JPH06151917A - 光起電力装置の製造装置 - Google Patents
光起電力装置の製造装置Info
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- JPH06151917A JPH06151917A JP4328822A JP32882292A JPH06151917A JP H06151917 A JPH06151917 A JP H06151917A JP 4328822 A JP4328822 A JP 4328822A JP 32882292 A JP32882292 A JP 32882292A JP H06151917 A JPH06151917 A JP H06151917A
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- amorphous semiconductor
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Abstract
−SiGe層をi層とする光起電力装置を量産できる製
造装置を提供することを目的とする。 【構成】 第2反応室20内の上側放電電極23と下側
放電電極24を、両電極間隔が基板1の搬送方向に沿っ
て次第に広がった後に狭まるように設置し、プラズマを
生起させるための放電電力密度が基板1の搬送方向に沿
って変化するように構成した。
Description
いて、非晶質太陽電池等の光起電力装置を製造する装置
に関する。
陽光発電が注目されている。その中でも特に非晶質太陽
電池は、低コスト化に有望であることから、研究開発が
積極的に進められている。
ガラス基板上に、透明導電膜、p型非晶質半導体膜、i
型非晶質半導体膜、n型非晶質半導体膜(以下、これら
を各々p層,i層,n層と略称することがある)、及び
金属電極をこの順で積層して形成される。
により形成されるが、一つの反応室でこれら全ての層を
形成する場合には、不純物混入による膜質低下といった
不具合を生じるので、これを回避すべく、pin各層を
別々のプラズマCVD反応室で順番に形成していく、い
わゆる連続分離形成プラズマ反応法が用いられる(特開
昭60−30182号公報参照)。
分離形成プラズマ反応装置である。この装置は、仕込み
室101、第1反応室110、第2反応室120、第3
反応室130、及び取出室140を備え、基板1が上記
の各室101〜130を順に経ていく過程で基板1にp
in層を形成するようになっている。
機構(図示しない)が備えられており、各室間はゲート
バルブ(仕切弁)141によって仕切られている。ま
た、各室には、基板加熱ヒータ103、真空度を計る真
空計、室内を減圧させる真空ポンプなどが備えられる。
を形成するためのCVD反応室であり、この反応室内に
は、ガスボンベ112からバルブを介してシランガス
(SiH4)、ジボランガス(B2H6)、及びメタンガ
ス(CH4)が供給される。
を形成するためのCVD反応室であり、この反応室内に
は、ガスボンベ122からバルブを介してシランガス
(SiH4)、及びゲルマンガス(GeH4)が供給され
る。
を形成するためのCVD反応室であり、この反応室内に
は、ガスボンベ132からバルブを介してシランガス
(SiH4)、及びホスフィンガス(PH3)が供給され
る。
導体膜の膜厚は、例えば、p層が150Å、i層が30
00〜4000Å、n層が300〜500Åである。i
層は他の2層に比べて膜厚が格段に厚いため、スループ
ットの向上を目的とし、i層形成用の第2反応室120
は、第1,第3反応室110,130よりも基板1の搬
送方向に長く、基板1を同時に複数枚収容できるように
なっている。
応装置では、第2反応室120内にゲルマンガス(Ge
H4)を供給しているため、a−SiGeのi層を持つ
pin構造を形成することができる。このa−SiGe
は、a−Siでは吸収できない長波長光に対して感度を
持つため、非晶質太陽電池の光電変換効率の向上に寄与
することができる。
た光キャリアの収集特性に若干の問題がある。このた
め、この収集特性の改善を図るべく、a−SiGeのi
層のバンドギャップをp層側から一度狭くした後、n層
側に向けて再度広げたような構造(ダブルグレーデッド
構造)が考え出されている(5th international Pho
tovoltaic Science and Engineering Conference (1
990.11.26 〜30 京都)予稿集 P.387〜390 参照)。
連続分離形成プラズマ反応装置を普通に用いてi層を形
成したのでは、上記のようなダブルグレーデッド構造を
得ることはできない。
ランガス(SiH4)とゲルマンガス(GeH4)の混合
比を、形成しようとするバンドギャップに対応させて変
化させることが考えられている。例えば、シランガスの
流量を30CC/分に一定にしておき、ゲルマンガスの流
量を0CC/分から5CC/分に増加させた後、再度0CC/
分まで減少させる。
板1が存在し、且つ、これら基板1は反応室120内を
順に搬送されていくため、前記のように供給ガスの混合
比を変化させた場合、一枚目の基板については所望のバ
ンドギャップ構造を得ることができたとしても、二枚目
以降の基板については同一のバンドギャップ構造を得る
ことはできない。
ギャップを得るためには、ガスの混合比を基板1の進行
方向に沿って変化させる必要があるが、第2反応室12
0内は各基板1ごとに空間を仕切られたものではないか
ら、ガス混合比を基板進行方向に沿って正確に変化させ
ることは困難である。
半導体膜を形成するための反応室内に順次搬送されてく
る複数の基板の各々に対して所望のバンドギャップ構造
を形成することができる光起電力装置の製造装置を提供
することを目的とする。
置の製造装置は、上記の課題を解決するために、複数個
の反応室をそれぞれ仕切弁等を介して直列に接続し、基
板を各室に順に搬送していく過程でp型,i型,n型非
晶質半導体膜の成膜を順次行って光起電力装置を製造す
る装置において、i型非晶質半導体膜の成膜を行う反応
室は、他のp型,n型非晶質半導体膜の成膜を行う反応
室に比べて基板搬送方向に長く、複数枚の基板を同時に
収容してこれらを順次搬送する機構を有し、且つこの反
応室内でプラズマを生起させるための放電電力密度及び
/又は基板温度を基板の搬送方向に沿って変化させる手
段を備えたことを特徴としている。
を生起させるための放電電力密度及び/又は基板温度で
あり、これら放電電力密度及び/又は基板温度は、従来
のガス混合比を変化させるのとは違って基板進行方向に
沿って正確に変化させることができるため、反応室内を
搬送されていく複数の基板の一つ一つに所望のバンドギ
ャップ構造を持つi型非晶質半導体膜を形成することが
できる。
れば、以下の通りである。
分離形成プラズマ反応装置である。この装置は、仕込み
室5、第1反応室10、第2反応室20、第3反応室3
0、及び取出室40を直列に備えており、基板1を各室
に順に搬送していく過程でp型,i型,n型非晶質半導
体膜の成膜を順次行って光起電力装置を形成するもので
ある。上記の第2反応室20は、第1,第3反応室1
0,30よりも基板1の搬送方向に長く形成されてお
り、基板1を同時に複数枚(3〜5枚)収容できるよう
になっている。
示しない)が備えられ、各室間はゲートバルブ(仕切
弁)61によって仕切られている。また、各室には、室
内を減圧させるための真空ポンプが接続される排気経路
62が備えられている。
設けられており、基板1は上記ヒータ51上を通過して
予備加熱されるようになっている。
半導体膜(a−Si膜)を成膜するためのCVD反応室
であり、シランガス(SiH4)、ジボランガス(B2H
6)、及びメタンガス(CH4)を室内に導入するための
ガス供給系11を備えている。また、第1反応室10内
には、高周波電源(RF)12に接続された上側放電電
極13及び下側放電電極14が一定の間隔を有して配備
されており、上記高周波電源12により電極13,14
間に高周波電界が印加されると、電極間に均一の電力密
度でグロー放電が生起されるようになっている。更に、
下側放電電極14内には、基板加熱ヒータ15が内蔵さ
れており、電極13,14間を通過する基板1を加熱す
るようになっている。
層上にi型非晶質半導体膜(a−SiGe膜)を成膜す
るためのCVD反応室であり、シランガス(Si
H4)、及びゲルマンガス(GeH4)を室内に導入する
ためのガス供給系21を備えている。また、第2反応室
20内には、高周波電源22に接続された上側放電電極
23及び下側放電電極24が配備されており、上記高周
波電源22により電極23,24間に高周波電界が印加
されると、グロー放電が生起されるようになっている。
更に、下側放電電極24内には、基板加熱ヒータ25が
内蔵されており、電極23,24間を通過する基板1を
加熱するようになっている。
上側放電電極23と下側放電電極24との間隔は、基板
1の進行方向に沿って次第に広がった後に次第に狭まる
ように設定されている。従って、両電極23,24間の
放電電力密度は、基板1の進行方向に沿って漸減した後
に漸増する。
3cmとし、B地点での電極間隔を10cmとし、C地
点での電極間隔を再び3cmとしている。また、第2反
応室20における他の条件は、以下のように設定されて
いる。 シランガス(SiH4)の流量 30CC/分 ゲルマンガス(GeH4)の流量 5CC/分 基板温度 200℃ 高周波出力 20W 反応室内圧力 0.1Torr
n型非晶質半導体膜(n型a−Si膜)を成膜するため
のCVD反応室であり、シランガス(SiH4)、及び
ホスフィンガス(PH3)を室内に導入するためのガス
供給系31を備えている。また、第3反応室30内に
は、高周波電源32に接続された上側放電電極33およ
び下側放電電極34が一定の間隔を有して配備されてお
り、高周波電源33により電極33,34間に高周波電
界が印加されると、電極間に均一の電力密度でグロー放
電が生起されるようになっている。更に、下側放電電極
34内には、基板加熱ヒータ35が内蔵されており、電
極33,34間を通過する基板1を加熱するようになっ
ている。
両電極23,24間の間隔が基板1の進行方向に沿って
次第に広がった後次第に狭まるように設定されているの
で、プラズマを生起させるための放電電力密度は、基板
1の進行方向に沿って漸減された後に漸増される。
ルマンガス(GeH4)は、シランガス(SiH4)より
も低い放電電力密度で分解されるため、反応室20内の
ガス混合比は一定でも反応室20内の各地点での分解比
率は放電電力密度の高低で異なるものとなり、i型非晶
質半導体膜のうちB地点で形成されたものが最も高いG
e濃度を有することになる。従って、B地点に至るまで
に形成されるi層のバンドギャップは漸減することにな
り、B地点を経て形成されるi層のバンドギャップは漸
増することになる。
のバンドギャップ断面図である。このi層のバンドギャ
ップは、p層側から厚み方向に500Åまでの間に1.7
eVから1.4eVにまで漸減され、その後、n層までの
2500Åの間に漸増して1.7eVとなる。即ち、ダブ
ルグレーデッド構造を持つことになる。
度であり、この放電電力密度は従来のガス混合比の変化
とは違って基板1の進行方向に沿って正確に変化させる
ことができるため、反応室20内を移動していく複数の
基板1の一つ一つに所望のバンドギャップ構造を持つi
層を形成することができる。
例の光起電力装置の製造装置は、放電電力密度を基板の
進行方向に沿って漸減した後に漸増させるようにした点
で上記の実施例1と共通するが、両電極23,24の間
隔は変えず、上側放電電極23を4つに分割して各電極
に印加する高周波電界の出力を変えるようにしたもので
ある。
方向に分割された分割電極23a〜23dにて構成さ
れ、各分割電極23a〜23dには、それぞれ高周波出
力の異なる或いは調節可能な高周波電源22a〜22d
が接続される。本実施例では、高周波電源22a(図中
D地点に対応)については50w程度に、高周波電源2
2b(図中E地点に対応)については15W程度に、高
周波電源22c(図中F地点に対応)については35W
程度に、高周波電源22d(図中G地点に対応)につい
ては再び50W程度となるように設定してある。
形成されるi型非晶質半導体膜のバンドギャップはステ
ップ状に変化するものの、実施例1と同様の効果を持た
せることができる。
は放電電力密度であるから、従来のガス混合比の変化と
は違って基板1の進行方向に沿って正確に変化させるこ
とが可能であり、反応室20内を移動していく複数の基
板1の一つ一つに所望のバンドギャップを持つi型非晶
質半導体膜を形成することができる。
例の光起電力装置の製造装置は、放電電力密度は一定の
ままで、第2反応室20内を通過する基板1の温度を基
板1の搬送方向に沿って変化させるようにしたものであ
る。
送方向に断熱材26・・・を介して分割した4つの分割ヒ
ータ25a〜25dにて構成し、図中H地点での基板温
度が80℃、I地点での基板温度が200℃、J地点で
の基板温度が140℃、K地点での基板温度が再び80
℃となるように基板温度を調節できるようになってい
る。即ち、各ヒータ25a〜25d間は断熱材26・・・
により断熱され、更に基板1の搬送スピードを第2反応
室20内を通過するのに1〜2時間程度かけることでI
地点での基板温度が200℃、J地点での基板温度が1
40℃、K地点での基板温度が再び80℃となるように
基板温度を調節できる。
通過する基板1の温度は、基板1の進行方向に沿って次
第に上昇した後次第に低下する。i型非晶質半導体膜の
水素量は、基板1の温度によって変化するため、反応室
20内のガス混合比及び放電電力密度は一定でも反応室
20内の各地点で形成されるi型非晶質半導体膜内の水
素量は基板温度の変化で異なるものとなる。従って、こ
の水素量の変化に起因してi型非晶質半導体膜のバンド
ギャップは、p層側からn層側に向けて漸減した後漸増
する構造を持つことになる。
制御よりも正確に行えるから、反応室20内を移動して
いく複数の基板1の一つ一つに所望のバンドギャップ構
造を持つi型非晶質半導体膜を形成することができる。
たは基板温度のいずれかを変化させるようにしたが、基
板温度と放電電力密度の双方を変化させてもよいことは
勿論である。また、a−SiGe膜のみならず、a−S
iC膜のような非晶質Siアロイ膜をi層とする場合に
も同等の効果を得ることができる。
内を搬送されていく複数の基板の一つ一つに所望のバン
ドギャップを持つi層を形成することができ、高品質の
i層を持つ光起電力装置の量産が可能になるという効果
を奏する。
示す概略断面図である。
ある。
を示す概略断面図である。
を示す概略断面図である。
図である。
Claims (1)
- 【請求項1】 複数個の反応室をそれぞれ仕切弁等を介
して直列に接続し、基板を各室に順に搬送していく過程
でp型,i型,n型非晶質半導体膜の成膜を順次行って
光起電力装置を製造する装置において、 i型非晶質半導体膜の成膜を行う反応室は、他のp型,
n型非晶質半導体膜の成膜を行う反応室に比べて基板搬
送方向に長く、複数枚の基板を同時に収容してこれらを
順次搬送する機構を有し、且つこの反応室内でプラズマ
を生起させるための放電電力密度及び/又は基板温度を
基板の搬送方向に沿って変化させる手段を備えたことを
特徴とする光起電力装置の製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4328822A JP2977686B2 (ja) | 1992-11-13 | 1992-11-13 | 光起電力装置の製造方法及びその製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4328822A JP2977686B2 (ja) | 1992-11-13 | 1992-11-13 | 光起電力装置の製造方法及びその製造装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06151917A true JPH06151917A (ja) | 1994-05-31 |
JP2977686B2 JP2977686B2 (ja) | 1999-11-15 |
Family
ID=18214482
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4328822A Expired - Lifetime JP2977686B2 (ja) | 1992-11-13 | 1992-11-13 | 光起電力装置の製造方法及びその製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2977686B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5736431A (en) * | 1995-02-28 | 1998-04-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for producing thin film solar battery |
-
1992
- 1992-11-13 JP JP4328822A patent/JP2977686B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5736431A (en) * | 1995-02-28 | 1998-04-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for producing thin film solar battery |
US6100465A (en) * | 1995-02-28 | 2000-08-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Solar battery having a plurality of I-type layers with different hydrogen densities |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2977686B2 (ja) | 1999-11-15 |
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