JPH06151485A

JPH06151485A - 半導体装置用パッケージ

Info

Publication number: JPH06151485A
Application number: JP4302280A
Authority: JP
Inventors: Toshisuke Saka; 俊祐坂; Seisaku Yamanaka; 正策山中; Takao Maeda; 貴雄前田; Keizo Harada; 敬三原田; Takatoshi Takigawa; 貴稔瀧川
Original assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Current assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date: 1992-11-12
Filing date: 1992-11-12
Publication date: 1994-05-31

Abstract

(57)【要約】【目的】この発明の半導体装置用パッケージは、ノイ
ズの低減、および放熱性という両者の点で優れ、またコ
ストの低減を実現するものである。【構成】金属基板１上に配線基板２を形成し、この配
線基板２上に絶縁接着剤層３を塗布して複数のリード４
−１〜４−４を接着し、半導体装置（例えば集積回路チ
ップ）５を金属基板１の中央に接着し、さらに複数の引
き出し線６−１〜６−８によって結線を行い、この後に
液状の合成樹脂を上方から滴下して硬化させ、封止樹脂
２１を形成している。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、スイッチングノイズ
や発熱の対策が必要とされる半導体装置を搭載する半導
体装置用パッケージに関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、マイクロプロセッサ等の半導体装
置においては、入出力信号の多様化、処理の高速化が著
しく進展してきており、素子のスイッチング動作時に生
じるスイッチングノイズ、配線の端で生じる反射ノイ
ズ、各配線間で生じる漏れノイズ等が大きな問題となっ
てきている。このため、それらのノイズを低減するため
の対策が実施されている。

【０００３】例えば、半導体装置のパッケージとして、
セラミック積層パッケージを利用する場合は、このパッ
ケージ自体を多層配線化することができるので、電源系
のインダクタンスを低減させたり、各配線間の漏れノイ
ズを低減させたり、ノイズをバイパスさせるなどの対策
を実施することができる。

【０００４】図１６はセラミック積層パッケージの一例
を概略的に示している。ここでは、多層配線基板１６１
上に装着された半導体装置１６２と各リードピン１６
３，１６３との間に、各導線１６４，１６４および各コ
ンデンサ１６５，１６５からなるノイズのバイパス回路
を介在させている。

【０００５】また、パッケージとして、図１７に示すよ
うに半導体装置１７１を封入した合成樹脂のパッケージ
１７２を利用する場合は、図１８に示すようにノイズの
バイパス用コンデンサ１７３を周辺回路の配線に外付け
するのが一般的である。

【０００６】ここで、セラミック積層パッケージと合成
樹脂パッケージを比較してみると、セラミック積層パッ
ケージにおいては半導体装置の近傍にコンデンサを設け
ているのに対し、合成樹脂パッケージにおいては半導体
装置から離れた位置にコンデンサを設けている。

【０００７】この合成樹脂パッケージのように半導体装
置からコンデンサまでの距離が長い場合、半導体装置と
コンデンサ間の配線のインダクタンスを無視することが
できなくなる。このため、ノイズを効果的に低減させる
という点で、セラミック積層パッケージの方が合成樹脂
パッケージよりも有利である。

【０００８】一方、ＣＭＯＳ型の半導体装置は、高速化
に伴い、発熱量が増大するので、放熱性についても考慮
せねばならない。この放熱性の点では、セラミック積層
パッケージは熱伝導性が良いので、有利であるが、合成
樹脂パッケージは熱伝導性が良くないので、不利であ
る。通常、消費電力が１（Ｗ）程度までであれば、放熱
性の悪い合成樹脂パッケージでも対応できるが、１
（Ｗ）を越える場合はセラミック積層パッケージを用い
なければならない。

【０００９】したがって、ノイズの低減、および放熱性
という両者の点で、セラミック積層パッケージは合成樹
脂パッケージを上回っていると言え、高速化を実現した
半導体装置にはセラミック積層パッケージを適用するの
が好ましかった。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、セラミ
ック積層パッケージは、セラミックシートと高融点金属
層を交互に積層し、高温で焼成することにより製造され
るのであって、その製造コストが非常に高い。このた
め、セラミック積層パッケージを適用するしかない半導
体装置は、コストを低減することができなかった。

【００１１】そこで、この発明の課題は、ノイズの低
減、および放熱性という両者の点で優れ、かつ低いコス
トの半導体装置用パッケージを得ることにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、この発明においては、半導体装置が配置された金属
基板と、この金属基板上に配置され、前記半導体装置へ
とそれぞれの経路を介して接続される複数のリードと、
絶縁薄膜および配線薄膜を前記金属基板上に積層してな
り、前記各リードのうちの少なくとも一部を前記半導体
装置へと中継接続する配線基板とを備え、前記金属基板
上で、前記半導体装置、前記配線基板、前記各リードの
端を合成樹脂を用いて封止し、この金属基板の下側裏面
を外部に露出して構成される。

【００１３】また、この発明においては、前記配線基板
に、配線薄膜および受動素子からなる回路を形成してい
る。

【００１４】

【作用】この発明によれば、半導体装置の電源系のパッ
ドと電源系のリードとの間を、金属基板もしくは配線薄
膜によって中継接続することができる。金属基板および
配線薄膜は、配線面積が大きいため、パッケージ内部の
インダクタンスを下げることができ、その結果スイッチ
ングノイズを低減することが可能となる。

【００１５】また、面積が大きい金属基板に半導体装置
を搭載し、金属基板の裏面を外部に露出する構造であ
る。この金属基板は、熱伝導率が大きいため、半導体装
置で発生した熱を広範囲に逃がすことができる。また、
図１７に示した通常のプラスッチックパッケージの様に
全体が樹脂に包まれていないため、金属基板から外部へ
の放熱を阻害することがない。したがって、高い放熱性
を得ることができる。さらに、より一層の放熱性が要求
される場合には、金属基板の裏面に放熱フィンを接合し
たり、放熱フィンを一体成形した金属基板を適用しても
良い。

【００１６】さらに、樹脂封止を行っているので、従来
のセラミック積層パッケージと比較して量産性に優れ、
低コストを実現できる。また、必要に応じて、封止樹脂
と金属基板とが機械的に強く接合される構造を採用すれ
ば、封止樹脂と金属基板間で発生する水分の侵入を防止
するのに効果があり、高い信頼性を得ることが可能であ
る。

【００１７】一方、配線基板上に抵抗素子を形成するこ
とができるので、信号電位のオーバーシュートを抑止す
るいわゆるダンピング抵抗や、反射ノイズを吸収するい
わゆる終端抵抗を付設して、ノイズを低減することがで
きる。また、金属基板と配線薄膜間に誘電体の絶縁薄膜
を形成して、これらの金属基板と配線薄膜をそれぞれ電
源系ラインとして利用すれば、これらの電源系ラインに
容量の大きいバイパスコンデンサを挿入することになる
ので、ノイズを吸収することができる。さらに、特定の
配線回路に対して配線の寄生容量の調節が高周波システ
ムにおいては必要とされることが多いので、こうした要
求に対しては、誘電体薄膜を配線薄膜に適宜に配設し
て、寄生インダクタンスの小さいコンデンサを形成する
ことにより対処することができる。

【００１８】

【実施例】以下、この発明の実施例について図面を参照
して詳細に説明する。

【００１９】図１および図２には、この発明に係わる半
導体装置用パッケージの第１の実施例が示されている。
図１はパッケージを上側から見た平面図であり、図２は
図１のＡ−Ａ′に沿って切断して見たときの断面図であ
る。なお、図１においては、図２に示されている封止樹
脂２１を省略している。

【００２０】この実施例のパッケージでは、金属基板１
上に配線基板２を形成し、この配線基板２上に絶縁接着
剤層３を塗布して複数のリード４−１〜４−４を接着
し、半導体装置（例えば集積回路チップ）５を金属基板
１の中央に接着し、さらに複数の引き出し線６−１〜６
−８によって結線を行い、この後に液状の合成樹脂を上
方から滴下して硬化させ、封止樹脂２１を形成する。

【００２１】金属基板１は、銅合金を厚さ２（ｍｍ）に
圧延した圧延板から形成されたものである。また、金属
基板１の端には、複数のロックホール７が設けられてお
り、これらのロックホール７に封止樹脂２１の一部が流
れ込むことにより、金属基板１と封止樹脂２１間の密着
性が向上されている。

【００２２】配線基板２は、絶縁薄膜８、配線薄膜９お
よび抵抗素子１０からなる。絶縁薄膜８は、気層蒸着法
によって形成された厚さ５（μｍ）の酸化マグネシュウ
ム薄膜である。配線薄膜９は、厚さ０．２（μｍ）の金
薄膜、厚さ０．５（μｍ）のニッケル薄膜、厚さ５．０
（μｍ）のアルミニウム薄膜からなる３層構造であり、
これらの薄膜を気層蒸着法によって順次積層したもので
ある。抵抗素子１０は、気層蒸着法によって形成された
ニッケルクロム薄膜である。

【００２３】なお、金属基板１、絶縁薄膜８、配線薄膜
９および抵抗素子１０の仕様を図３の表に示しておく。

【００２４】各引き出し線６−１〜６−８は、ワイヤボ
ンディングによって形成されたものであり、リードを半
導体装置１に直接接続したり、リードを配線基板２を介
して半導体装置１に接続したり、半導体装置１およびリ
ードを金属基板１に接続している。なお、引き出し線が
接続される半導体装置１の部位には、ボンディングパッ
ドが設けられている。また、引き出し線が接続される金
属基板１の部位には、ワイヤボンディングを可能にする
金属層が予め形成されている。

【００２５】さて、配線薄膜９は、絶縁薄膜８上で配線
パターンを形成しており、この配線パターンに抵抗素子
１０が組み込まれている。この配線パターンを通じて、
抵抗素子１０の一端が引き出し線６−２に接続され、抵
抗素子１０の他端が引き出し線６−３に接続されてい
る。また、引き出し線６−２は、絶縁接着剤層３に形成
されている孔１１を介してリード４−２に接続され、引
き出し線６−３は、半導体装置５に接続されている。し
たがって、リード４−２は、抵抗素子１０を介して半導
体装置１に接続されることとなるが、この抵抗素子１０
は、リード４−２を通じて入出力される信号電位のオー
バーシュートを抑止する所謂ダンピング抵抗の役目を果
たしたり、また配線の端からの反射ノイズを吸収して低
減する役目を果たしている。

【００２６】また、リード４−４の外側端から半導体装
置５が配置されている金属基板１の中央までのインダク
タンスを測定したところ、８（ｎＨ）であった。一方、
従来の合成樹脂パッケージにおいては、リードの外部端
から半導体装置近傍までのインダクタンスが１５〜２０
（ｎＨ）であった。したがって、従来の合成樹脂パケッ
トと比較すると、この実施例のパケットにおいては、ス
イッチングノイズが低減される。

【００２７】さらに、ここでは、金属基板１の下側面が
外部に露出しているので、半導体装置５で発生した熱は
金属基板１に伝達され、この金属基板１の下側面から放
射される。このため、このパッケージは、放熱を十分に
行うことができる。

【００２８】図４および図５には、第２の実施例が示さ
れており、図４はパッケージを上側から見た平面図であ
り、図５は図４のＢ−Ｂ′に沿って切断して見たときの
断面図である。なお、図４においては、図５に示されて
いる封止樹脂５１を省略している。

【００２９】この実施例のパッケージでは、金属基板３
１上に配線基板３２を形成し、複数のリード３３−１〜
３３−６を配設支持して、これらのリードのうちの各リ
ード３３−１，３３−３を絶縁接着剤層３４を介して配
線基板３２上に接着し、半導体装置３５を金属基板３１
の中央に接着し、さらに複数の引き出し線３６−１〜３
６−１０によって結線を行い（ワイヤボンディング）、
この後にトランスファモールドによって、金属基板３１
の上側を覆う封止樹脂５１を形成する。そして、最後
に、金属基板３１の下側面に放熱フィン３７を接着して
いる。

【００３０】金属基板３１は、銅合金を厚さ３（ｍｍ）
に圧延した圧延板から形成されたものである。

【００３１】配線基板３２は、絶縁薄膜３８、配線薄膜
３９、絶縁薄膜４０、抵抗素子４１を含む配線薄膜４２
を順次積層したものである。各絶縁薄膜３８，４０は、
気層蒸着法によって形成された厚さ５（μｍ）の酸化ア
ルミニウム薄膜である。各配線薄膜３９，４２は、気層
蒸着法によって形成された厚さ５．０（μｍ）のアルミ
ニウム薄膜である。抵抗素子４１は、気層蒸着法によっ
て形成されたニッケルクロム薄膜である。

【００３２】なお、金属基板３１、各絶縁薄膜３８，４
０、各配線薄膜３９，４２および抵抗素子４１の仕様を
図６の表に示しておく。

【００３３】各引き出し線３６−１〜３６−１０は、リ
ードを半導体装置３５に接続したり、リードを配線基板
３２を介して半導体装置３５に接続したり、半導体装置
３５およびリードを金属基板３１に接続している。

【００３４】さて、配線薄膜４２は、絶縁薄膜４０上で
配線パターンを形成しており、この配線パターンに抵抗
素子４１が組み込まれている。この配線パターンを通じ
て、抵抗素子４１の一端が引き出し線３６−２に接続さ
れ、抵抗素子４１の他端が引き出し線３６−３に接続さ
れている。また、引き出し線３６−２は、リード３３−
２に接続され、引き出し線３６−３は、半導体装置３５
に接続されている。したがって、リード３３−２は、抵
抗素子４１を通じて半導体装置３５に接続されている。
この抵抗素子４１は、リード３３−２を通じて入出力さ
れる信号電位のオーバーシュートを抑止する役目、およ
び配線の端からの反射ノイズを低減する役目を果たす。

【００３５】また、金属基板３１、絶縁薄膜３８および
配線薄膜３９をコンデンサとみなすと、その静電容量は
１（ｎＦ）となる。そこで、配線薄膜３９を半導体装置
３５に供給される電源電圧の高電位側とし、かつ金属基
板３１を接地電位側とすると、この電源にノイズのバイ
パスコンデンサを並列接続したこととなる。一方、リー
ド３３−６の外側端から半導体装置３５が配置されてい
る金属基板３１の中央までのインダクタンスの測定値
は、８（ｎＨ）であった。このようなバイパスコンデン
サと、低インダクタンスにより、この実施例のパケット
においては、スイッチングノイズが効果的に低減され
る。

【００３６】さらに、この実施例では、金属基板３１の
下側面に放熱フィン３７を設けたことから、放熱の効率
を高くすることができる。

【００３７】図７および図８には、第３の実施例が示さ
れており、図７はパッケージを上側から見た平面図であ
り、図８は図７のＣ−Ｃ′に沿って切断して見たときの
断面図である。なお、図７においては、図８に示されて
いる封止樹脂８１および金属蓋８２を省略している。

【００３８】この実施例のパッケージでは、金属基板６
１上に配線基板６２を形成し、各リード６３−１，６３
−２を絶縁接着剤層６４を介して配線基板６２上に接着
し、リード６３−３を配線基板６２上に直接接合し、各
リード６３−４，６３−５を金属基板６１上に直接接合
し、半導体装置６５を金属基板６１の中央に接着し、さ
らに複数の引き出し線６６−１〜６６−５によって結線
を行い、この後に金属蓋８２を金属基板６１に対向配置
し、金属蓋８２の端と金属基板６１の端間を封止樹脂８
１によって封止している。

【００３９】金属基板６１は、アルミニウム合金を厚さ
２（ｍｍ）に圧延した圧延板から形成されたものであ
る。

【００４０】配線基板６２は、絶縁薄膜６７、配線薄膜
６８および抵抗素子６９からなる。絶縁薄膜６７は、気
層蒸着法によって形成された厚さ５（μｍ）の酸化シリ
コン薄膜である。配線薄膜６８は、電気メッキ法によっ
て形成された厚さ２．０（μｍ）のアルミニウム薄膜で
ある。抵抗素子６８は、気層蒸着法によって形成された
窒化タンタル薄膜である。

【００４１】なお、金属基板６１、絶縁薄膜６７、配線
薄膜６８および抵抗素子６９の仕様を図９の表に示して
おく。

【００４２】各リード６３−３，６３−４，６３−５
は、予めオフセット加工されたものであり、導電性接着
剤、半田、Ａｕ系合金の拡散等によって、配線基板６２
の配線パターンおよび金属基板６１上に直接接合され
る。

【００４３】このような構成において、放熱性能を評価
したところ、無風状態で、熱抵抗θｊａが２２（摂氏度
／Ｗ）であった。これと比較するために、同一外形の合
成樹脂（ＱＦＰ）について評価したところ、熱抵抗θｊ
ａが３８（摂氏度／Ｗ）であった。したがって、この実
施例によれば、放熱性が大幅に改善されたと言える。

【００４４】また、抵抗素子６９によって、リード６３
−３を通じて入出力される信号のノイズが低減されるの
は、上記他の各実施例と同様である。

【００４５】図１０および図１１には、第４の実施例が
示されており、図１０はパッケージを上側から見た平面
図であり、図１１は図１０のＤ−Ｄ′に沿って切断して
見たときの断面図である。なお、図１０においては、図
１１に示されている封止樹脂１１１および金属蓋１１２
を省略している。

【００４６】この実施例のパッケージでは、金属基板９
１上に配線基板９２を形成し、各リード９３−１〜９３
−３を配線基板９２上に直接接合し、半導体装置９４を
金属基板９１の中央に接着し、さらに複数の短絡切片９
５−１〜９５−３によって結線を行い、この後に金属蓋
１１２を金属基板９１に対向配置し、金属蓋１１２の端
と金属基板９１の端間を封止樹脂１１１によって封止し
ている。

【００４７】金属基板９１は、アルミニウム合金を厚さ
２（ｍｍ）に圧延した圧延板から形成されたものであ
る。また、金属基板９１の端、および金属蓋１１２の端
には、複数のロックホール９７、および複数のロックホ
ール１１３が設けられており、これらのロックホールに
封止樹脂１１１の一部が流れ込むことにより、金属基板
９１と封止樹脂１１１間、および金属蓋１１２と封止樹
脂１１１間の密着性が向上されている。

【００４８】配線基板９２は、絶縁薄膜９８、配線薄膜
９９、抵抗素子１００および容量素子１０１からなる。
絶縁薄膜９８は、ポリイミドを厚さ５（μｍ）に塗布し
て硬化させた薄膜である。配線薄膜９９は、気層蒸着法
によって形成された厚さ２．０（μｍ）のアルミニウム
薄膜である。抵抗素子１００は、気層蒸着法によって形
成された窒化タンタル薄膜である。容量素子１０１は、
気層蒸着法によって形成された酸化タンタル薄膜であ
る。

【００４９】なお、金属基板９１、絶縁薄膜９８、配線
薄膜９９、抵抗素子１００および容量素子１０１の仕様
を図１２の表に示しておく。

【００５０】各リード９３−１〜９３−３は、導電性接
着剤、半田、Ａｕ系合金の拡散等によって、配線基板９
２の配線パターンに直接接合される。

【００５１】各短絡切片９５−１〜９５−３は、ＴＡＢ
（Tape Automated Bonding）方式によって装着されたも
のであり、各リード９３−１〜９３−３と半導体装置９
４間をそれぞれ接続している。

【００５２】このような構成において、放熱性能を評価
したところ、先に述べた第３の実施例と同様に、熱抵抗
θｊａが２２（摂氏度／Ｗ）という結果が得られた。

【００５３】また、配線薄膜９９は、絶縁薄膜９８上で
配線パターンを形成しており、この配線パターンに抵抗
素子１００および容量素子１０１が組み込まれている。
この抵抗素子１００によって、リード９３−１に入出力
される信号のノイズが低減されるのは、上記他の各実施
例と同様である。

【００５４】図１３および図１４には、第５の実施例が
示されており、図１３はパッケージを上側から見た平面
図であり、図１４は図１３のＥ−Ｅ′に沿って切断して
見たときの断面図である。なお、図１３においては、図
１４に示されている封止樹脂１４１および金属蓋１４２
を省略している。

【００５５】この実施例のパッケージでは、金属基板１
２１の下側面に放熱フィン１２２を設け、この金属基板
１２１上に配線基板１２３を形成し、複数のリード１２
４−１〜１２４−４を配設支持し、これらのリードのう
ちの各リード１２４−１，１２４−２を絶縁接着剤層１
２５を介して配線基板１２３上に接着し、半導体装置１
２６を金属基板１２１の中央に接着し、さらに複数の引
き出し線１２７−１〜１２７−７によって結線を行い、
この後に金属蓋１４２を金属基板１２１に対向配置し、
金属蓋１４２の端と金属基板１２１の端間を封止樹脂１
４１によって封止している。

【００５６】金属基板１２１は、銅合金を厚さ２（ｍ
ｍ）に圧延した圧延板から形成されたものである。

【００５７】配線基板１２３は、絶縁薄膜１２８、抵抗
素子１２９を含む配線薄膜１３０を順次積層したもので
ある。絶縁薄膜１２８は、気層蒸着法によって形成され
た厚さ５（μｍ）の酸化アルミニウム薄膜である。配線
薄膜１３０は、気層蒸着法によって形成された厚さ２．
０（μｍ）の金薄膜である。抵抗素子１２９は、気層蒸
着法によって形成されたニッケルクロム薄膜である。

【００５８】なお、金属基板１２１、絶縁薄膜１２８、
配線薄膜１３０および抵抗素子１２９の仕様を図１５の
表に示しておく。

【００５９】このような構成において、放熱性能を評価
したところ、無風状態で、熱抵抗θｊａが１４（摂氏度
／Ｗ）であり、先に述べた第３および第４の各実施例よ
りも、良好な結果を得た。これは、放熱フィン１２２の
効果が反映されたと言える。

【００６０】また、抵抗素子１２９によって、リード１
２４−２を通じて入出力される信号のノイズが低減され
るのは、上記他の各実施例と同様である。

【００６１】このように上記各実施例では、金属基板上
に、半導体装置、および該半導体装置を囲む配線基板を
配設し、複数のリードのうちの少なくとも一部を配線基
板を介して半導体装置に接続している。したがって、ノ
イズを低減するための回路を配線基板に組み込めば、こ
の回路と半導体装置間のインダクタンスは無視できる程
度のものであることから、有効なノイズ対策を実現する
ことができる。また、金属基板の下側面は、露出してい
るので、この面から十分な放熱が行われる。さらに、安
価な合成樹脂によって、配線基板、半導体装置、リード
の端を金属基板上で封止しているので、コストの低減を
実現することができる。

【００６２】なお、絶縁体としては、酸化アルミニウ
ム、酸化ケイ素、酸化マグネシウム、窒化ケイ素、ダイ
ヤモンド、酸化タンタル、チタン酸バリウム、ポリイミ
ド等があるので、適宜に選択して使用すれば良い。

【００６３】

【効果】以上のように、この発明の半導体装置用パッケ
ージでは、金属基板上で、半導体装置、配線基板、各リ
ードの端を合成樹脂を用いて封止し、金属基板の下側面
を露出しているので、ここから十分な放熱が行われる。
また、半導体装置の近傍に配設された配線基板には、ノ
イズを低減するための適宜な回路を設けることができ
る。さらに、金属基板、配線基板、複数のリード、合成
樹脂という安価な材料を利用しているため、製造コスト
が低くて済む。

【００６４】したがって、この発明は、入出力信号の多
様化、処理の高速化を実現した半導体装置に適格なパッ
ケージとして、安価なものを得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の半導体装置用パッケージの第１の実
施例を示す平面図

【図２】図１に示すパッケージの断面図

【図３】図１に示すパッケージにおける金属基板、絶縁
薄膜、配線薄膜および抵抗素子の仕様を示す表

【図４】この発明の半導体装置用パッケージの第２の実
施例を示す平面図

【図５】図４に示すパッケージの断面図

【図６】図４に示すパッケージにおける金属基板、絶縁
薄膜、配線薄膜および抵抗素子の仕様を示す表

【図７】この発明の半導体装置用パッケージの第３の実
施例を示す平面図

【図８】図７に示すパッケージの断面図

【図９】図８に示すパッケージにおける金属基板、絶縁
薄膜、配線薄膜および抵抗素子の仕様を示す表

【図１０】この発明の半導体装置用パッケージの第４の
実施例を示す平面図

【図１１】図１０に示すパッケージの断面図

【図１２】図１０に示すパッケージにおける金属基板、
絶縁薄膜、配線薄膜、抵抗素子および容量素子の仕様を
示す表

【図１３】この発明の半導体装置用パッケージの第５の
実施例を示す平面図

【図１４】図１３に示すパッケージの断面図

【図１５】図１３に示すパッケージにおける金属基板、
絶縁薄膜、配線薄膜、および抵抗素子の仕様を示す表

【図１６】従来のセラミック積層パッケージを示す断面
図

【図１７】従来の合成樹脂パッケージを示す断面図

【図１８】従来の合成樹脂パッケージを利用する場合の
ノイズ対策を例示する図

【符号の説明】

１，３１，６１，９１，１２１金属基板２，３２，６２，９２，１２３配線基板３，３４，６４，１２５絶縁接着剤層４，３３，６３，９３，１２４リード５，３５，６５，９４，１２６半導体装置６，３６，６６，１２７引き出し線２１，５１，８１，１１１，１４１封止樹脂３７，１２２放熱フィン８２，１１２，１４２金属蓋９５短絡切片

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成５年７月１３日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】図面の簡単な説明

【補正方法】変更

【補正内容】

【図面の簡単な説明】

【図２】図１に示すパッケージの断面図

【図３】図１に示すパッケージにおける金属基板、絶縁
薄膜、配線薄膜および抵抗素子の仕様を示す図表

【図５】図４に示すパッケージの断面図

【図６】図４に示すパッケージにおける金属基板、絶縁
薄膜、配線薄膜および抵抗素子の仕様を示す図表

【図８】図７に示すパッケージの断面図

【図９】図８に示すパッケージにおける金属基板、絶縁
薄膜、配線薄膜および抵抗素子の仕様を示す図表

【図１１】図１０に示すパッケージの断面図

【図１２】図１０に示すパッケージにおける金属基板、
絶縁薄膜、配線薄膜、抵抗素子および容量素子の仕様を
示す図表

【図１４】図１３に示すパッケージの断面図

【図１５】図１３に示すパッケージにおける金属基板、
絶縁薄膜、配線薄膜、および抵抗素子の仕様を示す図表

【図１６】従来のセラミック積層パッケージを示す断面
図

【図１７】従来の合成樹脂パッケージを示す断面図

【符号の説明】１，３１，６１，９１，１２１金属基板２，３２，６２，９２，１２３配線基板３，３４，６４，１２５絶縁接着剤層４，３３，６３，９３，１２４リード５，３５，６５，９４，１２６半導体装置６，３６，６６，１２７引き出し線２１，５１，８１，１１１，１４１封止樹脂３７，１２２放熱フィン８２，１１２，１４２金属蓋９５短絡切片

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者原田敬三伊丹市昆陽北一丁目１番１号住友電気工業株式会社伊丹製作所内 (72)発明者瀧川貴稔伊丹市昆陽北一丁目１番１号住友電気工業株式会社伊丹製作所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体装置が配置された金属基板と、この金属基板上に配置され、前記半導体装置へとそれぞ
れの経路を介して接続される複数のリードと、絶縁薄膜および配線薄膜を前記金属基板上に積層してな
り、前記各リードのうちの少なくとも一部を前記半導体
装置へと中継接続する配線基板とを備え、前記金属基板上で、前記半導体装置、前記配線基板、前
記各リードの端を合成樹脂を用いて封止し、この金属基
板の下側裏面を外部に露出してなる半導体装置用パッケ
ージ。
【請求項２】前記各リードのうちの少なくとも一部
は、絶縁体を介して前記配線基板に固定され、この配線
基板の配線薄膜を介して前記半導体装置に、前記金属基
板を介して該半導体装置に、あるいは短絡線によって直
ちに該半導体装置に接続される請求項１記載の半導体装
置用パッケージ。
【請求項３】前記各リードのうちの少なくとも一部
は、前記配線基板の配線薄膜に直に接続されて固定さ
れ、この配線薄膜を介して半導体装置に接続される請求
項１記載の半導体装置用パッケージ。
【請求項４】前記配線基板には、配線薄膜および受動
素子からなる回路が形成される請求項１記載の半導体装
置用パッケージ。