JPH06140658A - 半導体光検出器およびその製造方法 - Google Patents
半導体光検出器およびその製造方法Info
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- JPH06140658A JPH06140658A JP4289950A JP28995092A JPH06140658A JP H06140658 A JPH06140658 A JP H06140658A JP 4289950 A JP4289950 A JP 4289950A JP 28995092 A JP28995092 A JP 28995092A JP H06140658 A JPH06140658 A JP H06140658A
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- Japan
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- conductive layer
- semiconductor
- layer
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 静電容量と寄生抵抗とを同時に低減できる構
造で、高速応答が可能な半導体光検出器を得る。 【構成】 半導体基板１０１上に設けたｐｎ接合部を、
誘電体膜１０５で覆われたリッジ状に形成し、上記リッ
ジ側面の周囲に空洞１０６を設けるように半導体層で埋
め込む。
造で、高速応答が可能な半導体光検出器を得る。 【構成】 半導体基板１０１上に設けたｐｎ接合部を、
誘電体膜１０５で覆われたリッジ状に形成し、上記リッ
ジ側面の周囲に空洞１０６を設けるように半導体層で埋
め込む。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、静電容量と寄生抵抗と
を同時に低減できる構造の、高速応答可能な半導体光検
出器およびその製造方法に関するものである。
を同時に低減できる構造の、高速応答可能な半導体光検
出器およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の一般的な半導体光検出器は、信号
光波長が１．５５μｍの場合を例にとると、図４に示す
ように低キャリア濃度の光吸収層３０３（図４の場合は
ノンドープＩｎＧａＡｓ）の上下に、ｐ型導電層３０
４、ｎ型導電層３０２をそれぞれ配置して形成している
（榊原勝利他、「直列抵抗を低減した高速ＧａＩｎＡｓ
／ＩｎＰ ＰＩＮフォトダイオード」１９９１年春季応
用物理学会学術講演会予稿集、９５３頁、２８ｐ−Ｆ−
１）。なお、３０７はｎ電極、３０８はｐ電極である。
上記半導体光検出器においては、ｐ型導電層３０４とｎ
型導電層３０２との間に逆バイアス電圧を印加して、ノ
ンドープの光吸収層３０３内に空乏層を形成し、上記空
乏層にかかる高電界を利用して、半導体光検出器上面ま
たは裏面より光吸収層に入射した信号光を光電変換する
ものである。
光波長が１．５５μｍの場合を例にとると、図４に示す
ように低キャリア濃度の光吸収層３０３（図４の場合は
ノンドープＩｎＧａＡｓ）の上下に、ｐ型導電層３０
４、ｎ型導電層３０２をそれぞれ配置して形成している
（榊原勝利他、「直列抵抗を低減した高速ＧａＩｎＡｓ
／ＩｎＰ ＰＩＮフォトダイオード」１９９１年春季応
用物理学会学術講演会予稿集、９５３頁、２８ｐ−Ｆ−
１）。なお、３０７はｎ電極、３０８はｐ電極である。
上記半導体光検出器においては、ｐ型導電層３０４とｎ
型導電層３０２との間に逆バイアス電圧を印加して、ノ
ンドープの光吸収層３０３内に空乏層を形成し、上記空
乏層にかかる高電界を利用して、半導体光検出器上面ま
たは裏面より光吸収層に入射した信号光を光電変換する
ものである。
【０００３】ところで、上記半導体光検出器の応答速度
は、ＣＲ時定数と光励起キャリアの走行時間とで決定さ
れる。上記光励起キャリアの走行時間を小さくするため
には光吸収層を薄くする必要があるが、上記光吸収層を
薄くすることによる静電容量Ｃの増加を抑えるため、光
吸収層の面積を小さくしなければならない。
は、ＣＲ時定数と光励起キャリアの走行時間とで決定さ
れる。上記光励起キャリアの走行時間を小さくするため
には光吸収層を薄くする必要があるが、上記光吸収層を
薄くすることによる静電容量Ｃの増加を抑えるため、光
吸収層の面積を小さくしなければならない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記ｐ
型導電層上面の一部にはｐ型オーミック電極を形成する
必要があるため、従来のように光吸収層の上部だけにｐ
型導電層を設けた半導体光検出器では、上記光吸収層の
面積を小さくした場合にｐ型オーミック電極の面積も必
然的に小さくなり、その結果、オーミック抵抗が増加し
てＣＲ時定数が増大し、結局は高速応答ができないとい
う問題があった。
型導電層上面の一部にはｐ型オーミック電極を形成する
必要があるため、従来のように光吸収層の上部だけにｐ
型導電層を設けた半導体光検出器では、上記光吸収層の
面積を小さくした場合にｐ型オーミック電極の面積も必
然的に小さくなり、その結果、オーミック抵抗が増加し
てＣＲ時定数が増大し、結局は高速応答ができないとい
う問題があった。
【０００５】本発明は、上記従来技術における静電容量
と寄生抵抗との関係を解消し、高速応答が可能な半導体
光検出器を得ることを目的とする。
と寄生抵抗との関係を解消し、高速応答が可能な半導体
光検出器を得ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的は、半導体基板
上に設けたｐｎ接合を有する半導体光検出器において、
上記ｐｎ接合部は側面を誘電体膜で覆ったリッジ状に形
成し、上記リッジ側面の周囲に空洞を形成するようにし
て、上記リッジを半導体層で埋め込んだことにより達成
される。
上に設けたｐｎ接合を有する半導体光検出器において、
上記ｐｎ接合部は側面を誘電体膜で覆ったリッジ状に形
成し、上記リッジ側面の周囲に空洞を形成するようにし
て、上記リッジを半導体層で埋め込んだことにより達成
される。
【０００７】
【作用】本発明では、リッジ状のｐｎ接合部の側面およ
び半導体基板上面の一部に形成した誘電体膜マスクを用
いて、ｐｎ接合部を半導体層で埋め込むことにより、上
記ｐｎ接合部の周囲に空洞を形成している。本発明では
ｐｎ接合部をリッジ状に形成するため、光吸収層の面積
とは独立に上部導電層の面積を設定することができ、光
吸収層の面積を小さく保ちながら、広い面積のｐ型オー
ミック電極を形成することができる。また、上記空洞に
よってｎ型下部導電層とｐ型上部導電層とが離されるた
め、下部導電層と上部導電層との間に生じる寄生容量を
低減することができるので、高速応答が可能な半導体光
検出器を得ることができる。
び半導体基板上面の一部に形成した誘電体膜マスクを用
いて、ｐｎ接合部を半導体層で埋め込むことにより、上
記ｐｎ接合部の周囲に空洞を形成している。本発明では
ｐｎ接合部をリッジ状に形成するため、光吸収層の面積
とは独立に上部導電層の面積を設定することができ、光
吸収層の面積を小さく保ちながら、広い面積のｐ型オー
ミック電極を形成することができる。また、上記空洞に
よってｎ型下部導電層とｐ型上部導電層とが離されるた
め、下部導電層と上部導電層との間に生じる寄生容量を
低減することができるので、高速応答が可能な半導体光
検出器を得ることができる。
【０００８】
【実施例】つぎに本発明の実施例を図面とともに説明す
る。図１は本発明による半導体光検出器の第１実施例を
示す構造図、図２（ａ）〜（ｄ）は上記実施例の製造工
程を示す図、図３は本発明の第２実施例を示す半導体光
検出器の製造工程を示す図である。図１において、１０
１は半絶縁性ＩｎＰ基板、１０２はｎ型ＩｎＰ下部導電
層、１０３はノンドープＩｎＧａＡｓ光吸収層、１０４
はｐ型ＩｎＰ上部導電層、１０５は誘電体マスク、１０
６は空洞、１０７はｎ型オーミック電極、１０８はｐ型
オーミック電極である。この半導体光検出器はノンドー
プＩｎＧａＡｓ光吸収層１０３を光電変換層とする導波
路型ｐｉｎホトダイオードの構成になっている。
る。図１は本発明による半導体光検出器の第１実施例を
示す構造図、図２（ａ）〜（ｄ）は上記実施例の製造工
程を示す図、図３は本発明の第２実施例を示す半導体光
検出器の製造工程を示す図である。図１において、１０
１は半絶縁性ＩｎＰ基板、１０２はｎ型ＩｎＰ下部導電
層、１０３はノンドープＩｎＧａＡｓ光吸収層、１０４
はｐ型ＩｎＰ上部導電層、１０５は誘電体マスク、１０
６は空洞、１０７はｎ型オーミック電極、１０８はｐ型
オーミック電極である。この半導体光検出器はノンドー
プＩｎＧａＡｓ光吸収層１０３を光電変換層とする導波
路型ｐｉｎホトダイオードの構成になっている。
【０００９】上記半導体光検出器の製造は図２（ａ）〜
（ｄ）に示すつぎの工程により行う。まず図２（ａ）に
示すように、半絶縁性ＩｎＰ基板１０１上に厚さ０．２
μｍのｎ型ＩｎＰ下部導電層１０２と、厚さ０．５μｍ
のノンドープＩｎＧａＡｓ光吸収層１０３をこの順にエ
ピタキシャル成長する。その後ＩｎＰ基板１０１が露出
するまで、上記ｎ型ＩｎＰ下部導電層１０２とノンドー
プＩｎＧａＡｓ光吸収層１０３をリッジ状にエッチング
する。ついで図２（ｂ）に示すように、上記リッジ状に
形成された半導体層及び半絶縁性ＩｎＰ基板１０１の表
面全面に誘電体膜ＳｉＯ2１０５を堆積し、リッジ側面
およびリッジ下部近傍のＩｎＰ基板１０１表面だけを残
して、上記誘電体膜ＳｉＯ2１０５を図２（ｃ）に示す
ようにエッチングにより除去する。つぎに図２（ｄ）に
示すように、厚さ２μｍのｐ型ＩｎＰ上部導電層１０４
を選択成長する。この際、上記リッジ側面およびリッジ
下部近傍の誘電体膜ＳｉＯ2１０５に覆われた部分に
は、上記上部導電層１０４が成長しないため、この部分
に空洞１０６が形成される。その後、上記リッジの一部
をノンドープＩｎＧａＡｓ光吸収層１０３が露出するま
でエッチングし、露出した光吸収層１０３上にｎ型オー
ミック電極１０７を形成し、さらに上記ｐ型ＩｎＰ上部
導電層１０４上にｐ型オーミック電極１０８を形成する
ことにより、図１に示すような半導体光検出器が得られ
る。
（ｄ）に示すつぎの工程により行う。まず図２（ａ）に
示すように、半絶縁性ＩｎＰ基板１０１上に厚さ０．２
μｍのｎ型ＩｎＰ下部導電層１０２と、厚さ０．５μｍ
のノンドープＩｎＧａＡｓ光吸収層１０３をこの順にエ
ピタキシャル成長する。その後ＩｎＰ基板１０１が露出
するまで、上記ｎ型ＩｎＰ下部導電層１０２とノンドー
プＩｎＧａＡｓ光吸収層１０３をリッジ状にエッチング
する。ついで図２（ｂ）に示すように、上記リッジ状に
形成された半導体層及び半絶縁性ＩｎＰ基板１０１の表
面全面に誘電体膜ＳｉＯ2１０５を堆積し、リッジ側面
およびリッジ下部近傍のＩｎＰ基板１０１表面だけを残
して、上記誘電体膜ＳｉＯ2１０５を図２（ｃ）に示す
ようにエッチングにより除去する。つぎに図２（ｄ）に
示すように、厚さ２μｍのｐ型ＩｎＰ上部導電層１０４
を選択成長する。この際、上記リッジ側面およびリッジ
下部近傍の誘電体膜ＳｉＯ2１０５に覆われた部分に
は、上記上部導電層１０４が成長しないため、この部分
に空洞１０６が形成される。その後、上記リッジの一部
をノンドープＩｎＧａＡｓ光吸収層１０３が露出するま
でエッチングし、露出した光吸収層１０３上にｎ型オー
ミック電極１０７を形成し、さらに上記ｐ型ＩｎＰ上部
導電層１０４上にｐ型オーミック電極１０８を形成する
ことにより、図１に示すような半導体光検出器が得られ
る。
【００１０】上記ｐ型ＩｎＰ上部導電層１０４の選択成
長により形成されるエピタキシャル層においては、上面
からの成長だけでなく側面からの成長も促進されるた
め、成長初期にはＳｉＯ2膜１０５によって分離されて
いた上部導電層１０４は、成長終了時になると図２
（ｄ）に示すように互いにつながり合い、その結果、上
記ｐ型ＩｎＰ上部導電層１０４は極めて広い面積を有す
ることになる。したがって、光吸収層１０３の面積を小
さく保ちながら、広い面積のｐ型オーミック電極１０８
を形成することが可能になる。また、上記空洞１０６に
よってｎ型ＩｎＰ下部導電層１０２とｐ型ＩｎＰ上部導
電層１０４との間が離隔されるため、上記両者間に生じ
る寄生容量を大幅に低減することができる。
長により形成されるエピタキシャル層においては、上面
からの成長だけでなく側面からの成長も促進されるた
め、成長初期にはＳｉＯ2膜１０５によって分離されて
いた上部導電層１０４は、成長終了時になると図２
（ｄ）に示すように互いにつながり合い、その結果、上
記ｐ型ＩｎＰ上部導電層１０４は極めて広い面積を有す
ることになる。したがって、光吸収層１０３の面積を小
さく保ちながら、広い面積のｐ型オーミック電極１０８
を形成することが可能になる。また、上記空洞１０６に
よってｎ型ＩｎＰ下部導電層１０２とｐ型ＩｎＰ上部導
電層１０４との間が離隔されるため、上記両者間に生じ
る寄生容量を大幅に低減することができる。
【００１１】本発明による製造方法を用いて製作した半
導体光検出器においては、幅１μｍの光吸収層に対して
幅１０μｍのｐ型オーミック電極を形成した結果、寄生
抵抗は５Ωと従来の約１０分の１に減少し、また寄生容
量を素子容量に比べて無視できる程度に小さくすること
ができ、応答速度は６０ＧＨＺと従来の約４倍の性能を
実現することが可能になった。
導体光検出器においては、幅１μｍの光吸収層に対して
幅１０μｍのｐ型オーミック電極を形成した結果、寄生
抵抗は５Ωと従来の約１０分の１に減少し、また寄生容
量を素子容量に比べて無視できる程度に小さくすること
ができ、応答速度は６０ＧＨＺと従来の約４倍の性能を
実現することが可能になった。
【００１２】本発明の第２実施例である半導体光検出器
を、その製造工程を示す図３により説明する。図３にお
いて、２０１は半絶縁性ＩｎＰ基板、２０２はｎ型Ｉｎ
Ｐ下部導電層、２０３はノンドープＩｎＧａＡｓ光吸収
層、２０４はｐ型ＩｎＰ上部導電層、２０５は誘電体マ
スク、２０６は空洞である。上記半導体光検出器はノン
ドープＩｎＧａＡｓ光吸収層２０３を光電変換層とする
導波路型ｐｉｎホトダイオードの構成になっている。
を、その製造工程を示す図３により説明する。図３にお
いて、２０１は半絶縁性ＩｎＰ基板、２０２はｎ型Ｉｎ
Ｐ下部導電層、２０３はノンドープＩｎＧａＡｓ光吸収
層、２０４はｐ型ＩｎＰ上部導電層、２０５は誘電体マ
スク、２０６は空洞である。上記半導体光検出器はノン
ドープＩｎＧａＡｓ光吸収層２０３を光電変換層とする
導波路型ｐｉｎホトダイオードの構成になっている。
【００１３】上記半導体光検出器の製造方法を図３
（ａ）〜（ｄ）に示す工程にしたがって説明する。ま
ず、半絶縁性ＩｎＰ基板２０１上に厚さ０．２μｍのｎ
型ＩｎＰ下部導電層２０２および厚さ０．５μｍのノン
ドープＩｎＧａＡｓ光吸収層２０３を、この順にエピタ
キシャル成長し、図３（ａ）に示すように上記下部導電
層２０２と光吸収層２０３とを、半絶縁性基板２０１が
露出するまで逆メサ形リッジ状にエッチングする。つぎ
に図３（ｂ）に示すように、上記リッジ状に形成された
半導体層および半絶縁性ＩｎＰ基板２０１上の全面に誘
電体膜ＳｉＯ2２０５を堆積する。その後、上記半導体
基板上方よりイオンビームを照射して、上記誘電体膜Ｓ
ｉＯ2２０５を図３（ｃ）に示すようにリッジの側面お
よび下部近傍を除いてエッチングにより除去する。ここ
で、上記リッジは逆メサ形状をしているため、リッジ側
面およびリッジ下部近傍はリッジの影になりイオンビー
ムが到達しない。そのため、上記リッジ側面およびリッ
ジ下部近傍のＳｉＯ2膜２０５はエッチングされないで
残ることになる。つぎに、図３（ｄ）に示すように、厚
さ２μｍのｐ型ＩｎＰ上部導電層２０４を選択成長する
が、上記リッジ側面およびリッジ下部近傍のＳｉＯ2膜
部分においては上記ＩｎＰ上部導電層２０４が成長しな
いため、この部分に空洞２０６が形成されることにな
る。第１実施例と同様に、上記リッジの一部をノンドー
プＩｎＧａＡｓ光吸収層２０３が露出するまでエッチン
グし、上記吸収層２０３の表面にｎ型オーミック電極を
形成するとともに、上記ｐ型ＩｎＰ上部導電層２０４上
にｐ型オーミック電極を形成して半導体光検出器を得
る。
（ａ）〜（ｄ）に示す工程にしたがって説明する。ま
ず、半絶縁性ＩｎＰ基板２０１上に厚さ０．２μｍのｎ
型ＩｎＰ下部導電層２０２および厚さ０．５μｍのノン
ドープＩｎＧａＡｓ光吸収層２０３を、この順にエピタ
キシャル成長し、図３（ａ）に示すように上記下部導電
層２０２と光吸収層２０３とを、半絶縁性基板２０１が
露出するまで逆メサ形リッジ状にエッチングする。つぎ
に図３（ｂ）に示すように、上記リッジ状に形成された
半導体層および半絶縁性ＩｎＰ基板２０１上の全面に誘
電体膜ＳｉＯ2２０５を堆積する。その後、上記半導体
基板上方よりイオンビームを照射して、上記誘電体膜Ｓ
ｉＯ2２０５を図３（ｃ）に示すようにリッジの側面お
よび下部近傍を除いてエッチングにより除去する。ここ
で、上記リッジは逆メサ形状をしているため、リッジ側
面およびリッジ下部近傍はリッジの影になりイオンビー
ムが到達しない。そのため、上記リッジ側面およびリッ
ジ下部近傍のＳｉＯ2膜２０５はエッチングされないで
残ることになる。つぎに、図３（ｄ）に示すように、厚
さ２μｍのｐ型ＩｎＰ上部導電層２０４を選択成長する
が、上記リッジ側面およびリッジ下部近傍のＳｉＯ2膜
部分においては上記ＩｎＰ上部導電層２０４が成長しな
いため、この部分に空洞２０６が形成されることにな
る。第１実施例と同様に、上記リッジの一部をノンドー
プＩｎＧａＡｓ光吸収層２０３が露出するまでエッチン
グし、上記吸収層２０３の表面にｎ型オーミック電極を
形成するとともに、上記ｐ型ＩｎＰ上部導電層２０４上
にｐ型オーミック電極を形成して半導体光検出器を得
る。
【００１４】上記半導体基板の上方からイオンビームを
照射してＳｉＯ2膜をエッチングにより除去する工程に
おいては、リッジが逆メサ形に形成されているためエッ
チングマスクを用いることなく、リッジ側面およびリッ
ジ下部近傍のＳｉＯ2膜２０５を残すことができるた
め、上記第１実施例に比べて製造の簡素化を行うことが
できるが、同様な効果が得られることはいうまでもな
い。
照射してＳｉＯ2膜をエッチングにより除去する工程に
おいては、リッジが逆メサ形に形成されているためエッ
チングマスクを用いることなく、リッジ側面およびリッ
ジ下部近傍のＳｉＯ2膜２０５を残すことができるた
め、上記第１実施例に比べて製造の簡素化を行うことが
できるが、同様な効果が得られることはいうまでもな
い。
【００１５】上記各実施例は導波路型光検出器を実現し
た例を示したが、本発明を面入射型光検出器に適用する
ことにより、高速応答が可能な面入射型光検出器を実現
することができる。上記実施例では半導体材料としてＩ
ｎＰ基板と格子整合する材料を用いた例を示したが、こ
れらの一部または全部をＩｎＰと格子整合しない材料と
しても同様の効果が期待できる。また、信号光波長が
１．５５μｍの場合についての例を示したが、材料を適
当に選ぶことにより波長１．５５μｍ以外の信号光に対
して、本実施例と同様の効果がある半導体光検出器が実
現できる。さらに、本構造を半導体レーザあるいは半導
体光変調器などの他の光素子に適用することも可能であ
る。
た例を示したが、本発明を面入射型光検出器に適用する
ことにより、高速応答が可能な面入射型光検出器を実現
することができる。上記実施例では半導体材料としてＩ
ｎＰ基板と格子整合する材料を用いた例を示したが、こ
れらの一部または全部をＩｎＰと格子整合しない材料と
しても同様の効果が期待できる。また、信号光波長が
１．５５μｍの場合についての例を示したが、材料を適
当に選ぶことにより波長１．５５μｍ以外の信号光に対
して、本実施例と同様の効果がある半導体光検出器が実
現できる。さらに、本構造を半導体レーザあるいは半導
体光変調器などの他の光素子に適用することも可能であ
る。
【００１６】
【発明の効果】上記のように本発明による半導体光検出
器およびその製造方法は、半導体基板上に設けたｐｎ接
合を有する半導体光検出器において、上記ｐｎ接合部は
側面を誘電体膜で覆ったリッジ状に形成し、上記リッジ
側面の周囲に空洞を形成するようにして、上記リッジを
半導体層で埋め込んだことにより、静電容量と寄生抵抗
との互いに相反する関係を解消してこれらを同時に低減
し、かつ、寄生容量が小さく高速応答が可能な半導体光
検出器を実現し、その製造方法を得ることができる。
器およびその製造方法は、半導体基板上に設けたｐｎ接
合を有する半導体光検出器において、上記ｐｎ接合部は
側面を誘電体膜で覆ったリッジ状に形成し、上記リッジ
側面の周囲に空洞を形成するようにして、上記リッジを
半導体層で埋め込んだことにより、静電容量と寄生抵抗
との互いに相反する関係を解消してこれらを同時に低減
し、かつ、寄生容量が小さく高速応答が可能な半導体光
検出器を実現し、その製造方法を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による半導体光検出器の第１実施例を示
す構造図である。
す構造図である。
【図２】（ａ）〜（ｄ）は上記実施例の製造工程をそれ
ぞれ示す図である。
ぞれ示す図である。
【図３】本発明の第２実施例である半導体検出器で、
（ａ）〜（ｄ）はそれぞれ製造工程を示す図である。
（ａ）〜（ｄ）はそれぞれ製造工程を示す図である。
【図４】従来の半導体光検出器を示す模式図である。
１０１、２０１ 半導体基板 １０２、２０２ ｎ型下部導電層 １０３、２０３ 光吸収層 １０４、２０４ ｐ型上部導電層 １０５、２０５ 誘電体膜 １０６、２０６ 空洞
Claims (2)
- 【請求項１】半導体基板上に設けたｐｎ接合を有する半
導体光検出器において、上記ｐｎ接合部は側面を誘電体
膜で覆ったリッジ状に形成し、上記リッジ側面の周囲に
空洞を形成するようにして、上記リッジを半導体層で埋
め込んだことを特徴とする半導体光検出器。 - 【請求項２】半導体基板上に設けたｐｎ接合を有する半
導体光検出器の製造方法において、上記半導体基板上に
ｐｎ接合を有する半導体光検出器層を形成したのち、上
記半導体光検出器層をリッジ状に形成する工程と、上記
リッジの側面および下部近傍の基板上面に誘電体膜を堆
積する工程と、上記リッジを半導体層の成長により埋め
込む工程とを有することを特徴とする半導体光検出器の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4289950A JP2711055B2 (ja) | 1992-10-28 | 1992-10-28 | 半導体光検出器およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4289950A JP2711055B2 (ja) | 1992-10-28 | 1992-10-28 | 半導体光検出器およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06140658A true JPH06140658A (ja) | 1994-05-20 |
| JP2711055B2 JP2711055B2 (ja) | 1998-02-10 |
Family
ID=17749837
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4289950A Expired - Fee Related JP2711055B2 (ja) | 1992-10-28 | 1992-10-28 | 半導体光検出器およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2711055B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2017183568A1 (ja) * | 2016-04-19 | 2017-10-26 | 日本電信電話株式会社 | 光導波路集積受光素子およびその製造方法 |
-
1992
- 1992-10-28 JP JP4289950A patent/JP2711055B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2017183568A1 (ja) * | 2016-04-19 | 2017-10-26 | 日本電信電話株式会社 | 光導波路集積受光素子およびその製造方法 |
| US10374107B2 (en) | 2016-04-19 | 2019-08-06 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Optical waveguide integrated light receiving element and method of manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2711055B2 (ja) | 1998-02-10 |
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