JPH06148867A - フォトマスクパターンの決定方法 - Google Patents
フォトマスクパターンの決定方法Info
- Publication number
- JPH06148867A JPH06148867A JP31951792A JP31951792A JPH06148867A JP H06148867 A JPH06148867 A JP H06148867A JP 31951792 A JP31951792 A JP 31951792A JP 31951792 A JP31951792 A JP 31951792A JP H06148867 A JPH06148867 A JP H06148867A
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- patterns
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- photomask
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体装置の内容の一部を変更する際に、そ
の対応を迅速に行うことができ、また多品種少量生産に
適応できるようにすること。 【構成】 予め決められた基本パターンと、プログラム
内容に応じて決定されるコードパターンとを別々に作成
し、上記基本パターンに上記コードパターンを合成した
パターンからフォトマスクパターンを決定する。
の対応を迅速に行うことができ、また多品種少量生産に
適応できるようにすること。 【構成】 予め決められた基本パターンと、プログラム
内容に応じて決定されるコードパターンとを別々に作成
し、上記基本パターンに上記コードパターンを合成した
パターンからフォトマスクパターンを決定する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置製造用のフ
ォトマスクのパターンを決定する方法に係るものであっ
て、特に多品種少量生産に適用して大きな成果を発揮す
る決定方法に関するものである。
ォトマスクのパターンを決定する方法に係るものであっ
て、特に多品種少量生産に適用して大きな成果を発揮す
る決定方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、例えばマスクＲＯＭの製造は、図
５に示すようなプロセスで行われ、その際のプログラム
データの書き込みは、フォトマスク（２）、（４）、又
は（５）において行うのが一般的である。
５に示すようなプロセスで行われ、その際のプログラム
データの書き込みは、フォトマスク（２）、（４）、又
は（５）において行うのが一般的である。
【０００３】フォトマスク（２）を使用して行う方式
は、拡散層プログラム方式と呼ばれ、拡散層の有無によ
りメモリセル（ＭＯＳＦＥＴ）の有無を区別して
「０」、「１」を書き込むものである。また、フォトマ
スク（４）を使用して行う方法は、イオン注入プログラ
ム方式と呼ばれ、イオン注入されたメモリセルがデプレ
ショッ形、イオン注入されないメモリセルがエンハンス
メント形となり、これにより「０」、「１」を書き込む
ものである。更に、フォトマクス（５）を使用して行う
方法は、コンタクトプログラム方式と呼ばれ、メモリセ
ルとビット線との間のコンタクトの有無（コンタクト孔
の有無、又は配線の有無）により「０」、「１」を書き
込むものである。
は、拡散層プログラム方式と呼ばれ、拡散層の有無によ
りメモリセル（ＭＯＳＦＥＴ）の有無を区別して
「０」、「１」を書き込むものである。また、フォトマ
スク（４）を使用して行う方法は、イオン注入プログラ
ム方式と呼ばれ、イオン注入されたメモリセルがデプレ
ショッ形、イオン注入されないメモリセルがエンハンス
メント形となり、これにより「０」、「１」を書き込む
ものである。更に、フォトマクス（５）を使用して行う
方法は、コンタクトプログラム方式と呼ばれ、メモリセ
ルとビット線との間のコンタクトの有無（コンタクト孔
の有無、又は配線の有無）により「０」、「１」を書き
込むものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記いずれ
のプログラム方式においても、そこで使用するフォトマ
スクを製造する際に、当該マスクＲＯＭに共通の共通パ
ターンを予め形成しておいて、その共通パターンに対し
てデータの「０」又は「１」を書き込む方法であり、１
個のプログラム毎に１個の共通パターンに対して書き込
みを行うので、プログラム変更に迅速に対応することが
できなかった。
のプログラム方式においても、そこで使用するフォトマ
スクを製造する際に、当該マスクＲＯＭに共通の共通パ
ターンを予め形成しておいて、その共通パターンに対し
てデータの「０」又は「１」を書き込む方法であり、１
個のプログラム毎に１個の共通パターンに対して書き込
みを行うので、プログラム変更に迅速に対応することが
できなかった。
【０００５】以上の問題は、マスクＲＯＭに限られるも
のではなく、ある半導体装置に対して若干の変更を加え
た別の半導体装置を製造する際も、当該変更部分を含む
フォトマスクの製造を同様な方法で行っていたので、同
様であった。
のではなく、ある半導体装置に対して若干の変更を加え
た別の半導体装置を製造する際も、当該変更部分を含む
フォトマスクの製造を同様な方法で行っていたので、同
様であった。
【０００６】本発明の目的は、半導体装置の内容の一部
を変更する際に、その対応を迅速に行うことができ、多
品種少量生産に好適なフォトマスクパターンの決定方法
を提供することである。
を変更する際に、その対応を迅速に行うことができ、多
品種少量生産に好適なフォトマスクパターンの決定方法
を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のフォトマスクの
パターンの決定方法は、予め決められた基本パターン
と、プログラム内容に応じて決定されるコードパターン
とを別々に作成し、上記基本パターンに上記コードパタ
ーンを合成したパターンからフォトマスクパターンを決
定する。
パターンの決定方法は、予め決められた基本パターン
と、プログラム内容に応じて決定されるコードパターン
とを別々に作成し、上記基本パターンに上記コードパタ
ーンを合成したパターンからフォトマスクパターンを決
定する。
【０００８】本発明では、上記フォトマスクパターン
を、アルミニウム配線形成用、ポリシリコン配線形成
用、拡散用、イオン注入用、又はコンタクト孔形成用に
適用できる。
を、アルミニウム配線形成用、ポリシリコン配線形成
用、拡散用、イオン注入用、又はコンタクト孔形成用に
適用できる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。図
１はコンタクトプログラム方式のマスクＲＯＭの回路図
である。このマスクＲＯＭは、ＮチャンネルＭＯＳＦＥ
Ｔからなるメモリセル１（１ａａ、１ａｂ、・・・）を
行列に配列してなるものである。２（２ａ、２ｂ、・・
・）はビット線で、電源側はプルアップ抵抗（図示せ
ず）を介して正電源に接続され、反対側は出力側とな
る。また３（３ａ、３ｂ、・・・・）はメモリセル１に
ゲート電位を与えるワード線である。
１はコンタクトプログラム方式のマスクＲＯＭの回路図
である。このマスクＲＯＭは、ＮチャンネルＭＯＳＦＥ
Ｔからなるメモリセル１（１ａａ、１ａｂ、・・・）を
行列に配列してなるものである。２（２ａ、２ｂ、・・
・）はビット線で、電源側はプルアップ抵抗（図示せ
ず）を介して正電源に接続され、反対側は出力側とな
る。また３（３ａ、３ｂ、・・・・）はメモリセル１に
ゲート電位を与えるワード線である。
【００１０】プログラムの書き込みは、メモリセル１の
ドレインとビット線２の間のコード部分４を遮断又は導
通させて行う。図１に示すようにプログラムを書き込ん
だ（×印部分が遮断部分）ときは、例えば、ワード線３
ａを「１」（＝「Ｈ」レベル）にしたとき、メモリセル
１ａａ、１ａｂ、１ａｃ、１ａｄが選択されてオンす
る。このときメモリセル１ａｂはコード部分４が遮断さ
れているので、対応するビット線２ｂにはプルアップ抵
抗を介して接続されている正電圧が現れて「１」となる
が、他のビット線２ａ、２ｃ、２ｄはコード部分４が接
続されているので、対応するメモリセル１ａａ、１ａ
ｃ、１ａｄを経由して接地され、それらビット線２ａ、
２ｃ、２ｄは「０」となる。
ドレインとビット線２の間のコード部分４を遮断又は導
通させて行う。図１に示すようにプログラムを書き込ん
だ（×印部分が遮断部分）ときは、例えば、ワード線３
ａを「１」（＝「Ｈ」レベル）にしたとき、メモリセル
１ａａ、１ａｂ、１ａｃ、１ａｄが選択されてオンす
る。このときメモリセル１ａｂはコード部分４が遮断さ
れているので、対応するビット線２ｂにはプルアップ抵
抗を介して接続されている正電圧が現れて「１」となる
が、他のビット線２ａ、２ｃ、２ｄはコード部分４が接
続されているので、対応するメモリセル１ａａ、１ａ
ｃ、１ａｄを経由して接地され、それらビット線２ａ、
２ｃ、２ｄは「０」となる。
【００１１】本実施例では、このようなマスクＲＯＭの
コード部分４のプログラム（接続／遮断）を、製造の最
終プロセスに近いアルミニウム配線によるビット線の配
線パターンの作成プロセスのフォトマスク（図５のフォ
トマスク６のプロセス）で行う。すなわち、図２に示す
ように、ビット線２とメモリセル１のドレインのコンタ
クト部分５とを構成するビット線配線パターンのレイア
ウトを、当該マスクＲＯＭに共通の基本パターン（右下
向き斜線部分で表す。）として、コンピュータが扱うこ
とのできる所定のフォーマット（例えばＧＤＳ２のフォ
ーマット）で予めデータ作成しておく。
コード部分４のプログラム（接続／遮断）を、製造の最
終プロセスに近いアルミニウム配線によるビット線の配
線パターンの作成プロセスのフォトマスク（図５のフォ
トマスク６のプロセス）で行う。すなわち、図２に示す
ように、ビット線２とメモリセル１のドレインのコンタ
クト部分５とを構成するビット線配線パターンのレイア
ウトを、当該マスクＲＯＭに共通の基本パターン（右下
向き斜線部分で表す。）として、コンピュータが扱うこ
とのできる所定のフォーマット（例えばＧＤＳ２のフォ
ーマット）で予めデータ作成しておく。
【００１２】また別に、メモリセル１のドレインのコン
タクト部分５とビット線２とを接続するコード部分４の
パターンのレイアウト、つまりコード部分４の配線の有
無のパターンのレイアウトを、コードパターン（格子
縞、又は空白）として上記と同じフォーマットで作成す
る。
タクト部分５とビット線２とを接続するコード部分４の
パターンのレイアウト、つまりコード部分４の配線の有
無のパターンのレイアウトを、コードパターン（格子
縞、又は空白）として上記と同じフォーマットで作成す
る。
【００１３】そして、これら基本パターンとコードパタ
ーンとをコンピュータ処理より合成して全体のビット線
配線パターンのレイアウトデータを作成し、このパター
ンレイアウトデータによってアルミニウム配線エッチン
グ用のフォトマスクを作成する。
ーンとをコンピュータ処理より合成して全体のビット線
配線パターンのレイアウトデータを作成し、このパター
ンレイアウトデータによってアルミニウム配線エッチン
グ用のフォトマスクを作成する。
【００１４】このように、本実施例では、コードパター
ンを基本パターンから独立して扱うので、受注に応じた
プログラムのコードパターンの決定が容易・迅速であ
り、また予め複数のコードパターンを作成しておくこと
もできる。
ンを基本パターンから独立して扱うので、受注に応じた
プログラムのコードパターンの決定が容易・迅速であ
り、また予め複数のコードパターンを作成しておくこと
もできる。
【００１５】また、本実施例では、マスクＲＯＭ製造の
最終プロセスに極めて近いプロセスでプログラムを行う
ので、予めこのビット線の配線エッチングプロセスの直
前までのプロセス（アルミニウム配線蒸着）を完了した
マスクＲＯＭを多数作り貯めしておけば、ユーザからの
受注後にプログラムに応じたビット線パターン用フォト
マスクを作成することにより、短時間でマスクＲＯＭを
完成させることができ、マスクＲＯＭ受注から出荷まで
の期間をかなり短縮化できる。
最終プロセスに極めて近いプロセスでプログラムを行う
ので、予めこのビット線の配線エッチングプロセスの直
前までのプロセス（アルミニウム配線蒸着）を完了した
マスクＲＯＭを多数作り貯めしておけば、ユーザからの
受注後にプログラムに応じたビット線パターン用フォト
マスクを作成することにより、短時間でマスクＲＯＭを
完成させることができ、マスクＲＯＭ受注から出荷まで
の期間をかなり短縮化できる。
【００１６】次に、上記したコードパターンの作成手順
を説明する。まず、上記した基本パターンのレイアウト
におけるコード部分４（図２）のアドレス０の座標（図
２の左上角部分の座標：原点座標）を決める。そして次
に、行方向及び列方向の隣のコード部分４のアドレスを
決めるための行ピッチ、列ピッチを基本パターンに応じ
て決める。なお、コード部分４のパターン（図２の黒塗
パターン）の形状・大きさ・向き等は予め決定してお
く。
を説明する。まず、上記した基本パターンのレイアウト
におけるコード部分４（図２）のアドレス０の座標（図
２の左上角部分の座標：原点座標）を決める。そして次
に、行方向及び列方向の隣のコード部分４のアドレスを
決めるための行ピッチ、列ピッチを基本パターンに応じ
て決める。なお、コード部分４のパターン（図２の黒塗
パターン）の形状・大きさ・向き等は予め決定してお
く。
【００１７】この後、各メモリセル１のコード部分４を
接続する（＝「０」）か、遮断する（＝「１」）かを決
めたプログラムコードを表すテキストデータを、図３に
示すように作成する。このテキストデータは、マスクＲ
ＯＭのメモリセルの二次元配列に対応させて、左上角を
基準にして行列に配列させたものである。
接続する（＝「０」）か、遮断する（＝「１」）かを決
めたプログラムコードを表すテキストデータを、図３に
示すように作成する。このテキストデータは、マスクＲ
ＯＭのメモリセルの二次元配列に対応させて、左上角を
基準にして行列に配列させたものである。
【００１８】次に、上記したようにして決定したアドレ
ス（各コード部分４の基本パターン上での位置）に対応
して、テキストデータからコード部分４のパターンの有
無を示す「０」、「１」を読み込んで、当該コード部分
４のパターンのレイアウトデータを作成する。これが、
コードパターンとなる。
ス（各コード部分４の基本パターン上での位置）に対応
して、テキストデータからコード部分４のパターンの有
無を示す「０」、「１」を読み込んで、当該コード部分
４のパターンのレイアウトデータを作成する。これが、
コードパターンとなる。
【００１９】図４は別の実施例を示す図である。この例
も、同様にアルミニウム配線パターンによってコード化
を行うものである。まず、図４の（ａ）に示すように、
配線１１ａ〜１１ｇを有する基本パターン１１のデータ
を所定フォーマットで作成しておき、またこれと別に、
図４の（ｂ）に示すように、コードとしての複数のコー
ドパターン１２〜１４のデータを同じフォーマットで作
成しておく。なお、コードパターン１２は配線１２ａ〜
１２ｄを有し、コードパターン１３は配線１３ａ〜１３
ｃを有し、コードパターン１４は配線１４ａ〜１４ｃを
有する。そして、そのコードパターン１２〜１４の内か
ら特定の１個のコードパターンを選択して基本パターン
１１と合成する。
も、同様にアルミニウム配線パターンによってコード化
を行うものである。まず、図４の（ａ）に示すように、
配線１１ａ〜１１ｇを有する基本パターン１１のデータ
を所定フォーマットで作成しておき、またこれと別に、
図４の（ｂ）に示すように、コードとしての複数のコー
ドパターン１２〜１４のデータを同じフォーマットで作
成しておく。なお、コードパターン１２は配線１２ａ〜
１２ｄを有し、コードパターン１３は配線１３ａ〜１３
ｃを有し、コードパターン１４は配線１４ａ〜１４ｃを
有する。そして、そのコードパターン１２〜１４の内か
ら特定の１個のコードパターンを選択して基本パターン
１１と合成する。
【００２０】例えば、コードパターン１４を合成すれ
ば、図４の（ｃ）に示すように、基本パターン１１の配
線１１ａと１１ｂがコードパターン１４の配線１４ａで
結合され、以下同様に、配線１１ｃと１１ｇが配線１４
ｂで結合され、配線１１ｄ〜１１ｆが配線１４ｃで結合
されるようになる。
ば、図４の（ｃ）に示すように、基本パターン１１の配
線１１ａと１１ｂがコードパターン１４の配線１４ａで
結合され、以下同様に、配線１１ｃと１１ｇが配線１４
ｂで結合され、配線１１ｄ〜１１ｆが配線１４ｃで結合
されるようになる。
【００２１】このように、共通の基本パターンのレイア
ウトに種々異なるコードパターンのレイアウトを合成し
て、配線パターンを決定し、これによりその配線パター
ン作成用のエッチング用フォトマスクを作成することが
できるので、マスクＲＯＭ内の配線、ロジック回路内の
配線、その他に適用できるようになる。
ウトに種々異なるコードパターンのレイアウトを合成し
て、配線パターンを決定し、これによりその配線パター
ン作成用のエッチング用フォトマスクを作成することが
できるので、マスクＲＯＭ内の配線、ロジック回路内の
配線、その他に適用できるようになる。
【００２２】なお、以上はアルミニウム配線のエッチン
グマスクを作成する際のマスクパターン決定の例につい
て説明したが、このような基本パターンにコードパター
ンを合成してマスクパターンを作成する手法は、他に
も、ポリシリコン配線形成用フォトマスク、拡散用フォ
トマスク、イオン注入用フォトマスク、コンタクト孔形
成用フォトマスク等のいずれにも適用することができ
る。
グマスクを作成する際のマスクパターン決定の例につい
て説明したが、このような基本パターンにコードパター
ンを合成してマスクパターンを作成する手法は、他に
も、ポリシリコン配線形成用フォトマスク、拡散用フォ
トマスク、イオン注入用フォトマスク、コンタクト孔形
成用フォトマスク等のいずれにも適用することができ
る。
【００２３】
【発明の効果】以上から本発明によれば、基本パターン
を予め決定しておき、それに対して、別に作成したコー
ドパターンを合成してフォトマスクパターンを決定する
ので、コードパターンを独立して扱うことができ、プロ
グラム変更や内部の一部設計変更等に迅速に対応してフ
ォトマスク作成ができるようになり、多品種少量生産に
好適である。また、特に最終プロセスに近いアルミニウ
ム配線プロセスにこれを適用すれば、受注から出荷まで
の期間を大幅に短縮できるようになる。
を予め決定しておき、それに対して、別に作成したコー
ドパターンを合成してフォトマスクパターンを決定する
ので、コードパターンを独立して扱うことができ、プロ
グラム変更や内部の一部設計変更等に迅速に対応してフ
ォトマスク作成ができるようになり、多品種少量生産に
好適である。また、特に最終プロセスに近いアルミニウ
ム配線プロセスにこれを適用すれば、受注から出荷まで
の期間を大幅に短縮できるようになる。
【図１】 マスクＲＯＭの一部の回路図である。
【図２】 マスクＲＯＭの一部の構成図である。
【図３】 プログラムコードを表すテキストデータで
ある。
ある。
【図４】 配線パターン作成の説明図である。
【図５】 マスクＲＯＭ製造の一般的なプロセスのフ
ローチャートである。
ローチャートである。
１：メモリセル、２：ビット線、３：ワード線、４：コ
ード部分、５：ソース線、６：ドレインコンタクト配
線、１１：基本パターン、１２〜１４：コードパター
ン。
ード部分、５：ソース線、６：ドレインコンタクト配
線、１１：基本パターン、１２〜１４：コードパター
ン。
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体装置製造用のフォトマスクのパタ
ーンを決定する方法であって、 予め決められた基本パターンと、プログラム内容に応じ
て決定されるコードパターンとを別々に作成し、上記基
本パターンに上記コードパターンを合成したパターンか
らフォトマスクパターンを決定することを特徴とする決
定方法。 - 【請求項２】 上記フォトマスクパターンが、アルミニ
ウム配線形成用、ポリシリコン配線形成用、拡散用、イ
オン注入用、又はコンタクト孔形成用であることを特徴
とする請求項１に記載の決定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31951792A JPH06148867A (ja) | 1992-11-04 | 1992-11-04 | フォトマスクパターンの決定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31951792A JPH06148867A (ja) | 1992-11-04 | 1992-11-04 | フォトマスクパターンの決定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06148867A true JPH06148867A (ja) | 1994-05-27 |
Family
ID=18111116
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31951792A Withdrawn JPH06148867A (ja) | 1992-11-04 | 1992-11-04 | フォトマスクパターンの決定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06148867A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100720251B1 (ko) * | 2005-12-30 | 2007-05-22 | 주식회사 하이닉스반도체 | 노광 마스크 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법 |
| JP2019532502A (ja) * | 2016-09-08 | 2019-11-07 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | 荷電粒子マルチビームレットリソグラフィーシステムを使用し、一意的チップを製作すること |
-
1992
- 1992-11-04 JP JP31951792A patent/JPH06148867A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100720251B1 (ko) * | 2005-12-30 | 2007-05-22 | 주식회사 하이닉스반도체 | 노광 마스크 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법 |
| JP2019532502A (ja) * | 2016-09-08 | 2019-11-07 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | 荷電粒子マルチビームレットリソグラフィーシステムを使用し、一意的チップを製作すること |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000104 |