JPH06152085A - 回路用絶縁基板 - Google Patents
回路用絶縁基板Info
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- JPH06152085A JPH06152085A JP4322708A JP32270892A JPH06152085A JP H06152085 A JPH06152085 A JP H06152085A JP 4322708 A JP4322708 A JP 4322708A JP 32270892 A JP32270892 A JP 32270892A JP H06152085 A JPH06152085 A JP H06152085A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】酸化ジルコニウムＺｒＯ2及び／又は酸化マグ
ネシウムＭｇＯと、シリコンよりも熱膨張係数の高い絶
縁体結晶とを含有する窒化珪素Ｓｉ3Ｎ4系セラミックス
よりなることを特徴とする回路用絶縁基板。 【効果】その熱膨張係数がシリコンのそれに近いことか
ら、シリコンチップ搭載時の接続不良やチップ剥離を防
止することができる。また、機械的強度が高いことか
ら、金属リードの接合時や回路用基板の搬送時の割れ、
カケを防止することができる。しかも主成分が窒化珪素
であって誘電率が小さいものであるから、信号伝播の高
速化を図ることができる。
ネシウムＭｇＯと、シリコンよりも熱膨張係数の高い絶
縁体結晶とを含有する窒化珪素Ｓｉ3Ｎ4系セラミックス
よりなることを特徴とする回路用絶縁基板。 【効果】その熱膨張係数がシリコンのそれに近いことか
ら、シリコンチップ搭載時の接続不良やチップ剥離を防
止することができる。また、機械的強度が高いことか
ら、金属リードの接合時や回路用基板の搬送時の割れ、
カケを防止することができる。しかも主成分が窒化珪素
であって誘電率が小さいものであるから、信号伝播の高
速化を図ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、回路用絶縁基板に関す
るもので、特に半導体パッケージなどの絶縁容器に好適
に利用され得る。
るもので、特に半導体パッケージなどの絶縁容器に好適
に利用され得る。
【０００２】
【従来の技術】回路用絶縁基板においては、信号伝播速
度の高速化、回路の高集積化が要求される。信号伝搬速
度の高速化を図るためには、電気信号の伝播遅延時間ｔ
と比誘電率εの平方根との間に比例関係があることか
ら、比誘電率の小さい絶縁材料を用いる必要がある。ま
た、高集積化のためにシリコンチップをセラミック多層
基板に直接搭載する構造のものがあるが、その場合チッ
プの接続不良や剥離を未然に防止するため、絶縁材料の
熱膨張係数は、シリコンチップのそれ（３．４×１０-6
／℃）に近いものが望ましい。加えて絶縁基板には、Ｉ
／Ｏピンや外部金属リードとの接合（通常、鑞付け）に
耐える機械的強度も必要である。
度の高速化、回路の高集積化が要求される。信号伝搬速
度の高速化を図るためには、電気信号の伝播遅延時間ｔ
と比誘電率εの平方根との間に比例関係があることか
ら、比誘電率の小さい絶縁材料を用いる必要がある。ま
た、高集積化のためにシリコンチップをセラミック多層
基板に直接搭載する構造のものがあるが、その場合チッ
プの接続不良や剥離を未然に防止するため、絶縁材料の
熱膨張係数は、シリコンチップのそれ（３．４×１０-6
／℃）に近いものが望ましい。加えて絶縁基板には、Ｉ
／Ｏピンや外部金属リードとの接合（通常、鑞付け）に
耐える機械的強度も必要である。
【０００３】一方、従来より、比誘電率の小さい絶縁材
料として、窒化珪素系セラミックスがあり、Ｓｉ3Ｎ4に
焼結助剤としてガラスを５〜３０％添加した焼結体（特
開昭５７−１６２３９３号公報）やＳｉ3Ｎ4にアルミ
ナ、窒化アルミニウムを固溶させたサイアロンと称する
焼結体（特開昭６２−３０６６３号公報）が知られてい
る。
料として、窒化珪素系セラミックスがあり、Ｓｉ3Ｎ4に
焼結助剤としてガラスを５〜３０％添加した焼結体（特
開昭５７−１６２３９３号公報）やＳｉ3Ｎ4にアルミ
ナ、窒化アルミニウムを固溶させたサイアロンと称する
焼結体（特開昭６２−３０６６３号公報）が知られてい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、特開昭５７−
１６２３９３号公報に記載された焼結体は、同公報の最
終行に記載されているように曲げ強度が１７ｋｇ／ｍｍ
2と低く、金属リード等を鑞付けする必要のある回路用
基板としての実用には適さない。この原因は定かでない
が、おそらく焼結体の強度がガラスの強度に依存したも
のと考えられる。
１６２３９３号公報に記載された焼結体は、同公報の最
終行に記載されているように曲げ強度が１７ｋｇ／ｍｍ
2と低く、金属リード等を鑞付けする必要のある回路用
基板としての実用には適さない。この原因は定かでない
が、おそらく焼結体の強度がガラスの強度に依存したも
のと考えられる。
【０００５】また、特開昭６２−３０６６３号公報に記
載された焼結体は、もともと熱膨張係数がシリコンのそ
れよりも小さい窒化珪素を主成分とするところ、その窒
化珪素が更に低膨張のサイアロンに変化している。従っ
て、同公報には、測定温度範囲を無視して、同焼結体の
熱膨張係数が２．９〜３．３×１０-6／℃と記載されて
いるものの、実際に常温〜４００℃の範囲で測定してみ
ると２．５×１０-6／℃以下であり、これも回路用基板
としての実用には適さない。
載された焼結体は、もともと熱膨張係数がシリコンのそ
れよりも小さい窒化珪素を主成分とするところ、その窒
化珪素が更に低膨張のサイアロンに変化している。従っ
て、同公報には、測定温度範囲を無視して、同焼結体の
熱膨張係数が２．９〜３．３×１０-6／℃と記載されて
いるものの、実際に常温〜４００℃の範囲で測定してみ
ると２．５×１０-6／℃以下であり、これも回路用基板
としての実用には適さない。
【０００６】本発明の目的は、このような従来技術の課
題を解決し、機械的強度、誘電率及び熱膨張係数の３特
性を兼備した回路用絶縁基板を提供することにある。
題を解決し、機械的強度、誘電率及び熱膨張係数の３特
性を兼備した回路用絶縁基板を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】その第１の手段は、酸化
ジルコニウムＺｒＯ2１０〜２０重量％を含有する窒化
珪素Ｓｉ3Ｎ4系セラミックスよりなることを特徴とする
回路用絶縁基板にある。
ジルコニウムＺｒＯ2１０〜２０重量％を含有する窒化
珪素Ｓｉ3Ｎ4系セラミックスよりなることを特徴とする
回路用絶縁基板にある。
【０００８】第２の手段は、酸化ジルコニウムＺｒＯ2
２０重量％以下と、シリコンよりも熱膨張係数の高い絶
縁性結晶とを含有する窒化珪素Ｓｉ3Ｎ4系セラミックス
よりなることを特徴とする回路用絶縁基板にある。
２０重量％以下と、シリコンよりも熱膨張係数の高い絶
縁性結晶とを含有する窒化珪素Ｓｉ3Ｎ4系セラミックス
よりなることを特徴とする回路用絶縁基板にある。
【０００９】この第２の手段において、望ましいのは、
絶縁性結晶を酸化マグネシウムＭｇＯ、イットリアＹ2
Ｏ3、アルミナＡｌ2Ｏ3及びシリカＳｉＯ2のうちから選
ばれる少なくとも１種とするものである。
絶縁性結晶を酸化マグネシウムＭｇＯ、イットリアＹ2
Ｏ3、アルミナＡｌ2Ｏ3及びシリカＳｉＯ2のうちから選
ばれる少なくとも１種とするものである。
【００１０】第３の手段は、酸化マグネシウムＭｇＯ５
〜２０重量％を含有する窒化珪素Ｓｉ3Ｎ4系セラミック
スよりなることを特徴とする回路用絶縁基板にある。
〜２０重量％を含有する窒化珪素Ｓｉ3Ｎ4系セラミック
スよりなることを特徴とする回路用絶縁基板にある。
【００１１】第４の手段は、酸化マグネシウムＭｇＯ２
０重量％以下と、シリコンよりも熱膨張係数の高い絶縁
性結晶とを含有する窒化珪素Ｓｉ3Ｎ4系セラミックスよ
りなることを特徴とする回路用絶縁基板にある。
０重量％以下と、シリコンよりも熱膨張係数の高い絶縁
性結晶とを含有する窒化珪素Ｓｉ3Ｎ4系セラミックスよ
りなることを特徴とする回路用絶縁基板にある。
【００１２】この第４の手段において、望ましいのは、
絶縁性結晶を酸化ジルコニウムＺｒＯ2、イットリアＹ2
Ｏ3、アルミナＡｌ2Ｏ3及びシリカＳｉＯ2のうちから選
ばれる少なくとも１種とするものである。
絶縁性結晶を酸化ジルコニウムＺｒＯ2、イットリアＹ2
Ｏ3、アルミナＡｌ2Ｏ3及びシリカＳｉＯ2のうちから選
ばれる少なくとも１種とするものである。
【００１３】ここで、窒化珪素Ｓｉ3Ｎ4系セラミックス
とは、主たる結晶がＳｉ3Ｎ4であるものに限らず、これ
にＡｌ、Ｏ等が固溶して主たる結晶がサイアロン化した
ものをも指す。
とは、主たる結晶がＳｉ3Ｎ4であるものに限らず、これ
にＡｌ、Ｏ等が固溶して主たる結晶がサイアロン化した
ものをも指す。
【００１４】
【作用】酸化ジルコニウム及び酸化マグネシウムは、熱
膨張係数を高める。また、酸化ジルコニウムにあって
は、機械的強度をも高める。但し、酸化ジルコニウムの
場合、含有量が１０％より少ないとその作用に乏しく、
他方、２０％より多くなると基板の誘電率が高くなって
好ましくない。また、酸化マグネシウムの場合、含有量
が５％より少ないとその作用に乏しく、他方、２０％よ
り多くなると基板の機械的強度が低くなって好ましくな
い。
膨張係数を高める。また、酸化ジルコニウムにあって
は、機械的強度をも高める。但し、酸化ジルコニウムの
場合、含有量が１０％より少ないとその作用に乏しく、
他方、２０％より多くなると基板の誘電率が高くなって
好ましくない。また、酸化マグネシウムの場合、含有量
が５％より少ないとその作用に乏しく、他方、２０％よ
り多くなると基板の機械的強度が低くなって好ましくな
い。
【００１５】このように、酸化ジルコニウムは、過剰に
なると誘電率が高くなりすぎるし、酸化マグネシウム
は、過剰になると機械的強度を下げてしまうので、低誘
電率及び高強度を維持しつつ、更に熱膨張係数を高めた
い場合に、シリコンよりも熱膨張係数の高い絶縁性結晶
を添加含有させる。これら絶縁性結晶の含有量は、酸化
ジルコニウムまたは酸化マグネシウムとの合量で４０％
以下となるのが良い。４０％より多いとマトリックスの
窒化珪素が相対的に少なくなって、かえって低誘電率及
び高強度を実現できなくなるからである。
なると誘電率が高くなりすぎるし、酸化マグネシウム
は、過剰になると機械的強度を下げてしまうので、低誘
電率及び高強度を維持しつつ、更に熱膨張係数を高めた
い場合に、シリコンよりも熱膨張係数の高い絶縁性結晶
を添加含有させる。これら絶縁性結晶の含有量は、酸化
ジルコニウムまたは酸化マグネシウムとの合量で４０％
以下となるのが良い。４０％より多いとマトリックスの
窒化珪素が相対的に少なくなって、かえって低誘電率及
び高強度を実現できなくなるからである。
【００１６】この絶縁性結晶は、例えば当該結晶粉末の
形態でまたは焼成後に当該結晶となる化合物の形態で原
料の窒化珪素に添加されて、焼結後に当該絶縁性結晶の
形態で析出するか又は残ることにより、熱膨張係数の高
い絶縁性結晶が低膨張の窒化珪素と相殺し合って基板全
体の熱膨張係数をシリコンのそれと近いものにする。
形態でまたは焼成後に当該結晶となる化合物の形態で原
料の窒化珪素に添加されて、焼結後に当該絶縁性結晶の
形態で析出するか又は残ることにより、熱膨張係数の高
い絶縁性結晶が低膨張の窒化珪素と相殺し合って基板全
体の熱膨張係数をシリコンのそれと近いものにする。
【００１７】
−実施例１− 純度９９．９％、平均粒径０．９μｍのβ型窒化珪素、
純度９９．９％、平均粒径０．７μｍの酸化アルミニウ
ム、純度９９．９％、平均粒径２．１μｍの酸化イット
リウム及び純度９９．９％、平均粒径１．６μｍの酸化
ジルコニウムを表１に示す組成割合で秤量し、ボールミ
ルを用いてアセトン中で混合し、ドクターブレードにて
厚さ０．４ｍｍのグリーンシートに成形した。このグリ
ーンシートを１８枚積層し熱圧着後、温度１６００℃、
圧力２００ｋｇ／ｃｍ2、保持時間３０分の条件でホッ
トプレスすることによって、大きさ３５×３５×３．５
ｍｍのセラミックス焼結体Ｎｏ．１〜６を製造した。
純度９９．９％、平均粒径０．７μｍの酸化アルミニウ
ム、純度９９．９％、平均粒径２．１μｍの酸化イット
リウム及び純度９９．９％、平均粒径１．６μｍの酸化
ジルコニウムを表１に示す組成割合で秤量し、ボールミ
ルを用いてアセトン中で混合し、ドクターブレードにて
厚さ０．４ｍｍのグリーンシートに成形した。このグリ
ーンシートを１８枚積層し熱圧着後、温度１６００℃、
圧力２００ｋｇ／ｃｍ2、保持時間３０分の条件でホッ
トプレスすることによって、大きさ３５×３５×３．５
ｍｍのセラミックス焼結体Ｎｏ．１〜６を製造した。
【００１８】これら焼結体Ｎｏ．１〜６について、熱膨
張係数（室温〜４００℃平均）、抗折強度及び誘電率を
測定した結果を表１に併記する。
張係数（室温〜４００℃平均）、抗折強度及び誘電率を
測定した結果を表１に併記する。
【表１】 表１の結果から、酸化ジルコニウムが熱膨張係数を高め
るのに有効であることが判った。また、その含有量が、
１０〜２０％のときに抗折強度も６１ｋｇ／ｍｍ2以上
と高く、且つ誘電率が１０未満となることが判った。
るのに有効であることが判った。また、その含有量が、
１０〜２０％のときに抗折強度も６１ｋｇ／ｍｍ2以上
と高く、且つ誘電率が１０未満となることが判った。
【００１９】尚、セラミックスＮｏ．１〜６は、いずれ
も窒化珪素系結晶のほかにアルミナＡｌ2Ｏ3結晶及びイ
ットリアＹ2Ｏ3結晶を含んでいることがＸ線回折によっ
て確認された。更にセラミックスＮｏ．２〜６について
は、ＺｒＯ2結晶をも含んでいることが確認された。
も窒化珪素系結晶のほかにアルミナＡｌ2Ｏ3結晶及びイ
ットリアＹ2Ｏ3結晶を含んでいることがＸ線回折によっ
て確認された。更にセラミックスＮｏ．２〜６について
は、ＺｒＯ2結晶をも含んでいることが確認された。
【００２０】−実施例２− 次に組成を表２の割合に変え、場合により原料粉末とし
て純度９９．９％、平均粒径２．１μｍの酸化ケイ素及
び純度９９．９％、平均粒径０．８μｍの酸化マグネシ
ウムを追加したこと以外は、実施例１と同じ条件にて混
合、成形及びホットプレスすることによって、セラミッ
クス焼結体Ｎｏ．７〜１２を製造した。
て純度９９．９％、平均粒径２．１μｍの酸化ケイ素及
び純度９９．９％、平均粒径０．８μｍの酸化マグネシ
ウムを追加したこと以外は、実施例１と同じ条件にて混
合、成形及びホットプレスすることによって、セラミッ
クス焼結体Ｎｏ．７〜１２を製造した。
【００２１】これらセラミックス焼結体Ｎｏ．７〜１２
について、熱膨張係数（室温〜４００℃平均）、抗折強
度及び誘電率を測定した結果を表２に併記する。
について、熱膨張係数（室温〜４００℃平均）、抗折強
度及び誘電率を測定した結果を表２に併記する。
【表２】 表２の結果のうちのセラミックスＮｏ．７，８，１０，
１１，１２と、表１のセラミックスＮｏ．５とを対比す
れば、誘電率を高めるＺｒＯ2の一部を他の絶縁性結晶
と置換することにより、誘電率を高めることなく、Ｓｉ
に近い熱膨張係数と高強度を発揮できることが判った。
１１，１２と、表１のセラミックスＮｏ．５とを対比す
れば、誘電率を高めるＺｒＯ2の一部を他の絶縁性結晶
と置換することにより、誘電率を高めることなく、Ｓｉ
に近い熱膨張係数と高強度を発揮できることが判った。
【００２２】尚、セラミックスＮｏ．７〜１２は、いず
れも窒化珪素系結晶のほかにアルミナＡｌ2Ｏ3結晶及び
イットリアＹ2Ｏ3結晶を含んでいることがＸ線回折によ
って確認された。更にセラミックスＮｏ．７，８，１０
〜１２についてはＺｒＯ2結晶を、セラミックスＮｏ．
１１についてはＳｉＯ2結晶を、セラミックスＮｏ．１
２についてはＭｇＯ結晶をも含んでいることが確認され
た。
れも窒化珪素系結晶のほかにアルミナＡｌ2Ｏ3結晶及び
イットリアＹ2Ｏ3結晶を含んでいることがＸ線回折によ
って確認された。更にセラミックスＮｏ．７，８，１０
〜１２についてはＺｒＯ2結晶を、セラミックスＮｏ．
１１についてはＳｉＯ2結晶を、セラミックスＮｏ．１
２についてはＭｇＯ結晶をも含んでいることが確認され
た。
【００２３】−実施例３− 実施例１において、酸化ジルコニウムＺｒＯ2に代えて
酸化マグネシウムＭｇＯを用いたこと以外は、実施例１
と同じ条件にて混合、成形及びホットプレスすることに
よって、セラミックス焼結体Ｎｏ．１３〜１８を製造し
た。
酸化マグネシウムＭｇＯを用いたこと以外は、実施例１
と同じ条件にて混合、成形及びホットプレスすることに
よって、セラミックス焼結体Ｎｏ．１３〜１８を製造し
た。
【００２４】これらセラミックス焼結体Ｎｏ．１３〜１
８について、熱膨張係数（室温〜４００℃平均）、抗折
強度及び誘電率を測定した結果を表３に併記する。
８について、熱膨張係数（室温〜４００℃平均）、抗折
強度及び誘電率を測定した結果を表３に併記する。
【表３】 表３の結果から、酸化マグネシウムが熱膨張係数を高め
るのに有効であり、しかも酸化ジルコニウム程に誘電率
を高めないことが判った。また、その含有量が、２０％
以下のときに抗折強度も５０ｋｇ／ｍｍ2以上と高くな
るとなることが判った。
るのに有効であり、しかも酸化ジルコニウム程に誘電率
を高めないことが判った。また、その含有量が、２０％
以下のときに抗折強度も５０ｋｇ／ｍｍ2以上と高くな
るとなることが判った。
【００２５】尚、セラミックスＮｏ．１３〜１８は、い
ずれも窒化珪素系結晶のほかにアルミナＡｌ2Ｏ3結晶及
びイットリアＹ2Ｏ3結晶を含んでいることがＸ線回折に
よって確認された。更にセラミックスＮｏ．１４〜１８
については、ＭｇＯ結晶をも含んでいることが確認され
た。
ずれも窒化珪素系結晶のほかにアルミナＡｌ2Ｏ3結晶及
びイットリアＹ2Ｏ3結晶を含んでいることがＸ線回折に
よって確認された。更にセラミックスＮｏ．１４〜１８
については、ＭｇＯ結晶をも含んでいることが確認され
た。
【００２６】−実施例４− 次に組成を表４の割合に変え、場合により原料粉末とし
て純度９９．９％、平均粒径２．１μｍの酸化ケイ素及
び純度９９．９％、平均粒径０．８μｍの酸化ジルコニ
ウムを追加したこと以外は、実施例３と同じ条件にて混
合、成形及びホットプレスすることによって、セラミッ
クス焼結体Ｎｏ．１９〜２４を製造した。
て純度９９．９％、平均粒径２．１μｍの酸化ケイ素及
び純度９９．９％、平均粒径０．８μｍの酸化ジルコニ
ウムを追加したこと以外は、実施例３と同じ条件にて混
合、成形及びホットプレスすることによって、セラミッ
クス焼結体Ｎｏ．１９〜２４を製造した。
【００２７】これらセラミックス焼結体Ｎｏ．１９〜２
４について、熱膨張係数（室温〜４００℃平均）、抗折
強度及び誘電率を測定した結果を表４に併記する。
４について、熱膨張係数（室温〜４００℃平均）、抗折
強度及び誘電率を測定した結果を表４に併記する。
【表４】 表４の結果のうちのセラミックスＮｏ．１９，２０，２
２，２３，２４と、表３のセラミックスＮｏ．１６〜１
８とを対比すれば、強度を弱めるＭｇＯの一部を他の絶
縁性結晶と置換することにより、強度を弱めることな
く、Ｓｉに近い熱膨張係数と低誘電率を発揮できること
が判った。
２，２３，２４と、表３のセラミックスＮｏ．１６〜１
８とを対比すれば、強度を弱めるＭｇＯの一部を他の絶
縁性結晶と置換することにより、強度を弱めることな
く、Ｓｉに近い熱膨張係数と低誘電率を発揮できること
が判った。
【００２８】尚、セラミックスＮｏ．１９，２０，２２
〜２４は、いずれも窒化珪素系結晶のほかにアルミナＡ
ｌ2Ｏ3結晶及びイットリアＹ2Ｏ3結晶を含んでいること
がＸ線回折によって確認された。更にセラミックスＮ
ｏ．１９，２０，２２〜２４についてはＭｇＯ結晶を、
セラミックスＮｏ．２３についてはＳｉＯ2結晶を、セ
ラミックスＮｏ．２４についてはＺｒＯ2結晶をも含ん
でいることが確認された。
〜２４は、いずれも窒化珪素系結晶のほかにアルミナＡ
ｌ2Ｏ3結晶及びイットリアＹ2Ｏ3結晶を含んでいること
がＸ線回折によって確認された。更にセラミックスＮ
ｏ．１９，２０，２２〜２４についてはＭｇＯ結晶を、
セラミックスＮｏ．２３についてはＳｉＯ2結晶を、セ
ラミックスＮｏ．２４についてはＺｒＯ2結晶をも含ん
でいることが確認された。
【００２９】−実施例５− 実施例１のセラミックスＮｏ．３及びセラミックスＮ
ｏ．５並びに実施例２のセラミックスＮｏ．１２の組成
のグリーンシートを準備し、各グリーンシートの一辺
４．７５ｍｍで囲まれる正方形領域及びその内側に一辺
４．３０ｍｍで囲まれる正方形領域の各辺上に直径１２
０μｍの孔を２５０μのピッチで１４４個打ち抜き、Ｗ
ペーストで充填し、４枚積層し熱圧着し切断後、温度１
６００℃、圧力２００ｋｇ／ｃｍ2、保持時間３０分の
条件でホットプレスし、両面研磨することによって、大
きさ２０×２０×０．５ｍｍのセラミックス基板を製造
した。
ｏ．５並びに実施例２のセラミックスＮｏ．１２の組成
のグリーンシートを準備し、各グリーンシートの一辺
４．７５ｍｍで囲まれる正方形領域及びその内側に一辺
４．３０ｍｍで囲まれる正方形領域の各辺上に直径１２
０μｍの孔を２５０μのピッチで１４４個打ち抜き、Ｗ
ペーストで充填し、４枚積層し熱圧着し切断後、温度１
６００℃、圧力２００ｋｇ／ｃｍ2、保持時間３０分の
条件でホットプレスし、両面研磨することによって、大
きさ２０×２０×０．５ｍｍのセラミックス基板を製造
した。
【００３０】得られた基板は、表と裏とで気密性が良
く、また、孔に充填したＷペーストはＷＣとなってい
た。各基板につき、孔の表面と裏面との間の電気抵抗値
を測定したところ、１０個の孔の平均値で、Ｎｏ．３の
組成の基板が３．８×１０-5Ωｃｍ、Ｎｏ．５の組成の
基板が３．９×１０-5Ωｃｍ、Ｎｏ．１２の組成の基板
が４．２×１０-5Ωｃｍであった。
く、また、孔に充填したＷペーストはＷＣとなってい
た。各基板につき、孔の表面と裏面との間の電気抵抗値
を測定したところ、１０個の孔の平均値で、Ｎｏ．３の
組成の基板が３．８×１０-5Ωｃｍ、Ｎｏ．５の組成の
基板が３．９×１０-5Ωｃｍ、Ｎｏ．１２の組成の基板
が４．２×１０-5Ωｃｍであった。
【００３１】
【発明の効果】本発明回路用絶縁基板は、その熱膨張係
数がシリコンのそれに近いことから、シリコンチップ搭
載時の接続不良やチップ剥離を防止することができる。
また、機械的強度が高いことから、金属リードの接合時
や回路用基板の搬送時の割れ、カケを防止することがで
きる。しかも主成分が窒化珪素であって誘電率が小さい
ものであるから、信号伝播の高速化を図ることができ
る。
数がシリコンのそれに近いことから、シリコンチップ搭
載時の接続不良やチップ剥離を防止することができる。
また、機械的強度が高いことから、金属リードの接合時
や回路用基板の搬送時の割れ、カケを防止することがで
きる。しかも主成分が窒化珪素であって誘電率が小さい
ものであるから、信号伝播の高速化を図ることができ
る。
Claims (6)
- 【請求項１】 酸化ジルコニウムＺｒＯ2１０〜２０重
量％を含有する窒化珪素Ｓｉ3Ｎ4系セラミックスよりな
ることを特徴とする回路用絶縁基板。 - 【請求項２】 酸化ジルコニウムＺｒＯ2２０重量％以
下と、シリコンよりも熱膨張係数の高い絶縁性結晶とを
含有する窒化珪素Ｓｉ3Ｎ4系セラミックスよりなること
を特徴とする回路用絶縁基板。 - 【請求項３】 絶縁性結晶が酸化マグネシウムＭｇＯ、
イットリアＹ2Ｏ3、アルミナＡｌ2Ｏ3及びシリカＳｉＯ
2のうちから選ばれる少なくとも１種である請求項２の
回路用絶縁基板。 - 【請求項４】 酸化マグネシウムＭｇＯ５〜２０重量％
を含有する窒化珪素Ｓｉ3Ｎ4系セラミックスよりなるこ
とを特徴とする回路用絶縁基板。 - 【請求項５】 酸化マグネシウムＭｇＯ２０重量％以下
と、シリコンよりも熱膨張係数の高い絶縁性結晶とを含
有する窒化珪素Ｓｉ3Ｎ4系セラミックスよりなることを
特徴とする回路用絶縁基板。 - 【請求項６】 絶縁性結晶が酸化ジルコニウムＺｒ
Ｏ2、イットリアＹ2Ｏ3、アルミナＡｌ2Ｏ3及びシリカ
ＳｉＯ2のうちから選ばれる少なくとも１種である請求
項５の回路用絶縁基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4322708A JPH06152085A (ja) | 1992-11-05 | 1992-11-05 | 回路用絶縁基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4322708A JPH06152085A (ja) | 1992-11-05 | 1992-11-05 | 回路用絶縁基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06152085A true JPH06152085A (ja) | 1994-05-31 |
Family
ID=18146739
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4322708A Pending JPH06152085A (ja) | 1992-11-05 | 1992-11-05 | 回路用絶縁基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06152085A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100963531B1 (ko) * | 2009-12-21 | 2010-06-15 | (주) 젠텍 | 방폭용 엘이디 조명장치 |
| WO2023084957A1 (ja) * | 2021-11-15 | 2023-05-19 | 黒崎播磨株式会社 | 窒化珪素複合材料及びプローブ案内部品 |
-
1992
- 1992-11-05 JP JP4322708A patent/JPH06152085A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100963531B1 (ko) * | 2009-12-21 | 2010-06-15 | (주) 젠텍 | 방폭용 엘이디 조명장치 |
| WO2023084957A1 (ja) * | 2021-11-15 | 2023-05-19 | 黒崎播磨株式会社 | 窒化珪素複合材料及びプローブ案内部品 |
| JP2023073077A (ja) * | 2021-11-15 | 2023-05-25 | 黒崎播磨株式会社 | 窒化珪素複合材料及びプローブ案内部品 |
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