JPH06151434A - 金属配線およびその形成方法 - Google Patents
金属配線およびその形成方法Info
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- JPH06151434A JPH06151434A JP4326128A JP32612892A JPH06151434A JP H06151434 A JPH06151434 A JP H06151434A JP 4326128 A JP4326128 A JP 4326128A JP 32612892 A JP32612892 A JP 32612892A JP H06151434 A JPH06151434 A JP H06151434A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、絶縁膜とタングステン膜との間に
形成した密着層やコンタクトホールを埋め込む状態に形
成したタングステン膜の継ぎ目部分をエッチングするこ
となく配線を形成することで、配線の信頼性の向上を図
る。 【構成】 絶縁膜１３に設けたコンタクトホール１４の
内壁と当該絶縁膜１３の表面とに形成した導電性の密着
層１５と、このコンタクトホール１４の内部を埋め込む
状態にして、密着層１５上に配設した第１の金属配線１
６と、第１の金属配線１６とは異なる金属よりなるもの
で当該第１の金属配線１６上に形成した第２の金属配線
１７とよりなるものである。上記第１の金属配線１６を
形成する第１の金属膜は、例えばブランケットタングス
テン−ＣＶＤ法によって形成される。
形成した密着層やコンタクトホールを埋め込む状態に形
成したタングステン膜の継ぎ目部分をエッチングするこ
となく配線を形成することで、配線の信頼性の向上を図
る。 【構成】 絶縁膜１３に設けたコンタクトホール１４の
内壁と当該絶縁膜１３の表面とに形成した導電性の密着
層１５と、このコンタクトホール１４の内部を埋め込む
状態にして、密着層１５上に配設した第１の金属配線１
６と、第１の金属配線１６とは異なる金属よりなるもの
で当該第１の金属配線１６上に形成した第２の金属配線
１７とよりなるものである。上記第１の金属配線１６を
形成する第１の金属膜は、例えばブランケットタングス
テン−ＣＶＤ法によって形成される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の配線およ
びその製造方法に利用されるもので、特に金属配線およ
びその形成方法に関するものである。
びその製造方法に利用されるもので、特に金属配線およ
びその形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の設計ルールの微細化にとも
なって、コンタクト孔の径も小さくなってきている。と
ころが絶縁耐圧を確保するための層間絶縁膜の膜厚はほ
とんど変わっていない。この結果、コンタクト孔のアス
ペクト比は大きくなっている。このため、アルミニウム
膜のみで配線を形成した場合には、段差部におけるアル
ミニウム膜の被覆性がよくないので、コンタクト孔で導
通不良を生じ、半導体装置の信頼性を低下させることに
なる。
なって、コンタクト孔の径も小さくなってきている。と
ころが絶縁耐圧を確保するための層間絶縁膜の膜厚はほ
とんど変わっていない。この結果、コンタクト孔のアス
ペクト比は大きくなっている。このため、アルミニウム
膜のみで配線を形成した場合には、段差部におけるアル
ミニウム膜の被覆性がよくないので、コンタクト孔で導
通不良を生じ、半導体装置の信頼性を低下させることに
なる。
【０００３】また別の配線形成方法として、コンタクト
孔を形成した後、例えば六フッ化タングステン（Ｗ
Ｆ6 ）の還元反応を利用して、コンタクト孔の内部のみ
にタングステン（Ｗ）膜を形成する、いわゆる選択タン
グステン−ＣＶＤ（化学的気相成長）法が提案されてい
る。この方法では、全てのコンタクト孔にタングステン
を同等に選択成長させることが困難であり、また深さの
異なるコンタクト孔を同時に埋め込むことができないと
いう原理的な課題を有している。
孔を形成した後、例えば六フッ化タングステン（Ｗ
Ｆ6 ）の還元反応を利用して、コンタクト孔の内部のみ
にタングステン（Ｗ）膜を形成する、いわゆる選択タン
グステン−ＣＶＤ（化学的気相成長）法が提案されてい
る。この方法では、全てのコンタクト孔にタングステン
を同等に選択成長させることが困難であり、また深さの
異なるコンタクト孔を同時に埋め込むことができないと
いう原理的な課題を有している。
【０００４】上記課題を解決する方法として、いわゆる
ブランケットタングステン−ＣＶＤ法が提案されてい
る。この方法は、コンタクト孔を形成した後に、コンタ
クト孔の内部とともにコンタクト孔を形成した絶縁膜上
にもタングステン膜を形成する。その後タングステン膜
をエッチングして、コンタクト孔の内部のみにタングス
テン膜を残すものである。この方法では、上記説明した
選択タングステン−ＣＶＤ法よりも容易に膜形成がで
き、しかも深さの異なるコンタクト孔を同時に埋め込む
ことが可能になる。
ブランケットタングステン−ＣＶＤ法が提案されてい
る。この方法は、コンタクト孔を形成した後に、コンタ
クト孔の内部とともにコンタクト孔を形成した絶縁膜上
にもタングステン膜を形成する。その後タングステン膜
をエッチングして、コンタクト孔の内部のみにタングス
テン膜を残すものである。この方法では、上記説明した
選択タングステン−ＣＶＤ法よりも容易に膜形成がで
き、しかも深さの異なるコンタクト孔を同時に埋め込む
ことが可能になる。
【０００５】上記ブランケットタングステン−ＣＶＤ法
では、絶縁膜である酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）膜との密
着性を向上させるための窒化酸化チタン（ＴｉＯＮ）層
を形成した後でも、コンタクト孔内をタングステン膜で
埋め込むことが可能である。この場合には、窒化酸化チ
タン層がバリア層として機能するので、タングステンの
融点が３３８０℃と高いことも相まって、比較的高温で
形成しても、例えばシリコン基板中へのタングステンの
侵入が抑制され、良好な電気特性が得られる。
では、絶縁膜である酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）膜との密
着性を向上させるための窒化酸化チタン（ＴｉＯＮ）層
を形成した後でも、コンタクト孔内をタングステン膜で
埋め込むことが可能である。この場合には、窒化酸化チ
タン層がバリア層として機能するので、タングステンの
融点が３３８０℃と高いことも相まって、比較的高温で
形成しても、例えばシリコン基板中へのタングステンの
侵入が抑制され、良好な電気特性が得られる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、アルミ
ニウム−シリコン（Ａｌ−Ｓｉ）膜の比抵抗値は２．９
μΩ・ｃｍ程度であり、タングステン膜の比抵抗値は１
０μΩ・ｃｍ程度である。このように、Ａｌ−Ｓｉ膜の
比抵抗値よりもタングステン膜の比抵抗値のほうが高い
ので、タングステン膜のみで配線を形成することはでき
ない。もしタングステン膜で配線を形成する場合には、
配線の断面積を大きくしなければならないので、素子の
高集積化が図れない。
ニウム−シリコン（Ａｌ−Ｓｉ）膜の比抵抗値は２．９
μΩ・ｃｍ程度であり、タングステン膜の比抵抗値は１
０μΩ・ｃｍ程度である。このように、Ａｌ−Ｓｉ膜の
比抵抗値よりもタングステン膜の比抵抗値のほうが高い
ので、タングステン膜のみで配線を形成することはでき
ない。もしタングステン膜で配線を形成する場合には、
配線の断面積を大きくしなければならないので、素子の
高集積化が図れない。
【０００７】したがって、カバリッジのよい成膜ができ
るブランケットタングステン−ＣＶＤ法または選択ＣＶ
Ｄ法を用いる場合には、比抵抗値が小さいＡｌ−Ｓｉで
配線を形成しなければならない。この場合には、コンタ
クト孔に形成したタングステン膜をエッチバックしてプ
ラグを形成する工程が必要になる。このとき、エッチバ
ック時にはタングステン膜と絶縁膜との密着性をよくす
るために設けたチタン系の膜もエッチバックされる。と
ころが、塩素系ガスを用いてエッチバックした場合に
は、タングステン膜よりもチタン系の膜のほうがエッチ
ング速度が早いために、コンタクト孔の側壁側上部のチ
タン系の膜が除去されて、その部分にくぼみを生じる。
るブランケットタングステン−ＣＶＤ法または選択ＣＶ
Ｄ法を用いる場合には、比抵抗値が小さいＡｌ−Ｓｉで
配線を形成しなければならない。この場合には、コンタ
クト孔に形成したタングステン膜をエッチバックしてプ
ラグを形成する工程が必要になる。このとき、エッチバ
ック時にはタングステン膜と絶縁膜との密着性をよくす
るために設けたチタン系の膜もエッチバックされる。と
ころが、塩素系ガスを用いてエッチバックした場合に
は、タングステン膜よりもチタン系の膜のほうがエッチ
ング速度が早いために、コンタクト孔の側壁側上部のチ
タン系の膜が除去されて、その部分にくぼみを生じる。
【０００８】またコンタクト孔の内部では、コンタクト
孔の底面と側壁とよりタングステン膜が堆積されるため
に、コンタクト孔のほぼ中央部は堆積したタングステン
膜が接触した状態になるので、その部分は脆弱になる。
以下、この部分を継ぎ目部分と称する。したがって、タ
ングステン膜で形成したプラグのほぼ中央部が脆弱にな
っているので、その部分がエッチングされてくぼみを生
じる。
孔の底面と側壁とよりタングステン膜が堆積されるため
に、コンタクト孔のほぼ中央部は堆積したタングステン
膜が接触した状態になるので、その部分は脆弱になる。
以下、この部分を継ぎ目部分と称する。したがって、タ
ングステン膜で形成したプラグのほぼ中央部が脆弱にな
っているので、その部分がエッチングされてくぼみを生
じる。
【０００９】上記のような各くぼみを生じた場合には、
くぼみ部分でのＡｌ−Ｓｉ膜の被覆性が悪化する。特に
コンタクト孔の径がハーフミクロン以下の場合には非常
に被覆性が悪化する。このため、配線の信頼性は大きく
低下する。
くぼみ部分でのＡｌ−Ｓｉ膜の被覆性が悪化する。特に
コンタクト孔の径がハーフミクロン以下の場合には非常
に被覆性が悪化する。このため、配線の信頼性は大きく
低下する。
【００１０】本発明は、被覆性に優れた金属配線および
その形成方法を提供することを目的とする。
その形成方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するためになされた金属配線およびその形成方法であ
る。すなわち、絶縁膜に設けたコンタクト孔の内壁と当
該絶縁膜の表面とに形成した導電性の密着層と、このコ
ンタクト孔を埋め込む状態にして、密着層上に配設した
第１の金属配線と、第１の金属配線とは異なる金属より
なるもので、当該第１の金属配線上に形成した第２の金
属配線とよりなる金属配線である。
成するためになされた金属配線およびその形成方法であ
る。すなわち、絶縁膜に設けたコンタクト孔の内壁と当
該絶縁膜の表面とに形成した導電性の密着層と、このコ
ンタクト孔を埋め込む状態にして、密着層上に配設した
第１の金属配線と、第１の金属配線とは異なる金属より
なるもので、当該第１の金属配線上に形成した第２の金
属配線とよりなる金属配線である。
【００１２】また上記金属配線において、上記第１の金
属配線が、ブランケットタングステン−ＣＶＤ法によっ
て形成したタングステン膜よりなる。またはモリブデ
ン，チタン，白金，銅またはこれらの金属のシリサイド
化合物、あるいはアルミニウムを含む金属よりなるもの
である。
属配線が、ブランケットタングステン−ＣＶＤ法によっ
て形成したタングステン膜よりなる。またはモリブデ
ン，チタン，白金，銅またはこれらの金属のシリサイド
化合物、あるいはアルミニウムを含む金属よりなるもの
である。
【００１３】さらに上記各金属配線において、第２の金
属配線は、シリコン，銅，チタンのうちの少なくとも一
種を含むアルミニウム合金あるいはアルミニウムよりな
る、アルミニウム膜あるいはアルミニウム合金膜とチタ
ンを含む金属膜との積層構造よりなる、銅または銅合金
よりなる、または、銅膜あるいは銅合金膜とチタンを含
む金属膜との積層構造よりなるものである。
属配線は、シリコン，銅，チタンのうちの少なくとも一
種を含むアルミニウム合金あるいはアルミニウムよりな
る、アルミニウム膜あるいはアルミニウム合金膜とチタ
ンを含む金属膜との積層構造よりなる、銅または銅合金
よりなる、または、銅膜あるいは銅合金膜とチタンを含
む金属膜との積層構造よりなるものである。
【００１４】金属配線の形成方法であって、第１の工程
で、絶縁膜に設けたコンタクト孔の内壁と当該絶縁膜の
表面とに導電性の密着層形成膜を成膜し、次いで第２の
工程で、コンタクト孔を埋め込む状態にして、密着層形
成膜上に第１の金属膜を形成する。続いて第３の工程
で、第１の金属膜とは異なる金属よりなる第２の金属膜
を当該第１の金属膜上に形成する。その後第４の工程
で、第２の金属膜と第１の金属膜と密着層形成膜とを加
工して、第２の金属配線を形成するとともに、当該第２
の金属配線の下にコンタクト孔に通じる第１の金属配線
を形成し、さらに密着層を形成して、当該第１の金属配
線と当該第２の金属配線と密着層とよりなる金属配線を
形成する。また第２の工程で形成する第１の金属膜を、
ブランケットタングステン−ＣＶＤ法によって形成す
る。
で、絶縁膜に設けたコンタクト孔の内壁と当該絶縁膜の
表面とに導電性の密着層形成膜を成膜し、次いで第２の
工程で、コンタクト孔を埋め込む状態にして、密着層形
成膜上に第１の金属膜を形成する。続いて第３の工程
で、第１の金属膜とは異なる金属よりなる第２の金属膜
を当該第１の金属膜上に形成する。その後第４の工程
で、第２の金属膜と第１の金属膜と密着層形成膜とを加
工して、第２の金属配線を形成するとともに、当該第２
の金属配線の下にコンタクト孔に通じる第１の金属配線
を形成し、さらに密着層を形成して、当該第１の金属配
線と当該第２の金属配線と密着層とよりなる金属配線を
形成する。また第２の工程で形成する第１の金属膜を、
ブランケットタングステン−ＣＶＤ法によって形成す
る。
【００１５】
【作用】上記構成の金属配線では、絶縁膜に設けたコン
タクト孔を埋め込む状態にして、密着層上に第１の金属
配線を形成し、その上部に第２の金属配線を設けたこと
により、第１の金属配線をエッチバックする必要がな
い。このため、コンタクト孔の上部において密着層にく
ぼみが生じない。また第１の金属配線が、ブランケット
タングステン−ＣＶＤ法によって形成したタングステン
膜よりなる場合であっても、コンタクト孔内を埋め込ん
だタングステン膜に生じる継ぎ目部分は、第２の金属配
線に覆われているためエッチングされない。このため、
第１の金属配線の表面状態は良好に保たれることによ
り、第２の金属配線のカバリッジ性は低下しない。
タクト孔を埋め込む状態にして、密着層上に第１の金属
配線を形成し、その上部に第２の金属配線を設けたこと
により、第１の金属配線をエッチバックする必要がな
い。このため、コンタクト孔の上部において密着層にく
ぼみが生じない。また第１の金属配線が、ブランケット
タングステン−ＣＶＤ法によって形成したタングステン
膜よりなる場合であっても、コンタクト孔内を埋め込ん
だタングステン膜に生じる継ぎ目部分は、第２の金属配
線に覆われているためエッチングされない。このため、
第１の金属配線の表面状態は良好に保たれることによ
り、第２の金属配線のカバリッジ性は低下しない。
【００１６】上記金属配線の形成方法では、コンタクト
孔を埋め込む状態にして、密着層形成膜上に第１の金属
膜を形成し、第１の金属膜上に第２の金属膜を形成した
後、第１の金属膜と第２の金属膜と密着層形成膜とで金
属配線を形成することにより、第１の金属膜をカバリッ
ジ性のよいブランケットタングステン−ＣＶＤ法によっ
て形成することが可能になる。また第１の金属膜をエッ
チバックしてコンタクト孔の内部にプラグを形成する必
要がないので、工程が簡単化される。
孔を埋め込む状態にして、密着層形成膜上に第１の金属
膜を形成し、第１の金属膜上に第２の金属膜を形成した
後、第１の金属膜と第２の金属膜と密着層形成膜とで金
属配線を形成することにより、第１の金属膜をカバリッ
ジ性のよいブランケットタングステン−ＣＶＤ法によっ
て形成することが可能になる。また第１の金属膜をエッ
チバックしてコンタクト孔の内部にプラグを形成する必
要がないので、工程が簡単化される。
【００１７】
【実施例】本発明の第１の実施例を、図１の概略構成断
面図により説明する。図に示すように、基板（例えばシ
リコン基板）１１の上層には拡散層１２が形成されてい
る。この基板１１上には絶縁膜（例えば酸化シリコン
膜）１３が成膜されていて、上記拡散層１２上の当該絶
縁膜１３にはコンタクト孔１４が形成されている。この
コンタクト孔１４の内壁と上記絶縁膜１３の表面とには
導電性を有する密着層〔例えばチタン（Ｔｉ）層〕１５
が形成されている。また上記密着層１５上には、上記コ
ンタクト孔１４を埋め込む状態にして第１の金属配線１
６が形成されている。この第１の金属配線１６は、例え
ばブランケットタングステン（Ｗ）膜より形成されてい
る。さらにこの第１の金属配線１６上には、当該第１の
金属配線１６とは異なる金属よりなる第２の金属配線１
７が形成されている。この第２の金属配線１７は、例え
ばアルミニウム−シリコン膜より形成されている。上記
の如くに、第１，第２の金属配線１５，１６と密着層１
５とによって、コンタクト孔１４に通じる金属配線１が
構成されている。
面図により説明する。図に示すように、基板（例えばシ
リコン基板）１１の上層には拡散層１２が形成されてい
る。この基板１１上には絶縁膜（例えば酸化シリコン
膜）１３が成膜されていて、上記拡散層１２上の当該絶
縁膜１３にはコンタクト孔１４が形成されている。この
コンタクト孔１４の内壁と上記絶縁膜１３の表面とには
導電性を有する密着層〔例えばチタン（Ｔｉ）層〕１５
が形成されている。また上記密着層１５上には、上記コ
ンタクト孔１４を埋め込む状態にして第１の金属配線１
６が形成されている。この第１の金属配線１６は、例え
ばブランケットタングステン（Ｗ）膜より形成されてい
る。さらにこの第１の金属配線１６上には、当該第１の
金属配線１６とは異なる金属よりなる第２の金属配線１
７が形成されている。この第２の金属配線１７は、例え
ばアルミニウム−シリコン膜より形成されている。上記
の如くに、第１，第２の金属配線１５，１６と密着層１
５とによって、コンタクト孔１４に通じる金属配線１が
構成されている。
【００１８】上記第１の金属配線１６は、例えばモリブ
デン，チタン，白金，銅またはこれらの金属のシリサイ
ド化合物、あるいはアルミニウムを含む金属で形成する
ことも可能である。また第２の金属配線１７は、シリコ
ン，銅，チタンのうちの少なくとも一種を含むアルミニ
ウム合金またはアルミニウムより形成することもでき
る。または銅あるいは銅合金で形成することも可能であ
る。
デン，チタン，白金，銅またはこれらの金属のシリサイ
ド化合物、あるいはアルミニウムを含む金属で形成する
ことも可能である。また第２の金属配線１７は、シリコ
ン，銅，チタンのうちの少なくとも一種を含むアルミニ
ウム合金またはアルミニウムより形成することもでき
る。または銅あるいは銅合金で形成することも可能であ
る。
【００１９】上記構成の金属配線１では、絶縁膜１３に
形成したコンタクト孔１４を埋め込む状態にして、密着
層１５上に第１の金属配線１６を形成し、その上部に第
２の金属配線１７を設けたことにより、コンタクト孔１
４に形成された第１の金属配線１６の上面は第２の金属
配線１７に覆われた状態になる。
形成したコンタクト孔１４を埋め込む状態にして、密着
層１５上に第１の金属配線１６を形成し、その上部に第
２の金属配線１７を設けたことにより、コンタクト孔１
４に形成された第１の金属配線１６の上面は第２の金属
配線１７に覆われた状態になる。
【００２０】次に上記第１の実施例で説明した金属配線
の形成方法を、図２の形成工程図により説明する。図２
の（１）に示すように、基板（例えばシリコン基板）１
１の上層には、拡散層１２が形成されている。第１の工
程では、例えば通常のＣＶＤ法によって、基板１１の上
面に酸化シリコンよりなる絶縁膜１３に成膜する。次い
で通常のホトリソグラフィー技術とエッチングとによっ
て、上記拡散層１２上の上記絶縁膜１３を貫通するコン
タクト孔１４を形成する。続いて例えば反応性スパッタ
法によって、コンタクト孔１４の内壁と当該絶縁膜１３
の表面とに導電性を有する密着層形成膜３１として、例
えば窒化酸化チタン（ＴｉＯＮ）膜を成膜する。上記密
着層形成膜３１には、例えば窒化チタン（ＴｉＮ）膜を
用いることも可能である。
の形成方法を、図２の形成工程図により説明する。図２
の（１）に示すように、基板（例えばシリコン基板）１
１の上層には、拡散層１２が形成されている。第１の工
程では、例えば通常のＣＶＤ法によって、基板１１の上
面に酸化シリコンよりなる絶縁膜１３に成膜する。次い
で通常のホトリソグラフィー技術とエッチングとによっ
て、上記拡散層１２上の上記絶縁膜１３を貫通するコン
タクト孔１４を形成する。続いて例えば反応性スパッタ
法によって、コンタクト孔１４の内壁と当該絶縁膜１３
の表面とに導電性を有する密着層形成膜３１として、例
えば窒化酸化チタン（ＴｉＯＮ）膜を成膜する。上記密
着層形成膜３１には、例えば窒化チタン（ＴｉＮ）膜を
用いることも可能である。
【００２１】次いで図２の（２）に示す第２の工程を行
う。この工程では、例えばブランケットタングステン−
ＣＶＤ法によって、上記コンタクト孔１４を埋め込む状
態にして、上記密着層形成膜３１の上面に第１の金属膜
３２を形成する。したがって、第１の金属膜３２はブラ
ンケットタングステン膜よりなる。上記成膜条件として
は、反応ガスには、水素１に対して六フッ化タングステ
ン（ＷＦ6 ）１９のガス比で混合したガスを用い、基板
温度を４００℃、反応雰囲気の圧力を８６７Ｐａに設定
する。そして、第１の金属膜３２を、コンタクト孔１４
の径のおよそ５０％程度の値と同等の厚さに形成する。
このとき、コンタクト孔１４の内部では、コンタクト孔
１４の底面と側壁とより第１の金属膜３２が堆積される
ために、コンタクト孔１４のほぼ中央部は堆積した第１
の金属膜３２が接触した状態になるので、その部分は脆
弱になる。以下、この部分を継ぎ目部分３３と称する。
う。この工程では、例えばブランケットタングステン−
ＣＶＤ法によって、上記コンタクト孔１４を埋め込む状
態にして、上記密着層形成膜３１の上面に第１の金属膜
３２を形成する。したがって、第１の金属膜３２はブラ
ンケットタングステン膜よりなる。上記成膜条件として
は、反応ガスには、水素１に対して六フッ化タングステ
ン（ＷＦ6 ）１９のガス比で混合したガスを用い、基板
温度を４００℃、反応雰囲気の圧力を８６７Ｐａに設定
する。そして、第１の金属膜３２を、コンタクト孔１４
の径のおよそ５０％程度の値と同等の厚さに形成する。
このとき、コンタクト孔１４の内部では、コンタクト孔
１４の底面と側壁とより第１の金属膜３２が堆積される
ために、コンタクト孔１４のほぼ中央部は堆積した第１
の金属膜３２が接触した状態になるので、その部分は脆
弱になる。以下、この部分を継ぎ目部分３３と称する。
【００２２】続いて図２の（３）に示す第３の工程を行
う。この工程では、例えば通常のスパッタ法によって、
上記第１の金属膜３２とは異なる金属よりなる第２の金
属膜３４を当該第１の金属膜３２の上面に成膜する。こ
の第２の金属膜３４は、例えばアルミニウム−シリコン
膜で形成される。
う。この工程では、例えば通常のスパッタ法によって、
上記第１の金属膜３２とは異なる金属よりなる第２の金
属膜３４を当該第１の金属膜３２の上面に成膜する。こ
の第２の金属膜３４は、例えばアルミニウム−シリコン
膜で形成される。
【００２３】その後図２の（４）に示す第４の工程を行
う。この工程では、通常のホトリソグラフィー技術とエ
ッチングとによって、第２の金属膜３４と第１の金属膜
３２と密着層形成膜３１とを除去加工して、第２の金属
膜３２で第２の金属配線１７を形成し、第１の金属膜３
２で当該第２の金属配線の下にコンタクト孔１４に通じ
る第１の金属配線１６を形成する。さらに第１の金属配
線１６の下に密着層形成膜３１で密着層１５を形成す
る。
う。この工程では、通常のホトリソグラフィー技術とエ
ッチングとによって、第２の金属膜３４と第１の金属膜
３２と密着層形成膜３１とを除去加工して、第２の金属
膜３２で第２の金属配線１７を形成し、第１の金属膜３
２で当該第２の金属配線の下にコンタクト孔１４に通じ
る第１の金属配線１６を形成する。さらに第１の金属配
線１６の下に密着層形成膜３１で密着層１５を形成す
る。
【００２４】上記エッチングは、例えば、第２の金属膜
（アルミニウム−シリコン膜）３４を以下の条件で行
う。すなわち、反応ガスには、流量が６０ｓｃｃｍの三
塩化ホウ素（ＢＣｌ3 ）と流量が９０ｓｃｃｍの塩素
（Ｃｌ2 ）との混合ガスを用いる。そしてエッチング条
件を、例えばエッチング雰囲気の圧力を１．１Ｐａに設
定し、マイクロ波電流を３００ｍＡ、基板バイアスを４
０Ｗに設定する。
（アルミニウム−シリコン膜）３４を以下の条件で行
う。すなわち、反応ガスには、流量が６０ｓｃｃｍの三
塩化ホウ素（ＢＣｌ3 ）と流量が９０ｓｃｃｍの塩素
（Ｃｌ2 ）との混合ガスを用いる。そしてエッチング条
件を、例えばエッチング雰囲気の圧力を１．１Ｐａに設
定し、マイクロ波電流を３００ｍＡ、基板バイアスを４
０Ｗに設定する。
【００２５】上記反応ガスでは、ブランケットタングス
テンよりなる第１の金属膜３２はエッチングできない。
そこで、第１の金属膜（ブランケットタングステン膜）
３２が露出した時点で、以下に説明するエッチングガス
に切り換える。すなわち反応ガスには、流量が８０ｓｃ
ｃｍの六フッ化イオウ（ＳＦ6 ）と流量が４０ｓｃｃｍ
の塩素（Ｃｌ2 ）との混合ガスを用いる。そしてエッチ
ング条件を、例えばエッチング雰囲気の圧力を１．１Ｐ
ａに設定し、マイクロ波電流を３００ｍＡ、基板バイア
スを３０Ｗに設定する。
テンよりなる第１の金属膜３２はエッチングできない。
そこで、第１の金属膜（ブランケットタングステン膜）
３２が露出した時点で、以下に説明するエッチングガス
に切り換える。すなわち反応ガスには、流量が８０ｓｃ
ｃｍの六フッ化イオウ（ＳＦ6 ）と流量が４０ｓｃｃｍ
の塩素（Ｃｌ2 ）との混合ガスを用いる。そしてエッチ
ング条件を、例えばエッチング雰囲気の圧力を１．１Ｐ
ａに設定し、マイクロ波電流を３００ｍＡ、基板バイア
スを３０Ｗに設定する。
【００２６】上記条件では、フッ素ガスとタングステン
とが反応してタングステンのフッ化物が生成される。こ
のタングステンのフッ化物は、蒸気圧が高いので、エッ
チングは容易に進行する。このとき、塩素ラジカルとタ
ングステンとが反応して蒸気圧の低いタングステンの塩
化物として、五塩化タングステン（ＷＣｌ5 ）または六
塩化化タングステン（ＷＣｌ6 ）等が生成される。しか
しながら、エッチングされている部分に生成されたこれ
らの反応生成物は、スパッタリング作用によって除去さ
れるので、エッチングを妨げるには到らない。また形成
される金属配線１の側壁には、タングステンの塩化物が
生成されたり、上記エッチングされている部分に生成さ
れた反応生成物のスパッタされたものが再付着する。こ
れらの塩化物は蒸気圧が低いので、ほとんど蒸発するこ
とはなく、いわゆる側壁保護膜（図示せず）として作用
する。このため、フッ素ラジカルのサイドアタック反応
を防止して、第１の金属膜３２の異方性加工を可能にす
る。
とが反応してタングステンのフッ化物が生成される。こ
のタングステンのフッ化物は、蒸気圧が高いので、エッ
チングは容易に進行する。このとき、塩素ラジカルとタ
ングステンとが反応して蒸気圧の低いタングステンの塩
化物として、五塩化タングステン（ＷＣｌ5 ）または六
塩化化タングステン（ＷＣｌ6 ）等が生成される。しか
しながら、エッチングされている部分に生成されたこれ
らの反応生成物は、スパッタリング作用によって除去さ
れるので、エッチングを妨げるには到らない。また形成
される金属配線１の側壁には、タングステンの塩化物が
生成されたり、上記エッチングされている部分に生成さ
れた反応生成物のスパッタされたものが再付着する。こ
れらの塩化物は蒸気圧が低いので、ほとんど蒸発するこ
とはなく、いわゆる側壁保護膜（図示せず）として作用
する。このため、フッ素ラジカルのサイドアタック反応
を防止して、第１の金属膜３２の異方性加工を可能にす
る。
【００２７】また密着層形成膜３１も、塩素ラジカルに
よって、エッチングされる。このとき、下地の絶縁膜１
３との選択比を高めるために、エッチングガスを流量が
６０ｓｃｃｍの三塩化ホウ素（ＢＣｌ3 ）と流量が９０
ｓｃｃｍの塩素（Ｃｌ2 ）との混合ガスに切り換えて、
エッチング雰囲気の圧力を１．１Ｐａ、マイクロ波電流
を３００ｍＡ、基板バイアスを４０Ｗに設定する。この
ようなエッチング条件でエッチングすることにより、密
着層形成膜３１を絶縁膜１３に対して高い選択比でエッ
チングすることが可能になる。
よって、エッチングされる。このとき、下地の絶縁膜１
３との選択比を高めるために、エッチングガスを流量が
６０ｓｃｃｍの三塩化ホウ素（ＢＣｌ3 ）と流量が９０
ｓｃｃｍの塩素（Ｃｌ2 ）との混合ガスに切り換えて、
エッチング雰囲気の圧力を１．１Ｐａ、マイクロ波電流
を３００ｍＡ、基板バイアスを４０Ｗに設定する。この
ようなエッチング条件でエッチングすることにより、密
着層形成膜３１を絶縁膜１３に対して高い選択比でエッ
チングすることが可能になる。
【００２８】このようにして、第１の金属配線１６と第
２の金属配線１７と密着層１５とよりなる金属配線１が
完成する。
２の金属配線１７と密着層１５とよりなる金属配線１が
完成する。
【００２９】上記金属配線１の形成方法では、コンタク
ト孔１４に形成される第１の金属膜３２の継ぎ目部分３
３を第２の金属膜３４で覆った状態で金属配線１７を形
成するエッチングが行われることにより、継ぎ目部分３
３がエッチングされて凹状の穴が形成されることがな
い。したがって、配線の信頼性が高まる。またコンタク
ト孔１４を埋め込む状態にして、第１の金属膜３２をカ
バリッジ性のよいブランケットタングステン−ＣＶＤ法
によって形成したことにより、第２の金属膜３４のカバ
リッジ性がよくなる。
ト孔１４に形成される第１の金属膜３２の継ぎ目部分３
３を第２の金属膜３４で覆った状態で金属配線１７を形
成するエッチングが行われることにより、継ぎ目部分３
３がエッチングされて凹状の穴が形成されることがな
い。したがって、配線の信頼性が高まる。またコンタク
ト孔１４を埋め込む状態にして、第１の金属膜３２をカ
バリッジ性のよいブランケットタングステン−ＣＶＤ法
によって形成したことにより、第２の金属膜３４のカバ
リッジ性がよくなる。
【００３０】次に第２の実施例の金属配線を、図３の概
略構成断面図により説明する。図に示すように、金属配
線２は、上記第１の実施例で説明した金属配線（１）に
おいて、第２の金属配線１７を、例えば、チタンを含む
金属膜（例えばチタン膜）４１と、その上面に形成した
主配線形成膜（例えばアルミニウム−シリコン膜）４２
と、さらにその上面に形成したチタンを含む金属膜（例
えば窒化酸化チタン膜）４３とよりなる積層膜で形成し
たものである。また上記主配線形成膜４２は、例えばア
ルミニウム膜，上記アルミニウム−シリコン膜以外のア
ルミニウム合金膜，銅膜または銅合金膜等で形成するこ
とも可能である。なお第２の実施例の説明では、第１の
実施例で説明した構成部品と同様のものの説明は省略し
た。
略構成断面図により説明する。図に示すように、金属配
線２は、上記第１の実施例で説明した金属配線（１）に
おいて、第２の金属配線１７を、例えば、チタンを含む
金属膜（例えばチタン膜）４１と、その上面に形成した
主配線形成膜（例えばアルミニウム−シリコン膜）４２
と、さらにその上面に形成したチタンを含む金属膜（例
えば窒化酸化チタン膜）４３とよりなる積層膜で形成し
たものである。また上記主配線形成膜４２は、例えばア
ルミニウム膜，上記アルミニウム−シリコン膜以外のア
ルミニウム合金膜，銅膜または銅合金膜等で形成するこ
とも可能である。なお第２の実施例の説明では、第１の
実施例で説明した構成部品と同様のものの説明は省略し
た。
【００３１】上記構成の金属配線２では、絶縁膜１３に
形成したコンタクト孔１４を埋め込む状態にして、密着
層１５上に第１の金属配線１６を形成し、その上部に第
２の金属配線１７を設けたことにより、コンタクト孔１
４に形成された部分の第１の金属配線１６は第２の金属
配線１７に覆われた状態になる。
形成したコンタクト孔１４を埋め込む状態にして、密着
層１５上に第１の金属配線１６を形成し、その上部に第
２の金属配線１７を設けたことにより、コンタクト孔１
４に形成された部分の第１の金属配線１６は第２の金属
配線１７に覆われた状態になる。
【００３２】次に上記第２の実施例で説明した金属配線
２の形成方法を、図４の形成工程図により説明する。図
４の（１）に示すように、まず第１の工程では、上記第
１の実施例で説明したと同様にして、シリコン基板１１
の上面に酸化シリコンよりなる絶縁膜１３を成膜する。
次いで拡散層１２上の絶縁膜１３を貫通するコンタクト
孔１４を形成する。続いてコンタクト孔１４の内壁と当
該絶縁膜１３の表面とに導電性を有する密着層形成膜３
１として、例えば窒化酸化チタン（ＴｉＯＮ）膜を成膜
する。この密着層形成膜３１には、例えば窒化チタン
（ＴｉＮ）膜を用いることも可能である。
２の形成方法を、図４の形成工程図により説明する。図
４の（１）に示すように、まず第１の工程では、上記第
１の実施例で説明したと同様にして、シリコン基板１１
の上面に酸化シリコンよりなる絶縁膜１３を成膜する。
次いで拡散層１２上の絶縁膜１３を貫通するコンタクト
孔１４を形成する。続いてコンタクト孔１４の内壁と当
該絶縁膜１３の表面とに導電性を有する密着層形成膜３
１として、例えば窒化酸化チタン（ＴｉＯＮ）膜を成膜
する。この密着層形成膜３１には、例えば窒化チタン
（ＴｉＮ）膜を用いることも可能である。
【００３３】次いで第２の工程を行う。この工程では、
上記第１の実施例で説明したと同様にして、例えばブラ
ンケットタングステン−ＣＶＤ法によって、上記コンタ
クト孔１４を埋め込む状態にして、上記密着層形成膜３
１の上面に第１の金属膜３２を形成する。
上記第１の実施例で説明したと同様にして、例えばブラ
ンケットタングステン−ＣＶＤ法によって、上記コンタ
クト孔１４を埋め込む状態にして、上記密着層形成膜３
１の上面に第１の金属膜３２を形成する。
【００３４】続いて図４の（２）に示す第３の工程を行
う。この工程では、例えば通常の成膜技術によって、第
１の金属膜３２の上面に、例えば、チタンを含む金属膜
（例えばチタン膜）４１と、主配線形成膜（例えばアル
ミニウム−シリコン膜）４２と、チタンを含む金属膜
（例えば窒化酸化チタン膜）４３とを順に積層した状態
に形成する。この積層膜が第２の金属膜３４になる。
う。この工程では、例えば通常の成膜技術によって、第
１の金属膜３２の上面に、例えば、チタンを含む金属膜
（例えばチタン膜）４１と、主配線形成膜（例えばアル
ミニウム−シリコン膜）４２と、チタンを含む金属膜
（例えば窒化酸化チタン膜）４３とを順に積層した状態
に形成する。この積層膜が第２の金属膜３４になる。
【００３５】その後図４の（３）に示す第４の工程を行
う。この工程では、通常のホトリソグラフィー技術とエ
ッチングとによって、第２の金属膜３４と第１の金属膜
３２と密着層形成膜３１とを除去加工して、第２の金属
膜３４で第２の金属配線１７を形成し、第１の金属膜３
２で当該第２の金属配線の下にコンタクト孔１４に通じ
る第１の金属配線１６を形成するとともに、密着層形成
膜３１で密着層１５を形成する。
う。この工程では、通常のホトリソグラフィー技術とエ
ッチングとによって、第２の金属膜３４と第１の金属膜
３２と密着層形成膜３１とを除去加工して、第２の金属
膜３４で第２の金属配線１７を形成し、第１の金属膜３
２で当該第２の金属配線の下にコンタクト孔１４に通じ
る第１の金属配線１６を形成するとともに、密着層形成
膜３１で密着層１５を形成する。
【００３６】上記エッチングは、例えば第２の金属膜３
４を第１の実施例で説明したと同等の条件で行う。すな
わち、反応ガスには、三塩化ホウ素と塩素との混合ガス
を用いる。そしてエッチング条件を、例えばエッチング
雰囲気の圧力を１．１Ｐａに設定し、マイクロ波電流を
３００ｍＡ、基板バイアスを４０Ｗに設定する。ところ
が、上記反応ガスでは、ブランケットタングステンより
なる第１の金属膜３２はエッチングできない。そこで、
第１の金属膜（ブランケットタングステン膜）３２が露
出した時点で、以下に説明するエッチング条件に切り換
える。すなわち反応ガスには、流量が８０ｓｃｃｍの六
フッ化イオウ（ＳＦ6 ）と流量が４０ｓｃｃｍの臭化水
素（ＨＢｒ）との混合ガスを用いる。そしてエッチング
条件を、例えばエッチング雰囲気の圧力を１．１Ｐａに
設定し、マイクロ波電流を３００ｍＡ、基板バイアスを
３０Ｗに設定する。
４を第１の実施例で説明したと同等の条件で行う。すな
わち、反応ガスには、三塩化ホウ素と塩素との混合ガス
を用いる。そしてエッチング条件を、例えばエッチング
雰囲気の圧力を１．１Ｐａに設定し、マイクロ波電流を
３００ｍＡ、基板バイアスを４０Ｗに設定する。ところ
が、上記反応ガスでは、ブランケットタングステンより
なる第１の金属膜３２はエッチングできない。そこで、
第１の金属膜（ブランケットタングステン膜）３２が露
出した時点で、以下に説明するエッチング条件に切り換
える。すなわち反応ガスには、流量が８０ｓｃｃｍの六
フッ化イオウ（ＳＦ6 ）と流量が４０ｓｃｃｍの臭化水
素（ＨＢｒ）との混合ガスを用いる。そしてエッチング
条件を、例えばエッチング雰囲気の圧力を１．１Ｐａに
設定し、マイクロ波電流を３００ｍＡ、基板バイアスを
３０Ｗに設定する。
【００３７】上記条件では、フッ素ガスとタングステン
とが反応してタングステンのフッ化物が生成される。こ
のタングステンのフッ化物は、蒸気圧が高いので、エッ
チングは容易に進行する。このとき、臭素ラジカルとタ
ングステンとが反応して蒸気圧の低いタングステンの臭
化物として、五臭化タングステン（ＷＢｒ5 ）または六
臭化化タングステン（ＷＢｒ6 ）等が生成される。しか
しながら、形成される金属配線４１間の底部に生成され
たこれらの反応生成物は、スパッタリング作用によって
除去されるので、エッチングを妨げるには到らない。ま
た形成された金属配線４１の側壁には、タングステンの
臭化物が生成されたり、上記底部に生成された反応生成
物のスパッタされたものが再付着する。これらの臭化物
は蒸気圧が低いので、ほとんど蒸発することはなく、い
わゆる側壁保護膜として作用する。このため、フッ素ラ
ジカルのサイドアタック反応を防止して、第１の金属膜
３２の異方性加工を可能にする。また密着層形成膜３１
は、上記第１の実施例で説明したと同様に、塩素ラジカ
ルによって、エッチングされる。
とが反応してタングステンのフッ化物が生成される。こ
のタングステンのフッ化物は、蒸気圧が高いので、エッ
チングは容易に進行する。このとき、臭素ラジカルとタ
ングステンとが反応して蒸気圧の低いタングステンの臭
化物として、五臭化タングステン（ＷＢｒ5 ）または六
臭化化タングステン（ＷＢｒ6 ）等が生成される。しか
しながら、形成される金属配線４１間の底部に生成され
たこれらの反応生成物は、スパッタリング作用によって
除去されるので、エッチングを妨げるには到らない。ま
た形成された金属配線４１の側壁には、タングステンの
臭化物が生成されたり、上記底部に生成された反応生成
物のスパッタされたものが再付着する。これらの臭化物
は蒸気圧が低いので、ほとんど蒸発することはなく、い
わゆる側壁保護膜として作用する。このため、フッ素ラ
ジカルのサイドアタック反応を防止して、第１の金属膜
３２の異方性加工を可能にする。また密着層形成膜３１
は、上記第１の実施例で説明したと同様に、塩素ラジカ
ルによって、エッチングされる。
【００３８】このようにして、第２の金属配線１７と第
１の金属配線１６と密着層１５とよりなる金属配線２が
完成する。
１の金属配線１６と密着層１５とよりなる金属配線２が
完成する。
【００３９】上記金属配線の形成方法では、コンタクト
孔１４に形成される第１の金属膜３２の継ぎ目部分３３
を第２の金属膜３４で覆った状態で金属配線２を形成す
るエッチングが行われることにより、継ぎ目部分３３が
エッチングされて凹状の穴が形成されることがない。し
たがって、配線の信頼性が高まる。またコンタクト孔１
４を埋め込む状態にして、第１の金属膜３２をカバリッ
ジ性のよいブランケットタングステン−ＣＶＤ法によっ
て形成したことにより、第２の金属膜３４のカバリッジ
性がよくなる。
孔１４に形成される第１の金属膜３２の継ぎ目部分３３
を第２の金属膜３４で覆った状態で金属配線２を形成す
るエッチングが行われることにより、継ぎ目部分３３が
エッチングされて凹状の穴が形成されることがない。し
たがって、配線の信頼性が高まる。またコンタクト孔１
４を埋め込む状態にして、第１の金属膜３２をカバリッ
ジ性のよいブランケットタングステン−ＣＶＤ法によっ
て形成したことにより、第２の金属膜３４のカバリッジ
性がよくなる。
【００４０】
【発明の効果】以上、説明したように本発明によれば、
絶縁膜に形成したコンタクト孔コンタクト孔を埋め込む
状態にして、密着層上に第１の金属配線を形成し、その
上に第２の金属配線を設けたので、第１の金属配線をエ
ッチバックする必要がない。このため、コンタクト孔の
上部における密着層にはくぼみが生じない。また第１の
金属配線が、ブランケットタングステン−ＣＶＤ法によ
って形成したタングステン膜よりなる場合であっても、
コンタクト孔内を埋め込んだタングステン膜に生じる継
ぎ目部分は第２の金属配線に覆われるのでエッチングさ
れない。このため、第２の金属配線のカバリッジに悪影
響を及ぼさないので、配線信頼性が向上する。
絶縁膜に形成したコンタクト孔コンタクト孔を埋め込む
状態にして、密着層上に第１の金属配線を形成し、その
上に第２の金属配線を設けたので、第１の金属配線をエ
ッチバックする必要がない。このため、コンタクト孔の
上部における密着層にはくぼみが生じない。また第１の
金属配線が、ブランケットタングステン−ＣＶＤ法によ
って形成したタングステン膜よりなる場合であっても、
コンタクト孔内を埋め込んだタングステン膜に生じる継
ぎ目部分は第２の金属配線に覆われるのでエッチングさ
れない。このため、第２の金属配線のカバリッジに悪影
響を及ぼさないので、配線信頼性が向上する。
【００４１】また上記構造の金属配線では、第１の金属
配線を、モリブデン，チタン，白金，銅またはこれらの
金属のシリサイド化合物、あるいはアルミニウムを含む
金属で形成しても、第２の金属配線のカバリッジ性が低
下することはない。さらに第２の金属配線を、シリコ
ン，銅，チタンのうちの少なくとも一種を含むアルミニ
ウム合金またはアルミニウム、アルミニウム膜あるいは
アルミニウム合金膜とチタンを含む金属膜との積層構
造、銅あるいは銅合金、または銅膜あるいは銅合金膜と
チタンを含む金属膜との積層構造等で形成することもで
きる。
配線を、モリブデン，チタン，白金，銅またはこれらの
金属のシリサイド化合物、あるいはアルミニウムを含む
金属で形成しても、第２の金属配線のカバリッジ性が低
下することはない。さらに第２の金属配線を、シリコ
ン，銅，チタンのうちの少なくとも一種を含むアルミニ
ウム合金またはアルミニウム、アルミニウム膜あるいは
アルミニウム合金膜とチタンを含む金属膜との積層構
造、銅あるいは銅合金、または銅膜あるいは銅合金膜と
チタンを含む金属膜との積層構造等で形成することもで
きる。
【図１】第１の実施例の概略構成断面図である。
【図２】第１の実施例の形成工程図である。
【図３】第２の実施例の概略構成断面図である。
【図４】第２の実施例の形成工程図である。
１ 金属配線 ２ 金属配線 １３ 絶縁膜 １４ コンタクト孔 １５ 密着層 １６ 第１の金属配線 １７ 第２の金属配線 ３１ 密着層形成膜 ３２ 第１の金属膜 ３４ 第２の金属膜 ４１ チタンを含む金属膜 ４２ 主配線形成膜 ４３ チタンを含む金属膜
Claims (9)
- 【請求項１】 絶縁膜に設けたコンタクト孔の内壁と当
該絶縁膜の表面とに形成した導電性を有する密着層と、 前記コンタクト孔を埋め込む状態にして、前記密着層上
に配設した第１の金属配線と、 前記第１の金属配線とは異なる金属よりなるもので、当
該第１の金属配線上に形成した第２の金属配線とよりな
ることを特徴とする金属配線。 - 【請求項２】 請求項１記載の金属配線において、 前記第１の金属配線がブランケットタングステン−ＣＶ
Ｄ法によって形成されたタングステン膜よりなることを
特徴とする金属配線。 - 【請求項３】 請求項１記載の金属配線において、 前記第１の金属配線が、モリブデン，チタン，白金，銅
またはこれらの金属のシリサイド化合物、あるいはアル
ミニウムを含む金属よりなることを特徴とする金属配
線。 - 【請求項４】 請求項１，請求項２または請求項３記載
の金属配線において、 前記第２の金属配線がシリコン，銅，チタンのうちの少
なくとも一種を含むアルミニウム合金またはアルミニウ
ムよりなることを特徴とする金属配線。 - 【請求項５】 請求項１，請求項２または請求項３記載
の金属配線において、 前記第２の金属配線が、アルミニウム膜またはアルミニ
ウム合金膜とチタンを含む金属膜との積層構造よりなる
ことを特徴とする金属配線。 - 【請求項６】 請求項１，請求項２または請求項３記載
の金属配線において、 前記第２の金属配線が銅または銅合金よりなることを特
徴とする金属配線。 - 【請求項７】 請求項１，請求項２または請求項３記載
の金属配線において、 前記第２の金属配線が、銅膜または銅合金膜とチタンを
含む金属膜との積層構造よりなることを特徴とする金属
配線。 - 【請求項８】 絶縁膜に設けたコンタクト孔の内壁と当
該絶縁膜の表面とに導電性を有する密着層形成膜を成膜
する第１の工程と、 前記コンタクト孔を埋め込む状態にして、前記密着層形
成膜上に第１の金属膜を形成する第２の工程と、 前記第１の金属膜とは異なる金属よりなる第２の金属膜
を当該第１の金属膜上に形成する第３の工程と、 前記第２の金属膜と前記第１の金属膜と密着層形成膜と
を加工して、第２の金属配線を形成するとともに、当該
第２の金属配線の下に前記コンタクト孔に通じる第１の
金属配線を形成し、かつ密着層を形成して、金属配線を
形成する第４の工程とを行うことを特徴とする金属配線
の形成方法。 - 【請求項９】 請求項８記載の金属配線の形成方法にお
いて、 前記第２の工程で形成する第１の金属膜を、ブランケッ
トタングステン−ＣＶＤ法によって形成することを特徴
とする金属配線の形成方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4326128A JPH06151434A (ja) | 1992-11-10 | 1992-11-10 | 金属配線およびその形成方法 |
| KR1019930023278A KR100285000B1 (ko) | 1992-11-10 | 1993-11-04 | 금속배선 및 그 형성방법 |
| US08/149,946 US5502334A (en) | 1992-11-10 | 1993-11-10 | Metal wiring |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4326128A JPH06151434A (ja) | 1992-11-10 | 1992-11-10 | 金属配線およびその形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06151434A true JPH06151434A (ja) | 1994-05-31 |
Family
ID=18184383
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4326128A Pending JPH06151434A (ja) | 1992-11-10 | 1992-11-10 | 金属配線およびその形成方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5502334A (ja) |
| JP (1) | JPH06151434A (ja) |
| KR (1) | KR100285000B1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100473161B1 (ko) * | 1997-12-31 | 2005-06-22 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의금속배선형성방법 |
| KR100876976B1 (ko) * | 2007-01-31 | 2009-01-09 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 배선 및 이의 형성 방법 |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5624868A (en) | 1994-04-15 | 1997-04-29 | Micron Technology, Inc. | Techniques for improving adhesion of silicon dioxide to titanium |
| US5640032A (en) * | 1994-09-09 | 1997-06-17 | Nippon Steel Corporation | Non-volatile semiconductor memory device with improved rewrite speed |
| US6077774A (en) * | 1996-03-29 | 2000-06-20 | Texas Instruments Incorporated | Method of forming ultra-thin and conformal diffusion barriers encapsulating copper |
| US6174806B1 (en) | 1997-01-28 | 2001-01-16 | Micron Technology, Inc. | High pressure anneals of integrated circuit structures |
| TW451450B (en) * | 1997-04-28 | 2001-08-21 | Koninkl Philips Electronics Nv | Method of manufacturing a semiconductor device with a multilayer wiring |
| JP3436132B2 (ja) * | 1998-05-13 | 2003-08-11 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置 |
| JP3528665B2 (ja) | 1998-10-20 | 2004-05-17 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| DE10222660A1 (de) * | 2002-05-22 | 2003-12-04 | Linde Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Hochgeschwindigkeits-Flammspritzen |
| KR100668960B1 (ko) * | 2004-12-23 | 2007-01-12 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자의 금속 배선 및 그의 형성 방법 |
| US7262135B2 (en) * | 2005-09-01 | 2007-08-28 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming layers |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4824802A (en) * | 1986-02-28 | 1989-04-25 | General Electric Company | Method of filling interlevel dielectric via or contact holes in multilevel VLSI metallization structures |
| US4824803A (en) * | 1987-06-22 | 1989-04-25 | Standard Microsystems Corporation | Multilayer metallization method for integrated circuits |
| US4933743A (en) * | 1989-03-11 | 1990-06-12 | Fairchild Semiconductor Corporation | High performance interconnect system for an integrated circuit |
| JP2660359B2 (ja) * | 1991-01-30 | 1997-10-08 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
| US5278448A (en) * | 1991-03-19 | 1994-01-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device and method of fabricating the same |
| US5305519A (en) * | 1991-10-24 | 1994-04-26 | Kawasaki Steel Corporation | Multilevel interconnect structure and method of manufacturing the same |
-
1992
- 1992-11-10 JP JP4326128A patent/JPH06151434A/ja active Pending
-
1993
- 1993-11-04 KR KR1019930023278A patent/KR100285000B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1993-11-10 US US08/149,946 patent/US5502334A/en not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR100473161B1 (ko) * | 1997-12-31 | 2005-06-22 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의금속배선형성방법 |
| KR100876976B1 (ko) * | 2007-01-31 | 2009-01-09 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 배선 및 이의 형성 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100285000B1 (ko) | 2001-05-02 |
| US5502334A (en) | 1996-03-26 |
| KR940012504A (ko) | 1994-06-23 |
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