが１００オングストローム以下であ
る。第２の発明にかかるポルフィリン薄膜の製造方法で
は、ポルフィリン誘導体分子を加熱蒸発させ、１×１０
-7Ｔｏｒｒ未満の超高真空下で分子線として飛行させ
る。
フィリン薄膜は、ポルフィリン誘導体からなり、表面に
おける自乗平均粗さが１００オングストローム以下であ
る。第２の発明にかかるポルフィリン薄膜の製造方法で
は、ポルフィリン誘導体分子を加熱蒸発させ、１×１０
-7Ｔｏｒｒ未満の超高真空下で分子線として飛行させ
る。
【０００５】第３の発明にかかる多層膜は、ポルフィリ
ン薄膜を２層以上積層してなる多層膜である。該ポルフ
ィリン薄膜は、接する薄膜同志が異なるポルフィリンか
らなる。 ＊＊＊＊＊＊＊ この発明にかかるポルフィリン薄膜は、表面における自
乗平均粗さが１００オングストローム以下である。この
自乗平均粗さは、５０オングストローム以下が好まし
く、さらに１〜２０オングストロームがより好ましい。
ン薄膜を２層以上積層してなる多層膜である。該ポルフ
ィリン薄膜は、接する薄膜同志が異なるポルフィリンか
らなる。 ＊＊＊＊＊＊＊ この発明にかかるポルフィリン薄膜は、表面における自
乗平均粗さが１００オングストローム以下である。この
自乗平均粗さは、５０オングストローム以下が好まし
く、さらに１〜２０オングストロームがより好ましい。
【０００６】この発明にかかる多層膜は、ポルフィリン
薄膜を２層以上積層してなる多層膜であるが、その積層
数は、２〜１００層が好ましく、２〜２０層がより好ま
しい。また、この多層膜の表面の自乗平均粗さは、１０
０オングストローム以下が好ましく、５０オングストロ
ーム以下がより好ましく、さらに１〜２０オングストロ
ームがより好ましい。この多層膜を構成する薄膜の各厚
みは、８０オングストローム以下が好ましく、２〜５０
オングストロームがより好ましい。
薄膜を２層以上積層してなる多層膜であるが、その積層
数は、２〜１００層が好ましく、２〜２０層がより好ま
しい。また、この多層膜の表面の自乗平均粗さは、１０
０オングストローム以下が好ましく、５０オングストロ
ーム以下がより好ましく、さらに１〜２０オングストロ
ームがより好ましい。この多層膜を構成する薄膜の各厚
みは、８０オングストローム以下が好ましく、２〜５０
オングストロームがより好ましい。
【０００７】この発明において用いられるポルフィリン
誘導体は、特に限定されるものではないが、たとえば、
下記Ａ群から選ばれた１種類の粉末状もしくは塊状のポ
ルフィリン誘導体が用いられる。このポルフィリン誘導
体は、たとえば、分子線蒸着装置を用いて基板上に蒸着
される。 Ａ群：5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリン 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリナト亜鉛 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリナトコバルト 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリナト鉛 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリナトニッケル 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリナトマグネシウ
ム 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリナト銅 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリナトカドミウム テトラベンゾポルフィリン テトラベンゾポルフィリナト亜鉛 テトラベンゾポルフィリナトコバルト テトラベンゾポルフィリナト鉛 テトラベンゾポルフィリナトニッケル テトラベンゾポルフィリナトマグネシウム テトラベンゾポルフィリナト銅 テトラベンゾポルフィリナトカドミウム 5,10,15,20−テトラ（2-ピリジル）ポルフィリン 5,10,15,20−テトラ（2-ピリジル）ポルフィリナト亜鉛 5,10,15,20−テトラ（2-ピリジル）ポルフィリナトコバ
ルト 5,10,15,20−テトラ（2-ピリジル）ポルフィリナト鉛 5,10,15,20−テトラ（2-ピリジル）ポルフィリンニッケ
ル 5,10,15,20−テトラ（2-ピリジル）ポルフィリンマグネ
シウム 5,10,15,20−テトラ（2-ピリジル）ポルフィリン銅 5,10,15,20−テトラ（2-ピリジル）ポルフィリンカドミ
ウム 5,10,15,20−テトラ（3-ピリジル）ポルフィリン 5,10,15,20−テトラ（3-ピリジル）ポルフィリナト亜鉛 5,10,15,20−テトラ（3-ピリジル）ポルフィリナトコバ
ルト 5,10,15,20−テトラ（3-ピリジル）ポルフィリナト鉛 5,10,15,20−テトラ（3-ピリジル）ポルフィリンニッケ
ル 5,10,15,20−テトラ（3-ピリジル）ポルフィリンマグネ
シウム 5,10,15,20−テトラ（3-ピリジル）ポルフィリン銅 5,10,15,20−テトラ（3-ピリジル）ポルフィリンカドミ
ウム 5,10,15,20−テトラ（4-ピリジル）ポルフィリン 5,10,15,20−テトラ（4-ピリジル）ポルフィリナト亜鉛 5,10,15,20−テトラ（4-ピリジル）ポルフィリナトコバ
ルト 5,10,15,20−テトラ（4-ピリジル）ポルフィリナト鉛 5,10,15,20−テトラ（4-ピリジル）ポルフィリンニッケ
ル 5,10,15,20−テトラ（4-ピリジル）ポルフィリンマグネ
シウム 5,10,15,20−テトラ（4-ピリジル）ポルフィリン銅 5,10,15,20−テトラ（4-ピリジル）ポルフィリンカドミ
ウム 5,10,15,20−テトラ（4-キノリル）ポルフィリン 5,10,15,20−テトラ（4-キノリル）ポルフィリナト亜鉛 5,10,15,20−テトラ（4-キノリル）ポルフィリナトコバ
ルト 5,10,15,20−テトラ（4-キノリル）ポルフィリナト鉛 5,10,15,20−テトラ（4-キノリル）ポルフィリナトニッ
ケル 5,10,15,20−テトラ（4-キノリル）ポルフィリナトマグ
ネシウム 5,10,15,20−テトラ（4-キノリル）ポルフィリナト銅 5,10,15,20−テトラ（4-キノリル）ポルフィリナトカド
ミウム 5,10,15,20−テトラ（6-キノリル）ポルフィリン 5,10,15,20−テトラ（6-キノリル）ポルフィリナト亜鉛 5,10,15,20−テトラ（6-キノリル）ポルフィリナトコバ
ルト 5,10,15,20−テトラ（6-キノリル）ポルフィリナト鉛 5,10,15,20−テトラ（6-キノリル）ポルフィリナトニッ
ケル 5,10,15,20−テトラ（6-キノリル）ポルフィリナトマグ
ネシウム 5,10,15,20−テトラ（6-キノリル）ポルフィリナト銅 5,10,15,20−テトラ（6-キノリル）ポルフィリナトカド
ミウム 5,10,15,20−テトラキノキサリルポルフィリン 5,10,15,20−テトラキノキサリルポルフィリナト亜鉛 5,10,15,20−テトラキノキサリルポルフィリナトコバル
ト 5,10,15,20−テトラキノキサリルポルフィリナト鉛 5,10,15,20−テトラキノキサリルポルフィリナトニッケ
ル 5,10,15,20−テトラキノキサリルポルフィリナトマグネ
シウム 5,10,15,20−テトラキノキサリルポルフィリナト銅 5,10,15,20−テトラキノキサリルポルフィリナトカドミ
ウム 5,10,15,20−テトラキス（2-フルオレニル）ポルフィリ
ン 5,10,15,20−テトラキス（2-フルオレニル）ポルフィリ
ナト亜鉛 5,10,15,20−テトラキス（2-フルオレニル）ポルフィリ
ナトコバルト 5,10,15,20−テトラキス（2-フルオレニル）ポルフィリ
ナト鉛 5,10,15,20−テトラキス（2-フルオレニル）ポルフィリ
ナトニッケル 5,10,15,20−テトラキス（2-フルオレニル）ポルフィリ
ナトマグネシウム 5,10,15,20−テトラキス（2-フルオレニル）ポルフィリ
ナト銅 5,10,15,20−テトラキス（2-フルオレニル）ポルフィリ
ナトカドミウム 5,10,15,20−テトラキス（2,4-ジメトキシフェノール）
ポリフィリン 5,10,15,20−テトラキス（2,4-ジメトキシフェノール）
ポリフィリナト亜鉛 5,10,15,20−テトラキス（2,4-ジメトキシフェノール）
ポリフィリナトコバルト 5,10,15,20−テトラキス（2,4-ジメトキシフェノール）
ポリフィリナト鉛 5,10,15,20−テトラキス（2,4-ジメトキシフェノール）
ポリフィリナトニッケル 5,10,15,20−テトラキス（2,4-ジメトキシフェノール）
ポリフィリナトマグネシウム 5,10,15,20−テトラキス（2,4-ジメトキシフェノール）
ポリフィリナト銅 5,10,15,20−テトラキス（2,4-ジメトキシフェノール）
ポリフィリナトカドミウム 5,10,15,20−テトラキス（2-ニトロフェニル）ポルフィ
リン 5,10,15,20−テトラキス（2-ニトロフェニル）ポルフィ
リナト亜鉛 5,10,15,20−テトラキス（2-ニトロフェニル）ポルフィ
リナトコバルト 5,10,15,20−テトラキス（2-ニトロフェニル）ポルフィ
リナト鉛 5,10,15,20−テトラキス（2-ニトロフェニル）ポルフィ
リナトニッケル 5,10,15,20−テトラキス（2-ニトロフェニル）ポルフィ
リナトマグネシウム 5,10,15,20−テトラキス（2-ニトロフェニル）ポルフィ
リナト銅 5,10,15,20−テトラキス（2-ニトロフェニル）ポルフィ
リナトカドミウム 5,10,15,20−テトラビフェニルポルフィリン 5,10,15,20−テトラビフェニルポルフィリナト亜鉛 5,10,15,20−テトラビフェニルポルフィリナトコバルト 5,10,15,20−テトラビフェニルポルフィリナト鉛 5,10,15,20−テトラビフェニルポルフィリナトニッケル 5,10,15,20−テトラビフェニルポルフィリナト銅 5,10,15,20−テトラビフェニルポルフィリナトカドミウ
ム 2,3,7,8,12,13,17,18 −オクタエチルポルフィリン 2,3,7,8,12,13,17,18 −オクタエチルポルフィリナト亜
鉛 2,3,7,8,12,13,17,18 −オクタエチルポルフィリナトコ
バルト 2,3,7,8,12,13,17,18 −オクタエチルポルフィリナト鉛 2,3,7,8,12,13,17,18 −オクタエチルポルフィリナトニ
ッケル 2,3,7,8,12,13,17,18 −オクタエチルポルフィリナトマ
グネシウム 2,3,7,8,12,13,17,18 −オクタエチルポルフィリナト銅 2,3,7,8,12,13,17,18 −オクタエチルポルフィリナトカ
ドミウム なお、Ａ群のポルフィリン誘導体のうち、5,10,15,20−
テトラフェニルポルフィリン、5,10,15,20−テトラフェ
ニルポルフィリナト亜鉛、5,10,15,20−テトラフェニル
ポルフィリナトコバルト、5,10,15,20−テトラフェニル
ポルフィリナト鉛、5,10,15,20−テトラフェニルポルフ
ィリナトニッケル、5,10,15,20−テトラフェニルポルフ
ィリナトマグネシウム、5,10,15,20−テトラフェニルポ
ルフィリナト銅及び5,10,15,20−テトラフェニルポルフ
ィリナトカドミウムがより好ましい。
誘導体は、特に限定されるものではないが、たとえば、
下記Ａ群から選ばれた１種類の粉末状もしくは塊状のポ
ルフィリン誘導体が用いられる。このポルフィリン誘導
体は、たとえば、分子線蒸着装置を用いて基板上に蒸着
される。 Ａ群：5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリン 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリナト亜鉛 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリナトコバルト 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリナト鉛 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリナトニッケル 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリナトマグネシウ
ム 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリナト銅 5,10,15,20−テトラフェニルポルフィリナトカドミウム テトラベンゾポルフィリン テトラベンゾポルフィリナト亜鉛 テトラベンゾポルフィリナトコバルト テトラベンゾポルフィリナト鉛 テトラベンゾポルフィリナトニッケル テトラベンゾポルフィリナトマグネシウム テトラベンゾポルフィリナト銅 テトラベンゾポルフィリナトカドミウム 5,10,15,20−テトラ（2-ピリジル）ポルフィリン 5,10,15,20−テトラ（2-ピリジル）ポルフィリナト亜鉛 5,10,15,20−テトラ（2-ピリジル）ポルフィリナトコバ
ルト 5,10,15,20−テトラ（2-ピリジル）ポルフィリナト鉛 5,10,15,20−テトラ（2-ピリジル）ポルフィリンニッケ
ル 5,10,15,20−テトラ（2-ピリジル）ポルフィリンマグネ
シウム 5,10,15,20−テトラ（2-ピリジル）ポルフィリン銅 5,10,15,20−テトラ（2-ピリジル）ポルフィリンカドミ
ウム 5,10,15,20−テトラ（3-ピリジル）ポルフィリン 5,10,15,20−テトラ（3-ピリジル）ポルフィリナト亜鉛 5,10,15,20−テトラ（3-ピリジル）ポルフィリナトコバ
ルト 5,10,15,20−テトラ（3-ピリジル）ポルフィリナト鉛 5,10,15,20−テトラ（3-ピリジル）ポルフィリンニッケ
ル 5,10,15,20−テトラ（3-ピリジル）ポルフィリンマグネ
シウム 5,10,15,20−テトラ（3-ピリジル）ポルフィリン銅 5,10,15,20−テトラ（3-ピリジル）ポルフィリンカドミ
ウム 5,10,15,20−テトラ（4-ピリジル）ポルフィリン 5,10,15,20−テトラ（4-ピリジル）ポルフィリナト亜鉛 5,10,15,20−テトラ（4-ピリジル）ポルフィリナトコバ
ルト 5,10,15,20−テトラ（4-ピリジル）ポルフィリナト鉛 5,10,15,20−テトラ（4-ピリジル）ポルフィリンニッケ
ル 5,10,15,20−テトラ（4-ピリジル）ポルフィリンマグネ
シウム 5,10,15,20−テトラ（4-ピリジル）ポルフィリン銅 5,10,15,20−テトラ（4-ピリジル）ポルフィリンカドミ
ウム 5,10,15,20−テトラ（4-キノリル）ポルフィリン 5,10,15,20−テトラ（4-キノリル）ポルフィリナト亜鉛 5,10,15,20−テトラ（4-キノリル）ポルフィリナトコバ
ルト 5,10,15,20−テトラ（4-キノリル）ポルフィリナト鉛 5,10,15,20−テトラ（4-キノリル）ポルフィリナトニッ
ケル 5,10,15,20−テトラ（4-キノリル）ポルフィリナトマグ
ネシウム 5,10,15,20−テトラ（4-キノリル）ポルフィリナト銅 5,10,15,20−テトラ（4-キノリル）ポルフィリナトカド
ミウム 5,10,15,20−テトラ（6-キノリル）ポルフィリン 5,10,15,20−テトラ（6-キノリル）ポルフィリナト亜鉛 5,10,15,20−テトラ（6-キノリル）ポルフィリナトコバ
ルト 5,10,15,20−テトラ（6-キノリル）ポルフィリナト鉛 5,10,15,20−テトラ（6-キノリル）ポルフィリナトニッ
ケル 5,10,15,20−テトラ（6-キノリル）ポルフィリナトマグ
ネシウム 5,10,15,20−テトラ（6-キノリル）ポルフィリナト銅 5,10,15,20−テトラ（6-キノリル）ポルフィリナトカド
ミウム 5,10,15,20−テトラキノキサリルポルフィリン 5,10,15,20−テトラキノキサリルポルフィリナト亜鉛 5,10,15,20−テトラキノキサリルポルフィリナトコバル
ト 5,10,15,20−テトラキノキサリルポルフィリナト鉛 5,10,15,20−テトラキノキサリルポルフィリナトニッケ
ル 5,10,15,20−テトラキノキサリルポルフィリナトマグネ
シウム 5,10,15,20−テトラキノキサリルポルフィリナト銅 5,10,15,20−テトラキノキサリルポルフィリナトカドミ
ウム 5,10,15,20−テトラキス（2-フルオレニル）ポルフィリ
ン 5,10,15,20−テトラキス（2-フルオレニル）ポルフィリ
ナト亜鉛 5,10,15,20−テトラキス（2-フルオレニル）ポルフィリ
ナトコバルト 5,10,15,20−テトラキス（2-フルオレニル）ポルフィリ
ナト鉛 5,10,15,20−テトラキス（2-フルオレニル）ポルフィリ
ナトニッケル 5,10,15,20−テトラキス（2-フルオレニル）ポルフィリ
ナトマグネシウム 5,10,15,20−テトラキス（2-フルオレニル）ポルフィリ
ナト銅 5,10,15,20−テトラキス（2-フルオレニル）ポルフィリ
ナトカドミウム 5,10,15,20−テトラキス（2,4-ジメトキシフェノール）
ポリフィリン 5,10,15,20−テトラキス（2,4-ジメトキシフェノール）
ポリフィリナト亜鉛 5,10,15,20−テトラキス（2,4-ジメトキシフェノール）
ポリフィリナトコバルト 5,10,15,20−テトラキス（2,4-ジメトキシフェノール）
ポリフィリナト鉛 5,10,15,20−テトラキス（2,4-ジメトキシフェノール）
ポリフィリナトニッケル 5,10,15,20−テトラキス（2,4-ジメトキシフェノール）
ポリフィリナトマグネシウム 5,10,15,20−テトラキス（2,4-ジメトキシフェノール）
ポリフィリナト銅 5,10,15,20−テトラキス（2,4-ジメトキシフェノール）
ポリフィリナトカドミウム 5,10,15,20−テトラキス（2-ニトロフェニル）ポルフィ
リン 5,10,15,20−テトラキス（2-ニトロフェニル）ポルフィ
リナト亜鉛 5,10,15,20−テトラキス（2-ニトロフェニル）ポルフィ
リナトコバルト 5,10,15,20−テトラキス（2-ニトロフェニル）ポルフィ
リナト鉛 5,10,15,20−テトラキス（2-ニトロフェニル）ポルフィ
リナトニッケル 5,10,15,20−テトラキス（2-ニトロフェニル）ポルフィ
リナトマグネシウム 5,10,15,20−テトラキス（2-ニトロフェニル）ポルフィ
リナト銅 5,10,15,20−テトラキス（2-ニトロフェニル）ポルフィ
リナトカドミウム 5,10,15,20−テトラビフェニルポルフィリン 5,10,15,20−テトラビフェニルポルフィリナト亜鉛 5,10,15,20−テトラビフェニルポルフィリナトコバルト 5,10,15,20−テトラビフェニルポルフィリナト鉛 5,10,15,20−テトラビフェニルポルフィリナトニッケル 5,10,15,20−テトラビフェニルポルフィリナト銅 5,10,15,20−テトラビフェニルポルフィリナトカドミウ
ム 2,3,7,8,12,13,17,18 −オクタエチルポルフィリン 2,3,7,8,12,13,17,18 −オクタエチルポルフィリナト亜
鉛 2,3,7,8,12,13,17,18 −オクタエチルポルフィリナトコ
バルト 2,3,7,8,12,13,17,18 −オクタエチルポルフィリナト鉛 2,3,7,8,12,13,17,18 −オクタエチルポルフィリナトニ
ッケル 2,3,7,8,12,13,17,18 −オクタエチルポルフィリナトマ
グネシウム 2,3,7,8,12,13,17,18 −オクタエチルポルフィリナト銅 2,3,7,8,12,13,17,18 −オクタエチルポルフィリナトカ
ドミウム なお、Ａ群のポルフィリン誘導体のうち、5,10,15,20−
テトラフェニルポルフィリン、5,10,15,20−テトラフェ
ニルポルフィリナト亜鉛、5,10,15,20−テトラフェニル
ポルフィリナトコバルト、5,10,15,20−テトラフェニル
ポルフィリナト鉛、5,10,15,20−テトラフェニルポルフ
ィリナトニッケル、5,10,15,20−テトラフェニルポルフ
ィリナトマグネシウム、5,10,15,20−テトラフェニルポ
ルフィリナト銅及び5,10,15,20−テトラフェニルポルフ
ィリナトカドミウムがより好ましい。
【０００８】この発明のポルフィリン薄膜は、分子線蒸
着法、電子ビーム蒸着法、イオン・クラスター・ビーム
法などにより作製することができる。たとえば、分子線
蒸着法による場合は次ようにして行う。分子線蒸着装置
は、蒸着前に予め分子線源室内の試料の脱気を行えるよ
うにするために、成長室と分子線源室とが独立の真空ポ
ンプを有し、かつゲートバルブなどによりそれらの室内
の雰囲気を分離／接続できるようになったものが好まし
い。成長室は、クライオポンプ、イオンポンプ、チタン
ゲッターポンプ、液体窒素シュラウドなどによって排気
されることにより、その圧力がポルフィリン誘導体蒸着
時に１０-7Ｔｏｒｒ未満になるようなものが好ましい。
蒸着時の圧力が１０-7Ｔｏｒｒ以上になると多層薄膜が
できないことがある。分子線源室は、成長室とは独立に
排気できるようになっているものが好ましい。成長室と
独立に排気できるようになっていない場合、蒸着前の試
料の脱気が行いにくく、蒸着時に成長室内の圧力を１０
-7Ｔｏｒｒに保つことが困難となり、多層薄膜ができに
くい傾向がある。
着法、電子ビーム蒸着法、イオン・クラスター・ビーム
法などにより作製することができる。たとえば、分子線
蒸着法による場合は次ようにして行う。分子線蒸着装置
は、蒸着前に予め分子線源室内の試料の脱気を行えるよ
うにするために、成長室と分子線源室とが独立の真空ポ
ンプを有し、かつゲートバルブなどによりそれらの室内
の雰囲気を分離／接続できるようになったものが好まし
い。成長室は、クライオポンプ、イオンポンプ、チタン
ゲッターポンプ、液体窒素シュラウドなどによって排気
されることにより、その圧力がポルフィリン誘導体蒸着
時に１０-7Ｔｏｒｒ未満になるようなものが好ましい。
蒸着時の圧力が１０-7Ｔｏｒｒ以上になると多層薄膜が
できないことがある。分子線源室は、成長室とは独立に
排気できるようになっているものが好ましい。成長室と
独立に排気できるようになっていない場合、蒸着前の試
料の脱気が行いにくく、蒸着時に成長室内の圧力を１０
-7Ｔｏｒｒに保つことが困難となり、多層薄膜ができに
くい傾向がある。
【０００９】試料については、充分な脱気を行うのが好
ましい。充分な脱気を行わない場合、蒸着時に成長室内
の圧力を１０-7Ｔｏｒｒに保つことが困難となり、多層
薄膜ができにくい傾向がある。試料の蒸着は、真空下
で、分子線源室のヒータにより試料を加熱蒸発させ、こ
れを成長室に分子線として飛行させ、基板上に堆積させ
ることにより行う。
ましい。充分な脱気を行わない場合、蒸着時に成長室内
の圧力を１０-7Ｔｏｒｒに保つことが困難となり、多層
薄膜ができにくい傾向がある。試料の蒸着は、真空下
で、分子線源室のヒータにより試料を加熱蒸発させ、こ
れを成長室に分子線として飛行させ、基板上に堆積させ
ることにより行う。
【００１０】種類の異なる複数のポルフィリン誘導体
ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，…について積層蒸着を行う場合、
堆積量を水晶振動式膜厚計などでモニタしながら、まず
ポルフィリン誘導体ａについてのみ蒸着を行い、所定の
堆積量に達したところで蒸着を終える。次に、ポルフィ
リン誘導体ｂについて同様に蒸着を行い、さらに各ポル
フィリン誘導体ｃ，ｄ，ｅ，…と蒸着を行っていく。必
要に応じて、ａ，ｂ，ｃ，…、ａ，ｂ，ｃ，…という繰
り返しを行ってもよい。なお、接触する層同志が異なる
ポルフィリン誘導体からなれば、その順序は限定されな
い。
ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，…について積層蒸着を行う場合、
堆積量を水晶振動式膜厚計などでモニタしながら、まず
ポルフィリン誘導体ａについてのみ蒸着を行い、所定の
堆積量に達したところで蒸着を終える。次に、ポルフィ
リン誘導体ｂについて同様に蒸着を行い、さらに各ポル
フィリン誘導体ｃ，ｄ，ｅ，…と蒸着を行っていく。必
要に応じて、ａ，ｂ，ｃ，…、ａ，ｂ，ｃ，…という繰
り返しを行ってもよい。なお、接触する層同志が異なる
ポルフィリン誘導体からなれば、その順序は限定されな
い。
【００１１】それぞれの層の蒸着時の堆積速度は、０．
０１〜１０００オングストローム／分であるのが好まし
い。０．０１オングストローム／分未満になると膜を形
成するのに時間がかかりすぎて実用的でない。１０００
オングストローム／分を越えると多層薄膜ができにく
い。蒸着時の分子線源内の試料は、１００〜４００℃に
加熱するのが好ましい。１００℃未満では、堆積速度が
０．０１オングストローム／分未満になりやすい。４０
０℃を越えるとポルフィリン誘導体が分解しやすく、不
純物の含まれた薄膜になる場合がある。
０１〜１０００オングストローム／分であるのが好まし
い。０．０１オングストローム／分未満になると膜を形
成するのに時間がかかりすぎて実用的でない。１０００
オングストローム／分を越えると多層薄膜ができにく
い。蒸着時の分子線源内の試料は、１００〜４００℃に
加熱するのが好ましい。１００℃未満では、堆積速度が
０．０１オングストローム／分未満になりやすい。４０
０℃を越えるとポルフィリン誘導体が分解しやすく、不
純物の含まれた薄膜になる場合がある。
【００１２】基板としては、材質が、シリコン、ゲルマ
ニウム、ニッケル、クロム、チタン、金、銀、白金など
の金属や、これらの少なくとも１種類を主成分とする合
金や、ガラス、ＩＴＯガラス、炭素、シリカ、アルミ
ナ、マグネシア、ジルコニア、チタニア、ストロンチウ
ムチタネート、窒化ホウ素、窒化ケイ素、炭化ケイ素、
炭化ホウ素、窒化アルミニウムなどの無機材料や、ポリ
エチレンやポリプロピレンなどポリオレフィン系フィル
ム、ポリエチレンテレフタレート等のポリエステル系フ
ィルム、ナイロン６フィルムなどのポリアミド系フィル
ム、その他ポリイミド系、ポリスチレン系などの高分子
材料など、室温で空気中及び真空中で安定な物質であれ
ばよい。これらの基板材料は、その表面を研磨などによ
り平滑にし、さらに洗浄し、油分などによるよごれを除
去しておくのが望ましい。
ニウム、ニッケル、クロム、チタン、金、銀、白金など
の金属や、これらの少なくとも１種類を主成分とする合
金や、ガラス、ＩＴＯガラス、炭素、シリカ、アルミ
ナ、マグネシア、ジルコニア、チタニア、ストロンチウ
ムチタネート、窒化ホウ素、窒化ケイ素、炭化ケイ素、
炭化ホウ素、窒化アルミニウムなどの無機材料や、ポリ
エチレンやポリプロピレンなどポリオレフィン系フィル
ム、ポリエチレンテレフタレート等のポリエステル系フ
ィルム、ナイロン６フィルムなどのポリアミド系フィル
ム、その他ポリイミド系、ポリスチレン系などの高分子
材料など、室温で空気中及び真空中で安定な物質であれ
ばよい。これらの基板材料は、その表面を研磨などによ
り平滑にし、さらに洗浄し、油分などによるよごれを除
去しておくのが望ましい。
【００１３】蒸着時及び蒸着後の基板温度は１００℃以
下に保持するのが好ましい。１００℃を超えると多層薄
膜になりにくい場合がある。
下に保持するのが好ましい。１００℃を超えると多層薄
膜になりにくい場合がある。
【００１４】
【実施例】以下、この発明にかかる実施例を説明する
が、以下の実施例で使用した原子間力顕微鏡は、Digita
l Instruments, Inc. 社製の Nanoscope II AFM であっ
た。また、Ｘ線回折分析装置は、理学電機（株）社製の
クラツキー型二軸小角散乱装置であった。
が、以下の実施例で使用した原子間力顕微鏡は、Digita
l Instruments, Inc. 社製の Nanoscope II AFM であっ
た。また、Ｘ線回折分析装置は、理学電機（株）社製の
クラツキー型二軸小角散乱装置であった。
【００１５】実施例１ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリン粉
末０．１ｇを計り取り 、石英るつぼの中に入れ、これを成長室と分子線源室と
がゲートバルブにより雰囲気を分離された状態にある分
子線蒸着装置の分子線源室に入れて、液体窒素トラップ
のついた油拡散式真空ポンプにより１５０℃に加熱しな
がら１０時間真空引きした。
末０．１ｇを計り取り 、石英るつぼの中に入れ、これを成長室と分子線源室と
がゲートバルブにより雰囲気を分離された状態にある分
子線蒸着装置の分子線源室に入れて、液体窒素トラップ
のついた油拡散式真空ポンプにより１５０℃に加熱しな
がら１０時間真空引きした。
【００１６】一方、厚みが０．５ｍｍの４インチのシリ
コンウェハー（１００）に、酸素気流中で２００℃に加
熱しながら紫外線を当て、次に、純水で調整した１％の
フッ化水素水溶液に１０分間浸漬することにより、洗
浄、エッチングを行った。そして、これを成長室内の基
板ホルダにセットした。次に、試料の加熱温度を２４０
℃にし、成長室と、クライオポンプ、イオンポンプ、チ
タンゲッターポンプ、液体窒素シュラウドにより１×１
０-10 の圧力に排気された成長室との雰囲気を分離して
いたゲートバルブを開け、基板への蒸着を開始した。基
板温度は、ホルダを液体窒素で冷却することにより、−
１００℃に保持した。蒸着時の成長室内圧は３×１０
-10 Ｔｏｒｒであった。蒸着時の堆積膜厚は水晶振動子
式膜厚計でモニタした。堆積膜厚が４００オングストロ
ームに達したところで蒸着を停止した。
コンウェハー（１００）に、酸素気流中で２００℃に加
熱しながら紫外線を当て、次に、純水で調整した１％の
フッ化水素水溶液に１０分間浸漬することにより、洗
浄、エッチングを行った。そして、これを成長室内の基
板ホルダにセットした。次に、試料の加熱温度を２４０
℃にし、成長室と、クライオポンプ、イオンポンプ、チ
タンゲッターポンプ、液体窒素シュラウドにより１×１
０-10 の圧力に排気された成長室との雰囲気を分離して
いたゲートバルブを開け、基板への蒸着を開始した。基
板温度は、ホルダを液体窒素で冷却することにより、−
１００℃に保持した。蒸着時の成長室内圧は３×１０
-10 Ｔｏｒｒであった。蒸着時の堆積膜厚は水晶振動子
式膜厚計でモニタした。堆積膜厚が４００オングストロ
ームに達したところで蒸着を停止した。
【００１７】得られた５，１０，１５，２０−テトラフ
ェニルポルフィリン薄膜表面の粗さを原子間力顕微鏡で
測定したところ、その自乗平均粗さが２．５オングスト
ロームであった。実施例２ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、５，１０，１５，２０−テトラフエニルポルフ
ィリナト亜鉛を用いたほかは、実施例１と同様にして、
５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリナト
亜鉛薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡
で測定したところ、その自乗平均粗さが２．６オングス
トロームであった。
ェニルポルフィリン薄膜表面の粗さを原子間力顕微鏡で
測定したところ、その自乗平均粗さが２．５オングスト
ロームであった。実施例２ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、５，１０，１５，２０−テトラフエニルポルフ
ィリナト亜鉛を用いたほかは、実施例１と同様にして、
５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリナト
亜鉛薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡
で測定したところ、その自乗平均粗さが２．６オングス
トロームであった。
【００１８】実施例３ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフ
ィリナトコバルトを用いたほかは、実施例１と同様にし
て、５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリ
ナトコバルト薄膜を得た。この膜の表面の平均粗さを原
子間顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが２．
６オングストロームであった。
代えて、５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフ
ィリナトコバルトを用いたほかは、実施例１と同様にし
て、５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリ
ナトコバルト薄膜を得た。この膜の表面の平均粗さを原
子間顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが２．
６オングストロームであった。
【００１９】実施例４ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフ
ィリナト鉛を用いたほかは、実施例１と同様にして、
５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリナト
鉛薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で
測定したところ、その自乗平均粗さが２．５オングスト
ロームであった。
代えて、５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフ
ィリナト鉛を用いたほかは、実施例１と同様にして、
５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリナト
鉛薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で
測定したところ、その自乗平均粗さが２．５オングスト
ロームであった。
【００２０】実施例５ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフ
ィリナトニッケルを用いたほかは、実施例１と同様にし
て、５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリ
ナトニッケル薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間
力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが２．６
オングストロームであった。
代えて、５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフ
ィリナトニッケルを用いたほかは、実施例１と同様にし
て、５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリ
ナトニッケル薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間
力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが２．６
オングストロームであった。
【００２１】実施例６ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフ
ィリナトマグネシウムを用いたほかは、実施例１と同様
にして、５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフ
ィリナトマグネシウム薄膜を得た。この膜の表面の粗さ
を原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さ
が２．６オングストロームであった。
代えて、５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフ
ィリナトマグネシウムを用いたほかは、実施例１と同様
にして、５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフ
ィリナトマグネシウム薄膜を得た。この膜の表面の粗さ
を原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さ
が２．６オングストロームであった。
【００２２】実施例７ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフ
ィリナト銅を用いたほかは、実施例１と同様にして、
５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリナト
銅薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で
測定したところ、その自乗平均粗さが２．５オングスト
ロームであった。
代えて、５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフ
ィリナト銅を用いたほかは、実施例１と同様にして、
５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリナト
銅薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で
測定したところ、その自乗平均粗さが２．５オングスト
ロームであった。
【００２３】実施例８ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフ
ィリナトカドミウムを用いたほかは、実施例１と同様に
して、５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィ
リナトカドミウム薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原
子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが
２．６オングストロームであった。
代えて、５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフ
ィリナトカドミウムを用いたほかは、実施例１と同様に
して、５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィ
リナトカドミウム薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原
子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが
２．６オングストロームであった。
【００２４】実施例９ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、テトラベンゾポルフィリンを用いたほかは、実
施例１と同様にして、テトラベンゾポルフィリン薄膜を
得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定した
ところ、その自乗平均粗さが２．６オングストロームで
あった。
代えて、テトラベンゾポルフィリンを用いたほかは、実
施例１と同様にして、テトラベンゾポルフィリン薄膜を
得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定した
ところ、その自乗平均粗さが２．６オングストロームで
あった。
【００２５】実施例１０ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、テトラベンゾポルフィリナト亜鉛を用いたほか
は、実施例１と同様にして、テトラベンゾポルフィリナ
ト亜鉛薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微
鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが２．６オング
ストロームであった。
代えて、テトラベンゾポルフィリナト亜鉛を用いたほか
は、実施例１と同様にして、テトラベンゾポルフィリナ
ト亜鉛薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微
鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが２．６オング
ストロームであった。
【００２６】実施例１１ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、テトラベンゾポルフィリナトコバルトを用いた
ほかは、実施例１と同様にして、テトラベンゾポルフィ
リナトコバルト薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子
間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが２．
６オングストロームであった。
代えて、テトラベンゾポルフィリナトコバルトを用いた
ほかは、実施例１と同様にして、テトラベンゾポルフィ
リナトコバルト薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子
間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが２．
６オングストロームであった。
【００２７】実施例１２ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、テトラベンゾポルフィリナト鉛を用いたほか
は、実施例１と同様にして、テトラベンゾポルフィリナ
ト鉛薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡
で測定したところ、その自乗平均粗さが２．５オングス
トロームであった。
代えて、テトラベンゾポルフィリナト鉛を用いたほか
は、実施例１と同様にして、テトラベンゾポルフィリナ
ト鉛薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡
で測定したところ、その自乗平均粗さが２．５オングス
トロームであった。
【００２８】実施例１３ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、テトラベンゾポルフィリナトニッケルを用いた
ほかは、実施例１と同様にして、テトラベンゾポルフィ
リナトニッケル薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子
間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが２．
６オングストロームであった。
代えて、テトラベンゾポルフィリナトニッケルを用いた
ほかは、実施例１と同様にして、テトラベンゾポルフィ
リナトニッケル薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子
間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが２．
６オングストロームであった。
【００２９】実施例１４ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、テトラベンゾポルフィリナトマグネシウムを用
いたほかは、実施例１と同様にして、テトラベンゾポル
フィリナトマグネシウム薄膜を得た。この膜の表面の粗
さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗
さが２．４オングストロームであった。
代えて、テトラベンゾポルフィリナトマグネシウムを用
いたほかは、実施例１と同様にして、テトラベンゾポル
フィリナトマグネシウム薄膜を得た。この膜の表面の粗
さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗
さが２．４オングストロームであった。
【００３０】実施例１５ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、テトラベンゾポルフィリナト銅を用いたほか
は、実施例１と同様にして、テトラベンゾポルフィリナ
ト銅薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡
で測定したところ、その自乗平均粗さが２．５オングス
トロームであった。
代えて、テトラベンゾポルフィリナト銅を用いたほか
は、実施例１と同様にして、テトラベンゾポルフィリナ
ト銅薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡
で測定したところ、その自乗平均粗さが２．５オングス
トロームであった。
【００３１】実施例１６ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、テトラベンゾポルフィリナトカドミウムを用い
たほかは、実施例１と同様にして、テトラベンゾポルフ
ィリナトカドミウム薄膜を得た。この膜の表面の粗さを
原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが
２．６オングストロームであった。
代えて、テトラベンゾポルフィリナトカドミウムを用い
たほかは、実施例１と同様にして、テトラベンゾポルフ
ィリナトカドミウム薄膜を得た。この膜の表面の粗さを
原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが
２．６オングストロームであった。
【００３２】実施例１７ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、５，１０，１５，２０−テトラ（２−ピリジ
ル）ポルフィリンを用いたほかは、実施例１と同様にし
て、５，１０，１５，２０−テトラ（２−ピリジル）ポ
ルフィリン薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力
顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが２．６オ
ングストロームであった。
代えて、５，１０，１５，２０−テトラ（２−ピリジ
ル）ポルフィリンを用いたほかは、実施例１と同様にし
て、５，１０，１５，２０−テトラ（２−ピリジル）ポ
ルフィリン薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力
顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが２．６オ
ングストロームであった。
【００３３】実施例１８ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、５，１０，１５，２０−テトラ（２−ピリジ
ル）ポルフィリナト亜鉛を用いたほかは、実施例１と同
様にして、５，１０，１５，２０−テトラ（２−ピリジ
ル）ポルフィリナト亜鉛薄膜を得た。この膜の表面の粗
さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗
さが２．５オングストロームであった。
代えて、５，１０，１５，２０−テトラ（２−ピリジ
ル）ポルフィリナト亜鉛を用いたほかは、実施例１と同
様にして、５，１０，１５，２０−テトラ（２−ピリジ
ル）ポルフィリナト亜鉛薄膜を得た。この膜の表面の粗
さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗
さが２．５オングストロームであった。
【００３４】実施例１９ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、５，１０，１５，２０−テトラ（２−ピリジ
ル）ポルフィリナトコバルトを用いたほかは、実施例１
と同様にして、５，１０，１５，２０−テトラ（２−ピ
リジル）ポルフィリナトコバルト薄膜を得た。この膜の
表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自
乗平均粗さが２．６オングストロームであった。
代えて、５，１０，１５，２０−テトラ（２−ピリジ
ル）ポルフィリナトコバルトを用いたほかは、実施例１
と同様にして、５，１０，１５，２０−テトラ（２−ピ
リジル）ポルフィリナトコバルト薄膜を得た。この膜の
表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自
乗平均粗さが２．６オングストロームであった。
【００３５】実施例２０ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、５，１０，１５，２０−テトラ（２−ピリジ
ル）ポルフィリナト鉛を用いたほかは、実施例１と同様
にして、５，１０，１５，２０−テトラ（２−ピリジ
ル）ポルフィリナト鉛薄膜を得た。この膜の表面の粗さ
を原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さ
が２．５オングストロームであった。
代えて、５，１０，１５，２０−テトラ（２−ピリジ
ル）ポルフィリナト鉛を用いたほかは、実施例１と同様
にして、５，１０，１５，２０−テトラ（２−ピリジ
ル）ポルフィリナト鉛薄膜を得た。この膜の表面の粗さ
を原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さ
が２．５オングストロームであった。
【００３６】実施例２１ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、５，１０，１５，２０−テトラ（２−ピリジ
ル）ポルフィリナトニッケルを用いたほかは、実施例１
と同様にして、５，１０，１５，２０−テトラ（２−ピ
リジル）ポルフィリナトニッケル薄膜を得た。この膜の
表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自
乗平均粗さが２．６オングストロームであった。
代えて、５，１０，１５，２０−テトラ（２−ピリジ
ル）ポルフィリナトニッケルを用いたほかは、実施例１
と同様にして、５，１０，１５，２０−テトラ（２−ピ
リジル）ポルフィリナトニッケル薄膜を得た。この膜の
表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自
乗平均粗さが２．６オングストロームであった。
【００３７】実施例２２ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、５，１０，１５，２０−テトラ（２−ピリジ
ル）ポルフィリナトマグネシウムを用いたほかは、実施
例１と同様にして、５，１０，１５，２０−テトラ（２
−ピリジル）ポルフィリナトマグネシウム薄膜を得た。
この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したとこ
ろ、その自乗平均粗さが２．４オングストロームであっ
た。
代えて、５，１０，１５，２０−テトラ（２−ピリジ
ル）ポルフィリナトマグネシウムを用いたほかは、実施
例１と同様にして、５，１０，１５，２０−テトラ（２
−ピリジル）ポルフィリナトマグネシウム薄膜を得た。
この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したとこ
ろ、その自乗平均粗さが２．４オングストロームであっ
た。
【００３８】実施例２３ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、５，１０，１５，２０−テトラ（２−ピリジ
ル）ポルフィリナト銅を用いたほかは、実施例１と同様
にして、５，１０，１５，２０−テトラ（２−ピリジ
ル）ポルフィリナト銅薄膜を得た。この膜の表面の粗さ
を原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さ
が２．５オングストロームであった。
代えて、５，１０，１５，２０−テトラ（２−ピリジ
ル）ポルフィリナト銅を用いたほかは、実施例１と同様
にして、５，１０，１５，２０−テトラ（２−ピリジ
ル）ポルフィリナト銅薄膜を得た。この膜の表面の粗さ
を原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さ
が２．５オングストロームであった。
【００３９】実施例２４ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、５，１０，１５，２０−テトラ（２−ピリジ
ル）ポルフィリナトカドミウムを用いたほかは、実施例
１と同様にして、５，１０，１５，２０−テトラ（２−
ピリジル）ポルフィリナトカドミウム薄膜を得た。この
膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、そ
の自乗平均粗さが２．６オングストロームであった。
代えて、５，１０，１５，２０−テトラ（２−ピリジ
ル）ポルフィリナトカドミウムを用いたほかは、実施例
１と同様にして、５，１０，１５，２０−テトラ（２−
ピリジル）ポルフィリナトカドミウム薄膜を得た。この
膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、そ
の自乗平均粗さが２．６オングストロームであった。
【００４０】実施例２５ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、５，１０，１５，２０−テトラ（３−ピリジ
ル）ポルフィリンを用いたほかは、実施例１と同様にし
て、５，１０，１５，２０−テトラ（３−ピリジル）ポ
ルフィリン薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力
顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが２．６オ
ングストロームであった。
代えて、５，１０，１５，２０−テトラ（３−ピリジ
ル）ポルフィリンを用いたほかは、実施例１と同様にし
て、５，１０，１５，２０−テトラ（３−ピリジル）ポ
ルフィリン薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力
顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが２．６オ
ングストロームであった。
【００４１】実施例２６ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、５，１０，１５，２０−テトラ（３−ピリジ
ル）ポルフィリナト亜鉛を用いたほかは、実施例１と同
様にして、５，１０，１５，２０−テトラ（３−ピリジ
ル）ポルフィリナト亜鉛薄膜を得た。この膜の表面の粗
さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗
さが２．５オングストロームであった。
代えて、５，１０，１５，２０−テトラ（３−ピリジ
ル）ポルフィリナト亜鉛を用いたほかは、実施例１と同
様にして、５，１０，１５，２０−テトラ（３−ピリジ
ル）ポルフィリナト亜鉛薄膜を得た。この膜の表面の粗
さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗
さが２．５オングストロームであった。
【００４２】実施例２７ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、５，１０，１５，２０−テトラ（３−ピリジ
ル）ポルフィリナトコバルトを用いたほかは、実施例１
と同様にして、５，１０，１５，２０−テトラ（３−ピ
リジル）ポルフィリナトコバルト薄膜を得た。この膜の
表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自
乗平均粗さが２．６オングストロームであった。
代えて、５，１０，１５，２０−テトラ（３−ピリジ
ル）ポルフィリナトコバルトを用いたほかは、実施例１
と同様にして、５，１０，１５，２０−テトラ（３−ピ
リジル）ポルフィリナトコバルト薄膜を得た。この膜の
表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自
乗平均粗さが２．６オングストロームであった。
【００４３】実施例２８ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、５，１０，１５，２０−テトラ（３−ピリジ
ル）ポルフィリナト鉛を用いたほかは、実施例１と同様
にして、５，１０，１５，２０−テトラ（３−ピリジ
ル）ポルフィリナト鉛薄膜を得た。この膜の表面の粗さ
を原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さ
が２．５オングストロームであった。
代えて、５，１０，１５，２０−テトラ（３−ピリジ
ル）ポルフィリナト鉛を用いたほかは、実施例１と同様
にして、５，１０，１５，２０−テトラ（３−ピリジ
ル）ポルフィリナト鉛薄膜を得た。この膜の表面の粗さ
を原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さ
が２．５オングストロームであった。
【００４４】実施例２９ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、５，１０，１５，２０−テトラ（３−ピリジ
ル）ポルフィリナトニッケルを用いたほかは、実施例１
と同様にして、５，１０，１５，２０−テトラ（３−ピ
リジル）ポルフィリナトニッケル薄膜を得た。この膜の
表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自
乗平均粗さが２．６オングストロームであった。
代えて、５，１０，１５，２０−テトラ（３−ピリジ
ル）ポルフィリナトニッケルを用いたほかは、実施例１
と同様にして、５，１０，１５，２０−テトラ（３−ピ
リジル）ポルフィリナトニッケル薄膜を得た。この膜の
表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自
乗平均粗さが２．６オングストロームであった。
【００４５】実施例３０ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、５，１０，１５，２０−テトラ（３−ピリジ
ル）ポルフィリナトマグネシウムを用いたほかは、実施
例１と同様にして、５，１０，１５，２０−テトラ（３
−ピリジル）ポルフィリナトマグネシウム薄膜を得た。
この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したとこ
ろ、その自乗平均粗さが２．４オングストロームであっ
た。
代えて、５，１０，１５，２０−テトラ（３−ピリジ
ル）ポルフィリナトマグネシウムを用いたほかは、実施
例１と同様にして、５，１０，１５，２０−テトラ（３
−ピリジル）ポルフィリナトマグネシウム薄膜を得た。
この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したとこ
ろ、その自乗平均粗さが２．４オングストロームであっ
た。
【００４６】実施例３１ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、５，１０，１５，２０−テトラ（３−ピリジ
ル）ポルフィリナト銅を用いたほかは、実施例１と同様
にして、５，１０，１５，２０−テトラ（３−ピリジ
ル）ポルフィリナト銅薄膜を得た。この膜の表面の粗さ
を原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さ
が２．５オングストロームであった。
代えて、５，１０，１５，２０−テトラ（３−ピリジ
ル）ポルフィリナト銅を用いたほかは、実施例１と同様
にして、５，１０，１５，２０−テトラ（３−ピリジ
ル）ポルフィリナト銅薄膜を得た。この膜の表面の粗さ
を原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さ
が２．５オングストロームであった。
【００４７】実施例３２ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、５，１０，１５，２０−テトラ（３−ピリジ
ル）ポルフィリナトカドミウムを用いたほかは、実施例
１と同様にして、５，１０，１５，２０−テトラ（３−
ピリジル）ポルフィリナトカドミウム薄膜を得た。この
膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、そ
の自乗平均粗さが２．６オングストロームであった。
代えて、５，１０，１５，２０−テトラ（３−ピリジ
ル）ポルフィリナトカドミウムを用いたほかは、実施例
１と同様にして、５，１０，１５，２０−テトラ（３−
ピリジル）ポルフィリナトカドミウム薄膜を得た。この
膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、そ
の自乗平均粗さが２．６オングストロームであった。
【００４８】実施例３３ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、５，１０，１５，２０−テトラ（４−ピリジ
ル）ポルフィリンを用いたほかは、実施例１と同様にし
て、５，１０，１５，２０−テトラ（４−ピリジル）ポ
ルフィリン薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力
顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが２．６オ
ングストロームであった。
代えて、５，１０，１５，２０−テトラ（４−ピリジ
ル）ポルフィリンを用いたほかは、実施例１と同様にし
て、５，１０，１５，２０−テトラ（４−ピリジル）ポ
ルフィリン薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力
顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが２．６オ
ングストロームであった。
【００４９】実施例３４ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、５，１０，１５，２０−テトラ（４−ピリジ
ル）ポルフィリナト亜鉛を用いたほかは、実施例１と同
様にして、５，１０，１５，２０−テトラ（４−ピリジ
ル）ポルフィリナト亜鉛薄膜を得た。この膜の表面の粗
さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗
さが２．５オングストロームであった。
代えて、５，１０，１５，２０−テトラ（４−ピリジ
ル）ポルフィリナト亜鉛を用いたほかは、実施例１と同
様にして、５，１０，１５，２０−テトラ（４−ピリジ
ル）ポルフィリナト亜鉛薄膜を得た。この膜の表面の粗
さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗
さが２．５オングストロームであった。
【００５０】実施例３５ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、５，１０，１５，２０−テトラ（４−ピリジ
ル）ポルフィリナトコバルトを用いたほかは、実施例１
と同様にして、５，１０，１５，２０−テトラ（４−ピ
リジル）ポルフィリナトコバルト薄膜を得た。この膜の
表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自
乗平均粗さが２．６オングストロームであった。
代えて、５，１０，１５，２０−テトラ（４−ピリジ
ル）ポルフィリナトコバルトを用いたほかは、実施例１
と同様にして、５，１０，１５，２０−テトラ（４−ピ
リジル）ポルフィリナトコバルト薄膜を得た。この膜の
表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自
乗平均粗さが２．６オングストロームであった。
【００５１】実施例３６ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、５，１０，１５，２０−テトラ（４−ピリジ
ル）ポルフィリナト鉛を用いたほかは、実施例１と同様
にして、５，１０，１５，２０−テトラ（４−ピリジ
ル）ポルフィリナト鉛薄膜を得た。この膜の表面の粗さ
を原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さ
が２．５オングストロームであった。
代えて、５，１０，１５，２０−テトラ（４−ピリジ
ル）ポルフィリナト鉛を用いたほかは、実施例１と同様
にして、５，１０，１５，２０−テトラ（４−ピリジ
ル）ポルフィリナト鉛薄膜を得た。この膜の表面の粗さ
を原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さ
が２．５オングストロームであった。
【００５２】実施例３７ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、５，１０，１５，２０−テトラ（４−ピリジ
ル）ポルフィリナトニッケルを用いたほかは、実施例１
と同様にして、５，１０，１５，２０−テトラ（４−ピ
リジル）ポルフィリナトニッケル薄膜を得た。この膜の
表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自
乗平均粗さが２．６オングストロームであった。
代えて、５，１０，１５，２０−テトラ（４−ピリジ
ル）ポルフィリナトニッケルを用いたほかは、実施例１
と同様にして、５，１０，１５，２０−テトラ（４−ピ
リジル）ポルフィリナトニッケル薄膜を得た。この膜の
表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自
乗平均粗さが２．６オングストロームであった。
【００５３】実施例３８ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、５，１０，１５，２０−テトラ（４−ピリジ
ル）ポルフィリナトマグネシウムを用いたほかは、実施
例１と同様にして、５，１０，１５，２０−テトラ（４
−ピリジル）ポルフィリナトマグネシウム薄膜を得た。
この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したとこ
ろ、その自乗平均粗さが２．４オングストロームであっ
た。実施例３９ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、５，１０，１５，２０−テトラ（４−ピリジ
ル）ポルフィリナト銅を用いたほかは、実施例１と同様
にして、５，１０，１５，２０−テトラ（４−ピリジ
ル）ポルフィリナト銅薄膜を得た。この膜の表面の粗さ
を原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さ
が２．５オングストロームであった。
代えて、５，１０，１５，２０−テトラ（４−ピリジ
ル）ポルフィリナトマグネシウムを用いたほかは、実施
例１と同様にして、５，１０，１５，２０−テトラ（４
−ピリジル）ポルフィリナトマグネシウム薄膜を得た。
この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したとこ
ろ、その自乗平均粗さが２．４オングストロームであっ
た。実施例３９ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、５，１０，１５，２０−テトラ（４−ピリジ
ル）ポルフィリナト銅を用いたほかは、実施例１と同様
にして、５，１０，１５，２０−テトラ（４−ピリジ
ル）ポルフィリナト銅薄膜を得た。この膜の表面の粗さ
を原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さ
が２．５オングストロームであった。
【００５４】実施例４０ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、５，１０，１５，２０−テトラ（４−ピリジ
ル）ポルフィリナトカドミウムを用いたほかは、実施例
１と同様にして、５，１０，１５，２０−テトラ（４−
ピリジル）ポルフィリナトカドミウム薄膜を得た。この
膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、そ
の自乗平均粗さが２．６オングストロームであった。
代えて、５，１０，１５，２０−テトラ（４−ピリジ
ル）ポルフィリナトカドミウムを用いたほかは、実施例
１と同様にして、５，１０，１５，２０−テトラ（４−
ピリジル）ポルフィリナトカドミウム薄膜を得た。この
膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、そ
の自乗平均粗さが２．６オングストロームであった。
【００５５】実施例４１ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、５，１０，１５，２０−テトラ（４−キノリ
ル）ポルフィリンを用いたほかは、実施例１と同様にし
て、５，１０，１５，２０−テトラ（４−キノリル）ポ
ルフィリン薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力
顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが２．６オ
ングストロームであった。
代えて、５，１０，１５，２０−テトラ（４−キノリ
ル）ポルフィリンを用いたほかは、実施例１と同様にし
て、５，１０，１５，２０−テトラ（４−キノリル）ポ
ルフィリン薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力
顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが２．６オ
ングストロームであった。
【００５６】実施例４２ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、５，１０，１５，２０−テトラ（４−キノリ
ル）ポルフィリナト亜鉛を用いたほかは、実施例１と同
様にして、５，１０，１５，２０−テトラ（４−キノリ
ル）ポルフィリナト亜鉛薄膜を得た。この膜の表面の粗
さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗
さが２．５オングストロームであった。
代えて、５，１０，１５，２０−テトラ（４−キノリ
ル）ポルフィリナト亜鉛を用いたほかは、実施例１と同
様にして、５，１０，１５，２０−テトラ（４−キノリ
ル）ポルフィリナト亜鉛薄膜を得た。この膜の表面の粗
さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗
さが２．５オングストロームであった。
【００５７】実施例４３ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、５，１０，１５，２０−テトラ（４−キノリ
ル）ポルフィリナトコバルトを用いたほかは、実施例１
と同様にして、５，１０，１５，２０−テトラ（４−キ
ノリル）ポルフィリナトコバルト薄膜を得た。この膜の
表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自
乗平均粗さが２．６オングストロームであった。
代えて、５，１０，１５，２０−テトラ（４−キノリ
ル）ポルフィリナトコバルトを用いたほかは、実施例１
と同様にして、５，１０，１５，２０−テトラ（４−キ
ノリル）ポルフィリナトコバルト薄膜を得た。この膜の
表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自
乗平均粗さが２．６オングストロームであった。
【００５８】実施例４４ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、５，１０，１５，２０−テトラ（４−キノリ
ル）ポルフィリナト鉛を用いたほかは、実施例１と同様
にして、５，１０，１５，２０−テトラ（４−キノリ
ル）ポルフィリナト鉛薄膜を得た。この膜の表面の粗さ
を原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さ
が２．５オングストロームであった。
代えて、５，１０，１５，２０−テトラ（４−キノリ
ル）ポルフィリナト鉛を用いたほかは、実施例１と同様
にして、５，１０，１５，２０−テトラ（４−キノリ
ル）ポルフィリナト鉛薄膜を得た。この膜の表面の粗さ
を原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さ
が２．５オングストロームであった。
【００５９】実施例４５ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、５，１０，１５，２０−テトラ（４−キノリ
ル）ポルフィリナトニッケルを用いたほかは、実施例１
と同様にして、５，１０，１５，２０−テトラ（４−キ
ノリル）ポルフィリナトニッケル薄膜を得た。この膜の
表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自
乗平均粗さが２．６オングストロームであった。
代えて、５，１０，１５，２０−テトラ（４−キノリ
ル）ポルフィリナトニッケルを用いたほかは、実施例１
と同様にして、５，１０，１５，２０−テトラ（４−キ
ノリル）ポルフィリナトニッケル薄膜を得た。この膜の
表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自
乗平均粗さが２．６オングストロームであった。
【００６０】実施例４６ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、５，１０，１５，２０−テトラ（４−キノリ
ル）ポルフィリナトマグネシウムを用いたほかは、実施
例１と同様にして、５，１０，１５，２０−テトラ（４
−キノリル）ポルフィリナトマグネシウム薄膜を得た。
この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したとこ
ろ、その自乗平均粗さが２．４オングストロームであっ
た。
代えて、５，１０，１５，２０−テトラ（４−キノリ
ル）ポルフィリナトマグネシウムを用いたほかは、実施
例１と同様にして、５，１０，１５，２０−テトラ（４
−キノリル）ポルフィリナトマグネシウム薄膜を得た。
この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したとこ
ろ、その自乗平均粗さが２．４オングストロームであっ
た。
【００６１】実施例４７ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、５，１０，１５，２０−テトラ（４−キノリ
ル）ポルフィリナト銅を用いたほかは、実施例１と同様
にして、５，１０，１５，２０−テトラ（４−キノリ
ル）ポルフィリナト銅薄膜を得た。この膜の表面の粗さ
を原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さ
が２．５オングストロームであった。
代えて、５，１０，１５，２０−テトラ（４−キノリ
ル）ポルフィリナト銅を用いたほかは、実施例１と同様
にして、５，１０，１５，２０−テトラ（４−キノリ
ル）ポルフィリナト銅薄膜を得た。この膜の表面の粗さ
を原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さ
が２．５オングストロームであった。
【００６２】実施例４８ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、５，１０，１５，２０−テトラ（４−キノリ
ル）ポルフィリナトカドミウムを用いたほかは、実施例
１と同様にして、５，１０，１５，２０−テトラ（４−
キノリル）ポルフィリナトカドミウム薄膜を得た。この
膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、そ
の自乗平均粗さが２．６オングストロームであった。
代えて、５，１０，１５，２０−テトラ（４−キノリ
ル）ポルフィリナトカドミウムを用いたほかは、実施例
１と同様にして、５，１０，１５，２０−テトラ（４−
キノリル）ポルフィリナトカドミウム薄膜を得た。この
膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、そ
の自乗平均粗さが２．６オングストロームであった。
【００６３】実施例４９ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、５，１０，１５，２０−テトラ（６−キノリ
ル）ポルフィリンを用いたほかは、実施例１と同様にし
て、５，１０，１５，２０−テトラ（６−キノリル）ポ
ルフィリン薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力
顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが２．６オ
ングストロームであった。
代えて、５，１０，１５，２０−テトラ（６−キノリ
ル）ポルフィリンを用いたほかは、実施例１と同様にし
て、５，１０，１５，２０−テトラ（６−キノリル）ポ
ルフィリン薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力
顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが２．６オ
ングストロームであった。
【００６４】実施例５０ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、５，１０，１５，２０−テトラ（６−キノリ
ル）ポルフィリナト亜鉛を用いたほかは、実施例１と同
様にして、５，１０，１５，２０−テトラ（６−キノリ
ル）ポルフィリナト亜鉛薄膜を得た。この膜の表面の粗
さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗
さが２．５オングストロームであった。
代えて、５，１０，１５，２０−テトラ（６−キノリ
ル）ポルフィリナト亜鉛を用いたほかは、実施例１と同
様にして、５，１０，１５，２０−テトラ（６−キノリ
ル）ポルフィリナト亜鉛薄膜を得た。この膜の表面の粗
さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗
さが２．５オングストロームであった。
【００６５】実施例５１ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、５，１０，１５，２０−テトラ（６−キノリ
ル）ポルフィリナトコバルトを用いたほかは、実施例１
と同様にして、５，１０，１５，２０−テトラ（６−キ
ノリル）ポルフィリナトコバルト薄膜を得た。この膜の
表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自
乗平均粗さが２．６オングストロームであった。
代えて、５，１０，１５，２０−テトラ（６−キノリ
ル）ポルフィリナトコバルトを用いたほかは、実施例１
と同様にして、５，１０，１５，２０−テトラ（６−キ
ノリル）ポルフィリナトコバルト薄膜を得た。この膜の
表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自
乗平均粗さが２．６オングストロームであった。
【００６６】実施例５２ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、５，１０，１５，２０−テトラ（６−キノリ
ル）ポルフィリナト鉛を用いたほかは、実施例１と同様
にして、５，１０，１５，２０−テトラ（６−キノリ
ル）ポルフィリナト鉛薄膜を得た。この膜の表面の粗さ
を原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さ
が２．５オングストロームであった。
代えて、５，１０，１５，２０−テトラ（６−キノリ
ル）ポルフィリナト鉛を用いたほかは、実施例１と同様
にして、５，１０，１５，２０−テトラ（６−キノリ
ル）ポルフィリナト鉛薄膜を得た。この膜の表面の粗さ
を原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さ
が２．５オングストロームであった。
【００６７】実施例５３ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、５，１０，１５，２０−テトラ（６−キノリ
ル）ポルフィリナトニッケルを用いたほかは、実施例１
と同様にして、５，１０，１５，２０−テトラ（６−キ
ノリル）ポルフィリナトニッケル薄膜を得た。この膜の
表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自
乗平均粗さが２．６オングストロームであった。
代えて、５，１０，１５，２０−テトラ（６−キノリ
ル）ポルフィリナトニッケルを用いたほかは、実施例１
と同様にして、５，１０，１５，２０−テトラ（６−キ
ノリル）ポルフィリナトニッケル薄膜を得た。この膜の
表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自
乗平均粗さが２．６オングストロームであった。
【００６８】実施例５４ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、５，１０，１５，２０−テトラ（６−キノリ
ル）ポルフィリナトマグネシウムを用いたほかは、実施
例１と同様にして、５，１０，１５，２０−テトラ（６
−キノリル）ポルフィリナトマグネシウム薄膜を得た。
この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したとこ
ろ、その自乗平均粗さが２．４オングストロームであっ
た。
代えて、５，１０，１５，２０−テトラ（６−キノリ
ル）ポルフィリナトマグネシウムを用いたほかは、実施
例１と同様にして、５，１０，１５，２０−テトラ（６
−キノリル）ポルフィリナトマグネシウム薄膜を得た。
この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したとこ
ろ、その自乗平均粗さが２．４オングストロームであっ
た。
【００６９】実施例５５ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、５，１０，１５，２０−テトラ（６−キノリ
ル）ポルフィリナト銅を用いたほかは、実施例１と同様
にして、５，１０，１５，２０−テトラ（６−キノリ
ル）ポルフィリナト銅薄膜を得た。この膜の表面の粗さ
を原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さ
が２．５オングストロームであった。
代えて、５，１０，１５，２０−テトラ（６−キノリ
ル）ポルフィリナト銅を用いたほかは、実施例１と同様
にして、５，１０，１５，２０−テトラ（６−キノリ
ル）ポルフィリナト銅薄膜を得た。この膜の表面の粗さ
を原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さ
が２．５オングストロームであった。
【００７０】実施例５６ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、５，１０，１５，２０−テトラ（６−キノリ
ル）ポルフィリナトカドミウムを用いたほかは、実施例
１と同様にして、５，１０，１５，２０−テトラ（６−
キノリル）ポルフィリナトカドミウム薄膜を得た。この
膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、そ
の自乗平均粗さが２．６オングストロームであった。
代えて、５，１０，１５，２０−テトラ（６−キノリ
ル）ポルフィリナトカドミウムを用いたほかは、実施例
１と同様にして、５，１０，１５，２０−テトラ（６−
キノリル）ポルフィリナトカドミウム薄膜を得た。この
膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、そ
の自乗平均粗さが２．６オングストロームであった。
【００７１】実施例５７ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、５，１０，１５，２０−テトラキノキサリルポ
ルフィリンを用いたほかは、実施例１と同様にして、
５，１０，１５，２０−テトラキノキサリルポルフィリ
ン薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で
測定したところ、その自乗平均粗さが２．６オングスト
ロームであった。
代えて、５，１０，１５，２０−テトラキノキサリルポ
ルフィリンを用いたほかは、実施例１と同様にして、
５，１０，１５，２０−テトラキノキサリルポルフィリ
ン薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で
測定したところ、その自乗平均粗さが２．６オングスト
ロームであった。
【００７２】実施例５８ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、５，１０，１５，２０−テトラキノキサリルポ
ルフィリナト亜鉛を用いたほかは、実施例１と同様にし
て、５，１０，１５，２０−テトラキノキサリルポルフ
ィリナト亜鉛薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間
力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが２．５
オングストロームであった。
代えて、５，１０，１５，２０−テトラキノキサリルポ
ルフィリナト亜鉛を用いたほかは、実施例１と同様にし
て、５，１０，１５，２０−テトラキノキサリルポルフ
ィリナト亜鉛薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間
力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが２．５
オングストロームであった。
【００７３】実施例５９ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、５，１０，１５，２０−テトラキノキサリルポ
ルフィリナトコバルトを用いたほかは、実施例１と同様
にして、５，１０，１５，２０−テトラキノキサリルポ
ルフィリナトコバルト薄膜を得た。この膜の表面の粗さ
を原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さ
が２．６オングストロームであった。
代えて、５，１０，１５，２０−テトラキノキサリルポ
ルフィリナトコバルトを用いたほかは、実施例１と同様
にして、５，１０，１５，２０−テトラキノキサリルポ
ルフィリナトコバルト薄膜を得た。この膜の表面の粗さ
を原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さ
が２．６オングストロームであった。
【００７４】実施例６０ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、５，１０，１５，２０−テトラキノキサリルポ
ルフィリナト鉛を用いたほかは、実施例１と同様にし
て、５，１０，１５，２０−テトラキノキサリルポルフ
ィリナト鉛薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力
顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが２．５オ
ングストロームであった。
代えて、５，１０，１５，２０−テトラキノキサリルポ
ルフィリナト鉛を用いたほかは、実施例１と同様にし
て、５，１０，１５，２０−テトラキノキサリルポルフ
ィリナト鉛薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力
顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが２．５オ
ングストロームであった。
【００７５】実施例６１ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、５，１０，１５，２０−テトラキノキサリルポ
ルフィリナトニッケルを用いたほかは、実施例１と同様
にして、５，１０，１５，２０−テトラキノキサリルポ
ルフィリナトニッケル薄膜を得た。この膜の表面の粗さ
を原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さ
が２．６オングストロームであった。
代えて、５，１０，１５，２０−テトラキノキサリルポ
ルフィリナトニッケルを用いたほかは、実施例１と同様
にして、５，１０，１５，２０−テトラキノキサリルポ
ルフィリナトニッケル薄膜を得た。この膜の表面の粗さ
を原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さ
が２．６オングストロームであった。
【００７６】実施例６２ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、５，１０，１５，２０−テトラキノキサリルポ
ルフィリナトマグネシウムを用いたほかは、実施例１と
同様にして、５，１０，１５，２０−テトラキノキサリ
ルポルフィリナトマグネシウム薄膜を得た。この膜の表
面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗
平均粗さが２．４オングストロームであった。
代えて、５，１０，１５，２０−テトラキノキサリルポ
ルフィリナトマグネシウムを用いたほかは、実施例１と
同様にして、５，１０，１５，２０−テトラキノキサリ
ルポルフィリナトマグネシウム薄膜を得た。この膜の表
面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗
平均粗さが２．４オングストロームであった。
【００７７】実施例６３ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、５，１０，１５，２０−テトラキノキサリルポ
ルフィリナト銅を用いたほかは、実施例１と同様にし
て、５，１０，１５，２０−テトラキノキサリルポルフ
ィリナト銅薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力
顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが２．５オ
ングストロームであった。
代えて、５，１０，１５，２０−テトラキノキサリルポ
ルフィリナト銅を用いたほかは、実施例１と同様にし
て、５，１０，１５，２０−テトラキノキサリルポルフ
ィリナト銅薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力
顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが２．５オ
ングストロームであった。
【００７８】実施例６４ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、５，１０，１５，２０−テトラキノキサリルポ
ルフィリナトカドミウムを用いたほかは、実施例１と同
様にして、５，１０，１５，２０−テトラキノキサリル
ポルフィリナトカドミウム薄膜を得た。この膜の表面の
粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均
粗さが２．６オングストロームであった。
代えて、５，１０，１５，２０−テトラキノキサリルポ
ルフィリナトカドミウムを用いたほかは、実施例１と同
様にして、５，１０，１５，２０−テトラキノキサリル
ポルフィリナトカドミウム薄膜を得た。この膜の表面の
粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均
粗さが２．６オングストロームであった。
【００７９】実施例６５ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、５，１０，１５，２０−テトラキス（２−フル
オレニル）ポルフィリンを用いたほかは、実施例１と同
様にして、５，１０，１５，２０−テトラキス（２−フ
ルオレニル）ポルフィリン薄膜を得た。この膜の表面の
粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均
粗さが２．６オングストロームであった。実施例６６ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、５，１０，１５，２０−テトラキス（２−フル
オレニル）ポルフィリナト亜鉛を用いたほかは、実施例
１と同様にして、５，１０，１５，２０−テトラキス
（２−フルオレニル）ポルフィリナト亜鉛薄膜を得た。
この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したとこ
ろ、その自乗平均粗さが２．５オングストロームであっ
た。
代えて、５，１０，１５，２０−テトラキス（２−フル
オレニル）ポルフィリンを用いたほかは、実施例１と同
様にして、５，１０，１５，２０−テトラキス（２−フ
ルオレニル）ポルフィリン薄膜を得た。この膜の表面の
粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均
粗さが２．６オングストロームであった。実施例６６ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、５，１０，１５，２０−テトラキス（２−フル
オレニル）ポルフィリナト亜鉛を用いたほかは、実施例
１と同様にして、５，１０，１５，２０−テトラキス
（２−フルオレニル）ポルフィリナト亜鉛薄膜を得た。
この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したとこ
ろ、その自乗平均粗さが２．５オングストロームであっ
た。
【００８０】実施例６７ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、５，１０，１５，２０−テトラキス（２−フル
オレニル）ポルフィリナトコバルトを用いたほかは、実
施例１と同様にして、５，１０，１５，２０−テトラキ
ス（２−フルオレニル）ポルフィリナトコバルト薄膜を
得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定した
ところ、その自乗平均粗さが２．６オングストロームで
あった。
代えて、５，１０，１５，２０−テトラキス（２−フル
オレニル）ポルフィリナトコバルトを用いたほかは、実
施例１と同様にして、５，１０，１５，２０−テトラキ
ス（２−フルオレニル）ポルフィリナトコバルト薄膜を
得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定した
ところ、その自乗平均粗さが２．６オングストロームで
あった。
【００８１】実施例６８ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、５，１０，１５，２０−テトラキス（２−フル
オレニル）ポルフィリナト鉛を用いたほかは、実施例１
と同様にして、５，１０，１５，２０−テトラキス（２
−フルオレニル）ポルフィリナト鉛薄膜を得た。この膜
の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その
自乗平均粗さが２．５オングストロームであった。
代えて、５，１０，１５，２０−テトラキス（２−フル
オレニル）ポルフィリナト鉛を用いたほかは、実施例１
と同様にして、５，１０，１５，２０−テトラキス（２
−フルオレニル）ポルフィリナト鉛薄膜を得た。この膜
の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その
自乗平均粗さが２．５オングストロームであった。
【００８２】実施例６９ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、５，１０，１５，２０−テトラキス（２−フル
オレニル）ポルフィリナトニッケルを用いたほかは、実
施例１と同様にして、５，１０，１５，２０−テトラキ
ス（２−フルオレニル）ポルフィリナトニッケル薄膜を
得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定した
ところ、その自乗平均粗さが２．６オングストロームで
あった。
代えて、５，１０，１５，２０−テトラキス（２−フル
オレニル）ポルフィリナトニッケルを用いたほかは、実
施例１と同様にして、５，１０，１５，２０−テトラキ
ス（２−フルオレニル）ポルフィリナトニッケル薄膜を
得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定した
ところ、その自乗平均粗さが２．６オングストロームで
あった。
【００８３】実施例７０ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、５，１０，１５，２０−テトラキス（２−フル
オレニル）ポルフィリナトマグネシウムを用いたほか
は、実施例１と同様にして、５，１０，１５，２０−テ
トラキス（２−フルオレニル）ポルフィリナトマグネシ
ウム薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡
で測定したところ、その自乗平均粗さが２．４オングス
トロームであった。
代えて、５，１０，１５，２０−テトラキス（２−フル
オレニル）ポルフィリナトマグネシウムを用いたほか
は、実施例１と同様にして、５，１０，１５，２０−テ
トラキス（２−フルオレニル）ポルフィリナトマグネシ
ウム薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡
で測定したところ、その自乗平均粗さが２．４オングス
トロームであった。
【００８４】実施例７１ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、５，１０，１５，２０−テトラキス（２−フル
オレニル）ポルフィリナト銅を用いたほかは、実施例１
と同様にして、５，１０，１５，２０−テトラキス（２
−フルオレニル）ポルフィリナト銅薄膜を得た。この膜
の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その
自乗平均粗さが２．５オングストロームであった。
代えて、５，１０，１５，２０−テトラキス（２−フル
オレニル）ポルフィリナト銅を用いたほかは、実施例１
と同様にして、５，１０，１５，２０−テトラキス（２
−フルオレニル）ポルフィリナト銅薄膜を得た。この膜
の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その
自乗平均粗さが２．５オングストロームであった。
【００８５】実施例７２ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、５，１０，１５，２０−テトラキス（２−フル
オレニル）ポルフィリナトカドミウムを用いたほかは、
実施例１と同様にして、５，１０，１５，２０−テトラ
キス（２−フルオレニル）ポルフィリナトカドミウム薄
膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定
したところ、その自乗平均粗さが２．６オングストロー
ムであった。
代えて、５，１０，１５，２０−テトラキス（２−フル
オレニル）ポルフィリナトカドミウムを用いたほかは、
実施例１と同様にして、５，１０，１５，２０−テトラ
キス（２−フルオレニル）ポルフィリナトカドミウム薄
膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定
したところ、その自乗平均粗さが２．６オングストロー
ムであった。
【００８６】実施例７３ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、５，１０，１５，２０−テトラキス（２，４−
ジメトキシフェノール）ポルフィリンを用いたほかは、
実施例１と同様にして、５，１０，１５，２０−テトラ
キス（２，４−ジメトキシフェノール）ポルフィリン薄
膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定
したところ、その自乗平均粗さが２．６オングストロー
ムであった。
代えて、５，１０，１５，２０−テトラキス（２，４−
ジメトキシフェノール）ポルフィリンを用いたほかは、
実施例１と同様にして、５，１０，１５，２０−テトラ
キス（２，４−ジメトキシフェノール）ポルフィリン薄
膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定
したところ、その自乗平均粗さが２．６オングストロー
ムであった。
【００８７】実施例７４ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、５，１０，１５，２０−テトラキス（２，４−
ジメトキシフェノール）ポルフィリナト亜鉛を用いたほ
かは、実施例１と同様にして、５，１０，１５，２０−
テトラキス（２，４−ジメトキシフェノール）ポルフィ
リナト亜鉛薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力
顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが２．５オ
ングストロームであった。
代えて、５，１０，１５，２０−テトラキス（２，４−
ジメトキシフェノール）ポルフィリナト亜鉛を用いたほ
かは、実施例１と同様にして、５，１０，１５，２０−
テトラキス（２，４−ジメトキシフェノール）ポルフィ
リナト亜鉛薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力
顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが２．５オ
ングストロームであった。
【００８８】実施例７５ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、５，１０，１５，２０−テトラキス（２，４−
ジメトキシフェノール）ポルフィリナトコバルトを用い
たほかは、実施例１と同様にして、５，１０，１５，２
０−テトラキス（２，４−ジメトキシフェノール）ポル
フィリナトコバルト薄膜を得た。この膜の表面の粗さを
原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが
２．６オングストロームであった。
代えて、５，１０，１５，２０−テトラキス（２，４−
ジメトキシフェノール）ポルフィリナトコバルトを用い
たほかは、実施例１と同様にして、５，１０，１５，２
０−テトラキス（２，４−ジメトキシフェノール）ポル
フィリナトコバルト薄膜を得た。この膜の表面の粗さを
原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが
２．６オングストロームであった。
【００８９】実施例７６ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、５，１０，１５，２０−テトラキス（２，４−
ジメトキシフェノール）ポルフィリナト鉛を用いたほか
は、実施例１と同様にして、５，１０，１５，２０−テ
トラキス（２，４−ジメトキシフェノール）ポルフィリ
ナト鉛薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微
鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが２．５オング
ストロームであった。
代えて、５，１０，１５，２０−テトラキス（２，４−
ジメトキシフェノール）ポルフィリナト鉛を用いたほか
は、実施例１と同様にして、５，１０，１５，２０−テ
トラキス（２，４−ジメトキシフェノール）ポルフィリ
ナト鉛薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微
鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが２．５オング
ストロームであった。
【００９０】実施例７７ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、５，１０，１５，２０−テトラキス（２，４−
ジメトキシフェノール）ポルフィリナトニッケルを用い
たほかは、実施例１と同様にして、５，１０，１５，２
０−テトラキス（２，４−ジメトキシフェノール）ポル
フィリナトニッケル薄膜を得た。この膜の表面の粗さを
原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが
２．６オングストロームであった。
代えて、５，１０，１５，２０−テトラキス（２，４−
ジメトキシフェノール）ポルフィリナトニッケルを用い
たほかは、実施例１と同様にして、５，１０，１５，２
０−テトラキス（２，４−ジメトキシフェノール）ポル
フィリナトニッケル薄膜を得た。この膜の表面の粗さを
原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが
２．６オングストロームであった。
【００９１】実施例７８ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、５，１０，１５，２０−テトラキス（２，４−
ジメトキシフェノール）ポルフィリナトマグネシウムを
用いたほかは、実施例１と同様にして、５，１０，１
５，２０−テトラキス（２，４−ジメトキシフェノー
ル）ポルフィリナトマグネシウム薄膜を得た。この膜の
表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自
乗平均粗さが２．４オングストロームであった。
代えて、５，１０，１５，２０−テトラキス（２，４−
ジメトキシフェノール）ポルフィリナトマグネシウムを
用いたほかは、実施例１と同様にして、５，１０，１
５，２０−テトラキス（２，４−ジメトキシフェノー
ル）ポルフィリナトマグネシウム薄膜を得た。この膜の
表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自
乗平均粗さが２．４オングストロームであった。
【００９２】実施例７９ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、５，１０，１５，２０−テトラキス（２，４−
ジメトキシフェノール）ポルフィリナト銅を用いたほか
は、実施例１と同様にして、５，１０，１５，２０−テ
トラキス（２，４−ジメトキシフェノール）ポルフィリ
ナト銅薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微
鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが２．５オング
ストロームであった。
代えて、５，１０，１５，２０−テトラキス（２，４−
ジメトキシフェノール）ポルフィリナト銅を用いたほか
は、実施例１と同様にして、５，１０，１５，２０−テ
トラキス（２，４−ジメトキシフェノール）ポルフィリ
ナト銅薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微
鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが２．５オング
ストロームであった。
【００９３】実施例８０ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、５，１０，１５，２０−テトラキス（２，４−
ジメトキシフェノール）ポルフィリナトカドミウムを用
いたほかは、実施例１と同様にして、５，１０，１５，
２０−テトラキス（２，４−ジメトキシフェノール）ポ
ルフィリナトカドミウム薄膜を得た。この膜の表面の粗
さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗
さが２．６オングストロームであった。
代えて、５，１０，１５，２０−テトラキス（２，４−
ジメトキシフェノール）ポルフィリナトカドミウムを用
いたほかは、実施例１と同様にして、５，１０，１５，
２０−テトラキス（２，４−ジメトキシフェノール）ポ
ルフィリナトカドミウム薄膜を得た。この膜の表面の粗
さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗
さが２．６オングストロームであった。
【００９４】実施例８１ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、５，１０，１５，２０−テトラキス（２−ニト
ロフェニル）ポルフィリンを用いたほかは、実施例１と
同様にして、５，１０，１５，２０−テトラキス（２−
ニトロフェニル）ポルフィリン薄膜を得た。この膜の表
面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗
平均粗さが２．６オングストロームであった。
代えて、５，１０，１５，２０−テトラキス（２−ニト
ロフェニル）ポルフィリンを用いたほかは、実施例１と
同様にして、５，１０，１５，２０−テトラキス（２−
ニトロフェニル）ポルフィリン薄膜を得た。この膜の表
面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗
平均粗さが２．６オングストロームであった。
【００９５】実施例８２ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、５，１０，１５，２０−テトラキス（２−ニト
ロフェニル）ポルフィリナト亜鉛を用いたほかは、実施
例１と同様にして、５，１０，１５，２０−テトラキス
（２−ニトロフェニル）ポルフィリナト亜鉛薄膜を得
た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したと
ころ、その自乗平均粗さが２．５オングストロームであ
った。
代えて、５，１０，１５，２０−テトラキス（２−ニト
ロフェニル）ポルフィリナト亜鉛を用いたほかは、実施
例１と同様にして、５，１０，１５，２０−テトラキス
（２−ニトロフェニル）ポルフィリナト亜鉛薄膜を得
た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したと
ころ、その自乗平均粗さが２．５オングストロームであ
った。
【００９６】実施例８３ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、５，１０，１５，２０−テトラキス（２−ニト
ロフェニル）ポルフィリナトコバルトを用いたほかは、
実施例１と同様にして、５，１０，１５，２０−テトラ
キス（２−ニトロフェニル）ポルフィリナトコバルト薄
膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定
したところ、その自乗平均粗さが２．６オングストロー
ムであった。
代えて、５，１０，１５，２０−テトラキス（２−ニト
ロフェニル）ポルフィリナトコバルトを用いたほかは、
実施例１と同様にして、５，１０，１５，２０−テトラ
キス（２−ニトロフェニル）ポルフィリナトコバルト薄
膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定
したところ、その自乗平均粗さが２．６オングストロー
ムであった。
【００９７】実施例８４ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、５，１０，１５，２０−テトラキス（２−ニト
ロフェニル）ポルフィリナト鉛を用いたほかは、実施例
１と同様にして、５，１０，１５，２０−テトラキス
（２−ニトロフェニル）ポルフィリナト鉛薄膜を得た。
この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したとこ
ろ、その自乗平均粗さが２．５オングストロームであっ
た。
代えて、５，１０，１５，２０−テトラキス（２−ニト
ロフェニル）ポルフィリナト鉛を用いたほかは、実施例
１と同様にして、５，１０，１５，２０−テトラキス
（２−ニトロフェニル）ポルフィリナト鉛薄膜を得た。
この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したとこ
ろ、その自乗平均粗さが２．５オングストロームであっ
た。
【００９８】実施例８５ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、５，１０，１５，２０−テトラキス（２−ニト
ロフェニル）ポルフィリナトニッケルを用いたほかは、
実施例１と同様にして、５，１０，１５，２０−テトラ
キス（２−ニトロフェニル）ポルフィリナトニッケル薄
膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定
したところ、その自乗平均粗さが２．６オングストロー
ムであった。
代えて、５，１０，１５，２０−テトラキス（２−ニト
ロフェニル）ポルフィリナトニッケルを用いたほかは、
実施例１と同様にして、５，１０，１５，２０−テトラ
キス（２−ニトロフェニル）ポルフィリナトニッケル薄
膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定
したところ、その自乗平均粗さが２．６オングストロー
ムであった。
【００９９】実施例８６ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、５，１０，１５，２０−テトラキス（２−ニト
ロフェニル）ポルフィリナトマグネシウムを用いたほか
は、実施例１と同様にして、５，１０，１５，２０−テ
トラキス（２−ニトロフェニル）ポルフィリナトマグネ
シウム薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微
鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが２．４オング
ストロームであった。
代えて、５，１０，１５，２０−テトラキス（２−ニト
ロフェニル）ポルフィリナトマグネシウムを用いたほか
は、実施例１と同様にして、５，１０，１５，２０−テ
トラキス（２−ニトロフェニル）ポルフィリナトマグネ
シウム薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微
鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが２．４オング
ストロームであった。
【０１００】実施例８７ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、５，１０，１５，２０−テトラキス（２−ニト
ロフェニル）ポルフィリナト銅を用いたほかは、実施例
１と同様にして、５，１０，１５，２０−テトラキス
（２−ニトロフェニル）ポルフィリナト銅薄膜を得た。
この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したとこ
ろ、その自乗平均粗さが２．５オングストロームであっ
た。
代えて、５，１０，１５，２０−テトラキス（２−ニト
ロフェニル）ポルフィリナト銅を用いたほかは、実施例
１と同様にして、５，１０，１５，２０−テトラキス
（２−ニトロフェニル）ポルフィリナト銅薄膜を得た。
この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したとこ
ろ、その自乗平均粗さが２．５オングストロームであっ
た。
【０１０１】実施例８８ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、５，１０，１５，２０−テトラキス（２−ニト
ロフェニル）ポルフィリナトカドミウムを用いたほか
は、実施例１と同様にして、５，１０，１５，２０−テ
トラキス（２−ニトロフェニル）ポルフィリナトカドミ
ウム薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡
で測定したところ、その自乗平均粗さが２．５オングス
トロームであった。
代えて、５，１０，１５，２０−テトラキス（２−ニト
ロフェニル）ポルフィリナトカドミウムを用いたほか
は、実施例１と同様にして、５，１０，１５，２０−テ
トラキス（２−ニトロフェニル）ポルフィリナトカドミ
ウム薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡
で測定したところ、その自乗平均粗さが２．５オングス
トロームであった。
【０１０２】実施例８９ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、５，１０，１５，２０−テトラビフェニルポル
フィリンを用いたほかは、実施例１と同様にして、５，
１０，１５，２０−テトラビフェニルポルフィリン薄膜
を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定し
たところ、その自乗平均粗さが２．６オングストローム
であった。
代えて、５，１０，１５，２０−テトラビフェニルポル
フィリンを用いたほかは、実施例１と同様にして、５，
１０，１５，２０−テトラビフェニルポルフィリン薄膜
を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定し
たところ、その自乗平均粗さが２．６オングストローム
であった。
【０１０３】実施例９０ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、５，１０，１５，２０−テトラビフェニルポル
フィリナト亜鉛を用いたほかは、実施例１と同様にし
て、５，１０，１５，２０−テトラビフェニルポルフィ
リナト亜鉛薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力
顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが２．６オ
ングストロームであった。
代えて、５，１０，１５，２０−テトラビフェニルポル
フィリナト亜鉛を用いたほかは、実施例１と同様にし
て、５，１０，１５，２０−テトラビフェニルポルフィ
リナト亜鉛薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力
顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが２．６オ
ングストロームであった。
【０１０４】実施例９１ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、５，１０，１５，２０−テトラビフェニルポル
フィリナトコバルトを用いたほかは、実施例１と同様に
して、５，１０，１５，２０−テトラビフェニルポルフ
ィリナトコバルト薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原
子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが
２．６オングストロームであった。
代えて、５，１０，１５，２０−テトラビフェニルポル
フィリナトコバルトを用いたほかは、実施例１と同様に
して、５，１０，１５，２０−テトラビフェニルポルフ
ィリナトコバルト薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原
子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが
２．６オングストロームであった。
【０１０５】実施例９２ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、５，１０，１５，２０−テトラビフェニルポル
フィリナト鉛を用いたほかは、実施例１と同様にして、
５，１０，１５，２０−テトラビフェニルポルフィリナ
ト鉛薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡
で測定したところ、その自乗平均粗さが２．５オングス
トロームであった。
代えて、５，１０，１５，２０−テトラビフェニルポル
フィリナト鉛を用いたほかは、実施例１と同様にして、
５，１０，１５，２０−テトラビフェニルポルフィリナ
ト鉛薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡
で測定したところ、その自乗平均粗さが２．５オングス
トロームであった。
【０１０６】実施例９３ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、５，１０，１５，２０−テトラビフェニルポル
フィリナトニッケルを用いたほかは、実施例１と同様に
して、５，１０，１５，２０−テトラビフェニルポルフ
ィリナトニッケル薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原
子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが
２．６オングストロームであった。
代えて、５，１０，１５，２０−テトラビフェニルポル
フィリナトニッケルを用いたほかは、実施例１と同様に
して、５，１０，１５，２０−テトラビフェニルポルフ
ィリナトニッケル薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原
子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さが
２．６オングストロームであった。
【０１０７】実施例９４ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、５，１０，１５，２０−テトラビフェニルポル
フィリナトマグネシウムを用いたほかは、実施例１と同
様にして、５，１０，１５，２０−テトラビフェニルポ
ルフィリナトマグネシウム薄膜を得た。この膜の表面の
粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均
粗さが２．４オングストロームであった。
代えて、５，１０，１５，２０−テトラビフェニルポル
フィリナトマグネシウムを用いたほかは、実施例１と同
様にして、５，１０，１５，２０−テトラビフェニルポ
ルフィリナトマグネシウム薄膜を得た。この膜の表面の
粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均
粗さが２．４オングストロームであった。
【０１０８】実施例９５ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、５，１０，１５，２０−テトラビフェニルポル
フィリナト銅を用いたほかは、実施例１と同様にして、
５，１０，１５，２０−テトラビフェニルポルフィリナ
ト銅薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡
で測定したところ、その自乗平均粗さが２．５オングス
トロームであった。
代えて、５，１０，１５，２０−テトラビフェニルポル
フィリナト銅を用いたほかは、実施例１と同様にして、
５，１０，１５，２０−テトラビフェニルポルフィリナ
ト銅薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡
で測定したところ、その自乗平均粗さが２．５オングス
トロームであった。
【０１０９】実施例９６ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、５，１０，１５，２０−テトラビフェニルポル
フィリナトカドミウムを用いたほかは、実施例１と同様
にして、５，１０，１５，２０−テトラビフェニルポル
フィリナトカドミウム薄膜を得た。この膜の表面の粗さ
を原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さ
が２．６オングストロームであった。
代えて、５，１０，１５，２０−テトラビフェニルポル
フィリナトカドミウムを用いたほかは、実施例１と同様
にして、５，１０，１５，２０−テトラビフェニルポル
フィリナトカドミウム薄膜を得た。この膜の表面の粗さ
を原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均粗さ
が２．６オングストロームであった。
【０１１０】実施例９７ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オ
クタエチルポルフィリンを用いたほかは、実施例１と同
様にして、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−
オクタエチルポルフィリン薄膜を得た。この膜の表面の
粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均
粗さが２．６オングストロームであった。
代えて、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オ
クタエチルポルフィリンを用いたほかは、実施例１と同
様にして、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−
オクタエチルポルフィリン薄膜を得た。この膜の表面の
粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その自乗平均
粗さが２．６オングストロームであった。
【０１１１】実施例９８ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オ
クタエチルポルフィリナト亜鉛を用いたほかは、実施例
１と同様にして、２，３，７，８，１２，１３，１７，
１８−オクタエチルポルフィリナト亜鉛薄膜を得た。こ
の膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、
その自乗平均粗さが２．６オングストロームであった。
代えて、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オ
クタエチルポルフィリナト亜鉛を用いたほかは、実施例
１と同様にして、２，３，７，８，１２，１３，１７，
１８−オクタエチルポルフィリナト亜鉛薄膜を得た。こ
の膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、
その自乗平均粗さが２．６オングストロームであった。
【０１１２】実施例９９ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オ
クタエチルポルフィリナトコバルトを用いたほかは、実
施例１と同様にして、２，３，７，８，１２，１３，１
７，１８−オクタエチルポルフィリナトコバルト薄膜を
得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定した
ところ、その自乗平均粗さが２．６オングストロームで
あった。
代えて、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オ
クタエチルポルフィリナトコバルトを用いたほかは、実
施例１と同様にして、２，３，７，８，１２，１３，１
７，１８−オクタエチルポルフィリナトコバルト薄膜を
得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定した
ところ、その自乗平均粗さが２．６オングストロームで
あった。
【０１１３】実施例１００ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オ
クタエチルポルフィリナト鉛を用いたほかは、実施例１
と同様にして、２，３，７，８，１２，１３，１７，１
８−オクタエチルポルフィリナト鉛薄膜を得た。この膜
の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その
自乗平均粗さが２．５オングストロームであった。
代えて、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オ
クタエチルポルフィリナト鉛を用いたほかは、実施例１
と同様にして、２，３，７，８，１２，１３，１７，１
８−オクタエチルポルフィリナト鉛薄膜を得た。この膜
の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その
自乗平均粗さが２．５オングストロームであった。
【０１１４】実施例１０１ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オ
クタエチルポルフィリナトニッケルを用いたほかは、実
施例１と同様にして、２，３，７，８，１２，１３，１
７，１８−オクタエチルポルフィリナトニッケル薄膜を
得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定した
ところ、その自乗平均粗さが２．６オングストロームで
あった。
代えて、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オ
クタエチルポルフィリナトニッケルを用いたほかは、実
施例１と同様にして、２，３，７，８，１２，１３，１
７，１８−オクタエチルポルフィリナトニッケル薄膜を
得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定した
ところ、その自乗平均粗さが２．６オングストロームで
あった。
【０１１５】実施例１０２ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オ
クタエチルポルフィリナトマグネシウムを用いたほか
は、実施例１と同様にして、２，３，７，８，１２，１
３，１７，１８−オクタエチルポルフィリナトマグネシ
ウム薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡
で測定したところ、その自乗平均粗さが２．４オングス
トロームであった。
代えて、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オ
クタエチルポルフィリナトマグネシウムを用いたほか
は、実施例１と同様にして、２，３，７，８，１２，１
３，１７，１８−オクタエチルポルフィリナトマグネシ
ウム薄膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡
で測定したところ、その自乗平均粗さが２．４オングス
トロームであった。
【０１１６】実施例１０３ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オ
クタエチルポルフィリナト銅を用いたほかは、実施例１
と同様にして、２，３，７，８，１２，１３，１７，１
８−オクタエチルポルフィリナト銅薄膜を得た。この膜
の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その
自乗平均粗さが２．５オングストロームであった。
代えて、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オ
クタエチルポルフィリナト銅を用いたほかは、実施例１
と同様にして、２，３，７，８，１２，１３，１７，１
８−オクタエチルポルフィリナト銅薄膜を得た。この膜
の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定したところ、その
自乗平均粗さが２．５オングストロームであった。
【０１１７】実施例１０４ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オ
クタエチルポルフィリナトカドミウムを用いたほかは、
実施例１と同様にして、２，３，７，８，１２，１３，
１７，１８−オクタエチルポルフィリナトカドミウム薄
膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定
したところ、その自乗平均粗さが２．６オングストロー
ムであった。
代えて、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オ
クタエチルポルフィリナトカドミウムを用いたほかは、
実施例１と同様にして、２，３，７，８，１２，１３，
１７，１８−オクタエチルポルフィリナトカドミウム薄
膜を得た。この膜の表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定
したところ、その自乗平均粗さが２．６オングストロー
ムであった。
【０１１８】実施例１０５ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリン粉
末０．１ｇと、５，１０，１５，２０−テトラフェニル
ポクフィリナト亜鉛０．１ｇとを計り取り、それぞれを
第１石英るつぼと第２石英るつぼの中に入れた。そし
て、第１石英るつぼを分子線蒸着装置の第１分子線源室
に、第２石英るつぼを第２分子線源室に入れて、別々
に、１５０℃に加熱しながら液体窒素トラップのついた
油拡散式真空ポンプにより１０時間真空引きした。
末０．１ｇと、５，１０，１５，２０−テトラフェニル
ポクフィリナト亜鉛０．１ｇとを計り取り、それぞれを
第１石英るつぼと第２石英るつぼの中に入れた。そし
て、第１石英るつぼを分子線蒸着装置の第１分子線源室
に、第２石英るつぼを第２分子線源室に入れて、別々
に、１５０℃に加熱しながら液体窒素トラップのついた
油拡散式真空ポンプにより１０時間真空引きした。
【０１１９】一方、厚み０．５ｍｍ、直径４インチのシ
リコンウェハー（１００）に対し、酸素気流中で２００
℃に加熱しながら紫外線を当てた。次に、そのシリコン
ウェハーを、純水で調整した１％のフッ化水素水溶液に
１０分間浸漬することにより、洗浄及びエッチングを行
った。そして、これを成長室内の基板ホルダにセットし
た。
リコンウェハー（１００）に対し、酸素気流中で２００
℃に加熱しながら紫外線を当てた。次に、そのシリコン
ウェハーを、純水で調整した１％のフッ化水素水溶液に
１０分間浸漬することにより、洗浄及びエッチングを行
った。そして、これを成長室内の基板ホルダにセットし
た。
【０１２０】次に、第１及び第２分子線源室内を液体窒
素トラップのついた油拡散式真空ポンプにより真空引き
しながら、両試料とも２４０℃に加熱した。そして、第
１分子線源室と、内部をクライオポンプ、イオンポン
プ、チタンゲッタポンプ、液体窒素シュラウドにより１
×１０-10 Ｔｏｒｒに減圧された成長室とを分離してい
た第１ゲートバルブを開け、５，１０，１５，２０−テ
トラフェニルポルフィリンの基板への蒸着を開始した。
このとき、堆積膜厚を水晶振動子式膜厚計でモニタし
た。そして、堆積膜厚が２２オングストロームに達した
ところで第１ゲートバルブを閉じ、蒸着を停止した。次
に、同様の手順で、５，１０，１５，２０−テトラフェ
ニルポルフィリナト亜鉛を２２オングストローム蒸着し
た。この作業をそれぞれ交互に２０回ずつ繰り返して、
多層膜を作成した。この膜の積層周期をＸ線回折分析で
調べたところ、４４オングストロームとなっていること
が確認された。
素トラップのついた油拡散式真空ポンプにより真空引き
しながら、両試料とも２４０℃に加熱した。そして、第
１分子線源室と、内部をクライオポンプ、イオンポン
プ、チタンゲッタポンプ、液体窒素シュラウドにより１
×１０-10 Ｔｏｒｒに減圧された成長室とを分離してい
た第１ゲートバルブを開け、５，１０，１５，２０−テ
トラフェニルポルフィリンの基板への蒸着を開始した。
このとき、堆積膜厚を水晶振動子式膜厚計でモニタし
た。そして、堆積膜厚が２２オングストロームに達した
ところで第１ゲートバルブを閉じ、蒸着を停止した。次
に、同様の手順で、５，１０，１５，２０−テトラフェ
ニルポルフィリナト亜鉛を２２オングストローム蒸着し
た。この作業をそれぞれ交互に２０回ずつ繰り返して、
多層膜を作成した。この膜の積層周期をＸ線回折分析で
調べたところ、４４オングストロームとなっていること
が確認された。
【０１２１】この膜の小角のＸ線回折パターンを図１に
示す。なお、回折条件は、Ｃｕ−Ｋアルファ線、４００
ＫＶ、２００ｍＡであった。また、測定角度θのピッチ
は０．０２°であった。実施例１０６ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えてテトラベンゾポルフィリナトコバルトを用い、
５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリナト
亜鉛に代えてテトラベンゾ鉛を用い、それぞれのポルフ
ィリン誘導体の１回ごとの堆積膜厚をともに２０オング
ストロームとし、アセトンで超音波洗浄されたＩＴＯガ
ラスを基板に用いたほかは、実施例１と同様にして、多
層膜を得た。この膜の積層周期をＸ線回折分析で調べた
ところ、４０オングストロームとなっていることが確認
された。
示す。なお、回折条件は、Ｃｕ−Ｋアルファ線、４００
ＫＶ、２００ｍＡであった。また、測定角度θのピッチ
は０．０２°であった。実施例１０６ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えてテトラベンゾポルフィリナトコバルトを用い、
５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリナト
亜鉛に代えてテトラベンゾ鉛を用い、それぞれのポルフ
ィリン誘導体の１回ごとの堆積膜厚をともに２０オング
ストロームとし、アセトンで超音波洗浄されたＩＴＯガ
ラスを基板に用いたほかは、実施例１と同様にして、多
層膜を得た。この膜の積層周期をＸ線回折分析で調べた
ところ、４０オングストロームとなっていることが確認
された。
【０１２２】実施例１０７ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて５，１０，１５，２０−テトラ（２−ピリジル）
ポルフィリナトニッケルを用い、５，１０，１５，２０
−テトラフェニルポルフィリナト亜鉛に代えて５，１
０，１５，２０−テトラ（２−ピリジル）ポルフィリナ
トマグネシウムを用い、それぞれのポルフィリン誘導体
の１回ごとの堆積膜厚をともに２４オングストロームと
したほかは、実施例１と同様にして、多層膜を得た。こ
の膜の積層周期をＸ線回折分析で調べたところ、４８オ
ングストロームとなっていることが確認された。
代えて５，１０，１５，２０−テトラ（２−ピリジル）
ポルフィリナトニッケルを用い、５，１０，１５，２０
−テトラフェニルポルフィリナト亜鉛に代えて５，１
０，１５，２０−テトラ（２−ピリジル）ポルフィリナ
トマグネシウムを用い、それぞれのポルフィリン誘導体
の１回ごとの堆積膜厚をともに２４オングストロームと
したほかは、実施例１と同様にして、多層膜を得た。こ
の膜の積層周期をＸ線回折分析で調べたところ、４８オ
ングストロームとなっていることが確認された。
【０１２３】実施例１０８ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて５，１０，１５，２０−テトラ（３−ピリジル）
ポルフィリン銅を用い、５，１０，１５，２０−テトラ
フェニルポルフィリナト亜鉛に代えて、５，１０，１
５，２０−テトラ（３−ピリジル）ポルフィリナトカド
ミウムを用い、それぞれのポルフィリン誘導体の１回ご
との堆積膜厚を３０オングストローム及び２０オングス
トロームとしたほかは、実施例１と同様にして、多層膜
を得た。この膜の積層周期をＸ線回折分析で調べたとこ
ろ、５０オングストロームとなっていることが確認され
た。
代えて５，１０，１５，２０−テトラ（３−ピリジル）
ポルフィリン銅を用い、５，１０，１５，２０−テトラ
フェニルポルフィリナト亜鉛に代えて、５，１０，１
５，２０−テトラ（３−ピリジル）ポルフィリナトカド
ミウムを用い、それぞれのポルフィリン誘導体の１回ご
との堆積膜厚を３０オングストローム及び２０オングス
トロームとしたほかは、実施例１と同様にして、多層膜
を得た。この膜の積層周期をＸ線回折分析で調べたとこ
ろ、５０オングストロームとなっていることが確認され
た。
【０１２４】実施例１０９ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて５，１０，１５，２０−テトラ（４−ピリジル）
ポルフィリンを用い、５，１０，１５，２０−テトラフ
ェニルポルフィリナト亜鉛に代えて５，１０，１５，２
０−テトラ（４−ピリジル）ポルフィリナトコバルトを
用い、それぞれのポルフィリン誘導体の１回ごとの堆積
膜厚をともに２２オングストロームとしたほかは、実施
例１と同様にして、多層膜を得た。この膜の積層周期を
Ｘ線回折分析で調べたところ、４４オングストロームと
なっていることが確認された。
代えて５，１０，１５，２０−テトラ（４−ピリジル）
ポルフィリンを用い、５，１０，１５，２０−テトラフ
ェニルポルフィリナト亜鉛に代えて５，１０，１５，２
０−テトラ（４−ピリジル）ポルフィリナトコバルトを
用い、それぞれのポルフィリン誘導体の１回ごとの堆積
膜厚をともに２２オングストロームとしたほかは、実施
例１と同様にして、多層膜を得た。この膜の積層周期を
Ｘ線回折分析で調べたところ、４４オングストロームと
なっていることが確認された。
【０１２５】実施例１１０ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて５，１０，１５，２０−テトラ（４−キノリル）
ポルフィリンを用い、５，１０，１５，２０−テトラフ
ェニルポルフィリナト亜鉛に代えて５，１０，１５，２
０−テトラ（４−キノリル）ポルフィリナト鉛を用い、
それぞれのポルフィリン誘導体の１回ごとの堆積膜厚を
ともに２３オングストロームとしたほかは、実施例１と
同様にして、多層膜を得た。この膜の積層周期をＸ線回
折分析で調べたところ、４６オングストロームとなって
いることが確認された。
代えて５，１０，１５，２０−テトラ（４−キノリル）
ポルフィリンを用い、５，１０，１５，２０−テトラフ
ェニルポルフィリナト亜鉛に代えて５，１０，１５，２
０−テトラ（４−キノリル）ポルフィリナト鉛を用い、
それぞれのポルフィリン誘導体の１回ごとの堆積膜厚を
ともに２３オングストロームとしたほかは、実施例１と
同様にして、多層膜を得た。この膜の積層周期をＸ線回
折分析で調べたところ、４６オングストロームとなって
いることが確認された。
【０１２６】実施例１１１ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて５，１０，１５，２０−テトラ（６−キノリル）
ポルフィリンを用い、５，１０，１５，２０−テトラフ
ェニルポルフィリナト亜鉛に代えて５，１０，１５，２
０−テトラ（６−キノリル）ポルフィリナトマグネシウ
ムを用い、それぞれのポルフィリン誘導体の１回ごとの
堆積膜厚を２８オングストローム及び２４オングストロ
ームとしたほかは、実施例１と同様にして、多層膜を得
た。この膜の積層周期をＸ線回折分析で調べたところ、
５２オングストロームとなっていることが確認された。
代えて５，１０，１５，２０−テトラ（６−キノリル）
ポルフィリンを用い、５，１０，１５，２０−テトラフ
ェニルポルフィリナト亜鉛に代えて５，１０，１５，２
０−テトラ（６−キノリル）ポルフィリナトマグネシウ
ムを用い、それぞれのポルフィリン誘導体の１回ごとの
堆積膜厚を２８オングストローム及び２４オングストロ
ームとしたほかは、実施例１と同様にして、多層膜を得
た。この膜の積層周期をＸ線回折分析で調べたところ、
５２オングストロームとなっていることが確認された。
【０１２７】実施例１１２ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて５，１０，１５，２０−テトラキノキサリルポル
フィリンを用い、５，１０，１５，２０−テトラフェニ
ルポルフィリナト亜鉛に代えて５，１０，１５，２０−
テトラキノキサリルポルフィリナト銅を用い、それぞれ
のポルフィリン誘導体の１回ごとの堆積膜厚を２４オン
グストローム及び２２オングストロームとしたほかは、
実施例１と同様にして、多層膜を得た。この膜の積層周
期をＸ線回折分析で調べたところ、４６オングストロー
ムとなっていることが確認された。
代えて５，１０，１５，２０−テトラキノキサリルポル
フィリンを用い、５，１０，１５，２０−テトラフェニ
ルポルフィリナト亜鉛に代えて５，１０，１５，２０−
テトラキノキサリルポルフィリナト銅を用い、それぞれ
のポルフィリン誘導体の１回ごとの堆積膜厚を２４オン
グストローム及び２２オングストロームとしたほかは、
実施例１と同様にして、多層膜を得た。この膜の積層周
期をＸ線回折分析で調べたところ、４６オングストロー
ムとなっていることが確認された。
【０１２８】実施例１１３ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて５，１０，１５，２０−テトラ（２−フルオレニ
ル）ポルフィリンを用い、５，１０，１５，２０−テト
ラフェニルポルフィリナト亜鉛に代えて５，１０，１
５，２０−テトラ（２−フルオレニル）ポルフィリナト
カドミウムを用い、それぞれのポルフィリン誘導体の１
回ごとの堆積膜厚を２４オングストローム及び２６オン
グストロームとしたほかは、実施例１と同様にして、多
層膜を得た。この膜の積層周期をＸ線回折分析で調べた
ところ、５０オングストロームとなっていることが確認
された。
代えて５，１０，１５，２０−テトラ（２−フルオレニ
ル）ポルフィリンを用い、５，１０，１５，２０−テト
ラフェニルポルフィリナト亜鉛に代えて５，１０，１
５，２０−テトラ（２−フルオレニル）ポルフィリナト
カドミウムを用い、それぞれのポルフィリン誘導体の１
回ごとの堆積膜厚を２４オングストローム及び２６オン
グストロームとしたほかは、実施例１と同様にして、多
層膜を得た。この膜の積層周期をＸ線回折分析で調べた
ところ、５０オングストロームとなっていることが確認
された。
【０１２９】実施例１１４ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて５，１０，１５，２０−テトラキス（２，４−ジ
メトキシフェノール）ポルフィリナト鉛を用い、５，１
０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリナト亜鉛に
代えて５，１０，１５，２０−テトラキス（２，４−ジ
メトキシフェノール）ポルフィリナトコバルトを用い、
それぞれのポルフィリン誘導体の１回ごとの堆積膜厚を
２０オングストローム及び２６オングストロームとした
ほかは、実施例１と同様にして、多層膜を得た。この膜
の積層周期をＸ線回折分析で調べたところ、４６オング
ストロームとなっていることが確認された。
代えて５，１０，１５，２０−テトラキス（２，４−ジ
メトキシフェノール）ポルフィリナト鉛を用い、５，１
０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリナト亜鉛に
代えて５，１０，１５，２０−テトラキス（２，４−ジ
メトキシフェノール）ポルフィリナトコバルトを用い、
それぞれのポルフィリン誘導体の１回ごとの堆積膜厚を
２０オングストローム及び２６オングストロームとした
ほかは、実施例１と同様にして、多層膜を得た。この膜
の積層周期をＸ線回折分析で調べたところ、４６オング
ストロームとなっていることが確認された。
【０１３０】実施例１１５ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて５，１０，１５，２０−テトラビフェニルポルフ
ィリナト亜鉛を用い、５，１０，１５，２０−テトラフ
ェニルポルフィリナト亜鉛に代えて５，１０，１５，２
０−テトラビフェニルポルフィリナト鉛を用い、それぞ
れのポルフィリン誘導体の１回ごとの堆積膜厚を２２オ
ングストローム及び２６オングストロームとしたほか
は、実施例１と同様にして、多層膜を得た。この膜の積
層周期をＸ線回折分析で調べたところ、４８オングスト
ロームとなっていることが確認された。
代えて５，１０，１５，２０−テトラビフェニルポルフ
ィリナト亜鉛を用い、５，１０，１５，２０−テトラフ
ェニルポルフィリナト亜鉛に代えて５，１０，１５，２
０−テトラビフェニルポルフィリナト鉛を用い、それぞ
れのポルフィリン誘導体の１回ごとの堆積膜厚を２２オ
ングストローム及び２６オングストロームとしたほか
は、実施例１と同様にして、多層膜を得た。この膜の積
層周期をＸ線回折分析で調べたところ、４８オングスト
ロームとなっていることが確認された。
【０１３１】実施例１１６ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリンに
代えて２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オク
タエチルポルフィリナト亜鉛を用い、５，１０，１５，
２０−テトラフェニルポルフィリナト亜鉛に代えて２，
３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチルポ
ルフィリナトニッケルを用い、それぞれのポルフィリン
誘導体の１回ごとの堆積膜厚を２２オングストローム及
び２３オングストロームとしたほかは、実施例１と同様
にして、多層膜を得た。この膜の積層周期をＸ線回折分
析で調べたところ、４５オングストロームとなっている
ことが確認された。
代えて２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オク
タエチルポルフィリナト亜鉛を用い、５，１０，１５，
２０−テトラフェニルポルフィリナト亜鉛に代えて２，
３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチルポ
ルフィリナトニッケルを用い、それぞれのポルフィリン
誘導体の１回ごとの堆積膜厚を２２オングストローム及
び２３オングストロームとしたほかは、実施例１と同様
にして、多層膜を得た。この膜の積層周期をＸ線回折分
析で調べたところ、４５オングストロームとなっている
ことが確認された。
【０１３２】実施例１１７ ５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリン粉
末０．１ｇと、５，１０，１５，２０−テトラフェニル
ポルフィリナト亜鉛０．１ｇと、テトラベンゾポルフィ
リナトコバルト０．１ｇとを計り取り、それぞれを第１
石英るつぼと第２石英るつぼと第３石英るつぼとの中に
入れた。そして、第１石英るつぼを分子線蒸着装置の第
１分子線源室に、第２石英るつぼを第２分子線源室に、
第３石英るつぼを第３分子線源室に入れて、別々に、１
５０℃に加熱しながら液体窒素トラップのついた油拡散
式真空ポンプにより１０時間真空引きした。
末０．１ｇと、５，１０，１５，２０−テトラフェニル
ポルフィリナト亜鉛０．１ｇと、テトラベンゾポルフィ
リナトコバルト０．１ｇとを計り取り、それぞれを第１
石英るつぼと第２石英るつぼと第３石英るつぼとの中に
入れた。そして、第１石英るつぼを分子線蒸着装置の第
１分子線源室に、第２石英るつぼを第２分子線源室に、
第３石英るつぼを第３分子線源室に入れて、別々に、１
５０℃に加熱しながら液体窒素トラップのついた油拡散
式真空ポンプにより１０時間真空引きした。
【０１３３】一方、厚み０．５ｍｍ、直径４インチのシ
リコンウェハー（１００）に対し、酸素気流中で２００
℃に加熱しながら紫外線を当てた。次に、そのシリコン
ウェハーを純水で調整した１％のフッ化水溶液に１０分
間浸漬することにより、洗浄及びエッチングを行った。
そして、これを成長室内の基板ホルダにセットした。次
に、第１〜第３分子線源室内を液体窒素トラップのつい
た油拡散式真空ポンプにより真空引きしながら、どの試
料とも２４０℃に加熱した。そして、第１分子線源室
と、クライオポンプ、イオンポンプ、チタンゲッタポン
プ、液体窒素シュラウドにより１×１０-10 Ｔｏｒｒに
減圧された成長室との雰囲気を分離していた第１ゲート
バルブを開け、５，１０，１５，２０−テトラフェニル
ポルフィリンの基板への蒸着を開始した。このとき、堆
積膜厚を水晶振動子式膜厚計でモニタした。そして、堆
積膜厚が２０オングストロームに達したところで第１ゲ
ートバルブを閉じ、蒸着を停止した。次に、同様の手順
で、５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリ
ナト亜鉛を２０オングストローム蒸着した。さらに同様
にして、テトラベンゾポルフィリナトコバルトをこの上
から２０オングストローム蒸着した。この作業をそれぞ
れ交互に２０回ずつ繰り返して、多層膜を作成した。こ
の膜の積層周期をＸ線回折分析で調べたところ、６０オ
ングストロームとなっていることが確認された。
リコンウェハー（１００）に対し、酸素気流中で２００
℃に加熱しながら紫外線を当てた。次に、そのシリコン
ウェハーを純水で調整した１％のフッ化水溶液に１０分
間浸漬することにより、洗浄及びエッチングを行った。
そして、これを成長室内の基板ホルダにセットした。次
に、第１〜第３分子線源室内を液体窒素トラップのつい
た油拡散式真空ポンプにより真空引きしながら、どの試
料とも２４０℃に加熱した。そして、第１分子線源室
と、クライオポンプ、イオンポンプ、チタンゲッタポン
プ、液体窒素シュラウドにより１×１０-10 Ｔｏｒｒに
減圧された成長室との雰囲気を分離していた第１ゲート
バルブを開け、５，１０，１５，２０−テトラフェニル
ポルフィリンの基板への蒸着を開始した。このとき、堆
積膜厚を水晶振動子式膜厚計でモニタした。そして、堆
積膜厚が２０オングストロームに達したところで第１ゲ
ートバルブを閉じ、蒸着を停止した。次に、同様の手順
で、５，１０，１５，２０−テトラフェニルポルフィリ
ナト亜鉛を２０オングストローム蒸着した。さらに同様
にして、テトラベンゾポルフィリナトコバルトをこの上
から２０オングストローム蒸着した。この作業をそれぞ
れ交互に２０回ずつ繰り返して、多層膜を作成した。こ
の膜の積層周期をＸ線回折分析で調べたところ、６０オ
ングストロームとなっていることが確認された。
【０１３４】
【発明の効果】この発明によれば、表面精度にすぐれた
ポルフィリン薄膜及びその多層膜が得られる。この結
果、たとえば電極間に付着して用いた場合にはショート
が生じにくくなるので、太陽電池、光導電素子などに利
用できる膜が得られる。
ポルフィリン薄膜及びその多層膜が得られる。この結
果、たとえば電極間に付着して用いた場合にはショート
が生じにくくなるので、太陽電池、光導電素子などに利
用できる膜が得られる。
【図１】この発明の一実施例としての多層膜のＸ線回折
パターンを示す図。
パターンを示す図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０７Ｆ 3/02 Ｚ 7457−4Ｈ 3/06 3/08 15/04 9049−4Ｈ Ｈ０１Ｌ 21/90 Ｓ 7735−4Ｍ 31/04 31/0344 (72)発明者 石谷 炯 滋賀県大津市園山３丁目３番７号 株式会 社東レリサーチセンター内
Claims (10)
- 【請求項１】ポルフィリン誘導体からなり、表面におけ
る自乗平均粗さが１００オングストローム以下であるこ
とを特徴とするポルフィリン薄膜。 - 【請求項２】前記自乗平均粗さが１〜２０オングストロ
ームである、請求項１に記載のポルフィリン薄膜。 - 【請求項３】前記ポルフィリン誘導体は、5,10,15,20−
テトラフェニルポルフィリン、5,10,15,20−テトラフェ
ニルポルフィリナト亜鉛、5,10,15,20−テトラフェニル
ポルフィリナトコバルト、5,10,15,20−テトラフェニル
ポルフィリナト鉛、5,10,15,20−テトラフェニルポルフ
ィリナトニッケル、5,10,15,20−テトラフェニルポルフ
ィリナトマグネシウム、5,10,15,20−テトラフェニルポ
ルフィリナト銅及び5,10,15,20−テトラフェニルポルフ
ィリナトカドミウムの群から選ばれたポルフィリン誘導
体である、請求項１又は２に記載のポルフィリン薄膜。 - 【請求項４】ポルフィリン誘導体分子を加熱蒸発させ、
１×１０-7Ｔｏｒｒ未満の超高真空下で分子線として飛
行させることを特徴とするポルフィリン薄膜の製造方
法。 - 【請求項５】前記ポルフィリン誘導体は、5,10,15,20−
テトラフェニルポルフィリン、5,10,15,20−テトラフェ
ニルポルフィリナト亜鉛、5,10,15,20−テトラフェニル
ポルフィリナトコバルト、5,10,15,20−テトラフェニル
ポルフィリナト鉛、5,10,15,20−テトラフェニルポルフ
ィリナトニッケル、5,10,15,20−テトラフェニルポルフ
ィリナトマグネシウム、5,10,15,20−テトラフェニルポ
ルフィリナト銅及び5,10,15,20−テトラフェニルポルフ
ィリナトカドミウムの群から選ばれたポルフィリン誘導
体である、請求項４に記載のポルフィリン薄膜の製造方
法。 - 【請求項６】ポルフィリン薄膜を２層以上積層してな
り、該ポルフィリン薄膜は、接する薄膜同志が異なるポ
ルフィリンからなることを特徴とする多層膜。 - 【請求項７】前記ポルフィリン薄膜は２〜５０オングス
トロームの厚みを有している、請求項６に記載の多層
膜。 - 【請求項８】表面の自乗平均粗さが１００オングストロ
ーム以下である、請求項６に記載の多層膜。 - 【請求項９】表面の自乗平均粗さが１〜２０オングスト
ロームである、請求項７又は８に記載の多層膜。 - 【請求項１０】前記ポルフィリン薄膜は、5,10,15,20−
テトラフェニルポルフィリン、5,10,15,20−テトラフェ
ニルポルフィリナト亜鉛、5,10,15,20−テトラフェニル
ポルフィリナトコバルト、5,10,15,20−テトラフェニル
ポルフィリナト鉛、5,10,15,20−テトラフェニルポルフ
ィリナトニッケル、5,10,15,20−テトラフェニルポルフ
ィリナトマグネシウム、5,10,15,20−テトラフェニルポ
ルフィリナト銅及び5,10,15,20−テトラフェニルポルフ
ィリナトカドミウムの群から選ばれたポルフィリン誘導
体からなる、請求項６〜８のいずれかに記載の多層膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4068398A JPH05275771A (ja) | 1992-03-26 | 1992-03-26 | ポルフィリン薄膜、その製造方法及びそれを用いた多層膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4068398A JPH05275771A (ja) | 1992-03-26 | 1992-03-26 | ポルフィリン薄膜、その製造方法及びそれを用いた多層膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05275771A true JPH05275771A (ja) | 1993-10-22 |
Family
ID=13372554
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4068398A Pending JPH05275771A (ja) | 1992-03-26 | 1992-03-26 | ポルフィリン薄膜、その製造方法及びそれを用いた多層膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05275771A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0729793A1 (en) * | 1995-03-02 | 1996-09-04 | Research Development Corporation Of Japan | Organic thin film having structure orientated with high regularity and making method thereof |
| US6683175B2 (en) * | 2001-04-12 | 2004-01-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Porphyrin compound, and electrophotographic photosensitive member, process-cartridge and apparatus using the compound |
-
1992
- 1992-03-26 JP JP4068398A patent/JPH05275771A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0729793A1 (en) * | 1995-03-02 | 1996-09-04 | Research Development Corporation Of Japan | Organic thin film having structure orientated with high regularity and making method thereof |
| US6683175B2 (en) * | 2001-04-12 | 2004-01-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Porphyrin compound, and electrophotographic photosensitive member, process-cartridge and apparatus using the compound |
| US6833227B2 (en) | 2001-04-12 | 2004-12-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, process-cartridge and apparatus |
| JP2008189937A (ja) * | 2001-04-12 | 2008-08-21 | Canon Inc | ポルフィリナト亜鉛化合物の結晶 |
| JP4604106B2 (ja) * | 2001-04-12 | 2010-12-22 | キヤノン株式会社 | ポルフィリナト亜鉛化合物の結晶 |
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